JPH1021511A

JPH1021511A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH1021511A
Application number: JP17001496A
Authority: JP
Inventors: Mizuki Togashi; みづき冨樫
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-06-28
Filing date: 1996-06-28
Publication date: 1998-01-23

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果膜の磁気的な安定性を維持する
ことを可能とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの提供を目
的とする。【解決手段】磁気抵抗効果型磁気ヘッド１は、非磁性
膜を介して一対の磁気抵抗効果膜が厚み方向に重ね合わ
され、一端面を磁気記録媒体摺動面となす磁気抵抗効果
素子４と、この磁気抵抗効果素子４の厚み方向と平行な
面側に配された非磁性絶縁層１３と、この磁気抵抗効果
素子４の厚み方向に垂直な側面で、この磁気抵抗効果素
子４の磁気記録媒体摺動面側とは反対側の端部に配設さ
れ、一方の磁気抵抗効果膜と電気的に接続する電極５，
６とを備える。この磁気抵抗効果型磁気ヘッド１では、
電極５，６が略平板状に形成され、一方の磁気抵抗効果
膜に対して面接触で電気的に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置等に好適な、磁気抵抗効果によって再生信号を検出す
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置等の磁気記録装置に
おいては、大容量化を図るために、更なる高密度記録が
求められている。そこで、近年、高密度記録を進めるた
めに、狭トラック化に適した磁気ヘッドである磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという。）が
採用されるようになってきている。

【０００３】このＭＲヘッドには、図１８に示すよう
に、２層型の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とい
う。）を用いたＭＲヘッド１００がある。このＭＲヘッ
ド１００は、第１の磁気抵抗効果膜１０１（以下、第１
のＭＲ膜１０１という。）と第２の磁気抵抗効果膜１０
２（以下、第２のＭＲ膜１０２という。）とが非磁性絶
縁膜１０３を介して積層されてなるＭＲ素子１０４を備
える。また、このＭＲヘッド１００は、このＭＲ素子１
０４の長手方向の先端部１０４Ａに電気的に接続される
先端部電極１０５と、後端部１０４Ｂに電気的に接続さ
れる後端部電極１０６とを備える。さらに、ＭＲヘッド
１００は、ＭＲ素子１０４上に保護層１０７が配設さ
れ、ＭＲ素子１０４の上方にＭＲ素子１０４を横切るよ
うにバイアス導体層１０８が配設されてなる。さらにま
た、ＭＲヘッド１００は、その最上層に上層シールド１
０９が配設され、ＭＲ素子１０４の下層側に下部ギャッ
プ１１０を介して下層シールド１１１が配設されてな
る。

【０００４】以上のように構成された従来のＭＲヘッド
１００において、第２のＭＲ膜１０２は、磁気記録媒体
に記録された磁気信号から発生する磁界に応じて抵抗値
が変化する。そして、磁気記録媒体の磁気信号を再生す
る際、第２のＭＲ膜１０２に対して後端部電極１０６か
ら所定のセンス電流が供給される。これにより、ＭＲヘ
ッド１００は、第２のＭＲ膜１０２の抵抗変化を電圧変
化として出力する。

【０００５】このとき、第１のＭＲ膜１０１は、センス
電流が供給されず、第２のＭＲ膜１０２の磁気的な安定
化に寄与する。すなわち、第１のＭＲ膜１０１は、第２
のＭＲ膜１０２と静磁結合することにより第２のＭＲ膜
１０２を磁気的に安定化するように作用する。

【０００６】一方、上述したようなＭＲヘッド１００
は、スパッタリング等の薄膜形成法やエッチング等の手
法を用いて形成される。このとき、ＭＲヘッド１００で
は、図１９に示すように、周囲を非磁性絶縁層１１２に
より埋め込まれたＭＲ素子１０４に対して、図２０に示
すように、その非磁性絶縁層１１２に開口部１１３を形
成し、この開口部１１３に後端部電極１０６を形成す
る。

【０００７】この後端部電極１０６を形成する工程は、
先ず、図２０に示すように、エッチングによりＭＲ素子
１０４の後端部側１０４Ｂに開口部１１３を穿設する。
この開口部１１３は、その深さが第１のＭＲ膜１０１に
達するまでとされる。次に、図２１に示すように、この
開口部１１３内にＴａ／Ｃｕ等の導電材料が埋め込まれ
る。そして、この導電材料は、図示しない電源部と接続
されるように引き出されることにより後端部電極１０６
となる。

【０００８】このように形成された後端部電極１０６
は、非磁性絶縁体により埋め込まれる。そして、詳細は
省略するが、バイアス導体層１０８、先端部電極１０５
及び上層シールド１０９がそれぞれ形成される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したＭ
Ｒヘッド１００において、後端部電極１０６を形成する
エッチングの際には、先ず、非磁性絶縁層１１２をエッ
チングし、次に、非磁性絶縁層１１２をエッチングした
後に露出する保護層１０７をエッチングすることとな
る。この非磁性絶縁層１１２のエッチング際には、目視
することによって、エッチングの終了が決定されてい
た。また、その後、保護層１０７のエッチングの際に
は、保護層１０７を構成する材料に固有のエッチングレ
ートより算出された時間によって、エッチングの終了が
決定されていた。

【００１０】このように、従来のＭＲヘッド１００で
は、各層のエッチングの終了が正確に判定し難く、正確
に深さ寸法を制御して開口部１１３を穿設することが困
難であった。すなわち、従来のＭＲヘッド１００におい
て、特に、保護層１０７をエッチングする際にエッチン
グの終了を正確に判定できないと、図２２に示すよう
に、開口部１１３が第１のＭＲ膜１０１に達するまで穿
設されてしまう。そして、このＭＲヘッド１００では、
この開口部１１３に導電材料が埋め込まれて後端部電極
１０６を形成すると、第１のＭＲ膜１０１と後端部電極
１０６とが電気的に接続されてしまう。これにより、こ
のＭＲヘッド１００では、第１のＭＲ膜１０１と第２の
ＭＲ膜１０２とに対してセンス電流がそれぞれ供給され
てしまうこととなる。

【００１１】従来のＭＲヘッド１００では、上述したよ
うに、第２のＭＲ膜１０２に対してセンス電流が供給さ
れることによって、第１のＭＲ膜１０１を磁気的に安定
化するといった第２のＭＲ膜１０２の特性が発現されな
いといった問題点があった。

【００１２】そこで、本発明は、上述のような問題点に
鑑みてなされたものであり、電極を一対の磁気抵抗効果
膜のうちで上方に配される磁気抵抗効果膜にのみ接続さ
せるとともに、下方に配される磁気抵抗効果膜の絶縁状
態を維持することによって、通電される磁気抵抗効果膜
の磁気的な安定性を維持することを可能とする磁気抵抗
効果型磁気ヘッドの提供を目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成した
本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、非磁性膜を
介して一対の磁気抵抗効果膜が厚み方向に重ね合わさ
れ、一端面を磁気記録媒体摺動面となす磁気抵抗効果素
子と、この磁気抵抗効果素子の厚み方向と平行な面側に
配された非磁性絶縁層と、この磁気抵抗効果素子の厚み
方向に垂直な側面で、この磁気抵抗効果素子の磁気記録
媒体摺動面側とは反対側の端部に配設され、一方の磁気
抵抗効果膜と電気的に接続する電極とを備える。この磁
気抵抗効果型磁気ヘッドでは、電極が略平板状に形成さ
れ、一方の磁気抵抗効果膜に対して面接触で電気的に接
続される。

【００１４】以上のように構成された本発明に係る磁気
抵抗効果型磁気ヘッドでは、電極が平板状に形成され、
磁気抵抗効果素子の上方に配される磁気抵抗効果膜に対
して下面で電気的に接続される。これにより、一対の磁
気抵抗効果素子は、上方に積層された磁気抵抗効果膜に
のみ電流が供給される。また、下方に配された磁気抵抗
効果膜は、電極と接触することがなく、絶縁状態が維持
されることとなる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという。）の好適な実
施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１６】本実施の形態に係るＭＲヘッド１は、図１
に示すように、下層シールド２と、この下層シールド２
上に積層された下部ギャップ３と、この下部ギャップ３
上に積層された磁気抵抗効果素子４（以下、ＭＲ素子４
という。）と、このＭＲ素子４に電気的に接続された先
端部電極５と後端部電極６とからなる一対の電極と、先
端部電極５上に積層された上層シールド７とを備える。
また、このＭＲヘッド１には、ＭＲ素子４の上方にバイ
アス磁界を発生させるバイアス磁界導体層８が設けられ
ている。

【００１７】そして、このＭＲヘッド１は、磁気記録媒
体に記録された磁気信号を再生するものである。このＭ
Ｒヘッド１では、図１中矢印Ａで示す側面に磁気記録媒
体が摺動し、磁気記録媒体に記録された信号磁界が入力
する。このとき、ＭＲヘッド１では、ＭＲ素子４がこの
信号磁界の感磁部となる。

【００１８】また、ＭＲヘッド１において、下層シール
ド２と上層シールド７は磁性材料からなり、下部ギャッ
プ層３は非磁性絶縁材料からなり、後端部電極６は電気
的に良導体である非磁性材料からなる。そして、下層シ
ールド２、上層シールド７、下部ギャップ層３及び先端
部電極５は、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再生
対象外の磁界がＭＲ素子４に引き込まれないように機能
する。すなわち、このＭＲヘッド１では、下部ギャップ
層３及び先端部電極５がＭＲ素子４の上下方向に配され
ているため、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再生
対象外の磁界は下層シールド２及び上層シールド７に導
かれる。これにより、ＭＲ素子４は、再生対象の磁界だ
けを引き込むことができる。

【００１９】このＭＲヘッド１では、図１のＢ−Ｂ線に
おける断面図である図２に示すように、略矩形に形成さ
れた２層型のＭＲ素子４を備える。この２層型のＭＲ素
子４は、第１の磁気抵抗効果膜１０（以下、第１のＭＲ
膜１０という。）と、この第１のＭＲ膜１０に積層され
た非磁性絶縁層１１と、この非磁性絶縁層１１を介して
第１のＭＲ膜１０に積層された第２の磁気抵抗効果膜１
２（以下、第２のＭＲ膜１２という。）とからなる。

【００２０】ここで、第２のＭＲ膜１２は、磁気抵抗効
果を有する磁気抵抗効果膜を含んでいればよく、例え
ば、ＮｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜だけからなるも
のであっても、あるいは、Ｔａ等からなる下地膜上にＮ
ｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜が成膜されたものであ
ってもよい。Ｔａ等からなる下地膜上にＮｉＦｅ等から
なる磁気抵抗効果膜を成膜した場合には、磁気抵抗効果
膜を（１１１）配向させることができ、これにより磁気
抵抗効果膜の比抵抗を下げることができる。そして、磁
気抵抗効果膜の比抵抗の低下は、上述したように磁気抵
抗効果膜のインピーダンスの低下となるため、このよう
に下地膜を設けることにより、ＭＲヘッド１の再生出力
を向上することができる。

【００２１】そして、第１のＭＲ膜１０は、第２のＭＲ
膜１２の磁気的安定性を向上させるために配される層で
あり、第２のＭＲ膜１２と静磁結合が生じるものであれ
ばよく、例えば、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ又はＣｏＮｉ
等からなる硬磁性膜だけからなるものとしてもよいし、
あるいは、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ又はＣｏＮｉ等から
なる硬磁性膜と、ＮｉＦｅ又はＮｉＦｅ−Ｘ（ここでＸ
はＴａ，Ｃｒ，Ｎｂ等である。）等からなる軟磁性膜と
を積層したものとしてもよいし、あるいは、ＦｅＭｎ又
はＮｉＯ等からなる反強磁性膜と、Ｃｏ、ＮｉＦｅ又は
ＮｉＦｅ−Ｘ（ここでＸはＴａ，Ｃｒ，Ｎｂ等であ
る。）等からなる磁性膜とを積層したものとしてもよ
い。

【００２２】そして、ＭＲ素子４は、ＭＲヘッド１に磁
気記録媒体が対接した状態で、その長手方向が磁気記録
媒体に垂直となるように配されている。このＭＲ素子４
は、非磁性絶縁体１３により埋め込まれたような状態で
構成されている。また、ＭＲヘッド１では、このＭＲ素
子４に対してその長手方向の両端部に先端部電極５と後
端部電極６とからなる一対の電極が配されている。この
一対の電極は、磁気記録媒体摺動面側の先端部４Ａを先
端部電極５とし、その反対側の後端部４Ｂを後端部電極
６とする。

【００２３】また、このＭＲ素子４では、これら一対の
電極が第２のＭＲ膜１２にのみ接続されている。そし
て、このＭＲヘッド１では、後端部電極６がこの第２の
ＭＲ膜１２に対して面接触するように形成されている。

【００２４】このように構成されたＭＲ素子４では、そ
の両側面側を非磁性絶縁体１３により埋め込まれ、一対
の電極が第２のＭＲ膜１２にのみ接続されており、第１
のＭＲ膜１０と第２のＭＲ膜１２とが非磁性絶縁層１１
を介して積層されているために、後端部電極６より供給
される電流は、第２のＭＲ膜１２にのみ通電されること
となる。

【００２５】このＭＲヘッド１では、磁気記録媒体から
の信号磁界が印加されると、ＭＲ素子４が感磁部とな
る。このとき、第２のＭＲ膜１２は、信号磁界に対して
抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果を発生する。
したがって、第２のＭＲ膜１２は、後端部電極６より一
定電流のセンス電流が供給されることによって、信号磁
界による抵抗値の変化を示す。これにより、このＭＲヘ
ッド１では、第２のＭＲ膜１２が信号磁界による抵抗値
の変化を電圧変化として出力することとなる。

【００２６】一方、このとき、第１のＭＲ膜１０は、周
囲を非磁性絶縁材料１３により囲まれているために、セ
ンス電流が供給されることはない。この第１のＭＲ膜１
０は、一定方向に磁化されており、第２のＭＲ膜１２と
静磁結合することによって、第２のＭＲ膜１２の磁気的
な安定化に寄与する。これにより、第２のＭＲ膜１２で
は、バルクハウゼンノイズの発生が防止される。

【００２７】また、ＭＲ素子４上を横切るように非磁性
絶縁層１３内に形成されたバイアス磁界導体層８は、Ｍ
Ｒ素子４にバイアス磁界を印加するためものである。す
なわち、ＭＲヘッド１では、磁気記録媒体から信号磁界
を検出する際に、このバイアス磁界導体層８に電流を流
すことにより、より高い磁気抵抗効果が得られるよう
に、磁気抵抗効果素子３にバイアス磁界が印加される。

【００２８】つぎに、以上のようなＭＲヘッド１の製造
方法について詳細に説明する。

【００２９】上述したようなＭＲヘッド１を製造する際
は、先ず、図３に示すように、磁性体からなる下層シー
ルド２上に、Ａｌ₂Ｏ₃等のような非磁性絶縁体からなる
下部ギャップ層３を形成する。ここで、下部ギャップ層
３は、後工程で形成するＭＲ素子４の下部を電気的に絶
縁するとともに、ＭＲ素子４の下部に磁気的ギャップを
形成するものである。

【００３０】次に、図４に示すように、下部ギャップ層
３上に第１のＭＲ膜１０、非磁性絶縁膜１１及び第２の
ＭＲ膜１２を順次成膜し、薄膜層２０を形成する。ここ
で、薄膜層２０は、後工程でエッチングされてＭＲ素子
４となるものであり、上述したような材料を用いて形成
される。

【００３１】次に、薄膜層２０を所定の形状のＭＲ素子
４とするために、図５に示すように、所定の形状にパタ
ーニングされたフォトレジスト２１を形成した後、図６
に示すように、薄膜層２０をエッチングして、所定の形
状のＭＲ素子４を形成する。

【００３２】このように、予め第１のＭＲ膜１０及び第
２のＭＲ膜１２を含む薄膜層２０を形成しておき、後か
らエッチングして所定の形状のＭＲ素子４を形成するこ
とにより、第１のＭＲ膜１０と第２のＭＲ膜１２との相
対的な位置が正確に一致する。したがって、このような
ＭＲ素子４では、第１のＭＲ膜１０と第２のＭＲ膜１２
との間に理想的な静磁結合が生じる。

【００３３】次に、図７に示すように、フォトレジスト
２１を残したまま、フォトレジスト２１、ＭＲ素子４を
覆うように非磁性絶縁層１３を形成し、その後、フォト
レジスト２１をその上面に形成された非磁性絶縁層１３
と共に剥離して除去する。そして、フォトレジスト２１
をその上面に形成された非磁性絶縁層１３と共に剥離し
て除去した後、非磁性絶縁層１３及びＭＲ素子４の表面
を研磨して平坦化する。これにより、図８及び図８のＡ
−Ａ線における断面図である図９に示すように、ＭＲ素
子４が非磁性絶縁層１３に埋め込まれたような状態とな
る。

【００３４】このようにフォトレジスト２１をその上面
に形成された非磁性絶縁層１３と共に剥離して除去す
る、いわゆるリフトオフ法によれば、非常に容易に、Ｍ
Ｒ素子４を非磁性絶縁層１３に埋め込まれたような状態
とすることができる。ただし、このようなリフトオフ法
では、フォトレジスト２１を剥離したときにエッジの部
分にバリ等が生じて表面粗度が悪くなり、ＭＲ素子４の
磁気特性や絶縁性等に悪影響を及ぼしたり、後工程で形
成される先端部電極５等の形状を悪化させることがあ
る。そこで、フォトレジスト２１を剥離した後は、非磁
性絶縁層１３及びＭＲ素子４の表面を研磨して表面性を
向上させた方がよい。

【００３５】そして、このように非磁性絶縁層１３及び
ＭＲ素子４の表面を研磨することにより、ＭＲ素子４の
磁気特性や絶縁性等が向上するとともに、後工程で形成
される先端部電極５等の形状が理想的なものとなり、Ｍ
Ｒヘッド１の周波数特性等が向上する。

【００３６】そして、次に、図１０及び図１０のＡ−Ａ
線における断面図である図１１に示すように、研磨加工
された表面に対して、導体材料からなる導体層２２を形
成する。この導体層２２は、後工程でエッチングされて
後端部電極６となるものであり、例えば、Ｔａからな
る。

【００３７】次に、図１２及び図１３に示すように、導
体層２２を所定の形状の後端部電極６とするために、所
定の形状にパターニングされたフォトレジスト２３を形
成する。このフォトレジスト２３は、導体層２２上に形
成され、導体層２２の下層に形成されたＭＲ素子４の後
端部４Ｂに掛かり、ＭＲ素子４の幅よりもやや大の幅寸
法を有するように形成される。

【００３８】次に、図１４及び図１４のＡ−Ａ線におけ
る断面図である図１５に示すように、フォトレジスト２
３が形成された部分以外の導体層２２をエッチングし、
その後、フォトレジスト２２を剥離する。これにより、
ＭＲ素子４の後端部４ＢにＭＲ素子４の幅よりもやや大
の幅寸法を有する後端部電極６が形成される。

【００３９】このとき、導体層２２においてその材料が
Ｔａからなる場合、導体層２２のエッチングレートが外
方に露出している第２のＭＲ膜１２のエッチングレート
と比較して、非常に大とされる。したがって、このＭＲ
ヘッド１では、Ｔａからなる導体層２２をエッチングす
るのに充分なエッチングレートでエッチングすることに
より、外方に露出している第２のＭＲ膜１２を傷つける
ことなく導体層２２がエッチングされる。

【００４０】次に、図１６に示すように、ＭＲ素子４及
び後端部電極６が露出した面に対して新たな非磁性絶縁
層２４を形成する。そして、この非磁性絶縁層２４上に
バイアス磁界導体層８が形成される。このバイアス磁界
導体層８は、ＭＲ素子４の長手方向に対して略垂直方向
となるように非磁性絶縁層２４上に形成される。さら
に、バイアス磁界導体層８が形成された後にこのバイア
ス磁界導体層８を埋め込むように新たに非磁性絶縁層２
５を形成する。これにより、バイアス磁界導体層８と後
端部電極６とは、電気的に絶縁された状態とされる。

【００４１】その後、図１７に示すように、ＭＲ素子４
の先端部４Ａ上に形成された非磁性絶縁層２４，２５を
テーパ状にエッチングする。これにより、ＭＲ素子４の
先端部４Ａ側は、外方に露出される。そして、この外方
に露出したＭＲ素子４の先端部４Ａに対して、導体から
なる先端部電極５が形成される。そして、この先端部電
極５上に、磁性体からなる上層シールド７が形成され
る。

【００４２】上述したようなＭＲヘッド１の製造工程で
は、ＭＲ素子４上に保護層を形成しておらず、ＭＲ素子
４上に直接、後端部電極６を形成している。これによ
り、本発明に係るＭＲヘッド１では、後端部電極６と第
２のＭＲ膜１２とを電気的に接続するための開口部を設
ける必要がない。したがって、このＭＲヘッド１では、
上述した製造方法を用いることによって、ＭＲ素子４が
エッチングにより損傷を受けることなく形成される。

【００４３】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明に係
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、２層の磁気抵抗効果
膜からなる磁気抵抗効果素子のうち一方の磁気抵抗効果
膜に対してのみ電極が接続されており、他方の磁気抵抗
効果膜に対して電流が供給されることがないために、電
流が供給されない磁気抵抗効果膜が電流が供給される磁
気抵抗効果膜を磁気的に安定化させることができる。

【００４４】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドでは、電極が接続されない磁気抵抗効果膜が電気的
な絶縁状態を確実に維持することが可能となる。これに
より、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気
記録媒体からの信号磁界を常に安定的に検出し再生する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの要部
断面図である。

【図２】図１に示すＭＲヘッドのＢ−Ｂ線における要部
断面図である。

【図３】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明するた
めの要部断面図である。

【図４】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明するた
めの要部断面図である。

【図５】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明するた
めの要部断面斜視図である。

【図６】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明するた
めの要部断面斜視図である。

【図７】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明するた
めの要部断面斜視図である。

【図８】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明するた
めの要部断面斜視図である。

【図９】図８のＡ−Ａ線における要部断面図である。

【図１０】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面斜視図である。

【図１１】図１０のＡ−Ａ線における要部断面図であ
る。

【図１２】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面斜視図である。

【図１３】図１２のＡ−Ａ線における要部断面図であ
る。

【図１４】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面斜視図である。

【図１５】図１４のＡ−Ａ線における要部断面図であ
る。

【図１６】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面図である。

【図１７】図１に示すＭＲヘッドの製造工程を説明する
ための要部断面図である。

【図１８】従来のＭＲヘッドの要部断面図である。

【図１９】従来のＭＲヘッドの製造工程を示す要部断面
図である。

【図２０】従来のＭＲヘッドの製造工程を示す要部断面
図である。

【図２１】従来のＭＲヘッドの製造工程を示す要部断面
図である。

【図２２】従来のＭＲヘッドにおいて、第１のＭＲ膜と
後端部電極とが接触した状態を示す要部断面図である。

【符号の説明】

１磁気抵抗効果型磁気ヘッド、４磁気抵抗効果素
子、５先端部電極、６後端部電極、１０第１の磁気
抵抗効果膜、１１非磁性絶縁層、１２第２の磁気抵
抗効果膜、

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性膜を介して一対の磁気抵抗効果膜
が厚み方向に重ね合わされ、一端面を磁気記録媒体摺動
面となす磁気抵抗効果素子と、上記磁気抵抗効果素子の厚み方向と平行な面側に配され
た非磁性絶縁層と、上記磁気抵抗効果素子の厚み方向に垂直な側面で、上記
磁気抵抗効果素子の磁気記録媒体摺動面とは反対側の端
部に配設され、一方の磁気抵抗効果膜と電気的に接続す
る電極とを備え、上記電極は、略平板上に形成され、一方の磁気抵抗効果
膜に対して面接触で電気的に接続されることを特徴とす
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】上記電極は、Ｔａを材料とすることを特
徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。