JPS61255525A - マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツド - Google Patents
マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61255525A JPS61255525A JP9836185A JP9836185A JPS61255525A JP S61255525 A JPS61255525 A JP S61255525A JP 9836185 A JP9836185 A JP 9836185A JP 9836185 A JP9836185 A JP 9836185A JP S61255525 A JPS61255525 A JP S61255525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- mre
- track
- magnetoresistive
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
- G11B5/397—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read with a plurality of independent magnetoresistive active read-out elements for respectively transducing from selected components
- G11B5/3977—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read with a plurality of independent magnetoresistive active read-out elements for respectively transducing from selected components from different information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体として磁気テープ、磁気ディスク
を使用した磁気記録装置の磁気ヘッドにおいて、特に、
薄膜作製技術およびフォトリングラフィを用いて作製さ
れる磁気抵抗素子で構成されたマルチトラック磁気抵抗
型磁気ヘッドに関するものである。
を使用した磁気記録装置の磁気ヘッドにおいて、特に、
薄膜作製技術およびフォトリングラフィを用いて作製さ
れる磁気抵抗素子で構成されたマルチトラック磁気抵抗
型磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術
最近、磁気記録装置においてトラック密度の向上に伴う
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ）
を使った磁気抵抗型磁気へ・ソド（以後ＭＲヘッドと呼
ぶ）が広く使用されつつある。その基本的かつ代表的構
造を第３図に示す。（例えば「マグネトレジスタンス、
リードアウト トラフ２ジユーサーＪ （Ｍａｇｎｅ
ｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ＲｅａｄｏｕｔＴｒａｎｓ
ｄｕｃｅｒ Ｉ ＥＥＥ 、 Ｔｒａｎｓ 、Ｍａｇ７
１６０頁））第３図において非磁性基板１０１上にＭＲ
Ｅ１０２としてパーマロイ（Ｎｔ−Ｆｅ）、Ｎｉ−Ｃｏ
合金のような強磁性薄膜を短冊状に形成する。この時、
ＭＲＥ１０２は磁界中蒸着などによってトラック幅方向
を磁化容易軸とするように一軸磁気具方性が誘起される
。ＭＲＥ１０２は、磁気記録媒体１０３に近接して配置
される。磁気記録媒体１０３の磁界により、ＭＲＥ１０
２の磁化が変化し、磁気抵抗効果によってＭＲＥの抵抗
が変化する。この抵抗変化を検出するために、ＭＲＥの
両端に設けられた電極１０４ａ、１０４ｂがらＭＲＥへ
検知電流が通じられる。前記電極を介して検出回路が接
続され、ＭＲＥの抵抗変化が検出することにより、磁気
記録媒体に記憶されている情報の読み出しが行われる。
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ）
を使った磁気抵抗型磁気へ・ソド（以後ＭＲヘッドと呼
ぶ）が広く使用されつつある。その基本的かつ代表的構
造を第３図に示す。（例えば「マグネトレジスタンス、
リードアウト トラフ２ジユーサーＪ （Ｍａｇｎｅ
ｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ＲｅａｄｏｕｔＴｒａｎｓ
ｄｕｃｅｒ Ｉ ＥＥＥ 、 Ｔｒａｎｓ 、Ｍａｇ７
１６０頁））第３図において非磁性基板１０１上にＭＲ
Ｅ１０２としてパーマロイ（Ｎｔ−Ｆｅ）、Ｎｉ−Ｃｏ
合金のような強磁性薄膜を短冊状に形成する。この時、
ＭＲＥ１０２は磁界中蒸着などによってトラック幅方向
を磁化容易軸とするように一軸磁気具方性が誘起される
。ＭＲＥ１０２は、磁気記録媒体１０３に近接して配置
される。磁気記録媒体１０３の磁界により、ＭＲＥ１０
２の磁化が変化し、磁気抵抗効果によってＭＲＥの抵抗
が変化する。この抵抗変化を検出するために、ＭＲＥの
両端に設けられた電極１０４ａ、１０４ｂがらＭＲＥへ
検知電流が通じられる。前記電極を介して検出回路が接
続され、ＭＲＥの抵抗変化が検出することにより、磁気
記録媒体に記憶されている情報の読み出しが行われる。
また、ＭＲＥ１０２を磁気記録媒体１０３から離して配
置し、磁気記録媒体１０３からの信号磁界をＭＲＥ１０
２に導くだめの導磁性材料で構成されたヨークを有する
ＭＲヘッドも広く知られている。（例えば、「マグネト
レジステイブへ、ソド」（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔ
ｉｖｅ Ｈｅａｄ Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ Ｍａ
ｇ １７２８８４頁）） 一般にＭＲＥの抵抗変化ΔＲは検知電流の向きとＭＲＥ
の磁化の向きとがなす角度をθ、最大抵抗変化をΔＲｍ
ａ工としだ時以下の（１）式が成立する。
置し、磁気記録媒体１０３からの信号磁界をＭＲＥ１０
２に導くだめの導磁性材料で構成されたヨークを有する
ＭＲヘッドも広く知られている。（例えば、「マグネト
レジステイブへ、ソド」（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔ
ｉｖｅ Ｈｅａｄ Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ Ｍａ
ｇ １７２８８４頁）） 一般にＭＲＥの抵抗変化ΔＲは検知電流の向きとＭＲＥ
の磁化の向きとがなす角度をθ、最大抵抗変化をΔＲｍ
ａ工としだ時以下の（１）式が成立する。
ΔＲ＝ΔＲエ ＣＯ８θ ・・・・・・（１
）また、ＭＲＥ内の信号磁束密度をＢ、ＭＲＥ１１ｑｌ の飽和磁束密度をＢ８とした時、近似的に５１ｇ ５ｉｎθ＝□ ・・・・・・（２）が成
立しく１）式、（２）式より が導れる。即ち理論的にはＭＲＥは磁界変化に対して第
４図のような抵抗変化を示す。そしてＭＲＥの抵抗変化
による出力を高感度化および直線応答化する目的で、磁
気平衡点を第４図のＢの位置のバイアス磁界強度にする
ためのバイアス磁界がＭＲＥの困難軸方向に印加される
。
）また、ＭＲＥ内の信号磁束密度をＢ、ＭＲＥ１１ｑｌ の飽和磁束密度をＢ８とした時、近似的に５１ｇ ５ｉｎθ＝□ ・・・・・・（２）が成
立しく１）式、（２）式より が導れる。即ち理論的にはＭＲＥは磁界変化に対して第
４図のような抵抗変化を示す。そしてＭＲＥの抵抗変化
による出力を高感度化および直線応答化する目的で、磁
気平衡点を第４図のＢの位置のバイアス磁界強度にする
ためのバイアス磁界がＭＲＥの困難軸方向に印加される
。
発明が解決しようとする問題点
しかし、高記録密度化に従って、ＭＲＥが微少パターン
化されると、変則的な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった。
化されると、変則的な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった。
即ち、消磁状態のＭＲＥは多数の磁区を有しており、第
５図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状のＭ
ＲＥの磁区構造の一例を示している。この例においては
、磁化容易軸方向に反平行の磁化を有する２つの主磁区
１５１，１５２と還流磁区とよばれる２つの磁区１５３
、１５４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を有しない
構造となっている。
５図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状のＭ
ＲＥの磁区構造の一例を示している。この例においては
、磁化容易軸方向に反平行の磁化を有する２つの主磁区
１５１，１５２と還流磁区とよばれる２つの磁区１５３
、１５４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を有しない
構造となっている。
そして、磁気記録媒体からの信号磁界がＭＲＥに作用し
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に、第７図に示
すようなバルクハウゼンノイズＮ１〜Ｎ４を発生するこ
とになる。その結果、良好な信号再生を実現できない問
題を有していた。
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に、第７図に示
すようなバルクハウゼンノイズＮ１〜Ｎ４を発生するこ
とになる。その結果、良好な信号再生を実現できない問
題を有していた。
一般に、ＭＲＥの磁区構造はその形状により大きく依存
し、特にＭＲＥのアスペクト比（ＭＲＥの長さ／ＭＲＥ
の幅）が大きくなり、長さ方向の反磁界が小さくなると
、ＭＲＥの磁区構造は第６図のようにその中央部で磁壁
を有しない単磁区にすることができ、バルクハウゼンノ
イズ発生を抑制できることが知られている。
し、特にＭＲＥのアスペクト比（ＭＲＥの長さ／ＭＲＥ
の幅）が大きくなり、長さ方向の反磁界が小さくなると
、ＭＲＥの磁区構造は第６図のようにその中央部で磁壁
を有しない単磁区にすることができ、バルクハウゼンノ
イズ発生を抑制できることが知られている。
しかし、ＭＲＥの長さは、トラック幅の制限をうける。
特に高密度記録用として、狭トラツクおよびマルチトラ
ック化された磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥ長を長くする
ことは不可能であった。
ック化された磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥ長を長くする
ことは不可能であった。
また、ＭＲＥを単磁区にする別の方法として、ＭＲＥの
長さ方向に磁気バイアスを印加する方法も知られている
。しかし、この方法はバイアス磁界が磁気記録媒体に浅
海し、磁気記録媒体上の情報が損われるという問題点が
あった。
長さ方向に磁気バイアスを印加する方法も知られている
。しかし、この方法はバイアス磁界が磁気記録媒体に浅
海し、磁気記録媒体上の情報が損われるという問題点が
あった。
本発明の目的はトラック幅、トラックピッチなどにより
長さ制限されたＭＲＥの有効部分を単磁区構造にしてバ
ルクハウゼンノイズを発生しない峙ルチトラック磁気抵
抗型磁気ヘッドを提供することである。
長さ制限されたＭＲＥの有効部分を単磁区構造にしてバ
ルクハウゼンノイズを発生しない峙ルチトラック磁気抵
