JPH0572645B2 - - Google Patents
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- JPH0572645B2 JPH0572645B2 JP13738785A JP13738785A JPH0572645B2 JP H0572645 B2 JPH0572645 B2 JP H0572645B2 JP 13738785 A JP13738785 A JP 13738785A JP 13738785 A JP13738785 A JP 13738785A JP H0572645 B2 JPH0572645 B2 JP H0572645B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記憶媒体に書き込まれた磁気的情
報をいわゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出し
を行う強磁性磁気抵抗効果素子（以下、MR素子
と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘツド（以下、
MRヘツドと称す）に関する。
報をいわゆる磁気抵抗効果を利用して、読み出し
を行う強磁性磁気抵抗効果素子（以下、MR素子
と称す）を備えた磁気抵抗効果ヘツド（以下、
MRヘツドと称す）に関する。
（従来技術とその問題点）
周知の如く、MR素子を磁気記憶媒体に書き込
まれた磁気的情報に対して、線形応答を呈する高
効率の再生用ヘツドとして用いる場合には、MR
素子に流すセンス電流ＩとMR素子の磁化Ｍの成
す角度ΘB（以下、バイアス角度と称す）を所定の
値（望ましくは45°）に設定するバイアス手段を
具備してなければならない。
まれた磁気的情報に対して、線形応答を呈する高
効率の再生用ヘツドとして用いる場合には、MR
素子に流すセンス電流ＩとMR素子の磁化Ｍの成
す角度ΘB（以下、バイアス角度と称す）を所定の
値（望ましくは45°）に設定するバイアス手段を
具備してなければならない。
従来、MR素子のバイアス方法として、第４図
に示す構成を有するMRヘツドが、特開昭52−
62417号に開示されている。第４図ａは該MRヘ
ツドのバイアス手段を提示するMR素子部分の平
面図、第４図ｂは該MR素子部分を磁気記憶媒体
摺動面より見た正面図を示す。図において強磁性
合金薄膜より成る短冊状のMR素子１に直接接触
して付着された比較的高抵抗率の非磁性物質より
成るシヤント層２、該シヤント層２に直接接触し
て付着された導電性の軟磁性材料よるなるバイア
ス層３から構成される電磁変換素子４と、これに
センス電流Isを供給するために、該電磁変換素子
４の長手方向両側のバイアス層３に直接接触して
付着された良導電性の電極５から成る。
に示す構成を有するMRヘツドが、特開昭52−
62417号に開示されている。第４図ａは該MRヘ
ツドのバイアス手段を提示するMR素子部分の平
面図、第４図ｂは該MR素子部分を磁気記憶媒体
摺動面より見た正面図を示す。図において強磁性
合金薄膜より成る短冊状のMR素子１に直接接触
して付着された比較的高抵抗率の非磁性物質より
成るシヤント層２、該シヤント層２に直接接触し
て付着された導電性の軟磁性材料よるなるバイア
ス層３から構成される電磁変換素子４と、これに
センス電流Isを供給するために、該電磁変換素子
４の長手方向両側のバイアス層３に直接接触して
付着された良導電性の電極５から成る。
該電磁変換素子４のシヤント層２は、バイアス
層３とMR素子１が充分な静磁気的結合を行い得
る厚みに設定されている。かかる構成のMRヘツ
ドにおいて、一対の電極５から、センス電流Isが
供給されると、該センス電流Isは、電磁変換素子
４のＬで表示する領域において、電磁変換素子４
の内部を流れる。即ち、センス電流Isは、MR素
子１、シヤント層２、バイアス層３の内部を、そ
れぞれの抵抗値に応じて分流する。
層３とMR素子１が充分な静磁気的結合を行い得
る厚みに設定されている。かかる構成のMRヘツ
ドにおいて、一対の電極５から、センス電流Isが
供給されると、該センス電流Isは、電磁変換素子
４のＬで表示する領域において、電磁変換素子４
の内部を流れる。即ち、センス電流Isは、MR素
子１、シヤント層２、バイアス層３の内部を、そ
れぞれの抵抗値に応じて分流する。
夫々に分流したセンス電流は、MR素子１とバ
イアス層３の膜面内を通り、センス電流Isと直交
方向に、磁界を発生し、MR素子１とバイアス層
３の磁化を励磁する。即ち、この磁界は、MR素
子１とバイアス層３の相互に静磁気結合によつ
て、センス電流Isに対して所定のバイアス角ΘB
（望ましくはΘB＝45度）をなすように、MR素子
１内の磁化を回転させる。
イアス層３の膜面内を通り、センス電流Isと直交
方向に、磁界を発生し、MR素子１とバイアス層
３の磁化を励磁する。即ち、この磁界は、MR素
子１とバイアス層３の相互に静磁気結合によつ
て、センス電流Isに対して所定のバイアス角ΘB
（望ましくはΘB＝45度）をなすように、MR素子
１内の磁化を回転させる。
しかし、かかる構成のMRヘツドにおいては、
電磁変換素子４の長手方向の両端、即ち、良導体
である電極５が接続された領域のMR素子１、シ
ヤント層２及びバイアス層３には、センス電流が
殆ど分流しない。従つて、このMR素子１及びバ
イアス層３は励磁されることがなく、MR素子１
のバイアス角は低いレベルに保たれる。
電磁変換素子４の長手方向の両端、即ち、良導体
である電極５が接続された領域のMR素子１、シ
ヤント層２及びバイアス層３には、センス電流が
殆ど分流しない。従つて、このMR素子１及びバ
イアス層３は励磁されることがなく、MR素子１
のバイアス角は低いレベルに保たれる。
しかも、電磁変換素子４の外部信号に対する検
知能力を有する領域Ｌと電極５との境界では、セ
ンス電流が、MR素子１、シヤント層２及びバイ
アス層３の各厚み方向にも分布するため、該境界
近傍に発生するMR素子１とバイアス層３の磁化
を励磁するための磁界が弱くなる。従つて、該境
界におけるMR素子１バイアス角はMR素子１の
中央部よりも低く設定される。第５図に、この様
なMR素子１の長手方向におけるバイアス角の分
布を示す。この様に、第４図に示す従来のMRヘ
ツドでは、信号磁界検知領域Ｌ内に、バイアス角
の低い領域が形成されるため、効率の低下が見ら
れる。特に、狭トラツク幅のMRヘツド、即ち、
領域Ｌが小さなMRヘツドでは、効率の大きな低
下と、再生波形歪が見られるため、狭トラツク化
が困難であつた。
知能力を有する領域Ｌと電極５との境界では、セ
ンス電流が、MR素子１、シヤント層２及びバイ
アス層３の各厚み方向にも分布するため、該境界
近傍に発生するMR素子１とバイアス層３の磁化
を励磁するための磁界が弱くなる。従つて、該境
界におけるMR素子１バイアス角はMR素子１の
中央部よりも低く設定される。第５図に、この様
なMR素子１の長手方向におけるバイアス角の分
布を示す。この様に、第４図に示す従来のMRヘ
ツドでは、信号磁界検知領域Ｌ内に、バイアス角
の低い領域が形成されるため、効率の低下が見ら
れる。特に、狭トラツク幅のMRヘツド、即ち、
領域Ｌが小さなMRヘツドでは、効率の大きな低
下と、再生波形歪が見られるため、狭トラツク化
が困難であつた。
（発明の目的）
本発明は、このような欠点を招来することな
く、信号磁界検知領域でほほ一様なバイアス角を
有し、狭トラツク化が可能な磁気抵抗効果ヘツド
を提供することにある。
く、信号磁界検知領域でほほ一様なバイアス角を
有し、狭トラツク化が可能な磁気抵抗効果ヘツド
を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の構成は、強磁性合金薄膜から成る磁気
抵抗効果素子と、高抵抗率の非磁性材料より成る
シヤント層と導電性の軟磁性材料より成るバイア
ス層とが積層された短冊状の電磁変換素子と、該
電磁変換素子のバイアス層側に形成される少くな
くとも１対の電極部を備えた磁気抵抗効果ヘツド
において、電極部は前記バイアス層上に形成され
る導電性の軟磁性膜を含む構成であることを特徴
とする。
抵抗効果素子と、高抵抗率の非磁性材料より成る
シヤント層と導電性の軟磁性材料より成るバイア
ス層とが積層された短冊状の電磁変換素子と、該
電磁変換素子のバイアス層側に形成される少くな
くとも１対の電極部を備えた磁気抵抗効果ヘツド
において、電極部は前記バイアス層上に形成され
る導電性の軟磁性膜を含む構成であることを特徴
とする。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の様な電極構成をとることによ
り従来技術の問題点を解決した。
り従来技術の問題点を解決した。
即ち、本発明では、電磁変換素子の電極部分の
軟磁性膜にセンス電流を分流させ、該分流センス
電流によつて、MR素子の幅方向に発生する磁界
を利用して、MR素子の長手方向両端のバイアス
角を、信号磁界検知領域のバイアス角よりも大き
く設定している。
軟磁性膜にセンス電流を分流させ、該分流センス
電流によつて、MR素子の幅方向に発生する磁界
を利用して、MR素子の長手方向両端のバイアス
角を、信号磁界検知領域のバイアス角よりも大き
く設定している。
従つて、該信号磁界検知領域の両端のバイアス
角の低下を防ぎ、バイアス角の低下にともなう、
効率の低下、狭トラツク化の困難を解消すること
ができる。
角の低下を防ぎ、バイアス角の低下にともなう、
効率の低下、狭トラツク化の困難を解消すること
ができる。
以下、本発明を実施例を示す図面を用いて、更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
（実施例）
第１図は、本発明の第１の実施例を示す図で、
第１図ａ，ｂは、それぞれ平面図及び摺動面より
見た正面図である。
第１図ａ，ｂは、それぞれ平面図及び摺動面より
見た正面図である。
図において、電磁変換素子４は、NiFe、NiCo
合金等の強磁性合金薄膜から成るMR素子１に
Ti、Ta、Mo等の層の他の材料より比較的高抵
抗率の非酸性材料から成るシヤント層２が直接接
触して積層され、該シヤント層２に、軟磁性アモ
ルフアス合金（例えばCoZr、CoTa等のCo−メ
タル系アモルフアス）、パーマロイ等の導電性を
有するバイアス層３が直接接触して積層された構
成を有し、短冊状に加工されている。
合金等の強磁性合金薄膜から成るMR素子１に
Ti、Ta、Mo等の層の他の材料より比較的高抵
抗率の非酸性材料から成るシヤント層２が直接接
触して積層され、該シヤント層２に、軟磁性アモ
ルフアス合金（例えばCoZr、CoTa等のCo−メ
タル系アモルフアス）、パーマロイ等の導電性を
有するバイアス層３が直接接触して積層された構
成を有し、短冊状に加工されている。
電磁変換素子４のシヤント層４の厚みは、MR
素子１とバイアス層３が静磁気的な結合が行える
範囲に選定される。
素子１とバイアス層３が静磁気的な結合が行える
範囲に選定される。
該短冊状電磁変換素子４の長手方向の両端には
一対の電極部として、バイアス層３と直接接触さ
せて、軟磁性アモルフアス合金、パーマロイ等の
導電性を有する軟磁性膜６が積層され、該軟磁性
膜６の上には、Au、Cu、Al等の良導電性の電極
５が接続してある。電極５は軟磁性膜６より小さ
い面積で、しかも軟磁性膜６の中央部寄り側が露
出される様に被着されている。
一対の電極部として、バイアス層３と直接接触さ
せて、軟磁性アモルフアス合金、パーマロイ等の
導電性を有する軟磁性膜６が積層され、該軟磁性
膜６の上には、Au、Cu、Al等の良導電性の電極
５が接続してある。電極５は軟磁性膜６より小さ
い面積で、しかも軟磁性膜６の中央部寄り側が露
出される様に被着されている。
かかる構成のMRヘツドにおいて、電極５から
センス電流Isが供給されると、電極５と軟磁性膜
６の接続面から、センス電流Isは、電磁変換素子
４と軟磁性薄膜６にそれぞれの抵抗値に応じて分
流し、電磁変換素子４の中央部側の軟磁性膜６の
端部から、再べ電磁変換素子４に集中して流れる
様になる。電磁変換素子４の中央部分におけるセ
ンス電流Isは、MR素子１、シヤント層２及びバ
イアス層３に、それぞれの抵抗値に応じて分流す
る。以下、従来技術と同様の動作により、該セン
ス電流Isは、MR素子１の磁化を、センス電流の
方向に対して回転させ、所定のバイアス角に設定
する。
センス電流Isが供給されると、電極５と軟磁性膜
６の接続面から、センス電流Isは、電磁変換素子
４と軟磁性薄膜６にそれぞれの抵抗値に応じて分
流し、電磁変換素子４の中央部側の軟磁性膜６の
端部から、再べ電磁変換素子４に集中して流れる
様になる。電磁変換素子４の中央部分におけるセ
ンス電流Isは、MR素子１、シヤント層２及びバ
イアス層３に、それぞれの抵抗値に応じて分流す
る。以下、従来技術と同様の動作により、該セン
ス電流Isは、MR素子１の磁化を、センス電流の
方向に対して回転させ、所定のバイアス角に設定
する。
一方、軟磁性膜６が積層された領域では、軟磁
性膜６にもセンス電流が分流しているため、実質
的にMR素子１の長手方向の両端に印加される幅
方向の磁界は、電磁変換素子４の中央部におけ
る、MR素子１に印加される磁界よりも増加して
いる。しかも、MR素子１と静磁気的結合を行う
磁性体の膜厚が軟磁性膜６の分だけ増加している
ため、その静磁気的結合は、前記中央部よりも大
きくなつており、MR素子１の幅方向反磁界は大
きく減少している。
性膜６にもセンス電流が分流しているため、実質
的にMR素子１の長手方向の両端に印加される幅
方向の磁界は、電磁変換素子４の中央部におけ
る、MR素子１に印加される磁界よりも増加して
いる。しかも、MR素子１と静磁気的結合を行う
磁性体の膜厚が軟磁性膜６の分だけ増加している
ため、その静磁気的結合は、前記中央部よりも大
きくなつており、MR素子１の幅方向反磁界は大
きく減少している。
したがつて、この領域では、MR素子１のバイ
アス角は、中央部に比して、大きく設定されるこ
とになる。第２図に、第１図に示す実施例のMR
素子１の長手方向におけるバイアス角の分布を示
す。軟磁性膜６が積層されていない電磁変換素子
４の領域ＬのMR素子１のバイアス角の値（第２
図では45°に設定）に対して、軟磁性膜６が積層
された領域のMR素子１のバイアス角は、大きな
値を有しており、領域Ｌの両端における大きなバ
イアス角の低下は見られない。
アス角は、中央部に比して、大きく設定されるこ
とになる。第２図に、第１図に示す実施例のMR
素子１の長手方向におけるバイアス角の分布を示
す。軟磁性膜６が積層されていない電磁変換素子
４の領域ＬのMR素子１のバイアス角の値（第２
図では45°に設定）に対して、軟磁性膜６が積層
された領域のMR素子１のバイアス角は、大きな
値を有しており、領域Ｌの両端における大きなバ
イアス角の低下は見られない。
軟磁性膜６が積層された領域におけるMR素子
１のバイアス角の大きさは、軟磁性膜６の膜厚、
飽和磁化等によつて制御できる。
１のバイアス角の大きさは、軟磁性膜６の膜厚、
飽和磁化等によつて制御できる。
尚、電磁変換素子４の磁界検知領域をＬの大き
さに規定するためには、軟磁性膜６が積層された
領域のMR素子１の磁化をその幅方向に飽和（即
ち、この領域のバイアス角を90°に設定する）さ
せ、信号磁界に対して、磁化が応答しないように
するか、軟磁性膜６の抵抗値が小さくなる膜厚あ
るいは材料を選択し、正味の抵抗変化が極めて小
さくなるように設定すればよい。
さに規定するためには、軟磁性膜６が積層された
領域のMR素子１の磁化をその幅方向に飽和（即
ち、この領域のバイアス角を90°に設定する）さ
せ、信号磁界に対して、磁化が応答しないように
するか、軟磁性膜６の抵抗値が小さくなる膜厚あ
るいは材料を選択し、正味の抵抗変化が極めて小
さくなるように設定すればよい。
第１図は、電極部が軟磁性膜６の上部に電極２
を積層した構成を有するが、上述した様に、軟磁
性膜６の膜厚を大きく設定するか、固有抵抗の小
さな材料を選択し、電気抵抗を低下させれば、電
極５は実質的に不要になる。
を積層した構成を有するが、上述した様に、軟磁
性膜６の膜厚を大きく設定するか、固有抵抗の小
さな材料を選択し、電気抵抗を低下させれば、電
極５は実質的に不要になる。
この様な実施例を第３図ａ，ｂに示す。第３図
ａ，ｂにおいて、電極部は、軟磁性膜６のみで構
成されている。軟磁性膜６の電気抵抗は、MR素
子１の抵抗値よりも充分小さく、例えば1/10程度
の大きさになる様に設定される。
ａ，ｂにおいて、電極部は、軟磁性膜６のみで構
成されている。軟磁性膜６の電気抵抗は、MR素
子１の抵抗値よりも充分小さく、例えば1/10程度
の大きさになる様に設定される。
これによつて、軟磁性膜６が積層された領域の
電磁変換素子４の抵抗変化は実質的に無視でき
る。
電磁変換素子４の抵抗変化は実質的に無視でき
る。
第３図ａ，ｂの様な構成では、第１図に示す電
極５が不要となるため、MRヘツドの製造プロセ
スが簡便になる。
極５が不要となるため、MRヘツドの製造プロセ
スが簡便になる。
第１図ａ，ｂ及び、第３図ａ，ｂにおいて、バ
イアス層３と軟磁性膜６は別種の材料で構成され
ているが、MRヘツドの製造プロセスを簡単にす
るため、同一の材料で形成してもよい。即ち、電
磁変換素子４のバイアス層３の膜厚を磁界検知領
域Ｌの部分では、MR素子１に必要なバイアス角
（望ましくは45°）を与える大きさに設定し、他の
部分ではこれ以上の大きさとなるように設定し、
その電気抵抗を低下させれば良い。
イアス層３と軟磁性膜６は別種の材料で構成され
ているが、MRヘツドの製造プロセスを簡単にす
るため、同一の材料で形成してもよい。即ち、電
磁変換素子４のバイアス層３の膜厚を磁界検知領
域Ｌの部分では、MR素子１に必要なバイアス角
（望ましくは45°）を与える大きさに設定し、他の
部分ではこれ以上の大きさとなるように設定し、
その電気抵抗を低下させれば良い。
これは、シヤント層２の上にバイアス層３を成
膜する際、予じめその膜厚を必要とされる軟磁性
膜６及びバイアス層３の膜厚の和に設定し、その
後、磁界検知領域Ｌの部分を、必要とされるバイ
アス層３の膜厚までエツチングすれば良い。
膜する際、予じめその膜厚を必要とされる軟磁性
膜６及びバイアス層３の膜厚の和に設定し、その
後、磁界検知領域Ｌの部分を、必要とされるバイ
アス層３の膜厚までエツチングすれば良い。
（発明の効果）
以上、述べた様に本発明では、電磁変換素子４
の両端に軟磁性膜６を積層し、MR素子１と軟磁
性膜６の静磁気的結合及び軟磁性膜６に分流する
センス電流の発生する磁界を利用して、MR素子
１の長手方向の両端のバイアス角を、中央部のバ
イアス角よりも大きく設定し、磁界検知領域Ｌの
両端のバイアス角の低下を補つている。
の両端に軟磁性膜６を積層し、MR素子１と軟磁
性膜６の静磁気的結合及び軟磁性膜６に分流する
センス電流の発生する磁界を利用して、MR素子
１の長手方向の両端のバイアス角を、中央部のバ
イアス角よりも大きく設定し、磁界検知領域Ｌの
両端のバイアス角の低下を補つている。
従つて、この領域における効率の低下を補償
し、再生波形歪を解消でき、狭トラツク化が可能
となる。更に、軟磁性膜６の膜厚及び材料の選択
により、軟磁性膜６が積層された領域の正味の電
気抵抗を小さく設定することにより、外部信号磁
界に対して抵抗変化が小さくなつている。
し、再生波形歪を解消でき、狭トラツク化が可能
となる。更に、軟磁性膜６の膜厚及び材料の選択
により、軟磁性膜６が積層された領域の正味の電
気抵抗を小さく設定することにより、外部信号磁
界に対して抵抗変化が小さくなつている。
従つて、電磁変換素子４の磁界検知領域Ｌを厳
密に規定できる。
密に規定できる。
又、軟磁性膜６は電極５としての機能、及びバ
イアス層４としての機能も併用させることができ
るため、MRヘツドの構造が極めて、簡単にな
り、従つて製造プロセスが簡便になるという利点
を生じる。
イアス層４としての機能も併用させることができ
るため、MRヘツドの構造が極めて、簡単にな
り、従つて製造プロセスが簡便になるという利点
を生じる。
第１図ａ，ｂは本発明による磁気抵抗効果ヘツ
ドの第１の実施例を示す図、第２図は、第１図の
磁気抵抗効果ヘツドのバイアス角の分布を示す
図、第３図ａ，ｂは本発明による磁気抵抗効果ヘ
ツドの第２の実施例を示す図、第４図は従来技術
による磁気抵抗効果ヘツドを示す図、第５図は、
第４図の磁気抵抗効果ヘツドのバイアス角の分布
を示す図である。 図において、１……MR素子、２……シヤント
層、３……バイアス層、４……電磁変換素子、５
……電極、６……軟磁性膜。
ドの第１の実施例を示す図、第２図は、第１図の
磁気抵抗効果ヘツドのバイアス角の分布を示す
図、第３図ａ，ｂは本発明による磁気抵抗効果ヘ
ツドの第２の実施例を示す図、第４図は従来技術
による磁気抵抗効果ヘツドを示す図、第５図は、
第４図の磁気抵抗効果ヘツドのバイアス角の分布
を示す図である。 図において、１……MR素子、２……シヤント
層、３……バイアス層、４……電磁変換素子、５
……電極、６……軟磁性膜。
Claims (1)
- １ 強磁性合金薄膜からなる磁気抵抗効果素子
と、高抵抗率の非磁性材料から成るシヤント層
と、導電性の軟磁性材料から成るバイアス層とが
積層された短冊状の電磁変換素子と、該電磁変換
素子のバイアス層側に形成される少くなくとも１
対の電極部を備えた磁気抵抗効果ヘツドにおい
て、電極部は前記バイアス層上に形成される、導
電性の軟磁性膜を含む構成であることを特徴とす
る磁気抵抗効果ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13738785A JPS61296522A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13738785A JPS61296522A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296522A JPS61296522A (ja) | 1986-12-27 |
| JPH0572645B2 true JPH0572645B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=15197495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13738785A Granted JPS61296522A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296522A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4782414A (en) * | 1987-07-28 | 1988-11-01 | International Business Machine | Magnetoresistive read transducer with insulator defined trackwidth |
| US5005096A (en) * | 1988-12-21 | 1991-04-02 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic shunt bias |
| JP2702210B2 (ja) * | 1989-01-26 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 磁気ヘッド |
| JP2773258B2 (ja) * | 1989-06-28 | 1998-07-09 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果型再生ヘッド |
| JPH03203012A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Nec Kansai Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JP2857286B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1999-02-17 | シャープ株式会社 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| JP2620500B2 (ja) * | 1992-10-02 | 1997-06-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気抵抗センサ及びその製造方法 |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US5898546A (en) * | 1994-09-08 | 1999-04-27 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and magnetic recording apparatus |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP13738785A patent/JPS61296522A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61296522A (ja) | 1986-12-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |