JPH09251612A

JPH09251612A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH09251612A
Application number: JP8057995A
Authority: JP
Inventors: Akio Takada; 昭夫高田; Tadayuki Honda; 忠行本田; Takuji Shibata; 拓二柴田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-03-14
Filing date: 1996-03-14
Publication date: 1997-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果素子３に磁気記録媒体の信号磁
界が安定的に引き込まれるようにし、安定した再生出力
を得られる薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果を示す
磁性体を有する磁気抵抗効果素子３と、磁気記録媒体か
らの磁場を上記磁気抵抗効果素子３に引き込むフラック
スガイド６とを有する薄膜磁気ヘッドであって、このフ
ラックスガイド６は、少なくとも軟磁性体と、硬磁性体
又は反強磁性体とが積層されて形成されている。薄膜磁
気ヘッドでは、フラックスガイド６を構成する軟磁性膜
と硬磁性膜又は反強磁性膜とが交換相互作用によって結
合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置等に好適な、磁気抵抗効果によって再生信号を検出す
る磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置等のような磁気記録
装置においては、大容量化を図るために、更なる高密度
記録が求められている。そこで、近年、高密度記録を進
めるために、挟トラック化に適した磁気ヘッドである磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」と
いう。）が採用されるようになってきている。

【０００３】このＭＲヘッドは、基本的には、図６に示
すように、磁気抵抗効果素子１０１と、この磁気抵抗効
果素子１０１に接続された先端部電極１０２と、この磁
気抵抗効果素子１０１に接続された後端部電極１０３と
を有して構成される。

【０００４】ここで、磁気抵抗効果素子１０１は、磁気
抵抗効果を示す軟磁性体からなり、磁気記録媒体が摺動
する側の端面Ａを媒体摺動面とし、この媒体摺動面の幅
方向をトラック幅方向として形成されている。先端部電
極１０２は、良導体の非磁性体からなり、磁気抵抗効果
素子１０１の媒体摺動面側の端部に電気的に接続され
る。後端部電極１０３は、良導性の磁性体からなり、磁
気抵抗効果素子１０１の先端部電極１０２と反対側の端
部に電気的に接続される。ここで、後部電極１０３は、
磁性体からなり後述するようにフラックスガイドとして
も機能する。

【０００５】この磁気抵抗効果素子１０１は、磁気記録
媒体の信号磁界に対してその磁化方向が変化することに
より電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を示す。この磁気
抵抗効果は、磁気記録媒体の信号磁界の強さによって変
化する。そして、ＭＲヘッドは、後端部電極１０３から
一定の電流を磁気抵抗効果素子１０１に供給し、磁気抵
抗効果素子１０１の磁気抵抗効果を電圧変化として検出
することによって、磁気記録媒体の信号磁界を検出す
る。

【０００６】後端部電極１０３は、上述するように、磁
性体で形成されているため、フラックスガイドとしても
機能する。すなわち、後端部電極１０３は、磁気抵抗効
果素子１０１が磁気記録媒体の信号磁界によって磁化さ
れる際に、この信号磁界を磁気抵抗効果素子１０１に引
き込むように作用する。このＭＲヘッドでは、フラック
スガイドとして機能する後端部電極１０３により磁気記
録媒体の信号磁界が磁気抵抗効果素子１０１に効率よく
引き込まれ、より高い再生出力が得られることとなる。

【０００７】このようなＭＲヘッドは、再生出力が媒体
速度に依存せず、媒体速度が遅くても高再生出力が得ら
れるという特徴を有している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
ＭＲヘッドにおいては、磁気記録媒体の信号磁界を効率
よく引き込むために、後端部電極１０３が磁性体で形成
されていた。

【０００９】しかしながら、従来は、磁気抵抗効果素子
１０１の後端部に、単に磁性体を形成することにより、
後端部電極１０３を形成していたために、後端部電極１
０３の磁化方向は不安定であった。そのため、従来のＭ
Ｒヘッドでは、後端部電極１０３による信号磁界の引き
込みが不安定であり、再生出力が安定的に得られないと
いった問題点があった。

【００１０】そこで本発明は、上述した従来のＭＲヘッ
ドの問題点を解決し、磁気抵抗効果膜に磁気記録媒体の
信号磁界が安定的に引き込まれるようにし、安定した再
生出力を得られるようにした薄膜磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述した従来の問題点を
解決した本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
を示す磁性体を有する磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒
体からの磁場を上記磁気抵抗効果素子に引き込むフラッ
クスガイドとを有する薄膜磁気ヘッドであってこのフラ
ックスガイドは、少なくとも軟磁性体と、硬磁性体又は
反強磁性体とが積層されて形成されている。

【００１２】以上のように構成された薄膜磁気ヘッドで
は、フラックスガイドを構成する軟磁性膜と硬磁性膜又
は反強磁性膜とが交換相互作用によって結合する。この
とき、フラックスガイドの軟磁性膜の磁化方向は、硬磁
性体又は反強磁性体によって強制的に決定されているの
で、フラックスガイドの磁気的な安定性が向上する。し
たがって、この薄膜磁気ヘッドでは、磁性体からの磁場
が磁気抵抗効果素子に安定的に取り込むように形成され
る。

【００１３】また、本発明に係る他の薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果を示す磁性体を有する磁気抵抗効果素
子と、磁気記録媒体からの磁場を上記磁気抵抗効果素子
に引き込むフラックスガイドとを有する薄膜磁気ヘッド
であって、このフラックスガイドは、軟磁性膜と、この
軟磁性膜の両端部に積層された硬磁性膜又は反強磁性膜
とを備えている。

【００１４】以上のように構成された薄膜磁気ヘッドで
は、硬磁性膜または反強磁性膜によって生じる静磁場に
より、フラックスガイドを構成する軟磁性膜の磁化方向
を強制的に規定されるので、薄膜磁気ヘッドは、フラッ
クスガイドの磁気的な安定性が向上する。したがって、
この薄膜磁気ヘッドでは、磁性体からの磁場が磁気抵抗
効果素子に安定的に取り込むように形成される。

【００１５】さらに、本発明に係る他の薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果を示す磁性体を有する磁気抵抗効果素
子と、磁気記録媒体からの磁場を上記磁気抵抗効果素子
に引き込むフラックスガイドとを有する薄膜磁気ヘッド
において、上記フラックスガイドは、少なくとも軟磁性
膜と、反強磁性膜と、非磁性膜とが積層された多層部を
有し、上記多層部が少なくとも１以上積層されてなる。

【００１６】以上のように構成された薄膜磁気ヘッド
は、多層部を構成する軟磁性膜と反強磁性膜とが交換相
互作用によって結合する。このとき、多層部の軟磁性膜
の磁化方向は、反強磁性体によって強制的に決定されて
いるので、多層部の磁気的な安定性が向上する。したが
って、この薄膜磁気ヘッドでは、磁性体からの磁場が磁
気抵抗効果素子に安定的に取り込むように形成される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、形状、材質等を
任意に変更することが可能であることは言うまでもな
い。

【００１８】第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果安定化層を有する磁気抵抗効果素子が
トラック方向に対して垂直に配された、いわゆる縦型Ｍ
Ｒヘッドであり、図１に示すように、下層シールド１
と、下層シールド１上に形成された下部ギャップ層２
と、下部ギャップ層２上に形成された磁気抵抗効果素子
３及び非磁性絶縁層４と、磁気抵抗効果素子３上の先端
部３ａ及び後端部３ｂ以外の部分に形成された保護層５
と、磁気抵抗効果素子３と後端部３ｂにおいて接続する
ように、磁気抵抗効果素子３の後端部３ｂ上から非磁性
絶縁層４上にわたって形成されたセンス電流用導体層６
と、磁気抵抗効果素子３及びセンス電流用導体層６上に
形成された非磁性絶縁層７と、磁気抵抗効果素子３の上
部を横切るように非磁性絶縁層７内に形成されたバイア
ス電流用導体層８と、磁気抵抗効果素子３と先端部３ａ
において接続するように、磁気抵抗効果素子３の先端部
３ａ上から非磁性絶縁層７上にわたって形成された上部
ギャップ層９と、上部ギャップ層９上に形成された上層
シールド１０とから構成される。

【００１９】上記ＭＲヘッドにおいて、下層シールド１
と上層シールド１０は磁性材料からなり、下部ギャップ
層２は非磁性絶縁材料からなり、上部ギャップ層９は電
気的に良導体である非磁性材料からなる。そして、下層
シールド１、上層シールド１０、下部ギャップ層２及び
上部ギャップ層９は、磁気記録媒体からの信号磁界のう
ち、再生対象外の磁界が磁気抵抗効果素子３に引き込ま
れないように機能する。すなわち、下層シールド１及び
上層シールド１０が、磁気抵抗効果素子３の上下に下部
ギャップ層２及び上部ギャップ層９を介して配されてい
るため、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再生対象
以外の磁界は下層シールド１及び上層シールド１０に導
かれ、再生対象の磁界だけが磁気抵抗効果素子３に引き
込まれる。

【００２０】センス電流用導体層６及び上部ギャップ層
９は、磁気抵抗効果素子３の両端にそれぞれ接続された
一対の電極となり、磁気抵抗効果素子３にセンス電流を
供給するように機能する。すなわち、磁気抵抗効果素子
３は、後端部３ｂにおいてセンス電流用導体層６と電気
的に接続されており、先端部３ａにおいて上部ギャップ
層９と電気的に接続されている。そして、磁気記録媒体
から信号磁界を検出する際に、これらを介して磁気抵抗
効果素子３にセンス電流が供給される。ここで、磁気抵
抗効果素子３は、後述するように、磁気抵抗効果安定化
層と、非磁性絶縁層と、磁気抵抗効果層とが積層されて
なり、センス電流は磁気抵抗効果層にだけ供給される。

【００２１】また、磁気抵抗効果素子３上を横切るよう
に非磁性絶縁層７内に形成されたバイアス電流用導体層
８は、磁気抵抗効果素子３にバイアス磁界を印加するた
めものである。すなわち、このバイアス電流導体層８
は、磁気記録媒体から信号磁界を検出する際に、このバ
イアス電流用導体層８に電流を流すことにより、より大
きい磁気抵抗効果の変化が得られるように、磁気抵抗効
果素子３にバイアス磁界を印加する。

【００２２】このようなＭＲヘッドを図１中矢印Ａで示
すように媒体摺動面側から見た図を図２に示す。この図
２に示すように、磁気抵抗効果素子３は、磁気抵抗効果
安定化層１１と、非磁性絶縁層１２と、磁気抵抗効果層
１３とが積層されてなる。ここで、磁気抵抗効果層１３
は、上述したように、センス電流が供給されて、記録媒
体からの信号を検出する感磁部として機能する。一方、
磁気抵抗効果安定化層１１は、磁気抵抗効果層１３と静
磁結合し、磁気抵抗効果層１３の磁気的安定性の向上に
寄与する。

【００２３】この磁気抵抗効果素子３は、両側面に非磁
性絶縁層４が配されており、磁気抵抗効果素子３は、こ
の非磁性絶縁層４に埋め込まれたような状態となってい
る。ここで、非磁性絶縁層４は、媒体摺動面に露出する
ため、摺動特性に優れた材料からなることが好ましく、
例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ_x（Ｓｉ₃Ｎ₄等）の
ような材料が好適である。

【００２４】そして、この磁気抵抗効果素子３の上面の
両端部において、磁気抵抗効果層１３と電極とが接続さ
れている。すなわち、図１及び図２に示すように、磁気
抵抗効果素子３の先端部３ａにおいて、磁気抵抗効果層
１３の上面と上部ギャップ層９とが電気的に接続される
とともに、図１に示すように、磁気抵抗効果素子３の後
端部３ｂにおいて、磁気抵抗効果層１３の上面とセンス
電流用導体層６とが電気的に接続されている。ここで、
磁気抵抗効果安定化層１１は、側面が非磁性絶縁層４に
よって絶縁され、上面が非磁性絶縁層１２によって絶縁
されているので、センス電流が流れるようなことはな
い。

【００２５】このような磁気抵抗効果素子３を用いたＭ
Ｒヘッドでは、磁気抵抗効果層１３と磁気抵抗効果安定
化層１１との間に静磁結合作用が生じるので、磁気抵抗
効果層１３の磁気的安定性が高まり、バルクハウゼンノ
イズが低減される。

【００２６】つぎに、以上のようなＭＲヘッドに使用さ
れる磁気抵抗効果素子３についてより詳細に説明する。

【００２７】この磁気抵抗効果素子３は、上述したよう
に、磁気抵抗効果安定化層１１と、非磁性絶縁層１２
と、感磁部となる磁気抵抗効果層１３とが積層されて構
成される。

【００２８】ここで、磁気抵抗効果安定化層１１と磁気
抵抗効果層１３の間に配される非磁性絶縁層１２は、Ａ
ｌ₂Ｏ₃等のような電気的に絶縁性を有する非磁性材料か
らなるものであればよい。そして、この非磁性絶縁層１
２の膜厚は、挟ギャップ化を図るためにはより薄い方が
好ましいが、磁気抵抗効果安定化層１１と磁気抵抗効果
層１３との絶縁を保つ必要があるため、例えば、Ａｌ₂
Ｏ₃を用いるときには約１０ｎｍ以上の膜厚とする必要
がある。

【００２９】また、上記磁気抵抗効果層１３は、磁気抵
抗効果を有する磁気抵抗効果膜を含んでいればよく、例
えば、ＮｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜だけからなる
ものであっても、あるいは、Ｔａ等からなる下地膜上に
ＮｉＦｅ等からなる磁気抵抗効果膜が成膜されたもので
あってもよい。

【００３０】ここで、Ｔａ等からなる下地膜上にＮｉＦ
ｅ等からなる磁気抵抗効果膜を成膜した場合には、磁気
抵抗効果膜を（１１１）配向させることができ、これに
より磁気抵抗効果膜の比抵抗を下げることができる。そ
して、磁気抵抗効果膜の比抵抗の低下は、上述したよう
に磁気抵抗効果膜のインピーダンスの低下となるため、
このように下地膜を設けることにより、ＭＲヘッドの再
生出力を向上することができる。

【００３１】そして、上記磁気抵抗効果安定化層１１
は、磁気抵抗効果層１３の磁気的安定性を向上させるた
めに配される層であり、磁気抵抗効果層１３と静磁結合
作用が生じるものであればよく、例えば、ＣｏＰｔ、Ｃ
ｏＰｔＣｒ又はＣｏＮｉ等からなる硬磁性膜だけからな
るものとしてもよいし、あるいは、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔ
Ｃｒ又はＣｏＮｉ等からなる硬磁性膜１１ｂと、ＮｉＦ
ｅ又はＮｉＦｅ−Ｘ（ここでＸはＴａ，Ｃｒ，Ｎｂ等で
ある。）等からなる軟磁性膜とを積層したものとしても
よい。

【００３２】上述のように構成された磁気抵抗効果安定
化層１１は、軟磁性膜がトラック幅方向Ｂに磁化される
ことによって、磁気抵抗効果層１３を磁気的に安定化す
る。その結果、磁気抵抗効果層１３は、磁壁の移動等に
よるノイズが生じることなく、安定に動作することとな
る。

【００３３】つぎに、以上のようなＭＲヘッドを構成す
るセンス電流用導体層６について詳細に説明する。

【００３４】このセンス電流用導体層６は、磁気記録媒
体からの磁場を引き込むフラックスガイドとして機能す
るものであり、図３（Ａ）に示すように、導電性を有す
るフラックスガイド用軟磁性膜２０と、このフラックス
ガイド用軟磁性膜２０の上に形成されトラック方向に着
磁された硬磁性膜２１とを備えて構成されている。この
センス電流用導体層６では、フラックスガイド用軟磁性
膜２０と硬磁性膜２１とが交換相互作用により結合す
る。すなわち、フラックスガイド用軟磁性膜２０は、ト
ラック幅方向Ｂに着磁された硬磁性膜２１と交換相互作
用により結合し、これにより、フラックスガイド用軟磁
性膜２０は、トラック幅方向Ｂに安定的に磁化される。

【００３５】ここで、フラックスガイド用軟磁性膜２０
を形成する軟磁性材料は、例えばＮｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ
−Ｆｅ−Ｘ（Ｘ＝Ｔａ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｈ）合金、Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｐａ−Ｍｏ等のＣｏ系アモルファス合金のよう
な材料が好適である。また、硬磁性膜２１を形成する硬
磁性材料は、例えばＣｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等の
Ｃｏ系の合金のような材料が好適である。

【００３６】このような、センス電流用導体層６は、そ
の一端部が磁気抵抗効果素子３に接続されており、磁気
記録媒体からの信号磁界を検出するときには、このセン
ス電流用導電層６を介して磁気抵抗効果素子３に対して
センス電流が供給される。すなわち、このＭＲヘッドで
は、磁気記録媒体からの信号磁界を検出するときは、一
定の電流量のセンス電流を磁気抵抗効果素子３にセンス
電流用導体層６を介して供給することによって、磁気記
録媒体からの信号磁界による磁気抵抗効果素子３の抵抗
変化をセンス電流の電圧変化として検出する。

【００３７】このとき、磁気記録媒体からの信号磁界
は、磁気的に安定しているフラックスガイド用軟磁性膜
２０によって磁気抵抗効果素子３に効率よく引き込まれ
る。したがって、このＭＲヘッドでは、非常に安定的な
再生出力を得ることができる。

【００３８】なお、本実施の形態において、センス電流
用導体層６は、フラックスガイド用軟磁性膜２０と硬磁
性膜２１とから構成されたが、硬磁性膜２１はフラック
スガイド用軟磁性膜２０を磁気的に安定化するものであ
れば、これに限定されるものではない。すなわち、セン
ス電流用導体層６Ａは、図３（Ｂ）に示すように、フラ
ックスガイド用軟磁性膜２２と反強磁性膜２３とから構
成されるようなものであってもよい。このとき、フラッ
クスガイド用軟磁性膜２２は、反強磁性膜２３と結合す
ることによって交換相互作用によりその磁化方向が強制
的に規定されている。ここで、反強磁性膜２３を形成す
る反強磁性材料は、Ｆｅ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｏ，Ｎｉ−Ｍｎ
−Ｃｒ等の材料が好適である。

【００３９】この場合でも、センス電流用導体層６Ａ
は、反強磁性膜２３がフラックスガイド用軟磁性膜２２
を磁気的に安定化し、磁気記録媒体からの信号磁界を磁
気抵抗効果素子３に安定的に引き込むように機能する。

【００４０】また、上述したセンス電流用導体層６，６
Ａは、フラックスガイド用軟磁性体２０、２２が磁気抵
抗効果膜３に接触するように構成された。しかし、セン
ス電流用導体層６，６Ａは、硬磁性膜２１または反強磁
性体２３が磁気抵抗効果素子３に接触するように構成さ
れてもよい。この場合でも、センス電流用導体層６，６
Ａは、硬磁性体２１または反強磁性膜２２がフラックス
ガイド用軟磁性膜２０，２２を磁気的に安定化し、磁気
抵抗効果素子３を介して磁気記録媒体の信号磁界を引き
込むように機能する。

【００４１】また、上述したセンス電流用導電層６，６
Ａは、センス電流用導体層６，６Ａを構成する各膜の膜
厚を調節することにより、信号磁界の引込み効率を調節
することができる。これにより、センス電流用導体層
６，６Ａは、磁気抵抗効果膜１１の磁気的特性に応じ
て、信号磁界の引込み効率を調節することができる。

【００４２】一方、本発明は、第２の実施の形態とし
て、図４（Ａ）に示すようなセンス電流用導体層３０Ａ
を有するＭＲヘッドであってもよい。なお、この第２の
実施の形態において、上述した第１の実施の形態と同一
符号を付した部分は、同一の構成及び機能を有するもの
とする。

【００４３】この第２の実施の形態であるＭＲヘッド
は、センス電流用導体層３０Ａが、上述した軟磁性材料
からなるフラックスガイド用軟磁性膜３１と、上述した
硬磁性材料からなる硬磁性膜３２とを備え、このフラッ
クスガイド用軟磁性膜３１のトラック幅方向Ｂの両端部
にトラック幅方向Ｂに着磁された硬磁性膜３２を配した
構成を有して形成されている。

【００４４】すなわち、センス電流用導体層３０Ａは、
硬磁性膜３２がフラックスガイド用軟磁性膜３１の両端
部に成膜されるとともに硬磁性膜３２がトラック幅方向
Ｂに着磁されるように形成されている。このセンス電流
用導体層３０Ａでは、この硬磁性膜３２が発生する静磁
場によって、フラックスガイド用軟磁性膜３１がトラッ
ク幅方向Ｂに安定的に磁化される。

【００４５】このような、センス電流用導体層３０Ａ
は、その一端部が磁気抵抗効果素子３に接続されてお
り、磁気記録媒体からの信号磁界を検出するときには、
このセンス電流用導電層３０Ａを介して磁気抵抗効果素
子３に対してセンス電流が供給される。すなわち、この
ＭＲヘッドでは、磁気記録媒体からの信号磁界を検出す
るときは、一定の電流量のセンス電流を磁気抵抗効果素
子３にセンス電流用導体層６を介して供給することによ
って、磁気記録媒体からの信号磁界による磁気抵抗効果
素子３の抵抗変化をセンス電流の電圧変化として検出す
る。

【００４６】このとき、磁気記録媒体からの信号磁界
は、磁気的に安定しているフラックスガイド用軟磁性膜
３１によって磁気抵抗効果素子３に効率よく引き込まれ
る。したがって、このＭＲヘッドでは、非常に安定的な
再生出力を得ることができる。

【００４７】なお、本実施の形態において、フラックス
ガイド用軟磁性膜３１は、硬磁性膜３２が結合すること
によって硬磁性膜３２の静磁場が影響しトラック幅方向
Ｂに安定的に磁化されていた。しかしながら、本実施の
形態は、このような構成に限定されず、フラックスガイ
ド用軟磁性膜３１を静磁場の影響により磁化するような
ものであればよい。

【００４８】すなわち、センス電流用導体層３０Ｂは、
図４（Ｂ）に示すように、フラックスガイド用軟磁性膜
３３と、このフラックスガイド用軟磁性膜３３の磁化方
向の両端部に配され、上述した反強磁性材料からなる反
強磁性膜３４とから構成されるものであってもよい。こ
の場合でも、センス電流用導体層３０Ｂは、反強磁性膜
３４がフラックスガイド用軟磁性膜３３を磁気的に安定
化し、磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果素子
３に安定的に引き込むように機能する。

【００４９】また、上述したセンス電流用導体層３０
Ａ、３０Ｂは、センス電流用導電層３０Ａ，３０Ｂを構
成する各膜の膜厚を調節することにより、信号磁界の引
込み効率を調節することができる。これにより、センス
電流用導体層３０Ａ，３０Ｂは、磁気抵抗効果膜１１の
磁気的特性に応じて、信号磁界の引込み効率を調節する
ことができる。

【００５０】さらに、本発明は、第３の実施の形態とし
て、図５（Ａ）に示すようなセンス電流用導体層４０を
有するＭＲヘッドであってもよい。なお、この第３の実
施の形態において、上述した第１の実施の形態と同一の
符号を付した部分は、同一の構成及び機能を有するもの
とする。

【００５１】この第３の実施の形態であるＭＲヘッドで
は、センス電流用電導体層４０が、上述した軟磁性材料
からなる軟磁性膜、非磁性膜、及び上述した反強磁性材
料からなる反強磁性膜からなる多層部４１が積層されて
構成されている。この多層部４１は、第１の軟磁性膜４
２と、この第１の軟磁性体４２に積層された第１の非磁
性体４３と、この第１の非磁性体４３に積層された第２
の軟磁性体４４と、この第２の軟磁性体４４に積層され
た反強磁性膜４５と、この反強磁性膜４５に積層された
第２の非磁性膜４６とから構成されている。

【００５２】この第１の軟磁性膜４２及び第２の軟磁性
膜４４は、トラック幅方向Ｂに平行で互いに逆方向に向
いた磁化を有することによって、磁気的に安定化されて
いる。また、第２の軟磁性膜４４は、第１の非磁性膜４
３と接している側面と対向する側面に反強磁性膜４５が
配されていることによって、その磁化方向が交換相互作
用によって強制的に規定されて形成されている。反強磁
性膜４５は、第２の軟磁性膜４４と接している側面と対
向する側面に第２の非磁性膜４６が配されることによっ
て、さらに上層に配される軟磁性膜に対して磁気的な影
響を与えることはない。

【００５３】センス電流用電導層４０は、上述のように
構成された多層部４１が繰り返し積層され構成されてい
る。このとき多層部４１内においては、第１の軟磁性膜
４２と第２の軟磁性膜４４との間に閉ループが形成さ
れ、これらが磁気的に安定化する。そして、更に、多層
部４１の最上層の第２の非磁性膜４６と多層部４１上に
積層された多層部４１Ａの最下層の第１の軟磁性膜４７
との間に閉ループが形成され、これらが磁気的に安定化
する。

【００５４】したがって、複数の多層部４１，４１Ａが
積層されてなるセンス電流用電導層４０は、非常に磁気
的に安定なものとなる。このようにセンス電流用電導層
４０は、磁気的に非常に安定であるために、このＭＲヘ
ッドでは、非常に安定な再生出力を得ることができる。

【００５５】なお、第３の実施の形態において、センス
電流用電導層は、図５（Ｂ）に示すような多層部４８を
積層したセンス電流用導体層４９であってもよい。この
多層部４８は、第１の軟磁性膜５０と、この第１の軟磁
性膜５０に積層された第１の非磁性膜５１と、この第１
の非磁性膜５１に積層された反強磁性膜５２と、この反
強磁性膜５２に積層された第２の軟磁性膜５３と、この
第２の軟磁性膜５３に積層された第２の非磁性膜５４と
から構成されている。

【００５６】上述のように構成された多層部４８は、反
強磁性膜５２が第２の軟磁性膜５３の磁化方向を交換相
互作用によって強制的に規定することにより、第１の軟
磁性膜５０の磁化方向がトラック幅方向Ｂに安定化され
るように形成される。そして、センス電流用導体層４９
は、第１の軟磁性膜５０と第２の軟磁性膜５３との間に
閉ループを形成することともに第２の軟磁性膜５３と積
層された多層部４８Ａの第１の軟磁性膜５５との間に閉
ループを形成する。このように、センス電流用導電層４
９は、多層部４８、４８Ａが積層されることによって、
上述のように多くの閉ループを形成し磁気的に安定化す
る。

【００５７】したがって、複数の多層部４８，４８Ａが
積層されてなるセンス電流用電導層４９は、非常に磁気
的に安定なものとなる。このようにセンス電流用電導層
４９は、磁気的に非常に安定であるために、このＭＲヘ
ッドでは、非常に安定な再生出力を得ることができる。

【００５８】したがって、磁気抵抗効果素子３は、磁気
抵抗効果膜１１が全体に亘って均一に磁化されることに
よって、磁気抵抗効果を安定的に発生する。これによ
り、ＭＲヘッドは、磁気抵抗効果素子３が磁気記録媒体
の信号磁界に応じた磁気抵抗効果を示し、信号磁界を正
確に再生出力する。

【００５９】また、上述したセンス電流用導電層４０，
４９は、センス電流用導電層４０，４９を構成する各膜
の膜厚を調節することにより、信号磁界の引込み効率を
調節することができる。これにより、センス電流用導体
層４０，４９は、磁気抵抗効果膜１１の磁気的特性に応
じて信号磁界の引込み効率を調節することができる。

【００６０】なお、本発明は、上述した第１乃至第３の
実施の形態に限定されず、例えば、トラック幅方向Ｂに
対して垂直方向に一対の磁気抵抗効果素子を配したいわ
ゆる２層ＭＲヘッドにも適用可能である。

【００６１】また、本発明は、第１の実施の形態乃至第
３の実施の形態に示したように、電極とフラックスガイ
ドとを兼ねたセンス電流様導体層を有するＭＲヘッドに
限定されるものではない。すなわち、本発明は、例えば
磁気抵抗効果素子のトラック幅方向Ｂの両端部に一対の
電極を配して構成されるいわゆる横型ＭＲヘッドにも適
用される。この場合、フラックスガイドは、一対の電極
の間に磁気抵抗効果素子の後部に配される。これによっ
て、フラックスガイドは、磁気抵抗効果素子を磁気的に
安定化するとともに磁気記録媒体の信号磁界を効率よく
引き込むことができる。

【００６２】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る薄膜磁気ヘッドでは、フラックスガイドの磁化方向
が強制的に規定しており、フラックスガイドが磁気的に
安定化しているので、磁気抵抗効果素子に磁気記録媒体
からの信号磁界が安定的に引き込まれる。したがって、
この薄膜磁気ヘッドでは、再生出力がより安定なものと
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したＭＲヘッドの一例を示す要部
横断面図である。

【図２】図１に示したＭＲヘッドを媒体摺動面側から見
た要部正面図である。

【図３】本発明を適用したＭＲヘッドにおけるフラック
スガイドと磁気抵抗効果素子との関係を示す斜視図であ
る。

【図４】第２の実施の形態であるＭＲヘッドにおけるフ
ラックスガイドと磁気抵抗効果素子との関係を示す斜視
図である。

【図５】第３の実施の形態であるＭＲヘッドにおけるフ
ラックスガイドと磁気抵抗効果素子との関係を示す斜視
図である。

【図６】ＭＲヘッドの基本的な構成を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１下層シールド、２下部ギャップ層、３磁気抵抗
効果素子、４非磁性絶縁層、５保護層、６センス
電流用導体層、７非磁性絶縁層、８バイアス電流用
導体層、９上部ギャップ層、１０上層シールド、１
１磁気抵抗効果安定化層、１２非磁性絶縁層、１３
磁気抵抗効果層、

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果を示す磁性体を有する磁気
抵抗効果素子と、磁気記録媒体からの磁場を上記磁気抵
抗効果素子に引き込むフラックスガイドとを有する薄膜
磁気ヘッドにおいて、上記フラックスガイドは、少なくとも軟磁性体と、硬磁
性体又は反強磁性体とが積層されて形成されていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】上記フラックスガイドは、上記磁気抵抗
効果素子に対して電気的に接続され、上記磁気抵抗効果
素子に対して電流を供給する電極となることを特徴とす
る請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】磁気抵抗効果を示す磁性体を有する磁気
抵抗効果素子と、磁気記録媒体からの磁場を上記磁気抵
抗効果素子に引き込むフラックスガイドとを有する薄膜
磁気ヘッドにおいて、上記フラックスガイドは、軟磁性膜と、上記軟磁性膜の
両端部に積層された硬磁性膜又は反強磁性膜とを備えて
いることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】上記フラックスガイドは、上記磁気抵抗
効果素子に対して電気的に接続され、上記磁気抵抗効果
素子に対して電流を供給する電極となることを特徴とす
る請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】磁気抵抗効果を示す磁性体を有する磁気
抵抗効果素子と、磁気記録媒体からの磁場を上記磁気抵
抗効果素子に引き込むフラックスガイドとを有する薄膜
磁気ヘッドにおいて、上記フラックスガイドは、少なくとも軟磁性膜と、反強
磁性膜と、非磁性膜とが積層された多層部を有し、上記
多層部が少なくとも１以上積層されてなることを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】上記多層部は、第１の軟磁性膜と、第１
の軟磁性膜上に積層された第１の非磁性膜と、第１の非
磁性膜上に積層された第２の軟磁性膜と、第２の軟磁性
膜上に積層された反強磁性膜と、反強磁性膜上に積層さ
れた第２の非磁性膜とからなることを特徴とする請求項
５に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】上記多層部は、第１の軟磁性膜と、第１
の軟磁性膜上に積層された第１の非磁性膜と、第１の非
磁性膜上に積層された反強磁性膜と、反強磁性膜上に積
層された第２の軟磁性膜と、第２の軟磁性膜上に積層さ
れた第２の非磁性膜とからなることを特徴とする請求項
５に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】上記フラックスガイドは、上記磁気抵抗
効果素子に対して電気的に接続され、上記磁気抵抗効果
素子に対して電流を供給する電極となることを特徴とす
る請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。