JPH0719341B2 - マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0719341B2 JPH0719341B2 JP15017785A JP15017785A JPH0719341B2 JP H0719341 B2 JPH0719341 B2 JP H0719341B2 JP 15017785 A JP15017785 A JP 15017785A JP 15017785 A JP15017785 A JP 15017785A JP H0719341 B2 JPH0719341 B2 JP H0719341B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive effect
- magnetic head
- shield
- tracks
- track
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘツドの構造に関し、特
に、複数のトラツクを持つシールド付磁気抵抗効果型磁
気ヘツドのシールドの構造に関する。
に、複数のトラツクを持つシールド付磁気抵抗効果型磁
気ヘツドのシールドの構造に関する。
磁気記録媒体と磁気ヘツドとの相対速度が比較的遅い磁
気記憶装置用再生ヘツドとして磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド（以下MRヘツドと称す）が用いられつつある。MRヘツ
ドはその感度が磁気記録媒体との相対速度に依らず、低
速でも高感度が期待できるものである。通常、MRヘツド
はその分解能を高めるため、磁気抵抗効果素子（以下MR
素子と称す）の両側に軟磁性体を配する構造がとられ
る。このような構造は特開昭50−59023に開示されてお
り、第１図に示す如く、基板１の上のMR素子２の両側に
絶縁層４を介して１対の磁気シールド層3,3′が設けら
れている。複数のトラツクを同時に再生する装置ではこ
れらのMR素子とシールド層の組がトラツク数だけ配置さ
れる（第１図では２トラツクの場合）。
気記憶装置用再生ヘツドとして磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ド（以下MRヘツドと称す）が用いられつつある。MRヘツ
ドはその感度が磁気記録媒体との相対速度に依らず、低
速でも高感度が期待できるものである。通常、MRヘツド
はその分解能を高めるため、磁気抵抗効果素子（以下MR
素子と称す）の両側に軟磁性体を配する構造がとられ
る。このような構造は特開昭50−59023に開示されてお
り、第１図に示す如く、基板１の上のMR素子２の両側に
絶縁層４を介して１対の磁気シールド層3,3′が設けら
れている。複数のトラツクを同時に再生する装置ではこ
れらのMR素子とシールド層の組がトラツク数だけ配置さ
れる（第１図では２トラツクの場合）。
MR素子２には、MR素子に電流を流してその抵抗変化を電
圧変化として検出するための電極５が設けられている。
磁気シールド層3,12は検出する必要のない信号磁界から
MR素子を遮へいすると共に、外来の雑音も遮へいする役
目を持つ。ところが一般に磁気シールド層は第１図で示
す如く、絶縁膜でおおわれているため電気的に絶縁され
ており、磁気シールド層に入つた雑音等はMR素子との静
電的，磁気的結合によりMR素子に漏洩しS/Nを低下させ
るもととなつた。
圧変化として検出するための電極５が設けられている。
磁気シールド層3,12は検出する必要のない信号磁界から
MR素子を遮へいすると共に、外来の雑音も遮へいする役
目を持つ。ところが一般に磁気シールド層は第１図で示
す如く、絶縁膜でおおわれているため電気的に絶縁され
ており、磁気シールド層に入つた雑音等はMR素子との静
電的，磁気的結合によりMR素子に漏洩しS/Nを低下させ
るもととなつた。
本発明の目的は、従来技術による、シールド付磁気抵抗
効果型磁気ヘツドの欠点を除去することにより、ノイズ
を低減して良好なS/Nが得られる磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツドを提供することにある。
効果型磁気ヘツドの欠点を除去することにより、ノイズ
を低減して良好なS/Nが得られる磁気抵抗効果型磁気ヘ
ツドを提供することにある。
本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘツドを構成する磁気シ
ールド層を導体性の軟磁性層とし複数のトラツクで一体
化して形成し、導体性を保つと共に、隣接トラツクから
の信号の漏洩を防止するためにMR素子間のシールドの一
部を除去して、隣接トラツクからの信号の漏洩を防止す
る。
ールド層を導体性の軟磁性層とし複数のトラツクで一体
化して形成し、導体性を保つと共に、隣接トラツクから
の信号の漏洩を防止するためにMR素子間のシールドの一
部を除去して、隣接トラツクからの信号の漏洩を防止す
る。
以下、本発明の一実施例を図を用いて説明する。第２図
は、本発明による磁気ヘツドの一例を示す平面図で、第
３図は、第２図のＡ−Ａ′,B−Ｂ′での断面を示す図で
ある。MRヘツドは、その動作特性を線形化し、感度を向
上させるため、MR素子２に適切なバイアス磁界を印加す
る必要がある。そのための方法として、シヤントバイア
ス法、永久磁石によるバイアス磁界を印加する方法等が
公知であるが、本実施例ではシヤントバイアス法を用い
た場合を実施例として述べる。
は、本発明による磁気ヘツドの一例を示す平面図で、第
３図は、第２図のＡ−Ａ′,B−Ｂ′での断面を示す図で
ある。MRヘツドは、その動作特性を線形化し、感度を向
上させるため、MR素子２に適切なバイアス磁界を印加す
る必要がある。そのための方法として、シヤントバイア
ス法、永久磁石によるバイアス磁界を印加する方法等が
公知であるが、本実施例ではシヤントバイアス法を用い
た場合を実施例として述べる。
基板１上にパーマロイ等の導電性軟磁性材料で第１のシ
ールド層３を形成した後、Al2O3,SiO2等の絶縁材の第１
の絶縁層８を形成する。次に、MR素子２（パーマロイ
等）を形成した後、Ti等の導電材料のバイアス膜９を形
成する。次にAl2O3,SiO2等の第２の絶縁層10を形成す
る。絶縁層8,10にはスルーホール11があけられ、第２の
シールド層12と第１のシールド層３との導電性を確保す
る。スルーホール上部にはAu,Al,Cu等の導電性材料で端
子13を形成し、最後にAl2O3やSiO2等の保護層14を形成
した後、端子13露出するまでラツピング等にて加工す
る。上記構造によれば第一のシールド層３と第２のシー
ルド層12とはスルーホールを介して端子13で電気的に接
続されており、端子13を一定電位もしくは接地すること
によりシールド層に入つた雑音を逃がし、MR素子に漏洩
することを防ぐことが可能となる。また、本シールド層
には第２図（ａ）に示す如く、MR素子の間の部分が幅W,
深さＬにわたつて除去されている。幅Ｗはシールド層に
入つた磁束がこの部分で短絡しなければ良く広い方が望
ましいが最低限シールド間隔（大よそ第３図で絶縁層8,
10の厚みの和）あれば良く、通常、シールド間隔の３〜
５倍程度とれば良い。また深さＬは、トラツク間のシー
ルドの導電性が確保できる限り大きい方が訪ましいがMR
素子２の幅Ｈ以上あれば良く、通常２〜３倍をとれば良
い。実施例においては、シールド間隔２μm,MR素子の高
さＨに10μｍとしたのでＷ＝５μm,L＝25μｍとし電極1
3を接地した。このようにすることにより、外来ノイズ
をほとんど零に低減すると共に、隣接トラツクからの信
号の漏洩を、低減することができた。
ールド層３を形成した後、Al2O3,SiO2等の絶縁材の第１
の絶縁層８を形成する。次に、MR素子２（パーマロイ
等）を形成した後、Ti等の導電材料のバイアス膜９を形
成する。次にAl2O3,SiO2等の第２の絶縁層10を形成す
る。絶縁層8,10にはスルーホール11があけられ、第２の
シールド層12と第１のシールド層３との導電性を確保す
る。スルーホール上部にはAu,Al,Cu等の導電性材料で端
子13を形成し、最後にAl2O3やSiO2等の保護層14を形成
した後、端子13露出するまでラツピング等にて加工す
る。上記構造によれば第一のシールド層３と第２のシー
ルド層12とはスルーホールを介して端子13で電気的に接
続されており、端子13を一定電位もしくは接地すること
によりシールド層に入つた雑音を逃がし、MR素子に漏洩
することを防ぐことが可能となる。また、本シールド層
には第２図（ａ）に示す如く、MR素子の間の部分が幅W,
深さＬにわたつて除去されている。幅Ｗはシールド層に
入つた磁束がこの部分で短絡しなければ良く広い方が望
ましいが最低限シールド間隔（大よそ第３図で絶縁層8,
10の厚みの和）あれば良く、通常、シールド間隔の３〜
５倍程度とれば良い。また深さＬは、トラツク間のシー
ルドの導電性が確保できる限り大きい方が訪ましいがMR
素子２の幅Ｈ以上あれば良く、通常２〜３倍をとれば良
い。実施例においては、シールド間隔２μm,MR素子の高
さＨに10μｍとしたのでＷ＝５μm,L＝25μｍとし電極1
3を接地した。このようにすることにより、外来ノイズ
をほとんど零に低減すると共に、隣接トラツクからの信
号の漏洩を、低減することができた。
本実施例では、MR素子のバイアス法としてシヤントバイ
アスの場合について述べたが、本発明の効果は他のバイ
アス法でも同様に得られることは明らかである。
アスの場合について述べたが、本発明の効果は他のバイ
アス法でも同様に得られることは明らかである。
また、本実施例では、シールド層を矩形で除去したが第
２図、（ｂ）に示す如く三角形で、また同図（ｃ）に示
す如く曲線で示される形状で除去しても、同様の効果が
奇態できることは明らかである。
２図、（ｂ）に示す如く三角形で、また同図（ｃ）に示
す如く曲線で示される形状で除去しても、同様の効果が
奇態できることは明らかである。
さらに本実施例ではシールドからの端子は接地としたが
一定の直流電位、たとえばMR素子２を差動型とした時の
センタータツプの電位としても同様の効果があることは
明らかである。
一定の直流電位、たとえばMR素子２を差動型とした時の
センタータツプの電位としても同様の効果があることは
明らかである。
本発明によれば、複数のトラツクを包含する時期抵抗効
果型磁気ヘツドにおいて、導電性のシールド層に入つて
来る外来ノイズを防止すると共に隣接トラツクからの信
号の廻り込みを防止でき、かつ、高トラツク密度に対処
した実装が可能となる効果がある。
果型磁気ヘツドにおいて、導電性のシールド層に入つて
来る外来ノイズを防止すると共に隣接トラツクからの信
号の廻り込みを防止でき、かつ、高トラツク密度に対処
した実装が可能となる効果がある。
第１図は従来技術によるMRヘツドの問題点を説明するた
めのMRヘツドの斜視図、第２図は本発明の一実施例を説
明するための図、第３図は第２図のＡ−Ａ′,B−Ｂ′で
の断面図である。 １……基板、２……MR素子、3,12……シールド層、４…
…絶縁層、５……引出し導体、８……第１の絶縁層、９
……バイアス用導体層、10……第２の絶縁層、11……ス
ルーホール、13……端子、14……保護層。
めのMRヘツドの斜視図、第２図は本発明の一実施例を説
明するための図、第３図は第２図のＡ−Ａ′,B−Ｂ′で
の断面図である。 １……基板、２……MR素子、3,12……シールド層、４…
…絶縁層、５……引出し導体、８……第１の絶縁層、９
……バイアス用導体層、10……第２の絶縁層、11……ス
ルーホール、13……端子、14……保護層。
Claims (4)
- 【請求項１】複数のトラックを構成する複数の磁気抵抗
効果素子と、該複数の磁気抵抗効果素子に絶縁体を介し
て設けられたシールド部材と、該シールド部材を接地も
しくは一定電位に保つ手段とを有し、上記シールド部材
を上記複数のトラック間で一体として導通を確保し、上
記トラック間で上記シールド部材の一部を除去したマル
チトラック磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記シールド部材のトラック間に媒体対向
面側から切り込みを形成した特許請求の範囲第１項記載
のマルチトラック磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記シールド部材が前記磁気抵抗効果素子
の両側に設けられている特許請求の範囲第１項または第
２項記載のマルチトラック磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】前記磁気抵抗効果素子の両側に設けられて
いるシールド部材同士が導通している特許請求の範囲第
３項記載のマルチトラック磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15017785A JPH0719341B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US06/828,349 US4802043A (en) | 1985-03-25 | 1986-02-11 | Magneto-resistive head for protecting against output spike noises |
| DE19863604720 DE3604720A1 (de) | 1985-03-25 | 1986-02-14 | Magnetwiderstandskopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15017785A JPH0719341B2 (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212913A JPS6212913A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0719341B2 true JPH0719341B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=15491184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15017785A Expired - Lifetime JPH0719341B2 (ja) | 1985-03-25 | 1985-07-10 | マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719341B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0845034A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Sony Corp | 磁気抵抗型磁気ヘッド及び記録・再生用複合型磁気ヘッド、並びにこれらの製造方法 |
| EP0821348A3 (en) * | 1996-07-25 | 1998-03-04 | Read-Rite Corporation | Decoupled magnetic head |
| US7206172B2 (en) * | 2004-02-20 | 2007-04-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Electrical lapping guide embedded in a shield of a magnetic head |
| JP2007265555A (ja) | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及び磁気媒体装置 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15017785A patent/JPH0719341B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6212913A (ja) | 1987-01-21 |
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