JPH05266434A - 磁気抵抗効果再生ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果再生ヘッドInfo
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- JPH05266434A JPH05266434A JP4065749A JP6574992A JPH05266434A JP H05266434 A JPH05266434 A JP H05266434A JP 4065749 A JP4065749 A JP 4065749A JP 6574992 A JP6574992 A JP 6574992A JP H05266434 A JPH05266434 A JP H05266434A
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】バルクハウゼンノイズの発生率を防止し、オフ
トラック特性の良好な、磁気抵抗効果型再生ヘッドを得
る。 【構成】中央部感磁領域11と端部磁区制御領域12を
有する強磁性体パタ−ン30、この両端に接続された電
極パタ−ン40、該強磁性体パタ−ン30に横方向バイ
アスを発生するためのパタ−ン、該強磁性体パタ−ン3
0を磁気シ−ルドするために両側に設けた軟磁性膜、お
よびこれを支持する基体からなる磁気抵抗効果型ヘッド
において、該中央部感磁領域11の長さWが、該電極パ
タ−ン40の内端面間距離Tよりも小さく、実質的に中
央部感磁領域11の長さWによって、トラック幅が決ま
ることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。該端部磁
区制御領域12の両内端面とも電極40内端面の電極4
0内端面と一致するか内側にあるようにした。
トラック特性の良好な、磁気抵抗効果型再生ヘッドを得
る。 【構成】中央部感磁領域11と端部磁区制御領域12を
有する強磁性体パタ−ン30、この両端に接続された電
極パタ−ン40、該強磁性体パタ−ン30に横方向バイ
アスを発生するためのパタ−ン、該強磁性体パタ−ン3
0を磁気シ−ルドするために両側に設けた軟磁性膜、お
よびこれを支持する基体からなる磁気抵抗効果型ヘッド
において、該中央部感磁領域11の長さWが、該電極パ
タ−ン40の内端面間距離Tよりも小さく、実質的に中
央部感磁領域11の長さWによって、トラック幅が決ま
ることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。該端部磁
区制御領域12の両内端面とも電極40内端面の電極4
0内端面と一致するか内側にあるようにした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体から情報
信号を読み取るための再生ヘッドに関するものであり、
特に、改良された磁気抵抗効果型再生ヘッドに関する。
信号を読み取るための再生ヘッドに関するものであり、
特に、改良された磁気抵抗効果型再生ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、磁気抵抗効果(MR)センサまた
はヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が知られてい
る。このようなセンサ−は、大きな線形密度の磁気表面
からデ−タを読み取ることができることが知られてい
る。MRセンサは、磁気抵抗効果材料から作った読み取
り素子の抵抗変化を使って、磁気信号を素子が感知する
磁束の量および方向の関数として検出する。
はヘッドと呼ばれる磁気読み取り変換器が知られてい
る。このようなセンサ−は、大きな線形密度の磁気表面
からデ−タを読み取ることができることが知られてい
る。MRセンサは、磁気抵抗効果材料から作った読み取
り素子の抵抗変化を使って、磁気信号を素子が感知する
磁束の量および方向の関数として検出する。
【0003】従来では、MR素子が最適に動作するため
には、2つのバイアス磁界をかける必要があることも示
