JP2664677B2 - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドInfo
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- JP2664677B2 JP2664677B2 JP62076655A JP7665587A JP2664677B2 JP 2664677 B2 JP2664677 B2 JP 2664677B2 JP 62076655 A JP62076655 A JP 62076655A JP 7665587 A JP7665587 A JP 7665587A JP 2664677 B2 JP2664677 B2 JP 2664677B2
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- thin
- magnetoresistive
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- film magnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は記録媒体で発生する磁束を薄膜の磁気ヨー
クを介して薄膜の磁気抵抗効果素子に導き、該磁気抵抗
効果素子の抵抗値の変化として取出してなる磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド（YMRヘッド）に関する。 （従来の技術） 一般に、YMRヘッドは、第３図に示すように、磁性基
板１上に非磁性溝2,磁気ギャップ3,バイアス磁界印加用
導体4,磁気抵抗効果素子5,出力端6a,6b及び磁気ヨーク
7,8が順に薄膜技術を用いて薄膜形成されている。この
うち、磁気抵抗効果素子５は例えばFeNi膜等で300Å〜1
000Å程度の厚さ寸法で、その長手方向が磁化容易軸と
なるように形成されており、図示しない記録媒体で発生
する磁束が磁気ヨーク7,8を介して導かれる。これによ
り、磁気抵抗効果素子５は、導かれた磁束に応じて磁化
回転が引き起され、その抵抗値の変化が出力端6a,6bを
介して取出される。この場合、上記磁気抵抗効果素子５
は磁壁９（第５図参照）が存在すると、不連続磁壁移動
にともなってバルクハウゼンノイズと称するノイズが発
生するために、磁気抵抗効果素子５の幅寸法Ｗを、その
長さ寸法Ｌに比して小さくすることにより、静磁エネル
ギーの減少を図って磁壁のない単磁区構造が採られてい
る。 ところが、上記YMRヘッドでは、その磁気ヨーク7,8と
磁気抵抗効果素子５を磁気結合するのに、該磁気ヨーク
7,8を磁気抵抗効果素子５に重畳する構成を採らなけれ
ばならないために、予めこれらを合せて考慮した静磁エ
ネルギーが減少されることとなり、第４図に示すように
磁壁９が発生するという問題を有していた。これは、磁
気ヨーク7,8と磁気抵抗効果素子５のOVL部と称する重畳
部において磁気ヨーク7,8の磁区7a,8aの磁極が磁気抵抗
素子５に存在することとなるため、磁気抵抗効果素子５
が磁気ヨーク7,8の各磁区7a,8aから影響を受けて、例え
ば第５図に示すような磁区構造を採ることとなり、素子
内部に多くの磁壁９が発生するからである。 （発明が解決しようとする問題点） 以上述べたように、従来のYMRでは、磁気抵抗効果素
子が磁気ヨークと磁気結合した状態で、単磁区構造とな
らないために、バルクハウゼンノイズが発生するという
問題を有していた。 この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、簡易
な構成で、かつ、確実にバルクハウゼンノイズの発生を
防止し得るようにした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを
提供することを目的とする。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明に係る磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドは、記録媒体で発生する磁束を薄膜
磁気ヨークを介して薄膜磁気抵抗効果素子に導き、該薄
膜磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化として取出してなる
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記薄膜磁気
ヨークの幅寸法を前記薄膜磁気抵抗効果素子のストライ
プ長より幅広に形成したことを特徴とする。 （作用） 上記構成により、薄膜磁気抵抗効果素子が薄膜磁気ヨ
ークとの重畳部の磁区の磁極による影響を受けないよう
にして、磁気結合状態における単磁区構造を確保し、バ
ルクハウゼンノイズの発生を防止する。 （実施例） 以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳
細に説明する。 第１図はこの発明の一実施例に係る磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド（YMRヘッド）を示すもので、図中10はNi
−Zn等の磁性体で形成された磁性体基板である。この磁
性体基板10にはガラス等の非磁性体で形成される非磁性
溝11が形成され、この非磁性溝11上には磁気ギャップ1
2,バイアス磁界印加用導体13,磁気抵抗効果素子14,出力
端15a,15b及び一対の薄膜の磁気ヨーク16,17が順に薄膜
技術を用いて積層形成される。このうち薄膜の磁気抵抗
効果素子14及び磁気ヨーク16,17は例えばNi80at％Fe20a
t％のパーマロイで形成され、その磁気ヨーク16,17の幅
寸法WYが磁気抵抗効果素子14のストライプ長LMより幅広
に形成され、その重畳部においても略同様に幅寸法WYが
スロライプ長LMよりも幅広に形成されている。 上記構成により、磁気ヨーク16,17は第２図に示すよ
うに、その重畳部の磁区16a,17aの磁極が磁気抵抗効果
素子14に対して大きな間隔距離を有して配置されること
となる。これにより、磁気抵抗効果素子14は、その磁気
結合状態において、磁気ヨーク16,17の重畳部の磁区16
a,17aの磁極による影響がなくなり、その単磁区構造が
確保される。 このように、上記YMRヘッドは磁気ヨーク16,17の幅寸
法WYを磁気抵抗効果素子14のストライプ長LMより幅広に
形成したことにより、その磁気結合状態においても、磁
気抵抗効果素子14が単磁区構造を採り得るので、バルク
ハウゼンノイズの発生が確実に防止でき、可及的に磁気
特性の向上が図れる。 なお、この発明は上記実施例に限ることなく、その
他、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実
施し得ることはいうまでもないことである。 ［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明によれば、簡易な構成
で、かつ、確実にバルクハウゼンノイズの発生を防止し
得るようにした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供す
ることができる。
クを介して薄膜の磁気抵抗効果素子に導き、該磁気抵抗
効果素子の抵抗値の変化として取出してなる磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド（YMRヘッド）に関する。 （従来の技術） 一般に、YMRヘッドは、第３図に示すように、磁性基
板１上に非磁性溝2,磁気ギャップ3,バイアス磁界印加用
導体4,磁気抵抗効果素子5,出力端6a,6b及び磁気ヨーク
7,8が順に薄膜技術を用いて薄膜形成されている。この
うち、磁気抵抗効果素子５は例えばFeNi膜等で300Å〜1
000Å程度の厚さ寸法で、その長手方向が磁化容易軸と
なるように形成されており、図示しない記録媒体で発生
する磁束が磁気ヨーク7,8を介して導かれる。これによ
り、磁気抵抗効果素子５は、導かれた磁束に応じて磁化
回転が引き起され、その抵抗値の変化が出力端6a,6bを
介して取出される。この場合、上記磁気抵抗効果素子５
は磁壁９（第５図参照）が存在すると、不連続磁壁移動
にともなってバルクハウゼンノイズと称するノイズが発
生するために、磁気抵抗効果素子５の幅寸法Ｗを、その
長さ寸法Ｌに比して小さくすることにより、静磁エネル
ギーの減少を図って磁壁のない単磁区構造が採られてい
る。 ところが、上記YMRヘッドでは、その磁気ヨーク7,8と
磁気抵抗効果素子５を磁気結合するのに、該磁気ヨーク
7,8を磁気抵抗効果素子５に重畳する構成を採らなけれ
ばならないために、予めこれらを合せて考慮した静磁エ
ネルギーが減少されることとなり、第４図に示すように
磁壁９が発生するという問題を有していた。これは、磁
気ヨーク7,8と磁気抵抗効果素子５のOVL部と称する重畳
部において磁気ヨーク7,8の磁区7a,8aの磁極が磁気抵抗
素子５に存在することとなるため、磁気抵抗効果素子５
が磁気ヨーク7,8の各磁区7a,8aから影響を受けて、例え
ば第５図に示すような磁区構造を採ることとなり、素子
内部に多くの磁壁９が発生するからである。 （発明が解決しようとする問題点） 以上述べたように、従来のYMRでは、磁気抵抗効果素
子が磁気ヨークと磁気結合した状態で、単磁区構造とな
らないために、バルクハウゼンノイズが発生するという
問題を有していた。 この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、簡易
な構成で、かつ、確実にバルクハウゼンノイズの発生を
防止し得るようにした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを
提供することを目的とする。 ［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するために、本発明に係る磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドは、記録媒体で発生する磁束を薄膜
磁気ヨークを介して薄膜磁気抵抗効果素子に導き、該薄
膜磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化として取出してなる
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記薄膜磁気
ヨークの幅寸法を前記薄膜磁気抵抗効果素子のストライ
プ長より幅広に形成したことを特徴とする。 （作用） 上記構成により、薄膜磁気抵抗効果素子が薄膜磁気ヨ
ークとの重畳部の磁区の磁極による影響を受けないよう
にして、磁気結合状態における単磁区構造を確保し、バ
ルクハウゼンノイズの発生を防止する。 （実施例） 以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳
細に説明する。 第１図はこの発明の一実施例に係る磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド（YMRヘッド）を示すもので、図中10はNi
−Zn等の磁性体で形成された磁性体基板である。この磁
性体基板10にはガラス等の非磁性体で形成される非磁性
溝11が形成され、この非磁性溝11上には磁気ギャップ1
2,バイアス磁界印加用導体13,磁気抵抗効果素子14,出力
端15a,15b及び一対の薄膜の磁気ヨーク16,17が順に薄膜
技術を用いて積層形成される。このうち薄膜の磁気抵抗
効果素子14及び磁気ヨーク16,17は例えばNi80at％Fe20a
t％のパーマロイで形成され、その磁気ヨーク16,17の幅
寸法WYが磁気抵抗効果素子14のストライプ長LMより幅広
に形成され、その重畳部においても略同様に幅寸法WYが
スロライプ長LMよりも幅広に形成されている。 上記構成により、磁気ヨーク16,17は第２図に示すよ
うに、その重畳部の磁区16a,17aの磁極が磁気抵抗効果
素子14に対して大きな間隔距離を有して配置されること
となる。これにより、磁気抵抗効果素子14は、その磁気
結合状態において、磁気ヨーク16,17の重畳部の磁区16
a,17aの磁極による影響がなくなり、その単磁区構造が
確保される。 このように、上記YMRヘッドは磁気ヨーク16,17の幅寸
法WYを磁気抵抗効果素子14のストライプ長LMより幅広に
形成したことにより、その磁気結合状態においても、磁
気抵抗効果素子14が単磁区構造を採り得るので、バルク
ハウゼンノイズの発生が確実に防止でき、可及的に磁気
特性の向上が図れる。 なお、この発明は上記実施例に限ることなく、その
他、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実
施し得ることはいうまでもないことである。 ［発明の効果］ 以上詳述したように、この発明によれば、簡易な構成
で、かつ、確実にバルクハウゼンノイズの発生を防止し
得るようにした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの要部を示す斜視図、第２図は第１図の磁区
構造を示す斜視図、第３図は従来の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの要部を示す斜視図、第４図及び第５図はそ
れぞれ第３図の磁区構造を示す斜視図である。 10……磁性体基板、11……非磁性溝、12……磁気ギャッ
プ、13……導体、14……磁気抵抗効果素子、15a,15b…
…出力端、16,17……磁気ヨーク、16a,17a……磁区。
磁気ヘッドの要部を示す斜視図、第２図は第１図の磁区
構造を示す斜視図、第３図は従来の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの要部を示す斜視図、第４図及び第５図はそ
れぞれ第３図の磁区構造を示す斜視図である。 10……磁性体基板、11……非磁性溝、12……磁気ギャッ
プ、13……導体、14……磁気抵抗効果素子、15a,15b…
…出力端、16,17……磁気ヨーク、16a,17a……磁区。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．記録媒体で発生する磁束を薄膜磁気ヨークを介して
薄膜磁気抵抗効果素子に導き、該薄膜の抵抗値の変化と
して取出してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記薄膜磁気ヨークと前記薄膜磁気抵抗効果素子と
の重畳部の前記薄膜磁気ヨークの幅寸法を前記薄膜磁気
抵抗効果素子のストライプ長より幅広に形成したことを
特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 ２．前記薄膜磁気ヨークは全領域にわたって、前記薄膜
磁気抵抗効果素子のストライプ長より幅広に形成したこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62076655A JP2664677B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62076655A JP2664677B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241713A JPS63241713A (ja) | 1988-10-07 |
| JP2664677B2 true JP2664677B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=13611417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62076655A Expired - Lifetime JP2664677B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664677B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5995339A (en) * | 1993-03-18 | 1999-11-30 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with a front flux guide and an embedded MR element |
| JP2788403B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1998-08-20 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034165B2 (ja) * | 1980-07-02 | 1985-08-07 | 三菱電機株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS61222012A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62076655A patent/JP2664677B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63241713A (ja) | 1988-10-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |