JPH1125425A - 磁気ヘッド - Google Patents
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- JPH1125425A JPH1125425A JP9172635A JP17263597A JPH1125425A JP H1125425 A JPH1125425 A JP H1125425A JP 9172635 A JP9172635 A JP 9172635A JP 17263597 A JP17263597 A JP 17263597A JP H1125425 A JPH1125425 A JP H1125425A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度記録に対応して小型化された磁気回路
を有し、且つ、良好な記録再生特性を有するような磁気
ヘッドを提供する。 【解決手段】 本発明に係る磁気ヘッドは、少なくとも
一部に非磁性体７を有し、この非磁性体７を介して磁性
体を突き合わせて磁路を構成する磁気回路部６と、この
磁気回路部６に取り付けられ、絶縁層３を介して第１の
磁性層２及び第２の磁性層４が積層されてなる磁気トン
ネル素子１とを備える。この磁気ヘッドは、磁気回路部
に磁気記録媒体からの磁界が誘導されるとともに、誘導
された磁界により上記磁気トンネル素子１の第１の磁性
層２及び／又は第２の磁性層４の磁化の相対角度が変化
することを特徴とする。
を有し、且つ、良好な記録再生特性を有するような磁気
ヘッドを提供する。 【解決手段】 本発明に係る磁気ヘッドは、少なくとも
一部に非磁性体７を有し、この非磁性体７を介して磁性
体を突き合わせて磁路を構成する磁気回路部６と、この
磁気回路部６に取り付けられ、絶縁層３を介して第１の
磁性層２及び第２の磁性層４が積層されてなる磁気トン
ネル素子１とを備える。この磁気ヘッドは、磁気回路部
に磁気記録媒体からの磁界が誘導されるとともに、誘導
された磁界により上記磁気トンネル素子１の第１の磁性
層２及び／又は第２の磁性層４の磁化の相対角度が変化
することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に磁
気信号を記録及び／又は再生する磁気ヘッドに関し、特
に、磁気回路部を備えるヨーク型の磁気ヘッドに関す
る。
気信号を記録及び／又は再生する磁気ヘッドに関し、特
に、磁気回路部を備えるヨーク型の磁気ヘッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク等の磁気記録媒体
においては、大容量化が推進され、単位面積当たりの記
録密度が増加している。このような状況下において、大
容量化された磁気記録媒体に対して記録再生する磁気ヘ
ッドの開発が盛んに行われている。
においては、大容量化が推進され、単位面積当たりの記
録密度が増加している。このような状況下において、大
容量化された磁気記録媒体に対して記録再生する磁気ヘ
ッドの開発が盛んに行われている。
【０００３】そこで、近年、大容量化された磁気記録媒
体に対応した磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果素子を感
磁部として用いた磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと呼
ぶ。）が用いられている。このＭＲヘッドとしては、図
１６に概略的に示すように、磁気抵抗効果素子１００
と、非磁性体１０１を有するヨーク１０２Ａ，１０２
Ｂ，１０２Ｃとを備えるヨーク型ＭＲヘッドが挙げられ
る。このヨーク型ＭＲヘッドは、感磁部である磁気抵抗
効果素子１００が磁気記録媒体と摺動しないような構成
とされるため、耐久性に優れるといった特徴を有してい
る。すなわち、このヨーク型ＭＲヘッドにおいては、感
磁部である磁気抵抗効果素子１００か直接に磁気記録媒
体と接触することがなく、磁気抵抗効果素子１００を摩
耗するようなことがない。
体に対応した磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果素子を感
磁部として用いた磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと呼
ぶ。）が用いられている。このＭＲヘッドとしては、図
１６に概略的に示すように、磁気抵抗効果素子１００
と、非磁性体１０１を有するヨーク１０２Ａ，１０２
Ｂ，１０２Ｃとを備えるヨーク型ＭＲヘッドが挙げられ
る。このヨーク型ＭＲヘッドは、感磁部である磁気抵抗
効果素子１００が磁気記録媒体と摺動しないような構成
とされるため、耐久性に優れるといった特徴を有してい
る。すなわち、このヨーク型ＭＲヘッドにおいては、感
磁部である磁気抵抗効果素子１００か直接に磁気記録媒
体と接触することがなく、磁気抵抗効果素子１００を摩
耗するようなことがない。
【０００４】このヨーク型ＭＲヘッドは、非磁性体１０
１を介してヨーク１０２Ａとヨーク１０２Ｂとが突き合
わされて磁気ギャップを構成し、この磁気ギャップを介
して磁気記録媒体からの信号磁界を引き込む。そして、
このヨーク型ＭＲヘッドでは、引き込まれた磁界によっ
て、磁気抵抗効果素子１００及びヨーク１０２Ａ，１０
２Ｂ，１０２Ｃに磁束が流れて磁気回路を構成する。
１を介してヨーク１０２Ａとヨーク１０２Ｂとが突き合
わされて磁気ギャップを構成し、この磁気ギャップを介
して磁気記録媒体からの信号磁界を引き込む。そして、
このヨーク型ＭＲヘッドでは、引き込まれた磁界によっ
て、磁気抵抗効果素子１００及びヨーク１０２Ａ，１０
２Ｂ，１０２Ｃに磁束が流れて磁気回路を構成する。
【０００５】このとき、磁気抵抗効果素子１００では、
磁気回路内を流れる磁束により磁化方向が変化し、これ
に基づいて抵抗値が変化する。このヨーク型ヘッドは、
磁気抵抗効果素子１００の抵抗変化を検出することによ
り信号磁界を感知している。すなわち、この磁気抵抗効
果素子１００は、直接に信号磁界を検出するのではな
く、ヨーク１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃにより引き込
まれた磁界を検出している。
磁気回路内を流れる磁束により磁化方向が変化し、これ
に基づいて抵抗値が変化する。このヨーク型ヘッドは、
磁気抵抗効果素子１００の抵抗変化を検出することによ
り信号磁界を感知している。すなわち、この磁気抵抗効
果素子１００は、直接に信号磁界を検出するのではな
く、ヨーク１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃにより引き込
まれた磁界を検出している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うなヨーク型ＭＲヘッドでは、ヨーク１０２Ｂとヨーク
１０２Ｃとの間に磁気抵抗効果素子１００が配されてい
た。すなわち、このヨーク型ＭＲヘッドでは、磁気回路
を構成するヨーク１０２Ｂ及びヨーク１０２Ｃの間に磁
気的なギャップが形成されており、この磁気的なギャッ
プに磁気抵抗効果素子１００が配設されていた。
うなヨーク型ＭＲヘッドでは、ヨーク１０２Ｂとヨーク
１０２Ｃとの間に磁気抵抗効果素子１００が配されてい
た。すなわち、このヨーク型ＭＲヘッドでは、磁気回路
を構成するヨーク１０２Ｂ及びヨーク１０２Ｃの間に磁
気的なギャップが形成されており、この磁気的なギャッ
プに磁気抵抗効果素子１００が配設されていた。
【０００７】このように、磁気抵抗効果素子１００をヨ
ーク１０２Ｂ及びヨーク１０２Ｃの間の磁気的なギャッ
プに形成するということは、磁気抵抗効果素子１００と
ヨーク１０２Ｂとの接合部分及び磁気抵抗効果素子１０
０とヨーク１０２Ｃとの接合部分に大きな磁気抵抗を発
生することとなる。このため、上述したヨーク型ＭＲヘ
ッドでは、磁気回路を流れる磁束が小さなものとなり、
磁気抵抗効果素子１００の検出感度が低いものとなる。
ーク１０２Ｂ及びヨーク１０２Ｃの間の磁気的なギャッ
プに形成するということは、磁気抵抗効果素子１００と
ヨーク１０２Ｂとの接合部分及び磁気抵抗効果素子１０
０とヨーク１０２Ｃとの接合部分に大きな磁気抵抗を発
生することとなる。このため、上述したヨーク型ＭＲヘ
ッドでは、磁気回路を流れる磁束が小さなものとなり、
磁気抵抗効果素子１００の検出感度が低いものとなる。
【０００８】つまり、従来の磁気ヘッドでは、高密度記
録に対応して磁気抵抗効果素子１００を用いても、十分
な記録再生特性を得ることはできなかった。このよう
に、従来の磁気ヘッドとしては、磁気回路を小型化して
高密度記録に対応し、且つ、十分な記録再生特性を有す
るようなものがないというのが現状であった。
録に対応して磁気抵抗効果素子１００を用いても、十分
な記録再生特性を得ることはできなかった。このよう
に、従来の磁気ヘッドとしては、磁気回路を小型化して
高密度記録に対応し、且つ、十分な記録再生特性を有す
るようなものがないというのが現状であった。
【０００９】そこで、本発明は、このような実情に鑑み
て提案されたものであり、高密度記録に対応して小型化
された磁気回路を有し、且つ、良好な記録再生特性を有
するような磁気ヘッドを提供することを目的とする。
て提案されたものであり、高密度記録に対応して小型化
された磁気回路を有し、且つ、良好な記録再生特性を有
するような磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成した
本発明に係る磁気ヘッドは、少なくとも一部に非磁性体
を有し、この非磁性体を介して磁性体を突き合わせて磁
路を構成する磁気回路部と、この磁気回路部に取り付け
られ、絶縁層を介して第１の磁性層及び第２の磁性層が
積層されてなる磁気トンネル素子とを備える。この磁気
ヘッドは、磁気回路部に磁気記録媒体からの磁界が誘導
されるとともに、誘導された磁界により上記磁気トンネ
ル素子の第１の磁性層及び／又は第２の磁性層の磁化の
相対角度が変化することを特徴とする。
本発明に係る磁気ヘッドは、少なくとも一部に非磁性体
を有し、この非磁性体を介して磁性体を突き合わせて磁
路を構成する磁気回路部と、この磁気回路部に取り付け
られ、絶縁層を介して第１の磁性層及び第２の磁性層が
積層されてなる磁気トンネル素子とを備える。この磁気
ヘッドは、磁気回路部に磁気記録媒体からの磁界が誘導
されるとともに、誘導された磁界により上記磁気トンネ
ル素子の第１の磁性層及び／又は第２の磁性層の磁化の
相対角度が変化することを特徴とする。
【００１１】以上のように構成された本発明に係る磁気
ヘッドでは、磁気記録媒体から生じた磁界が磁気回路部
に導かれる。そして、磁気回路部は、所定の方向に磁化
され、磁気トンネル素子に磁界を印加する。これによ
り、磁気トンネル素子では、第１の磁性層及び／又は第
２の磁性層が所定の方向に磁化され、第１の磁性層の磁
化と第２の磁性層の磁化とが所定の相対角度を持つこと
となる。そして、この磁気トンネル素子では、第１の磁
性層の磁化方向と第２の磁性層の磁化方向との相対角度
に応じて、第１の磁性層と第２の磁性層との間に流れる
トンネル電流の抵抗値が変化する。このため、磁気ヘッ
ドは、第１の磁性層と第２の磁性層との間に流れるトン
ネル電流の抵抗値変化を検出することにより磁気記録媒
体からの磁界を検出することができる。
ヘッドでは、磁気記録媒体から生じた磁界が磁気回路部
に導かれる。そして、磁気回路部は、所定の方向に磁化
され、磁気トンネル素子に磁界を印加する。これによ
り、磁気トンネル素子では、第１の磁性層及び／又は第
２の磁性層が所定の方向に磁化され、第１の磁性層の磁
化と第２の磁性層の磁化とが所定の相対角度を持つこと
となる。そして、この磁気トンネル素子では、第１の磁
性層の磁化方向と第２の磁性層の磁化方向との相対角度
に応じて、第１の磁性層と第２の磁性層との間に流れる
トンネル電流の抵抗値が変化する。このため、磁気ヘッ
ドは、第１の磁性層と第２の磁性層との間に流れるトン
ネル電流の抵抗値変化を検出することにより磁気記録媒
体からの磁界を検出することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気ヘッドの
実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】この磁気ヘッドには、図１に示すように、
磁界検出手段として磁気トンネル素子１が備えられてい
る。この磁気トンネル素子１は、第１の磁性層２と、こ
の第１の磁性層２に積層された絶縁層３と、絶縁層３を
介して第１の磁性層２に積層された第２の磁性層４とを
備える。この磁気トンネル素子１では、第１の磁性層２
と第２の磁性層４との間が絶縁状態とされ、すなわち、
第１の磁性層２と第２の磁性層４との間にはトンネル電
流以外の電流が流れるようなことはない。
磁界検出手段として磁気トンネル素子１が備えられてい
る。この磁気トンネル素子１は、第１の磁性層２と、こ
の第１の磁性層２に積層された絶縁層３と、絶縁層３を
介して第１の磁性層２に積層された第２の磁性層４とを
備える。この磁気トンネル素子１では、第１の磁性層２
と第２の磁性層４との間が絶縁状態とされ、すなわち、
第１の磁性層２と第２の磁性層４との間にはトンネル電
流以外の電流が流れるようなことはない。
【００１４】また、この磁気トンネル素子１は、図示し
ないが、積層方向に所定のトンネル電流を供給する定電
流源と接続されている。この磁気トンネル素子１におい
て、定電流源は、第１の磁性層２及び第２の磁性層４に
それぞれ電気的に接続されており、絶縁層３を介して第
１の磁性層２及び第２の磁性層４の間にトンネル電流を
流すように構成されている。
ないが、積層方向に所定のトンネル電流を供給する定電
流源と接続されている。この磁気トンネル素子１におい
て、定電流源は、第１の磁性層２及び第２の磁性層４に
それぞれ電気的に接続されており、絶縁層３を介して第
１の磁性層２及び第２の磁性層４の間にトンネル電流を
流すように構成されている。
【００１５】この磁気トンネル素子１において、第１の
磁性層２及び第２の磁性層４としては、例えば、Ｆｅ、
ＦｅＮｉ、ＦｅＭｎ等の磁性材料が用いられる。また、
絶縁層３としては、例えば、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料が用
いられる。そして、この磁気トンネル素子１において、
絶縁層３の膜厚は、特に限定されないが、第１の磁性層
２と第２の磁性層４との間にトンネル電流が流れる程度
の膜厚として、約１０オングストローム程度とする。
磁性層２及び第２の磁性層４としては、例えば、Ｆｅ、
ＦｅＮｉ、ＦｅＭｎ等の磁性材料が用いられる。また、
絶縁層３としては、例えば、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料が用
いられる。そして、この磁気トンネル素子１において、
絶縁層３の膜厚は、特に限定されないが、第１の磁性層
２と第２の磁性層４との間にトンネル電流が流れる程度
の膜厚として、約１０オングストローム程度とする。
【００１６】この磁気トンネル素子１において、第１の
磁性層２は、外部から印加される磁界に対応して、その
磁化方向が変化するような材料から構成される。また、
この第１の磁性層２の膜厚は、特に限定されないが、軟
磁気特性を示す程度の膜厚として、約２００〜数百オン
グストローム程度とする。
磁性層２は、外部から印加される磁界に対応して、その
磁化方向が変化するような材料から構成される。また、
この第１の磁性層２の膜厚は、特に限定されないが、軟
磁気特性を示す程度の膜厚として、約２００〜数百オン
グストローム程度とする。
【００１７】これに対して、第２の磁性層４は、外部の
磁界に対応して、その磁化方向が変化することのないも
のとする。具体的には、第２の磁性層４として、例え
ば、一方向に磁化が固定された硬磁性材料から形成して
もよいし、反強磁性材料等を積層して磁化を固定したも
のから形成してもよい。また、この第２の磁性層４の膜
厚は、反強磁性膜を用いて磁化を固定した場合、確実に
磁化を固定できる膜厚として、数十〜２００オングスト
ローム程度とする。
磁界に対応して、その磁化方向が変化することのないも
のとする。具体的には、第２の磁性層４として、例え
ば、一方向に磁化が固定された硬磁性材料から形成して
もよいし、反強磁性材料等を積層して磁化を固定したも
のから形成してもよい。また、この第２の磁性層４の膜
厚は、反強磁性膜を用いて磁化を固定した場合、確実に
磁化を固定できる膜厚として、数十〜２００オングスト
ローム程度とする。
【００１８】また、この磁気ヘッドには、上述した磁気
トンネル素子１が取り付けられる磁気回路部５が備えら
れている。この磁気回路部５は、略環状に形成されたヨ
ーク６と、このヨーク６に挟み込まれるように形成され
た非磁性部７とを有する。この磁気回路部５において、
ヨーク６は、例えば、ＮｉＦｅ（パーマロイ）等の磁性
材料からなり、非磁性部７は、例えば、ＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3等の非磁性材料からなる。
トンネル素子１が取り付けられる磁気回路部５が備えら
れている。この磁気回路部５は、略環状に形成されたヨ
ーク６と、このヨーク６に挟み込まれるように形成され
た非磁性部７とを有する。この磁気回路部５において、
ヨーク６は、例えば、ＮｉＦｅ（パーマロイ）等の磁性
材料からなり、非磁性部７は、例えば、ＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3等の非磁性材料からなる。
【００１９】そして、この磁気回路部５では、非磁性部
７によりヨーク６の一部が磁気的に遮断される。これに
より、この磁気ヘッドは、非磁性部７を介して突き合わ
された部分が磁気ギャップとなる。
７によりヨーク６の一部が磁気的に遮断される。これに
より、この磁気ヘッドは、非磁性部７を介して突き合わ
された部分が磁気ギャップとなる。
【００２０】以上のように構成された磁気ヘッドは、磁
気記録媒体に記録された磁気信号を再生する。
気記録媒体に記録された磁気信号を再生する。
【００２１】このとき、この磁気ヘッドは、磁気記録媒
体に対して磁気ギャップが対向するように配される。そ
して、磁気記録媒体に記録された磁気信号から生ずる漏
れ磁界は、磁気ギャップ周辺に印加される。これによ
り、磁気信号はヨーク６に導かれることとなり、磁気信
号に応じてヨーク６が磁化される。具体的には、この磁
気ヘッドでは、磁気ギャップを介して、図１中矢印Ａ又
は矢印Ｂいずれかの方向に磁化が導かれる。
体に対して磁気ギャップが対向するように配される。そ
して、磁気記録媒体に記録された磁気信号から生ずる漏
れ磁界は、磁気ギャップ周辺に印加される。これによ
り、磁気信号はヨーク６に導かれることとなり、磁気信
号に応じてヨーク６が磁化される。具体的には、この磁
気ヘッドでは、磁気ギャップを介して、図１中矢印Ａ又
は矢印Ｂいずれかの方向に磁化が導かれる。
【００２２】そして、この磁気ヘッドでは、磁気回路部
５に流れた磁化を磁気トンネル素子１により検出する。
この磁気トンネル素子１は、ヨーク６に流れる磁化によ
り磁気トンネリング効果を発生し、この磁気トンネリン
グ効果によりヨーク６に流れた磁化を検出する。
５に流れた磁化を磁気トンネル素子１により検出する。
この磁気トンネル素子１は、ヨーク６に流れる磁化によ
り磁気トンネリング効果を発生し、この磁気トンネリン
グ効果によりヨーク６に流れた磁化を検出する。
【００２３】この磁気トンネリング効果に関して、図２
を用いて説明する。この図２に示めす磁気トンネル素子
１１は、第１の磁性層１２と第２の磁性層１３とが絶縁
層１４を介して積層されてなる。そして、この磁気トン
ネル素子１１は、第１の磁性層１２と第２の磁性層１３
とに対して所定の電流を供給する定電流源１５が接続さ
れて回路を構成している。この回路には、流れる電流の
電圧を測定する電圧器１６が配されている。
を用いて説明する。この図２に示めす磁気トンネル素子
１１は、第１の磁性層１２と第２の磁性層１３とが絶縁
層１４を介して積層されてなる。そして、この磁気トン
ネル素子１１は、第１の磁性層１２と第２の磁性層１３
とに対して所定の電流を供給する定電流源１５が接続さ
れて回路を構成している。この回路には、流れる電流の
電圧を測定する電圧器１６が配されている。
【００２４】上述のように構成された磁気トンネル素子
１１を有する回路において、第１の磁性層１２は、外部
磁界に対応して、その磁化方向が変化するものとする。
これに対して、第２の磁性層１３は、外部磁界に影響さ
れずその磁化方向が変化しないものとする。
１１を有する回路において、第１の磁性層１２は、外部
磁界に対応して、その磁化方向が変化するものとする。
これに対して、第２の磁性層１３は、外部磁界に影響さ
れずその磁化方向が変化しないものとする。
【００２５】先ず、この磁気トンネル素子１１を有する
回路に対して、第２の磁性層１３の磁化方向と略平行な
外部磁界を印加する。これにより、第１の磁性層１２
は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する。すなわち、
第１の磁性層１２の磁化方向と第２の磁性層１３の磁化
方向とが略平行となる。次に、この磁気トンネル素子１
１を有する回路に対して、第２の磁性層１３の磁化方向
と反平行な外部磁界を印加する。これにより、第１の磁
性層１２は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する。し
かし、第２の磁性層１３は、その磁化方向が変化しな
い。すなわち、この場合、第１の磁性層１２の磁化方向
と第２の磁性層１３の磁化方向とが反平行となる。な
お、それぞれの場合において、この回路には、所定の電
流が供給されている。
回路に対して、第２の磁性層１３の磁化方向と略平行な
外部磁界を印加する。これにより、第１の磁性層１２
は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する。すなわち、
第１の磁性層１２の磁化方向と第２の磁性層１３の磁化
方向とが略平行となる。次に、この磁気トンネル素子１
１を有する回路に対して、第２の磁性層１３の磁化方向
と反平行な外部磁界を印加する。これにより、第１の磁
性層１２は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する。し
かし、第２の磁性層１３は、その磁化方向が変化しな
い。すなわち、この場合、第１の磁性層１２の磁化方向
と第２の磁性層１３の磁化方向とが反平行となる。な
お、それぞれの場合において、この回路には、所定の電
流が供給されている。
【００２６】このような磁気トンネル素子１１を有する
回路において、第１の磁性層１２の磁化方向と第２の磁
性層１３の磁化方向とが平行である場合、絶縁層１４を
介して流れるトンネル電流に対する抵抗値が最小とな
る。これに対して、第１の磁性層１２の磁化方向と第２
の磁性層１３の磁化方向とが反平行である場合、絶縁層
１４を介して流れるトンネル電流に対する抵抗値が最大
となる。このように、磁気トンネル素子１１では、第１
の磁性層１２の磁化方向と第２の磁性層１３の磁化方向
との相対角度に応じて、トンネル電流に対する抵抗が変
化する。
回路において、第１の磁性層１２の磁化方向と第２の磁
性層１３の磁化方向とが平行である場合、絶縁層１４を
介して流れるトンネル電流に対する抵抗値が最小とな
る。これに対して、第１の磁性層１２の磁化方向と第２
の磁性層１３の磁化方向とが反平行である場合、絶縁層
１４を介して流れるトンネル電流に対する抵抗値が最大
となる。このように、磁気トンネル素子１１では、第１
の磁性層１２の磁化方向と第２の磁性層１３の磁化方向
との相対角度に応じて、トンネル電流に対する抵抗が変
化する。
【００２７】このため、この磁気トンネル素子１１を有
する回路に一定の電流を供給すると、磁気トンネル素子
１１に生じる抵抗変化は、流れる電流の電圧変化として
示される。そして、この電圧変化を電圧器１６にて検出
することによって、第１の磁性層１２の磁化方向と第２
の磁性層１３の磁化方向との相対角度が検出できる。す
なわち、磁気トンネリング効果によれば、磁気トンネル
素子１１に対して、所定の電流を供給し、この電流に対
する抵抗値を電圧値として検出することにより外部磁界
の方向を検出することができる。
する回路に一定の電流を供給すると、磁気トンネル素子
１１に生じる抵抗変化は、流れる電流の電圧変化として
示される。そして、この電圧変化を電圧器１６にて検出
することによって、第１の磁性層１２の磁化方向と第２
の磁性層１３の磁化方向との相対角度が検出できる。す
なわち、磁気トンネリング効果によれば、磁気トンネル
素子１１に対して、所定の電流を供給し、この電流に対
する抵抗値を電圧値として検出することにより外部磁界
の方向を検出することができる。
【００２８】ところで、上述したような磁気ヘッドで
は、磁気トンネル素子１における第１の磁性層２がヨー
ク６に導かれた磁界に応じて磁化される。すなわち、こ
の第１の磁性層２は、ヨーク６に導かれた磁化によっ
て、第２の磁性層４の磁化方向に対して所定の角度を有
するようになる。
は、磁気トンネル素子１における第１の磁性層２がヨー
ク６に導かれた磁界に応じて磁化される。すなわち、こ
の第１の磁性層２は、ヨーク６に導かれた磁化によっ
て、第２の磁性層４の磁化方向に対して所定の角度を有
するようになる。
【００２９】そして、この磁気ヘッドでは、定電流源か
ら所定の電流が磁気トンネル素子１の積層方向に供給さ
れている。そして、この電流の電圧値を検出することに
よって、磁気トンネル素子１の抵抗値を検出する。この
抵抗値に基づき、第１の磁性層２の磁化方向と第２の磁
性層４の磁化方向との相対角度が検出される。この磁気
ヘッドでは、このように磁気トンネル素子１の抵抗値を
検出することによって、ヨーク６に導かれた磁界の方向
を感知することができる。
ら所定の電流が磁気トンネル素子１の積層方向に供給さ
れている。そして、この電流の電圧値を検出することに
よって、磁気トンネル素子１の抵抗値を検出する。この
抵抗値に基づき、第１の磁性層２の磁化方向と第２の磁
性層４の磁化方向との相対角度が検出される。この磁気
ヘッドでは、このように磁気トンネル素子１の抵抗値を
検出することによって、ヨーク６に導かれた磁界の方向
を感知することができる。
【００３０】上述したような磁気ヘッドでは、磁気トン
ネル素子１が磁気回路部５のヨーク６に取り付けられ、
この磁気トンネル素子１により磁気記録媒体からの信号
磁界を検出している。そして、この磁気トンネル素子１
は、第１の磁性層２の磁化方向がヨーク６に導かれた磁
界に応じて変化するようにヨーク６に取り付けられてい
る。すなわち、磁気トンネル素子１は、第１の磁性層１
の磁化方向が変化するように取り付けられればよい。こ
のため、この磁気ヘッドでは、磁気トンネル素子１を取
り付けるためにヨーク６の一部に磁気的なギャップを形
成する必要がない。
ネル素子１が磁気回路部５のヨーク６に取り付けられ、
この磁気トンネル素子１により磁気記録媒体からの信号
磁界を検出している。そして、この磁気トンネル素子１
は、第１の磁性層２の磁化方向がヨーク６に導かれた磁
界に応じて変化するようにヨーク６に取り付けられてい
る。すなわち、磁気トンネル素子１は、第１の磁性層１
の磁化方向が変化するように取り付けられればよい。こ
のため、この磁気ヘッドでは、磁気トンネル素子１を取
り付けるためにヨーク６の一部に磁気的なギャップを形
成する必要がない。
【００３１】したがって、この磁気ヘッドでは、磁気記
録媒体から生じた磁界がヨーク６に導かれる際の効率が
低下することがなく、効率よく磁気回路を形成すること
ができる。このため、第１の磁性層２では、ヨーク６内
に流れる磁界に応じて容易に磁化方向が変化する。この
ように、この磁気ヘッドでは、ヨーク６内に流れる磁界
の効率が良好であるためにヨーク６を小型化することが
できる。これに伴い、磁気ヘッドは、小型化が図られた
ものとなり、高密度記録に適したものとなる。
録媒体から生じた磁界がヨーク６に導かれる際の効率が
低下することがなく、効率よく磁気回路を形成すること
ができる。このため、第１の磁性層２では、ヨーク６内
に流れる磁界に応じて容易に磁化方向が変化する。この
ように、この磁気ヘッドでは、ヨーク６内に流れる磁界
の効率が良好であるためにヨーク６を小型化することが
できる。これに伴い、磁気ヘッドは、小型化が図られた
ものとなり、高密度記録に適したものとなる。
【００３２】ところで、このような磁気ヘッドでは、磁
気トンネル素子１の第１の磁性層２の磁化方向が効率よ
く変化することが好ましい。すなわち、第１の磁性層２
の磁化方向は、磁気記録媒体がら生じた磁界が小さい場
合でも容易に変化することが好ましい。
気トンネル素子１の第１の磁性層２の磁化方向が効率よ
く変化することが好ましい。すなわち、第１の磁性層２
の磁化方向は、磁気記録媒体がら生じた磁界が小さい場
合でも容易に変化することが好ましい。
【００３３】このため、磁気ヘッドでは、ヨーク６に流
れる磁界の磁束密度を、磁気トンネル素子１が取り付け
られた部分おいて大きくすればよい。すなわち、この磁
気ヘッドは、図３に示すように、磁気トンネル素子１を
取り受けた部分に向かって、ヨーク６の断面積が次第に
小となるような構成とされることが好ましい。
れる磁界の磁束密度を、磁気トンネル素子１が取り付け
られた部分おいて大きくすればよい。すなわち、この磁
気ヘッドは、図３に示すように、磁気トンネル素子１を
取り受けた部分に向かって、ヨーク６の断面積が次第に
小となるような構成とされることが好ましい。
【００３４】このとき、ヨーク６は、図３中（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、磁気トンネル素
子１に向かった一方の断面積が小となうようなものであ
ってもよい。また、ヨーク６としては、図３中（Ｅ）、
（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）に示すように、磁気トンネル素
子１に向かった両方の断面積が小となるようなものであ
ってもよい。
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、磁気トンネル素
子１に向かった一方の断面積が小となうようなものであ
ってもよい。また、ヨーク６としては、図３中（Ｅ）、
（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）に示すように、磁気トンネル素
子１に向かった両方の断面積が小となるようなものであ
ってもよい。
【００３５】これらの場合、ヨーク６に流れる磁界は、
断面積が小となる部分で磁束密度が大となる。このた
め、第１の磁性層２は、更に容易に磁化されることとな
る。また、このような場合、第１の磁性層２に印加する
磁界が大きくなるため、ヨーク６をより小型化すること
ができる。
断面積が小となる部分で磁束密度が大となる。このた
め、第１の磁性層２は、更に容易に磁化されることとな
る。また、このような場合、第１の磁性層２に印加する
磁界が大きくなるため、ヨーク６をより小型化すること
ができる。
【００３６】ところで、図１に示した磁気ヘッドを製造
する際には、先ず、図４に示すように、基板２０を用意
する。この基板２０は、非磁性材料からなり、所望の形
状に形成される。
する際には、先ず、図４に示すように、基板２０を用意
する。この基板２０は、非磁性材料からなり、所望の形
状に形成される。
【００３７】次に、図５に示すように、基板２０上に第
１のヨーク２１を形成する。この第１のヨーク２１は、
磁気回路部５を構成するものであり、基板２０上に一面
に形成された後にマスクスパッタや、フォトリソグラフ
ィ等の手法を用いて所望の形状とされる。
１のヨーク２１を形成する。この第１のヨーク２１は、
磁気回路部５を構成するものであり、基板２０上に一面
に形成された後にマスクスパッタや、フォトリソグラフ
ィ等の手法を用いて所望の形状とされる。
【００３８】次に、図６に示すように、第１のヨーク２
１上に第１の磁性層２を形成する。この第１の磁性層２
は、第１のヨーク２１の場合と同様に所望の形状とされ
る。このとき、第１の磁性層２の形状としては、特に限
定するものではないが、電極を引き出すことを考慮する
と矩形状であることが好ましい。この第１の磁性層２
は、上述したように、軟磁気特性に優れた材料から形成
され、第１のヨーク２１の磁化方向に依存して変化する
磁化を有する。
１上に第１の磁性層２を形成する。この第１の磁性層２
は、第１のヨーク２１の場合と同様に所望の形状とされ
る。このとき、第１の磁性層２の形状としては、特に限
定するものではないが、電極を引き出すことを考慮する
と矩形状であることが好ましい。この第１の磁性層２
は、上述したように、軟磁気特性に優れた材料から形成
され、第１のヨーク２１の磁化方向に依存して変化する
磁化を有する。
【００３９】次に、図７に示すように、第１の磁性層２
上に絶縁層３を形成する。このとき、絶縁層３として
は、第１の磁性層２と第２の磁性層４との間にトンネル
電流が流れ、且つ、第１の磁性層２と第２の磁性層４と
の間に電気的なリークが発生しない程度の膜厚であるこ
とが必要である。具体的には、絶縁層３の膜厚は、約１
０オングストローム程度とされる。また、絶縁層３とし
ては、トンネル電流が良好に流れるため、その表面積も
考慮する必要がある。
上に絶縁層３を形成する。このとき、絶縁層３として
は、第１の磁性層２と第２の磁性層４との間にトンネル
電流が流れ、且つ、第１の磁性層２と第２の磁性層４と
の間に電気的なリークが発生しない程度の膜厚であるこ
とが必要である。具体的には、絶縁層３の膜厚は、約１
０オングストローム程度とされる。また、絶縁層３とし
ては、トンネル電流が良好に流れるため、その表面積も
考慮する必要がある。
【００４０】次に、図８に示すように、この絶縁層３上
に第２の磁性層４を形成する。この第２の磁性層４は、
第１の磁性層２との間に直接的な接触がないように形成
される。この第２の磁性層４の形状も、第１の磁性層２
と同様に、特に限定されるものではないが、電極を引き
出すことを考慮すると矩形状であることが好ましい。こ
の第２の磁性層４は、上述したように、一方向に固定さ
れた磁化を有するように、硬磁性材料を用いたり、又
は、磁性層と反強磁性層とを積層して磁化を固定したも
のを用いてもよい。
に第２の磁性層４を形成する。この第２の磁性層４は、
第１の磁性層２との間に直接的な接触がないように形成
される。この第２の磁性層４の形状も、第１の磁性層２
と同様に、特に限定されるものではないが、電極を引き
出すことを考慮すると矩形状であることが好ましい。こ
の第２の磁性層４は、上述したように、一方向に固定さ
れた磁化を有するように、硬磁性材料を用いたり、又
は、磁性層と反強磁性層とを積層して磁化を固定したも
のを用いてもよい。
【００４１】次に、図示しないが、第１の磁性層２と第
２の磁性層４とに対してそれぞれ電極を形成する。これ
らの電極は、図示しない定電流源と接続されている。
２の磁性層４とに対してそれぞれ電極を形成する。これ
らの電極は、図示しない定電流源と接続されている。
【００４２】次に、図９に示すように、第１のヨーク２
１上の一端部２１Ａに磁気ギャップを構成する非磁性膜
２２を形成する。この非磁性膜２２の厚みは、磁気ヘッ
ドにおけるギャップ幅となるため、これに対応して所定
の膜厚とされる。
１上の一端部２１Ａに磁気ギャップを構成する非磁性膜
２２を形成する。この非磁性膜２２の厚みは、磁気ヘッ
ドにおけるギャップ幅となるため、これに対応して所定
の膜厚とされる。
【００４３】次に、図１０乃至図１２に示すように、第
１のヨーク２１とともに磁気回路部５を構成する第２の
ヨーク２３を形成する。この手法において第２のヨーク
２３を形成する際には、先ず、図１０に示すように、非
磁性膜２２上とこの非磁性膜２２とは反対側の端部２１
Ｂ上とに一対の水平部２４を形成する。次に、図１１に
示すように、一対の水平部２４から一対の垂直部２５を
立設する。そして、次に、図１２に示すように、一対の
垂直部２５を掛け渡すように掛渡し部２６を形成する。
なお、この第２のヨーク２３は、所望の形状が得られる
のであれれば、スパッタリングやエッチング等の手法を
用いて一工程で形成されてもよい。
１のヨーク２１とともに磁気回路部５を構成する第２の
ヨーク２３を形成する。この手法において第２のヨーク
２３を形成する際には、先ず、図１０に示すように、非
磁性膜２２上とこの非磁性膜２２とは反対側の端部２１
Ｂ上とに一対の水平部２４を形成する。次に、図１１に
示すように、一対の水平部２４から一対の垂直部２５を
立設する。そして、次に、図１２に示すように、一対の
垂直部２５を掛け渡すように掛渡し部２６を形成する。
なお、この第２のヨーク２３は、所望の形状が得られる
のであれれば、スパッタリングやエッチング等の手法を
用いて一工程で形成されてもよい。
【００４４】そして、非磁性膜２２が露出する端面に対
して鏡面加工等を施したり、全体の形状を整えるために
研削加工等を施す。このようにして、図１に示したよう
な磁気ヘッドを製造することができる。
して鏡面加工等を施したり、全体の形状を整えるために
研削加工等を施す。このようにして、図１に示したよう
な磁気ヘッドを製造することができる。
【００４５】ところで、本発明に係る磁気ヘッドは、上
述したような構成に限定されるものではなく、磁気回路
部に誘導された磁界を磁気トンネル素子により検出でき
るような構成であればよい。
述したような構成に限定されるものではなく、磁気回路
部に誘導された磁界を磁気トンネル素子により検出でき
るような構成であればよい。
【００４６】すなわち、磁気ヘッドとしては、図１３に
示すように、磁気回路部５であるヨーク６内に磁気トン
ネル素子３０を有するような構成であってもよい。この
磁気ヘッドは、磁気回路部５であるヨーク６と、このヨ
ーク６内に埋め込まれた磁気トンネル素子３０とを備え
る。この磁気トンネル素子３０は、第１の磁性層３１が
ヨーク６の一方の面から露出し、第２の磁性層３２がヨ
ーク６の他方の面から露出するような構成となってい
る。そして、これら第１の磁性層３１及び第２の磁性層
３２は、それぞれ露出した面から電極が引き出され、図
示しない定電流源に接続されている。
示すように、磁気回路部５であるヨーク６内に磁気トン
ネル素子３０を有するような構成であってもよい。この
磁気ヘッドは、磁気回路部５であるヨーク６と、このヨ
ーク６内に埋め込まれた磁気トンネル素子３０とを備え
る。この磁気トンネル素子３０は、第１の磁性層３１が
ヨーク６の一方の面から露出し、第２の磁性層３２がヨ
ーク６の他方の面から露出するような構成となってい
る。そして、これら第１の磁性層３１及び第２の磁性層
３２は、それぞれ露出した面から電極が引き出され、図
示しない定電流源に接続されている。
【００４７】この磁気ヘッドにおいても、図１に示した
磁気ヘッドと同様に、第１の磁性層３１の磁化方向が外
部磁界に対応して変化し、第２の磁性層３２の磁化方向
が外部磁界によらず固定とされる。
磁気ヘッドと同様に、第１の磁性層３１の磁化方向が外
部磁界に対応して変化し、第２の磁性層３２の磁化方向
が外部磁界によらず固定とされる。
【００４８】このように形成された磁気ヘッドでは、磁
気記録媒体から発生じた磁界をヨーク６内に導き、ヨー
ク６内に導かれた磁界により第１の磁性３１層の磁化方
向が変化する。そして、この磁気ヘッドでは、第１の磁
性層３１の磁化方向と第２の磁性層３２の磁化方向との
相対角度に依存する抵抗値を電圧値として検出してい
る。これにより、磁気ヘッドは、磁気記録媒体の磁界を
検出することができる。
気記録媒体から発生じた磁界をヨーク６内に導き、ヨー
ク６内に導かれた磁界により第１の磁性３１層の磁化方
向が変化する。そして、この磁気ヘッドでは、第１の磁
性層３１の磁化方向と第２の磁性層３２の磁化方向との
相対角度に依存する抵抗値を電圧値として検出してい
る。これにより、磁気ヘッドは、磁気記録媒体の磁界を
検出することができる。
【００４９】この磁気ヘッドを製造する際には、図１４
に示すように、ヨーク６の一部に微小の孔３３を穿設
し、この孔３３内に磁気トンネル素子３０を配設する。
または、薄膜形成手法を用いてこの磁気ヘッドを製造す
るような場合には、先に磁気トンネル素子３０を形成
し、その後、磁気トンネル素子３０を埋め込むようにヨ
ーク６となる部分を形成してもよい。
に示すように、ヨーク６の一部に微小の孔３３を穿設
し、この孔３３内に磁気トンネル素子３０を配設する。
または、薄膜形成手法を用いてこの磁気ヘッドを製造す
るような場合には、先に磁気トンネル素子３０を形成
し、その後、磁気トンネル素子３０を埋め込むようにヨ
ーク６となる部分を形成してもよい。
【００５０】このように構成された磁気ヘッドでは、ヨ
ーク６に磁気的なギャップを形成することなくヨーク６
を形成することができるため、磁気記録媒体から生じた
磁界がヨーク６に導かれる際の効率が低下することがな
く、効率よく磁気回路を形成することができる。このた
め、第１の磁性層３１では、ヨーク６内に流れる磁界に
応じて容易に磁化方向が変化する。このように、この磁
気ヘッドでは、ヨーク６内に流れる磁界の効率が良好で
あるためにヨーク６を小型化することができる。これに
伴い、磁気ヘッドは、小型化が図られたものとなり、高
密度記録に適したものとなる。
ーク６に磁気的なギャップを形成することなくヨーク６
を形成することができるため、磁気記録媒体から生じた
磁界がヨーク６に導かれる際の効率が低下することがな
く、効率よく磁気回路を形成することができる。このた
め、第１の磁性層３１では、ヨーク６内に流れる磁界に
応じて容易に磁化方向が変化する。このように、この磁
気ヘッドでは、ヨーク６内に流れる磁界の効率が良好で
あるためにヨーク６を小型化することができる。これに
伴い、磁気ヘッドは、小型化が図られたものとなり、高
密度記録に適したものとなる。
【００５１】また、磁気トンネル素子３０は、上述した
ように、ヨーク６内に埋め込まれてなるような構成に限
定されず、例えば、ヨーク６の一部に配された非磁性部
７内に埋め込まれるようなものであってもよい。この場
合には、磁気トンネル素子３０を配する領域をヨーク６
に設ける必要がないため、ヨーク６を小型化することが
できる。このため、磁気ヘッドとしては、更に小型化さ
れたものとなる。
ように、ヨーク６内に埋め込まれてなるような構成に限
定されず、例えば、ヨーク６の一部に配された非磁性部
７内に埋め込まれるようなものであってもよい。この場
合には、磁気トンネル素子３０を配する領域をヨーク６
に設ける必要がないため、ヨーク６を小型化することが
できる。このため、磁気ヘッドとしては、更に小型化さ
れたものとなる。
【００５２】さらに、本発明に係る磁気ヘッドは、上述
したように、磁気トンネル素子を再生時の磁界検出手段
として用いるものに限定されず、図１５に示すように、
磁気信号を記録する磁気ヘッドにも適用される。
したように、磁気トンネル素子を再生時の磁界検出手段
として用いるものに限定されず、図１５に示すように、
磁気信号を記録する磁気ヘッドにも適用される。
【００５３】すなわち、この場合、磁気ヘッドは、コイ
ル４０を備える。このコイル４０は、ヨーク６に巻回さ
れており、所定の電流が供給される。この磁気ヘッドで
は、コイル４０が巻回された領域とは異なる領域に磁気
トンネル素子４１を備える。そして、この磁気ヘッド
は、磁気トンネル素子４１に所定のトンネル電流を供給
するとともに、コイル４０に所定の電流を供給するよう
な構成を有する。
ル４０を備える。このコイル４０は、ヨーク６に巻回さ
れており、所定の電流が供給される。この磁気ヘッドで
は、コイル４０が巻回された領域とは異なる領域に磁気
トンネル素子４１を備える。そして、この磁気ヘッド
は、磁気トンネル素子４１に所定のトンネル電流を供給
するとともに、コイル４０に所定の電流を供給するよう
な構成を有する。
【００５４】このように構成された磁気ヘッドは、コイ
ル４０に所定の電流を供給することにより磁気記録媒体
に磁気信号を記録する。この磁気ヘッドでは、コイル４
０に所定の電流を供給することにより磁界を発生し、ヨ
ーク６が磁化されることとなる。そして、この磁気ヘッ
ドでは、ヨーク６の一部に非磁性部７からなる磁気ギャ
ップを有するため、この磁気ギャップから生じる磁界を
磁気記録媒体に印加している。
ル４０に所定の電流を供給することにより磁気記録媒体
に磁気信号を記録する。この磁気ヘッドでは、コイル４
０に所定の電流を供給することにより磁界を発生し、ヨ
ーク６が磁化されることとなる。そして、この磁気ヘッ
ドでは、ヨーク６の一部に非磁性部７からなる磁気ギャ
ップを有するため、この磁気ギャップから生じる磁界を
磁気記録媒体に印加している。
【００５５】このとき、この磁気ヘッドでは、磁気トン
ネル素子４１に所定の電流が供給されている。磁気トン
ネル素子４１は、この磁気ヘッドに取り付けられて、ヨ
ーク６の磁化状態を検出している。このため、この磁気
ヘッドでは、記録に適した磁界を発生しているかを観測
することができる。そして、この磁気ヘッドでは、ヨー
ク６の磁化状態に応じて、コイル４１に供給する電流を
調節することができる。したがって、この磁気ヘッド
は、常に良好に信号磁界を記録することができる。
ネル素子４１に所定の電流が供給されている。磁気トン
ネル素子４１は、この磁気ヘッドに取り付けられて、ヨ
ーク６の磁化状態を検出している。このため、この磁気
ヘッドでは、記録に適した磁界を発生しているかを観測
することができる。そして、この磁気ヘッドでは、ヨー
ク６の磁化状態に応じて、コイル４１に供給する電流を
調節することができる。したがって、この磁気ヘッド
は、常に良好に信号磁界を記録することができる。
【００５６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る磁気ヘッドでは、磁界を検出する手段として磁気ト
ンネル素子が用いられているため、磁気的なギャップを
有さない磁気回路部を形成することができる。このた
め、磁気回路部は、磁気記録媒体から生ずる磁界を効率
よく誘導することができる。したがって、この磁気ヘッ
ドは、磁気トンネル素子に有効に磁界を印加することが
でき、良好な記録再生特性を有するものとなる。
係る磁気ヘッドでは、磁界を検出する手段として磁気ト
ンネル素子が用いられているため、磁気的なギャップを
有さない磁気回路部を形成することができる。このた
め、磁気回路部は、磁気記録媒体から生ずる磁界を効率
よく誘導することができる。したがって、この磁気ヘッ
ドは、磁気トンネル素子に有効に磁界を印加することが
でき、良好な記録再生特性を有するものとなる。
【００５７】また、この磁気ヘッドは、磁気回路部に誘
導される磁界の効率が良好であり、且つ、磁界を検出す
る手段として磁気トンネル素子を用いているため、磁気
回路部を小型化することができる。したがって、磁気ヘ
ッドとしては、大幅に小型化が達成されることとなる。
導される磁界の効率が良好であり、且つ、磁界を検出す
る手段として磁気トンネル素子を用いているため、磁気
回路部を小型化することができる。したがって、磁気ヘ
ッドとしては、大幅に小型化が達成されることとなる。
【図１】本発明に係る磁気ヘッドの概略側面図である。
【図２】磁気トンネル素子による磁界検出を説明するた
めの回路図である。
めの回路図である。
【図３】磁気トンネル素子を取り付けた領域の変形例を
説明するための要部平面図である。
説明するための要部平面図である。
【図４】磁気ヘッドを製造する際の基板の要部側面図で
ある。
ある。
【図５】基板上に第１のヨークを形成した状態の要部側
面図である。
面図である。
【図６】第１のヨーク上に第１の磁性層を形成した状態
の要部側面図である。
の要部側面図である。
【図７】第１の磁性層上に絶縁層を形成した状態の要部
側面図である。
側面図である。
【図８】絶縁層上に第２の磁性層を形成した状態の要部
側面図である。
側面図である。
【図９】第１のヨーク上に非磁性部を形成した状態の要
部側面図である。
部側面図である。
【図１０】第２のヨークを形成した状態の要部側面図で
ある。
ある。
【図１１】第２のヨークを形成した状態の要部側面図で
ある。
ある。
【図１２】第２のヨークを形成した状態の要部側面図で
ある。
ある。
【図１３】本発明に係る他の磁気ヘッドの概略斜視図で
ある。
ある。
【図１４】図１３に示した磁気ヘッドにおける磁気トン
ネル素子を取り付ける部分を拡大して示す要部斜視図で
ある。
ネル素子を取り付ける部分を拡大して示す要部斜視図で
ある。
【図１５】本発明に係る他の磁気ヘッドの概略斜視図で
ある。
ある。
【図１６】従来の磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド
の概略断面図である。
の概略断面図である。
１ 磁気トンネル素子、２ 第１の磁性層、３ 絶縁
層、４ 第２の磁性層、５磁気回路部、６ ヨーク、７
非磁性部
層、４ 第２の磁性層、５磁気回路部、６ ヨーク、７
非磁性部
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも一部に非磁性体を有し、この
非磁性体を介して磁性体を突き合わせて磁路を構成する
磁気回路部と、 上記磁気回路部に取り付けられ、絶縁層を介して第１の
磁性層と第２の磁性層とが積層されてなる磁気トンネル
素子とを備え、 上記磁気回路部には、磁気記録媒体からの磁界が誘導さ
れるとともに、誘導された磁界により上記磁気トンネル
素子の第１の磁性層及び／又は第２の磁性層の磁化の相
対角度が変化することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記磁気トンネル素子は、第１の磁性層
の磁化を固定とし、第２の磁性層を上記磁気回路部に接
するようにして配されたことを特徴とする請求項１記載
の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記磁気トンネル素子は、第１の磁性層
の磁化を固定とし、上記磁気回路部に埋め込むようにし
て配されたことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 上記磁気トンネル素子は、上記磁気回路
部の非磁性体内に配されたことを特徴とする請求項３記
載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 上記磁気トンネル素子は、第１の磁性層
及び第２の磁性層のそれぞれから導線が導出されるとと
もに、互いに絶縁とされたことを特徴とする請求項１記
載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】 上記磁気回路部は、上記磁気トンネル素
子を取り付けた部分に向かって断面積が次第に小とされ
たことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9172635A JPH1125425A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 磁気ヘッド |
