JPS61196417A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS61196417A JPS61196417A JP3575185A JP3575185A JPS61196417A JP S61196417 A JPS61196417 A JP S61196417A JP 3575185 A JP3575185 A JP 3575185A JP 3575185 A JP3575185 A JP 3575185A JP S61196417 A JPS61196417 A JP S61196417A
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- mre
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3935—Flux closure films not being part of the track flux guides
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/398—Specially shaped layers
- G11B5/3987—Specially shaped layers with provision for closing the magnetic flux during operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体として磁気テープ、磁気ディスク
を使用した磁気記録装置において高記録密度化、高信頼
性化などの要請が強まる中で従来のバルク材料で作製さ
れる磁気ヘッドに代わり、薄膜作製技術、フォトリング
ラフィ技術を駆使し、狭ギャップ、狭トラツク、マルチ
トラック化を実現し、かつ上記要請をも満足する磁気抵
抗素子か′ら成る薄膜磁気ヘッドに関するものである。
を使用した磁気記録装置において高記録密度化、高信頼
性化などの要請が強まる中で従来のバルク材料で作製さ
れる磁気ヘッドに代わり、薄膜作製技術、フォトリング
ラフィ技術を駆使し、狭ギャップ、狭トラツク、マルチ
トラック化を実現し、かつ上記要請をも満足する磁気抵
抗素子か′ら成る薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術
最近、磁気記録装置においてトラック密度の向上に伴う
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲΣと呼ぶ）
を使った磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以後ＭＲヘッドと
呼ぶ）が広く使用されつつある。その基本的かつ代表的
構造を第４図に示す。（例えば「ア マグネトレジスタ
ンスリードアウト トランスデエーサー」 （Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒ＊ｓｉｇｔａｎｃ＠Ｒｅａｄｏ
ｕｔ ＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ
Ｗａｇ ７ １６０頁））第４図において非磁性基板１
０１上にＭＲＥとして、バー’７０イ（Ｎｉ −Ｆｅ
） 、 Ｎｉ −Ｃｏ合金、の様な強磁性薄膜１０２を
短冊状に形成する。この時、ＭＲＥは、磁界中蒸着など
によってそのトラック幅方向が磁化容易軸となるように
一軸磁気異方性が誘起される。こうして形成したＭＲＥ
を磁気記録媒体１０３に近接し、記録媒体１０３に記録
さねている情報を読み出すものが基本的かつ従来から使
用されている代表的構造である。
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲΣと呼ぶ）
を使った磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以後ＭＲヘッドと
呼ぶ）が広く使用されつつある。その基本的かつ代表的
構造を第４図に示す。（例えば「ア マグネトレジスタ
ンスリードアウト トランスデエーサー」 （Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒ＊ｓｉｇｔａｎｃ＠Ｒｅａｄｏ
ｕｔ ＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ
Ｗａｇ ７ １６０頁））第４図において非磁性基板１
０１上にＭＲＥとして、バー’７０イ（Ｎｉ −Ｆｅ
） 、 Ｎｉ −Ｃｏ合金、の様な強磁性薄膜１０２を
短冊状に形成する。この時、ＭＲＥは、磁界中蒸着など
によってそのトラック幅方向が磁化容易軸となるように
一軸磁気異方性が誘起される。こうして形成したＭＲＥ
を磁気記録媒体１０３に近接し、記録媒体１０３に記録
さねている情報を読み出すものが基本的かつ従来から使
用されている代表的構造である。
まだ、前記ＭＲＥを磁気記録媒体から離して配置し磁気
記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くための導磁性材
料からなるヨークを有するＭＲヘッドも広く知られてい
る。
記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くための導磁性材
料からなるヨークを有するＭＲヘッドも広く知られてい
る。
（例えば「マグネトレジステイブ ヘッダ」（Ｍａｇｎ
ｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｙｅ Ｈｅａｄｓ＋ ＩＥＥＥ
、 ＴｒａｎｓＭａｇ１７ ２８８４頁）） ＭＲＥの動作は以下の通りである。即ち磁気記録媒体か
らの信号磁界はＭＲＥの磁化を回転させ、とハに従って
ＭＲＥの抵抗が変化する。この時、ＭＲＥに電極１０４
ａ、１ｏ４ｂを通じて、センス電流工、を流しておくと
ＭＲＥの抵抗変化は電圧変化に変換されて検知される。
ｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｙｅ Ｈｅａｄｓ＋ ＩＥＥＥ
、 ＴｒａｎｓＭａｇ１７ ２８８４頁）） ＭＲＥの動作は以下の通りである。即ち磁気記録媒体か
らの信号磁界はＭＲＥの磁化を回転させ、とハに従って
ＭＲＥの抵抗が変化する。この時、ＭＲＥに電極１０４
ａ、１ｏ４ｂを通じて、センス電流工、を流しておくと
ＭＲＥの抵抗変化は電圧変化に変換されて検知される。
一般にＭＲＥの抵抗変化ΔＲは、センス電流の向きと、
ＭＲＥの磁化の向きとがなす角度をθ。
ＭＲＥの磁化の向きとがなす角度をθ。
最大抵抗変化をΔＲｍａｘとした時、以下の（１）式に
示す関係が成立する。
示す関係が成立する。
ΔＲ＝ΔＲｍａｘＣ０８２θ −・・−（１）
また、ＭＲＥ内の信号磁速密度Ｂｓｉ。、ＭＲＥの飽和
磁束密度をＢ８とした時、近似的に以下の（２）式が成
立する。
また、ＭＲＥ内の信号磁速密度Ｂｓｉ。、ＭＲＥの飽和
磁束密度をＢ８とした時、近似的に以下の（２）式が成
立する。
（１）式、Ｇ２）式より
が導かねる、即ち、理論的には１１ａＲＥは、磁界変化
に対して、第６図のような抵抗変化を示す、そして、Ｍ
ＲＥの抵抗変化による出力高感度化および直線応答化す
る目的で、磁気平衡点を第６図Ｂの位置にするためのバ
イアス磁界を印加して、用いられる。
に対して、第６図のような抵抗変化を示す、そして、Ｍ
ＲＥの抵抗変化による出力高感度化および直線応答化す
る目的で、磁気平衡点を第６図Ｂの位置にするためのバ
イアス磁界を印加して、用いられる。
発明が解決しようとする問題点
しかし、高記録密度化に従って、ＭＲＥが微少パターン
化されると、不連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった。
化されると、不連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった。
即ち、消磁状態のＭＲＥは、多数の磁区を有しており、
第６図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状の
ＭＲＥの磁区構造の一例を示している。この例において
は、磁化容易軸方向に反平行の磁化を有する２つの主磁
区、１５１．１５２と、還流磁区と呼ばれる２つの５ｓ
区１５３，１５４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を有
しない構造となっている。
第６図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状の
ＭＲＥの磁区構造の一例を示している。この例において
は、磁化容易軸方向に反平行の磁化を有する２つの主磁
区、１５１．１５２と、還流磁区と呼ばれる２つの５ｓ
区１５３，１５４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を有
しない構造となっている。
そして、磁気記録媒体からの信号磁界がＭＲＥに作用し
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に、第７図に示
すようなバルクハウゼンノイズｔＮ１〜Ｎ４ を発生す
ることになる。その結果、良好な信号再生を実現できな
い問題点を有していた。
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に、第７図に示
すようなバルクハウゼンノイズｔＮ１〜Ｎ４ を発生す
ることになる。その結果、良好な信号再生を実現できな
い問題点を有していた。
本発明は、ＭＲＥの有効部分において磁壁を有さない単
磁区を発生させることにより、パルクツ・ウゼンノイズ
零を発生させないことを目的としている。
磁区を発生させることにより、パルクツ・ウゼンノイズ
零を発生させないことを目的としている。
問題点を解決するための手段
この目的を達成させるため、本発明の薄膜磁気ヘッドで
は互いに離れた２つの端部を有する磁脚をＭＲＥに近接
して形成し、前記磁脚とＭＲＥの各々２つの端部が互い
にオーバーラツプするような閉磁路構造とし、そのオー
バラップ部の中間層にＳ Ｒ０２などの絶縁材料を形成
し、磁脚とＭＲＥは電気的に絶縁されるような構造とし
ていることを特徴としている。
は互いに離れた２つの端部を有する磁脚をＭＲＥに近接
して形成し、前記磁脚とＭＲＥの各々２つの端部が互い
にオーバーラツプするような閉磁路構造とし、そのオー
バラップ部の中間層にＳ Ｒ０２などの絶縁材料を形成
し、磁脚とＭＲＥは電気的に絶縁されるような構造とし
ていることを特徴としている。
作 用
本発明は上記した構成において、磁脚に用いられる材料
が、高透磁率材料と、硬質磁作材料ではその作用が異な
る。即ち、 ■ 磁脚が高透磁率材料で構成された時には、ＭＲＥの
磁気回路は、磁脚を含めて考えた時には、閉磁路構造と
なり、ＭＲＥおよび磁脚は磁化容易軸に対し水平な磁化
方向をもつ水平部分と、垂直な磁化方向を持つ垂直部分
とを有し、全体としての磁化を発生しないような消磁状
態にすることができる。
が、高透磁率材料と、硬質磁作材料ではその作用が異な
る。即ち、 ■ 磁脚が高透磁率材料で構成された時には、ＭＲＥの
磁気回路は、磁脚を含めて考えた時には、閉磁路構造と
なり、ＭＲＥおよび磁脚は磁化容易軸に対し水平な磁化
方向をもつ水平部分と、垂直な磁化方向を持つ垂直部分
とを有し、全体としての磁化を発生しないような消磁状
態にすることができる。
このような、磁化状態はＭＲＨにおける磁化容易軸との
鉛直部分の幅、長さが水平部分に比べ、細く、長い場合
に起りやすい傾向がある。
鉛直部分の幅、長さが水平部分に比べ、細く、長い場合
に起りやすい傾向がある。
このように、ＭＲＥの有効部分、即ち、ＭＲＥの水平部
分の中央部は、磁壁を有しない単磁区状態となるため不
連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズを除去
することができる。
分の中央部は、磁壁を有しない単磁区状態となるため不
連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズを除去
することができる。
■ 磁脚が硬質磁性材料で構成された時には、まず、磁
脚は着磁されなくてはならない。
脚は着磁されなくてはならない。
即ち、磁脚の一方の端部から他方の端部への一方向に着
磁された磁脚はその結果として、ＭＲＥを磁脚に着磁さ
れた方向と同方向に磁化される。
磁された磁脚はその結果として、ＭＲＥを磁脚に着磁さ
れた方向と同方向に磁化される。
そして、ＭＲＥの有効部分、即ち、ＭＲＥの水平部分の
中央部を磁壁を有しない単磁区状態にすることができる
。
中央部を磁壁を有しない単磁区状態にすることができる
。
また、着磁された磁脚の磁界は、ＭＲＥを周回し、再び
、磁脚へ環流する構造となっているため、磁脚からの磁
界が外部へ洩漏することかなく、磁気記録媒体上の情報
を損うことがない。
、磁脚へ環流する構造となっているため、磁脚からの磁
界が外部へ洩漏することかなく、磁気記録媒体上の情報
を損うことがない。
実施例
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの構成を示
している。
している。
第１図において、非磁性基板１０上に、ＭＲＥｌｌとし
テノＮｉ −Ｆｅ薄膜が３ｏｏ八〜へ００人の厚さで形
成され、７オ） ＩＪソグラフィ技術によって互いに離
された第１の端部１１ｄ第２の端部１１ｅを有する形に
パターン化する。この時、Ｎｉ −Ｆｅ薄膜は磁界中蒸
着などによって、トラック幅方向１２が磁化容易軸にな
るように形成される。
テノＮｉ −Ｆｅ薄膜が３ｏｏ八〜へ００人の厚さで形
成され、７オ） ＩＪソグラフィ技術によって互いに離
された第１の端部１１ｄ第２の端部１１ｅを有する形に
パターン化する。この時、Ｎｉ −Ｆｅ薄膜は磁界中蒸
着などによって、トラック幅方向１２が磁化容易軸にな
るように形成される。
次に、ＭＲＥｌｌにセンス電流を流すだめの導体薄膜１
ｓａ、１３ｂがＭＲＥｌｌの磁化容易方向に対して鉛直
方向に磁化される鉛直部分１１ｂ。
ｓａ、１３ｂがＭＲＥｌｌの磁化容易方向に対して鉛直
方向に磁化される鉛直部分１１ｂ。
１１０で接合するように形成される。
この後、ＭＲＥｌｌの上部にＳ ｔ０２などの絶縁薄膜
（図示せず）が厚さ０．２〜０．５μｍ程度形成される
。
（図示せず）が厚さ０．２〜０．５μｍ程度形成される
。
次に、磁脚１４が形成される。この時、互いに離された
２つの端部１４ａ、１４ｂは、ＭＲＥの２つの端部１１
ｄ、１１ｅでオーバラップする位置に形成される。即ち
、磁極１４と、ＭＲＥｌｌは電気的に絶縁されている。
２つの端部１４ａ、１４ｂは、ＭＲＥの２つの端部１１
ｄ、１１ｅでオーバラップする位置に形成される。即ち
、磁極１４と、ＭＲＥｌｌは電気的に絶縁されている。
そして、この後、パッシベーション膜としての３１０２
膜あるいはＳｉＯ膜（図示せず）が形成され、磁気記録
媒体１６との摺接面が所定の形状に加工、ラッピングさ
れＭＲヘッドが完成される。
膜あるいはＳｉＯ膜（図示せず）が形成され、磁気記録
媒体１６との摺接面が所定の形状に加工、ラッピングさ
れＭＲヘッドが完成される。
本実施例においては磁気記録媒体１６からの信号磁界は
主として、ＭＲＥｌｌの水平部分１１ａの中央部を横切
り、ＭＲＥｌｌの抵抗変化を発生させ、磁気記録媒体上
の情報が検知される。
主として、ＭＲＥｌｌの水平部分１１ａの中央部を横切
り、ＭＲＥｌｌの抵抗変化を発生させ、磁気記録媒体上
の情報が検知される。
前述したように、ＭＲＥｌｌの水平部分１１ａの中央部
は、磁壁を有しないから、バルクハウゼンノイズの除去
された良好な信号再生が可能になる。
は、磁壁を有しないから、バルクハウゼンノイズの除去
された良好な信号再生が可能になる。
また、２つの電極１ｓａ、１ｓｂを通じてＭＲＥｌｌに
流れるセンス電流Ｉ８ は、磁脚１４と、ＭＲＥｌｌが
電気的に絶縁されているため、ＭＲＥｌｌの有効部分で
ある水平部分１１ａだけに流れ、磁脚１４に流れること
はないため、再生感度の高い検知が可能である。
流れるセンス電流Ｉ８ は、磁脚１４と、ＭＲＥｌｌが
電気的に絶縁されているため、ＭＲＥｌｌの有効部分で
ある水平部分１１ａだけに流れ、磁脚１４に流れること
はないため、再生感度の高い検知が可能である。
なお、一般にはＭＲＥの感度向上と直線性向上を目的と
して、ＭＲＥｌｌの上層、あるいは下層に導体薄膜を形
成し、これに直流電流を通じることによって生じる誘導
磁界や、外部磁石による磁界によって、前述したバイア
ス磁界をＭＲＨに印加して用いるがふつうである。
して、ＭＲＥｌｌの上層、あるいは下層に導体薄膜を形
成し、これに直流電流を通じることによって生じる誘導
磁界や、外部磁石による磁界によって、前述したバイア
ス磁界をＭＲＨに印加して用いるがふつうである。
第２図は本発明における他の実施例を示すもので、ＭＲ
Ｅ２３を磁気記録媒体（図示せず）から離して配置して
、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥ２３に導くだめ
の導磁性材料からなるヨーク２ｓａ、２ｓｂを有するＭ
Ｒヘッドにおける実施例である。
Ｅ２３を磁気記録媒体（図示せず）から離して配置して
、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥ２３に導くだめ
の導磁性材料からなるヨーク２ｓａ、２ｓｂを有するＭ
Ｒヘッドにおける実施例である。
Ｍｎ −Ｚｎ単結晶フェライトなどの強磁性基板２１上
にまず８１０２などの絶縁薄膜（図示せず）を形成する
。そして、この上層ＭＲＥ２３に、バイアス磁界を印加
するための第１の導体薄膜２２を形成する。
にまず８１０２などの絶縁薄膜（図示せず）を形成する
。そして、この上層ＭＲＥ２３に、バイアス磁界を印加
するための第１の導体薄膜２２を形成する。
次に、Ｓ ｉ０２などの絶縁薄膜（図示せず）を形成し
、この上に、互いに離された第１の端部２３ｄ。
、この上に、互いに離された第１の端部２３ｄ。
第２の端部２３ｅを有するＭＲＥ２３を形成する。
この時、ＭＲＥ２３は磁界中蒸着などによってトラック
幅方向が磁化容易軸になるように、−軸異方性が誘起さ
れる。
幅方向が磁化容易軸になるように、−軸異方性が誘起さ
れる。
次に、ＭＲＥ２３にセンス電流を流すための第２の導体
薄膜２４ａ、２４ｂが形成される。この時、第２の導体
薄膜２４ａ 、ａｂはＭＲＥ ２３のトラック幅方向に
対する鉛直部分２３ｂ２３ｖＭＲＥ２３と接合される。
薄膜２４ａ、２４ｂが形成される。この時、第２の導体
薄膜２４ａ 、ａｂはＭＲＥ ２３のトラック幅方向に
対する鉛直部分２３ｂ２３ｖＭＲＥ２３と接合される。
この後、再び５ｌｏ２などの絶縁薄膜（図示せず）を形
成しこの上に、磁気記録媒体からの信号磁界を、ＭＲ）
ｉ：２３に導くためのヨーク２５ａ、２５ｂが形成され
る。フロントギャップ２７は、ヨークを形成する前に所
定の寸法に調整される。
成しこの上に、磁気記録媒体からの信号磁界を、ＭＲ）
ｉ：２３に導くためのヨーク２５ａ、２５ｂが形成され
る。フロントギャップ２７は、ヨークを形成する前に所
定の寸法に調整される。
次に、磁脚２６が形成される。この時磁脚２６の互いに
離された２つの端部２６ａ、２６ｂはＭＲＥ２３の２つ
の端部２３ｄ、２３・とオーバーラツプする位置に形成
される。即ち、磁脚２６とＭＲＥ２３は、電気的に絶縁
されている。
離された２つの端部２６ａ、２６ｂはＭＲＥ２３の２つ
の端部２３ｄ、２３・とオーバーラツプする位置に形成
