JPS61264772A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPS61264772A JPS61264772A JP60105539A JP10553985A JPS61264772A JP S61264772 A JPS61264772 A JP S61264772A JP 60105539 A JP60105539 A JP 60105539A JP 10553985 A JP10553985 A JP 10553985A JP S61264772 A JPS61264772 A JP S61264772A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気的情報を強磁性合金薄膜の磁気抵抗効果を
利用して電気的信号に変換する磁気抵抗効果素子(以下
、MR素子と称す)に関する。
利用して電気的信号に変換する磁気抵抗効果素子(以下
、MR素子と称す)に関する。
(従来技術とその問題点)
MR素子は、高感度化、低消費電力が可能で。
用途に応じた形状に形成し易い等の多くの利点があり、
近年、磁気センサー、高記碌密度用磁気ヘッドとしての
開発が活発に進められている。
近年、磁気センサー、高記碌密度用磁気ヘッドとしての
開発が活発に進められている。
この種のM几素子の、基本的構成を第4図に示す。第4
図(a)、 (b)はそれぞれMR素子の平面図及び正
面図を示す。図において、パーマロイ等の磁気抵抗効果
を有する短冊状強磁性合金薄膜1r!その長手方向両端
に1強磁性合金薄膜1にセンス電流を供給するため電極
2が接続されている。かかる構成のMR素子は、外部か
らの信号磁界により強磁性合金薄膜lの磁化が回転し、
その回転角に応じて、抵抗が変化する。従って、電極2
から−定に調整されたセンス電流を供給すると、抵抗変
化に応じた出力電圧が得られる。即ち、外部信号磁界に
対応する電気的信号が得られる。
図(a)、 (b)はそれぞれMR素子の平面図及び正
面図を示す。図において、パーマロイ等の磁気抵抗効果
を有する短冊状強磁性合金薄膜1r!その長手方向両端
に1強磁性合金薄膜1にセンス電流を供給するため電極
2が接続されている。かかる構成のMR素子は、外部か
らの信号磁界により強磁性合金薄膜lの磁化が回転し、
その回転角に応じて、抵抗が変化する。従って、電極2
から−定に調整されたセンス電流を供給すると、抵抗変
化に応じた出力電圧が得られる。即ち、外部信号磁界に
対応する電気的信号が得られる。
しかし、かかる構成のM几素子は、信号磁界の影響によ
って1強磁性合金薄膜目こ磁壁3が形成されるために時
間と共に再生出力が変動したり該磁壁3が不規則な動1
!をするためバルクハウゼンノイズが発生することがあ
る、 これらハ、磁壁3の存在tこよって、外部磁界による磁
化の回転が強磁性合金薄膜1の全域で様とならず1局所
的に不規則な変化を示すことに起因している。
って1強磁性合金薄膜目こ磁壁3が形成されるために時
間と共に再生出力が変動したり該磁壁3が不規則な動1
!をするためバルクハウゼンノイズが発生することがあ
る、 これらハ、磁壁3の存在tこよって、外部磁界による磁
化の回転が強磁性合金薄膜1の全域で様とならず1局所
的に不規則な変化を示すことに起因している。
この様な問題をなくすには、強磁性合金薄!Ilの手長
(匂方向永久磁石等の手段により数Oeのバイアス磁界
を印加し、磁壁3を消滅させる方法が知られている。し
かし、この方法は、磁界印加手段を具備する必要性から
、tm変換器としての小型化が困難になる。特にMR素
子を磁気ヘッドとして使用する場合は、磁気シールド等
の他の磁性体とも併用するため、磁界印加手段を具備す
ることさえ困難となる。更に、強磁性合金薄膜lの長手
方向ζこバイアス磁界を印加すると、強磁性合金薄膜l
の磁化がバイアス磁界の方向に束縛されるため、信号磁
界に対する感度が劣化する。
(匂方向永久磁石等の手段により数Oeのバイアス磁界
を印加し、磁壁3を消滅させる方法が知られている。し
かし、この方法は、磁界印加手段を具備する必要性から
、tm変換器としての小型化が困難になる。特にMR素
子を磁気ヘッドとして使用する場合は、磁気シールド等
の他の磁性体とも併用するため、磁界印加手段を具備す
ることさえ困難となる。更に、強磁性合金薄膜lの長手
方向ζこバイアス磁界を印加すると、強磁性合金薄膜l
の磁化がバイアス磁界の方向に束縛されるため、信号磁
界に対する感度が劣化する。
又、磁界3を消滅させる他の方法に強磁性合金薄膜1の