されている。磁束に対する応答が線形になるようにMR
素子にバイアスをかけるために、一般に横方向バイアス
磁界を使用する。このバイアス磁界は、磁気媒体の面に
垂直で平坦なMR素子の表面に平行である。このバイア
ス印加法には電流バイアス、シャントバイアス、ソフト
バイアス、ソフトアジィスントレ−ヤ(SAL)バイア
ス等、種々の方法がある。これらの横方向バイアスはヘ
ッドをR−H特性曲線の最も直線的な範囲にバイアスさ
せるのに十分なレベルで発生される。
には、2つのバイアス磁界をかける必要があることも示
されている。磁束に対する応答が線形になるようにMR
素子にバイアスをかけるために、一般に横方向バイアス
磁界を使用する。このバイアス磁界は、磁気媒体の面に
垂直で平坦なMR素子の表面に平行である。このバイア
ス印加法には電流バイアス、シャントバイアス、ソフト
バイアス、ソフトアジィスントレ−ヤ(SAL)バイア
ス等、種々の方法がある。これらの横方向バイアスはヘ
ッドをR−H特性曲線の最も直線的な範囲にバイアスさ
せるのに十分なレベルで発生される。
【0004】MR素子で使用されている他のバイアス磁
界は、当技術分野で縦バイアス磁界と呼ばれるもので、
磁気媒体の表面に平行、かつMR素子の長手方向に平行
である。縦バイアス磁界の機能は、MR素子内の多磁区
作用から生じるバルクハウゼンノイズを抑えることであ
る。
界は、当技術分野で縦バイアス磁界と呼ばれるもので、
磁気媒体の表面に平行、かつMR素子の長手方向に平行
である。縦バイアス磁界の機能は、MR素子内の多磁区
作用から生じるバルクハウゼンノイズを抑えることであ
る。
【0005】MRセンサ−用のバイアス法及び装置が従
来技術で多数開発されている。しかし、記録密度を大き
くするにつれて、記録トラックをより狭くし、トラック
にそった線形記録密度を大きくすることが必要になって
きた。これらの用件を満たす小型MRセンサは、従来技
術を使用して実現できない。
来技術で多数開発されている。しかし、記録密度を大き
くするにつれて、記録トラックをより狭くし、トラック
にそった線形記録密度を大きくすることが必要になって
きた。これらの用件を満たす小型MRセンサは、従来技
術を使用して実現できない。
【0006】これらの従来技術の問題に対する概念上の
解決策が、パタ−ン化した縦方向バイアスの実施によっ
て得られた。この解決策は特開昭60-59518および特開平
2−220213に記述されている。簡単に言うと、上
記の発明はMR層の端部領域を適切な単磁区状態にし、
この結果、MR層の中央部感磁領域内に単磁区状態が誘
導するものである。これは、MR層の端部領域内だけに
縦方向バイアスを発生させることによって実現できる。
この概念の実施例では、縦方向バイアスは、硬磁性体層
と軟磁性MR層の間の強磁性交換結合もしくは静磁結合
によって実現される。
解決策が、パタ−ン化した縦方向バイアスの実施によっ
て得られた。この解決策は特開昭60-59518および特開平
2−220213に記述されている。簡単に言うと、上
記の発明はMR層の端部領域を適切な単磁区状態にし、
この結果、MR層の中央部感磁領域内に単磁区状態が誘
導するものである。これは、MR層の端部領域内だけに
縦方向バイアスを発生させることによって実現できる。
この概念の実施例では、縦方向バイアスは、硬磁性体層
と軟磁性MR層の間の強磁性交換結合もしくは静磁結合
によって実現される。
【0007】特開昭60−59518には電極と磁気抵
抗(MR)層の重なる部分にのみMR層より保磁力の大
きい強磁性体層を設けた強磁性結合による縦方向バイア
スの実現方法が記載されている。また、ここで用いられ
ている膜厚はMR層が200−1000Å、保磁力の大
きい強磁性体層が500−3000Åと記載されてい
る。
抗(MR)層の重なる部分にのみMR層より保磁力の大
きい強磁性体層を設けた強磁性結合による縦方向バイア
スの実現方法が記載されている。また、ここで用いられ
ている膜厚はMR層が200−1000Å、保磁力の大
きい強磁性体層が500−3000Åと記載されてい
る。