される。即ち、磁脚２６とＭＲＥ２３は、電気的に絶縁
されている。
この磁脚２６は、高透磁率材料あるいは硬質磁性材料の
どちらで形成されても良いが、高透磁率材料を用いる場
合はヨークと同時に形成できる。
どちらで形成されても良いが、高透磁率材料を用いる場
合はヨークと同時に形成できる。
この後、パッシベーション膜としてのＳ ｉ０２膜ある
いはＳｌＯ膜（図示せず）が形成され磁気記録媒体との
摺接面が所定の形状に加工、ラッピングされＭＲＨが完
成される。
いはＳｌＯ膜（図示せず）が形成され磁気記録媒体との
摺接面が所定の形状に加工、ラッピングされＭＲＨが完
成される。
この実施例においては、磁気記録媒体からの信号磁界は
ヨーク２５ａに導かれ、ＭＲＩｉ：２３の水平部分２３
ａの中央部横切シ、この部分の抵抗を変化させ、磁気記
録媒体上の情報が検知される。
ヨーク２５ａに導かれ、ＭＲＩｉ：２３の水平部分２３
ａの中央部横切シ、この部分の抵抗を変化させ、磁気記
録媒体上の情報が検知される。
前述したように、ＭＲＥの水平部分２３ａの中央部は、
磁壁を有しないから、バルクハウゼンノイズの除去され
た良好な信号再生が可能になる。
磁壁を有しないから、バルクハウゼンノイズの除去され
た良好な信号再生が可能になる。
また、２つの電極２４ａ 、２４ｂを通じてＭＲＥ２３
に流れるセンス電流■８は、磁脚２６とＭＲＥ２３が電
気的に絶縁されているため、ＭＲＥ２３の水平部分２３
ａだけに流れ、磁脚２６に流れないため、再生感度の高
い検知が可能である。
に流れるセンス電流■８は、磁脚２６とＭＲＥ２３が電
気的に絶縁されているため、ＭＲＥ２３の水平部分２３
ａだけに流れ、磁脚２６に流れないため、再生感度の高
い検知が可能である。
発明の効果
以上のように本発明によればＭＲＥの信号磁界検出部の
磁区を単磁区構造にすることができ、その結果、不連続
な磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズを除去する
ことができる。
磁区を単磁区構造にすることができ、その結果、不連続
な磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイズを除去する
ことができる。
この効果は、前述した、バイアス磁界の有無には関係の
ないものである。
ないものである。
また、磁脚とＭＲＥは電気的に絶縁されているため、磁
脚を通じてセンス電流は流れないため、用いた場合には
、磁脚からの磁界は、ＭＲＥを周回して、磁脚に還流す
るため、ＭＲＥの外部に洩漏することかない。このため
、磁気記録媒体の情報を損うことがない。
脚を通じてセンス電流は流れないため、用いた場合には
、磁脚からの磁界は、ＭＲＥを周回して、磁脚に還流す
るため、ＭＲＥの外部に洩漏することかない。このため
、磁気記録媒体の情報を損うことがない。
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの斜
視図、第２因は本発明の他の実施例における薄膜磁気ヘ
ッドの斜視図、第３図は、本１発明−−＃々＾ｌｓ Ｉ
ｆ位釦ｌシｒシ −１鱈〜−１ぜシ噌ｆｊ−２Ｍ Ｄ
マ ｔ１棺−１時の磁化状態図、第４図は従来のＭＲ
ヘッドの斜視図、第６図はＭＲＥの磁界強度と抵抗変化
を示す理論特性図、第６図は従来のＭＲＥの消磁時の磁
化状態図、第７図はバルクハウゼンノイズを発生する微
小パターンＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示す特性図で
ある。 １０・・・・・・非磁性基板、１１，２３・・・・・・
磁気抵抗素子（ＭＲＥ）、１ｓ ａ 、 １ｓ ｂ・−
−−−・導体薄膜、１４．２６・・・・・・磁脚、１６
・・・・・・磁気記録媒体、２１・・・・・・強磁性基
板、２２・・・・・・第１の導体薄膜、２４ａ。 ２４ｂ・・・・・・第２の導体薄膜、２６ａ 、２５ｂ
・・・・・・ヨーク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／４
・、、 ａｉ 部 Ｉ５・・・講ｊＪｃ紀碌姐尊 ｊｂ １ａ ２６先δｂ・１．ヨーク Ｕ・、、ａ ｎ ２７、、．７０ントぞヤ・ソア 第３図 １ｇ４図 第５図
視図、第２因は本発明の他の実施例における薄膜磁気ヘ
ッドの斜視図、第３図は、本１発明−−＃々＾ｌｓ Ｉ
ｆ位釦ｌシｒシ −１鱈〜−１ぜシ噌ｆｊ−２Ｍ Ｄ
マ ｔ１棺−１時の磁化状態図、第４図は従来のＭＲ
ヘッドの斜視図、第６図はＭＲＥの磁界強度と抵抗変化
を示す理論特性図、第６図は従来のＭＲＥの消磁時の磁
化状態図、第７図はバルクハウゼンノイズを発生する微
小パターンＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示す特性図で
ある。 １０・・・・・・非磁性基板、１１，２３・・・・・・
磁気抵抗素子（ＭＲＥ）、１ｓ ａ 、 １ｓ ｂ・−
−−−・導体薄膜、１４．２６・・・・・・磁脚、１６
・・・・・・磁気記録媒体、２１・・・・・・強磁性基
板、２２・・・・・・第１の導体薄膜、２４ａ。 ２４ｂ・・・・・・第２の導体薄膜、２６ａ 、２５ｂ
・・・・・・ヨーク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／４
・、、 ａｉ 部 Ｉ５・・・講ｊＪｃ紀碌姐尊 ｊｂ １ａ ２６先δｂ・１．ヨーク Ｕ・、、ａ ｎ ２７、、．７０ントぞヤ・ソア 第３図 １ｇ４図 第５図
Claims (3)
- （１）互いに離れた第１および第２の端部を有する強磁
性金属材料で構成された磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗
素子にセンス電流を流す一対の電極と、互いに離れた第
３および第４の２つの端部を有する強磁性材料で構成さ
れた磁脚とを具備し、前記磁気抵抗素子および磁脚の端
部がそれぞれ、互いにオーバーラップし、かつ、電気的
に絶縁され磁気記録媒体からの情報を、前記磁気抵抗素
子の抵抗変化として検知する薄膜磁気ヘッド。 - （２）第３および第４の２つの端部を有する磁脚を、高
透磁率材料で構成した特許請求の範囲第１項記載の薄膜
磁気ヘッド。 - （３）第３および第４の２つの端部を有する磁脚を硬質
磁性材料で構成した特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3575185A JPS61196417A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3575185A JPS61196417A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196417A true JPS61196417A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12450527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3575185A Pending JPS61196417A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196417A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396713A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-27 | Sharp Corp | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
| JPS63164013A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘツド |
| KR100392677B1 (ko) * | 1999-08-09 | 2003-07-28 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 자기 임피던스효과 소자 및 그 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736428A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Hitachi Ltd | Jikiteikohetsudo |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP3575185A patent/JPS61196417A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736428A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Hitachi Ltd | Jikiteikohetsudo |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396713A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-27 | Sharp Corp | ヨ−ク型薄膜磁気ヘツド |
| JPS63164013A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘツド |
| KR100392677B1 (ko) * | 1999-08-09 | 2003-07-28 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 자기 임피던스효과 소자 및 그 제조방법 |
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