抗型磁気ヘッドを提供することである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明のマルチトラック磁
気抵抗型磁気ヘッドは隣接するＭＲＥの対向する端部間
あるいは最終端に電気絶縁層を中間層として強磁性材料
の磁脚を少なくとも１つ以上設けることを特徴としてい
る。
気抵抗型磁気ヘッドは隣接するＭＲＥの対向する端部間
あるいは最終端に電気絶縁層を中間層として強磁性材料
の磁脚を少なくとも１つ以上設けることを特徴としてい
る。
さらに、磁脚として高透磁材料を用いた時には、ＭＲＥ
の単磁区化をより確実なものとするために、磁脚を周回
する導電性材料のコイルを設けることも特徴としている
。
の単磁区化をより確実なものとするために、磁脚を周回
する導電性材料のコイルを設けることも特徴としている
。
作 用
本発明の構成において磁脚に用いる材料が高透磁率材料
と硬質磁性材料ではその作用が異なる。
と硬質磁性材料ではその作用が異なる。
即ち
（１）磁脚が高透磁率材料で構成された時には、ＭＲＥ
と磁脚は一体となり、ＭＲＥと磁脚は磁路長の極めて長
い磁気回路を構成する。
と磁脚は一体となり、ＭＲＥと磁脚は磁路長の極めて長
い磁気回路を構成する。
その結果、ＭＲＥに作用する反磁界は減少し、ＭＲＥを
単磁区化し、変則的な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズを除去できる。
単磁区化し、変則的な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズを除去できる。
（２）磁脚が硬質磁性材料で構成された時には、まず、
磁脚はトラック幅方向に着磁されなくてはならない。
磁脚はトラック幅方向に着磁されなくてはならない。
従って磁脚から発した磁界は、ＭＲＥをトラック幅方向
に磁化し、ＭＲＥを単磁区化することになる。
に磁化し、ＭＲＥを単磁区化することになる。
その結果、変則的な磁壁移動に起因するバルクハウゼン
ノイズを除去できる。
ノイズを除去できる。
実施例
第１図は本発明の一実施例のマルチトラック磁気抵抗型
磁気ヘッドを示している。
磁気ヘッドを示している。
第１図の実施例においては２トラツク磁気抵抗型磁気ヘ
ツドの例を示すものである。
ツドの例を示すものである。
第１図において、非磁性基板１ｏ上にＭＲＥｌｌ、１２
としてＮｉ−Ｆｅ 薄膜を３００人〜６００人の厚さで
形成し、フォトリングラフィ技術によってそれぞれ短冊
状にパターン化する。この時、Ｎｉ −Ｆｅ 薄膜は磁
界中蒸着などによってトラック幅方向が磁化容易軸に設
定される。
としてＮｉ−Ｆｅ 薄膜を３００人〜６００人の厚さで
形成し、フォトリングラフィ技術によってそれぞれ短冊
状にパターン化する。この時、Ｎｉ −Ｆｅ 薄膜は磁
界中蒸着などによってトラック幅方向が磁化容易軸に設
定される。
次にＭＲＥに検知電流を流すだめの導体薄膜電極（以下
電極という）１３ａ、１３ｂおよび１４ａ。
電極という）１３ａ、１３ｂおよび１４ａ。
１４ｂが形成される。この後、ＭＲＥｌｌ、１２および
電極１ｓａ、１ｓｂ、１４ａ、１ａｂの上部にＳ １０
２ （図示せず）などの電気絶縁層が形成される。そし
て各トラックの対向する端部および最終端に、ＭＲＥと
オーバラップするように高透磁率材料で構成された磁脚
１５，１６．１７が形成される。
電極１ｓａ、１ｓｂ、１４ａ、１ａｂの上部にＳ １０
２ （図示せず）などの電気絶縁層が形成される。そし
て各トラックの対向する端部および最終端に、ＭＲＥと
オーバラップするように高透磁率材料で構成された磁脚
１５，１６．１７が形成される。
この後、Ｓ ｉＯ２などの保護層（図示せず）が形成さ
れ、磁気記録媒体１８との摺接面が所定の形状に加至、
ラッピングされてＭＲＨが完成される。
れ、磁気記録媒体１８との摺接面が所定の形状に加至、
ラッピングされてＭＲＨが完成される。
第２図は本発明の他の実施例を示すものである。
この実施例においては、磁脚１９は硬質磁性薄膜で構成
され、トラック幅方向に着磁されている。
され、トラック幅方向に着磁されている。
また最終端における磁脚は高透磁率材料で構成され、そ
れぞれ接合して、閉磁路構造を有するひとつの磁脚２０
を形成している。尚、これらの磁脚１９．２０以外の構
成は第１図に示す実施例と同じである。以上のように閉
磁路構造とすることにより、磁脚１９からのバイアス磁
界は、磁気記録媒体１８へ浅部せず、磁気記録媒体１８
上に記録された情報を損うことがない。
れぞれ接合して、閉磁路構造を有するひとつの磁脚２０
を形成している。尚、これらの磁脚１９．２０以外の構
成は第１図に示す実施例と同じである。以上のように閉
磁路構造とすることにより、磁脚１９からのバイアス磁
界は、磁気記録媒体１８へ浅部せず、磁気記録媒体１８
上に記録された情報を損うことがない。
尚、本実施例において、磁脚１９，２０ともに高透磁率
材料で構成し、しかも磁脚を周回するようなコイルを形
成し、これに直流電流を流すことにより、バイアス磁界
をＭＲＥに印加してもよい。
材料で構成し、しかも磁脚を周回するようなコイルを形
成し、これに直流電流を流すことにより、バイアス磁界
をＭＲＥに印加してもよい。
また、本実施例では、ＭＲＥと磁気記録媒体とは直接当
接しているが、ＭＲＥを磁気記録媒体から離して設置し
その間に、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導く
ヨークを設ける構成も可能である。
接しているが、ＭＲＥを磁気記録媒体から離して設置し
その間に、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導く
ヨークを設ける構成も可能である。
また、本実施例でば２トラツク磁気抵抗型磁気ヘツドの
側で示しているが、３トラック以上の構成でも同様であ
る。
