JPH0944817A

JPH0944817A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0944817A
Application number: JP7189307A
Authority: JP
Inventors: Akio Takada; 昭夫高田; Takuji Shibata; 拓二柴田; Tadayuki Honda; 忠行本田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-07-25
Filing date: 1995-07-25
Publication date: 1997-02-14
Also published as: DE69621384D1; SG40885A1; US5708542A; EP0756270B1; EP0756270A1; CN1148711A; KR970007826A

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果膜の磁気的安定性に優れてお
り、且つ高い再生出力を得ることができる磁気抵抗効果
型の薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】本発明の薄膜磁気ヘッドは、反強磁性膜
又は硬磁性膜を含む磁気抵抗効果安定化層１１と、非磁
性絶縁層１２と、磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗効果層
１３とが積層された磁気抵抗効果素子３を備えるととも
に、上記磁気抵抗効果素子３の側面に配された非磁性絶
縁層４と、上記磁気抵抗効果素子３の上面の両端部にお
いて、それぞれ上記磁気抵抗効果層１３と接続された一
対の電極とを備えており、上記磁気抵抗効果層１３の磁
気抵抗効果によって再生信号を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置等に好適な、磁気抵抗効果によって再生信号を検出す
る磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置等のような磁気記録
装置においては、大容量化を図るために、更なる高密度
記録が求められている。そこで、近年、高密度記録を進
めるために、挟トラック化に適した磁気ヘッドである磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」と
いう。）が採用されるようになってきている。

【０００３】このＭＲヘッドは、基本的には、図２８に
示すように、磁界の大きさによって抵抗率が変化する磁
気抵抗効果膜１０１の両端に電極１０２が取り付けられ
て構成される。そして、この磁気抵抗効果膜１０１に対
して両端の電極１０２からセンス電流を供給することに
より、磁気記録媒体からの信号磁界による磁気抵抗効果
膜１０１の抵抗変化を検出し、この抵抗変化に基づいて
再生出力を得る。このようなＭＲヘッドは、再生出力が
媒体速度に依存せず、媒体速度が遅くても高再生出力が
得られるという特徴を有している。

【０００４】ところで、通常、磁気抵抗効果膜は磁気的
に不安定であり、外部磁界によって磁気抵抗効果膜内の
磁壁が移動してしまう。したがって、ＭＲヘッドでは、
磁気抵抗効果膜の磁壁の移動に起因して、バルクハウゼ
ンノイズが生じてしまうという問題がある。そこで、Ｍ
Ｒヘッドでは、磁気抵抗効果膜の磁気的安定性を確保し
て、バルクハウゼンノイズを低減することが大きな課題
となっている。

【０００５】そこで、磁気抵抗効果膜の磁気的安定性を
確保するために、磁気抵抗効果膜を２層構造にした、い
わゆる２層型ＭＲヘッドが開発されている。この２層型
ＭＲヘッドは、例えば、図２８のＧ−Ｇ線における断面
図である図２９に示すように、第１の磁気抵抗効果膜１
０３と、非磁性絶縁膜１０４と、第２の磁気抵抗効果膜
１０５とを積層して２層型磁気抵抗効果素子１０６を構
成し、この２層型磁気抵抗効果素子１０６の両端を覆う
ように電極１０２を取り付けて構成される。このように
磁気抵抗効果膜が２層構造とされた２層型ＭＲヘッドで
は、第１の磁気抵抗効果膜１０３及び第２の磁気抵抗効
果膜１０５に供給されるセンス電流によるセルフバイア
ス効果により、第１の磁気抵抗効果膜１０３と第２の磁
気抵抗効果膜１０５との間に静磁結合作用が生じる。そ
の結果、第１の磁気抵抗効果膜１０３及び第２の磁気抵
抗効果膜１０５が磁気的に安定なものとなり、バルクハ
ウゼンノイズが低減されることとなる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このように磁
気抵抗効果膜を２層構造としても、磁気抵抗効果膜のう
ち電極が取り付けられた部分、すなわち磁気抵抗効果膜
の感磁部以外の部分には、セルフバイアス効果が働かな
い。すなわち、磁気抵抗効果膜のうち、センス電流を流
すために取り付けられた電極の下にある部分に対して
は、セルフバイアス効果を与えることができず、この部
分は磁壁が生じやすくなってしまう。したがって、２層
型磁気抵抗効果素子を用いても、電極が取り付けられて
セルフバイアス効果が得られない部分が原因となって、
バルクハウゼンノイズが生じる恐れがある。したがっ
て、ＭＲヘッドでは、電極が取り付けた部分も含めて磁
気抵抗効果膜に磁壁が生じないようにして、バルクハウ
ゼンノイズを低減することが大きな課題となっている。

【０００７】また、ＭＲヘッドには、再生出力の向上が
望まれている。ここで、磁気抵抗効果膜に供給されるセ
ンス電流量をＩｓ、記録媒体からの磁界に強さによって
変化する磁気抵抗効果膜の比抵抗の変化量をΔρ、磁気
抵抗効果膜の感磁部の長さをＬ、磁気抵抗効果膜の感磁
部の断面積をＳとすると、その再生出力は、Ｉｓ×Δρ
×Ｌ／Ｓで表される。したがって、ＭＲヘッドの再生出
力を高くするには、磁気抵抗効果膜を薄膜化して磁気抵
抗効果膜の感磁部の断面積Ｓを小さくし、磁気抵抗効果
膜に供給されるセンス電流の電流密度を高くすればよ
い。

【０００８】ただし、磁気抵抗効果膜を薄膜化しすぎる
と、磁気抵抗効果膜の比抵抗が大幅に増大してしまう。
そして、このような比抵抗の増大は、磁気抵抗効果膜の
インピーダンスの増加を意味し、ＭＲヘッドの特性の劣
化を招いてしまう。ここで、磁気抵抗効果膜の比抵抗の
増大は、特に膜厚が約２０ｎｍ以下の領域において顕著
である。また、磁気抵抗効果膜を薄膜化しすぎると、磁
気抵抗効果膜の磁気的特性が不安定になる恐れもある。
そこで、ＭＲヘッドに使用される磁気抵抗効果膜の膜厚
は、約２０ｎｍ以上とすることが好ましい。

【０００９】しかし、上述したような２層型ＭＲヘッド
では、磁気抵抗効果膜が２層となるため、再生出力に寄
与する磁気抵抗効果膜の合計の膜厚が、磁気抵抗効果膜
が１層のときに比べて、約２倍になってしまう。したが
って、従来の２層型ＭＲヘッドでは、高い再生出力を得
ることが困難になっている。

【００１０】すなわち、従来の２層型ＭＲヘッドにおい
て、例えば、各磁気抵抗効果膜の膜厚を２０ｎｍとした
場合、磁気抵抗効果膜の合計の膜厚は４０ｎｍとなって
感磁部の断面積Ｓが大きくなってしまうため、センス電
流の電流密度が低くなり、再生出力が低下してしまう。
一方、感磁部の断面積Ｓを小さくするために、例えば、
各磁気抵抗効果膜の膜厚を１０ｎｍとした場合、磁気抵
抗効果膜の合計の膜厚は２０ｎｍとなって感磁部の断面
積Ｓは小さくなるが、上述したように、磁気抵抗効果膜
のインピーダンスが増加してしまうとともに、磁気抵抗
効果膜の磁気的特性が不安定になってしまう。

【００１１】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、磁気抵抗効果膜を用いた
磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドについて、磁気抵抗効
果膜の磁気的安定性を向上して再生出力をより安定なも
のとするとともに、その再生出力を向上すること目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、硬磁性
膜を含む磁気抵抗効果安定化層と、非磁性絶縁層と、磁
気抵抗効果膜を含む磁気抵抗効果層とが積層された磁気
抵抗効果素子を備えるとともに、上記磁気抵抗効果素子
の側面に配された非磁性絶縁層と、上記磁気抵抗効果素
子の上面の両端部において、それぞれ上記磁気抵抗効果
層と接続された一対の電極とを備え、上記磁気抵抗効果
層の磁気抵抗効果によって再生信号を検出するものであ
る。

【００１３】また、本発明に係る他の薄膜磁気ヘッド
は、反強磁性膜を含む磁気抵抗効果安定化層と、非磁性
絶縁層と、磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗効果層とが積
層された磁気抵抗効果素子を備えるとともに、上記磁気
抵抗効果素子の側面に配された非磁性絶縁層と、上記磁
気抵抗効果素子の上面の両端部において、それぞれ上記
磁気抵抗効果層と接続された一対の電極とを備え、上記
磁気抵抗効果層の磁気抵抗効果によって再生信号を検出
するものである。

【００１４】これら本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、
磁気抵抗効果安定化層と磁気抵抗効果層との間で静磁結
合作用が生じ、これにより、感磁部である磁気抵抗効果
層の磁気的安定性が高まる。しかも、この薄膜磁気ヘッ
ドでは、磁気抵抗効果層にだけ電極が接続されており、
この磁気抵抗効果層だけが感磁部として作用する。した
がって、この薄膜磁気ヘッドでは、再生出力に寄与する
磁気抵抗効果層の厚さを、従来の２層型ＭＲヘッドに比
べて、大幅に薄くすることが可能である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、形状、材質等を
任意に変更することが可能であることは言うまでもな
い。

【００１６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、磁
気抵抗効果安定化層を有する磁気抵抗効果素子を備えた
ＭＲヘッドであり、図１に示すように、下層シールド１
と、下層シールド１上に形成された下部ギャップ層２
と、下部ギャップ層２上に形成された磁気抵抗効果素子
３及び非磁性絶縁層４と、磁気抵抗効果素子３上の先端
部３ａ及び後端部３ｂ以外の部分に形成された保護層５
と、磁気抵抗効果素子３と後端部３ｂにおいて接続する
ように、磁気抵抗効果素子３の後端部３ｂ上から非磁性
絶縁層４上にわたって形成されたセンス電流用導体層６
と、磁気抵抗効果素子３及びセンス電流用導体層６上に
形成された非磁性絶縁層７と、磁気抵抗効果素子３の上
部を横切るように非磁性絶縁層７内に形成されたバイア
ス電流用導体層８と、磁気抵抗効果素子３と先端部３ａ
において接続するように、磁気抵抗効果素子３の先端部
３ａ上から非磁性絶縁層７上にわたって形成された上部
ギャップ層９と、上部ギャップ層９上に形成された上層
シールド１０とから構成される。

【００１７】上記ＭＲヘッドにおいて、下層シールド１
と上層シールド１０は磁性材料からなり、下部ギャップ
層２は非磁性絶縁材料からなり、上部ギャップ層９は電
気的に良導体である非磁性材料からなる。そして、下層
シールド１、上層シールド１０、下部ギャップ層２及び
上部ギャップ層９は、磁気記録媒体からの信号磁界のう
ち、再生対象外の磁界が磁気抵抗効果素子３に引き込ま
れないように機能する。すなわち、下層シールド１及び
上層シールド１０が、磁気抵抗効果素子３の上下に下部
ギャップ層２及び上部ギャップ層９を介して配されてい
るため、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再生対象
以外の磁界は下層シールド１及び上層シールド１０に導
かれ、再生対象の磁界だけが磁気抵抗効果素子３に引き
込まれる。

【００１８】一方、センス電流用導体層６及び上部ギャ
ップ層９は、磁気抵抗効果素子３の両端にそれぞれ接続
された一対の電極となり、磁気抵抗効果素子３にセンス
電流を供給するように機能する。すなわち、磁気抵抗効
果素子３は、後端部３ｂにおいてセンス電流用導体層６
と電気的に接続されており、先端部３ａにおいて上部ギ
ャップ層９と電気的に接続されている。そして、磁気記
録媒体から信号磁界を検出する際に、これらを介して磁
気抵抗効果素子３にセンス電流が供給される。ここで、
磁気抵抗効果素子３は、後述するように、磁気抵抗効果
安定化層と、非磁性絶縁層と、磁気抵抗効果層とが積層
されてなり、センス電流は磁気抵抗効果層にだけ供給さ
れる。

【００１９】また、磁気抵抗効果素子３上を横切るよう
に非磁性絶縁層７内に形成されたバイアス電流用導体層
８は、磁気抵抗効果素子３にバイアス磁界を印加するた
めものである。すなわち、磁気記録媒体から信号磁界を
検出する際に、このバイアス電流用導体層８に電流を流
すことにより、より高い磁気抵抗効果が得られるよう
に、磁気抵抗効果素子３にバイアス磁界が印加される。

【００２０】このようなＭＲヘッドを図１中矢印Ａで示
すように媒体摺動面側から見た図を図２に示す。この図
２に示すように、磁気抵抗効果素子３は、磁気抵抗効果
安定化層１１と、非磁性絶縁層１２と、磁気抵抗効果層
１３とが積層されてなる。ここで、磁気抵抗効果層１３
は、上述したように、センス電流が供給されて、記録媒
体からの信号を検出する感磁部として機能する。一方、
磁気抵抗効果安定化層１１は、磁気抵抗効果層１３と静
磁結合し、磁気抵抗効果層１３の磁気的安定性の向上に
寄与する。

【００２１】この磁気抵抗効果素子３は、両側面に非磁
性絶縁層４が配されており、磁気抵抗効果素子３は、こ
の非磁性絶縁層４に埋め込まれたような状態となってい
る。ここで、非磁性絶縁層４は、媒体摺動面に露出する
ため、摺動特性に優れた材料からなることが好ましく、
例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ_x（Ｓｉ₃Ｎ₄等）の
ような材料が好適である。

【００２２】そして、この磁気抵抗効果素子３の上面の
両端部において、磁気抵抗効果層１３と電極とが接続さ
れている。すなわち、図１及び図２に示すように、磁気
抵抗効果素子３の先端部３ａにおいて、磁気抵抗効果層
１３の上面と上部ギャップ層９とが電気的に接続される
とともに、図１に示すように、磁気抵抗効果素子３の後
端部３ｂにおいて、磁気抵抗効果層１３の上面とセンス
電流用導体層６とが電気的に接続されている。ここで、
磁気抵抗効果安定化層１１は、側面が非磁性絶縁層４に
よって絶縁され、上面が非磁性絶縁層１２によって絶縁
されているので、センス電流が流れるようなことはな
い。

【００２３】このような磁気抵抗効果素子３を用いたＭ
Ｒヘッドでは、磁気抵抗効果層１３と磁気抵抗効果安定
化層１１との間に静磁結合作用が生じるので、磁気抵抗
効果層１３の磁気的安定性が高まり、バルクハウゼンノ
イズが低減される。

【００２４】しかも、このＭＲヘッドでは、磁気抵抗効
果層１３だけにセンス電流が供給され、この磁気抵抗効
果層１３だけが感磁部として作用する。したがって、こ
のＭＲヘッドにおいて、再生出力に寄与する部分の厚さ
は、磁気抵抗効果層１３の厚さだけとなる。そのため、
このＭＲヘッドでは、再生出力に寄与する部分の厚さ
を、従来の２層型ＭＲヘッドに比べて半減することがで
きる。そして、再生出力に寄与する磁気抵抗効果層１３
の厚さを薄くすることにより、センス電流の電流密度を
上げることができるので、このＭＲヘッドでは高い再生
出力を得ることが可能である。

【００２５】つぎに、以上のようなＭＲヘッドに使用さ
れる磁気抵抗効果素子３について、より詳細に説明す
る。

【００２６】この磁気抵抗効果素子３は、上述したよう
に、磁気抵抗効果安定化層１１と、非磁性絶縁層１２
と、感磁部となる磁気抵抗効果層１３とが積層されて構
成される。

【００２７】ここで、磁気抵抗効果安定化層１１と磁気
抵抗効果層１３の間に配される非磁性絶縁層１２は、Ａ
ｌ₂Ｏ₃等のような電気的に絶縁性を有する非磁性材料か
らなるものであればよい。そして、この非磁性絶縁層１
２の膜厚は、挟ギャップ化を図るためにはより薄い方が
好ましいが、磁気抵抗効果安定化層１１と磁気抵抗効果
層１３との絶縁を保つ必要があるため、例えば、Ａｌ₂
Ｏ₃を用いるときには約１０ｎｍ以上の膜厚とする必要
がある。

【００２８】また、上記磁気抵抗効果層１３は、磁気抵
抗効果を有する磁気抵抗効果膜を含んでいればよく、例
えば、ＮｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜だけからなる
ものであっても、あるいは、Ｔａ等からなる下地膜上に
ＮｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜が成膜されたもので
あってもよい。

【００２９】ここで、Ｔａ等からなる下地膜上にＮｉＦ
ｅ等からなる磁気抵抗効果膜を成膜した場合には、磁気
抵抗効果膜を（１１１）配向させることができ、これに
より磁気抵抗効果膜の比抵抗を下げることができる。そ
して、磁気抵抗効果膜の比抵抗の低下は、上述したよう
に磁気抵抗効果膜のインピーダンスの低下となるため、
このように下地膜を設けることにより、ＭＲヘッドの再
生出力を向上することができる。

【００３０】そして、上記磁気抵抗効果安定化層１１
は、磁気抵抗効果層１３の磁気的安定性を向上させるた
めに配される層であり、磁気抵抗効果層１３と静磁結合
作用が生じるものであればよく、例えば、図３に示すよ
うに、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ又はＣｏＮｉ等からなる
硬磁性膜１１ａだけからなるものとしてもよいし、ある
いは、図４に示すように、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ又は
ＣｏＮｉ等からなる硬磁性膜１１ｂと、ＮｉＦｅ又はＮ
ｉＦｅ−Ｘ（ここでＸはＴａ，Ｃｒ，Ｎｂ等である。）
等からなる軟磁性膜１１ｃとを積層したものとしてもよ
いし、あるいは、図５又は図６に示すように、ＦｅＭｎ
又はＮｉＯ等からなる反強磁性膜１１ｄと、Ｃｏ、Ｎｉ
Ｆｅ又はＮｉＦｅ−Ｘ（ここでＸはＴａ，Ｃｒ，Ｎｂ等
である。）等からなる磁性膜１１ｅとを積層したものと
してもよい。

【００３１】図３に示したように、磁気抵抗効果安定化
層１１を硬磁性膜１１ａとするときは、この硬磁性膜１
１ａによってＭＲヘッドのトラック幅方向Ｂに静磁場が
発生するように、磁化方向Ｊａがトラック幅方向Ｂとな
るように着磁された硬磁性膜１１ａを用いる。これによ
り、磁化方向Ｊａがトラック幅方向Ｂとされた硬磁性膜
１１ａからなる磁気抵抗効果安定化層１１との静磁結合
作用により、磁気抵抗効果層１３の磁化方向Ｊもトラッ
ク幅方向Ｂに揃い、磁気抵抗効果層１３は単磁区化す
る。その結果、磁気抵抗効果層１３は、磁壁の移動等に
よるノイズが生じることなく、安定に動作することとな
る。

【００３２】また、図４に示したように、磁気抵抗効果
安定化層１１を硬磁性膜１１ｂと軟磁性膜１１ｃを積層
したものとするときは、この硬磁性膜１１ｂ及び軟磁性
膜１１ｃによってＭＲヘッドのトラック幅方向Ｂに静磁
場が発生するように、磁化方向Ｊｂがトラック幅方向と
なるように着磁された硬磁性膜１１ｂを用いる。このと
き、軟磁性膜１１ｃの磁化方向Ｊｃは、交換相互作用に
より硬磁性膜１１ｂの磁化方向Ｊｂと同じ向きとなり、
この軟磁性膜１１ｃは、硬磁性膜１１ｂの磁極及び磁気
抵抗効果層１３との磁気的カップリングを起こすように
働く。これにより、磁気抵抗効果層１３の磁化方向Ｊは
トラック幅方向Ｂに揃い、磁気抵抗効果層１３は単磁区
化する。その結果、磁気抵抗効果層１３は、磁壁の移動
等によるノイズが生じることなく、安定に動作すること
となる。

【００３３】ところで、一般に、硬磁性膜は、膜の面方
向に着磁しても、磁化方向を完全に面方向に向けること
は難しく、面方向を向いていない磁化成分が残ってしま
う。したがって、通常、硬磁性膜１１ｂの磁化成分に
は、膜に対して垂直方向の成分が含まれている。そし
て、このような磁化の垂直成分は、磁気抵抗効果層１３
の磁気的安定性を損なう要因となる。しかし、磁気抵抗
効果安定化層１１を硬磁性膜１１ｂ及び軟磁性膜１１ｃ
で構成することにより、硬磁性膜１１ｂの磁化成分のう
ち垂直成分は軟磁性膜１１ｃによって遮断される。した
がって、磁気抵抗効果安定化層１１を硬磁性膜１１ｂ及
び軟磁性膜１１ｃで構成することにより、硬磁性膜１１
ｂの磁化の垂直成分は軟磁性膜１１ｃによって遮断さ
れ、磁気抵抗効果層１３を磁気的に不安定化させる要因
は排除される。

【００３４】また、図５又は図６に示したように、磁気
抵抗効果安定化層１１を反強磁性膜１１ｄと磁性膜１１
ｅを積層したものとするときは、反強磁性膜１１ｄと磁
性膜１１ｅとの交換相互作用により、磁性膜１１ｅの磁
化方向Ｊｅが固定される。ここで、磁性膜１１ｅの磁化
方向Ｊｅは、ＭＲヘッドのトラック幅方向Ｂとなるよう
に固定する。このように磁化方向Ｊｅを固定するには、
例えば、反強磁性膜１１ｄを所定の磁場中で成膜する
か、または反強磁性膜１１ｄの成膜後に所定の磁場中で
アニール処理を施せばよい。このように磁性膜１１ｅの
磁化方向Ｊｅをトラック幅方向Ｂに固定することによ
り、磁気抵抗効果安定化層１１と磁気抵抗効果層１３と
の静磁結合作用によって磁気抵抗効果層１３の磁化方向
Ｊもトラック幅方向Ｂに揃い、磁気抵抗効果層１３が単
磁区化する。その結果、磁気抵抗効果層１３は、磁壁の
移動等によるノイズが生じることなく、安定に動作する
こととなる。なお、このように磁気抵抗効果安定化層１
１を反強磁性膜１１ｄと磁性膜１１ｅを積層したものと
するときは、図５に示すように磁性膜１１ｅ上に反強磁
性膜１１ｄを積層しても、図６に示すように反強磁性膜
１１ｄ上に磁性膜１１ｅを積層してもよい。

【００３５】つぎに、以上のような磁気抵抗効果安定化
層１１を有する磁気抵抗効果素子３の感度について、従
来の２層型磁気抵抗効果素子と比較して説明する。

【００３６】上記磁気抵抗効果素子３の磁気抵抗効果層
１３の膜厚と、２層型磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果
膜の１層当たりの膜厚とを同じにしたとき、上記磁気抵
抗効果素子３では磁気抵抗効果安定化層１１にセンス電
流が流れないので、上記磁気抵抗効果素子３についてセ
ンス電流が流れる部分の断面積Ｓは、２層型磁気抵抗効
果素子についてセンス電流が流れる部分の断面積Ｓの約
半分となる。したがって、上記磁気抵抗効果素子３に流
れるセンス電流の電流密度は、２層型磁気抵抗効果素子
に流れるセンス電流の電流密度の約２倍となる。その結
果、同じ量のセンス電流を流したときには、図７に示す
ように、上記磁気抵抗効果素子３による再生出力Ｃは、
従来の２層型磁気抵抗効果素子による再生出力Ｄの約２
倍となる。

【００３７】ところで、磁気抵抗効果層１３の感度は、
外部磁界の強さＨに対する抵抗変化による磁気抵抗効果
層１３の両端に接続される電極間の電圧変化ΔＶ、すな
わちΔＶ／Ｈで表され、これが大きいほど磁気抵抗効果
層１３の感度は高くなる。しかしながら、従来の２層型
磁気抵抗効果素子では、センス電流によるセルフバイア
ス効果によって感度が決定されてしまい、これを制御す
ることはできなかった。これに対して、上記磁気抵抗効
果素子３では、磁気抵抗効果安定化層１１の膜厚や材料
を変化させたり、非磁性絶縁層１２の膜厚を変化させた
りすることにより、磁気抵抗効果層１３に供給される磁
気的エネルギーの大きさを制御することができる。した
がって、上記磁気抵抗効果素子３では、磁気抵抗効果層
１３に最適な磁気的エネルギーが供給されるように磁気
エネルギーを制御することができ、その結果、磁気抵抗
効果層の感度を高めることができる。

【００３８】しかも、磁気抵抗効果安定化層１１を用い
ることにより、セルフバイアス効果を利用する２層型磁
気抵抗効果素子とは異なり、磁気抵抗効果層１３の両端
部分、すなわち電極が取り付けられた部分に対しても、
磁気抵抗効果層１３を安定化させるように磁気的エネル
ギーが供給される。したがって、磁気抵抗効果安定化層
１１を用いることにより、電極が取り付けられ部分も含
めて、磁気抵抗効果層１３を安定化させることができ
る。

【００３９】以上のような磁気抵抗効果素子３では、磁
気抵抗効果安定化層１１と磁気抵抗効果層１３とが静磁
結合して、ＭＲヘッドの感磁部となる磁気抵抗効果層１
３が磁気的に安定なものとなることが望ましい。しかし
ながら、磁気抵抗効果安定化層１１と磁気抵抗効果層１
３との静磁結合が弱いと磁気抵抗効果層１３は磁気的に
十分に安定なものとならない。そして、このような静磁
結合の強さは、磁気抵抗効果安定化層１１の総飽和磁束
量φ１と磁気抵抗効果層１３の総飽和磁束量φ２との比
に依存している。そこで、実際に、磁気抵抗効果安定化
層１１の総飽和磁束量φ１と磁気抵抗効果層１３の総飽
和磁束量φ２の比と、磁気抵抗効果層１３の磁気抵抗効
果との関係を調べた。結果を図８〜図１１に示す。

【００４０】ここで、図８は、磁気抵抗効果安定化層１
１の総飽和磁束量φ１：磁気抵抗効果層１３の総飽和磁
束量φ２＝０．５０：１としたときの磁気抵抗効果層１
３の磁気抵抗効果を示し、図９は、磁気抵抗効果安定化
層１１の総飽和磁束量φ１：磁気抵抗効果層１３の総飽
和磁束量φ２＝０．７５：１としたときの磁気抵抗効果
層１３の磁気抵抗効果を示し、図１０は、磁気抵抗効果
安定化層１１の総飽和磁束量φ１：磁気抵抗効果層１３
の総飽和磁束量φ２＝１：１としたときの磁気抵抗効果
層１３の磁気抵抗効果を示し、図１１は、磁気抵抗効果
安定化層１１の総飽和磁束量φ１：磁気抵抗効果層１３
の総飽和磁束量φ２＝１．２５：１としたときの磁気抵
抗効果層１３の磁気抵抗効果を示している。これら図８
〜図１１において、横軸は外部磁界の強さＨを示し、縦
軸は磁気抵抗効果による磁気抵抗効果層１３の抵抗変化
率Δρ／ρを示している。

【００４１】これらの図８〜図１１から明らかなよう
に、φ１／φ２＜１のときは、磁気抵抗効果の波形に大
きなヒステリシスが生じており、φ１／φ２≧１のとき
は、磁気抵抗効果の波形が安定している。すなわち、磁
気抵抗効果安定化層１１の総飽和磁束量φ１がより大き
い方が、磁気抵抗効果層１３の磁気抵抗効果が安定なも
のとなり、ノイズが低減される。

【００４２】つぎに、以上のような磁気抵抗効果安定化
層１１の総飽和磁束量φ１と、磁気抵抗効果層１３の総
飽和磁束量φ２の関係について説明する。

【００４３】磁気抵抗効果素子３の形状は、挟トラック
化に伴い、図１２に示すように、ＭＲヘッドのトラック
幅方向Ｅよりも、トラック幅方向Ｅに対して直交する方
向、すなわち磁気抵抗効果素子３の奥行き方向（以下、
「感磁部方向」という。）Ｆの方が長くなっている。そ
して、このような磁気抵抗効果素子３において、磁気抵
抗効果層１３の磁化方向Ｊは、完全にトラック幅方向Ｅ
に向くようにすることが好ましいが、形状異方性的に、
感磁部方向Ｆに向きやすくなっている。これは、トラッ
ク幅方向Ｅに、磁気抵抗効果層１３の総飽和磁束量に等
しい反磁界ｊが生じるためである。そこで、上記磁気抵
抗効果素子３では、磁気抵抗効果安定化層１１からでる
磁束によって生じる磁界Ｊ１１により、この反磁界ｊを
打ち消している。

【００４４】しかし、φ１／φ２＜１では、反磁界ｊを
十分に打ち消すことができず、磁気抵抗効果層１３の磁
化方向Ｊは感磁部方向Ｆを向いてしまい、その結果、上
述のようなヒステリシスが生じてしまう。また、φ１／
φ２＝１のときは、理想的には反磁界ｊが打ち消される
はずであるが、成膜時のばらつき等の要因のために、多
少のヒステリシスが残ってしまう恐れがある。そこで、
磁気抵抗効果安定化層１１の総飽和磁束量φ１と、磁気
抵抗効果層１３の総飽和磁束量φ２の関係は、φ１／φ
２＞１とすることが好ましい。

【００４５】なお、磁気抵抗効果安定化層１１の総飽和
磁束量φ１と、磁気抵抗効果層１３の総飽和磁束量φ２
の関係を、φ１／φ２＞１とするには、例えば、磁気抵
抗効果安定化層１１の膜厚を、磁気抵抗効果層１３の膜
厚よりも厚くしたり、あるいは、磁気抵抗効果安定化層
１１に磁束密度Ｂｓが大きい材料を用いたりすればよ
い。

【００４６】つぎに、以上のようなＭＲヘッドの製造方
法について詳細に説明する。

【００４７】上記ＭＲヘッドを製造する際は、先ず、図
１３に示すように、下層シールド４１上に、Ａｌ₂Ｏ₃等
のような非磁性絶縁体からなる下部ギャップ層４２を形
成する。ここで、下部ギャップ層４２は、後工程で形成
する磁気抵抗効果素子の下部を電気的に絶縁するととも
に、磁気抵抗効果素子の下部に磁気的ギャップを形成す
るものである。

【００４８】次に、図１４に示すように、下部ギャップ
層４２上に磁気抵抗効果膜を含む薄膜層４３を形成し、
この薄膜層４３上にＡｌ₂Ｏ₃等からなる保護層４４を形
成する。ここで、薄膜層４３は、後工程でエッチングさ
れて磁気抵抗効果素子となるものであり、磁気抵抗効果
安定化層４３ａと、Ａｌ₂Ｏ₃からなる非磁性絶縁層４３
ｂと、Ｔａからなる下地膜及びＮｉＦｅ膜からなる磁気
抵抗効果層４３ｃとが積層されてなる。

【００４９】次に、薄膜層４３を所定の形状の磁気抵抗
効果素子とするために、図１５に示すように、保護層４
４上に所定の形状にパターニングされたフォトレジスト
４５を形成した後、図１６に示すように、保護層４４及
び薄膜層４３をエッチングして、上面に保護層４４が形
成された所定の形状の磁気抵抗効果素子４３Ｓを形成す
る。

【００５０】このように、予め磁気抵抗効果膜を含む薄
膜層４３を形成しておき、後からエッチングして所定の
形状の磁気抵抗効果素子４３Ｓを形成することにより、
磁気抵抗効果安定化層４３ａと磁気抵抗効果層４３ｃと
の相対的な位置が正確に一致する。したがって、このよ
うな磁気抵抗効果素子４３Ｓでは、磁気抵抗効果安定化
層４３ａと磁気抵抗効果層４３ｂとの間に理想的な静磁
結合が生じる。

【００５１】次に、図１７に示すように、フォトレジス
ト４５を残したまま、フォトレジスト４５、保護層４４
及び磁気抵抗効果素子４３Ｓを覆うように非磁性絶縁層
４６を形成し、その後、フォトレジスト４５をフォトレ
ジスト４５上に形成された非磁性絶縁層４６と共に剥離
して除去する。そして、フォトレジスト４５をフォトレ
ジスト４５上に形成された非磁性絶縁層４６と共に剥離
して除去した後、非磁性絶縁層４６及び保護層４４の表
面を研磨して平坦化する。これにより、図１８、及び図
１８のＡ−Ａ線における断面図である図１９に示すよう
に、磁気抵抗効果素子４３Ｓ及び保護層４４が非磁性絶
縁層４６に埋め込まれたような状態となる。

【００５２】このようにフォトレジスト４５をフォトレ
ジスト４５上に形成された非磁性絶縁層４６と共に剥離
して除去する、いわゆるリフトオフ法によれば、非常に
容易に、磁気抵抗効果素子４３Ｓ及び保護層４４を非磁
性絶縁層４６に埋め込まれたような状態とすることがで
きる。ただし、このようなリフトオフ法では、フォトレ
ジストを剥離したときにエッジの部分にバリ等が生じて
表面粗度が悪くなり、磁気抵抗効果素子４３Ｓの磁気特
性や絶縁性等に悪影響を及ぼしたり、後工程で形成され
る上部ギャップ層や上層シールド等の形状を悪化させる
ことがある。そこで、フォトレジスト４５を剥離した後
は、非磁性絶縁層４６及び保護層４４の表面を研磨して
表面性を向上させた方がよい。

【００５３】ここで、フォトレジスト４５を剥離した
後、非磁性絶縁層４６及び保護層４４の表面を研磨する
場合には、本工程での研磨量を考慮して、予め保護層４
４の膜厚を厚くしておく必要がある。具体的には、例え
ば、保護層４４としてＡｌ₂Ｏ₃を使用する場合、保護層
４４の最終的な膜厚は２０ｎｍ程度が好適であり、ま
た、本工程での研磨によって表面が充分に平坦となるた
めには５０ｎｍ程度の研磨が必要である。したがって、
フォトレジスト４５を剥離した後、非磁性絶縁層４６及
び保護層４４の表面を研磨する場合には、例えば、Ａｌ
₂Ｏ₃からなる保護層４４を、７０ｎｍ程度の膜厚で予め
成膜しておき、本工程において５０ｎｍ程度研磨して表
面を平坦化して、保護層４４の最終的な膜厚が２０ｎｍ
程度となるようにすればよい。

【００５４】そして、このように非磁性絶縁層４６及び
保護層４４の表面を研磨することにより、磁気抵抗効果
素子４３Ｓの磁気特性や絶縁性等が向上するとともに、
後工程で形成される上層シールド等の形状が理想的なも
のとなり、ＭＲヘッドの周波数特性等が向上する。

【００５５】次に、図２０に示すように、保護層４４及
び非磁性絶縁層４６上に新たな非磁性絶縁層４７を形成
した上で、磁気抵抗効果素子４３Ｓの後端部４３Ａ上の
非磁性絶縁層４７及び保護層４４をエッチングして、磁
気抵抗効果素子４３Ｓの後端部４３Ａが露出するように
開口部４８を設ける。

【００５６】次に、図２１に示すように、磁気抵抗効果
素子４３Ｓの後端部４３Ａ及び非磁性絶縁層４７上に、
前工程で形成した開口部４８を通じて磁気抵抗効果素子
４３Ｓの上面と接続するように、センス電流用導体層４
９を形成するととともに、磁気抵抗効果素子４３Ｓの上
部を横切るように非磁性絶縁層４７上にバイアス電流用
導体層５０を形成する。そして、これらの上に更に非磁
性絶縁層５１を形成する。

【００５７】次に、図２２に示すように、磁気抵抗効果
素子４３Ｓの先端部４３Ｂ上の非磁性絶縁層５１、非磁
性絶縁層４７及び保護層４４をエッチングして、磁気抵
抗効果素子４３Ｓの先端部４３Ｂが露出するように開口
部５２を設けた上で、磁気抵抗効果素子４３Ｓの先端部
４３Ｂ及び非磁性絶縁層５１上に、開口部５２を通じて
磁気抵抗効果素子４３Ｓの上面と接続するように、上部
ギャップ層５３を形成し、更にその上に上層シールド５
４を形成する。

【００５８】以上の工程の後、所定の形状に切り出すこ
とによって、ＭＲヘッドが完成する。なお、このＭＲヘ
ッドは再生専用磁気ヘッドであるため、記録再生用磁気
ヘッドとするために、このＭＲヘッド上に記録用のイン
ダクティブヘッドを積層してもよい。

【００５９】ところで、上述のＭＲヘッドの製造方法で
は、図１８及び図１９に示したように、磁気抵抗効果素
子４３Ｓ及び保護層４４が非磁性絶縁層４６に埋め込ま
れたような状態となるように、フォトレジスト４５を残
したまま非磁性絶縁層４６を形成し、その後、フォトレ
ジスト４５をフォトレジスト４５上の非磁性絶縁層４６
と共に除去しているが、磁気抵抗効果素子４３Ｓ及び保
護層４４が非磁性絶縁層４６に埋め込まれたような状態
とするのは、このような手法に限られるものではない。

【００６０】具体的には、例えば、磁気抵抗効果素子４
３Ｓ及び保護層４４が非磁性絶縁層に埋め込まれたよう
な状態とするために、下部ギャップ層４２、磁気抵抗効
果素子４３Ｓ及び保護層４４上に非磁性絶縁層を形成し
た後、この非磁性絶縁層をエッチバックするようにして
もよい。

【００６１】すなわち、図１６に示したように磁気抵抗
効果素子４３Ｓ及び保護層４４を形成した後、フォトレ
ジスト４５を除去した上で、媒体摺動面側から見た図で
ある図２３に示すように、下部ギャップ層４２、磁気抵
抗効果素子４３Ｓ及び保護層４４を覆うように非磁性絶
縁層６１を形成する。その後、図２４に示すように、非
磁性絶縁層６１上にフォトレジスト６２を塗布する。こ
こで、フォトレジスト６２は、磁気抵抗効果素子４３Ｓ
の上部以外の部分では、磁気抵抗効果素子４３Ｓの膜厚
とほぼ同じ又は若干薄い程度となるように塗布する。こ
れにより、フォトレジスト６２の膜厚は、図２４に示し
たように、磁気抵抗効果素子４３Ｓの上部以外の部分で
は厚くなり、磁気抵抗効果素子４３Ｓの上部では薄くな
る。

【００６２】そして、このように全面がフォトレジスト
６２に覆われた状態で、全面をエッチングしてエッチバ
ックする。このとき、フォトレジスト６２と非磁性絶縁
層６１とのエッチングレートを適切に選択しておき、磁
気抵抗効果素子４３Ｓ及び保護層４４上の非磁性絶縁層
６１ａを選択的にエッチングして、表面の段差を少なく
して平坦化する。

【００６３】この結果、図２５に示すように、表面がほ
ぼ平坦化されるとともに、磁気抵抗効果素子４３Ｓ及び
保護層４４が非磁性絶縁層６１に埋め込まれたような状
態となる。そして、この後は、上述のＭＲヘッドと同様
の工程を施せばよい。

【００６４】なお、このようにエッチバックするときに
は、表面がほぼ平坦化されればよく、図２５に示したよ
うに保護層４４上に非磁性絶縁層６１が残っていてもよ
い。そして、図２５に示したように保護層４４上に非磁
性絶縁層６１が残っているときには、後工程において、
センス電流用導体層４９と磁気抵抗効果素子４３Ｓとを
接続するための開口部４８や、上部ギャップ層５３と磁
気抵抗効果素子４３Ｓとを接続するための開口部５２を
形成する際に、これらの開口部４８，５２の部分の非磁
性絶縁層６１を保護層４４等と共に除去して開口部４
８，５２を形成すればよい。

【００６５】あるいは、例えば、磁気抵抗効果素子４３
Ｓ及び保護層４４が非磁性絶縁層に埋め込まれたような
状態とするために、下部ギャップ層４２、磁気抵抗効果
素子４３Ｓ及び保護層４４上に非磁性絶縁層を形成した
後、この非磁性絶縁層を研磨するようにしてもよい。

【００６６】すなわち、図１６に示したように磁気抵抗
効果素子４３Ｓ及び保護層４４を形成した後、フォトレ
ジスト４５を除去した上で、媒体摺動面側から見た図で
ある図２６に示すように、下部ギャップ層４２、磁気抵
抗効果素子４３Ｓ及び保護層４４を覆うように非磁性絶
縁層７１を形成する。その後、図２７に示すように、全
面を研磨して、表面の段差が少なくなるように平坦化す
る。これにより、表面がほぼ平坦化されるとともに、磁
気抵抗効果素子４３Ｓ及び保護層４４が非磁性絶縁層６
１に埋め込まれたような状態となる。そして、この後
は、上述のＭＲヘッドと同様の工程を施せばよい。

【００６７】なお、このように非磁性絶縁層７１を研磨
するときには、表面がほぼ平坦化されればよく、図２７
に示したように保護層４４上に非磁性絶縁層７１が残っ
ていてもよい。そして、図２７に示したように保護層４
４上に非磁性絶縁層７１が残っているときには、後工程
で、センス電流用導体層４９と磁気抵抗効果素子４３Ｓ
とを接続するための開口部４８や、上部ギャップ層５３
と磁気抵抗効果素子４３Ｓとを接続するための開口部５
２を形成する際に、これらの開口部４８，５２の部分の
非磁性絶縁層７１を保護層４４等と共に除去して開口部
４８，５２を形成すればよい。

【００６８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果安定化層と磁
気抵抗効果層との間に静磁結合作用が生じるので、磁気
抵抗効果安定化層及び磁気抵抗効果層の磁気的状態が安
定なものとなる。しかも、本発明に係る薄膜磁気ヘッド
では、再生出力に寄与する磁気抵抗効果膜の膜厚を薄膜
化することが可能であり、高い再生出力を得ることがで
きる。

【００６９】したがって、本発明によれば、磁気抵抗効
果膜の磁気的安定性の向上と、再生出力の向上とが両立
された、低ノイズ且つ高再生出力の薄膜磁気ヘッドを提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したＭＲヘッドの一例を示す要部
横断面図である。

【図２】図１に示したＭＲヘッドを媒体摺動面側から見
た要部正面図である。

【図３】図１に示したＭＲヘッドに用いられる磁気抵抗
効果素子の一例を示す斜視図である。

【図４】図１に示したＭＲヘッドに用いられる磁気抵抗
効果素子の他の例を示す斜視図である。

【図５】図１に示したＭＲヘッドに用いられる磁気抵抗
効果素子の他の例を示す斜視図である。

【図６】図１に示したＭＲヘッドに用いられる磁気抵抗
効果素子の他の例を示す斜視図である。

【図７】磁気抵抗効果素子の再生出力と外部磁界の強さ
の関係について、磁気抵抗効果安定化層を有する磁気抵
抗効果素子と、従来の２層型磁気抵抗効果素子とを比較
して示す図である。

【図８】磁気抵抗効果安定化層の総飽和磁束量φ１：磁
気抵抗効果層の総飽和磁束量φ２＝０．５０：１とした
ときの磁気抵抗効果層の磁気抵抗効果の測定結果を示す
図である。

【図９】磁気抵抗効果安定化層の総飽和磁束量φ１：磁
気抵抗効果層の総飽和磁束量φ２＝０．７５：１とした
ときの磁気抵抗効果層の磁気抵抗効果の測定結果を示す
図である。

【図１０】磁気抵抗効果安定化層の総飽和磁束量φ１：
磁気抵抗効果層の総飽和磁束量φ２＝１：１としたとき
の磁気抵抗効果層の磁気抵抗効果の測定結果を示す図で
ある。

【図１１】磁気抵抗効果安定化層の総飽和磁束量φ１：
磁気抵抗効果層の総飽和磁束量φ２＝１．２５：１とし
たときの磁気抵抗効果層の磁気抵抗効果の測定結果を示
す図である。

【図１２】磁気抵抗効果安定化層を有する磁気抵抗効果
素子について、磁界の様子を模式的に示す斜視図であ
る。

【図１３】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、下部ギャップ層の形成工程を示す要部横
断面図である。

【図１４】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、磁気抵抗効果膜を含む薄膜層及び保護層
の形成工程を示す要部横断面図である。

【図１５】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、所定の形状のフォトレジストの形成工程
を示す要部断面斜視図である。

【図１６】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、保護層及び磁気抵抗効果膜をエッチング
した状態を示す要部断面斜視図である。

【図１７】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、非磁性絶縁層の形成工程を示す要部断面
斜視図である。

【図１８】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、フォトレジスト及びフォトレジスト上の
非磁性絶縁層を除去した状態を示す要部断面斜視図であ
る。

【図１９】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、フォトレジスト及びフォトレジスト上の
非磁性絶縁層を除去した状態を示す要部横断面図であ
る。

【図２０】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、非磁性絶縁層及び開口部の形成工程を示
す要部横断面図である。

【図２１】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、センス電流用導体層、バイアス電流用導
体層及び非磁性絶縁層の形成工程を示す要部横断面図で
ある。

【図２２】図１に示したＭＲヘッドの製造工程を順次示
すものであり、上部ギャップ層及び上層シールドの形成
工程を示す要部横断面図である。

【図２３】図１に示したＭＲヘッドの他の製造工程を示
すものであり、下部ギャップ層、磁気抵抗効果素子及び
保護層上に非磁性絶縁層を形成した状態を示す要部正面
図である。

【図２４】図２３に示す工程の次の工程を示すものであ
り、非磁性絶縁層上にフォトレジストを形成した状態を
示す要部正面図である。

【図２５】図２３に示す工程の次の工程を示すものであ
り、エッチバックを施して表面を平坦化した状態を示す
要部正面図である。

【図２６】図１に示したＭＲヘッドの他の製造工程を示
すものであり、下部ギャップ層、磁気抵抗効果素子及び
保護層上に非磁性絶縁層を形成した状態を示す要部正面
図である。

【図２７】図２６に示す工程の次の工程を示すものであ
り、表面研磨を施して表面を平坦化した状態を示す要部
正面図である。

【図２８】ＭＲヘッドの基本的な構成を示す模式図であ
る。

【図２９】従来の２層型ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子
の構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１下層シールド２下部ギャップ層３磁気抵抗効果素子４非磁性絶縁層５保護層６センス電流用導体層７非磁性絶縁層８バイアス電流用導体層９上部ギャップ層１０上層シールド１１磁気抵抗効果安定化層１２非磁性絶縁層１３磁気抵抗効果層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】硬磁性膜を含む磁気抵抗効果安定化層
と、非磁性絶縁層と、磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗効
果層とが積層された磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の側面に配された非磁性絶縁層
と、上記磁気抵抗効果素子の上面の両端部において、それぞ
れ上記磁気抵抗効果層と接続された一対の電極とを備
え、上記磁気抵抗効果層の磁気抵抗効果によって再生信号を
検出することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記磁気抵抗効果安定化層が、硬磁性膜
と軟磁性膜とが積層されてなることを特徴とする請求項
１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記磁気抵抗効果安定化層の総飽和磁束
量が、前記磁気抵抗効果層の総飽和磁束量よりも多いこ
とを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記磁気抵抗効果安定化層の厚さが、前
記磁気抵抗効果層の厚さよりも厚いことを特徴とする請
求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記磁気抵抗効果層が、下地となる薄膜
上に磁気抵抗効果膜が成膜されてなることを特徴とする
請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】反強磁性膜を含む磁気抵抗効果安定化層
と、非磁性絶縁層と、磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗効
果層とが積層された磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の側面に配された非磁性絶縁層
と、上記磁気抵抗効果素子の上面の両端部において、それぞ
れ上記磁気抵抗効果層と接続された一対の電極とを備
え、上記磁気抵抗効果層の磁気抵抗効果によって再生信号を
検出することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記磁気抵抗効果安定化層が、反強磁性
膜と磁性膜とが積層されてなることを特徴とする請求項
６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】前記磁気抵抗効果安定化層の総飽和磁束
量が、前記磁気抵抗効果層の総飽和磁束量よりも多いこ
とを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】前記磁気抵抗効果安定化層の厚さが、前
記磁気抵抗効果層の厚さよりも厚いことを特徴とする請
求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】前記磁気抵抗効果層が、下地となる薄
膜上に磁気抵抗効果膜が成膜されてなることを特徴とす
る請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。