JPH0426907A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置に用いられる
磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子内の磁
壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制することを目
的とし、２つの磁気シールド体の間に非磁性絶縁層を介
して配設された薄膜強磁性体からなる磁気抵抗効果素子
に電流を流し、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体か
らの信号磁界を再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
、上記磁気抵抗効果素子を強磁性膜とコイルからなる電
磁石のギャップ内に配置し、該電磁石からの漏洩磁界を
素子容易軸方向に印加するように構成する。

口産業上の利用分野〕 本発胡は磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置に用
いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関する。

近年、コンピュータの外部記憶装置である磁気記録装置
の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要求されている
。この要求を満足するものとして、記録媒体の速度に依
存せず小径ディスクに対しても利用でき、高い出力が得
られる磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドという）
が注目されている。

〔従来の技術〕

従来のＭＲヘッドは第４図（ａ）、　　（ｂ）　に示す
ような構造を有している。同図において、１は矩形の磁
気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）、２．２′は引
き出し導体層、３ａ、３ｂは磁気シールド体、４は非磁
性絶縁層である。ＭＲ素子１は、その長手方向くｙ軸方
向）にＭＲ膜の容易軸方向が一致するようにパターン形
成されている。

引き出し導体層２，２′はＭＲ素子１の長手方向の両端
で素子に接合している。ＭＲ素子１及び弓き出し導体層
２，２′は２つの磁気シールド体３ａ、３ｂ間（再生ギ
ャップに相当）に配置され、非磁性絶縁層４を介して磁
気シールド体３ａ３ｂと電気的に絶縁されている。セン
ス電流ｊは引き出し導体層２，２′を通してＭＲ素子１
に流れ、導体層２．２′によって画定される矩形の信号
検出領域６に流れる。このように構成されたＭＲヘッド
は、該ＭＲヘッドの下をＸ軸方向に移動する磁気記録媒
体７からの信号磁界を信号検出領域６で抵抗変化として
検知することができる。

この場合、センス電流Ｊは、信号磁界に対してＭＲヘッ
ドの再生を線型化するためにも利用されている。即ちＭ
Ｒ素子１は、一方の磁気シールド体３ａに近接して配置
され、センス電流によって磁化した磁気シールド体表面
からの漏洩磁界によって素子高さ方向にバイアス磁界が
印加されていた。（こ（７）／”イアス方式をセルフバ
イアス法トいう。） 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来のＭＲヘッドでは、ＭＲ素子１の容易軸（ｙ軸
方向）の磁化方向に対してＭＲ素子が有限長であるため
素子端部に磁極（ｈ）、、Ｓ極）が生じ、素子内部には
磁化方向とは反対向きの磁界（反磁界）が発生する。こ
のためＭＲ素子は反磁界によって誘起された静磁エネル
ギーを下げるた杓に第５図に示すようにいくつかの磁区
８に分割された磁区構造となり、磁区の境界には磁壁９
が生じていた。

しかしながら一般にＭＲ膜においては、成膜の不完全さ
から結晶粒界、格子欠陥、不純物介在等の不均一性があ
る。このため従来のＭＲヘッドでは、記録媒体から信号
磁界に対して磁壁は引っ掛かりながら移動し、磁化回転
が不連続となって再生波形にはバルクハウセン雑音が生
ずるという問題が生じていた。

本発明は上記従来の問題点に鑑み、磁気抵抗効果素子内
の磁壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制した磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的とする。

〔課題を解決するた必の手段〕

第１図は本発明の原理説明図である。

本発明では、同図に示すように、ＭＲ素子１１を強磁性
膜１８とコイル１９で構成される電磁石２０のギャップ
内に配置し、ＭＲ膜の容易軸方向（ＭＲ素子の長手方向
）に磁界Ｈを印加する。

〔作　用〕

本発明によれば、ＭＲ膜の容易軸方向に印加される電磁
石２０からの磁界Ｈによって、ＭＲ素子１１内の反磁界
による静磁エネルギーを下げることができ、これにより
ＭＲ素子１１を磁壁のない単一磁区構造とすることがで
きる。従って磁壁の移動がないためバルクハウゼン雑音
の抑制が可能となる。

〔実施例〕

第２図は本発明の実施例を示す図であり、（ａ）は要部
斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図である
。

同図において、１１はＮｉＦｅ膜からなるＭＲ素子、１
２ａ・１２ｂはＡｕ膜等からなる引き畠し導体層、１３
ａは絶縁性磁性のＮｉＺｎフェライト材からなる磁気シ
ールド体、１３　ｂ　１ｔＮｉＦｅあるいはフェライト
材からなる磁気シールド体である。また１８はＮｉＦｅ
等で略コ字状に形成された強磁性膜、１９は強磁性膜１
８の一部に巻回されたコイルである。ＭＲ素子１１はこ
の強磁性膜１８とコイル１９で構成される電磁石２０の
ギャップ内に配置されている。引き出し導体層１２ａ、
１２ｂはＭＲ素子１１の長手方向に対し所定幅で切除さ
れてＭＲ素子の両端で素子に接合され、信号検出領域１
６を画定している。ＭＲ素子１１及び引き出し導体層１
２ａ、１２ｂは２つの磁気シールド体１３ａ・１３ｂの
間に配置されるが、両者はＳ１０□膜あるいはＡｌ２Ｏ
２膜の非磁性絶縁層１４を介して磁気シールド体１３ａ
・１３ｂと電気的に絶縁されている。

このように構成された本実施例のＭＲヘッドは、引き出
し導体層１２ａ、１２ｂを通してセンス電流」が信号検
出領域１６に流される。そして前述のセルフバイアス方
式によりＭＲ素子１１が線型動作することにより、ＭＲ
ヘッドは直下を移動する磁気記録媒体１７からの信号磁
界を検知する。この際ＭＲ素子１１には、コイル１９に
通電された電流１によって誘起されギャップ内に漏洩す
る磁界Ｈが素子の容易軸方向（ＭＲ素子の長手方向）に
印加されているため、ＭＲ素子１１内の静磁エネルギー
が下がり、磁壁のない単一磁ヌ構造となる。これにより
磁壁の移動によって生ずるバルクハウゼン雑音は抑制さ
れる。

第３図は本発明の他の実施例を示す図である。

同図において、第２図と同一部分は同一符号を付して示
した。

本実施例は基本的には前実施例と同様であり、異なると
ころは、電磁石用コイル１９と引き出し導体１２ａ、１
２ｂを互いにＡ及びＢ部で接続し、両者への電流供給を
接続部Ａ、Ｂを通して行なうことができるようにしたこ
とである。この場合、電磁石用コイル１０及びＭＲ素子
１１への電流供給源を共用することができるという利点
が生ずる。

なお以上の各実施例では、ＭＲヘッド再生の線型化方式
にはセルフバイアス法を用いているが本発明は、線型化
のバイアス手段について特に制限はなく、他のシャント
バイアス法、あるいは永久磁石バイアス法、バーバーポ
ールバイアス法等のいずれであっても良いことは言うま
でもない。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、本発明によれば、ＭＲ素子を電磁石
のギャップ中に配置して磁界を印加することにより単一
磁区構造となし、バルクハウゼン雑音を抑制することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図、 第２図は本発明の実施例を示す図、 第３図は本発明の他の実施例を示す図、第４図は従来の
ＭＲヘッドを示す図、 第５図は従来のＭＲヘッドにおけるＭＲ素子の磁区構造
を示す図である。 図において、 １１はＭＲ素子、 １２ａ、１２ｂは引き出し導体層、 １３ａ、１３ｂは磁気シールド体、 １４は非磁性絶縁層、 １６は信号検出領域、 １７は磁気記録媒体、 １８は強磁性膜、 １９はコイノベ ２０は電磁石 を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、２つの磁気シールド体（１３ａ，１３ｂ）の間に非
   磁性絶縁層（１４）を介して配設された薄膜強磁性体か
   らなる磁気抵抗効果素子（１１）に電流を流し、磁気抵
   抗効果を利用して磁気記録媒体（１７）からの信号磁界
   を再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子（１１）を強磁性膜（１８）とコ
   イル（１９）からなる電磁石（２０）のギャップ内に配
   置し、該電磁石（２０）からの漏洩磁界を素子容易軸方
   向に印加することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 ２、上記電磁石用コイル（１９）とＭＲ素子通電用引き
   出し導体層（１２ａ，１２ｂ）を互いに接続し、共通電
   流供給源から前記接続部を通してコイル（１９）及び引
   き出し導体層（１２ａ，１２ｂ）へ電流を流すようにし
   たことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッ
   ド。