JPS6224849B2 - - Google Patents
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- JPS6224849B2 JPS6224849B2 JP54037402A JP3740279A JPS6224849B2 JP S6224849 B2 JPS6224849 B2 JP S6224849B2 JP 54037402 A JP54037402 A JP 54037402A JP 3740279 A JP3740279 A JP 3740279A JP S6224849 B2 JPS6224849 B2 JP S6224849B2
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetoresistive element
- recording medium
- film
- demagnetizing field
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- Expired
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 8
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3935—Flux closure films not being part of the track flux guides
- G11B5/3938—Flux closure films not being part of the track flux guides the flux closure films being used for absorbing or reducing demagnetisating or saturating fields
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘツドの改良に
関し、特に磁気抵抗効果素子に反磁界抑制磁性体
膜を重複形成した構造の新しい磁気ヘツドに関す
るものである。
関し、特に磁気抵抗効果素子に反磁界抑制磁性体
膜を重複形成した構造の新しい磁気ヘツドに関す
るものである。
従来、磁気デイスク、磁気テープなどの記録媒
体上に記録された情報を読取るための磁気ヘツド
として第１図に示すような磁気抵抗効果型のもの
が知られている。すなわち第１図において、１は
絶縁物からなる基板、２は前記基板１の一端と平
行な一端面において磁気記録媒体６に対向するよ
う支持された強磁性導電体材料からなる磁気抵抗
効果素子、３は前記磁気抵抗効果素子２の長さ方
向両端部に接続するよう対向配置した導電端子、
４は前記磁気抵抗効果素子２が磁気記録媒体６の
残留磁化により磁化される際に、磁気抵抗効果素
子２内に反磁界を抑制するための反磁界抑制用磁
性体膜、５は前記磁気抵抗効果素子２と前記反磁
界抑制用磁性体膜４の間隙に介在せしめた誘電体
である。このような構成の磁気ヘツドにおいて
は、前記磁気記録媒体６の残留磁化の漏れ成分が
磁気抵抗効果素子２に働き、磁化軸の方向が変化
することに起因する電気抵抗の変化に応動して導
電端子３の間の電流が変化するので、この電流の
変化を検出することによつて磁気記録媒体６に記
録されている情報を読取ることができる。ここで
前記磁気抵抗効果素子２の形状は薄膜状で厚さは
200〜300Å、幅は約10μｍ、長さは磁気記録媒体
６の記録トラツク幅に等しい数十〜数千μｍであ
る。このような磁気抵抗効果素子２の形状すなわ
ち幅が長さにくらべて短いことに起因して、磁気
記録媒体６の残留磁化により磁化される際に磁気
抵抗効果素子２内に生ずる反磁界の影響が大きく
現れ、漏れ磁界に応じた磁化軸の向きの変化率が
小さくなつて再生感度が減少する傾向がある。こ
のような反磁界を抑制する目的で前記磁気抵抗効
果素子２の上側端縁部に微小な間隙をへだてて反
磁界抑制用磁性体膜４を具備させているが、該反
磁界抑制用磁性体膜４と前記磁気抵抗効果素子２
の間隙はできるだけ小さいことが望ましい。この
ため前記磁気抵抗効果素子２と反磁界抑制用磁性
体膜４は同一材料を使用して基板１上に同時にパ
ターニングを行つているが、前記磁気抵抗効果素
子２と反磁界抑制用磁性体膜４の間隙を２〜３μ
ｍ以下にすることは現在の蒸着技術では困難であ
つて、磁気記録媒体６の残留磁化による反磁界を
所定以下に抑制できない欠点があつた。
体上に記録された情報を読取るための磁気ヘツド
として第１図に示すような磁気抵抗効果型のもの
が知られている。すなわち第１図において、１は
絶縁物からなる基板、２は前記基板１の一端と平
行な一端面において磁気記録媒体６に対向するよ
う支持された強磁性導電体材料からなる磁気抵抗
効果素子、３は前記磁気抵抗効果素子２の長さ方
向両端部に接続するよう対向配置した導電端子、
４は前記磁気抵抗効果素子２が磁気記録媒体６の
残留磁化により磁化される際に、磁気抵抗効果素