【0008】さらに、特開平2−220213には硬磁
性体の層とMR素子の間の静磁結合によって縦バイアス
を実現する方法が記載されている。また、この方法で
は、軟磁性膜MR層と交換結合した硬磁性体層の固有保
磁力が実質上消失し、バイアスの永続性に問題があるこ
と、さらに、硬磁性体層からの磁束によって横方向感度
プロファイルに悪影響を与えることを避けるために、硬
磁性体層をMR層に平行で、MR層から隔置させてい
る。実際には、硬磁性体薄膜とMR層の端部磁区制御領
域の間に非磁性スペ−サ層を挿入し、硬磁性体薄膜の厚
さをMR層の端部磁区制御領域内の磁束と、MR層中央
部感磁領域の縦方向磁束との間の磁束比が望ましい比に
なるように選択している。また、この目的には、50か
ら200nmのスペ−サ層が適し、導電性の適切な非磁
性体としてCr,W,Nb,及びTaが好ましいとして
いる。
性体の層とMR素子の間の静磁結合によって縦バイアス
を実現する方法が記載されている。また、この方法で
は、軟磁性膜MR層と交換結合した硬磁性体層の固有保
磁力が実質上消失し、バイアスの永続性に問題があるこ
と、さらに、硬磁性体層からの磁束によって横方向感度
プロファイルに悪影響を与えることを避けるために、硬
磁性体層をMR層に平行で、MR層から隔置させてい
る。実際には、硬磁性体薄膜とMR層の端部磁区制御領
域の間に非磁性スペ−サ層を挿入し、硬磁性体薄膜の厚
さをMR層の端部磁区制御領域内の磁束と、MR層中央
部感磁領域の縦方向磁束との間の磁束比が望ましい比に
なるように選択している。また、この目的には、50か
ら200nmのスペ−サ層が適し、導電性の適切な非磁
性体としてCr,W,Nb,及びTaが好ましいとして
いる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】公知の技術は、いずれ
も硬磁性体層に直接接している端部磁区制御領域の内端
面と電極のそれぞれの内端面が一致ないしは、電極の内
端面が端部磁区制御領域の内端面よりも内側にあり、実
質的に電極の内端面間距離により磁気抵抗効果素子のト
ラック幅が決定されるようになっている。
も硬磁性体層に直接接している端部磁区制御領域の内端
面と電極のそれぞれの内端面が一致ないしは、電極の内
端面が端部磁区制御領域の内端面よりも内側にあり、実
質的に電極の内端面間距離により磁気抵抗効果素子のト
ラック幅が決定されるようになっている。
【0010】ところが、実際の大量生産を考えた場合、
端部磁区制御領域の内端面間の中心と、電極の内端面間
の中心がずれる場合があり、端部磁区制御領域の内端面
の一方が電極の内端面よりも大幅に外側にずれることが
ある。端部磁区制御領域の内端面が電極の内端面よりも
大幅に外側にずれた場合、電極端部近傍には、硬磁性体
層からの縦バイアスが十分かからないことがある。従っ
て、電極端部近傍の応力集中等によって誘発される磁壁
の発生を抑えることができず、バルクハウゼンノイズを
抑えることができない場合があった。
端部磁区制御領域の内端面間の中心と、電極の内端面間
の中心がずれる場合があり、端部磁区制御領域の内端面
の一方が電極の内端面よりも大幅に外側にずれることが
ある。端部磁区制御領域の内端面が電極の内端面よりも
大幅に外側にずれた場合、電極端部近傍には、硬磁性体
層からの縦バイアスが十分かからないことがある。従っ
て、電極端部近傍の応力集中等によって誘発される磁壁
の発生を抑えることができず、バルクハウゼンノイズを
抑えることができない場合があった。
【0011】本発明の主目的は、磁気抵抗効果素子の大
量生産を考えた場合に、高歩留まりでバルクハウゼンノ
イズが抑制された磁気抵抗効果再生ヘッドを得ることに
ある。
量生産を考えた場合に、高歩留まりでバルクハウゼンノ
イズが抑制された磁気抵抗効果再生ヘッドを得ることに
ある。
【0012】本発明の他の目的は、端部磁区制御領域内
端面間距離によってトラック幅を決定し、オフトラック
特性の良好な磁気抵抗効果型再生ヘッドを得ることにあ
る。
端面間距離によってトラック幅を決定し、オフトラック
特性の良好な磁気抵抗効果型再生ヘッドを得ることにあ
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、端部磁区制御領域の内端面間距離を、電極の内端面
間距離以下とするこにとした。さらに、端部磁区制御領
域の内端面の両内端面とも電極内端面の電極内端面と一
致するか内側にあるようにパタ−ンを形成した。
に、端部磁区制御領域の内端面間距離を、電極の内端面
間距離以下とするこにとした。さらに、端部磁区制御領
域の内端面の両内端面とも電極内端面の電極内端面と一
致するか内側にあるようにパタ−ンを形成した。
【0014】
【作用】本発明によれば、端部磁区制御領域の内端面間
距離を電極の内端面間距離以下にすることにより、作成
プロセスにおいて、硬磁性体層内端面間の中心位置と電
極内端面間の中心位置がずれても、硬磁性体層の両端部
とも電極端部位置と一致するか内側にあり、電極端部で
発生する磁壁を抑えるのに十分な縦バイアスを電極近傍
に印加できる。したがって、バルクハウゼンノイズの発
生しない磁気抵抗効果再生ヘッドを歩留まり良く得るこ
とができる。さらに、実質的に端部磁区制御領域の内端
面間距離によってトラック幅が決まっており、オフトラ
ック特性の良好な磁気抵抗効果型再生ヘッドを得ること
ができる。
距離を電極の内端面間距離以下にすることにより、作成
プロセスにおいて、硬磁性体層内端面間の中心位置と電
極内端面間の中心位置がずれても、硬磁性体層の両端部
とも電極端部位置と一致するか内側にあり、電極端部で
発生する磁壁を抑えるのに十分な縦バイアスを電極近傍
に印加できる。したがって、バルクハウゼンノイズの発
生しない磁気抵抗効果再生ヘッドを歩留まり良く得るこ
とができる。さらに、実質的に端部磁区制御領域の内端
面間距離によってトラック幅が決まっており、オフトラ
ック特性の良好な磁気抵抗効果型再生ヘッドを得ること
ができる。
【0015】
【実施例】以下、実施例に基づき詳細に説明する。
【0016】[実施例1]本発明による代表的な磁気抵
抗効果(MR)再生ヘッドは、第1図に示すように、磁
気抵抗層10、横方向バイアス印加用シャント膜20、
SAL膜21、縦方向バイアス印加用硬磁性体層30、
電極層40から構成される。また、磁気抵抗層10は、
媒体からの情報磁界を検出する中央部感磁領域11およ
び中央部感磁領域の磁区構造を制御し、バルクハウゼン
ノイズの発生を抑制するための端部磁区制御領域12に
分けられる。本発明は特開昭60−59518および特
開平2−220213で開示された方法とは異なる方法
で磁気抵抗層10をバイアスとする。すなわち、縦方向
バイアスおよび、横方向バイアス共に中央感磁領域11
をバイアスするものである。
抗効果(MR)再生ヘッドは、第1図に示すように、磁
気抵抗層10、横方向バイアス印加用シャント膜20、
SAL膜21、縦方向バイアス印加用硬磁性体層30、
電極層40から構成される。また、磁気抵抗層10は、
媒体からの情報磁界を検出する中央部感磁領域11およ
び中央部感磁領域の磁区構造を制御し、バルクハウゼン
ノイズの発生を抑制するための端部磁区制御領域12に
分けられる。本発明は特開昭60−59518および特
開平2−220213で開示された方法とは異なる方法
で磁気抵抗層10をバイアスとする。すなわち、縦方向
バイアスおよび、横方向バイアス共に中央感磁領域11
をバイアスするものである。
【0017】ここで、縦方向バイアスは、磁気抵抗層1
0に平行とし、端部磁区制御領域12に直接接する硬磁
性体層30によって発生させる。また、横方向バイアス
は、磁気抵抗層10に平行するシャント膜20およびS
AL膜21によって発生させる。電極層40は、信号検
出電流およびバイアス電流を磁気抵抗層10およびシャ
ント膜20に伝え、出力信号を外部電気回路に伝えるた
めの電気経路である。また、電極内端面間距離をT,硬
磁性体内端面間距離をWとした場合、T≧Wとした。さ
らに、硬磁性体の内端面の両内端面とも電極内端面の電
極内端面と一致するか内側にあるようにした。
0に平行とし、端部磁区制御領域12に直接接する硬磁