| US09/105,015 US6219213B1 (en) | 1997-06-27 | 1998-06-26 | Magnetic head with magnetic tunnel element in which induced magnetic field changes relative angle of magnetization which affects tunnel current |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9172635A JPH1125425A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1125425A true JPH1125425A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=15945542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9172635A Withdrawn JPH1125425A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6219213B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1125425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671140B1 (en) | 1999-05-25 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Magnetic head using a magnetoresistance effect based on ferromagnetic junction, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US6785100B2 (en) | 2000-04-10 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head comprising a multilayer magnetoresistive device and a yoke for introducing magnetic flux from a medium to the magnetoresistive device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504689B1 (en) * | 2000-07-12 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction read head with flux guide coupled to and magnetically extending a recessed free layer to an air bearing surface |
| US20020044391A1 (en) | 2000-11-15 | 2002-04-18 | Masayoshi Hiramoto | Magneto-resistive element magnetic head, and magnetic recording and reproduction apparatus |
| US6927569B2 (en) * | 2002-09-16 | 2005-08-09 | International Business Machines Corporation | Techniques for electrically characterizing tunnel junction film stacks with little or no processing |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2692711B1 (fr) * | 1992-06-23 | 1996-02-09 | Thomson Csf | Transducteur magnetoresistif. |
| US5729410A (en) * | 1996-11-27 | 1998-03-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with longitudinal biasing |
| JP3369444B2 (ja) * | 1997-09-12 | 2003-01-20 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP9172635A patent/JPH1125425A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-06-26 US US09/105,015 patent/US6219213B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671140B1 (en) | 1999-05-25 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Magnetic head using a magnetoresistance effect based on ferromagnetic junction, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US6785100B2 (en) | 2000-04-10 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head comprising a multilayer magnetoresistive device and a yoke for introducing magnetic flux from a medium to the magnetoresistive device |
| US6977799B2 (en) | 2000-04-10 | 2005-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head comprising a multilayer magnetoresistive device and a yoke for introducing magnetic flux from a medium to the magnetoresistive device |
| US7012790B2 (en) | 2000-04-10 | 2006-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head with yoke and multiple magnetic layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6219213B1 (en) | 2001-04-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |