JPH11232616A - 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH11232616A JPH11232616A JP2681798A JP2681798A JPH11232616A JP H11232616 A JPH11232616 A JP H11232616A JP 2681798 A JP2681798 A JP 2681798A JP 2681798 A JP2681798 A JP 2681798A JP H11232616 A JPH11232616 A JP H11232616A
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- film
- magnetoresistive
- gap
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Abstract
(57)【要約】
【課題】狭トラック、狭ギャップが達成可能で、特性の
良好な磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 【解決手段】下部ギャップ膜を感磁部領域の第1下部ギ
ャップ膜と感磁部外領域の第2下部ギャップ膜とに分割
し、下部シールド膜は感磁部領域に凸形状の上部平坦面
を設け、上部平坦面に配置した第1下部ギャップ膜の端
部に第2下部ギャップ膜及び電極を配置する。磁気抵抗
効果膜の端部に配置した第1上部ギャップ膜を、磁気抵
抗効果膜と第1上部ギャップ膜の上に第2上部ギャップ
膜を配置する。
良好な磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 【解決手段】下部ギャップ膜を感磁部領域の第1下部ギ
ャップ膜と感磁部外領域の第2下部ギャップ膜とに分割
し、下部シールド膜は感磁部領域に凸形状の上部平坦面
を設け、上部平坦面に配置した第1下部ギャップ膜の端
部に第2下部ギャップ膜及び電極を配置する。磁気抵抗
効果膜の端部に配置した第1上部ギャップ膜を、磁気抵
抗効果膜と第1上部ギャップ膜の上に第2上部ギャップ
膜を配置する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記憶媒体からの情
報を磁気的に再生する磁気抵抗効果型ヘッドに関するも
のである。より詳細には、巨大磁気抵抗効果を利用した
磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
報を磁気的に再生する磁気抵抗効果型ヘッドに関するも
のである。より詳細には、巨大磁気抵抗効果を利用した
磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク装置の小型化に伴い、ディ
スクとヘッドの相対速度に依存せずに高い再生出力電圧
が得られる磁気抵抗効果型ヘッドが用いられてきてい
る。磁気抵抗効果型ヘッドは感受する磁束によって抵抗
が変化することを利用した磁気センサであり、磁気媒体
から情報を再生することはできるが、媒体に情報を記録
することはできない。そのため、記録ヘッドに従来の磁
気誘導型ヘッド、再生ヘッドに磁気抵抗効果型ヘッドを
用い記録再生分離型磁気ヘッドとして使用している。現
在、更なる高記録密度化のための磁気ヘッド開発が行わ
れている。
スクとヘッドの相対速度に依存せずに高い再生出力電圧
が得られる磁気抵抗効果型ヘッドが用いられてきてい
る。磁気抵抗効果型ヘッドは感受する磁束によって抵抗
が変化することを利用した磁気センサであり、磁気媒体
から情報を再生することはできるが、媒体に情報を記録
することはできない。そのため、記録ヘッドに従来の磁
気誘導型ヘッド、再生ヘッドに磁気抵抗効果型ヘッドを
用い記録再生分離型磁気ヘッドとして使用している。現
在、更なる高記録密度化のための磁気ヘッド開発が行わ
れている。
【0003】磁気抵抗効果型ヘッドとして異方性磁気抵
抗効果(AMR:Anisotropic Magnetoresistive)を利
用したAMRヘッドから用いられたが、高記録密度化に
伴いAMRヘッドよりもさらに高感度化が必要となった
ため、例えば、特開平4−358310号公報には巨大
磁気抵抗効果(GMR:Giant Magnetoresistive)を利
用したスピンバルブヘッドが提案された。
抗効果(AMR:Anisotropic Magnetoresistive)を利
用したAMRヘッドから用いられたが、高記録密度化に
伴いAMRヘッドよりもさらに高感度化が必要となった
ため、例えば、特開平4−358310号公報には巨大
磁気抵抗効果(GMR:Giant Magnetoresistive)を利
用したスピンバルブヘッドが提案された。
【0004】このスピンバルブヘッドは、磁気抵抗効果
膜として、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向が変
化する第1強磁性膜と、磁化方向が固定された第2強磁
性膜と、第1および第2強磁性膜の間に挿入された非磁
性導電性膜と、第2強磁性膜の磁化方向を固定するため
の反強磁性膜もしくは永久磁石膜から構成されている。
また、スピンバルブヘッドの高感度化のために、特開平
5−347013号公報にはデュアルタイプのスピンバ
ルブヘッドが提案されている。
膜として、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向が変
化する第1強磁性膜と、磁化方向が固定された第2強磁
性膜と、第1および第2強磁性膜の間に挿入された非磁
性導電性膜と、第2強磁性膜の磁化方向を固定するため
の反強磁性膜もしくは永久磁石膜から構成されている。
また、スピンバルブヘッドの高感度化のために、特開平
5−347013号公報にはデュアルタイプのスピンバ
ルブヘッドが提案されている。
【0005】高記録密度化には磁気ヘッドの高感度化が
必要であり、上記のように感磁部に用いる磁気抵抗効果
膜の高感度化を行う。また、これと同時に再生トラック
及び再生ギャップをいかに小さくするかということも重
要である。例として、特開平3−125311号公報に
記載されているようなハードバイアスと呼ばれる方法が
ある。この方法はリフトオフパターンをマスクとして用
い、磁気抵抗効果膜の両端部分をイオンミリング等で切
り落として感磁部のみに磁気抵抗効果膜を残し、切り落
とした両端部分に永久磁石や電極を配置して、オフトラ
ック特性等を向上するものである。
必要であり、上記のように感磁部に用いる磁気抵抗効果
膜の高感度化を行う。また、これと同時に再生トラック
及び再生ギャップをいかに小さくするかということも重
要である。例として、特開平3−125311号公報に
記載されているようなハードバイアスと呼ばれる方法が
ある。この方法はリフトオフパターンをマスクとして用
い、磁気抵抗効果膜の両端部分をイオンミリング等で切
り落として感磁部のみに磁気抵抗効果膜を残し、切り落
とした両端部分に永久磁石や電極を配置して、オフトラ
ック特性等を向上するものである。
【0006】特開平5−182151号公報には下部シ
ールドの凹部に絶縁層及び電極を埋没することにより、
電極段差による上部シールドの特性劣化を防ぐものであ
る。特開平8−18561号公報には電極にテーパーを
付けてその上に磁気抵抗効果膜を形成するもので、テー
パー上の磁気抵抗効果膜は出力が低いので狭トラックに
おいてもオフトラック特性の劣化を防止するものであ
る。
ールドの凹部に絶縁層及び電極を埋没することにより、
電極段差による上部シールドの特性劣化を防ぐものであ
る。特開平8−18561号公報には電極にテーパーを
付けてその上に磁気抵抗効果膜を形成するもので、テー
パー上の磁気抵抗効果膜は出力が低いので狭トラックに
おいてもオフトラック特性の劣化を防止するものであ
る。
【0007】特開平9−7122号公報にはレジストパ
ターン上に絶縁膜や電極膜等を形成し、レジストパター
ン壁面の電極膜をエッチング後リフトオフするもので、
微小な突起等でトラック幅が規定されるものである。特
開平9−106513号公報には第一および第二絶縁層
で磁気シールド層と磁気抵抗層、電極を隔離することが
記載されている。
ターン上に絶縁膜や電極膜等を形成し、レジストパター
ン壁面の電極膜をエッチング後リフトオフするもので、
微小な突起等でトラック幅が規定されるものである。特
開平9−106513号公報には第一および第二絶縁層
で磁気シールド層と磁気抵抗層、電極を隔離することが
記載されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】狭ギャップ及び狭トラ
ックを達成し安定に製造できる磁気ヘッドを提供するの
は非常に困難である。なぜなら、狭ギャップ化において
上部及び下部シールド間の耐圧を確保し、狭トラック化
において精度良く電極を形成する時の問題はリンクする
部分が多いからである。
ックを達成し安定に製造できる磁気ヘッドを提供するの
は非常に困難である。なぜなら、狭ギャップ化において
上部及び下部シールド間の耐圧を確保し、狭トラック化
において精度良く電極を形成する時の問題はリンクする
部分が多いからである。
【0009】電極形成において、例えば下部ギャップ上
の電極をイオンミリングプロセスにて電極を加工する場
合、電極と下部ギャップとの選択比が余り大きくないた
めに、下部ギャップにダメージを与えて耐圧低下が生じ
ると思われる。また、イオンミリングプロセスよりも電
極と下部ギャップとの選択比を大きくすることが可能と
思われるRIEプロセスを用いた場合、耐圧低下はイオ
ンミリングプロセスよりも防止できると思われるが、磁
気抵抗効果膜の特性劣化を生じる程度の凹凸を下部ギャ
ップに与えると思われる。
の電極をイオンミリングプロセスにて電極を加工する場
合、電極と下部ギャップとの選択比が余り大きくないた
めに、下部ギャップにダメージを与えて耐圧低下が生じ
ると思われる。また、イオンミリングプロセスよりも電
極と下部ギャップとの選択比を大きくすることが可能と
思われるRIEプロセスを用いた場合、耐圧低下はイオ
ンミリングプロセスよりも防止できると思われるが、磁
気抵抗効果膜の特性劣化を生じる程度の凹凸を下部ギャ
ップに与えると思われる。
【0010】一方、下部ギャップにダメージを与えない
リフトオフプロセスを用いた場合、良好にリフトオフす
るためにリフトオフパターン形状は、例えば特開平3−
125311号公報にあるようにアンダーカットを有す
るひさし形状としたり、逆台形とすることが知られてい
る。このようなパターン形状とすることにより、その後
に形成する膜がパターン壁面に付着せず、レジスト剥離
液に浸漬したときにそこからリフトオフされる。
リフトオフプロセスを用いた場合、良好にリフトオフす
るためにリフトオフパターン形状は、例えば特開平3−
125311号公報にあるようにアンダーカットを有す
るひさし形状としたり、逆台形とすることが知られてい
る。このようなパターン形状とすることにより、その後
に形成する膜がパターン壁面に付着せず、レジスト剥離
液に浸漬したときにそこからリフトオフされる。
【0011】リフトオフの可否を左右するのは、リフト
オフパターンのアンダーカット量や形成する膜の成長方
向、膜厚等である。例えば、リフトオフでスパッタ膜に
て得られるパターン形状は端部でテーパー状であるた
め、形成する膜が成長するほどスパッタエッチング効果
により横方向に膜が成長して、パターン壁面に膜が付着
してしまいリフトオフ不可能となる。
オフパターンのアンダーカット量や形成する膜の成長方
向、膜厚等である。例えば、リフトオフでスパッタ膜に
て得られるパターン形状は端部でテーパー状であるた
め、形成する膜が成長するほどスパッタエッチング効果
により横方向に膜が成長して、パターン壁面に膜が付着
してしまいリフトオフ不可能となる。
【0012】ギャップ膜形成においては、狭ギャップに
なるほど上下のギャップ膜は薄くなり、耐圧が低下す
る。例えば上部ギャップの場合は、電極上の上部ギャッ
プのステップカバレジ不良による耐圧不良が発生したり
する。
なるほど上下のギャップ膜は薄くなり、耐圧が低下す
る。例えば上部ギャップの場合は、電極上の上部ギャッ
プのステップカバレジ不良による耐圧不良が発生したり
する。
【0013】先に公開された上記特許において、素子作
製にあたり問題が起きる恐れがある。特開平3−125
311号公報においては磁気抵抗効果膜の両端部分をイ
オンミリング等で切り落とした際に下部ギャップ膜にダ
メージを与える恐れがある。さらに、後に形成する電極
等の膜厚とリフトオフパターン形状の関係から電極膜を
形成した際に、リフトオフパターン形状の内側まで電極
膜が入り込んでしまい、リフトオフ不良を発生する恐れ
がある。これは素子抵抗を下げるため電極膜厚を厚くす
るほど顕著になると思われる。
製にあたり問題が起きる恐れがある。特開平3−125
311号公報においては磁気抵抗効果膜の両端部分をイ
オンミリング等で切り落とした際に下部ギャップ膜にダ
メージを与える恐れがある。さらに、後に形成する電極
等の膜厚とリフトオフパターン形状の関係から電極膜を
形成した際に、リフトオフパターン形状の内側まで電極
膜が入り込んでしまい、リフトオフ不良を発生する恐れ
がある。これは素子抵抗を下げるため電極膜厚を厚くす
るほど顕著になると思われる。
【0014】特開平8−18561号公報においては電
極等と下部ギャップ膜とのエッチング選択比が十分に大
きく取れない場合は、下部ギャップ膜にダメージを与え
る恐れがある。また、磁気抵抗効果膜を形成する部分の
下部ギャップ膜にエッチングダメージを与えることは、
磁気抵抗効果膜の特性劣化を及ぼす恐れがある。特開平
5−182151号公報は埋没された電極と下部ギャッ
プ膜のアライメントが狭トラックになるほど困難になる
恐れがある。
極等と下部ギャップ膜とのエッチング選択比が十分に大
きく取れない場合は、下部ギャップ膜にダメージを与え
る恐れがある。また、磁気抵抗効果膜を形成する部分の
下部ギャップ膜にエッチングダメージを与えることは、
磁気抵抗効果膜の特性劣化を及ぼす恐れがある。特開平
5−182151号公報は埋没された電極と下部ギャッ
プ膜のアライメントが狭トラックになるほど困難になる
恐れがある。
【0015】特開平9−7122号公報にはレジストパ
ターンを付けたまま膜を形成しているが、膜を形成した
際にレジストパターン壁面が熱によって膨張して形状不
良やリフトオフ不良を発生する恐れがある。また、この
構造で電極と絶縁膜をレジストパターン上に連続形成し
た場合、絶縁膜の膜厚分だけトラック幅が広がってしま
う。特開平9−106513号公報には第1および第2
絶縁層で磁気シールド層と磁気抵抗層、電極を隔離して
いるものであるが、磁気抵抗層をエッチングしたときに
絶縁層はダメージをうけ、磁気抵抗層と接している部分
での絶縁層の耐圧低下の恐れがある。
ターンを付けたまま膜を形成しているが、膜を形成した
際にレジストパターン壁面が熱によって膨張して形状不
良やリフトオフ不良を発生する恐れがある。また、この
構造で電極と絶縁膜をレジストパターン上に連続形成し
た場合、絶縁膜の膜厚分だけトラック幅が広がってしま
う。特開平9−106513号公報には第1および第2
絶縁層で磁気シールド層と磁気抵抗層、電極を隔離して
いるものであるが、磁気抵抗層をエッチングしたときに
絶縁層はダメージをうけ、磁気抵抗層と接している部分
での絶縁層の耐圧低下の恐れがある。
【0016】以上、上述したように狭ギャップ化におい
て上部及び下部シールド間の耐圧を確保し、狭トラック
化においても精度良く電極を形成し、さらにリンクする
問題部分を解決し、安定に製造するのは困難である。
て上部及び下部シールド間の耐圧を確保し、狭トラック
化においても精度良く電極を形成し、さらにリンクする
問題部分を解決し、安定に製造するのは困難である。
【0017】また、高出力化に伴い磁気抵抗効果膜の電
流密度は増加する。これによりジュール熱が増大して磁
気抵抗効果膜の抵抗上昇による出力低下を発生し、最悪
の場合はマイグレーション等により断線素子破壊という
結果をもたらす。
流密度は増加する。これによりジュール熱が増大して磁
気抵抗効果膜の抵抗上昇による出力低下を発生し、最悪
の場合はマイグレーション等により断線素子破壊という
結果をもたらす。
【0018】本発明の目的は、狭ギャップにおいても上
部及び下部シールド間の耐圧を確保し、狭トラック幅に
おいても精度良く電極を形成し、安定に製造可能、特性
の良好な磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法を提供
するものである。
部及び下部シールド間の耐圧を確保し、狭トラック幅に
おいても精度良く電極を形成し、安定に製造可能、特性
の良好な磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法を提供
するものである。
【0019】
【課題を解決するための手段】狭ギャップ、狭トラッ
ク、安定に製造可能な本発明の手段を以下に述べる。
ク、安定に製造可能な本発明の手段を以下に述べる。
【0020】磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする下
部シールド膜と、電気的絶縁及び磁気的ギャップを得る
下部ギャップ膜と、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を
電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウゼ
ンノイズを抑止する前記磁気抵抗効果膜に磁界を引加す
る磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を
流す電極と、下部ギャップ膜と同様に電気的絶縁及び磁
気的ギャップを得る上部ギャップ膜と、上部シールドと
同様に磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする上部シー
ルド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記
下部ギャップ膜は感磁部領域の第1下部ギャップ膜と感
磁部領域以外の第2下部ギャップ膜とを有し、前記第1
下部ギャップ膜の前記磁気抵抗効果膜側の幅と前記第2
下部ギャップ膜の間隔とトラック幅を規定する前記電極
の間隔が略同一であり、もしくは前記第1下部ギャップ
膜の前記磁気抵抗効果膜側の幅と前記第2下部ギャップ
膜の間隔と前記磁区制御膜の間隔と前記電極の間隔が略
同一であり、前記下部シールド膜は少なくとも感磁部領
域が凸形状の上部平坦面を有する構造とする。
部シールド膜と、電気的絶縁及び磁気的ギャップを得る
下部ギャップ膜と、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を
電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウゼ
ンノイズを抑止する前記磁気抵抗効果膜に磁界を引加す
る磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を
流す電極と、下部ギャップ膜と同様に電気的絶縁及び磁
気的ギャップを得る上部ギャップ膜と、上部シールドと
同様に磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする上部シー
ルド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記
下部ギャップ膜は感磁部領域の第1下部ギャップ膜と感
磁部領域以外の第2下部ギャップ膜とを有し、前記第1
下部ギャップ膜の前記磁気抵抗効果膜側の幅と前記第2
下部ギャップ膜の間隔とトラック幅を規定する前記電極
の間隔が略同一であり、もしくは前記第1下部ギャップ
膜の前記磁気抵抗効果膜側の幅と前記第2下部ギャップ
膜の間隔と前記磁区制御膜の間隔と前記電極の間隔が略
同一であり、前記下部シールド膜は少なくとも感磁部領
域が凸形状の上部平坦面を有する構造とする。
【0021】また、前記下部ギャップ膜の感磁部領域の
第1下部ギャップ膜厚をt1、感磁部領域以外の第2下
部ギャップ膜厚をt2、前記下部シールド膜の感磁部領
域での凸形状高さをhとすると、h+t1>t2 かつ
t1≦t2なる関係を有することを特徴とする。
第1下部ギャップ膜厚をt1、感磁部領域以外の第2下
部ギャップ膜厚をt2、前記下部シールド膜の感磁部領
域での凸形状高さをhとすると、h+t1>t2 かつ
t1≦t2なる関係を有することを特徴とする。
【0022】また、前記第1下部ギャップ膜の膜組成と
前記第2下部ギャップ膜の膜組成が異なっていることを
特徴とする。
前記第2下部ギャップ膜の膜組成が異なっていることを
特徴とする。
【0023】また、感磁部領域の第1下部ギャップ膜上
にのみ前記磁気抵抗効果膜の配向制御膜を有することを
特徴とする。
にのみ前記磁気抵抗効果膜の配向制御膜を有することを
特徴とする。
【0024】上記の製造方法として、前記下部シールド
膜を形成後、第1下部ギャップ膜を成膜する工程、もし
くは前記下部シールド膜と第1下部ギャップ膜の成膜後
さらに前記第1下部ギャップ膜上に前記磁気抵抗効果膜
の配向制御膜を成膜する工程と、これらの上にリフトオ
フパターンを形成する工程と、前記リフトオフパターン
をマスクとして前記下部シールド膜及び第1下部ギャッ
プ膜をエッチングする工程と、もしくは前記配向制御膜
と前記下部シールド膜及び第1下部ギャップ膜をエッチ
ングする工程と、第2下部ギャップ膜及びトラック幅を
規定する電極層を成膜する工程、もしくは第2下部ギャ
ップ膜及びトラック幅を規定する電極層の成膜後さらに
前記電極上に前記磁区制御膜を成膜する工程と、前記リ
フトオフパターンを除去する工程と、を有することを特
徴とする。
膜を形成後、第1下部ギャップ膜を成膜する工程、もし
くは前記下部シールド膜と第1下部ギャップ膜の成膜後
さらに前記第1下部ギャップ膜上に前記磁気抵抗効果膜
の配向制御膜を成膜する工程と、これらの上にリフトオ
フパターンを形成する工程と、前記リフトオフパターン
をマスクとして前記下部シールド膜及び第1下部ギャッ
プ膜をエッチングする工程と、もしくは前記配向制御膜
と前記下部シールド膜及び第1下部ギャップ膜をエッチ
ングする工程と、第2下部ギャップ膜及びトラック幅を
規定する電極層を成膜する工程、もしくは第2下部ギャ
ップ膜及びトラック幅を規定する電極層の成膜後さらに
前記電極上に前記磁区制御膜を成膜する工程と、前記リ
フトオフパターンを除去する工程と、を有することを特
徴とする。
【0025】前記上部ギャップ膜は磁気抵抗効果膜の端
部に配置してある第1上部ギャップ膜と磁気抵抗効果膜
と第1上部ギャップ膜上に配置してある第2下部ギャッ
プ膜とを有し、前記第1上部ギャップ膜の間隔と前記磁
気抵抗効果膜の上部シールド側の幅が略同一であること
を特徴とする。
部に配置してある第1上部ギャップ膜と磁気抵抗効果膜
と第1上部ギャップ膜上に配置してある第2下部ギャッ
プ膜とを有し、前記第1上部ギャップ膜の間隔と前記磁
気抵抗効果膜の上部シールド側の幅が略同一であること
を特徴とする。
【0026】また、前記第1上部ギャップ膜の膜組成と
前記第2上部ギャップ膜の膜組成が異なっていることを
特徴とする。
前記第2上部ギャップ膜の膜組成が異なっていることを
特徴とする。
【0027】上記の製造方法として、前記磁気抵抗効果
膜を成膜する工程と、この上にリフトオフパターンを形
成する工程と、前記リフトオフパターンをマスクとして
前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、前記リフ
トオフパターンがある状態で、少なくとも第1上部ギャ
ップ膜を成膜する工程と、前記リフトオフパターンを除
去する工程と、この上に第2上部ギャップ膜を形成する
工程と、と有することを特徴とする。
膜を成膜する工程と、この上にリフトオフパターンを形
成する工程と、前記リフトオフパターンをマスクとして
前記磁気抵抗効果膜をエッチングする工程と、前記リフ
トオフパターンがある状態で、少なくとも第1上部ギャ
ップ膜を成膜する工程と、前記リフトオフパターンを除
去する工程と、この上に第2上部ギャップ膜を形成する
工程と、と有することを特徴とする。
【0028】さらに、他の製造方法として、前記下部シ
ールド膜を形成後、第1下部ギャップ膜を成膜する工程
と、前記磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、これらの上
にリフトオフパターンを形成する工程と、前記リフトオ
フパターンをマスクとして前記磁気抵抗効果膜、第1下
部ギャップ膜及び前記下部シールド膜をエッチングする
工程と、第2下部ギャップ膜と前記磁区制御膜とトラッ
ク幅を規定する電極層を成膜する工程、もしくは第2下
部ギャップ膜と前記磁区制御膜とトラック幅を規定する
電極と第1上部ギャップ膜を成膜する工程と、前記リフ
トオフパターンを除去する工程と、を有することを特徴
とする。
ールド膜を形成後、第1下部ギャップ膜を成膜する工程
と、前記磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、これらの上
にリフトオフパターンを形成する工程と、前記リフトオ
フパターンをマスクとして前記磁気抵抗効果膜、第1下
部ギャップ膜及び前記下部シールド膜をエッチングする
工程と、第2下部ギャップ膜と前記磁区制御膜とトラッ
ク幅を規定する電極層を成膜する工程、もしくは第2下
部ギャップ膜と前記磁区制御膜とトラック幅を規定する
電極と第1上部ギャップ膜を成膜する工程と、前記リフ
トオフパターンを除去する工程と、を有することを特徴
とする。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、本発明の1実施形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【0030】図1は、本発明を用いた1実施形態である
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの先端部を媒体からの磁界導
入方向から見た断面図である。下部シールド膜1、第1
下部ギャップ膜2、第2下部ギャップ膜3、電極4、磁
気抵抗効果膜5、磁区制御膜6、上部ギャップ膜7、上
部シールド膜8で構成されている。第1下部ギャップ膜
2の磁気抵抗効果膜側の幅W2と第2下部ギャップ膜3
の左右の間隔W3とトラック幅を規定する前記電極4の
間隔W4とが略同一であり、下部シールド膜1の凸形状
の突出先端部は平坦面を有し、感磁部領域A内にある。
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの先端部を媒体からの磁界導
入方向から見た断面図である。下部シールド膜1、第1
下部ギャップ膜2、第2下部ギャップ膜3、電極4、磁
気抵抗効果膜5、磁区制御膜6、上部ギャップ膜7、上
部シールド膜8で構成されている。第1下部ギャップ膜
2の磁気抵抗効果膜側の幅W2と第2下部ギャップ膜3
の左右の間隔W3とトラック幅を規定する前記電極4の
間隔W4とが略同一であり、下部シールド膜1の凸形状
の突出先端部は平坦面を有し、感磁部領域A内にある。
【0031】第1下部ギャップ膜2の感磁部領域Aの膜
厚をt1、第2下部ギャップ膜3の感磁部外領域Bでの
平坦部膜厚をt2、下部シールド膜1の感磁部領域Aで
の凸形状高さをhとすると、 h+t1>t2、 かつ
t1≦t2 なる関係を有する。t1≦t2の関係より、電
極4と下部ギャップ膜1との間の絶縁距離l(又はデル
タ△)がt1≦t2の関係に無い場合に比べて、絶縁距離
が増し、電極4と下部ギャップ膜1との間での電気的短
絡が生じないばかりか、絶縁距離が増した分だけ、磁気
抵抗効果膜5の幅W5を狭く(狭トラック)でき、磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの再生分解能を増すことができ
る。また感磁部外領域Bの耐電圧又は絶縁耐圧の増加を
確保することが可能となった。
厚をt1、第2下部ギャップ膜3の感磁部外領域Bでの
平坦部膜厚をt2、下部シールド膜1の感磁部領域Aで
の凸形状高さをhとすると、 h+t1>t2、 かつ
t1≦t2 なる関係を有する。t1≦t2の関係より、電
極4と下部ギャップ膜1との間の絶縁距離l(又はデル
タ△)がt1≦t2の関係に無い場合に比べて、絶縁距離
が増し、電極4と下部ギャップ膜1との間での電気的短
絡が生じないばかりか、絶縁距離が増した分だけ、磁気
抵抗効果膜5の幅W5を狭く(狭トラック)でき、磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの再生分解能を増すことができ
る。また感磁部外領域Bの耐電圧又は絶縁耐圧の増加を
確保することが可能となった。
【0032】更に絶縁距離lについては、磁気抵抗効果
膜5の付近の電極4と第1下部ギャップ膜2との間に囲
まれ第2下部ギャップ膜3に三角形或いはデルタ△を形
成しているとも云える。デルタ△は磁気抵抗効果膜5に
近ずくに従い順次面積が減少して行く形状をしている。
膜5の付近の電極4と第1下部ギャップ膜2との間に囲
まれ第2下部ギャップ膜3に三角形或いはデルタ△を形
成しているとも云える。デルタ△は磁気抵抗効果膜5に
近ずくに従い順次面積が減少して行く形状をしている。
【0033】図2は、図1に示した磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの作製プロセスである。
ヘッドの作製プロセスである。
【0034】同図(a)は下部シールド膜1としてNiF
e、第1下部ギャップ膜2としてAl2O3を形成した
後、フォトリソグラフィにてリフトオフパターン10を
形成する。リフトオフパターン10は上側から下側に順
次幅を狭くした傾斜面10Aつまりアンダーカットをし
ている。
e、第1下部ギャップ膜2としてAl2O3を形成した
後、フォトリソグラフィにてリフトオフパターン10を
形成する。リフトオフパターン10は上側から下側に順
次幅を狭くした傾斜面10Aつまりアンダーカットをし
ている。
【0035】同図(a)の状態でリフトオフパターン1
0をマスクとしてイオンミリング等で第1下部ギャップ
膜2と下部シールド膜1をエッチングして、同図(b)
のように下部シールド膜1は凸形状にパターン化された
上部平坦面とこの平坦面上に形成した第1下部ギャップ
膜2とが残される。また下部シールド膜1は中間まで掘
り下げた溝1Aを形成している。
0をマスクとしてイオンミリング等で第1下部ギャップ
膜2と下部シールド膜1をエッチングして、同図(b)
のように下部シールド膜1は凸形状にパターン化された
上部平坦面とこの平坦面上に形成した第1下部ギャップ
膜2とが残される。また下部シールド膜1は中間まで掘
り下げた溝1Aを形成している。
【0036】同図(b)のリフトオフパターン10があ
る状態で、溝1Aにアルミナ等の絶縁膜である第2下部
ギャップ膜3上に電極4としてTa-Wを成膜し、同図
(c)にする。同図(c)では溝1A及び傾斜面10A
により、パターン壁面に膜が付着せず、電極4等の破損
を防止できる。
る状態で、溝1Aにアルミナ等の絶縁膜である第2下部
ギャップ膜3上に電極4としてTa-Wを成膜し、同図
(c)にする。同図(c)では溝1A及び傾斜面10A
により、パターン壁面に膜が付着せず、電極4等の破損
を防止できる。
【0037】同図(c)のリフトオフパターン10を剥
離することにより、リフトオフパターン10上の第2下
部ギャップ膜3と電極4はリフトオフされる。第1下部
ギャップ膜2、第2下部ギャップ膜3、電極4は同一の
リフトオフパターン10を用いて加工形成するために、
第1下部ギャップ膜2の幅W2と第2下部ギャップ膜3
の間隔W3とトラック幅を規定する電極4の間隔W4が
略同一となり、一種類のリフトオフパターン10を用意
すればよいから作業が容易にできる。その後、磁気抵抗
効果膜5としてNiFe/Cu/NiFe/FeMnを成膜し、
その上にフォトリソグラフィにてリフトオフパターン1
1を形成し、同図(d)にする。
離することにより、リフトオフパターン10上の第2下
部ギャップ膜3と電極4はリフトオフされる。第1下部
ギャップ膜2、第2下部ギャップ膜3、電極4は同一の
リフトオフパターン10を用いて加工形成するために、
第1下部ギャップ膜2の幅W2と第2下部ギャップ膜3
の間隔W3とトラック幅を規定する電極4の間隔W4が
略同一となり、一種類のリフトオフパターン10を用意
すればよいから作業が容易にできる。その後、磁気抵抗
効果膜5としてNiFe/Cu/NiFe/FeMnを成膜し、
その上にフォトリソグラフィにてリフトオフパターン1
1を形成し、同図(d)にする。
【0038】同図(d)のリフトオフパターン11をマ
スクとしてイオンミリング等で磁気抵抗効果膜5をエッ
チングして同図(e)のようにパターン化された磁気抵
抗効果膜5を形成する。その後、リフトオフパターン1
1がある状態で磁区制御膜6として用いるCoCrPtを
成膜にする。
スクとしてイオンミリング等で磁気抵抗効果膜5をエッ
チングして同図(e)のようにパターン化された磁気抵
抗効果膜5を形成する。その後、リフトオフパターン1
1がある状態で磁区制御膜6として用いるCoCrPtを
成膜にする。
【0039】同図(e)のリフトオフパターン11を剥
離することにより、リフトオフパターン11上の磁区制
御膜6はリフトオフパターン11と共にリフトオフされ
る。その後、上部ギャップ膜7としてAl2O3及び上部
シールド膜8としてNiFeを形成し、同図(f)にす
る。
離することにより、リフトオフパターン11上の磁区制
御膜6はリフトオフパターン11と共にリフトオフされ
る。その後、上部ギャップ膜7としてAl2O3及び上部
シールド膜8としてNiFeを形成し、同図(f)にす
る。
【0040】上記第1下部ギャップ膜2及び第2下部ギ
ャップ膜3としてAl2O3を用いたが、他にAlN,S
i3N4,SiO2も採用できる。また、これらの積層膜
や混合させたものも採用できる。また、第1下部ギャッ
プ膜2としてAlN、第2下部ギャップ膜3としてAl
2O3というように第1下部ギャップ膜2と第2下部ギャ
ップ膜3の組成を変えることも可能である。
ャップ膜3としてAl2O3を用いたが、他にAlN,S
i3N4,SiO2も採用できる。また、これらの積層膜
や混合させたものも採用できる。また、第1下部ギャッ
プ膜2としてAlN、第2下部ギャップ膜3としてAl
2O3というように第1下部ギャップ膜2と第2下部ギャ
ップ膜3の組成を変えることも可能である。
【0041】上記第1下部ギャップ膜2と下部シールド
膜1のエッチングにイオンミリング装置を用いたが、R
IE装置を採用することもできる。そのRIE装置とし
ては平行平板型エッチング装置、他にICP型ECR型
やヘリコン型エッチング装置を用いることも可能であ
る。
膜1のエッチングにイオンミリング装置を用いたが、R
IE装置を採用することもできる。そのRIE装置とし
ては平行平板型エッチング装置、他にICP型ECR型
やヘリコン型エッチング装置を用いることも可能であ
る。
【0042】上記下部シールド膜1と第1下部ギャップ
膜2を形成した後にリフトオフパターン10を形成、エ
ッチングを行ったが、下部シールド膜1と第1下部ギャ
ップ膜2を成膜した後に磁気抵抗効果膜5の配向制御膜
を成膜してからリフトオフパターン10を形成、エッチ
ングを行うことも可能である。
膜2を形成した後にリフトオフパターン10を形成、エ
ッチングを行ったが、下部シールド膜1と第1下部ギャ
ップ膜2を成膜した後に磁気抵抗効果膜5の配向制御膜
を成膜してからリフトオフパターン10を形成、エッチ
ングを行うことも可能である。
【0043】上記磁気抵抗効果膜5として用いた構成
は、強磁性膜/非磁性導電性膜/強磁性膜/反強磁性膜
というスピンバルブ構成であるが、他にも、反強磁性膜
/強磁性膜/非磁性導電性膜/強磁性膜という積層順を
逆にした構成や反強磁性膜/強磁性膜/非磁性導電性膜
/強磁性膜/非磁性導電性膜/強磁性膜/反強磁性膜と
いう構成も採用できる。
は、強磁性膜/非磁性導電性膜/強磁性膜/反強磁性膜
というスピンバルブ構成であるが、他にも、反強磁性膜
/強磁性膜/非磁性導電性膜/強磁性膜という積層順を
逆にした構成や反強磁性膜/強磁性膜/非磁性導電性膜
/強磁性膜/非磁性導電性膜/強磁性膜/反強磁性膜と
いう構成も採用できる。
【0044】上記磁区制御膜6として永久磁石膜である
CoCrPtを用いているが、他にCoCrTaやCoPtも採
用できる。また、これらの配向制御膜としてCrを下地
膜として用いることもできる。また、反強磁性膜と強磁
性膜を積層して磁区制御膜6として用いることも可能で
ある。
CoCrPtを用いているが、他にCoCrTaやCoPtも採
用できる。また、これらの配向制御膜としてCrを下地
膜として用いることもできる。また、反強磁性膜と強磁
性膜を積層して磁区制御膜6として用いることも可能で
ある。
【0045】上記の電極4としてTa-Wを用いたが、他
にも単層もしくは積層させてAl,Al-Cu,Cu,Au,
Cr,Ti-W,W,Ta,Nb等も採用できる。
にも単層もしくは積層させてAl,Al-Cu,Cu,Au,
Cr,Ti-W,W,Ta,Nb等も採用できる。
【0046】図3は、図1の構造よりも素子抵抗を小さ
くするために、電極4の膜厚を厚くし、且つ曲面形状に
して、磁気抵抗効果膜5との接触面積を広し、また曲面
形状により電界集中も緩和することが出来る。
くするために、電極4の膜厚を厚くし、且つ曲面形状に
して、磁気抵抗効果膜5との接触面積を広し、また曲面
形状により電界集中も緩和することが出来る。
【0047】図4は、磁気抵抗効果膜5がほぼ水平にな
るように形成したものであり、感磁部外領域Bで磁区制
御膜6と面接触しているため、感磁部領域Aの磁気抵抗
効果膜5は安定に磁区が制御される。更に、第1上部ギ
ャップ膜22を二分割に形成して、第1上部ギャップ膜
22としてAl2O3を磁気抵抗効果膜5の端部に配置し
て、第1上部ギャップ膜22と磁気抵抗効果膜5の上に
第2上部ギャップ膜23としてAl2O3を形成する。第
1上部ギャップ膜22の間隔W22と磁気抵抗効果膜5
の上部シールド側の幅W5´は略同一である。
るように形成したものであり、感磁部外領域Bで磁区制
御膜6と面接触しているため、感磁部領域Aの磁気抵抗
効果膜5は安定に磁区が制御される。更に、第1上部ギ
ャップ膜22を二分割に形成して、第1上部ギャップ膜
22としてAl2O3を磁気抵抗効果膜5の端部に配置し
て、第1上部ギャップ膜22と磁気抵抗効果膜5の上に
第2上部ギャップ膜23としてAl2O3を形成する。第
1上部ギャップ膜22の間隔W22と磁気抵抗効果膜5
の上部シールド側の幅W5´は略同一である。
【0048】これによって上部シールド膜8と磁区制御
膜6との間は第1及び第2上部ギャップ膜22,23に
より絶縁距離が増し、絶縁耐圧または耐電圧が向上し
た。第1上部ギャップ膜22及び第2上部ギャップ膜2
3としてAl2O3を用いたが、上部シールド膜8と磁区
制御膜6との間で短絡が生じにくくなった。Al2O3の
他にAlN,Si3N4,SiO2も採用できる。また、
これらの積層膜や混合させたものも採用できる。また、
第1上部ギャップ膜22としてAl2O3、第2上部ギャ
ップ膜23としてAlNというように第1上部ギャップ
膜22と第2上部ギャップ膜23の組成を変えることも
可能である。
膜6との間は第1及び第2上部ギャップ膜22,23に
より絶縁距離が増し、絶縁耐圧または耐電圧が向上し
た。第1上部ギャップ膜22及び第2上部ギャップ膜2
3としてAl2O3を用いたが、上部シールド膜8と磁区
制御膜6との間で短絡が生じにくくなった。Al2O3の
他にAlN,Si3N4,SiO2も採用できる。また、
これらの積層膜や混合させたものも採用できる。また、
第1上部ギャップ膜22としてAl2O3、第2上部ギャ
ップ膜23としてAlNというように第1上部ギャップ
膜22と第2上部ギャップ膜23の組成を変えることも
可能である。
【0049】図5は磁区制御膜6を第1上部ギャップ膜
2よりも上側に曲面形状に配置することにより、磁区制
御膜6と磁気抵抗効果膜5との接触面積が広がり、磁気
エネルギーを強くし、感磁部領域Aが効果的に働くよう
にしたものである。
2よりも上側に曲面形状に配置することにより、磁区制
御膜6と磁気抵抗効果膜5との接触面積が広がり、磁気
エネルギーを強くし、感磁部領域Aが効果的に働くよう
にしたものである。
【0050】図6は磁区制御膜6と第1上部ギャップ膜
22を磁気抵抗効果膜5の端部に配置したものである。
第1上部ギャップ膜22及び磁気抵抗効果膜5に第2上
部ギャップ膜23に形成して、磁区制御膜6と上部シー
ルド膜8との間の絶縁距離を増加して絶縁耐力を増して
いる。
22を磁気抵抗効果膜5の端部に配置したものである。
第1上部ギャップ膜22及び磁気抵抗効果膜5に第2上
部ギャップ膜23に形成して、磁区制御膜6と上部シー
ルド膜8との間の絶縁距離を増加して絶縁耐力を増して
いる。
【0051】図7は、磁気抵抗効果膜5は感磁部領域A
と略同じ幅に形成している。磁気抵抗効果膜5の両端に
磁区制御膜6を形成している。磁区制御膜6は感磁部外
領域Bに配置されている。磁気抵抗効果膜5の上側に第
1上部ギャップ膜22と第2上部ギャップ膜23とを積
層し、第2上部ギャップ膜23上側に上部シールド膜8
を形成している。この結果、磁気抵抗効果膜5の下側の
電極4と下部シールド膜1との間に配置された第2下部
ギャップ膜3は図1に比べて膜厚t2を厚くとれるの
で、電極4と下部シールド膜1との間の絶縁距離lが図
1に比べて増して短絡事故を生じにくくなった。
と略同じ幅に形成している。磁気抵抗効果膜5の両端に
磁区制御膜6を形成している。磁区制御膜6は感磁部外
領域Bに配置されている。磁気抵抗効果膜5の上側に第
1上部ギャップ膜22と第2上部ギャップ膜23とを積
層し、第2上部ギャップ膜23上側に上部シールド膜8
を形成している。この結果、磁気抵抗効果膜5の下側の
電極4と下部シールド膜1との間に配置された第2下部
ギャップ膜3は図1に比べて膜厚t2を厚くとれるの
で、電極4と下部シールド膜1との間の絶縁距離lが図
1に比べて増して短絡事故を生じにくくなった。
【0052】また第2下部ギャップ膜3の間隔W3、磁
気抵抗効果膜5の幅W5、磁区制御膜6の間隔W6、電
極4の間隔W4、第1上部ギャップ膜22の間隔W22
を略同一としたものである 次に、磁気抵抗効果型ヘッドは再生専用であるため、記
録用の誘導型磁気ヘッドと一体型の複合型磁気ヘッドと
して用いる。その複合型磁気ヘッドの一例を図8に示
す。
気抵抗効果膜5の幅W5、磁区制御膜6の間隔W6、電
極4の間隔W4、第1上部ギャップ膜22の間隔W22
を略同一としたものである 次に、磁気抵抗効果型ヘッドは再生専用であるため、記
録用の誘導型磁気ヘッドと一体型の複合型磁気ヘッドと
して用いる。その複合型磁気ヘッドの一例を図8に示
す。
【0053】誘導型磁気ヘッド51は、電気信号を流す
導体コイル42と、電気的絶縁を得るための絶縁膜43
と、導体コイル42に与えられた電気信号により誘導さ
れた磁束を集束するための上部磁気コア44及び上部シ
ールド兼用下部磁気コア40と、集束された磁束を外部
に漏洩させるための磁気ギャップとして記録ギャップ膜
41を有し、本発明手段を用いて作製された磁気抵抗効
果型ヘッド50と組み合わせて、複合型ヘッド100を
構成する。
導体コイル42と、電気的絶縁を得るための絶縁膜43
と、導体コイル42に与えられた電気信号により誘導さ
れた磁束を集束するための上部磁気コア44及び上部シ
ールド兼用下部磁気コア40と、集束された磁束を外部
に漏洩させるための磁気ギャップとして記録ギャップ膜
41を有し、本発明手段を用いて作製された磁気抵抗効
果型ヘッド50と組み合わせて、複合型ヘッド100を
構成する。
【0054】この場合でも、本発明の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの特徴は活かされるため、狭トラック、狭ギャップ
においても良好な再生出力が得られる複合型磁気ヘッド
が提供できる。
ッドの特徴は活かされるため、狭トラック、狭ギャップ
においても良好な再生出力が得られる複合型磁気ヘッド
が提供できる。
【0055】また、本実施例の複合型磁気ヘッドを磁気
記録再生装置に用いることも可能である。図9に磁気記
録再生装置の概略を示す。磁気記録再生装置は、情報を
磁気的に記録するための磁気記録媒体60と、これを回
転させるためのスピンドル61と、磁気記録媒体60に
信号を記録及び再生するための複合型ヘッド62と、こ
れを支持するためのサスペンション63と、複合型ヘッ
ド100の位置制御を行うアクチュエータ64と、記録
再生信号を処理する回路65と、これと複合型ヘッド6
2を接続するリード線66を有する。
記録再生装置に用いることも可能である。図9に磁気記
録再生装置の概略を示す。磁気記録再生装置は、情報を
磁気的に記録するための磁気記録媒体60と、これを回
転させるためのスピンドル61と、磁気記録媒体60に
信号を記録及び再生するための複合型ヘッド62と、こ
れを支持するためのサスペンション63と、複合型ヘッ
ド100の位置制御を行うアクチュエータ64と、記録
再生信号を処理する回路65と、これと複合型ヘッド6
2を接続するリード線66を有する。
【0056】狭トラック幅かつ狭ギャップ幅においても
良好な再生出力が得られる複合型磁気ヘッドを用いるこ
とにより、従来より高記録密度化が可能な磁気記録再生
装置を提供できる。
良好な再生出力が得られる複合型磁気ヘッドを用いるこ
とにより、従来より高記録密度化が可能な磁気記録再生
装置を提供できる。
【0057】このように前述の実施例によれば、次の効
果を達成することが出来る。即ち、 1)本発明では、下部シールド膜1の突出部に第1下部
ギャップ膜2を設け、これらの左右に第2下部ギャップ
膜3及び電極4を形成し、第1下部ギャップ膜2は感磁
部領域Aに配置され、それ以外の第2下部ギャップ膜3
及び電極4とは感磁部外領域Bに配置されている。第1
下部ギャップ膜2の幅W2と第2下部ギャップ膜3及び
再生トラック幅を規定する電極4の間隔W3及びW4と
を略同一にすることにより、感磁部領域Aである再生ト
ラック部の第1下部ギャップ膜2とそれ以外の部分であ
る感磁部外領域Bの第2下部ギャップ膜3の膜厚を変え
ることが可能となり、感磁部領域Aの第1下部ギャップ
膜2の厚t1、感磁部外領域Bの第2下部ギャップ膜3
の厚t2となり、t1≦t2の関係より、電極4と下部ギ
ャップ膜1との間の絶縁距離l(デルタ△)がt1≦t2
の関係に無い場合に比べて、絶縁距離lが増し、電極4
と下部ギャップ膜1との間での電気的短絡が生じないば
かりか、絶縁距離lが増した分だけ、磁気抵抗効果膜5
の幅W5を狭く(狭トラック)でき、磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの再生分解能を増すことができる。また感磁部
外領域Bの耐電圧又は絶縁耐圧の増加を確保することが
可能となった。
果を達成することが出来る。即ち、 1)本発明では、下部シールド膜1の突出部に第1下部
ギャップ膜2を設け、これらの左右に第2下部ギャップ
膜3及び電極4を形成し、第1下部ギャップ膜2は感磁
部領域Aに配置され、それ以外の第2下部ギャップ膜3
及び電極4とは感磁部外領域Bに配置されている。第1
下部ギャップ膜2の幅W2と第2下部ギャップ膜3及び
再生トラック幅を規定する電極4の間隔W3及びW4と
を略同一にすることにより、感磁部領域Aである再生ト
ラック部の第1下部ギャップ膜2とそれ以外の部分であ
る感磁部外領域Bの第2下部ギャップ膜3の膜厚を変え
ることが可能となり、感磁部領域Aの第1下部ギャップ
膜2の厚t1、感磁部外領域Bの第2下部ギャップ膜3
の厚t2となり、t1≦t2の関係より、電極4と下部ギ
ャップ膜1との間の絶縁距離l(デルタ△)がt1≦t2
の関係に無い場合に比べて、絶縁距離lが増し、電極4
と下部ギャップ膜1との間での電気的短絡が生じないば
かりか、絶縁距離lが増した分だけ、磁気抵抗効果膜5
の幅W5を狭く(狭トラック)でき、磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの再生分解能を増すことができる。また感磁部
外領域Bの耐電圧又は絶縁耐圧の増加を確保することが
可能となった。
【0058】2)また、図4よれば、第1下部ギャップ
膜2の磁気抵抗効果膜5側の幅W2と第2下部ギャップ
膜3の間隔W3と磁区制御膜6の間隔W6と電極4の間
隔幅W4とを略同一とすることにより、感磁部領域Aに
おいてより安定な磁区制御を磁気抵抗効果膜5に行うこ
とができる。即ち、磁気抵抗効果膜5と磁区制御膜6と
の接触面積が広くなり、磁区制御膜6からの磁気エネル
ギーが強くなり、バルクハウゼンノイズ低減効果が大き
くなる。
膜2の磁気抵抗効果膜5側の幅W2と第2下部ギャップ
膜3の間隔W3と磁区制御膜6の間隔W6と電極4の間
隔幅W4とを略同一とすることにより、感磁部領域Aに
おいてより安定な磁区制御を磁気抵抗効果膜5に行うこ
とができる。即ち、磁気抵抗効果膜5と磁区制御膜6と
の接触面積が広くなり、磁区制御膜6からの磁気エネル
ギーが強くなり、バルクハウゼンノイズ低減効果が大き
くなる。
【0059】3)下部シールド膜1は少なくとも感磁部
領域Aが凸形状の上部平坦面を有することにより、電極
4や磁区制御膜6、第2下部ギャップ膜3を形成した際
に生じる段差が低減可能となる。これによってリフトオ
フでスパッタ膜などで得られるパターン端部のテーパー
からのスパッタエッチング効果による横方向の膜成長を
低減されるため、パターン壁面に膜が付着せずリフトオ
フ可能となる。
領域Aが凸形状の上部平坦面を有することにより、電極
4や磁区制御膜6、第2下部ギャップ膜3を形成した際
に生じる段差が低減可能となる。これによってリフトオ
フでスパッタ膜などで得られるパターン端部のテーパー
からのスパッタエッチング効果による横方向の膜成長を
低減されるため、パターン壁面に膜が付着せずリフトオ
フ可能となる。
【0060】更に前述3)を図2の(a)〜(c)によ
り詳細に説明する。即ち、図2の(a)では下部シール
ド膜1に積層した第1下部ギャップ膜2上の中央にリフ
トオフパターン10を配置し、リフトオフパターン10
は上側から下側に順次幅を狭くした傾斜面10Aつまり
アンダーカットをしている。
り詳細に説明する。即ち、図2の(a)では下部シール
ド膜1に積層した第1下部ギャップ膜2上の中央にリフ
トオフパターン10を配置し、リフトオフパターン10
は上側から下側に順次幅を狭くした傾斜面10Aつまり
アンダーカットをしている。
【0061】この状態で下部シールド膜1及び第1下部
ギャップ膜2を切削して、図2の(b)にする。同図
(b)は下部シールド膜1の中間まで掘り下げた溝1A
を形成後、スパッターなぞによりAl2O3,Ta−Wを
溝1Aに積層して、図(c)のように第2下部ギャップ
膜3及び電極4を形成する。この時、溝1Aとリフトオ
フパターン10との間は傾斜面10A及び溝1Aによ
り、Al2O3,Ta−Wがリフトオフパターン10のパ
ターン壁面に膜が付着せずリフトオフ可能となる。また
第1下部ギャップ膜2の幅W2と第2下部ギャップ膜3
及び電極4の間隔W3及びW4とを略同一にしたので、
リフトオフパターン10は一種類あればよいから、作業
員が安心して作業することが出来る利点がある。
ギャップ膜2を切削して、図2の(b)にする。同図
(b)は下部シールド膜1の中間まで掘り下げた溝1A
を形成後、スパッターなぞによりAl2O3,Ta−Wを
溝1Aに積層して、図(c)のように第2下部ギャップ
膜3及び電極4を形成する。この時、溝1Aとリフトオ
フパターン10との間は傾斜面10A及び溝1Aによ
り、Al2O3,Ta−Wがリフトオフパターン10のパ
ターン壁面に膜が付着せずリフトオフ可能となる。また
第1下部ギャップ膜2の幅W2と第2下部ギャップ膜3
及び電極4の間隔W3及びW4とを略同一にしたので、
リフトオフパターン10は一種類あればよいから、作業
員が安心して作業することが出来る利点がある。
【0062】4)また、第1下部ギャップ膜2の膜組成
と第2下部ギャップ膜3の膜組成を変えることが可能で
ある。例えば第1下部ギャップ膜2に第2下部ギャップ
膜3よりも熱伝導性の良い絶縁膜を用いれば、磁気抵抗
効果膜5に生じたジュール熱を下部シールド1等に速や
かに逃がすことが可能となり、安定した磁気特性を得る
ことが可能となる。また、第2下部ギャップ膜3に第1
下部ギャップ膜2よりも耐圧の高い絶縁膜を用いれば、
第1下部ギャップ膜2と第2下部ギャップ膜3が同じ膜
厚でも耐電圧つまり絶縁耐圧を向上することが可能とな
る。
と第2下部ギャップ膜3の膜組成を変えることが可能で
ある。例えば第1下部ギャップ膜2に第2下部ギャップ
膜3よりも熱伝導性の良い絶縁膜を用いれば、磁気抵抗
効果膜5に生じたジュール熱を下部シールド1等に速や
かに逃がすことが可能となり、安定した磁気特性を得る
ことが可能となる。また、第2下部ギャップ膜3に第1
下部ギャップ膜2よりも耐圧の高い絶縁膜を用いれば、
第1下部ギャップ膜2と第2下部ギャップ膜3が同じ膜
厚でも耐電圧つまり絶縁耐圧を向上することが可能とな
る。
【0063】5)また、感磁部領域Aの第1下部ギャッ
プ膜2上にのみ磁気抵抗効果膜5の配向制御膜(膜質向
上)を有することにより、感磁部のみに特性の良好な磁
気抵抗効果膜5を得ることができ、オフトラック特性等
の向上が可能となる。
プ膜2上にのみ磁気抵抗効果膜5の配向制御膜(膜質向
上)を有することにより、感磁部のみに特性の良好な磁
気抵抗効果膜5を得ることができ、オフトラック特性等
の向上が可能となる。
【0064】6)製造方法として、下部シールド膜1を
形成後、第1下部ギャップ膜2を成膜する工程、もしく
は下部シールド膜1と第1下部ギャップ膜2の成膜後さ
らに前記第1下部ギャップ膜上に前記磁気抵抗効果膜5
の配向制御膜を成膜する工程と、これらの上にリフトオ
フパターンを形成する工程と、リフトオフパターンをマ
スクとして前記下部シールド膜1及び第1下部ギャップ
膜2をエッチングする工程、もしくは前記配向制御膜と
下部シールド膜1及び第1下部ギャップ膜2をエッチン
グする工程と、第2下部ギャップ膜3及びトラック幅を
規定する電極4を成膜する工程、もしくは第2下部ギャ
ップ膜3及びトラック幅を規定する電極4の上に前記磁
区制御膜6を成膜する工程と、リフトオフパターンを除
去する工程と、を有することにより上記の構造は安定に
作製可能となる。
形成後、第1下部ギャップ膜2を成膜する工程、もしく
は下部シールド膜1と第1下部ギャップ膜2の成膜後さ
らに前記第1下部ギャップ膜上に前記磁気抵抗効果膜5
の配向制御膜を成膜する工程と、これらの上にリフトオ
フパターンを形成する工程と、リフトオフパターンをマ
スクとして前記下部シールド膜1及び第1下部ギャップ
膜2をエッチングする工程、もしくは前記配向制御膜と
下部シールド膜1及び第1下部ギャップ膜2をエッチン
グする工程と、第2下部ギャップ膜3及びトラック幅を
規定する電極4を成膜する工程、もしくは第2下部ギャ
ップ膜3及びトラック幅を規定する電極4の上に前記磁
区制御膜6を成膜する工程と、リフトオフパターンを除
去する工程と、を有することにより上記の構造は安定に
作製可能となる。
【0065】7)更に、図4の第2上部ギャップ膜23
は磁気抵抗効果膜5の端部に配置した第1上部ギャップ
膜22上に第2上部ギャップ膜23を配置し、上部シー
ルド膜8と磁区制御膜6との間の絶縁耐圧を増加を向上
することが可能となる。
は磁気抵抗効果膜5の端部に配置した第1上部ギャップ
膜22上に第2上部ギャップ膜23を配置し、上部シー
ルド膜8と磁区制御膜6との間の絶縁耐圧を増加を向上
することが可能となる。
【0066】8)また、第1上部ギャップ膜22の膜組
成と第2上部ギャップ膜23の膜組成を変えることが可
能であり、例えば第2上部ギャップ膜23に第1上部ギ
ャップ膜22よりも熱伝導性の良い絶縁膜を用いれば、
磁気抵抗効果膜5に生じたジュール熱を上部シールド8
等に速やかに逃がすことが可能となり、安定した磁気特
性を得ることが可能となる。更に、第1上部ギャップ膜
22に第2上部ギャップ膜23よりも、耐圧の高い絶縁
膜を用いれば、更に耐絶縁圧を向上することが可能とな
る。
成と第2上部ギャップ膜23の膜組成を変えることが可
能であり、例えば第2上部ギャップ膜23に第1上部ギ
ャップ膜22よりも熱伝導性の良い絶縁膜を用いれば、
磁気抵抗効果膜5に生じたジュール熱を上部シールド8
等に速やかに逃がすことが可能となり、安定した磁気特
性を得ることが可能となる。更に、第1上部ギャップ膜
22に第2上部ギャップ膜23よりも、耐圧の高い絶縁
膜を用いれば、更に耐絶縁圧を向上することが可能とな
る。
【0067】9)製造方法として、磁気抵抗効果膜5を
成膜する工程と、この上にリフトオフパターン10を形
成する工程と、リフトオフパターン10をマスクとして
磁気抵抗効果膜5をエッチングする工程と、リフトオフ
パターン10がある状態で、少なくとも第1上部ギャッ
プ膜22を成膜する工程と、リフトオフパターン10を
除去する工程と、この上に第2上部ギャップ膜23を形
成する工程と、を有することにより、上記構造は安定に
作製可能となる。
成膜する工程と、この上にリフトオフパターン10を形
成する工程と、リフトオフパターン10をマスクとして
磁気抵抗効果膜5をエッチングする工程と、リフトオフ
パターン10がある状態で、少なくとも第1上部ギャッ
プ膜22を成膜する工程と、リフトオフパターン10を
除去する工程と、この上に第2上部ギャップ膜23を形
成する工程と、を有することにより、上記構造は安定に
作製可能となる。
【0068】10)他の製造方法として、下部シールド
膜1を形成後、第1下部ギャップ膜2を成膜する工程
と、磁気抵抗効果膜5を成膜する工程と、これらの上に
リフトオフパターンを形成する工程と、リフトオフパタ
ーン10をマスクとして磁気抵抗効果膜5、下部シール
ド膜1及び第1下部ギャップ膜2をエッチングする工程
と、第2下部ギャップ膜3と磁区制御膜6とトラック幅
を規定する電極4を成膜する工程、もしくは第2下部ギ
ャップ膜3と磁区制御膜6とトラック幅を規定する電極
4と第1上部ギャップ膜22を成膜する工程と、リフト
オフパターンを除去する工程と、を有することによって
も安定に作製可能である。
膜1を形成後、第1下部ギャップ膜2を成膜する工程
と、磁気抵抗効果膜5を成膜する工程と、これらの上に
リフトオフパターンを形成する工程と、リフトオフパタ
ーン10をマスクとして磁気抵抗効果膜5、下部シール
ド膜1及び第1下部ギャップ膜2をエッチングする工程
と、第2下部ギャップ膜3と磁区制御膜6とトラック幅
を規定する電極4を成膜する工程、もしくは第2下部ギ
ャップ膜3と磁区制御膜6とトラック幅を規定する電極
4と第1上部ギャップ膜22を成膜する工程と、リフト
オフパターンを除去する工程と、を有することによって
も安定に作製可能である。
【0069】
【発明の効果】本発明によれば、磁気抵抗効果膜は感磁
部領域Aに狭トラック及び狭ギャップを有し、磁気特性
の良好な磁気抵抗効果型ヘッドを得ることができる。こ
れにより高記録密度の磁気記録再生装置が提供できる。
部領域Aに狭トラック及び狭ギャップを有し、磁気特性
の良好な磁気抵抗効果型ヘッドを得ることができる。こ
れにより高記録密度の磁気記録再生装置が提供できる。
【図1】本発明の第1実施例である磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの構成を示す側断面図である。
ヘッドの構成を示す側断面図である。
【図2】図1の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する工
程の一例を示す側断面図である。
程の一例を示す側断面図である。
【図3】本発明の第2の実施形態を示す磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
【図4】本発明の第3の実施形態を示す磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
【図5】本発明の第4の実施形態を示す磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
【図6】本発明の第5の実施形態を示す磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
【図7】本発明の第6の実施形態を示す磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
磁気ヘッドの構成を示す側断面図である。
【図8】本発明の第7の実施形態を示す複合型磁気ヘッ
ドの斜視図である。
ドの斜視図である。
【図9】図8を使用した磁気記録再生装置の概略側断面
図である。
図である。
1…下部シールド膜、2…第1下部ギャップ膜、3…第
2下部ギャップ膜、4…電極、5…磁気抵抗効果膜、6
…磁区制御膜、7…上部ギャップ膜、8…上部シールド
膜、10,11…リフトオフパターン、22…第1上部
ギャップ膜、23…第2上部ギャップ膜、40…上部シ
ールド兼用下部磁気コア、41…記録ギャップ膜、42
…導体コイル、43…絶縁膜、44…上部磁気コア、5
0…磁気抵抗効果型ヘッド(再生ヘッド)、51…誘導
型磁気ヘッド(記録ヘッド)、60…磁気記録媒体、6
1…スピンドル、63…サスペンション、64…アクチ
ュエータ、65…信号処理回路、66…リード線、10
0…複合型ヘッド、A…感磁部領域、B…感磁部外領
域、t1…第1下部ギャップ膜の膜厚、t2…第2下部
ギャップ膜の膜厚、h…下部シールドの凸形状の高さ、
W2…第1下部ギャップ膜の幅、W3…第2下部ギャッ
プ膜の間隔、W4…電極の間隔、W5…磁気抵抗効果膜
の幅、W6…磁区制御膜の幅、W22…第1上部ギャッ
プ膜の間隔。
2下部ギャップ膜、4…電極、5…磁気抵抗効果膜、6
…磁区制御膜、7…上部ギャップ膜、8…上部シールド
膜、10,11…リフトオフパターン、22…第1上部
ギャップ膜、23…第2上部ギャップ膜、40…上部シ
ールド兼用下部磁気コア、41…記録ギャップ膜、42
…導体コイル、43…絶縁膜、44…上部磁気コア、5
0…磁気抵抗効果型ヘッド(再生ヘッド)、51…誘導
型磁気ヘッド(記録ヘッド)、60…磁気記録媒体、6
1…スピンドル、63…サスペンション、64…アクチ
ュエータ、65…信号処理回路、66…リード線、10
0…複合型ヘッド、A…感磁部領域、B…感磁部外領
域、t1…第1下部ギャップ膜の膜厚、t2…第2下部
ギャップ膜の膜厚、h…下部シールドの凸形状の高さ、
W2…第1下部ギャップ膜の幅、W3…第2下部ギャッ
プ膜の間隔、W4…電極の間隔、W5…磁気抵抗効果膜
の幅、W6…磁区制御膜の幅、W22…第1上部ギャッ
プ膜の間隔。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年12月24日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
フロントページの続き (72)発明者 福井 宏 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (10)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする
下部シールド膜と、電気的絶縁及び磁気的ギャップを得
る下部ギャップ膜と、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号
を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウ
ゼンノイズを抑止する前記磁気抵抗効果膜に磁界を引加
する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流
を流す電極と、下部ギャップ膜と同様に電気的絶縁及び
磁気的ギャップを得る上部ギャップ膜と、上部シールド
と同様に磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする上部シ
ールド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記下部ギャップ膜は感磁部領域の第1下部ギャップ膜
と感磁部外領域の第2下部ギャップ膜とを有し、前記第
1下部ギャップ膜の前記磁気抵抗効果膜側の幅と前記第
2下部ギャップ膜の間隔と前記電極の間隔が略同一であ
り、もしくは前記第1下部ギャップ膜の前記磁気抵抗効
果膜側の幅と前記第2下部ギャップ膜の間隔と前記磁区
制御膜の間隔と前記電極の間隔が略同一であり、前記下
部シールド膜は少なくとも感磁部領域で凸形状の上部平
坦面を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項2】 前記下部ギャップ膜の感磁部領域の第1
下部ギャップ膜厚をt1、感磁部外領域での平坦部の第
2下部ギャップ膜厚をt2、前記下部シールド膜の感磁
部領域での凸形状高さをhとすると、 h+t1>t2 かつ t1≦t2 なる関係を有することを特徴とする請求項1記載の磁気
抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項3】 前記下部ギャップ膜は感磁部領域の第1
下部ギャップ膜と感磁部外領域の第2下部ギャップ膜と
を有し、前記第1下部ギャップ膜の膜組成と前記第2下
部ギャップ膜の膜組成が異なっていることを特徴とする
請求項1,2のいずれか1記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項4】 感磁部領域の下部ギャップ膜上に前記磁
気抵抗効果膜の配向制御膜を有することを特徴とする請
求項1,2,3のいずれか1記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項5】 磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする
下部シールド膜と、電気的絶縁及び磁気的ギャップを得
る下部ギャップ膜と、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号
を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウ
ゼンノイズを抑止する前記磁気抵抗効果膜に磁界を引加
する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流
を流す電極と、下部ギャップ膜と同様に電気的絶縁及び
磁気的ギャップを得る上部ギャップ膜と、上部シールド
と同様に磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする上部シ
ールド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に
おいて、 前記下部シールド膜を形成後、第1下部ギャップ膜を成
膜する工程、もしくは前記下部シールド膜と第1下部ギ
ャップ膜の成膜後さらに前記第1下部ギャップ膜上に前
記磁気抵抗効果膜の配向制御膜を成膜する工程と、これ
らの上にリフトオフパターンを形成する工程と、 前記リフトオフパターンをマスクとして前記下部シール
ド膜及び第1下部ギャップ膜をエッチングする工程と、
もしくは前記配向制御膜と前記下部シールド膜及び第1
下部ギャップ膜をエッチングする工程と、 第2下部ギャップ膜及びトラック幅を規定する電極を成
膜する工程、もしくは第2下部ギャップ膜及びトラック
幅を規定する電極の成膜後さらに前記電極上に前記磁区
制御膜を成膜する工程と、前記リフトオフパターンを除
去する工程と、を有することを特徴とする磁気抵抗効果
型ヘッドの製造方法。 - 【請求項6】 磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする
下部シールド膜と、電気的絶縁及び磁気的ギャップを得
る下部ギャップ膜と、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号
を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウ
ゼンノイズを抑止する前記磁気抵抗効果膜に磁界を引加
する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流
を流す電極と、下部ギャップ膜と同様に電気的絶縁及び
磁気的ギャップを得る上部ギャップ膜と、上部シールド
と同様に磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする上部シ
ールド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記上部ギャップ膜は磁気抵抗効果膜の端部に配置して
ある第1上部ギャップ膜と磁気抵抗効果膜と第1上部ギ
ャップ膜上に配置してある第2下部ギャップ膜とを有
し、前記第1上部ギャップ膜の間隔と前記磁気抵抗効果
膜の上部シールド側の幅が略同一であることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項7】 前記上部ギャップ膜は磁気抵抗効果膜の
端部に配置した第1上部ギャップ膜と磁気抵抗効果膜と
第1上部ギャップ膜上に配置した第2上部ギャップ膜と
を有し、前記第1上部ギャップ膜の膜組成と前記第2上
部ギャップ膜の膜組成が異なっていることを特徴とする
請求項6記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項8】 磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする
下部シールド膜と、電気的絶縁及び磁気的ギャップを得
る下部ギャップ膜と、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号
を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウ
ゼンノイズを抑止する前記磁気抵抗効果膜に磁界を引加
する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流
を流す電極と、下部ギャップ膜と同様に電気的絶縁及び
磁気的ギャップを得る上部ギャップ膜と、上部シールド
と同様に磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする上部シ
ールド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に
おいて、 前記磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、この上にリフト
オフパターンを形成する工程と、前記リフトオフパター
ンをマスクとして前記磁気抵抗効果膜をエッチングする
工程と、前記リフトオフパターンがある状態で、少なく
とも第1上部ギャップ膜を成膜する工程と、前記リフト
オフパターンを除去する工程と、この上に第2上部ギャ
ップ膜を形成する工程と、を有することを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項9】 磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする
下部シールド膜と、電気的絶縁及び磁気的ギャップを得
る下部ギャップ膜と、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号
を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウ
ゼンノイズを抑止する前記磁気抵抗効果膜に磁界を引加
する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流
を流す電極と、下部ギャップ膜と同様に電気的絶縁及び
磁気的ギャップを得る上部ギャップ膜と、上部シールド
と同様に磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする上部シ
ールド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に
おいて、 前記下部シールド膜を形成後、第1下部ギャップ膜を成
膜する工程と、前記磁気抵抗効果膜を成膜する工程と、
これらの上にリフトオフパターンを形成する工程と、前
記リフトオフパターンをマスクとして前記磁気抵抗効果
膜、前記下部シールド膜及び第1下部ギャップ膜をエッ
チングする工程と、第2下部ギャップ膜と前記磁区制御
膜とトラック幅を規定する電極層を成膜する工程、もし
くは第2下部ギャップ膜と前記磁区制御膜とトラック幅
を規定する電極層と第1上部ギャップ膜を成膜する工程
と、前記リフトオフパターンを除去する工程と、を有す
ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項10】 磁気抵抗効果膜5の両端に設けた磁区
制御膜6と、磁気抵抗効果膜5及び磁区制御膜6の一方
側に順次積層した上部ギャップ膜7及び上部シールド膜
8とより成り、磁気抵抗効果膜5及び磁区制御膜6の他
方側に両端で平行で中央で両端より高く突出した突出部
を備えた下部シールド膜1と、突出部に積層した第1下
部ギャップ膜2と、第1下部ギャップ膜2に積層して第
1下部ギャップ膜2より左右に延びる磁気抵抗効果膜5
と、第1下部ギャップ膜2を介して左右の磁区制御膜6
及び磁気抵抗効果膜5と下部シールド膜1の間に順次積
層した電極4及び第2下部ギャップ膜3とを備えた磁気
抵抗効果型ヘッドであって、第1下部ギャップ膜2の幅
W2と磁気抵抗効果膜5の感磁部領域Aに対応する幅W
5と、第2下部ギャップ膜3の間隔W3と前記磁区制御
膜6の間隔W6と前記電極4の間隔W4を略同一にする
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2681798A JPH11232616A (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2681798A JPH11232616A (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11232616A true JPH11232616A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12203841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2681798A Pending JPH11232616A (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11232616A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6716537B1 (en) | 1999-09-16 | 2004-04-06 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element having multilayered film capable of effectively conducting a detecting current for detecting external magnetic field and method for making the same |
US6762916B2 (en) | 2000-01-05 | 2004-07-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head with low barkhausen noise and floating-type magnetic head therewith |
US6934132B2 (en) | 2000-08-03 | 2005-08-23 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
JP2006165031A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Ulvac Japan Ltd | トンネル接合素子の製造方法およびその製造装置 |
-
1998
- 1998-02-09 JP JP2681798A patent/JPH11232616A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6762916B2 (en) | 2000-01-05 | 2004-07-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head with low barkhausen noise and floating-type magnetic head therewith |
US6934132B2 (en) | 2000-08-03 | 2005-08-23 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
US6999287B2 (en) | 2000-08-03 | 2006-02-14 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
US7158355B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-01-02 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
US7161774B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-01-09 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
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US7277261B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-10-02 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
US7298596B2 (en) | 2000-08-03 | 2007-11-20 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element, magneto-resistance effect head, magneto-resistance transducer system, and magnetic storage system |
US7369375B2 (en) | 2000-08-03 | 2008-05-06 | Nec Corporation | Magneto-resistance effect element and magneto-resistance effect head |
JP2006165031A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Ulvac Japan Ltd | トンネル接合素子の製造方法およびその製造装置 |
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