JPH02220213A - 磁気抵抗読取りトランスデユーサ - Google Patents
磁気抵抗読取りトランスデユーサInfo
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- JPH02220213A JPH02220213A JP1328615A JP32861589A JPH02220213A JP H02220213 A JPH02220213 A JP H02220213A JP 1328615 A JP1328615 A JP 1328615A JP 32861589 A JP32861589 A JP 32861589A JP H02220213 A JPH02220213 A JP H02220213A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、一般に、磁気媒体から情報信号を読み取るた
めの磁気トランスデユーサに関し、より具体的には、改
良された磁気抵抗読取りトランスデューサに関する。
めの磁気トランスデユーサに関し、より具体的には、改
良された磁気抵抗読取りトランスデューサに関する。
B、従来の技術
従来技術では、磁気抵抗(MR)センサまたはヘッドと
呼ばれる磁気トランスデユーサが開示されている。この
ようなセンサは、大きな線形密度の磁気表面からデータ
を読み取ることができることが開示されている。MRセ
ンサは、磁気抵抗物質から作った読取り素子の抵抗変化
を使って、磁界信号を、素子が感知する磁束の量及び方
向の関数として検出する。
呼ばれる磁気トランスデユーサが開示されている。この
ようなセンサは、大きな線形密度の磁気表面からデータ
を読み取ることができることが開示されている。MRセ
ンサは、磁気抵抗物質から作った読取り素子の抵抗変化
を使って、磁界信号を、素子が感知する磁束の量及び方
向の関数として検出する。
従来技術では、MR素子が最適に動作するためには、2
つのバイアス磁界をかける必要があることも教示されて
いる。磁束に対する応答が線形になるように磁性体バイ
アスさせるため、一般に横方向バイアス磁界を使用する
。このバイアス磁界は、磁気媒体の面に垂直で、平面状
MR素子の表面に平行である。本出願人に譲渡された米
国特許第3840898号は、横方向バイアスが、ヘッ
ドをR−H特性曲線の最も直線的な範囲にバイアスさせ
るのに充分なレベルで発生されるという、MRセンサを
記載している。このバイアスは、絶縁層によってMR層
から分離された硬磁気バイアス層によって発生され、永
久磁性体の層が、MRセンサ全体にわたって広がってい
る。
つのバイアス磁界をかける必要があることも教示されて
いる。磁束に対する応答が線形になるように磁性体バイ
アスさせるため、一般に横方向バイアス磁界を使用する
。このバイアス磁界は、磁気媒体の面に垂直で、平面状
MR素子の表面に平行である。本出願人に譲渡された米
国特許第3840898号は、横方向バイアスが、ヘッ
ドをR−H特性曲線の最も直線的な範囲にバイアスさせ
るのに充分なレベルで発生されるという、MRセンサを
記載している。このバイアスは、絶縁層によってMR層
から分離された硬磁気バイアス層によって発生され、永
久磁性体の層が、MRセンサ全体にわたって広がってい
る。
通常、MR素子で使用されている他のバイアス磁界は、
当技術分野で縦方向バイアス磁界と呼ばれるもので、磁
気媒体の表面に平行、MR素子の長手方向に平行である
。縦方向バイアス磁界の機能は、MR素子内の多磁区作
用から生じるバルクハウゼン雑音を抑えることである。
当技術分野で縦方向バイアス磁界と呼ばれるもので、磁
気媒体の表面に平行、MR素子の長手方向に平行である
。縦方向バイアス磁界の機能は、MR素子内の多磁区作
用から生じるバルクハウゼン雑音を抑えることである。
MRセンサ用のバイアス法及び装置が従来技術で多数開
発されている。しかし、記録密度を大きくするにつれて
、狭い記録トラックを狭<シ、トラックに沿った線形記
録密度を大きくすることが必要になってきた。これらの
要件を満たす小型MRセンサは、従来技術を使用しては
実現できない。
発されている。しかし、記録密度を大きくするにつれて
、狭い記録トラックを狭<シ、トラックに沿った線形記
