JPH1021510A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗効果膜の磁気的な安定性を維持する
ことを可能とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
の提供を目的とする。 【解決手段】 磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の製造方法
は、最上層に保護層７を有し、非磁性膜１１を介して一
対の磁気抵抗効果膜１０，１２が厚み方向に重ね合わさ
れてなる磁気抵抗効果素子４を形成する工程と、上記磁
気抵抗効果素子４の保護層７に対して、ウエット・エッ
チングにより電極を接続するための開口部を穿設する工
程と、上記保護層７に穿設された開口部に対して電極を
配設する工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置等に好適な、磁気抵抗効果によって再生信号を検出す
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置等の磁気記録再生装
置においては、大容量化を図るために、更なる高密度記
録が求められている。そこで、近年、高密度記録を進め
るために、狭トラック化に適した磁気ヘッドである磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う。）が採用されるようになってきている。

【０００３】このＭＲヘッドには、図２２に示すよう
に、２層型の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とい
う。）を用いたＭＲヘッド１００がある。このＭＲヘッ
ド１００は、第１の磁気抵抗効果膜１０１（以下、第１
のＭＲ膜１０１という。）と第２の磁気抵抗効果膜１０
２（以下、第２のＭＲ膜１０２という。）とが非磁性絶
縁膜１０３を介して積層されてなるＭＲ素子１０４を備
える。また、このＭＲヘッド１００は、このＭＲ素子１
０４の長手方向の先端部１０４Ａに電気的に接続される
先端部電極１０５と、後端部１０４Ｂに電気的に接続さ
れる後端部電極１０６とを備える。さらに、ＭＲヘッド
１００は、ＭＲ素子１０４上に保護層１０７が配設さ
れ、ＭＲ素子１０４の上方にＭＲ素子１０４を横切るよ
うにバイアス導体層１０８が配設されてなる。さらにま
た、ＭＲヘッド１００は、その最上層に上層シールド１
０９が配設され、ＭＲ素子１０４の下層側に下部ギャッ
プ１１０を介して下層シールド１１１が配設されてな
る。

【０００４】以上のように構成された従来のＭＲヘッド
１００において、第２のＭＲ膜１０２は、磁気記録媒体
に記録された磁気信号から発生する磁界に応じて抵抗値
が変化する。そして、磁気記録媒体の磁気信号を再生す
る際、第２のＭＲ膜１０２に対して後端部電極１０６か
ら所定のセンス電流が供給される。これにより、ＭＲヘ
ッド１００は、第２のＭＲ膜１０２の抵抗変化を電圧変
化として出力する。

【０００５】このとき、第１のＭＲ膜１０１は、センス
電流が供給されず、第２のＭＲ膜１０２の磁気的な安定
化に寄与する。すなわち、第１のＭＲ膜１０１は、第２
のＭＲ膜１０２と静磁結合することにより第２のＭＲ膜
１０２を磁気的に安定化するように作用する。

【０００６】一方、上述したようなＭＲヘッド１００
は、スパッタリング等の薄膜形成法やエッチング等の手
法を用いて形成される。このとき、ＭＲヘッド１００で
は、図２３に示すように、周囲を非磁性絶縁層１１２に
より埋め込まれたＭＲ素子１０４に対して、図２４に示
すように、その非磁性絶縁層１１２に開口部１１３を形
成し、この開口部１１３に後端部電極１０６を形成す
る。

【０００７】この後端部電極１０６を形成する工程は、
先ず、図２４に示すように、反応性イオンエッチングに
よりＭＲ素子１０４の後端部側１０４Ｂに開口部１１３
を穿設する。この開口部１１３は、その深さが第１のＭ
Ｒ膜１０１に達するまでとされる。次に、図２５に示す
ように、この開口部１１３内にＴａ／Ｃｕ等の導電材料
が埋め込まれる。そして、この導電材料は、図示しない
電源部と接続されるように引き出されることにより後端
部電極１０６となる。

【０００８】このように形成された後端部電極１０６
は、非磁性絶縁体により埋め込まれる。そして、詳細は
省略するが、バイアス導体層１０８、先端部電極１０５
及び上層シールド１０９がそれぞれ形成される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したＭ
Ｒヘッド１００の製造方法において、後端部電極１０６
を形成する反応性イオンエッチングの際には、先ず、非
磁性絶縁層１１２をエッチングし、次に、非磁性絶縁層
１１２をエッチングした後に露出する保護層１０７をエ
ッチングすることとなる。この非磁性絶縁層１１２のエ
ッチング際には、目視することによって、エッチングの
終了が決定されていた。また、その後、保護層１０７の
エッチングの際には、保護層１０７を構成する材料に固
有のエッチングレートより算出された時間によって、エ
ッチングの終了が決定されていた。

【００１０】このように、従来のＭＲヘッド１００の製
造方法では、各層のエッチングの終了が正確に判定し難
く、正確に深さ寸法を制御して開口部１１３を穿設する
ことが困難であった。すなわち、従来の手法において、
特に、保護層１０７をエッチングする際にエッチングの
終了を正確に判定できないと、図２６に示すように、開
口部１１３は、第１のＭＲ膜１０１に達するまで穿設さ
れてしまう。そして、このＭＲヘッド１００では、この
開口部１１３に導電材料が埋め込まれて後端部電極１０
６を形成すると、第１のＭＲ膜１０１と後端部電極１０
６とが電気的に接続されてしまう。これにより、このＭ
Ｒヘッド１００では、第１のＭＲ膜１０１と第２のＭＲ
膜１０２とに対してセンス電流がそれぞれ供給されてし
まうこととなる。

【００１１】従来のＭＲヘッド１００の製造方法では、
上述したように、第１のＭＲ膜１０２に対してセンス電
流が供給されることによって、第２のＭＲ膜１０１を磁
気的に安定化するといった第１のＭＲ膜１０２の特性が
発現されないＭＲヘッドを製造してしまうといった問題
点があった。

【００１２】そこで、本発明は、上述のような問題点に
鑑みてなされたものであり、電極を一対の磁気抵抗効果
膜のうちで上方に配される磁気抵抗効果膜にのみ接続さ
せるとともに、下方に配される磁気抵抗効果膜の絶縁状
態を維持することによって、通電される磁気抵抗効果膜
の磁気的な安定性を維持することを可能とする磁気抵抗
効果型磁気ヘッドの製造方法の提供を目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成した
本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法は、
最上層に保護層を有し、非磁性膜を介して一対の磁気抵
抗効果膜が厚み方向に重ね合わされてなる磁気抵抗効果
素子を形成する工程と、上記磁気抵抗効果素子の保護層
に対して、ウエット・エッチングにより電極を接続する
ための開口部を穿設する工程と、上記保護層に穿設され
た開口部に対して電極を配設する工程とを有する。

【００１４】以上のように構成された本発明に係る磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法では、電極を配するた
めの開口部をウエット・エッチングにより穿設した後、
電極を形成することとなる。このウエット・エッチング
によれば、そのエッチングレートが遅いために、磁気抵
抗効果素子上に形成された保護層のみをエッチングする
ことができる。これにより、この手法では、電極を配す
るための開口部が、磁気抵抗効果素子を傷つけることな
く穿設されることとなる。このため、この手法によれ
ば、磁気抵抗効果素子に配される電極が、一対の磁気抵
抗効果膜のうちで保護層の直下に配される磁気抵抗効果
膜にのみ接続されることとなる。

【００１５】したがって、この手法によれば、磁気抵抗
効果型磁気ヘッドは、電極から供給されるセンス電流が
一対の磁気抵抗効果膜のうちで保護層の直下に配される
磁気抵抗効果膜にのみ供給されるようなものとなる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという。）の製造方法
の好適な実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明す
る。

【００１７】本実施の形態に係るＭＲヘッドの製造方法
は、磁気記録媒体に記録された信号磁界の感磁部となる
磁気抵抗効果素子を有するるＭＲヘッドを製造するもの
である。このＭＲヘッド１は、図１に示すように、下層
シールド２と、この下層シールド２上に積層された下部
ギャップ３と、この下部ギャップ３上に積層された磁気
抵抗効果素子４（以下、ＭＲ素子４という。）と、この
ＭＲ素子４に電気的に接続された先端部電極５と後端部
電極６とからなる一対の電極と、このＭＲ素子４上で一
対の電極により挟持される領域に形成された保護層７
と、先端部電極５上に積層された上層シールド８とを備
える。また、このＭＲヘッド１には、ＭＲ素子４の上方
にバイアス磁界を発生させるバイアス磁界導体層９が設
けられている。

【００１８】そして、このＭＲヘッド１は、磁気記録媒
体に記録された磁気信号を再生するものである。このＭ
Ｒヘッド１では、図１中矢印Ａで示す側面に磁気記録媒
体が摺動し、磁気記録媒体に記録された信号磁界が入力
する。このとき、ＭＲヘッド１では、ＭＲ素子４がこの
信号磁界の感磁部となる。

【００１９】また、ＭＲヘッド１において、下層シール
ド２と上層シールド８は磁性材料からなり、下部ギャッ
プ層３は非磁性絶縁材料からなり、後端部電極６は電気
的に良導体である非磁性材料からなる。そして、下層シ
ールド２、上層シールド８、下部ギャップ層３及び先端
部電極５は、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再生
対象外の磁界がＭＲ素子４に引き込まれないように機能
する。すなわち、このＭＲヘッド１では、下部ギャップ
層３及び先端部電極５がＭＲ素子４の上下方向に配され
ているため、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再生
対象外の磁界は下層シールド２及び上層シールド８に導
かれる。これにより、ＭＲ素子４は、再生対象の磁界だ
けを引き込むことができる。

【００２０】このＭＲヘッド１では、図１のＢ−Ｂ線に
おける断面図である図２に示すように、略矩形に形成さ
れた２層型のＭＲ素子４を備える。この２層型のＭＲ素
子４は、第１の磁気抵抗効果膜１０（以下、第１のＭＲ
膜１０という。）と、この第１のＭＲ膜１０に積層され
た非磁性絶縁層１１と、この非磁性絶縁層１１を介して
第１のＭＲ膜１０に積層された第２の磁気抵抗効果膜１
２（以下、第２のＭＲ膜１２という。）とからなる。

【００２１】ここで、第２のＭＲ膜１２は、磁気抵抗効
果を有する磁気抵抗効果膜を含んでいればよく、例え
ば、ＮｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜だけからなるも
のであっても、あるいは、Ｔａ等からなる下地膜上にＮ
ｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜が成膜されたものであ
ってもよい。Ｔａ等からなる下地膜上にＮｉＦｅ等から
なる磁気抵抗効果膜を成膜した場合には、磁気抵抗効果
膜を（１１１）配向させることができ、これにより磁気
抵抗効果膜の比抵抗を下げることができる。そして、磁
気抵抗効果膜の比抵抗の低下は、上述したように磁気抵
抗効果膜のインピーダンスの低下となるため、このよう
に下地膜を設けることにより、ＭＲヘッド１の再生出力
を向上することができる。

【００２２】そして、第１のＭＲ膜１０は、第２のＭＲ
膜１２の磁気的安定性を向上させるために配される層で
あり、第２のＭＲ膜１２と静磁結合が生じるものであれ
ばよく、例えば、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ又はＣｏＮｉ
等からなる硬磁性膜だけからなるものとしてもよいし、
あるいは、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ又はＣｏＮｉ等から
なる硬磁性膜と、ＮｉＦｅ又はＮｉＦｅ−Ｘ（ここでＸ
はＴａ，Ｃｒ，Ｎｂ等である。）等からなる軟磁性膜と
を積層したものとしてもよいし、あるいは、ＦｅＭｎ又
はＮｉＯ等からなる反強磁性膜と、Ｃｏ、ＮｉＦｅ又は
ＮｉＦｅ−Ｘ（ここでＸはＴａ，Ｃｒ，Ｎｂ等であ
る。）等からなる磁性膜とを積層したものとしてもよ
い。

【００２３】そして、ＭＲ素子４は、ＭＲヘッド１に磁
気記録媒体が対接した状態で、その長手方向が磁気記録
媒体に垂直となるように配されている。このＭＲ素子４
は、非磁性絶縁体１３により埋め込まれたような状態で
構成されている。また、ＭＲヘッド１では、このＭＲ素
子４の長手方向の両端部に先端部電極５と後端部電極６
とからなる一対の電極が配されている。この一対の電極
は、磁気記録媒体摺動面側の先端部４Ａを先端部電極５
とし、その反対側の後端部４Ｂを後端部電極６とする。
このＭＲ素子４では、これら一対の電極が第２のＭＲ膜
１２にのみ接続されている。

【００２４】また、このＭＲ素子４には、その最上層に
保護層７が設けられている。この保護層７は、Ａｌ₂Ｏ₃
等の非磁性絶縁体からなり、第２のＭＲ膜１２上で先端
部電極５と後端部電極６とで挟持される領域に形成され
ている。この保護層７は、スパッタリング法等の手法に
よりＭＲ素子４の上方に各層が形成される際の衝撃か
ら、ＭＲ素子４を保護するために配される層である。

【００２５】このように構成されたＭＲ素子４では、そ
の両側面側を非磁性絶縁体１３により埋め込まれ、一対
の電極が第２のＭＲ膜１２にのみ接続されており、第１
のＭＲ膜１０と第２のＭＲ膜１２とが非磁性絶縁層１１
を介して積層されているために、後端部電極６より供給
される電流は、第２のＭＲ膜１２にのみ通電されること
となる。

【００２６】このＭＲヘッド１では、磁気記録媒体から
の信号磁界が印加されると、ＭＲ素子４が感磁部とな
る。このとき、第２のＭＲ膜１２は、信号磁界に対して
抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果を発生する。
したがって、第２のＭＲ膜１２は、後端部電極６より一
定電流のセンス電流が供給されることによって、信号磁
界による抵抗値の変化を示す。これにより、このＭＲヘ
ッド１では、第２のＭＲ膜１２が信号磁界による抵抗値
の変化を電圧変化として出力することとなる。

【００２７】一方、このとき、第１のＭＲ膜１０は、周
囲を非磁性絶縁材料１３により囲まれているために、セ
ンス電流が供給されることはない。この第１のＭＲ膜１
０は、一定方向に磁化されており、第２のＭＲ膜１２と
静磁結合することによって、第２のＭＲ膜１２の磁気的
な安定化に寄与する。これにより、第２のＭＲ膜１２で
は、バルクハウゼンノイズの発生が防止される。

【００２８】また、ＭＲ素子４上を横切るように非磁性
絶縁層１３内に形成されたバイアス磁界導体層９は、Ｍ
Ｒ素子４にバイアス磁界を印加するためものである。す
なわち、ＭＲヘッド１では、磁気記録媒体から信号磁界
を検出する際に、このバイアス磁界導体層９に電流を流
すことにより、より高い磁気抵抗効果が得られるよう
に、磁気抵抗効果素子３にバイアス磁界が印加される。

【００２９】つぎに、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法について詳細に説明する。

【００３０】上述したようなＭＲヘッド１を製造する際
は、先ず、図３に示すように、磁性体からなる下層シー
ルド２上に、Ａｌ₂Ｏ₃等のような非磁性絶縁体からなる
下部ギャップ層３を形成する。ここで、下部ギャップ層
３は、後工程で形成するＭＲ素子４の下部を電気的に絶
縁するとともに、ＭＲ素子４の下部に磁気的ギャップを
形成するものである。

【００３１】次に、図４に示すように、下部ギャップ層
３上に第１のＭＲ膜１０、非磁性絶縁膜１１及び第２の
ＭＲ膜１２を順次成膜し、薄膜層２０を形成する。ここ
で、薄膜層２０は、後工程でエッチングされてＭＲ素子
４となるものであり、上述したような材料を用いて形成
される。その後、薄膜層２０上にＡｌ₂Ｏ₃等の非磁性絶
縁体からなる保護層７を成膜する。

【００３２】次に、薄膜層２０を所定の形状のＭＲ素子
４とするために、図５に示すように、所定の形状にパタ
ーニングされたフォトレジスト２１を形成した後、図６
に示すように、薄膜層２０をエッチングして、所定の形
状のＭＲ素子４を形成する。これにより、第２のＭＲ膜
１２上に保護層７が形成された略矩形状のＭＲ素子４が
形成される。

【００３３】このように、予め第１のＭＲ膜１０及び第
２のＭＲ膜１２を含む薄膜層２０を形成しておき、後か
らエッチングして所定の形状のＭＲ素子４を形成するこ
とにより、第１のＭＲ膜１０と第２のＭＲ膜１２との相
対的な位置が正確に一致する。したがって、このような
ＭＲ素子４では、第１のＭＲ膜１０と第２のＭＲ膜１２
との間に理想的な静磁結合が生じる。

【００３４】次に、図７に示すように、フォトレジスト
２１を残したまま、フォトレジスト２１、保護層７及び
ＭＲ素子４を覆うように非磁性絶縁層１３を形成し、そ
の後、フォトレジスト２１をその上面に形成された非磁
性絶縁層１３と共に剥離して除去する。そして、フォト
レジスト２１をその上面に形成された非磁性絶縁層１３
と共に剥離して除去した後、非磁性絶縁層１３及び保護
層４の表面を研磨して平坦化する。これにより、図８及
び図８のＡ−Ａ線における断面図である図９に示すよう
に、保護層７及びＭＲ素子４が非磁性絶縁層１３に埋め
込まれたような状態となる。

【００３５】このようにフォトレジスト２１をその上面
に形成された非磁性絶縁層１３と共に剥離して除去す
る、いわゆるリフトオフ法によれば、非常に容易に、保
護層７及びＭＲ素子４を非磁性絶縁層１３に埋め込まれ
たような状態とすることができる。ただし、このような
リフトオフ法では、フォトレジスト２１を剥離したとき
にエッジの部分にバリ等が生じて表面粗度が悪くなり、
ＭＲ素子４の磁気特性や絶縁性等に悪影響を及ぼした
り、後工程で形成される先端部電極５等の形状を悪化さ
せることがある。そこで、フォトレジスト２１を剥離し
た後は、非磁性絶縁層１３及びＭＲ素子４の表面を研磨
して表面性を向上させた方がよい。

【００３６】そして、このように非磁性絶縁層１３及び
保護層７の表面を研磨することにより、ＭＲ素子４の磁
気特性や絶縁性等が向上するとともに、後工程で形成さ
れる先端部電極５等の形状が理想的なものとなり、ＭＲ
ヘッド１の周波数特性等が向上する。

【００３７】そして、次に、図１０及び図１０のＡ−Ａ
線における断面図である図１１に示すように、研磨加工
された表面に対して、後端部電極６を形成するためのフ
ォトレジスト２２を形成する。すなわち、このフォトレ
ジスト２２は、後端部電極６が形成される部分を除く領
域に形成される。

【００３８】次に、図１２及び図１２のＡ−Ａ線におけ
る断面図である図１３に示すように、このフォトレジス
ト２２が形成された面に対してウェット・エッチングが
施される。このウェット・エッチングは、例えば、フォ
トレジスト２２を現像する際に使用する現像液を用いて
行われる。具体的には、このウェット・エッチングは、
保護層７が約２０ｎｍの膜厚のＡｌ₂Ｏ₃からなる場合、
商品名ＡＺ６００ＭＩＦデベロッパー（株式会社ヘキス
トジャパン社製）が使用され、ＡＺ６００ＭＩＦデベロ
ッパー中に保護層が約２０分間浸漬されることにより行
われる。

【００３９】このとき、ウェット・エッチングは、反応
性イオンエッチングと比較してエッチングレートが遅い
ため、所定の膜厚の保護層７をエッチングする際にＭＲ
素子の周囲にある非磁性絶縁層１３をエッチングしても
第１のＭＲ膜１０に達するまでエッチングされることは
ない。したがって、このウェット・エッチングでは、外
部に露出している全ての保護層７と、外部に露出してい
る非磁性絶縁層１３をエッチングしてなる開口部２３を
形成する。

【００４０】次に、図１４及び図１４のＡ−Ａ線におけ
る断面図である図１５に示すように、フォトレジスト２
２を取り除いた後、開口部２３が形成された面に、Ｔａ
／Ｃｕ等の導電材料からなる導電層２４を形成する。こ
の導電層２４は、後工程でエッチングされて後端部電極
６となるものである。

【００４１】次に、図１６及び図１６のＡ−Ａ線におけ
る断面図である図１７に示すように、導電層２４上に後
端部電極６が形成される領域に、後端部電極６と略同形
のフォトレジスト２５を形成する。

【００４２】次に、図１８及び図１８のＡ−Ａ線におけ
る断面図である図１９に示すように、フォトレジスト２
５が形成された面に対して反応性イオンエッチングが施
される。そして、導体層２４は、フォトレジスト２５が
形成された領域を残してエッチングされる。これによ
り、ＭＲ素子４の第２のＭＲ膜１２に接続された後端部
電極６が形成される。すなわち、後端部電極６は、上述
したウェット・エッチングにより形成された開口部２３
に、導電材料が埋め込まれるように形成されることとな
る。

【００４３】次に、図２０に示すように、ＭＲ素子４及
び後端部電極６が露出した面に対して新たな非磁性絶縁
層２６を形成する。そして、この非磁性絶縁層２６上に
バイアス磁界導体層９が形成される。このバイアス磁界
導体層９は、ＭＲ素子４の長手方向に対して略垂直方向
となるように非磁性絶縁層２６上に形成される。さら
に、バイアス磁界導体層９が形成された後にこのバイア
ス磁界導体層９を埋め込むように新たに非磁性絶縁層２
７を形成する。これにより、バイアス磁界導体層９と後
端部電極６とは、電気的に絶縁された状態とされる。

【００４４】その後、図２１に示すように、ＭＲ素子４
の先端部４Ａ上に形成された非磁性絶縁層２６，２７を
テーパ状にエッチングする。これにより、ＭＲ素子４の
先端部４Ａ側は、外方に露出される。そして、この外方
に露出したＭＲ素子４の先端部４Ａに対して、導電材料
からなる先端部電極５が形成される。そして、この先端
部電極５上に、磁性体からなる上層シールド８が形成さ
れる。

【００４５】以上のようなＭＲヘッドの製造方法では、
反応性イオンエッチングのエッチングレートと比較して
ウェットエッチングのエッチングレートが遅いため、保
護層７をエッチングする際の制御を容易に行うことが可
能となる。これにより、この手法によれば、保護層７を
エッチングする際に開口部２３が第１のＭＲ膜１０に達
するまで形成されることはない。したがって、この手法
によれば、開口部２３に形成される後端部電極６は、第
２のＭＲ膜１２にのみ接続され、第１のＭＲ膜１０にセ
ンス電流を供給することはない。

【００４６】このため、この手法を用いて形成されたＭ
Ｒヘッド１では、第１のＭＲ膜１０と第２のＭＲ膜１２
との間に形成される静磁結合が確実に形成され、ＭＲ素
子４の磁気的な安定化を維持することが可能となる。ま
た、このＭＲヘッド１では、ＭＲ素子４が磁気的に安定
化するために、磁気記録媒体に記録された信号磁界を良
好に再生することができる。

【００４７】また、上述した本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの製造方法では、保護層７が形成されたＭ
Ｒ素子４上に後端部電極６を形成した後、非磁性絶縁層
２６を形成する。これにより、この手法によれば、後端
部電極６を形成するための開口部２３を穿設する際、従
来の手法のように非磁性絶縁層をエッチングする必要が
なく保護層７のみをエッチングすればよい。したがっ
て、この手法では、後端部電極６を形成するための開口
部２３を穿設する際に要する時間を大幅に短縮すること
が可能となる。

【００４８】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明に係
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法では、２層の磁
気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子上の保護層をウ
ェットエッチングによりエッチングするために、磁気抵
抗効果素子に対して形成する電極が保護層の直下にある
一方の磁気抵抗効果膜にのみ接続することとなる。これ
により、この手法では、他方の磁気抵抗効果膜に対して
電流が供給されることがないために、電流が供給されな
い磁気抵抗効果膜が電流が供給される磁気抵抗効果膜を
磁気的に安定化させることができるような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを製造することができる。

【００４９】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法では、電極が接続されない磁気抵抗効果
膜が電気的な絶縁状態を確実に維持することが可能とな
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造することができる。
これにより、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッド製
造方法によれば、磁気記録媒体からの信号磁界を常に安
定的に検出し再生することが可能となる磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを製造することが可能となる。

【００５０】さらに、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法によれば、電極を形成するための開口
部をウエットエッチングにより穿設するために、電極形
成の工程に要する時間を大幅に短縮することができ、製
造工程を簡略化することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの要部断面図であ
る。

【図２】図１に示すＭＲヘッドのＢ−Ｂ線における要部
断面図である。

【図３】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面図である。

【図４】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面図である。

【図５】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面斜視図である。

【図６】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面斜視図である。

【図７】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面斜視図である。

【図８】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面斜視図である。

【図９】図８のＡ−Ａ線における要部断面図である。

【図１０】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明す
るための要部断面斜視図である。

【図１１】図１０のＡ−Ａ線における要部断面図であ
る。

【図１２】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明す
るための要部断面斜視図である。

【図１３】図１２のＡ−Ａ線における要部断面図であ
る。

【図１４】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明す
るための要部断面斜視図である。

【図１５】図１４のＡ−Ａ線における要部断面図であ
る。

【図１６】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明す
るための要部断面斜視図である。

【図１７】図１６のＡ−Ａ線における要部断面図であ
る。

【図１８】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を説明す
るための要部断面斜視図である。

【図１９】図１８のＡ−Ａ線における要部断面図であ
る。

【図２０】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を示す要
部断面図である。

【図２１】本発明に係るＭＲヘッドの製造工程を示す要
部断面図である。

【図２２】従来のＭＲヘッドの要部断面図である。

【図２３】従来のＭＲヘッドの製造工程を示す要部断面
図である。

【図２４】従来のＭＲヘッドの製造工程を示す要部断面
図である。

【図２５】従来のＭＲヘッドの製造工程を示す要部断面
図である。

【図２６】従来のＭＲヘッドにおいて、第１のＭＲ膜と
後端部電極とが接触した状態を示す要部断面図である。

【符号の説明】

１ 磁気抵抗効果型磁気ヘッド、４ 磁気抵抗効果素
子、５ 先端部電極、６後端部電極、７ 保護層、１０
第１の磁気抵抗効果膜、１１ 非磁性絶縁層、１２
第２の磁気抵抗効果膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 最上層に保護層を有し、非磁性膜を介し
   て一対の磁気抵抗効果膜が厚み方向に重ね合わされてな
   る磁気抵抗効果素子を形成する工程と、 上記磁気抵抗効果素子の保護層に対して、ウエット・エ
   ッチングにより電極を接続するための開口部を穿設する
   工程と、 上記保護層に穿設された開口部に対して電極を配設する
   工程とを有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
   ッドの製造方法。
2. 【請求項２】 上記磁気抵抗効果素子は、略矩形に形成
   され、その長手方向を磁気記録媒体に対して垂直に配す
   るとともにセンス電流が磁気記録媒体に対して垂直方向
   に供給されてなることを特徴とする請求項１記載の磁気
   抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。