JPH1049831A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗効果安定化層とセンス電流を供給す
る電極とが確実に非接触とされ、磁気抵抗効果素子の磁
気抵抗効果特性が向上した磁気抵抗効果型磁気ヘッド及
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気抵抗
効果層上に非磁性絶縁層を介して磁気抵抗効果安定化層
が積層されてなる磁気抵抗効果素子２と、この磁気抵抗
効果素子２の磁気記録媒体摺動面と反対側に位置する一
端部側に形成される第１の電極６と、この磁気抵抗効果
素子２の他端部側に形成される第２の電極５とを備え、
磁気抵抗効果素子２の一端部側が上記第１の電極上に形
成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置等に用いて好適な、磁気抵抗効果によって再生信号を
検出する磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置等の磁気記録再生装
置においては、磁気記録媒体の面記録密度をより向上さ
せるために、更なる高密度記録が求められている。そこ
で、近年、高密度記録を進めるために、高い磁界感度を
有する磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドである磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う。）が採用されるようになってきている。

【０００３】例えば、図１３に示すように、このような
高密度記録化が達成されたＭＲヘッド１００では、磁気
記録媒体からの信号磁界に対する感磁部となる磁気抵抗
効果素子１０１が用いられている。このＭＲヘッド１０
０は、下部ギャップ１０２上に略矩形に形成された磁気
抵抗効果素子１０１と、この磁気抵抗効果素子１０１の
長手方向の両端部に接続された先端部電極１０３及び後
端部電極１０４とを備え、磁気記録媒体に記録された信
号磁界を再生する際、この後端部電極１０４から一定の
センス電流を磁気抵抗効果素子１０１に対して供給す
る。この磁気抵抗効果素子１０１は、センス電流が供給
される磁気抵抗効果層１０５と、この磁気抵抗効果層１
０５の下層に配される非磁性絶縁層１０６と、この非磁
性絶縁層１０６の下層に配される磁気抵抗効果安定化層
１０７とから構成されている。そして、ＭＲヘッド１０
０では、後端部電極１０４が磁気抵抗効果層１０５のみ
に接続されているため、センス電流が磁気抵抗効果層１
０５のみに供給されることとなる。

【０００４】以上にように構成されたＭＲヘッド１００
においては、下部ギャップ１０２上に磁気抵抗効果安定
化層１０７、非磁性絶縁層１０６、磁気抵抗効果層１０
５及び保護層１０８をこの順で成膜し、エッチングする
ことにより略矩形になるように磁気抵抗効果素子１０１
を形成する。次に、この磁気抵抗効果素子１０１を埋め
込むように非磁性絶縁層１０９を形成する。そして、磁
気抵抗効果層１０５上に形成された保護層１０８及びこ
の保護層１０８上に形成された非磁性絶縁層１０９に、
後端部電極１０４を形成するための開口部１１０を形成
する。そして、後端部電極１０４は、この開口部１１０
に形成され、図示しない電源に接続される。

【０００５】上述のように後端部電極１０４が形成され
ることによって、センス電流は、磁気抵抗効果層１０５
にのみ供給される。このＭＲヘッド１００は、磁気記録
媒体に記録された信号磁界を再生する際、磁気抵抗効果
層１０５が感磁部となり、磁気抵抗効果層１０５の抵抗
変化をセンス電流の電圧変化として検出する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＭＲヘ
ッド１００においては、後端部電極１０４を形成するた
めに、非磁性絶縁層１０９及び保護層１０８をエッチン
グして開口部１１０を形成していた。そして、この開口
部１１０を形成するエッチングにおいては、いわゆるオ
ーバーエッチングが起こり易かった。これにより、従来
のＭＲヘッド１００では、開口部１１０の深さ寸法が磁
気抵抗効果安定化層１０７にまで達してしまい、その結
果、後端部電極１０４が磁気抵抗効果安定化層１０７と
接続されてしまう虞れがあった。

【０００７】ところで、上述した従来のＭＲヘッド１０
０では、磁気抵抗効果層１０５に対してのみセンス電流
が供給され、磁気抵抗効果層１０５が信号磁界に対する
感磁部となっていた。そして、磁気抵抗効果安定化層１
０７は、この磁気抵抗効果層１０５を磁気的に安定化し
ていた。しかしながら、磁気抵抗効果安定化層１０７
は、センス電流が供給されると、磁気抵抗効果層１０５
の磁気的安定性を劣化させてしまう。また、このＭＲヘ
ッド１００では、磁気抵抗効果安定化層１０７にセンス
電流が供給されると、感磁部である磁気抵抗効果層１０
５に対して供給されるセンス電流の密度が減少してしま
い、磁気抵抗効果素子１０１の感度が低下してしまうこ
ととなる。

【０００８】このように、従来のＭＲヘッド１００にお
いて、後端部電極１０４と磁気抵抗効果安定化層１０５
とが接続されてしまうと、磁気抵抗効果素子１０１が磁
気記録媒体からの信号磁界を感度よく検出することがで
きなかった。したがって、樹来のＭＲヘッド１００で
は、磁気記録媒体からの信号磁界を感度よく再生するこ
とが困難であるといった問題点があった。

【０００９】一方、従来のＭＲヘッド１００では、磁気
抵抗効果安定化層１０７、非磁性絶縁層１０６及び磁気
抵抗効果層１０５がこの順序で積層されて磁気抵抗効果
素子１０１が構成されている。この場合、感磁部である
磁気抵抗効果層１０５の磁気抵抗効果特性は、その下層
に配される非磁性絶縁層１０６の表面性に影響をうけ
る。そして、従来のＭＲヘッド１００では、非磁性絶縁
層１０６の表面性が良好でない場合、磁気抵抗効果層１
０５の磁気抵抗効果特性が悪くなってしまうといった問
題点があった。

【００１０】また、上述した従来のＭＲヘッド１００の
製造方法では、開口部１１０を形成するためのエッチン
グをする際、上述のような理由からエッチングが高度に
制御されて行われなくてはならなかった。しかしなが
ら、従来のＭＲヘッド１００の製造方法において、エッ
チング工程を高度に制御することは、大変困難であり、
熟練を要することであった。さらに、従来のＭＲヘッド
１００の製造方法では、このエッチング工程に長時間を
必要とし、したがって、作業効率が悪いといった問題点
があった。

【００１１】そこで、本発明は、上述した問題点を鑑み
て提案されたものであり、磁気抵抗効果安定化層とセン
ス電流を供給する電極とが確実に非接触とされ、磁気抵
抗効果層がその下層の表面性を反映することにより磁気
抵抗効果素子の磁気抵抗効果特性が向上した磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの提供を目的とする。

【００１２】また、本発明は、上述した問題点を鑑みて
提案されたものであり、センス電流を供給する電極を形
成するための開口部を形成する必要がなく、磁気抵抗効
果層にのみ確実にセンス電流を供給することができる磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法の提供を目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成した
本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記録媒
体に対してセンス電流が略直交方向に供給され、磁気抵
抗効果層上に非磁性絶縁層を介して磁気抵抗効果安定化
層が積層されてなる磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗
効果素子の磁気記録媒体摺動面と反対側に位置する一端
部側に形成される第１の電極と、この磁気抵抗効果素子
の他端部側に形成される第２の電極とを備える。

【００１４】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、上記
磁気抵抗効果素子の一端部側が上記第１の電極上に形成
され、センス電流が上記第１の電極から磁気抵抗効果層
に供給される。

【００１５】以上のように構成された本発明に係る磁気
抵抗効果型磁気ヘッドでは、第１の電極が磁気抵抗効果
層とのみ接続されているために、磁気抵抗効果安定化層
にはセンス電流が供給されることがない。このため、こ
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果安定化
層が確実に磁気抵抗効果層を磁気的に安定化することが
できる。また、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、磁
気抵抗効果安定化層にセンス電流が供給されることがな
いため、磁気抵抗効果層に供給されるセンス電流の電流
密度が低下することがない。

【００１６】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドは、第１の電極の磁気抵抗効果素子と接続する部分
が傾斜面とされていることが好ましい。

【００１７】このように構成された磁気抵抗効果型磁気
ヘッドでは、第１の電極と磁気抵抗効果素子とが接続さ
れる部分において、磁気抵抗効果層と磁気抵抗効果安定
化層との絶縁状態が、非磁性絶縁層により確実に保持さ
れる。これにより、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドで
は、磁気抵抗効果層に供給されるセンス電流が磁気抵抗
効果安定化層に供給されることがない。したがって、こ
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果層のみ
が感磁部として機能することとなる。

【００１８】さらに、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気
ヘッドでは、第１の電極が磁性体からなることが好まし
い。

【００１９】このように構成された本発明に係る磁気抵
抗効果型磁気ヘッドでは、第１の電極がセンス電流を供
給すると同時に、磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵
抗効果素子側に引き込むように作用する。すなわち、こ
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、第１の電極
が、いわゆるフラックスガイドとして機能することとな
る。

【００２０】また、上述した目的を達成した本発明に係
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法は、第１の電極
を形成し、この第１の電極上に、磁気抵抗効果層上に非
磁性絶縁層を介して磁気抵抗効果安定化層が積層されて
なる磁気抵抗効果素子を形成し、この磁気抵抗効果素子
の第１の電極が接続された端部とは反対の端部側に第２
の電極を形成することを特徴とする。

【００２１】以上のように構成された本発明に係る磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法では、第１の電極を形
成した後に、この第１の電極と磁気抵抗効果層とが接触
するように磁気抵抗効果素子を形成する。すなわち、こ
の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法では、第１の電極を
形成するためにエッチングを行う必要がなく、製造工程
が簡略化される。そして、この手法を用いれば、磁気抵
抗効果型磁気ヘッドは、磁気抵抗効果安定化層にセンス
電流が供給されることがなく磁気抵抗効果素子が信号磁
界を高感度に検出することができるために、良好な再生
感度を有するものとなる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気抵抗効果
型磁気ヘッド及びその製造方法の好適な実施の形態を図
面を参照しながら詳細に説明する。

【００２３】本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッド１
（以下、ＭＲヘッド１と称する。）は、図１に示すよう
に、磁気記録媒体に記録された信号磁界を検出する磁気
抵抗効果素子２を有するものである。このＭＲヘッド１
は、磁気抵抗効果素子２の長手方向が磁気記録媒体の信
号磁界記録面に対して略垂直となるように配され、セン
ス電流が磁気抵抗効果素子２の長手方向に供給されてな
る、いわゆる縦型磁気抵抗効果型磁気ヘッドである。こ
こで、センス電流とは、詳細を後述するが、信号磁界を
再生するために磁気抵抗効果素子に供給される一定の電
流である。

【００２４】このＭＲヘッド１は、図１に示すように、
下層シールド３と、この下層シールド３上に積層された
下部ギャップ４と、この下部ギャップ４上に略矩形に形
成される磁気抵抗効果素子２と、この磁気抵抗効果素子
２の長手方向の両端部２Ａ，２Ｂにそれぞれ形成され、
先端部電極５と後端部電極６とからなる一対の電極と、
この先端部電極５上に積層される上層シールド７とを備
える。また、このＭＲヘッド１は、磁気抵抗効果素子２
の上方に、その長手方向と略直交するように形成された
バイアス磁界導体層８を備える。さらに、このＭＲヘッ
ド１は、磁気抵抗効果素子２及びバイアス磁化導体層８
が非磁性絶縁層９により埋め込まれるように構成されて
いる。さらにまた、ＭＲヘッド１では、この非磁性絶縁
層９によって、先端部電極５と後端部電極６とが絶縁さ
れるように構成されている。

【００２５】上述のように構成されたＭＲヘッド１にお
いて、磁気抵抗効果素子２は、図２に示すように、全体
形状が略矩形に形成されるとともにその長手方向の一端
部２Ａが外方へ臨むように形成されている。そして、こ
の磁気抵抗効果素子２は、磁気抵抗効果層１０と、この
磁気抵抗効果層１０上に積層された非磁性絶縁層１１
と、この非磁性絶縁層１１上に積層された磁気抵抗効果
安定化層１２とから構成されている。

【００２６】そして、この磁気抵抗効果素子２は、その
長手方向の他方端部２Ｂ側に後端部電極６が電気的に接
続されている。この後端部電極６は、下部ギャップ４上
に形成され、導電性の磁性体から形成されている。そし
て、この後端部電極６は、磁気抵抗効果素子２と接続す
る一方の端部に傾斜面６Ａが形成されており、他方の端
部が図示しないセンス電流の電源と接続されるように構
成されている。

【００２７】磁気抵抗効果素子２は、この後端部電極６
の傾斜面６Ａ上にその他方端部２Ｂ側が積層されるよう
に構成されている。すなわち、この磁気抵抗効果素子２
は、その他方端部２Ｂ側が後端部電極６上に積層され、
それ以外の部分が下部ギャップ４上に積層されるように
構成されている。なお、この磁気抵抗効果素子２には、
磁気抵抗効果安定化層１２の上層に、Ａｌ₂Ｏ₃等の非磁
性絶縁材料からなる保護層１３が形成されている。

【００２８】また、この磁気抵抗効果素子２には、媒体
摺動面Ａに露出する一方端部２Ａ側に先端部電極５が接
続されている。この先端部電極５は、非磁性の導電材料
からなり、磁気抵抗効果素子２を覆うように形成されて
いる。すなわち、先端部電極５は、磁気抵抗効果素子２
の一方端部２Ａにおいて、磁気抵抗効果層１０及び磁気
抵抗効果安定化層１２と電気的に接続されるように構成
されている。そして、この先端部電極５は、磁気抵抗効
果素子２と接続された反対側の端部が接地されるように
構成されており、磁気抵抗効果素子２に供給されたセン
ス電流をアースする。

【００２９】この磁気抵抗効果素子２において、磁気抵
抗効果層１０は、磁気抵抗効果を有する磁性薄膜を含ん
でいればよく、例えば、ＮｉＦｅ等の軟磁性膜からなる
ものであってもよいし、Ｔａ等からなる下地膜上にＮｉ
Ｆｅ等の軟磁性膜を形成してなるような構成であっても
よい。

【００３０】また、この磁気抵抗効果素子２において、
非磁性絶縁層１１は、Ａｌ₂Ｏ₃等の電気的に絶縁性を有
する非磁性材料からなるものであればよい。

【００３１】この磁気抵抗効果素子２において、磁気抵
抗効果安定化層１２は、磁気抵抗効果層１２を静磁結合
作用により磁気的に安定化するようなものであればよ
く、例えば、Ｃｏ，ＮｉＦｅ又はＮｉＦｅ−Ｘ等（Ｘ
は、Ｔａ，Ｃｒ，Ｎｂ等とする。）からなる磁性膜とＦ
ｅＭｎ又はＮｉＯ等の反強磁性膜とが積層されてなるよ
うな構成であってもよい。あるいは、磁気抵抗効果安定
化層１２は、ＣｏＰｔ，ＣｏＰｔＣｒ又はＣｏＮｉ等の
硬磁性膜からなるような構成であってもよい。あるい
は、磁気抵抗効果安定化層１２は、ＣｏＰｔ，ＣｏＰｔ
Ｃｒ又はＣｏＮｉ等の硬磁性膜とＮｉＦｅ又はＮｉＦｅ
−Ｘ等（Ｘは、Ｔａ，Ｃｒ，Ｎｂ等とする。）の軟磁性
膜とが積層されてなるような構成であってもよい。ある
いは、磁気抵抗効果安定化層１２は、ＣｏＰｔ，ＣｏＰ
ｔＣｒ又はＣｏＮｉ等の硬磁性膜とＣｏ−Ｚｒ−Ｐａ−
Ｍｏ又はＣｏ−Ｎｂ−Ｍｏ系等のアモルファス合金とが
積層されてなるような構成であってもよい。

【００３２】そして、このＭＲヘッド１では、図１中矢
印Ａで示す側面に磁気記録媒体が摺動し、磁気記録媒体
に記録された信号磁界が入力する。このとき、ＭＲヘッ
ド１では、図１中矢印Ａで示す側面に磁気抵抗効果素子
２の長手方向の一方端部２Ａが露出しているために、こ
の信号磁界がこの磁気抵抗効果素子２に印可される。こ
れによって、磁気抵抗効果素子２は、磁気記録媒体から
の信号磁界に対する感磁部となる。

【００３３】また、ＭＲヘッド１において、下層シール
ド３と上層シールド７とは磁性材料からなり、下部ギャ
ップ４は非磁性絶縁材料からなり、後端部電極６は電気
的に良導体である磁性材料からなる。そして、下層シー
ルド３、上層シールド７、下部ギャップ４及び先端部電
極５は、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再生対象
外の磁界が磁気抵抗効果素子２に引き込まれないように
機能する。すなわち、このＭＲヘッド１では、下部ギャ
ップ４及び先端部電極５がＭＲ素子１の上下方向に配さ
れているため、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再
生対象外の磁界は下層シールド３及び上層シールド７に
導かれる。これにより、磁気抵抗効果素子２は、再生対
象の磁界だけを引き込むことができる。

【００３４】そして、このＭＲヘッド１では、後端部電
極５が導電性の磁性体から形成されているために、後端
部電極５が磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果
素子側により強く引き込むように作用する。すなわち、
この後端部電極５は、センス電流を磁気抵抗効果素子２
に対して供給するとともに、信号磁界を引き込む、いわ
ゆるフラックスガイドとして機能する。

【００３５】さらに、このＭＲヘッド１において、バイ
アス磁界導体層８は、信号磁界を再生する際に所定の電
流が供給されることによって、バイアス磁界を発生す
る。そして、バイアス磁界導体層８は、磁気抵抗効果素
子２に対して所定のバイアス磁界を印可することによっ
て、磁気抵抗効果素子２の抵抗変化が大となるようにす
る。これにより、磁気抵抗効果素子２を有するＭＲヘッ
ド１は、信号磁界に対して高感度なものとなる。

【００３６】以上のように構成された本発明に係るＭＲ
ヘッド１は、磁気抵抗効果素子２が感磁部となり磁気記
録媒体からの信号磁界を検出することによって、信号磁
界を再生する。

【００３７】このＭＲヘッド１では、媒体摺動面Ａに磁
気記録媒体が摺動し、磁気記録媒体からの信号磁界が後
端部電極６により引き込まれて磁気抵抗効果素子２に印
可される。そして、磁気抵抗効果素子２では、磁気抵抗
効果層１０の磁化方向が印可された信号磁界に応じて変
化する。このとき、磁気抵抗効果層１０では、その磁化
方向が変化すると、センス電流に対する抵抗値が変化す
る。ＭＲヘッド１では、後端部電極６から磁気抵抗効果
層１０に一定のセンス電流が供給されることによって、
信号磁界に応じた抵抗変化を電圧変化として出力する。

【００３８】このとき、このＭＲヘッド１では、後端部
電極６上に磁気抵抗効果素子２の磁気抵抗効果層１０が
接するように形成されているために、センス電流が磁気
抵抗効果層１０にのみ供給される。すなわち、このＭＲ
ヘッド１において、センス電流は、後端部電極６と磁気
抵抗効果安定化層１２とが接触していないために、磁気
抵抗効果安定化層１２に対して供給されず、磁気抵抗効
果層１０にのみ供給されることとなる。

【００３９】このため、本発明に係るＭＲヘッド１は、
磁気抵抗効果層１０に供給されるセンス電流の電流密度
が低下することはない。したがって、このＭＲヘッド１
では、磁気抵抗効果素子２の感度が劣化することなく、
磁気記録媒体からの信号磁界を高感度に再生することが
できる。また、このＭＲヘッド１では、磁気抵抗効果安
定化層１２と磁気抵抗効果層１０との間に静磁結合作用
が良好な状態で作用することとなる。このため、ＭＲヘ
ッド１は、感磁部である磁気抵抗効果層１０の磁気的な
安定性を維持することができる。

【００４０】一方、上述したＭＲヘッド１では、信号磁
界に対する感磁部となる磁気抵抗効果層１０が下部ギャ
ップ４上に形成されるような構成を有している。一般
に、磁気抵抗効果を有する磁性層の磁気抵抗効果特性
は、その磁性層が形成される基板の表面性に依存する。
すなわち、この磁性層は、基板表面が高度に平坦化され
ているような場合には良好な磁気抵抗効果特性を有し、
基板表面が平坦化されていないような場合には磁気抵抗
効果特性が劣化したものとなる。このＭＲヘッド１にお
いて、磁気抵抗効果層１０が形成される下部ギャップ４
は、高度に平坦化されている。これにより、このＭＲヘ
ッド１において、磁気抵抗効果素子２は、信号磁界を高
感度に検出することができる。したがって、本発明に係
るＭＲヘッド１では、磁気記録媒体からの信号磁界を高
感度に再生することができる。

【００４１】次に、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法について、図面を参照して詳細に説明す
る。なお、以下の説明では、上述したＭＲヘッド１を製
造する際の製造方法として説明する。

【００４２】上述したＭＲヘッド１を製造するために
は、先ず、図３に示すように、磁性体からなる下層シー
ルド３を形成し、この下層シールド３上に、Ａｌ₂Ｏ₃等
の非磁性絶縁体からなる下部ギャップ４を形成する。こ
こで、下部ギャップ４は、後述する磁気抵抗効果素子２
の磁気抵抗効果層１０を形成する基板となるものである
ために、高度に平坦化されるように形成される。

【００４３】次に、図４に示すように、いわゆるリフト
オフ法により後端部電極６を形成するために、レジスト
２０を形成する。このレジスト２０は、通常、フォトリ
ソグラフィ法に用いられるものであればよく、下部ギャ
ップ４上で後端部電極６が形成される以外の部分に形成
される。

【００４４】次に、図５に示すように、レジスト２０の
表面及び露出している下部ギャップ４に対して、導電性
の磁性体からなる磁性層２１を形成する。このとき、磁
性層２１は、スパッタリング法等の従来公知の薄膜形成
法により成膜される。このように成膜された磁性層２１
は、図５に示すように、その膜厚が均一にならず、磁性
層２１と下部ギャップ４との境界部分が肉薄になるよう
に成膜される。

【００４５】次に、このレジスト２０とレジスト２０上
に形成された磁性層２１とを共に剥離する。このよう
に、いわゆるリフトオフ法を用いてレジスト２０とレジ
スト２０上に形成された磁性層２１とを共に剥離する
と、図６に示すように、傾斜面６Ａを有する後端部電極
６が形成される。

【００４６】次に、図７に示すように、磁気抵抗効果素
子２を形成すために、磁気抵抗効果層１０、非磁性絶縁
層１１、磁気抵抗効果安定化層１２及び保護層１３を下
部ギャップ４及び後端部電極６上に成膜する。このと
き、磁気抵抗効果層１０、非磁性絶縁層１１、磁気抵抗
効果安定化層１２及び保護層１３は、上述したような材
料を用いて、例えば、スパッタリング法等の従来公知の
薄膜形成法により成膜される。

【００４７】次に、図８に示すように、上述のように成
膜された磁気抵抗効果層１０、非磁性絶縁層１１、磁気
抵抗効果安定化層１２及び保護層１３をエッチングする
ことによって、略矩形状の磁気抵抗効果素子２を形成す
る。このとき、磁気抵抗効果素子２は、図９に示すよう
に、一方端部２Ａが媒体摺動面Ａに臨み、他方端部２Ｂ
が後端部電極６の傾斜面６Ａに積層されるようにレジス
ト２２によりパターニングされ、イオンビームエッチン
グ等の手法を用いて形成される。

【００４８】次に、図１０に示すように、磁気抵抗効果
素子２を埋め込むように非磁性絶縁体２３Ａを形成す
る。そして、この非磁性絶縁体２３Ａ上にバイアス磁界
導体層８を形成する。このバイアス磁界導体層８は、非
磁性の導電材料を用いて、磁気抵抗効果素子２の長手方
向に対して略直交するように形成される。その後、この
バイアス磁界導体層８を埋め込むように非磁性絶縁層２
３Ｂを形成し、バイアス磁界導体層８の絶縁性を確保す
る。

【００４９】次に、非磁性絶縁体２３Ａ，２３Ｂをエッ
チングすることによって、磁気抵抗効果素子２の一方端
部２Ａを露出させ、図１１に示すように、この部分に先
端部電極５及び上層シールド７を形成する。このとき、
先端部電極５は、図１２に示すように、非磁性の導電材
料から形成され、磁気抵抗効果素子２の一方端部２Ａを
覆うように成膜されることによって、磁気抵抗効果層１
０及び磁気抵抗効果安定化層１２と電気的に接続され
る。また、上層シールド７は、磁性体から形成され、先
端部電極５を覆うように成膜される。

【００５０】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法では、
上述したように、下部ギャップ４上に後端部電極６を形
成した後に磁気抵抗効果素子２を形成することとなる。
これにより、この手法では、後端部電極６と磁気抵抗効
果素子２の磁気抵抗効果層１０とが電気的に接続され
る。すなわち、上述した手法によれば、後端部電極６と
磁気抵抗効果層１０とを電気的に接続するためにエッチ
ング等の長時間を要する製造工程を必要としない。した
がって、本発明に係るＭＲヘッドの製造方法は、製造工
程に要する時間を短縮することができ、作業効率を向上
させることができる。

【００５１】また、本発明に係るＭＲヘッドの製造方法
では、後端部電極６の磁気抵抗効果層１０と接続される
部分に傾斜面６Ａを形成している。このため、この手法
を用いて製造されたＭＲヘッド１では、後端部電極６と
磁気抵抗効果層１０との間の電気的な接続がより確実な
ものとなる。すなわち、このＭＲヘッド１では、傾斜面
６Ａ上に磁気抵抗効果素子２を積層することによって、
磁気抵抗効果層１０と磁気抵抗効果安定化層１２との間
に短絡が発生し難くなり、磁気抵抗効果安定化層１２に
センス電流が供給されることはない。したがって、本発
明に係るＭＲヘッドの製造方法によれば、磁気抵抗効果
層１０に対してのみ確実にセンス電流を供給することが
できるＭＲヘッド１を製造することができる。

【００５２】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明に係
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子が
磁気抵抗効果層、非磁性絶縁層及び磁気抵抗効果安定化
層をこの順で積層した構成とされ、センス電流を供給す
る電極上にこの磁気抵抗効果素子を積層している。この
ため、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、確実に磁気
抵抗効果層にのみセンス電流を供給することができる。

【００５３】また、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドは、感磁部となる磁気抵抗効果層が高度に平坦化さ
れた下部ギャップ上に形成されてなるような構成となっ
ている。このため、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドで
は、磁気抵抗効果層の磁気抵抗効果特性が良好なものと
なる。したがって、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドは、磁気記録媒体からの信号磁界を感度よく再生す
ることができる。

【００５４】さらに、詳細に説明したように本発明に係
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法によれば、磁気
抵抗効果素子は、センス電流を供給する電極上に形成さ
れることとなる。したがって、この手法では、この電極
と磁気抵抗効果素子とを接続するために開口部を形成す
る必要がなく、製造工程及び電極を形成するために要す
る時間を大幅に短縮することができる。したがって、本
発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法では、
作業効率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドの要部断面図である。

【図２】本発明に係るＭＲヘッドに用いられる磁気抵抗
効果素子と一対の電極とが接続された状態を示す要部斜
視図である。

【図３】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明する
ための要部断面図である。

【図４】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明する
ための要部断面図である。

【図５】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明する
ための要部断面図である。

【図６】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明する
ための要部断面図である。

【図７】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明する
ための要部断面図である。

【図８】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明する
ための要部断面図である。

【図９】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明する
ための要部斜視図である。

【図１０】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明す
るための要部断面図である。

【図１１】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明す
るための要部断面図である。

【図１２】本発明に係るＭＲヘッドの製造方法を説明す
るための要部断面図である。

【図１３】従来のＭＲヘッドの要部断面図である。

【符号の説明】

１ ＭＲヘッド、２ 磁気抵抗効果素子、３ 下層シー
ルド、４ 下部ギャップ、５ 先端部電極、６ 後端部
電極、７ 上層シールド、８ バイアス磁界導体層、１
０ 磁気抵抗効果層、１１ 非磁性絶縁層、１２ 磁気
抵抗効果安定化層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気記録媒体に対してセンス電流が略直
   交方向に供給され、磁気抵抗効果層上に非磁性絶縁層を
   介して磁気抵抗効果安定化層が積層されてなる磁気抵抗
   効果素子と、 上記磁気抵抗効果素子の磁気記録媒体摺動面と反対側に
   位置する一端部側に形成される第１の電極と、 上記磁気抵抗効果素子の他端部側に形成される第２の電
   極とを備え、 上記磁気抵抗効果素子の一端部側は上記第１の電極上に
   形成され、センス電流は上記第１の電極から磁気抵抗効
   果層に供給されることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気
   ヘッド。
2. 【請求項２】 上記第１の電極は、上記磁気抵抗効果素
   子と接続する部分が傾斜面とされていることを特徴とす
   る請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 上記第１の電極は、磁性体からなること
   を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
   ド。
4. 【請求項４】 第１の電極を形成し、 上記第１の電極上に、磁気抵抗効果層上に非磁性絶縁層
   を介して磁気抵抗効果安定化層が積層されてなる磁気抵
   抗効果素子を形成し、 上記磁気抵抗効果素子の上記第１の電極が接続された端
   部とは反対の端部側に第２の電極を形成することを特徴
   とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 上記第１の電極は、上記磁気抵抗効果素
   子と接続する部分が傾斜面とされていることを特徴とす
   る請求項４記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方
   法。
6. 【請求項６】 上記第１の電極は、磁性体からなること
   を特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
   の製造方法。