JPS6212913A - マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents

マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド

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JPS6212913A
JPS6212913A JP15017785A JP15017785A JPS6212913A JP S6212913 A JPS6212913 A JP S6212913A JP 15017785 A JP15017785 A JP 15017785A JP 15017785 A JP15017785 A JP 15017785A JP S6212913 A JPS6212913 A JP S6212913A
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JP
Japan
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magnetic
layer
tracks
magnetic head
shield
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JP15017785A
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Yoshihisa Kamo
加茂 善久
Naoki Sato
直喜 佐藤
Masao Katsumata
勝亦 正雄
Kazuhiro Shigemata
茂俣 和弘
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構造に関し、特に
、複数のトラックを持つシールド付磁気抵抗効果型磁気
ヘッドのシールドの構造に関する。
〔発明の背景〕
磁気記録媒体と磁気ヘッドとの相対速度が比較的遅い磁
気記憶装置用再生ヘッドとして磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド(以下MRヘッドと称す)が用いられつつある。MR
ヘッドはその感度が磁気記録媒体との相対速度に依らず
、低速でも高感度が期待できるものである。通常、MR
ヘッドはその分解能を高めるため、磁気抵抗効果素子(
以下MR素子と称す)の両側に軟磁性体を配する構造が
とられる。このような構造は特開昭50−59023に
開示されており、第1図に示す如く、基板1の上のMR
素子2の両側に絶縁層4を介して1対の磁気シールド層
3,3′が設けられている。複数のトラックを同時に再
生する装置ではこれらのMR素子とシールド層の組がト
ラック数だけ配置される(第1図では2トラツクの場合
)。
MR素子2には、MR素子に電流を流してその抵抗変化
を電圧変化として検出するための電極5が設けられてい
る。磁気シールド層3,12は検出する必要のない信号
磁界からMR素子を遮へいすると共に、外来の雑音も遮
へいする役目を持つ。
ところが一般に磁気シールド層は第1図で示す如く、絶
縁膜でおおわれているため電気的に絶縁されており、磁
気シールド層に入った雑音等はMR素子との静電的、磁
気的結合によりMR素子に漏洩しS/Nを低下させるも
とどなった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、従来技術による、シールド付磁気抵抗
効果型磁気ヘッドの欠点を除去することにより、ノイズ
を低減して良好なS/Nが得られる磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成する磁気シ
ールド層を導体性の軟磁性層とし複数のトラックで一体
化して形成し、導体性を保つと共に、隣接トラックから
の信号の漏洩を防止するためにMR素子間のシールドの
一部を除去して、隣接トラックからの信号の漏洩を防止
する。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図を用いて説明する。
第4図は、本発明による磁気ヘッドの一例を示す平面図
で、第5図は、第4図のA−A’、B−B′での断面を
示す図である。MRヘッドは、その動作特性を線形化し
、感度を向上させるため、MR素子2に適切なバイアス
磁界を印加する必要がある。そのための方法として、シ
ャントバイアス法、永久磁石によるバイアス磁界を印加
する方法等が公知であるが、本実施例ではシャントバイ
アス法を用いた場合を実施例として述べる。
基板1上にパーマロイ等の導電性軟磁性材料で第1のシ
ールド層3を形成した後、Afi20.。
SiO2等の絶縁材の第1の絶縁層8を形成する。
次に、MR素子2(パーマロイ等)を形成した後、Ti
等の導電材料のバイアス膜9を形成する。次ニA Q、
O,、S i O,等の第2の絶縁層10を形成する。
絶縁層8,10にはスルーホール11があけられ、第2
のシールド層12と第1のシールド層3との導電性を確
保する。スルーホール上部にはAu、AQ、Cu等の導
電性材料で端子13を形成し、最後にAQ20.やSi
O2等の保護層14を形成した後、端子13露出するま
でラッピング等にて加工する。上記構造によれば第一の
シールド層3と第2のシールド層12とはスルーホール
を介して端子13で電気的に接続されており、端子13
を一定電位もしくは接地にすることによ゛  リシール
ド層に入った雑音を逃がし、MR素子に漏洩することを
防ぐことが可能となる。また、本シールド層には第4図
(a)に示す如く、MR素子の間の部分が幅W、深さL
にわたって除去されている。幅Wはシールド層に入った
磁束がこの部分で短絡しなければ良く広い方−が望まし
いが最低限シールド間隔(大よそ第5図で絶縁層8,1
0の厚みの和)あれば良く、通常、シールド間隔の3〜
5倍程度とれば良い。また深さLは、トラック間のシー
ルドの導電性が確保できる限り大きい方が望ましいがM
R素子2の幅H以上あれば良く。
通常2〜3倍をとれば良い。実施例においては、シール
ド間隔2μm、MR素子の高さHに10μmとしたので
W=5μm、L=25μmとじ電極13を接地した。こ
のようにすることにより、外来ノイズをほとんど零に低
減すると共に、隣接トラックからの信号の漏洩を、第3
図の構造の場合の−に低減できた。
本実施例では、MR素子のバイアス法としてシャントバ
イアスの場合について述べたが、本発明の効果は他のバ
イアス法でも同様に得られることは明らかである。
また、本実施例では、シールド層を矩形で除去したが第
4図、(b)に示す如く三角形で、また同図(b)に示
す如く曲線で示される形状で除去しても、同様の効果が
期待できることは明らかである。
さらに本実施例ではシールドからの端子は接地としたが
一定の直流電位、たとえばMR素子2を差動型とした時
のセンタータップの電位としても同様の効果があること
は明らかである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、複数のトラックを包含する磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、導電性のシールド層に入って
来る外来ノイズを防止すると共に隣接トラックからの信
号の廻り込みを防止でき、かつ、高トラツク密度に対処
した実装が可能となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術によるMRヘッドの問題点を説明する
ためのMRヘッドの斜視図、第2図は本発明の一実施例
を説明するための図、第3図は第2図のA−A’、B−
B’での断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、磁気抵抗効果素子の両側に絶縁体を介して、一対の
    導電性の磁気シールド部材を設けてなるトラックを複数
    個で構成するマルチトラック磁気抵抗効果型磁気ヘッド
    において、前記一対の磁気シールドの部材を、複数のト
    ラックで一体として導電性を確保すると共に、前記トラ
    ック間でシールド層の一部を除去すると共に、該一対の
    磁気シールドの部材より引出される外部回路と接続する
    ための端子を有し、該端子を接地を含む一定直流電位と
    したことを特徴とするマルチトラック磁気抵抗効果型磁
    気ヘッド。
JP15017785A 1985-03-25 1985-07-10 マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド Expired - Lifetime JPH0719341B2 (ja)

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JP15017785A JPH0719341B2 (ja) 1985-07-10 1985-07-10 マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド
US06/828,349 US4802043A (en) 1985-03-25 1986-02-11 Magneto-resistive head for protecting against output spike noises
DE19863604720 DE3604720A1 (de) 1985-03-25 1986-02-14 Magnetwiderstandskopf

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JPH0719341B2 JPH0719341B2 (ja) 1995-03-06

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JP15017785A Expired - Lifetime JPH0719341B2 (ja) 1985-03-25 1985-07-10 マルチトラツク磁気抵抗効果型磁気ヘツド

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Cited By (4)

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JPH0719341B2 (ja) 1995-03-06

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