録密度を大きくすることが必要になってきた。これらの
要件を満たす小型MRセンサは、従来技術を使用しては
実現できない。
これらの従来技術の問題に対する概念上の解決策が、パ
ターン化した縦方向バイアスの実施によって、ごく最近
得られた。この解決策は、本出願人に譲渡された米国特
許第4683885号に記述され、特許請求されている
。簡単に言うと、上記の発明は、MR層の先端領域内だ
けに直接、適切な単磁区状態を発生させるものである。
ターン化した縦方向バイアスの実施によって、ごく最近
得られた。この解決策は、本出願人に譲渡された米国特
許第4683885号に記述され、特許請求されている
。簡単に言うと、上記の発明は、MR層の先端領域内だ
けに直接、適切な単磁区状態を発生させるものである。
これは1MR層の先端領域内だけに縦方向バイアスを発
生させることによって実現できる。その結果、先端領域
を単磁区状態に保つことができ、これらの単磁区状態に
よって、MR1!の中心領域内に単磁区状態が誘導され
る。この概念の特定の実施例では、縦方向バイアスは、
反強磁性体と軟磁性体の間の交換結合によって実現され
る。
生させることによって実現できる。その結果、先端領域
を単磁区状態に保つことができ、これらの単磁区状態に
よって、MR1!の中心領域内に単磁区状態が誘導され
る。この概念の特定の実施例では、縦方向バイアスは、
反強磁性体と軟磁性体の間の交換結合によって実現され
る。
米国特許第4839808号は、縦方向バイアスが強磁
性体の層によって実施されるというMRセンサを記述し
ている。その強磁性体の層は、電気リード線と同じ広が
りをもつ先端領域でMR素子と接し、強磁合体の層とM
R素子の間の交換結合によって縦方向バイアスを実現す
る。したがって、MR素子は、その長手方向に沿った特
定の方向で磁化される。しかし、この方法は、バイアス
の永続性に問題がある。というのは、軟磁性MRセンサ
と交換結合したとき、硬バイアス・フィルムの固有保磁
力が実質上消失するからである。第2の問題は、硬バイ
アス・フィルムからの磁束によって生ずる。というのは
、追加の磁束が、横方向感度プロファイルに悪影響を与
える縦方向バイアスを生じ、したがって、この方法の狭
いトラックへの適用が制限されるからである。・C1発
明が解決しようとする課題 硬バイアス・フィルムが、MRセンサと先端領域だけで
静磁結合するという従来技術は知られていない。
性体の層によって実施されるというMRセンサを記述し
ている。その強磁性体の層は、電気リード線と同じ広が
りをもつ先端領域でMR素子と接し、強磁合体の層とM
R素子の間の交換結合によって縦方向バイアスを実現す
る。したがって、MR素子は、その長手方向に沿った特
定の方向で磁化される。しかし、この方法は、バイアス
の永続性に問題がある。というのは、軟磁性MRセンサ
と交換結合したとき、硬バイアス・フィルムの固有保磁
力が実質上消失するからである。第2の問題は、硬バイ
アス・フィルムからの磁束によって生ずる。というのは
、追加の磁束が、横方向感度プロファイルに悪影響を与
える縦方向バイアスを生じ、したがって、この方法の狭
いトラックへの適用が制限されるからである。・C1発
明が解決しようとする課題 硬バイアス・フィルムが、MRセンサと先端領域だけで
静磁結合するという従来技術は知られていない。
したがって、本発明の主目的は、バイアス永続性が向上
した、磁気抵抗性(MR)素子用の硬磁気バイアスを実
現することである。
した、磁気抵抗性(MR)素子用の硬磁気バイアスを実
現することである。
本発明の他の目的は、MR素子の能動領域の最適縦方向
バイアスをもつ、MR素子用の硬磁気バイアスを実現す
ることである。
バイアスをもつ、MR素子用の硬磁気バイアスを実現す
ることである。
00課題を解決するための手段
本発明によれば、MR読取りトランスデユーサは、磁性
体からなるMR伝導層の薄膜を含む。このMR層は、中
央の能動領域で分離された受動先端領域をもつ。縦方向
バイアスは、MR層の受動先端領域内でこの先端領域内
だけの硬磁性体薄膜によって与えられ、この薄膜は、M
R層に平行でそれから隔置されており、縦方向バイアス
は、MR層の受動先端領域内の磁化方向を反転するのに
充分なレベルである。
体からなるMR伝導層の薄膜を含む。このMR層は、中
央の能動領域で分離された受動先端領域をもつ。縦方向
バイアスは、MR層の受動先端領域内でこの先端領域内
だけの硬磁性体薄膜によって与えられ、この薄膜は、M
R層に平行でそれから隔置されており、縦方向バイアス
は、MR層の受動先端領域内の磁化方向を反転するのに
充分なレベルである。
硬磁性体薄膜の間隔は、硬磁性体薄膜とMR層の先端領
域の間の非磁性スペーサ層によって保たれる。硬磁性体
薄膜の厚さは、MR層の先端領域内の磁束と、MR層の
能動領域の縦方向磁束との間の磁束比が望ましい比にな
るように選択できる。
域の間の非磁性スペーサ層によって保たれる。硬磁性体
薄膜の厚さは、MR層の先端領域内の磁束と、MR層の
能動領域の縦方向磁束との間の磁束比が望ましい比にな
るように選択できる。
E、実施例
磁気抵抗(MR)読取りトランスデユーサは、MRセン
サ10(第1図、第2図、第3図)を利用したもので、
MRセンサ10は実際のデータ感知を行なう中央能動領
域12と、先端領域14の2つの領域に分割できる。本
発明は、この2つの領域を異なる形でバイアスする、す
なわち先端領域14にだけ縦方向バイアスをかけ、能動
領域12には横方向バイアスをかけるべきことを認識し
たものである。縦方向バイアスは、MRセンサ層11に
平行しているが非磁性体スペーサ層18によってMRセ
ンサ層11から分離されている、硬磁性体層16によっ
て発生させる。横方向バイアスは、薄い非磁性体スペー
サ層22によってMR層11から分離されている、軟磁
性体層20によって発生させる。スペーサ層22の目的
は、中央能動領域12内で、MR層11と軟磁性体薄膜
層20の間の磁気交換バイアスを防止することである。
サ10(第1図、第2図、第3図)を利用したもので、
MRセンサ10は実際のデータ感知を行なう中央能動領
域12と、先端領域14の2つの領域に分割できる。本
発明は、この2つの領域を異なる形でバイアスする、す
なわち先端領域14にだけ縦方向バイアスをかけ、能動
領域12には横方向バイアスをかけるべきことを認識し
たものである。縦方向バイアスは、MRセンサ層11に
平行しているが非磁性体スペーサ層18によってMRセ
ンサ層11から分離されている、硬磁性体層16によっ
て発生させる。横方向バイアスは、薄い非磁性体スペー
サ層22によってMR層11から分離されている、軟磁
性体層20によって発生させる。スペーサ層22の目的
は、中央能動領域12内で、MR層11と軟磁性体薄膜
層20の間の磁気交換バイアスを防止することである。
導線24及び26は、バイアス電流を電流源28からM
Rセンサに伝え、出力信号を外部感知手段30に伝える
ための電気経路である。導線24と26の内端の間に、
能動領域12の、出力信号がそこで検知される部分があ
る。
Rセンサに伝え、出力信号を外部感知手段30に伝える
ための電気経路である。導線24と26の内端の間に、
能動領域12の、出力信号がそこで検知される部分があ
る。
従来技術の硬磁性体バイアス設計では、第5図に示すよ
うに、受動先端セグメント14°が、矢印32及び34
で示すような過剰な磁束量を発生させる。第5図で、矢
印32は、硬磁性体層16による磁化りを表し、矢印3
3はMR層11による磁化1を表し、矢印34は軟磁性
体層20による磁化tを表す。また各磁化は、MR層1
1の磁化に合わせて正規化されている。矢印33の左の
破線は、軟薄膜磁化におけるあいまいさを表している。
うに、受動先端セグメント14°が、矢印32及び34
で示すような過剰な磁束量を発生させる。第5図で、矢
印32は、硬磁性体層16による磁化りを表し、矢印3
3はMR層11による磁化1を表し、矢印34は軟磁性
体層20による磁化tを表す。また各磁化は、MR層1
1の磁化に合わせて正規化されている。矢印33の左の
破線は、軟薄膜磁化におけるあいまいさを表している。
初期設定されると、磁化は右に向く。ただし、スペーサ
層22の厚さ及び受動先端領域14“の長さは、一般に
、先端領域14′内の軟薄膜磁化が、磁化の自発的反転
をもたらさないように選択される。第5図の実施例では
、MRセンサ10°の先端領域14°内の磁化は、h+
1±tであることがわかる。先端領域14°からくる磁
束を最小にするために、望ましくないほど薄い硬バイア
ス膜を使用せざるを得ない。
層22の厚さ及び受動先端領域14“の長さは、一般に
、先端領域14′内の軟薄膜磁化が、磁化の自発的反転
をもたらさないように選択される。第5図の実施例では
、MRセンサ10°の先端領域14°内の磁化は、h+
1±tであることがわかる。先端領域14°からくる磁
束を最小にするために、望ましくないほど薄い硬バイア
ス膜を使用せざるを得ない。
第4図に示したように、本発明の硬磁性体分路バイアス
は、矢印38で表した、MR素子11の先端領域14か
らの磁化(1に正規化されている)が、矢印36で表す
ように、硬バイアス層磁化りから差し引かれるので、こ
の問題を伴わない。矢印37で表す、軟磁性体層20の
先端領域14からの磁化tも、硬バイアス層16によっ
て発生する磁化から差し引かれる。この場合、MRセン
サ10の先端領域14内の磁化は、h−t−tである。
は、矢印38で表した、MR素子11の先端領域14か
らの磁化(1に正規化されている)が、矢印36で表す
ように、硬バイアス層磁化りから差し引かれるので、こ
の問題を伴わない。矢印37で表す、軟磁性体層20の
先端領域14からの磁化tも、硬バイアス層16によっ
て発生する磁化から差し引かれる。この場合、MRセン
サ10の先端領域14内の磁化は、h−t−tである。
この実施例を使用することによって、硬磁性体層16の
厚さを適当に選択して、望ましい縦方向バイアスを実現
することができる。先端領域14内の縦方向バイアスの
レベルは、MR素子の中央領域を単磁区状態に維持する
のに充分な程度とすることが好ましい。
厚さを適当に選択して、望ましい縦方向バイアスを実現
することができる。先端領域14内の縦方向バイアスの
レベルは、MR素子の中央領域を単磁区状態に維持する
のに充分な程度とすることが好ましい。
受動先端領域14を充分層<シ、そのスペーサ18をそ
の長さに比べて小さくすることによって、適切な静磁結
合が得られる。スペーサ18の厚さハ、硬バイアス・フ
ィルム16とMRセンサB11との間の面間相互作用を
防止できる厚さでなければならない。そうしないと、M
Rセンサの層セグメントの保磁力が増加して、この構造
の自己初期設定が損なわれる恐れがある。この目的には
、500〜2,000オングストロームの分離が適して
いることが判明している。導電性の適切な非磁性体をス
ペーサ層18に使用することができる。
の長さに比べて小さくすることによって、適切な静磁結
合が得られる。スペーサ18の厚さハ、硬バイアス・フ
ィルム16とMRセンサB11との間の面間相互作用を
防止できる厚さでなければならない。そうしないと、M
Rセンサの層セグメントの保磁力が増加して、この構造
の自己初期設定が損なわれる恐れがある。この目的には
、500〜2,000オングストロームの分離が適して
いることが判明している。導電性の適切な非磁性体をス
ペーサ層18に使用することができる。
好ましい材料は、クロムCr %タングステンW1ニオ
ブNb1及びタンタルTaなどである。これらは、下層
として使用すると、硬バイアス・フィルム16の成長特
性をよ<シ、より高い保磁力が得られる。硬磁性体層1
6は、適切な特性をもつ多数のコバルト合金、たとえば
CoCr1CoNicrs及びCoPtCr合金から選
択することができる。特定の実施例では、Crスペーサ
層18、及びCoPtCr合金硬磁性体層16が、MR
センサの望ましい磁気特性をもたらした。
ブNb1及びタンタルTaなどである。これらは、下層
として使用すると、硬バイアス・フィルム16の成長特
性をよ<シ、より高い保磁力が得られる。硬磁性体層1
6は、適切な特性をもつ多数のコバルト合金、たとえば
CoCr1CoNicrs及びCoPtCr合金から選
択することができる。特定の実施例では、Crスペーサ
層18、及びCoPtCr合金硬磁性体層16が、MR
センサの望ましい磁気特性をもたらした。
MRセンサの先端領域14からくる縦方向磁束は、これ
らの領域内の膜構成の影響を受ける。正味磁束は、硬バ
イアス層16、MR層11、及び軟磁性バイアス膜20
からくる磁束の代数和である。能動領域12では、縦方
向磁束は、MRセンサ層11のバイアス角度によって決
定される。先端領域14は、感度プロファイルと安定性
マージンの折合いをつけたある量の磁束量を供給する必
要がある。先端領域14からの磁束が、能動領域12の
縦方向磁束と一致するとき、最も−様な感度プロファイ
ルが得られる。先端領域14からの磁束が能動領域12
のそれを超えるとき、安定性マージンは向上する。受動
/能動磁束比の好適値は、1〜2の範囲にある。
らの領域内の膜構成の影響を受ける。正味磁束は、硬バ
イアス層16、MR層11、及び軟磁性バイアス膜20
からくる磁束の代数和である。能動領域12では、縦方
向磁束は、MRセンサ層11のバイアス角度によって決
定される。先端領域14は、感度プロファイルと安定性
マージンの折合いをつけたある量の磁束量を供給する必
要がある。先端領域14からの磁束が、能動領域12の
縦方向磁束と一致するとき、最も−様な感度プロファイ
ルが得られる。先端領域14からの磁束が能動領域12
のそれを超えるとき、安定性マージンは向上する。受動
/能動磁束比の好適値は、1〜2の範囲にある。
これらの値は、本発明によって容易に得られる。
というのは、受動領域14が固定量の磁束に寄与するの
ではなく、固定量の磁束を分路するからである。したが
って、硬バイアス膜の厚さを適切に選択することによっ
て、望ましい縦方向バイアスを実現することができる。
ではなく、固定量の磁束を分路するからである。したが
って、硬バイアス膜の厚さを適切に選択することによっ
て、望ましい縦方向バイアスを実現することができる。
MR層からの磁束は、MR層11の材料の磁気モーメン
トとMR層の既知の厚さの積によって計算することがで
きる。次いで、硬バイアス層16の厚さは、硬バイアス
層材料の磁気モーメントMとMR層からの磁束と選択し
た磁束比を使って計算することができる。
トとMR層の既知の厚さの積によって計算することがで
きる。次いで、硬バイアス層16の厚さは、硬バイアス
層材料の磁気モーメントMとMR層からの磁束と選択し
た磁束比を使って計算することができる。
MRセンサの別の実施例を第6図に示す。この実施例で
は、非磁性体層40が、2つの機能を果し、硬磁性体層
16とMRセンサ層11との間のスペーサ層となるだけ
でなく、MRセンサ10°。
は、非磁性体層40が、2つの機能を果し、硬磁性体層
16とMRセンサ層11との間のスペーサ層となるだけ
でなく、MRセンサ10°。
用の導体としても働く。クロム(Cr)は高い抵抗を有
し、高抵抗リードが関連するデータ検出回路で許容され
るシステムで、非磁性体スペーサ層40を形成するのに
好適である。導体が比較的低い抵抗でなければならない
場合は、たとえばタングステン(W)、ニオブ(Nb)
などの材料を、非磁性体層40に使用することができる
。
し、高抵抗リードが関連するデータ検出回路で許容され
るシステムで、非磁性体スペーサ層40を形成するのに
好適である。導体が比較的低い抵抗でなければならない
場合は、たとえばタングステン(W)、ニオブ(Nb)
などの材料を、非磁性体層40に使用することができる
。
なお、必要なら、MR層の反対側に導体を置くことがで
き、またMRセンサは、当技術分野で周知の他の層、た
とえば、バイアス層と呼ばれる層も含むことができる。
き、またMRセンサは、当技術分野で周知の他の層、た
とえば、バイアス層と呼ばれる層も含むことができる。
MRセンサ10の能動領域12には、別の横方向バイア
ス技術、たとえば電気的分路バイアス、及びバーバーポ
ール(barberpole)も使用することができる
。
ス技術、たとえば電気的分路バイアス、及びバーバーポ
ール(barberpole)も使用することができる
。
F0発明の効果
本発明により、バイアス永続性が向上した、MR素子用
の硬磁気バイアスを実現できる。
の硬磁気バイアスを実現できる。
第1図は、本発明による磁気抵抗(MR))ランスデュ
ーサの特定の実施例の平面図である。 第2図は、第1図の線2−2に沿って切った断面図であ
る。 第3図は、第1図及び第2図のMR)ランスデューサの
端面図である。 第4図は、本発明を実施したMRセンサの磁化構成を示
す図である。 第5図は、従来技術のMRセンサの磁化構成を示す図で
ある。 第6図は、本発明を実施したMRI−ランスデューサの
別の実施例の断面図である。 10・・・・MRセンサ、12・・・・中央能動領域、
14・・・・先端能動領域、16・・・・硬磁性体層、
18.22・・・・非磁性スペーサ層、20・・・・軟
磁性体層、24.28・・・・導体。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
ーコーポレーシaン 代理人 弁理士 山 本 仁 朗(外(名) 10−・・MRセンサ ヮノ Jセ−(XIray3
ーサの特定の実施例の平面図である。 第2図は、第1図の線2−2に沿って切った断面図であ
る。 第3図は、第1図及び第2図のMR)ランスデューサの
端面図である。 第4図は、本発明を実施したMRセンサの磁化構成を示
す図である。 第5図は、従来技術のMRセンサの磁化構成を示す図で
ある。 第6図は、本発明を実施したMRI−ランスデューサの
別の実施例の断面図である。 10・・・・MRセンサ、12・・・・中央能動領域、
14・・・・先端能動領域、16・・・・硬磁性体層、
18.22・・・・非磁性スペーサ層、20・・・・軟
磁性体層、24.28・・・・導体。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
ーコーポレーシaン 代理人 弁理士 山 本 仁 朗(外(名) 10−・・MRセンサ ヮノ Jセ−(XIray3
Claims (2)
- (1)中央能動領域によって分離された受動先端領域を
有する、磁性体から形成した磁気抵抗導体層の薄膜、及
び 受動先端領域内のみで前記磁気抵抗層と平行であるが、
前記磁気抵抗層と隔置されている硬磁性体の薄膜を含み
、縦方向バイアスが、前記磁気抵抗層の前記能動領域を
単磁区状態に維持するところの、前記磁気抵抗層の受動
先端領域で縦方向静磁気バイアスを発生させる手段を含
む磁気抵抗読取りトランスデューサ。 - (2)磁性体から形成した磁気抵抗導体層の薄膜中央能
動領域によって分離された受動先端領域を有する、磁性
体から形成した磁気抵抗導体層の薄膜、及び 前記磁気抵抗層の前記中央能動領域内に、前記磁気抵抗
層の前記中央領域を線形応答モードに維持するのに充分
なレベルの横方向バイアスを発生させる手段、 受動先端領域内のみで前記磁気抵抗層と平行であるが、
前記磁気抵抗層から隔置されている硬磁性体の薄膜を含
み、縦方向バイアスが、前記磁気抵抗層の前記受動先端
領域を安定な反転状態に維持するところの、前記磁気抵
抗層の受動先端領域内に縦方向バイアスを発生させる手
段、及び前記導体手段に接続した検知手段が、前記磁気
抵抗層の中央能動領域の抵抗変化を、前記磁気抵抗層に
よって切り取られる磁界の関数として決定することがで
きるところの、検出領域を画定するように前記磁気抵抗
層に結合された、隔置された導体手段を含む磁気抵抗読
取りトランスデューサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US07/287,970 US5005096A (en) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic shunt bias |
US287970 | 1994-08-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02220213A true JPH02220213A (ja) | 1990-09-03 |
JP2502773B2 JP2502773B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=23105173
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (4)
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---|---|
US (1) | US5005096A (ja) |
EP (1) | EP0375646B1 (ja) |
JP (1) | JP2502773B2 (ja) |
DE (1) | DE68923539T2 (ja) |
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