子２内に反磁界を抑制するための反磁界抑制用磁
性体膜、５は前記磁気抵抗効果素子２と前記反磁
界抑制用磁性体膜４の間隙に介在せしめた誘電体
である。このような構成の磁気ヘツドにおいて
は、前記磁気記録媒体６の残留磁化の漏れ成分が
磁気抵抗効果素子２に働き、磁化軸の方向が変化
することに起因する電気抵抗の変化に応動して導
電端子３の間の電流が変化するので、この電流の
変化を検出することによつて磁気記録媒体６に記
録されている情報を読取ることができる。ここで
前記磁気抵抗効果素子２の形状は薄膜状で厚さは
200〜300Å、幅は約10μｍ、長さは磁気記録媒体
６の記録トラツク幅に等しい数十〜数千μｍであ
る。このような磁気抵抗効果素子２の形状すなわ
ち幅が長さにくらべて短いことに起因して、磁気
記録媒体６の残留磁化により磁化される際に磁気
抵抗効果素子２内に生ずる反磁界の影響が大きく
現れ、漏れ磁界に応じた磁化軸の向きの変化率が
小さくなつて再生感度が減少する傾向がある。こ
のような反磁界を抑制する目的で前記磁気抵抗効
果素子２の上側端縁部に微小な間隙をへだてて反
磁界抑制用磁性体膜４を具備させているが、該反
磁界抑制用磁性体膜４と前記磁気抵抗効果素子２
の間隙はできるだけ小さいことが望ましい。この
ため前記磁気抵抗効果素子２と反磁界抑制用磁性
体膜４は同一材料を使用して基板１上に同時にパ
ターニングを行つているが、前記磁気抵抗効果素
子２と反磁界抑制用磁性体膜４の間隙を２〜３μ
ｍ以下にすることは現在の蒸着技術では困難であ
つて、磁気記録媒体６の残留磁化による反磁界を
所定以下に抑制できない欠点があつた。
本発明は、前記の欠点を改善すべく、磁気抵抗
効果素子と反磁界抑制用磁性体膜を最小間隙で絶
縁保持させることを目的として、磁気抵抗効果素
子の上側端縁部に絶縁膜と介して反磁界抑制用磁
性体膜を重複形成したことを特徴とするものであ
る。以下図面を用いて本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘツドについて詳細に説明する。
効果素子と反磁界抑制用磁性体膜を最小間隙で絶
縁保持させることを目的として、磁気抵抗効果素
子の上側端縁部に絶縁膜と介して反磁界抑制用磁
性体膜を重複形成したことを特徴とするものであ
る。以下図面を用いて本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘツドについて詳細に説明する。
第２図は本発明による磁気ヘツドの一実施例を
示し、ａは斜視図、ｂは側断面図で、前図と同等
部分については同一符号を用いている。絶縁物か
らなる基板１の磁気記録媒体６に対向する一側端
面に支持されたNiFe合金などの強磁性導電体材
料からなる磁気抵抗効果素子２を蒸着形成し、該
磁気抵抗効果素子２の長さ方向両端部に導電端子
３を対向するように設けている点は従来の構成と
変わらない。しかしながら本発明においては磁気
抵抗効果素子２の上側端縁部に反磁界抑制用磁性
体膜４の下側端縁部４ａが絶縁膜７を介して重複
するように蒸着してある。かかる構成において、
磁気抵抗効果素子２の上に形成する絶縁膜７とし
ては１μｍ以下の薄膜のものが比較的容易にでき
る。かくして磁気抵抗効果素子２と反磁界抑制用
磁性体膜４との間隙寸法が格段にせばまるため、
反磁界抑制効果が向上し、結果として記録媒体６
上の残留磁化に応じた変化率が増大し、磁気ヘツ
ドの再生感度を向上させることが可能となるわけ
である。なお、前記磁気抵抗効果素子２と反磁界
抑制用磁性体膜４の重複部４ａの幅は数μｍ程度
で効果は充分である。
示し、ａは斜視図、ｂは側断面図で、前図と同等
部分については同一符号を用いている。絶縁物か
らなる基板１の磁気記録媒体６に対向する一側端
面に支持されたNiFe合金などの強磁性導電体材
料からなる磁気抵抗効果素子２を蒸着形成し、該
磁気抵抗効果素子２の長さ方向両端部に導電端子
３を対向するように設けている点は従来の構成と
変わらない。しかしながら本発明においては磁気
抵抗効果素子２の上側端縁部に反磁界抑制用磁性
体膜４の下側端縁部４ａが絶縁膜７を介して重複
するように蒸着してある。かかる構成において、
磁気抵抗効果素子２の上に形成する絶縁膜７とし
ては１μｍ以下の薄膜のものが比較的容易にでき
る。かくして磁気抵抗効果素子２と反磁界抑制用
磁性体膜４との間隙寸法が格段にせばまるため、
反磁界抑制効果が向上し、結果として記録媒体６
上の残留磁化に応じた変化率が増大し、磁気ヘツ
ドの再生感度を向上させることが可能となるわけ
である。なお、前記磁気抵抗効果素子２と反磁界
抑制用磁性体膜４の重複部４ａの幅は数μｍ程度
で効果は充分である。
以上説明したように本発明は磁気抵抗効果型磁
気ヘツドの磁気抵抗効果素子２の上に反磁界抑制
用磁性体膜４を極薄の絶縁膜７を介して重複形成
させたものであるから、磁気抵抗効果素子２が磁
気記録媒体６の残留磁化により磁化される際に磁
気抵抗効果素子内に生ずる反磁界作用を大幅に抑