性体層30によって発生させる。また、横方向バイアス
は、磁気抵抗層10に平行するシャント膜20およびS
AL膜21によって発生させる。電極層40は、信号検
出電流およびバイアス電流を磁気抵抗層10およびシャ
ント膜20に伝え、出力信号を外部電気回路に伝えるた
めの電気経路である。また、電極内端面間距離をT,硬
磁性体内端面間距離をWとした場合、T≧Wとした。さ
らに、硬磁性体の内端面の両内端面とも電極内端面の電
極内端面と一致するか内側にあるようにした。
【0018】この実施例では、磁気抵抗層の厚さを5か
ら20nm,硬磁性体層の厚さを10から100nm、
シャント層の厚さを10から40nmとした。また、磁
気抵抗層はNi−Fe合金、硬磁性体層は、CoPtC
r合金、シャント膜は、Nb膜とした。硬磁性体層は、
CoPt合金、CoPtPd合金、CoPtNi合金、
CoCrTa合金等のCo合金系の磁気記録媒体材料も
しくは他の硬磁性体材料が有効であった。また、硬磁性
体層の残留磁束密度が1.0T以上であると、再生出力
が急激減少するので、1.0T以下が望ましい。
ら20nm,硬磁性体層の厚さを10から100nm、
シャント層の厚さを10から40nmとした。また、磁
気抵抗層はNi−Fe合金、硬磁性体層は、CoPtC
r合金、シャント膜は、Nb膜とした。硬磁性体層は、
CoPt合金、CoPtPd合金、CoPtNi合金、
CoCrTa合金等のCo合金系の磁気記録媒体材料も
しくは他の硬磁性体材料が有効であった。また、硬磁性
体層の残留磁束密度が1.0T以上であると、再生出力
が急激減少するので、1.0T以下が望ましい。
【0019】図2は、図1において、電極内端面対面間
の中心と硬磁性体内端面間の中心位置とのずれをSとバ
ルクハウゼンノイズ発生率との関係を示している。ここ
で、バルクハウゼンノイズ発生率とは、それぞれのSの
ヘッドを100個測定したときの、バルクハウゼンノイ
ズが発生したヘッドの個数を100分率で示したもので
ある。
の中心と硬磁性体内端面間の中心位置とのずれをSとバ
ルクハウゼンノイズ発生率との関係を示している。ここ
で、バルクハウゼンノイズ発生率とは、それぞれのSの
ヘッドを100個測定したときの、バルクハウゼンノイ
ズが発生したヘッドの個数を100分率で示したもので
ある。
【0020】ここでは、(A)Wが3μm,Tが7μm
の場合と(B)Wが7μm、Tが3μmの場合を示して
いる。Sが正であることは、硬磁性体内端面間の中心が
電極内端面間の中心よりも、図1において向かって右側
にずれていることを意味している。(B)の場合は、バ
ルクハウゼンノイズ発生率が大きいのに対し、(A)の
場合は、Sが小さいときは、バルクハウゼンノイズが発
生しない。しかし、Sが大きくなるとバルクハウゼンノ
イズの発生率が急激に増大する。特に硬磁性体内端面が
電極内端面よりも外側にずれ始めるあたりから急激にバ
ルクハウゼンノイズは、発生する。
の場合と(B)Wが7μm、Tが3μmの場合を示して
いる。Sが正であることは、硬磁性体内端面間の中心が
電極内端面間の中心よりも、図1において向かって右側
にずれていることを意味している。(B)の場合は、バ
ルクハウゼンノイズ発生率が大きいのに対し、(A)の
場合は、Sが小さいときは、バルクハウゼンノイズが発
生しない。しかし、Sが大きくなるとバルクハウゼンノ
イズの発生率が急激に増大する。特に硬磁性体内端面が
電極内端面よりも外側にずれ始めるあたりから急激にバ
ルクハウゼンノイズは、発生する。
【0021】すなわち、(A)の場合の方が、ヘッド作
成プロセスによる硬磁性体パタ−ンと電極パタ−ンのず
れに関するマ−ジンが広く、歩留良くヘッドを作成でき
る。
成プロセスによる硬磁性体パタ−ンと電極パタ−ンのず
れに関するマ−ジンが広く、歩留良くヘッドを作成でき
る。
【0022】なお、磁気抵抗層の厚さは薄いほど信号の
検出に必要な電流密度を大きくすることが可能になり、
信号の再生出力は増加することになり好ましい。実質的
に高再生出力が得られる膜厚は、20nm以下であっ