アスペクト比(ME、素子の長さL/MR。
アスペクト比(ME、素子の長さL/MR。
素子の幅W)を増大させることが知へれている(例えば
、イg学技報Vo184.雇13B(1984)15〜
21ページ)。この方法によれば、アスペクト比を3以
上に設定することにより、少なくとも5強磁性合金薄膜
lの中央部に存在する磁壁は消滅する。しかし1強磁性
合金薄膜lの長手方向の両端(電極2でおおわれた領域
)近傍には、依然として、磁壁が存在し、この領域の磁
壁の移動によって1M几累子の出力には、再生出力の変
動、バルクハウゼンノイズの発生が見られる。
、イg学技報Vo184.雇13B(1984)15〜
21ページ)。この方法によれば、アスペクト比を3以
上に設定することにより、少なくとも5強磁性合金薄膜
lの中央部に存在する磁壁は消滅する。しかし1強磁性
合金薄膜lの長手方向の両端(電極2でおおわれた領域
)近傍には、依然として、磁壁が存在し、この領域の磁
壁の移動によって1M几累子の出力には、再生出力の変
動、バルクハウゼンノイズの発生が見られる。
(発明の目的)
本発明は、このような欠点を招来することなく再生出力
を安定化し、バルクハウゼンノイズを低減させた磁気抵
抗効果素子を提供することにある。
を安定化し、バルクハウゼンノイズを低減させた磁気抵
抗効果素子を提供することにある。
(発明の構成)
本発明の磁気抵抗効果素子は磁気抵抗効果を有する短
状強磁性合金薄膜と、該薄膜の長手方向の両端部に、少
くとも1対の電極部を備えた磁気抵抗効果素子において
、!極部は、前記強磁性合金薄膜上に非磁性材料から成
る導体膜と、導電性の軟磁性膜が順次積層された構成を
有し、前記強磁性合金薄膜と前記軟磁性膜とが静磁気的
に結合し得る範囲に、前記導体膜の膜厚が設定されてい
ることを特徴としている。この結果前記強磁性合金薄膜
に供給されるセンス電流が、前記強磁性合金薄膜の長手
方向と平行に前記導体膜及び前記軟磁性膜にも分流する
。
状強磁性合金薄膜と、該薄膜の長手方向の両端部に、少
くとも1対の電極部を備えた磁気抵抗効果素子において
、!極部は、前記強磁性合金薄膜上に非磁性材料から成
る導体膜と、導電性の軟磁性膜が順次積層された構成を
有し、前記強磁性合金薄膜と前記軟磁性膜とが静磁気的
に結合し得る範囲に、前記導体膜の膜厚が設定されてい
ることを特徴としている。この結果前記強磁性合金薄膜
に供給されるセンス電流が、前記強磁性合金薄膜の長手
方向と平行に前記導体膜及び前記軟磁性膜にも分流する
。
(構成の詳細な説明)
本発明は、上述の様なMR,素子の電極構成をとること
により従来技術の問題点を解決し1した。
により従来技術の問題点を解決し1した。
即ち1本発明では、軟磁性膜と強磁性合金N膜とを静磁
気的に結合させ、電極部分における強磁性合金薄膜の幅
方向の反磁界を転減させるとともに。
気的に結合させ、電極部分における強磁性合金薄膜の幅
方向の反磁界を転減させるとともに。
軟磁性膜及び導体膜にセンス電流を分流させ、該分流セ
ンスを流によりて強磁性合金薄膜の幅方向に発生する磁
界を利用して1強磁性合金薄膜の長手方向両端の磁化を
幅方向に飽和させている。従りて、強磁性合金薄膜の長
手方向の両端に磁壁が発生することがなくなる。即ち、
磁壁の存在による再生出力の変動、及び磁壁の移動によ
るバルクハウゼン雑音の発生が抑制できる。
ンスを流によりて強磁性合金薄膜の幅方向に発生する磁
界を利用して1強磁性合金薄膜の長手方向両端の磁化を
幅方向に飽和させている。従りて、強磁性合金薄膜の長
手方向の両端に磁壁が発生することがなくなる。即ち、
磁壁の存在による再生出力の変動、及び磁壁の移動によ
るバルクハウゼン雑音の発生が抑制できる。
以下1本発明を実施例を示す図面を用いて、更に詳細に
説明する。
説明する。
(実施例)
第1図は1本発明によるMR,素子の第1の実施例を示
す図で、#I1図(a)、 (b)$1!それぞれ平面
図及び正面図を示す、 図において、NiFe、NiCo 合金等の磁気抵抗
効果を有する材料から放る短冊状の強磁性合金薄@1の
長手方向の両端に、 ’l’i、Ta、 Mo等の非磁
性材料からなる導体膜4が積層しである。vK、に。
す図で、#I1図(a)、 (b)$1!それぞれ平面
図及び正面図を示す、 図において、NiFe、NiCo 合金等の磁気抵抗
効果を有する材料から放る短冊状の強磁性合金薄@1の
長手方向の両端に、 ’l’i、Ta、 Mo等の非磁
性材料からなる導体膜4が積層しである。vK、に。
該導体膜4の上に、軟磁性アモルファス合金(例えば、
CoZr、 CoTa等のCo −メタル系アモルフ
ァス)、パーマロイ等の導電性をセする軟磁性膜5が積
層しである。導体膜4の厚みに1強磁性合金薄膜lと軟
磁性膜5が静磁気的な結合が行える範囲に選定される。
CoZr、 CoTa等のCo −メタル系アモルフ
ァス)、パーマロイ等の導電性をセする軟磁性膜5が積
層しである。導体膜4の厚みに1強磁性合金薄膜lと軟
磁性膜5が静磁気的な結合が行える範囲に選定される。
例えば、100A及至2000λ程度の厚みが良い。又
、軟磁性膜5の厚みは1強磁性合金薄膜lの厚み及び飽
和磁化ζこ応じて決定される。強磁性合金薄膜1の厚み
、飽和磁化をそれぞれ、 Tl、Mt とおき、軟磁
性膜5の厚み、飽和磁化をそれぞれ、12. M2
とおくと、 tIMt<12M2の条件を満せば良い
。例えば強磁性合金薄膜lとしてtl=40OA、Mt
=800emu/ccのパーマロイ合金を用い、軟磁性
膜5として、 M2=1100emu/ccのCoZr
アモルファス軟a性軟管性体ると、その厚みt2は30
0A以上に設定すれば良い、続いて、図において、軟磁
性膜5の上にはAu、Cu、 AI 等の良導電性の
電極2が接続しである。電極2は軟磁性膜5より小さい
面積で、しかも、軟磁性膜50MR素子1の中央部寄り
側が露出される様に被着されている。
、軟磁性膜5の厚みは1強磁性合金薄膜lの厚み及び飽
和磁化ζこ応じて決定される。強磁性合金薄膜1の厚み
、飽和磁化をそれぞれ、 Tl、Mt とおき、軟磁
性膜5の厚み、飽和磁化をそれぞれ、12. M2
とおくと、 tIMt<12M2の条件を満せば良い
。例えば強磁性合金薄膜lとしてtl=40OA、Mt
=800emu/ccのパーマロイ合金を用い、軟磁性
膜5として、 M2=1100emu/ccのCoZr
アモルファス軟a性軟管性体ると、その厚みt2は30
0A以上に設定すれば良い、続いて、図において、軟磁
性膜5の上にはAu、Cu、 AI 等の良導電性の
電極2が接続しである。電極2は軟磁性膜5より小さい
面積で、しかも、軟磁性膜50MR素子1の中央部寄り
側が露出される様に被着されている。
かかる構成のM、T’L素子において、電極2からセン
ス電流Isが供給されると、電極2と軟磁性膜5の接続
面から、センス電流Isは強磁性合金薄膜!、導体膜4
.軟磁性膜5を、それぞれの固有抵抗及び厚みに応じて
強磁性合金薄膜1の長手方向に平行に分流し、軟磁性膜
5.導体膜4の強磁性合金薄膜1の中央部側の端部がら
再び、強磁性合金薄膜lに集中して流れる様になる。軟
磁性膜5、導体膜」に分流したセンス電流は、その回り
に強磁性合金薄膜1の膜面内を通る磁界HBを発生する
。該磁界HBは、軟磁性膜5が積層された強磁性合金薄
膜1の長手方向両端部の磁化を強磁性合金薄膜lへ幅方
向に励磁する。しかも、この領域は、軟磁性膜5の静磁
気的結合によって1幅方向の反磁界が大きく軽減されて
いるため1弱い磁界HBであっても0強磁性合金薄膜l
の磁化をその幅方向に飽和させることができる。
ス電流Isが供給されると、電極2と軟磁性膜5の接続
面から、センス電流Isは強磁性合金薄膜!、導体膜4
.軟磁性膜5を、それぞれの固有抵抗及び厚みに応じて
強磁性合金薄膜1の長手方向に平行に分流し、軟磁性膜
5.導体膜4の強磁性合金薄膜1の中央部側の端部がら
再び、強磁性合金薄膜lに集中して流れる様になる。軟
磁性膜5、導体膜」に分流したセンス電流は、その回り
に強磁性合金薄膜1の膜面内を通る磁界HBを発生する
。該磁界HBは、軟磁性膜5が積層された強磁性合金薄
膜1の長手方向両端部の磁化を強磁性合金薄膜lへ幅方
向に励磁する。しかも、この領域は、軟磁性膜5の静磁
気的結合によって1幅方向の反磁界が大きく軽減されて
いるため1弱い磁界HBであっても0強磁性合金薄膜l
の磁化をその幅方向に飽和させることができる。
尚、軟磁性膜5は、それ自体の磁気抵抗効果かによる抵
抗変化が小さくなる様な材料、膜厚が選ばれる。例えば
、Co−メタル系アモルファス軟磁性体は、極めて磁気
抵抗効果が小さく、零となる組成も選定できる。又パー
マロイ合金は1強磁性合金薄膜1と同等の磁気抵抗効果
を有するが。
抗変化が小さくなる様な材料、膜厚が選ばれる。例えば
、Co−メタル系アモルファス軟磁性体は、極めて磁気
抵抗効果が小さく、零となる組成も選定できる。又パー
マロイ合金は1強磁性合金薄膜1と同等の磁気抵抗効果
を有するが。
強磁性合金薄膜1と同等膜厚よりも充分大きな膜厚に設
定することにより、抵抗変化は極めて小さくできる。こ
の様に軟磁性膜5の膜厚を大きく設定することは、前述
した様に1強磁性合金薄膜Iとの静磁気的結合を強固に
し1強磁性合金薄膜lの反磁界を軽減するのに有効であ
るし、しかも軟磁性膜5の電気抵抗が低下する分だけ、
センス電流Isが多く分流し、磁界HBが増加する効果
もある。従って1強磁性合金薄膜1の磁化をその幅方向
に更に、飽和させやすくする。
定することにより、抵抗変化は極めて小さくできる。こ
の様に軟磁性膜5の膜厚を大きく設定することは、前述
した様に1強磁性合金薄膜Iとの静磁気的結合を強固に
し1強磁性合金薄膜lの反磁界を軽減するのに有効であ
るし、しかも軟磁性膜5の電気抵抗が低下する分だけ、
センス電流Isが多く分流し、磁界HBが増加する効果
もある。従って1強磁性合金薄膜1の磁化をその幅方向
に更に、飽和させやすくする。
第1図は、軟磁性膜5の上部に電&2を積層した構成を
有するMR素子を示すが、上述した様に。
有するMR素子を示すが、上述した様に。
軟磁性膜5の膜厚を充分大きく設定し、電気抵抗を低下
させれば、電&2は実質的に不要になる。
させれば、電&2は実質的に不要になる。
この様な電極構成を有する本発明によるMR素子の実施
例を第2図に示す。第2図において、電極2は、軟磁性
膜5と同じ材料で構成されている。
例を第2図に示す。第2図において、電極2は、軟磁性
膜5と同じ材料で構成されている。
軟磁性a5の膜厚は1強磁性合金薄膜lより大きく設定
されその電気抵抗は強磁性合金薄膜1の抵抗値よりも充
分小さく1例えば1/10程度の大きさになる様に設定
される。これによって、軟磁性膜5(電極2)の磁気抵
抗効果による抵抗変化を極めて小さくできる。無論軟磁
性膜5(を極2)としてCo−メタル系アモルファス膜
等のように、 −磁気抵抗効果が極めて小さい材料を選
択すれば。
されその電気抵抗は強磁性合金薄膜1の抵抗値よりも充
分小さく1例えば1/10程度の大きさになる様に設定
される。これによって、軟磁性膜5(電極2)の磁気抵
抗効果による抵抗変化を極めて小さくできる。無論軟磁
性膜5(を極2)としてCo−メタル系アモルファス膜
等のように、 −磁気抵抗効果が極めて小さい材料を選
択すれば。
更に、軟磁性膜5(t&2)の抵抗変化は無視できる。
第2図(a)、 (b)の様な構成では、第1図に示す
電極2が不要となるため、MR素子の製造プロセスが簡
便になる。
電極2が不要となるため、MR素子の製造プロセスが簡
便になる。
第3図(a)、 (blに本発明の更に、他の実施例を
示す。第3図は、米国特許3813692号に開示され
たいわゆるシャントバイアス型MR素子に本発明を適用
した実施例である。第3図では、第1図と違って強磁性
合金薄膜lの全面に導体膜4が積層されている。電極2
から供給されるセンス電流Isは、軟磁性膜5が積層さ
れた強磁性合金薄膜lの長手方向両端では、該軟磁性J
ll!5.導体膜4及び強磁性合金薄膜1に分流するが
、強磁性合金薄膜lの中央部(軟磁性膜5が積層されて
いない領域)では導体膜4及び強磁性合金簿膜lに分流
する。軟磁性膜5及び導体膜4中の分流センス電流は、
第1図の実施例と同様1強磁性合金薄膜lの幅方向lこ
磁界HBを発生し、軟磁性膜5が積層されたM几素子1
の長手方向両端の磁化を幅方向に飽和させる。−11強
磁性合金薄膜lの中央部lこおける導体膜4に分流する
センス電流は1強磁性合金薄膜lの幅方向に磁界Hを発
生する。この磁界Hに1強磁性合金薄膜1の中央部(軟
磁性膜5が積層されていない領域)の磁化を所定の方向
にバイアスするのに用いられる。この様に強磁性合金薄
膜lの磁化をバイアスすることにより、外部信号磁界に
対する強磁性合金薄膜Iの応答が線形化することができ
る。第3図の実施例では1M几素子を線形応答するため
のバイアス手段が1強磁性合金薄膜lと軟磁性膜5とを
靜母気結合さるための導体膜4としても機能するため1
MR累子の製造70セスが簡便になる。
示す。第3図は、米国特許3813692号に開示され
たいわゆるシャントバイアス型MR素子に本発明を適用
した実施例である。第3図では、第1図と違って強磁性
合金薄膜lの全面に導体膜4が積層されている。電極2
から供給されるセンス電流Isは、軟磁性膜5が積層さ
れた強磁性合金薄膜lの長手方向両端では、該軟磁性J
ll!5.導体膜4及び強磁性合金薄膜1に分流するが
、強磁性合金薄膜lの中央部(軟磁性膜5が積層されて
いない領域)では導体膜4及び強磁性合金簿膜lに分流
する。軟磁性膜5及び導体膜4中の分流センス電流は、
第1図の実施例と同様1強磁性合金薄膜lの幅方向lこ
磁界HBを発生し、軟磁性膜5が積層されたM几素子1
の長手方向両端の磁化を幅方向に飽和させる。−11強
磁性合金薄膜lの中央部lこおける導体膜4に分流する
センス電流は1強磁性合金薄膜lの幅方向に磁界Hを発
生する。この磁界Hに1強磁性合金薄膜1の中央部(軟
磁性膜5が積層されていない領域)の磁化を所定の方向
にバイアスするのに用いられる。この様に強磁性合金薄
膜lの磁化をバイアスすることにより、外部信号磁界に
対する強磁性合金薄膜Iの応答が線形化することができ
る。第3図の実施例では1M几素子を線形応答するため
のバイアス手段が1強磁性合金薄膜lと軟磁性膜5とを
靜母気結合さるための導体膜4としても機能するため1
MR累子の製造70セスが簡便になる。
(発明の効果)
以上、述べた様に本発明でMR素子では1強磁性合金薄
@iの長手方向の両端に導暎@4を介して、軟礁性膜5
8積層し、強磁性合金薄膜lと軟磁性膜5の靜出気的結
合及び導体膜4と軟磁性膜5に分流するセンス電流の発
生する磁界HBを利用して1強磁性合金薄R1O長手方
向の両端における磁化を1強磁性合金薄s1の幅方向に
飽和させている。従って、この部分における磁壁は消滅
し、磁壁の存在による再生出力の変動、及磁壁の移動に
よるバルクハウゼン雑音の発生が抑制される。しかも、
この部分は、強磁性合金薄膜lの磁化が飽和しているこ
とにより、外部信号磁界に対しても、磁化の回転が生じ
ないことと導体膜4及び導電性の軟磁性膜5が積層され
、正味の電気抵抗が極めて小さくなっていることの効果
により。
@iの長手方向の両端に導暎@4を介して、軟礁性膜5
8積層し、強磁性合金薄膜lと軟磁性膜5の靜出気的結
合及び導体膜4と軟磁性膜5に分流するセンス電流の発
生する磁界HBを利用して1強磁性合金薄R1O長手方
向の両端における磁化を1強磁性合金薄s1の幅方向に
飽和させている。従って、この部分における磁壁は消滅
し、磁壁の存在による再生出力の変動、及磁壁の移動に
よるバルクハウゼン雑音の発生が抑制される。しかも、
この部分は、強磁性合金薄膜lの磁化が飽和しているこ
とにより、外部信号磁界に対しても、磁化の回転が生じ
ないことと導体膜4及び導電性の軟磁性膜5が積層され
、正味の電気抵抗が極めて小さくなっていることの効果
により。
外部信号磁界に対して抵抗変化が生じな(なっている。
従ってMR素子の信号磁界検出部分を厳密に規定できる
。
。
更に、軟磁性膜5は、電極2としての機能、導CIF−
膜4は1M几素子を線形応答させるバイアス手段として
の機能も併用させることができるため。
膜4は1M几素子を線形応答させるバイアス手段として
の機能も併用させることができるため。
MR素子の構造が極めて、簡単になり、従って製造プロ
セスが簡便lこなるという利点が生じる。
セスが簡便lこなるという利点が生じる。
第1図(a)、 (bJは本発明による磁気抵抗効果素
子の第1の実施例を示す図、第2図(al、(blは本
発明による磁気抵抗効果素子の第2の実施例を示す図。 第3図(a)、 (b)は本発明による磁気抵抗効果素
子の第3の実施例を示す図、第4図(a)、 (b)は
従来技術による磁気抵抗効果素子を示す図である。 図において l・・・・・・強磁性合金薄膜、 2・・・・・・を
極、 3・・・・・磁壁、 4・・・・・・導体膜、
5・・・・・・軟磁性膜f・・「:・・、フ・′理
1−内原 晋第1図 (a) 第2図 (a) (b) 第3図 (a)
子の第1の実施例を示す図、第2図(al、(blは本
発明による磁気抵抗効果素子の第2の実施例を示す図。 第3図(a)、 (b)は本発明による磁気抵抗効果素
子の第3の実施例を示す図、第4図(a)、 (b)は
従来技術による磁気抵抗効果素子を示す図である。 図において l・・・・・・強磁性合金薄膜、 2・・・・・・を
極、 3・・・・・磁壁、 4・・・・・・導体膜、
5・・・・・・軟磁性膜f・・「:・・、フ・′理
1−内原 晋第1図 (a) 第2図 (a) (b) 第3図 (a)
Claims (3)
- (1)磁気抵抗効果を有する短冊状強磁性合金薄膜と、
該薄膜の長手方向の両端部に少なくとも1対の電極部を
備えた磁気抵抗効果素子において、電極部は強磁性合金
薄膜上に、非磁性材料からなる導体膜と導電性の軟磁性
膜が順次積層された構成を有し、強磁性合金薄膜と軟磁
性膜とが静磁気的に結合し得る範囲に導体膜の膜厚が設
定されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - (2)電極部には軟磁性膜上にさらに電極が形成されて
いる特許請求の範囲第1項記載の磁気抵抗効果素子。 - (3)電極部を構成する非磁性材料からなる導体膜は強
磁性合金薄膜上の全面に形成されている特許請求の範囲
第1項又は、第2項記載の磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60105539A JPH0728059B2 (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60105539A JPH0728059B2 (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61264772A true JPS61264772A (ja) | 1986-11-22 |
JPH0728059B2 JPH0728059B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=14410391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60105539A Expired - Fee Related JPH0728059B2 (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0728059B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01214077A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
EP0710923A3 (en) * | 1994-11-02 | 1996-07-31 | Unitika Ltd | Magnetic marking |
WO1997011499A1 (fr) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Tdk Corporation | Transducteur magnetique |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012073819A1 (ja) | 2010-11-29 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | 導光体および導光体を有する照明装置ならびに表示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5640406A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-16 | Kubota Ltd | Detector for loosening of chain of sludge raker |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP60105539A patent/JPH0728059B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5640406A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-16 | Kubota Ltd | Detector for loosening of chain of sludge raker |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01214077A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
EP0710923A3 (en) * | 1994-11-02 | 1996-07-31 | Unitika Ltd | Magnetic marking |
WO1997011499A1 (fr) * | 1995-09-21 | 1997-03-27 | Tdk Corporation | Transducteur magnetique |
US5923504A (en) * | 1995-09-21 | 1999-07-13 | Tdk Corporation | Magnetoresistance device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0728059B2 (ja) | 1995-03-29 |
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