側で示しているが、３トラック以上の構成でも同様であ
る。
発明の効果
以上のように本発明によればマルチトラック磁気抵抗型
磁気ヘッドの隣接するＭＲＥの対向する端部を、電気的
な絶縁を施して、磁脚によって橋障しをする。上記磁脚
を高透磁率材料で構成した時には、それぞれのＭＲＥは
磁気的に非常に長いエレメントとして作用する。このた
め、ＭＲＥの有効部における反磁界の影響は激減し、単
磁区構造になる。従って、バルクハウゼンノイズを除去
できる。
磁気ヘッドの隣接するＭＲＥの対向する端部を、電気的
な絶縁を施して、磁脚によって橋障しをする。上記磁脚
を高透磁率材料で構成した時には、それぞれのＭＲＥは
磁気的に非常に長いエレメントとして作用する。このた
め、ＭＲＥの有効部における反磁界の影響は激減し、単
磁区構造になる。従って、バルクハウゼンノイズを除去
できる。
まだ、磁脚を硬質磁性材料で構成した時には、ＭＲＥの
長手方向にバイアス磁界が印加されることによってＭＲ
Ｅは単磁区化され、バルクハウゼンノイズを除去するこ
の時、閉磁路構造とすることにより、バイアス磁界によ
る記録情報の損傷を防止できる効果も有する。
長手方向にバイアス磁界が印加されることによってＭＲ
Ｅは単磁区化され、バルクハウゼンノイズを除去するこ
の時、閉磁路構造とすることにより、バイアス磁界によ
る記録情報の損傷を防止できる効果も有する。
第１図は本発明の一実施例における磁気抵抗型磁気ヘッ
ドの概要を示す斜視図、第２図は本発明の他の実施例に
おける磁気抵抗型磁気ヘッドの概要を示す斜視図、第３
図は従来の磁気抵抗型磁気ヘッドの概要を示す斜視図、
第４図はＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示す理論特性図
、第５図は従来のＭＲＥの消磁時における磁区構造の一
例を示す平面図、第６図はアスペクト比の非常に大きい
ＭＲＥの消磁時における単磁区状態を示す平面図、第７
図はバルクハウゼンノイズを発生する微小パターンＭＲ
Ｅの磁界強度による抵抗変化を示す特性図である。 １ｏ−−−−−一非鷹勉板、１１，１２・・・・・・磁
気抵抗効果素子（ＭＲｌｉ：）、１３ａ、１３ｂ、１４
ａ、１４ｂ・・・・・・電極、１５，１６，１７・・・
・・・磁脚、１８・・・・・・磁気記録媒体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第。 図 ト非１組１基１ Ｎ、＋ｔ−一閂ｉ？Ｅ 第３図 第７図
ドの概要を示す斜視図、第２図は本発明の他の実施例に
おける磁気抵抗型磁気ヘッドの概要を示す斜視図、第３
図は従来の磁気抵抗型磁気ヘッドの概要を示す斜視図、
第４図はＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示す理論特性図
、第５図は従来のＭＲＥの消磁時における磁区構造の一
例を示す平面図、第６図はアスペクト比の非常に大きい
ＭＲＥの消磁時における単磁区状態を示す平面図、第７
図はバルクハウゼンノイズを発生する微小パターンＭＲ
Ｅの磁界強度による抵抗変化を示す特性図である。 １ｏ−−−−−一非鷹勉板、１１，１２・・・・・・磁
気抵抗効果素子（ＭＲｌｉ：）、１３ａ、１３ｂ、１４
ａ、１４ｂ・・・・・・電極、１５，１６，１７・・・
・・・磁脚、１８・・・・・・磁気記録媒体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第。 図 ト非１組１基１ Ｎ、＋ｔ−一閂ｉ？Ｅ 第３図 第７図
Claims (4)
- （１）隔離した第１および第２の端部を有する強磁性金
属材料で構成された磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子
の抵抗変化を検知する１対の電極とを磁気記録媒体の各
トラックに記憶された情報を検知するようにそれぞれ２
つ以上具備し、隣接トラックの前記磁気抵抗素子の対向
する端部間、あるいは、最終端に電気的絶縁物を中間層
とし、強磁性材料の磁脚を少なくとも１つ以上設け、前
記磁気抵抗素子の端部と、前記磁脚との端部を互いにオ
ーバーラップさせたことを特徴とするマルチトラック磁
気抵抗型磁気ヘッド。 - （２）磁脚を高透磁率材料で構成したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のマルチトラック磁気抵抗型
磁気ヘッド。 - （３）磁脚を硬質磁性薄膜で構成した事を特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載のマルチトラック磁気抵抗型
磁気ヘッド。 - （４）磁脚の廻りを、前記磁脚を周回するような導電材
材料で構成したコイルを具備したことを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載のマルチトラック磁気抵抗型磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9836185A JPH061533B2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 | マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9836185A JPH061533B2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 | マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255525A true JPS61255525A (ja) | 1986-11-13 |
| JPH061533B2 JPH061533B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=14217740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9836185A Expired - Lifetime JPH061533B2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 | マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061533B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287412A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気ヘッド |
| EP0422916A2 (en) * | 1989-10-11 | 1991-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method for a magnetoresistive head |
-
1985
- 1985-05-09 JP JP9836185A patent/JPH061533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287412A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気ヘッド |
| JP2596934B2 (ja) * | 1986-05-29 | 1997-04-02 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気ヘッド |
| EP0422916A2 (en) * | 1989-10-11 | 1991-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method for a magnetoresistive head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061533B2 (ja) | 1994-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07105006B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| JPS6059518A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61255525A (ja) | マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツド | |
| JP2583851B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツド | |
| JPS61196418A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS61196417A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2661560B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JPH0426907A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPS61255524A (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツド | |
| JPS63129512A (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP3590078B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH08203032A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPH09305924A (ja) | 磁気抵抗効果型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH05266437A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH05182146A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH03290812A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JP2863552B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびこの薄膜磁気ヘッドを用いた記録再生装置 | |
| JPH07110921A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPS60182008A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH052720A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
| JPS63224017A (ja) | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0546946A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド | |
| JPH06203332A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0426908A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド |