JPH0426909A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH0426909A JPH0426909A JP13115090A JP13115090A JPH0426909A JP H0426909 A JPH0426909 A JP H0426909A JP 13115090 A JP13115090 A JP 13115090A JP 13115090 A JP13115090 A JP 13115090A JP H0426909 A JPH0426909 A JP H0426909A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 59
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0008—Magnetic conditionning of heads, e.g. biasing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置に用いられる
磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子内の磁
壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制することを目
的とし、２つの磁気シールド体の間に非磁性絶縁層を介
して配設された薄膜強磁性体からなる磁気抵抗効果素子
に電流を流し、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体か
らの信号磁界を再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
、電流磁界発生手段となる導体層を磁気抵抗効果素子の
磁気記録媒体に対面しない側の近傍で且つ磁気抵抗効果
素子の素子面に垂直となるように配置し、素子容易軸方
向に電流磁界を印加するように構成する。
磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子内の磁
壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制することを目
的とし、２つの磁気シールド体の間に非磁性絶縁層を介
して配設された薄膜強磁性体からなる磁気抵抗効果素子
に電流を流し、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体か
らの信号磁界を再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
、電流磁界発生手段となる導体層を磁気抵抗効果素子の
磁気記録媒体に対面しない側の近傍で且つ磁気抵抗効果
素子の素子面に垂直となるように配置し、素子容易軸方
向に電流磁界を印加するように構成する。
：産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置に用
いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
近年、コンピュータの外部記憶装置である磁気記録装置
の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要求されている
。この要求を満足するものとして、記録媒体の速度に依
存せず小径ディスクに対しても利用でき、高い出力が得
られる磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドという）
が注目されている。
の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要求されている
。この要求を満足するものとして、記録媒体の速度に依
存せず小径ディスクに対しても利用でき、高い出力が得
られる磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドという）
が注目されている。
従来のＭＲヘッドは第３図（ａ）、 （ｂ）に示すよ
うな構造を有している。同図において、１は矩形の磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）、２．２′は引き
出し導体層、３ａ、３ｂは磁気シールド体、４は非磁性
絶縁層である。ＭＲ素子１は、その長手方向（ｙ軸方向
）にＭＲ膜の容易軸方向が一致するようにパターン形成
されている。
うな構造を有している。同図において、１は矩形の磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）、２．２′は引き
出し導体層、３ａ、３ｂは磁気シールド体、４は非磁性
絶縁層である。ＭＲ素子１は、その長手方向（ｙ軸方向
）にＭＲ膜の容易軸方向が一致するようにパターン形成
されている。
引き出し導体層２．２′はＭＲ素子１の長手方向の両端
で素子に接合している。ＭＲ素子１及び弓き出し導体層
２．２′は２つの磁気シールド体３ａ、３ｂ間（再生ギ
ャップに相当）に配置され、非磁性絶縁層４を介して磁
気シールド体３ａ。
で素子に接合している。ＭＲ素子１及び弓き出し導体層
２．２′は２つの磁気シールド体３ａ、３ｂ間（再生ギ
ャップに相当）に配置され、非磁性絶縁層４を介して磁
気シールド体３ａ。
３ｂと電気的に絶縁されている。センス電流コは引き出
し導体層２，２′を通してＭＲ素子１に流れ、導体層２
．２′によって画定される矩形の信号検出領域６に流れ
る。このように構成されたＭＲヘッドは、該ＭＲヘッド
の下をＸ軸方向に移動する磁気記録媒体７からの信号磁
界を信号検出領域６で抵抗変化として検知することがで
きる。
し導体層２，２′を通してＭＲ素子１に流れ、導体層２
．２′によって画定される矩形の信号検出領域６に流れ
る。このように構成されたＭＲヘッドは、該ＭＲヘッド
の下をＸ軸方向に移動する磁気記録媒体７からの信号磁
界を信号検出領域６で抵抗変化として検知することがで
きる。
この場合、センス電流Ｊは、信号磁界に対してＭＲヘッ
ドの再生を線型化するためにも利用されている。即ちＭ
Ｒ素子１は、一方の磁気シールド体３ａに近接して配置
され、センス電流によって磁化した磁気シールド体表面
からの漏洩磁界によって素子高さ方向にバイアス磁界が
印加されていた。（このバイアス方式をセルフバイアス
法という。） 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来のＭＲヘッドでは、ＭＲ素子１の容易軸（ｙ軸
方向）の磁化方向に対してＭＲ素子が有限長であるたｔ
素子端部に磁極（Ｎ、Ｓ極）が生じ、素子内部には磁化
方向とは反対向きの磁界（反磁界）が発生する。このた
めＭＲ素子は反磁界によって誘起された静磁エネルギー
を下げるために第４図に示すようにいくつかの磁区８に
分割された磁区構造となり、磁区の境界には磁壁９が生
じていた。
ドの再生を線型化するためにも利用されている。即ちＭ
Ｒ素子１は、一方の磁気シールド体３ａに近接して配置
され、センス電流によって磁化した磁気シールド体表面
からの漏洩磁界によって素子高さ方向にバイアス磁界が
印加されていた。（このバイアス方式をセルフバイアス
法という。） 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来のＭＲヘッドでは、ＭＲ素子１の容易軸（ｙ軸
方向）の磁化方向に対してＭＲ素子が有限長であるたｔ
素子端部に磁極（Ｎ、Ｓ極）が生じ、素子内部には磁化
方向とは反対向きの磁界（反磁界）が発生する。このた
めＭＲ素子は反磁界によって誘起された静磁エネルギー
を下げるために第４図に示すようにいくつかの磁区８に
分割された磁区構造となり、磁区の境界には磁壁９が生
じていた。
しかしながら一般にＭＲ膜においては、成膜の不完全さ
から結晶粒界、格子欠陥、不純物介在等の不均一性があ
る。このため従来のＭＲヘッドでは、記録媒体からの信
号磁界に対して磁壁は引っ掛かりながら移動し、磁化回
転が不連続となって再生波形にはバルクハウゼン雑音が
生ずるという問題が生じていた。
から結晶粒界、格子欠陥、不純物介在等の不均一性があ
る。このため従来のＭＲヘッドでは、記録媒体からの信
号磁界に対して磁壁は引っ掛かりながら移動し、磁化回
転が不連続となって再生波形にはバルクハウゼン雑音が
生ずるという問題が生じていた。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、磁気抵抗効果素子内
の磁壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制した磁気
抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
の磁壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制した磁気
抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
口課題を解決するための手段〕
第１図は本発明の原理説明図である。
本発明では、同図に示すように、ＭＲ素子１１の磁気記
録媒体１７に対面しない側の近傍で且つ素子面に垂直と
なるように導体層１５を配置している。
録媒体１７に対面しない側の近傍で且つ素子面に垂直と
なるように導体層１５を配置している。
第１図において、ＭＲ素子１１の近傍に配置されたＵ字
状の導体層１５に電流Ｊを流すことにより、該導体層１
５のＭＲ素子面に垂直な部分にはＭＲ素子１１に平行と
なる部分を有する磁力線φが生じ、素子の長手方向に磁
界Ｈが印加される。これによりＭＲ素子１１内の反磁界
による静磁エネルギーを下げることができ、ＭＲ素子１
１を磁壁のない単一磁区構造とすることができる。従っ
て磁壁の移動がないためバルクハウゼン雑音の抑制が可
能となる。
状の導体層１５に電流Ｊを流すことにより、該導体層１
５のＭＲ素子面に垂直な部分にはＭＲ素子１１に平行と
なる部分を有する磁力線φが生じ、素子の長手方向に磁
界Ｈが印加される。これによりＭＲ素子１１内の反磁界
による静磁エネルギーを下げることができ、ＭＲ素子１
１を磁壁のない単一磁区構造とすることができる。従っ
て磁壁の移動がないためバルクハウゼン雑音の抑制が可
能となる。
第２図は本発明の実施例を示す図であり、（ａ）は要部
斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図である
。
斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図である
。
同図において、１１はＮｉＦｅ膜からなるＭＲ素子、１
２ａ、１２ｂはＡｕ膜等からなる引き出し導体層、１３
ａは絶縁性磁性のＮｉＺｎフェライト材からなる磁気シ
ールド体、１３ｂはＮ＋Ｆｅあるいはフェライト材から
なる磁気シールド体、１４は非磁性絶縁層、１５は導体
層である。ＭＲ素子１１は、素子長手方向（ｙ軸方向）
が容易軸方向に一致するようにパターン形成されている
。引き出し導体層１２ａ＝１２ｂは、ＭＲ素子１１の長
手方向に対して所定幅で切除されて素子両端で素子に接
合され、ＭＲ素子１１の信号検出領域１６を画定してい
る。導体層１５はＵ字状に形成され、その底部がＭＲ素
子１１の磁気記録媒体１７に対面しない側の近傍で且つ
素子面に垂直となるように配置されている。そしてＭＲ
素子１１、引き出し導体層１２ａ、１２ｂ及び導体層１
５は２つの磁気シールド体１３ａ、１３ｂの間に配置さ
れるが、これらは５ｉｎ２膜あるいはＡ Ｒ２０３膜の
非磁性絶縁層１４を介して磁気シールド体１３ａ、１３
ｂと電気的に絶縁されている。
２ａ、１２ｂはＡｕ膜等からなる引き出し導体層、１３
ａは絶縁性磁性のＮｉＺｎフェライト材からなる磁気シ
ールド体、１３ｂはＮ＋Ｆｅあるいはフェライト材から
なる磁気シールド体、１４は非磁性絶縁層、１５は導体
層である。ＭＲ素子１１は、素子長手方向（ｙ軸方向）
が容易軸方向に一致するようにパターン形成されている
。引き出し導体層１２ａ＝１２ｂは、ＭＲ素子１１の長
手方向に対して所定幅で切除されて素子両端で素子に接
合され、ＭＲ素子１１の信号検出領域１６を画定してい
る。導体層１５はＵ字状に形成され、その底部がＭＲ素
子１１の磁気記録媒体１７に対面しない側の近傍で且つ
素子面に垂直となるように配置されている。そしてＭＲ
素子１１、引き出し導体層１２ａ、１２ｂ及び導体層１
５は２つの磁気シールド体１３ａ、１３ｂの間に配置さ
れるが、これらは５ｉｎ２膜あるいはＡ Ｒ２０３膜の
非磁性絶縁層１４を介して磁気シールド体１３ａ、１３
ｂと電気的に絶縁されている。
このように構成された本実施例のＭＲヘッドは、引き出
し導体層１２ａ、１２ｂを通してセンス電流ｊが信号検
出領域１６に流されることによりＭＲ素子１１は前述の
セルフバイアス方式により直線動作する。これによりＭ
Ｒヘッドは直下を移動する磁気記録媒体１７からの信号
磁界を検知する。この際ＭＲ素子１１は、導体層１５に
通電された電流Ｊによって容易軸方向に磁界Ｈが印加さ
れることにより素子内の静磁エネルギーが下がり、磁壁
のない単一磁区構造となっているため磁壁の移動によっ
て生ずるバルクハウゼン雑音は発生しない。
し導体層１２ａ、１２ｂを通してセンス電流ｊが信号検
出領域１６に流されることによりＭＲ素子１１は前述の
セルフバイアス方式により直線動作する。これによりＭ
Ｒヘッドは直下を移動する磁気記録媒体１７からの信号
磁界を検知する。この際ＭＲ素子１１は、導体層１５に
通電された電流Ｊによって容易軸方向に磁界Ｈが印加さ
れることにより素子内の静磁エネルギーが下がり、磁壁
のない単一磁区構造となっているため磁壁の移動によっ
て生ずるバルクハウゼン雑音は発生しない。
なお上述の実施例では、ＭＲヘッド再生の線型化方式に
はセルフバイアス法を用いているが、本発明は、線型化
のバイアス手段について特に制限しない。バイアス方式
としては、他のシャントバイアス法あるいは永久磁石バ
イアス法、電流バイアス法、バーバーポールバイアス法
等のいずれであっても良いことは言うまでもない。
はセルフバイアス法を用いているが、本発明は、線型化
のバイアス手段について特に制限しない。バイアス方式
としては、他のシャントバイアス法あるいは永久磁石バ
イアス法、電流バイアス法、バーバーポールバイアス法
等のいずれであっても良いことは言うまでもない。
口発明の効果〕
以上説明した様に、本発明によれば、ＭＲ素子の近傍に
、該ＭＲ素子面に垂直な導体層を設けてＭＲ素子の容易
軸方向に磁界を印加することにより、ＭＲ素子を磁壁の
ない単一磁区構造とし、バルクハウゼン雑音の発生を抑
制することが可能となる。
、該ＭＲ素子面に垂直な導体層を設けてＭＲ素子の容易
軸方向に磁界を印加することにより、ＭＲ素子を磁壁の
ない単一磁区構造とし、バルクハウゼン雑音の発生を抑
制することが可能となる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の実施例を示す図、
第３図は従来のＭＲヘッドを示す図、
第４図は従来のＭＲヘッドにおけるＭＲ素子の磁区構造
を示す図である。 図において、 １０は基板、 １１はＭＲ素子、 １２ａ、１２ｂは引き出し導体、 １３ａ、１３ｂは磁気シールド体、 １４は非磁性絶縁層、 １５は導体層、 １６は信号検知領域、 １７は磁気記録媒体 を示す。 本発明の原理説明図 第１図 １１ ・ＭＲ素子 １５・・・導体層 １７・・磁気記録媒体 （０）要部斜視図 （ｂ）ａ図のｂ−ｂ線ＶＣ，％’ける断面図本発明の実
施例を示す図 ３ａ １３ｂ 磁気／ ルド体 １７ ・ ａ気菖己ダはり１６Ｆ （Ｑ）要部斜視図 第 図
を示す図である。 図において、 １０は基板、 １１はＭＲ素子、 １２ａ、１２ｂは引き出し導体、 １３ａ、１３ｂは磁気シールド体、 １４は非磁性絶縁層、 １５は導体層、 １６は信号検知領域、 １７は磁気記録媒体 を示す。 本発明の原理説明図 第１図 １１ ・ＭＲ素子 １５・・・導体層 １７・・磁気記録媒体 （０）要部斜視図 （ｂ）ａ図のｂ−ｂ線ＶＣ，％’ける断面図本発明の実
施例を示す図 ３ａ １３ｂ 磁気／ ルド体 １７ ・ ａ気菖己ダはり１６Ｆ （Ｑ）要部斜視図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２つの磁気シールド体（１３ａ，１３ｂ）の間に非
磁性絶縁層（１４）を介して配設された薄膜強磁性体か
らなる磁気抵抗効果素子（１１）に電流を流し、磁気抵
抗効果を利用して磁気記録媒体（１７）からの信号磁界
を再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 電流磁界発生手段となる導体層（１５）を磁気抵抗効果
素子（１１）の磁気記録媒体（１７）に対面しない側の
近傍で且つ磁気抵抗効果素子（１１）の素子面に垂直と
なるように配置し、素子容易軸方向に電流磁界を印加す
ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13115090A JPH0426909A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13115090A JPH0426909A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426909A true JPH0426909A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15051172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13115090A Pending JPH0426909A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0426909A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5822159A (en) * | 1993-07-14 | 1998-10-13 | Sony Corporation | Thin-film magnetic head, magnetoresistance effect magnetic head and composite magnetic head |
-
1990
- 1990-05-23 JP JP13115090A patent/JPH0426909A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5822159A (en) * | 1993-07-14 | 1998-10-13 | Sony Corporation | Thin-film magnetic head, magnetoresistance effect magnetic head and composite magnetic head |
| US5872691A (en) * | 1993-07-14 | 1999-02-16 | Sony Corporation | Thin film magnetic head, magnetoresistance effect magnetic head and composite magnetic head |
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