JPS63241713A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS63241713A JPS63241713A JP7665587A JP7665587A JPS63241713A JP S63241713 A JPS63241713 A JP S63241713A JP 7665587 A JP7665587 A JP 7665587A JP 7665587 A JP7665587 A JP 7665587A JP S63241713 A JPS63241713 A JP S63241713A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 10
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は記録媒体で発生する磁束を磁気ヨークを介し
て磁気抵抗効果素子に導き、該磁気抵抗効果素子の抵抗
値の変化として取出してなる磁気抵抗効果望薄Ｉｌ！磁
気ヘッド（以下、ＹＭＲヘッドと記す）に関する。
て磁気抵抗効果素子に導き、該磁気抵抗効果素子の抵抗
値の変化として取出してなる磁気抵抗効果望薄Ｉｌ！磁
気ヘッド（以下、ＹＭＲヘッドと記す）に関する。
（従来の技術）
一般に、ＹＭＲヘッドは、第３図に示すように、磁性基
板１上に非磁性溝２．Ｖａ気ギャップ３゜バイアス磁界
印加用導体４．１！ｉ気抵抗効果素子５゜出力端６ａ、
６ｂ及び磁気ヨーク７．８が順に薄膜技術を用いて薄膜
形成されている。このうち、磁気抵抗効果素子５は例え
ばＦｅＮｉ１［１等で３００人〜１０００人程度の厚さ
寸法で、その長手方向が磁化容易軸となるように形成さ
れており、図示しない記録媒体で発生する磁束が磁気ヨ
ーク７．８を介して導かれる。これにより、磁気抵抗効
果素子５は、導かれた磁束に応じて磁化回転が引き起さ
れ、その抵抗値の変化が出力端６ａ。
板１上に非磁性溝２．Ｖａ気ギャップ３゜バイアス磁界
印加用導体４．１！ｉ気抵抗効果素子５゜出力端６ａ、
６ｂ及び磁気ヨーク７．８が順に薄膜技術を用いて薄膜
形成されている。このうち、磁気抵抗効果素子５は例え
ばＦｅＮｉ１［１等で３００人〜１０００人程度の厚さ
寸法で、その長手方向が磁化容易軸となるように形成さ
れており、図示しない記録媒体で発生する磁束が磁気ヨ
ーク７．８を介して導かれる。これにより、磁気抵抗効
果素子５は、導かれた磁束に応じて磁化回転が引き起さ
れ、その抵抗値の変化が出力端６ａ。
６ｂを介して取出される。この場合、上記磁気抵抗効果
素子５は磁壁９（第５図参照）が存在すると、不連続磁
壁移動にともなってバルクハウゼンノイズと称するノイ
ズが発生するために、磁気抵抗効果素子５の幅寸法Ｗを
、その長さ寸法しに比して小さくすることにより、静磁
エネルギーの減少を図ってＩａ壁のない単磁区構造が採
られている。
素子５は磁壁９（第５図参照）が存在すると、不連続磁
壁移動にともなってバルクハウゼンノイズと称するノイ
ズが発生するために、磁気抵抗効果素子５の幅寸法Ｗを
、その長さ寸法しに比して小さくすることにより、静磁
エネルギーの減少を図ってＩａ壁のない単磁区構造が採
られている。
ところが、上記ＹＭＲヘッドでは、その磁気ヨ−り７，
８と磁気抵抗効果素子５を磁気結合するのに、該磁気ヨ
ーク７．８を磁気抵抗効果素子５に重畳する構成を採ら
なければならないために、予めこれらを合せて考慮した
静磁エネルギーが減少されることとなり、第４図に示す
ように磁壁９が発生するという問題を有していた。これ
は、磁気ヨーク７．８と磁気抵抗効果素子５のＯＶＬ部
と称する重畳部において磁気ヨーク７．８の磁区７ａ、
８ａの磁極が磁気抵抗素子５に存在することとなるため
、磁気抵抗効果素子５が磁気ヨーク７．８の各磁区７ａ
、８ａから影響を受けて、例えば第５図に示すような磁
区構造を採ることとなり、素子内部に多くの磁壁９が発
生するからである。
８と磁気抵抗効果素子５を磁気結合するのに、該磁気ヨ
ーク７．８を磁気抵抗効果素子５に重畳する構成を採ら
なければならないために、予めこれらを合せて考慮した
静磁エネルギーが減少されることとなり、第４図に示す
ように磁壁９が発生するという問題を有していた。これ
は、磁気ヨーク７．８と磁気抵抗効果素子５のＯＶＬ部
と称する重畳部において磁気ヨーク７．８の磁区７ａ、
８ａの磁極が磁気抵抗素子５に存在することとなるため
、磁気抵抗効果素子５が磁気ヨーク７．８の各磁区７ａ
、８ａから影響を受けて、例えば第５図に示すような磁
区構造を採ることとなり、素子内部に多くの磁壁９が発
生するからである。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように、従来のＹＭＲでは、磁気抵抗効果素
子が磁気ヨークと磁気結合した状態で、単磁区構造とな
らないために、バルクハウゼンノイズが発生するという
問題を有していた。
子が磁気ヨークと磁気結合した状態で、単磁区構造とな
らないために、バルクハウゼンノイズが発生するという
問題を有していた。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、簡易な
構成で、かつ、確実にバルクハウゼンノイズの発生を防
止し得るようにした磁気抵抗効果型ｉｍｍ気ヘッドを提
供することを目的とする。
構成で、かつ、確実にバルクハウゼンノイズの発生を防
止し得るようにした磁気抵抗効果型ｉｍｍ気ヘッドを提
供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
この発明は記録媒体で発生する磁束を磁気ヨークを介し
て磁気抵抗効果素子に導き、該磁気紙、抗効果素子の抵
抗値の変化として取出してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記磁気ヨークの幅寸法を前記磁気抵
抗効果素子のストライプ長より幅広に形成したものであ
る。
て磁気抵抗効果素子に導き、該磁気紙、抗効果素子の抵
抗値の変化として取出してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドにおいて、前記磁気ヨークの幅寸法を前記磁気抵
抗効果素子のストライプ長より幅広に形成したものであ
る。
（作用）
上記構成により、磁気抵抗効果素子が磁気ヨークとの重
畳部の磁区の磁極による影響を受けないようにして、磁
気結合状態における単磁区構造を確保し、バルクハウゼ
ンノイズの発生を防止する。
畳部の磁区の磁極による影響を受けないようにして、磁
気結合状態における単磁区構造を確保し、バルクハウゼ
ンノイズの発生を防止する。
（実施例）
以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドを示すもので、図中１０はＮｉ−Ｚｎ等の磁
性体で形成された磁性体基板である。この磁性体基板１
０にはガラス等の非磁性体で形成される非磁性溝１１が
形成され、この非磁性溝１１上には磁気ギャップ１２．
バイアス磁界印加用導体１３．ｌａ気低抵抗効果素子１
４出力端１５ａ、１５ｂ及び一対の磁気ヨーク１６゜１
７が順に薄膜技術を用いて積層形成される。このうち磁
気抵抗効果素子１４及び磁気ヨーク１６゜１７は例えば
Ｎｉ ８Ｑａｔ％Ｆｅ ２０ａｔ％のパーマロイで形成
され、その磁気ヨーク１６．１７の幅寸法ＷＹが磁気抵
抗効果素子１４のストライプ長ＬＭより幅広に形成され
、その重畳部においても略同様に幅寸法ＷＹがストライ
プ長ＬＭよりも幅広に形成されている。
磁気ヘッドを示すもので、図中１０はＮｉ−Ｚｎ等の磁
性体で形成された磁性体基板である。この磁性体基板１
０にはガラス等の非磁性体で形成される非磁性溝１１が
形成され、この非磁性溝１１上には磁気ギャップ１２．
バイアス磁界印加用導体１３．ｌａ気低抵抗効果素子１
４出力端１５ａ、１５ｂ及び一対の磁気ヨーク１６゜１
７が順に薄膜技術を用いて積層形成される。このうち磁
気抵抗効果素子１４及び磁気ヨーク１６゜１７は例えば
Ｎｉ ８Ｑａｔ％Ｆｅ ２０ａｔ％のパーマロイで形成
され、その磁気ヨーク１６．１７の幅寸法ＷＹが磁気抵
抗効果素子１４のストライプ長ＬＭより幅広に形成され
、その重畳部においても略同様に幅寸法ＷＹがストライ
プ長ＬＭよりも幅広に形成されている。
上記構成により、磁気ヨーク１６．１７は第２図に示す
ように、その重畳部の磁区１６ａ。
ように、その重畳部の磁区１６ａ。
１７ａの磁極が磁気抵抗効果素子１４に対して大きな間
隔距離を有して配置されることとなる。これにより、磁
気抵抗効果素子１４は、その磁気結合状態において、磁
気ヨーク１６．１７の重畳部の磁区１６ａ、１７ａの磁
極による影響がなくなり、その単磁区構造が確保される
。
隔距離を有して配置されることとなる。これにより、磁
気抵抗効果素子１４は、その磁気結合状態において、磁
気ヨーク１６．１７の重畳部の磁区１６ａ、１７ａの磁
極による影響がなくなり、その単磁区構造が確保される
。
このように、上記ＹＭＲヘッドは磁気ヨーク１６．１７
の幅寸法ＷＹを磁気抵抗効果素子１４のストライプ長Ｌ
Ｍより幅広に形成したことにより、その磁気結合状態に
おいても、磁気抵抗効果素子１４が単磁区構造を採り得
るので、バルクハウゼンノイズの発生が確実に防止でき
、可及的に磁気特性の向上が図れる。
の幅寸法ＷＹを磁気抵抗効果素子１４のストライプ長Ｌ
Ｍより幅広に形成したことにより、その磁気結合状態に
おいても、磁気抵抗効果素子１４が単磁区構造を採り得
るので、バルクハウゼンノイズの発生が確実に防止でき
、可及的に磁気特性の向上が図れる。
なお、この発明は上記実施例に限ることなく、その他、
この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し
得ることはいうまでもないことである。
この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し
得ることはいうまでもないことである。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明にれば、簡易な構成で、
かつ、確実にバルクハウゼンノイズの発生を防止し得る
ようにした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
かつ、確実にバルクハウゼンノイズの発生を防止し得る
ようにした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
第１図はとの発明の一実施例に係る磁気抵抗効果型源ｍ
磁気ヘッドの要部を示す斜視図、第２図は第１図の磁
区構造を示す斜視図、第３図は従来の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図、第４図及び第５図は
それぞれ第３図の磁区構造を示す斜視図である。 １０・・・磁性体基板、１１・・・非磁性溝、１２・・
・磁気ギャップ、１３・・・導体、１４・・・磁気抵抗
効果素子、１５ａ、１５ｂ・・・出力端、１６．１７・
・・磁気ヨーク、１６ａ、１７ａ・・・磁区。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １０狙性１も４１ １１什絋溝 １２砥λトー１７ １５ａ、１５ｂ出力渭恒
磁気ヘッドの要部を示す斜視図、第２図は第１図の磁
区構造を示す斜視図、第３図は従来の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図、第４図及び第５図は
それぞれ第３図の磁区構造を示す斜視図である。 １０・・・磁性体基板、１１・・・非磁性溝、１２・・
・磁気ギャップ、１３・・・導体、１４・・・磁気抵抗
効果素子、１５ａ、１５ｂ・・・出力端、１６．１７・
・・磁気ヨーク、１６ａ、１７ａ・・・磁区。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １０狙性１も４１ １１什絋溝 １２砥λトー１７ １５ａ、１５ｂ出力渭恒
Claims (1)
- 記録媒体で発生する磁束を磁気ヨークを介して磁気抵抗
効果素子に導き、該磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化と
して取出してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記磁気ヨークの幅寸法を前記磁気抵抗効果素子の
ストライプ長より幅広に形成したことを特徴とする磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62076655A JP2664677B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62076655A JP2664677B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241713A true JPS63241713A (ja) | 1988-10-07 |
| JP2664677B2 JP2664677B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=13611417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62076655A Expired - Lifetime JP2664677B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664677B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616318A2 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-21 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head |
| US5995339A (en) * | 1993-03-18 | 1999-11-30 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with a front flux guide and an embedded MR element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715227A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
| JPS61222012A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62076655A patent/JP2664677B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715227A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
| JPS61222012A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘツド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616318A2 (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-21 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head |
| EP0616318A3 (en) * | 1993-03-18 | 1997-02-26 | Fujitsu Ltd | Magnetoresistive head. |
| US5995339A (en) * | 1993-03-18 | 1999-11-30 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with a front flux guide and an embedded MR element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2664677B2 (ja) | 1997-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |