JPH0254413A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0254413A JPH0254413A JP20525888A JP20525888A JPH0254413A JP H0254413 A JPH0254413 A JP H0254413A JP 20525888 A JP20525888 A JP 20525888A JP 20525888 A JP20525888 A JP 20525888A JP H0254413 A JPH0254413 A JP H0254413A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はDAT等に使用される薄膜磁気ヘッドに関し、
詳しくは磁束感知型素子である磁気抵抗効果素子(以下
MR素子と称す)を使用した再生専用の薄膜磁気ヘッド
に関するものである。
詳しくは磁束感知型素子である磁気抵抗効果素子(以下
MR素子と称す)を使用した再生専用の薄膜磁気ヘッド
に関するものである。
例えば、外部から加えられる磁界の変化で磁気抵抗値が
変化するMR素子を使用したシールド型薄膜磁気ヘッド
の従来構造例を第4図を参照しながら説明する。
変化するMR素子を使用したシールド型薄膜磁気ヘッド
の従来構造例を第4図を参照しながら説明する。
同図に示す磁気ヘッド(1)において、(2)は?In
−Znフェライト等の強磁性体からなるヘッド基板で
、下部シールド層を構成し、以下、上記ヘッド基板を下
部シールド層と称する。尚、この下部シールド層(2)
には上記以外にも非磁性基板上にパーマロイ等の強磁性
体を蒸着或いはスパッタリングして被着形成したものが
ある。(3)は上記下部シールド層(2)の前方端部上
方に近接離隔配置したNi−Fe合金等のMR素子、(
4)は下部シールド層(2)上、にAl、 OaやSi
n、等の絶縁材料を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成した絶縁層、(5)は上記絶縁層(4)上にパーマ
ロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成した上部シールド層で、前記MR素子(3)は絶縁
層(4)を介して上下部シールド層(5)(2)間に電
気的に絶縁した状態で近接離隔配置される。(6)は上
記MR棄子(3)に積層されたT1等のシャントバイア
ス層で、バイアス電流によりMR素子(3,)にバイア
ス磁界を印加する。尚、(7)は上記上部シールド層(
5)上に接着剤〔図示せず〕を介して貼着固定された結
晶化ガラス等の保護板である。
−Znフェライト等の強磁性体からなるヘッド基板で
、下部シールド層を構成し、以下、上記ヘッド基板を下
部シールド層と称する。尚、この下部シールド層(2)
には上記以外にも非磁性基板上にパーマロイ等の強磁性
体を蒸着或いはスパッタリングして被着形成したものが
ある。(3)は上記下部シールド層(2)の前方端部上
方に近接離隔配置したNi−Fe合金等のMR素子、(
4)は下部シールド層(2)上、にAl、 OaやSi
n、等の絶縁材料を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成した絶縁層、(5)は上記絶縁層(4)上にパーマ
ロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成した上部シールド層で、前記MR素子(3)は絶縁
層(4)を介して上下部シールド層(5)(2)間に電
気的に絶縁した状態で近接離隔配置される。(6)は上
記MR棄子(3)に積層されたT1等のシャントバイア
ス層で、バイアス電流によりMR素子(3,)にバイア
ス磁界を印加する。尚、(7)は上記上部シールド層(
5)上に接着剤〔図示せず〕を介して貼着固定された結
晶化ガラス等の保護板である。
この磁気ヘッド(1)の再生は、以下のようにして行わ
れる。!pち、MR素子(3)にセンス電流を流してお
き、磁気ヘッド(1)の前面に沿って磁気テープ等の記
録媒体(8)を摺動させる。この時、シャントバイアス
層(6)には、予めバイアス電流を流して上記MR素子
(3)にバイアス磁界を印加しておく、そして、記録媒
体(8)に書込まれた情報である信号磁束が、MR素子
(3)を通ると、MR素子(3)の電気抵抗値が変化し
、その変化に比例してこのMR素子(3)の両端電圧が
変化するのを読取り、記録媒体(8)の情報再生が行わ
れる。
れる。!pち、MR素子(3)にセンス電流を流してお
き、磁気ヘッド(1)の前面に沿って磁気テープ等の記
録媒体(8)を摺動させる。この時、シャントバイアス
層(6)には、予めバイアス電流を流して上記MR素子
(3)にバイアス磁界を印加しておく、そして、記録媒
体(8)に書込まれた情報である信号磁束が、MR素子
(3)を通ると、MR素子(3)の電気抵抗値が変化し
、その変化に比例してこのMR素子(3)の両端電圧が
変化するのを読取り、記録媒体(8)の情報再生が行わ
れる。
上記磁気ヘッド(1)を製造するに際しては、まず第5
図に示すように、Mn −Znフェライト等の下部シー
ルド層(2)となるヘッド基板を用意してその上にA1
.O、やSin、等を蒸着或いはスパッタリングして絶
縁層(4)を被着形成する0次に、上記下部シールド層
(2)の前方端部の絶縁層(4)上にNi −Fe合金
等を蒸着或いはスパッタリングしてMR素子(3)をW
l膜形成し、更にその上にτ1等を蒸着或いはスパッタ
リングしてシャントバイアス層(6)を積層形成する。
図に示すように、Mn −Znフェライト等の下部シー
ルド層(2)となるヘッド基板を用意してその上にA1
.O、やSin、等を蒸着或いはスパッタリングして絶
縁層(4)を被着形成する0次に、上記下部シールド層
(2)の前方端部の絶縁層(4)上にNi −Fe合金
等を蒸着或いはスパッタリングしてMR素子(3)をW
l膜形成し、更にその上にτ1等を蒸着或いはスパッタ
リングしてシャントバイアス層(6)を積層形成する。
上記MR素子(3)は多トランク方式では、同図に示す
ように、複数個(図示例では2個)、形成しておく、そ
して、上記MRIA子(3)及びシャントバイアス層(
6)の両端から導出されるリード(9)(9)を絶縁層
(4)上に被着形成する0次に、第6図に示すように、
MR@子(3)、シャントバイアス層(6)及びリード
(9)上にAlt、 Osや5102等を蒸着或いはス
パッタリングして絶縁層(4)を形成し、更にその上に
パーマロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングし
て上部シールド層(5)を被着形成する。その後、上部
シールド層(5)上に接着剤(v!J示せず)で結晶化
ガラス等の保護板(7)を貼着固定して第4図に示す磁
気ヘッド(1)を得る。
ように、複数個(図示例では2個)、形成しておく、そ
して、上記MRIA子(3)及びシャントバイアス層(
6)の両端から導出されるリード(9)(9)を絶縁層
(4)上に被着形成する0次に、第6図に示すように、
MR@子(3)、シャントバイアス層(6)及びリード
(9)上にAlt、 Osや5102等を蒸着或いはス
パッタリングして絶縁層(4)を形成し、更にその上に
パーマロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングし
て上部シールド層(5)を被着形成する。その後、上部
シールド層(5)上に接着剤(v!J示せず)で結晶化
ガラス等の保護板(7)を貼着固定して第4図に示す磁
気ヘッド(1)を得る。
又、上記MR素子を使用したシールド型薄膜磁気ヘッド
としては、多トラツクヘッド方式で各MR棄子にバイア
ス磁界を印加するバイアス導体を共通にしたものがあり
、その従来構造例を第7図及び第8図を参照して次に示
す。
としては、多トラツクヘッド方式で各MR棄子にバイア
ス磁界を印加するバイアス導体を共通にしたものがあり
、その従来構造例を第7図及び第8図を参照して次に示
す。
同図に示す磁気ヘッド(10)は、Mn −Znフェラ
イト等の強磁性体からなり、下部シールド層(11)と
なる基板上に、5i02等の絶縁III (12)、C
u等のバイアス導体(13) 、Ni−Fe合金等のM
R素子(14) 、パーマロイ等の金属強磁性体からな
5部シールド層(15)を蒸着又はスパッタリングに
よりaF護膜状積層形成し、図示しないが、更にその上
に結晶化ガラスやセラミック製の保護板を貼着固定した
ものである。上記MR素子(14)はその両端から第8
図に示すように外部引出し用リード(1B) (16
)が導出される。またバイアス導体(13)は、絶縁I
II (12)の各MR素子(14)の下方に共通に近
接離隔した位置に埋設された帯状薄膜で、その両端から
リード(17) (17)が導出される。
イト等の強磁性体からなり、下部シールド層(11)と
なる基板上に、5i02等の絶縁III (12)、C
u等のバイアス導体(13) 、Ni−Fe合金等のM
R素子(14) 、パーマロイ等の金属強磁性体からな
5部シールド層(15)を蒸着又はスパッタリングに
よりaF護膜状積層形成し、図示しないが、更にその上
に結晶化ガラスやセラミック製の保護板を貼着固定した
ものである。上記MR素子(14)はその両端から第8
図に示すように外部引出し用リード(1B) (16
)が導出される。またバイアス導体(13)は、絶縁I
II (12)の各MR素子(14)の下方に共通に近
接離隔した位置に埋設された帯状薄膜で、その両端から
リード(17) (17)が導出される。
上記MR素子(14)にリード(16) (16)を
介してMR素子(14)の磁気抵抗変化を検出するため
のセンス電流11を流し、テープ摺動面(18)に沿っ
て磁気テープ(19)を走行させる、この時、上記MR
素子(14)の出力特性における直線性を良好なものに
するため、バイアス導体(13)にリード(17)
(17)を介してバイアス電流I2を予め流しておいて
、上記MR素子(14)にバイアス磁界を印加する。こ
のようにして、磁気テープ(19)に書込まれた情報で
ある信号磁束が、MR素子(14)を通ると、MRff
i子(14)の電気抵抗値が変化し、その変化に比例し
てこのMR素子(14)の両端電圧が変化するのを読取
り、磁気テープ(10)の情報再生を行う。
介してMR素子(14)の磁気抵抗変化を検出するため
のセンス電流11を流し、テープ摺動面(18)に沿っ
て磁気テープ(19)を走行させる、この時、上記MR
素子(14)の出力特性における直線性を良好なものに
するため、バイアス導体(13)にリード(17)
(17)を介してバイアス電流I2を予め流しておいて
、上記MR素子(14)にバイアス磁界を印加する。こ
のようにして、磁気テープ(19)に書込まれた情報で
ある信号磁束が、MR素子(14)を通ると、MRff
i子(14)の電気抵抗値が変化し、その変化に比例し
てこのMR素子(14)の両端電圧が変化するのを読取
り、磁気テープ(10)の情報再生を行う。
ところで、上述したMR素子(3)を使用したlF腹磁
気ヘッド(1)において、磁気ヘッド(1)のようにM
R素子、(3)に積層したシャントバイアス層(6)に
よりバイアス磁界を印加するシャントバイアス方式では
、MR(3)とシャントバイアス層(6)の並列接続に
センス電流が流れ、その一部がMR素子(3)の抵抗変
化を検知するため、再生電圧が低くなり易く、再生出力
効率が悪くなって大出力が得にくい、又、多トランクヘ
ッドの磁気ヘッド(10)のようにバイアス磁界を印加
するバイアス導体(13)を各MR素子(14)に共通
にした共通バイアス方式では、一つ一つ各MR素子(1
4)のバイアス点調整が困難で、トランク間で再生出力
がばらつく、更に、バイアス導体(13)とMR素子(
14)との間で、磁界バイアスのためには近く、電気絶
縁のためには離さねばならない相克があり、電気的絶縁
を図るのが困難である。
気ヘッド(1)において、磁気ヘッド(1)のようにM
R素子、(3)に積層したシャントバイアス層(6)に
よりバイアス磁界を印加するシャントバイアス方式では
、MR(3)とシャントバイアス層(6)の並列接続に
センス電流が流れ、その一部がMR素子(3)の抵抗変
化を検知するため、再生電圧が低くなり易く、再生出力
効率が悪くなって大出力が得にくい、又、多トランクヘ
ッドの磁気ヘッド(10)のようにバイアス磁界を印加
するバイアス導体(13)を各MR素子(14)に共通
にした共通バイアス方式では、一つ一つ各MR素子(1
4)のバイアス点調整が困難で、トランク間で再生出力
がばらつく、更に、バイアス導体(13)とMR素子(
14)との間で、磁界バイアスのためには近く、電気絶
縁のためには離さねばならない相克があり、電気的絶縁
を図るのが困難である。
本発明は上記諸問題を解消するために、磁気抵抗効果素
子とバイアス導体とを、直列接続するとともに近接させ
て、強磁性体からなる上下部シールド層間に介在させ、
上記素子とバイアス導体とより各々電極を導出すること
を特徴とする。
子とバイアス導体とを、直列接続するとともに近接させ
て、強磁性体からなる上下部シールド層間に介在させ、
上記素子とバイアス導体とより各々電極を導出すること
を特徴とする。
上記技術的手段によれば、センス電流がMR素子とバイ
アス導体とに直列に流れ、バイアス電流とセンス電流と
が同一になる。
アス導体とに直列に流れ、バイアス電流とセンス電流と
が同一になる。
本発明の一実施例を第1図乃至第3図を参照して以下説
明する0図において、(20)は下部シールド層、(2
1)は第1絶縁層、(22)はMR素子、(23)は第
2絶縁層、(24)はバイアス導体、(25g)(25
b)は電極、(26)は上部シールド層である。上記下
部シールド層(20)はMn −Znフェライト等の強
磁性体からなるヘッド基板で、MR素子(22)が形成
される前方端部上方に帯状の台地が形成される。第1絶
縁層(21)は下部シールド層(20)上にへ1203
等の非磁性材料を蒸着或いはスパッタリングして厚さ数
100〜5000人の層状に被着形成される、MR素子
(22)は下部シールド層(20)の前方端部上方の前
記台地上にその付近に亘り第1絶縁層(21)を介して
パーマロイ等を約300〜5000人厚で約10μ幅の
帯状に薄膜形成したものである。第2絶縁層(23)は
、電気的接続部となる両開端部を除いたMR素子(22
)上にAt、0 。
明する0図において、(20)は下部シールド層、(2
1)は第1絶縁層、(22)はMR素子、(23)は第
2絶縁層、(24)はバイアス導体、(25g)(25
b)は電極、(26)は上部シールド層である。上記下
部シールド層(20)はMn −Znフェライト等の強
磁性体からなるヘッド基板で、MR素子(22)が形成
される前方端部上方に帯状の台地が形成される。第1絶
縁層(21)は下部シールド層(20)上にへ1203
等の非磁性材料を蒸着或いはスパッタリングして厚さ数
100〜5000人の層状に被着形成される、MR素子
(22)は下部シールド層(20)の前方端部上方の前
記台地上にその付近に亘り第1絶縁層(21)を介して
パーマロイ等を約300〜5000人厚で約10μ幅の
帯状に薄膜形成したものである。第2絶縁層(23)は
、電気的接続部となる両開端部を除いたMR素子(22
)上にAt、0 。
等の非磁性材料を厚さ数100〜5000人に蒸着或い
はスパッタリングして積層形成される。バイアス導体(
24)は第2絶縁層(23)を介してMR素子(22)
の真上に、一端部(24a)がMR素子(22)に電気
的に接続されるように、Au等を2000人〜1μm厚
に蒸着或いはスパッタリングして積層形成される。電極
(25a )は、バイアス導体(24)の地端部(24
b )より直角に導出して第2絶縁層(23)上から第
1絶縁層(21)上に亘って積層状に被着形成される。
はスパッタリングして積層形成される。バイアス導体(
24)は第2絶縁層(23)を介してMR素子(22)
の真上に、一端部(24a)がMR素子(22)に電気
的に接続されるように、Au等を2000人〜1μm厚
に蒸着或いはスパッタリングして積層形成される。電極
(25a )は、バイアス導体(24)の地端部(24
b )より直角に導出して第2絶縁層(23)上から第
1絶縁層(21)上に亘って積層状に被着形成される。
電極(25b )はMR素子(22)の一方の周端部と
接続し、電極(25a)に略平行に被着形成される。上
部シールド層(26)は、バイアス導体(24)と電極
(25a)(25b)上を含んで第1絶縁層(21)上
にAA! 08等の非磁性材料を蒸着或いはスパッタリ
ングして被着形成した後(図示せず)、その上にパーマ
ロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成される。
接続し、電極(25a)に略平行に被着形成される。上
部シールド層(26)は、バイアス導体(24)と電極
(25a)(25b)上を含んで第1絶縁層(21)上
にAA! 08等の非磁性材料を蒸着或いはスパッタリ
ングして被着形成した後(図示せず)、その上にパーマ
ロイ等の強磁性体を蒸着或いはスパッタリングして被着
形成される。
上記構成に基づき本発明の動作を次に示す。
まず電極(25a )よりセンス電流■0を流すと、電
流1oは電極(25a)からバイアス導体(24)とM
R素子(22)を経て電極(25b ”)に到り、バイ
アス導体(24)からMR素子(22)に直列に流れる
。そのため、バイアス電流はセンス電流1oに等しくな
り、センス電流■0によってMR素子(22)にバイア
ス磁界が印加される。そこで、磁気ヘッド(27)の前
面に沿って磁気テープ等の記録媒体(図示せず)を摺動
させると、記録媒体に書込まれた情報である信号磁束が
、MR素子(22)を通り、MR3子(22)の電気抵
抗値が変化し、その変化に比例してこのMR素子(22
)の両端電圧が変化するのを読取り、記録媒体の情報再
生が行われる。
流1oは電極(25a)からバイアス導体(24)とM
R素子(22)を経て電極(25b ”)に到り、バイ
アス導体(24)からMR素子(22)に直列に流れる
。そのため、バイアス電流はセンス電流1oに等しくな
り、センス電流■0によってMR素子(22)にバイア
ス磁界が印加される。そこで、磁気ヘッド(27)の前
面に沿って磁気テープ等の記録媒体(図示せず)を摺動
させると、記録媒体に書込まれた情報である信号磁束が
、MR素子(22)を通り、MR3子(22)の電気抵
抗値が変化し、その変化に比例してこのMR素子(22
)の両端電圧が変化するのを読取り、記録媒体の情報再
生が行われる。
尚、上記実施例ではシールド型1ヘツドの薄請磁気ヘッ
ドについて説明したが、電極(25a)(25b )に
より導出してバイアス導体とMR素子とを直列接続する
とともに、積層したものを多数形成すると、多トランク
ヘッドのシールド型is磁気ヘッドが形成される。又、
MR素子とバイアス導体とは、積層順序を入れ替えても
よく、更に磁気テープ走行による磁界変化を、強磁性体
のヨークを介してMR素子に導(ヨーク型のものにも、
本発明を通用できる。
ドについて説明したが、電極(25a)(25b )に
より導出してバイアス導体とMR素子とを直列接続する
とともに、積層したものを多数形成すると、多トランク
ヘッドのシールド型is磁気ヘッドが形成される。又、
MR素子とバイアス導体とは、積層順序を入れ替えても
よく、更に磁気テープ走行による磁界変化を、強磁性体
のヨークを介してMR素子に導(ヨーク型のものにも、
本発明を通用できる。
本発明によれば、MR素子を使用した薄膜磁気ヘッドに
おいてMR素子とバイアス導体とを積層状に近接させて
直列接続したから、センス電流とバイアス電流とが同一
になり、MR素子の抵抗変化量がそのまま再生電圧とな
って大きい再生出力が得られる。又、多トラツクヘッド
でのトラック間のばらつきも解消するからトラック間ば
らつがの小さい再生出力が得られる。
おいてMR素子とバイアス導体とを積層状に近接させて
直列接続したから、センス電流とバイアス電流とが同一
になり、MR素子の抵抗変化量がそのまま再生電圧とな
って大きい再生出力が得られる。又、多トラツクヘッド
でのトラック間のばらつきも解消するからトラック間ば
らつがの小さい再生出力が得られる。
第1図と第2図と第3図は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
の一実施例を示す要部の斜視図と平面図と正面図、第4
図はシールド型薄膜磁気ヘッドの一従来例を示す部分断
面図、第5図と第6図は第4図磁気へラドの製造工程に
おける各斜視図、第7図と第8図は共通バイアス方式の
薄膜磁気ヘッドの従来例を示す要部の断面図と平面図で
ある。 (20)・・−・下部シールド層、 (22) −・−磁気抵抗効果素子、 (24) ・−・・バイアス導体、 (25a ) (25b ) ・−・−電極、(26
) −・上部シールド層。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾F
の一実施例を示す要部の斜視図と平面図と正面図、第4
図はシールド型薄膜磁気ヘッドの一従来例を示す部分断
面図、第5図と第6図は第4図磁気へラドの製造工程に
おける各斜視図、第7図と第8図は共通バイアス方式の
薄膜磁気ヘッドの従来例を示す要部の断面図と平面図で
ある。 (20)・・−・下部シールド層、 (22) −・−磁気抵抗効果素子、 (24) ・−・・バイアス導体、 (25a ) (25b ) ・−・−電極、(26
) −・上部シールド層。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社代
理 人 江 原 省 吾F
Claims (1)
- (1)磁気抵抗効果素子とバイアス導体とを、直列接続
させるとともに近接させて、強磁性体からなる上下部シ
ールド層間に介在させ、上記素子とバイアス導体とより
各々電極を導出したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20525888A JPH0254413A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20525888A JPH0254413A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0254413A true JPH0254413A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16504008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20525888A Pending JPH0254413A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0254413A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
US5875078A (en) * | 1993-02-26 | 1999-02-23 | Sony Corporation | Magnetoresistance thin film magnetic head having reduced terminal count; and bias characteristics measuring method |
JP2016223825A (ja) * | 2015-05-28 | 2016-12-28 | アルプス電気株式会社 | 磁界検出装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61104413A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP20525888A patent/JPH0254413A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61104413A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
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