た。これは、磁気抵抗層の厚さが薄くなると流れる電流
によって発生する熱量が減少し、エレクトロマイグレ−
ションによるMR層の劣化が抑制されるためである。た
だし、MR層は膜厚が薄くなるほど欠陥が増加し、ピン
ホ−ル等が発生しやすくなる。実質的に使用可能な膜厚
は5nm以上であった。
検出に必要な電流密度を大きくすることが可能になり、
信号の再生出力は増加することになり好ましい。実質的
に高再生出力が得られる膜厚は、20nm以下であっ
た。これは、磁気抵抗層の厚さが薄くなると流れる電流
によって発生する熱量が減少し、エレクトロマイグレ−
ションによるMR層の劣化が抑制されるためである。た
だし、MR層は膜厚が薄くなるほど欠陥が増加し、ピン
ホ−ル等が発生しやすくなる。実質的に使用可能な膜厚
は5nm以上であった。
【0023】図3は、(A)Wが3μm、Tが7μm、
Sが0μmの場合と(B)Wが7μm、Tが3μm、S
が0μmの場合の録再分離型ヘッドのオフとラック特性
を示している。記録ヘッドとしては、トラック幅5μm
の誘導型磁気ヘッドを用いた。(A)の場合は、記録ヘ
ッドで記録した信号から、磁気抵抗効果型再生ヘッドを
ずらしたとき、信号強度が30dB減衰する幅は7μm
であり、(B)の場合は、10μmであった。
Sが0μmの場合と(B)Wが7μm、Tが3μm、S
が0μmの場合の録再分離型ヘッドのオフとラック特性
を示している。記録ヘッドとしては、トラック幅5μm
の誘導型磁気ヘッドを用いた。(A)の場合は、記録ヘ
ッドで記録した信号から、磁気抵抗効果型再生ヘッドを
ずらしたとき、信号強度が30dB減衰する幅は7μm
であり、(B)の場合は、10μmであった。
【0024】このように、(A)の場合の方がオフトラ
ック特性が優れており、実質的に硬磁性体層の内端面間
の距離によって、磁気抵抗効果型再生ヘッドのトラック
幅が決定されている。
ック特性が優れており、実質的に硬磁性体層の内端面間
の距離によって、磁気抵抗効果型再生ヘッドのトラック
幅が決定されている。
【0025】なお、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドを再
生ヘッドに用い、記録ヘッドとして誘導型磁気ヘッドを
用い、重ね合わせた録再分離型ヘッドは、バルクハウゼ
ンノイズが発生せず、狭トラック密度化が可能となっ
た。また、このような録再分離型ヘッドを用いた磁気記
録再装置は、大容量、小型化が可能であった。
生ヘッドに用い、記録ヘッドとして誘導型磁気ヘッドを
用い、重ね合わせた録再分離型ヘッドは、バルクハウゼ
ンノイズが発生せず、狭トラック密度化が可能となっ
た。また、このような録再分離型ヘッドを用いた磁気記
録再装置は、大容量、小型化が可能であった。
【0026】[実施例2]本発明による他の磁気抵抗効
果(MR)再生ヘッドは、第4図に示すように、磁気抵
抗層10、横方向バイアス印加用シャント膜20、SA
L膜21、縦方向バイアス印加用硬磁性体層30、電極
層40から構成される。また、磁気抵抗層10は、媒体
からの情報磁界を検出する中央部感磁領域11および中
央部感磁領域の磁区構造を制御し、バルクハウゼンノイ
ズの発生を抑制するための端部磁区制御領域12に分け
られる。
果(MR)再生ヘッドは、第4図に示すように、磁気抵
抗層10、横方向バイアス印加用シャント膜20、SA
L膜21、縦方向バイアス印加用硬磁性体層30、電極
層40から構成される。また、磁気抵抗層10は、媒体
からの情報磁界を検出する中央部感磁領域11および中
央部感磁領域の磁区構造を制御し、バルクハウゼンノイ
ズの発生を抑制するための端部磁区制御領域12に分け
られる。
【0027】実施例1と異なるところは、硬磁性体層3
0を磁気抵抗層10の上に設けたところにある。このよ
うにすることにより、磁気抵抗層を平坦な部分に形成で
きるため、硬磁性体層の段さによる応力の影響を緩和で
きる。このような磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて
も、硬磁性体層の端部間距離を電極の内端面間距離以下
