KR930016787A - 자기저항 효과센서 - Google Patents

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KR930016787A
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레이코 곤도
히토시 이와사키
준이치 아키야마
유이치 오사와
도시히코 오타
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

본 발명은 자기저항효과센서에 관한 것으로, 기판, 자기저항 효과층, 자기저항효과층의 자화를 안정화시킨 자화안정화층 및 자기저항효과층 또는 자화안정화층위에 형성된 도전층을 구비하고, 자기저항 효과층의 전기저항의 변화에 의해 자계를 검출하는 자기저항효과 센서로써, 자기저항효과층과 자화안정화층이 그 양단부 영역에 있어서, 그 이외의 영역보다 강한 교환 결합력으로 자기적으로 결합하도록 적층된 것을 특징으로 하며, 이에 따라 자기기록 매체등에서의 자계에 의해 바이어스 자계가 흐트러지지 않고 MR층으로 원하는 바이어스 자계가 부여될수 있는 고감도의 자기저항 효과센서를 얻을 수 있도록 되어 있다.

Description

자기저항 효과센서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 자기저항효과센서의 한 실시예를 나타내는 단면도, 제3A~3D도는 본 발명의 자기저항효과센서의 제조방법의 한 예를 설명하기 위한 단면도, 제4A~4C도는 본 발명의 자기저항효과센서의 제조방법의 다른 예를 설명하기 위한 단면도.

Claims (12)

  1. 기판, 자기저항효과층, 상기 자기저항층효과층의 자화를 안정화시킨 자화안정화층 및 상기 저항효과층 또는 상기 자화안정화층위에 형성된 도전층을 구비하고, 상기 저항효과층의 전기저항의 변화에 따라 자계를 검출하는 자기저항 효과센서에 있어서, 상기 저항효과층과 상기 자화안정화층이 있고 양단부 영역에 있어서 그 이외의 영역보다 강한 교환 결합력으로 자기적으로 결합하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자기저항효과층이 상기 자화 안정화 층과의 사이에 자기적 절연층이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  3. 제1항에 있어서, 자기저항효과층이 신압형 자기저항효과층, 스핀밸브형 자기 저항효과층 및 테프스 통전방식의 자기저항효과층으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  4. 제3항에 있어서, 신압형 자기저항효과층이 저보자력막 및 고보자력막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  5. 제3항에 있어서, 스핀밸브형 자기저항효과층이 저보자력막 및 반 강자성막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  6. 제3항에 있어서, 데스프 통전방식의 자기저항효과층이 저보자력막, 비자성층, 및 저보자력막에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  7. 제1항에 있어서, 자기저항효과층이 NiFe합금으로 이루어진 단층막인 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  8. 제1항에 있어서, 자화 안정화층이 반강자성막, 고보자력막 및 자성층 사이에서 반 강자성 결합을 갖는 인공격자막으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  9. 기판, 자기저항효과층, 상기 자기저항효과층의 자화를 안정화시키는 자화안정화층 및 상기 자기저항효과층 또는 상기 자화안정화층위에 형성된 도전층을 구비하고 상기 자기저항효과층의 자기저항의 변화에 의해 자계를 검출하는 자기저항효과센서에 있어서, 상기 저항효과층의 상기 자화 안정화층이 그 양단부 영역에 있어서, 그 이외의 영역보다 강한 교환 결합력으로 자기력으로 결합하도록 적층되고, 또한 선트 바이어스 방식 및 SAL바이어스 방식으로 이루어진 군에서 선택되는 방식에 의한 횡 바이어스가 상기 저항효과층에 인가되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  10. 기판, 자기저항효과층 상기 자기저항효과층의 자화를 안정시키는 자화안정화층 및 상기 자기 저항효과층 또는 상기 자화안정화층위에 형성된 도전층을 구비하고, 상기 자기저항효과층의 전기저항의 변화에 의해 자계를 검출하는 자기 저항효과센서에 있어서, 상기 자기저항효과층과 상기 자화안정화층이 그 양단부 영역에 있어서 그 이외의 영역보다 강한 교환 결합력으로 결합되도록 적층되고, 또한 상기 자화 안정화층에 배향제어용 밑바탕층을 설치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  11. 기판, 자기저항효과층 상기 자기저항효과층의 자화를 안정화시키는 자화안정화층 및 상기 자기저항효과층 또는 상기 자화안정화층위에 형성된 도전층을 구비하고, 상기 자기저항효과층의 전기 저항의 변화에 따라 자계를 검출한 자기 저항효과센서에 있어서, 상기 자기저항효과층과 상기 자화 안정화층과의 사이에 자기적 절연층이 배치하여 상기 자기적 절연층의 단부를 테이퍼상으로 한 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
  12. 제11항에 있어서, 테이퍼상으로 형성한 자기적 절연층 단부의 테이퍼각을 30°이하로 한 것을 특징으로 하는 자기저항효과센서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930000165A 1992-01-10 1993-01-08 자기저항효과센서 KR0123448B1 (ko)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2722991B2 (ja) * 1993-04-27 1998-03-09 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型ヘッド
JPH0850710A (ja) * 1994-04-07 1996-02-20 Read Rite Corp 絶縁酸化物交換層を有する磁気抵抗効果式変換器
TW272283B (ko) * 1994-04-21 1996-03-11 Ibm
JPH0944817A (ja) * 1995-07-25 1997-02-14 Sony Corp 薄膜磁気ヘッド

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06363Y2 (ja) * 1987-10-29 1994-01-05 株式会社吉野工業所 トリガー式液体噴出容器
JP2526873Y2 (ja) * 1990-06-05 1997-02-26 株式会社吉野工業所 トリガー式液体噴出容器

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