制することが可能となり、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツドの読取り性能の大幅な向上が期待でき、磁気
デイスク、磁気テープ装置等に適用して極めて有
利である。
気ヘツドの磁気抵抗効果素子２の上に反磁界抑制
用磁性体膜４を極薄の絶縁膜７を介して重複形成
させたものであるから、磁気抵抗効果素子２が磁
気記録媒体６の残留磁化により磁化される際に磁
気抵抗効果素子内に生ずる反磁界作用を大幅に抑
制することが可能となり、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツドの読取り性能の大幅な向上が期待でき、磁気
デイスク、磁気テープ装置等に適用して極めて有
利である。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘツドの斜
視図、第２図ａ及びｂはそれぞれ本発明に係る磁
気抵抗効果型磁気ヘツドの一実施例を示す斜視図
と側断面図である。 １：基板、２：磁気抵抗効果素子、３：導電端
子、４：反磁界抑制用磁性体膜、５：誘電体、
６：磁気記録媒体、７：絶縁膜。
視図、第２図ａ及びｂはそれぞれ本発明に係る磁
気抵抗効果型磁気ヘツドの一実施例を示す斜視図
と側断面図である。 １：基板、２：磁気抵抗効果素子、３：導電端
子、４：反磁界抑制用磁性体膜、５：誘電体、
６：磁気記録媒体、７：絶縁膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板の一側と平行な下側端面において、磁気
記録媒体に対向するよう前記基板上に支持された
磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘツドにおいて、 前記基板上に前記磁気抵抗効果素子の上側端縁
部に絶縁体膜を介して、下縁部が重なり合う前記
磁気抵抗効果素子内に生ずる反磁界抑制用磁性体
膜を上方に延長する形で形成したことを特徴とす
る磁気抵抗効果型磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3740279A JPS55129923A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Magnetoresistance effect type magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3740279A JPS55129923A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Magnetoresistance effect type magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55129923A JPS55129923A (en) | 1980-10-08 |
| JPS6224849B2 true JPS6224849B2 (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=12496526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3740279A Granted JPS55129923A (en) | 1979-03-29 | 1979-03-29 | Magnetoresistance effect type magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55129923A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58205921A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘツド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51137406A (en) * | 1975-05-23 | 1976-11-27 | Nec Corp | Reluctance effect head |
-
1979
- 1979-03-29 JP JP3740279A patent/JPS55129923A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51137406A (en) * | 1975-05-23 | 1976-11-27 | Nec Corp | Reluctance effect head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55129923A (en) | 1980-10-08 |
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