にすることにより、作成プロセスにおいて、硬磁性体層
内端面間の中心位置と電極内端面間の中心位置がずれて
も、硬磁性体層の両端部とも電極端部位置と一致するか
内側にあり、電極端部で発生する磁壁を抑えるのに十分
な縦バイアスを電極近傍に印加でき、バルクハウゼンノ
イズ発生率、オフトラック特性に関して、実施例1と同
様の効果があった。
0を磁気抵抗層10の上に設けたところにある。このよ
うにすることにより、磁気抵抗層を平坦な部分に形成で
きるため、硬磁性体層の段さによる応力の影響を緩和で
きる。このような磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて
も、硬磁性体層の端部間距離を電極の内端面間距離以下
にすることにより、作成プロセスにおいて、硬磁性体層
内端面間の中心位置と電極内端面間の中心位置がずれて
も、硬磁性体層の両端部とも電極端部位置と一致するか
内側にあり、電極端部で発生する磁壁を抑えるのに十分
な縦バイアスを電極近傍に印加でき、バルクハウゼンノ
イズ発生率、オフトラック特性に関して、実施例1と同
様の効果があった。
【0028】[実施例3]本発明による他の磁気抵抗効
果(MR)再生ヘッドは、第5図に示すように、磁気抵
抗層10、横方向バイアス印加用シャント膜20、SA
L膜21、縦方向バイアス印加用硬磁性体層30、電極
層40から構成される。また、磁気抵抗層10は、媒体
からの情報磁界を検出する中央部感磁領域11および中
央部感磁領域の磁区構造を制御し、バルクハウゼンノイ
ズの発生を抑制するための端部磁区制御領域12に分け
られる。
果(MR)再生ヘッドは、第5図に示すように、磁気抵
抗層10、横方向バイアス印加用シャント膜20、SA
L膜21、縦方向バイアス印加用硬磁性体層30、電極
層40から構成される。また、磁気抵抗層10は、媒体
からの情報磁界を検出する中央部感磁領域11および中
央部感磁領域の磁区構造を制御し、バルクハウゼンノイ
ズの発生を抑制するための端部磁区制御領域12に分け
られる。
【0029】実施例1、実施例2と異なるところは、S
AL膜21、シャント膜20、磁気抵抗層10の上に、
硬磁性体層10、電極層40を形成している。このよう
にすることにより、SAL膜21、シャント膜20、磁
気抵抗層を平坦な基体に形成することにより、SAL膜
21、磁気抵抗層10は、段さによる応力の影響を受け
にくくなる。このような磁気抵抗効果型再生ヘッドにお
いても、硬磁性体層の端部間距離を電極の内端面間距離
以下にすることにより、作成プロセスにおいて、硬磁性
体層内端面間の中心位置と電極内端面間の中心位置がず
れても、硬磁性体層の両端部とも電極端部位置と一致す
るか内側にあり、電極端部で発生する磁壁を抑えるのに
十分な縦バイアスを電極近傍に印加でき、バルクハウゼ
ンノイズ発生率、オフトラック特性に関して、実施例
1、実施例2と同様の効果があった。
AL膜21、シャント膜20、磁気抵抗層10の上に、
硬磁性体層10、電極層40を形成している。このよう
にすることにより、SAL膜21、シャント膜20、磁
気抵抗層を平坦な基体に形成することにより、SAL膜
21、磁気抵抗層10は、段さによる応力の影響を受け
にくくなる。このような磁気抵抗効果型再生ヘッドにお
いても、硬磁性体層の端部間距離を電極の内端面間距離
以下にすることにより、作成プロセスにおいて、硬磁性
体層内端面間の中心位置と電極内端面間の中心位置がず
れても、硬磁性体層の両端部とも電極端部位置と一致す
るか内側にあり、電極端部で発生する磁壁を抑えるのに
十分な縦バイアスを電極近傍に印加でき、バルクハウゼ
ンノイズ発生率、オフトラック特性に関して、実施例
1、実施例2と同様の効果があった。
【0030】[実施例4]本発明による他の磁気抵抗効
果(MR)再生ヘッドは、第6図(A),(B)に示す
ように、磁気抵抗効果層10、横方向バイアス印加用シ
ャント膜20、縦方向バイアス印加用硬磁性体層30、
電極層40から構成されている。また、磁気抵抗層10
は、媒体からの情報磁界を検出する中央部感磁領域11
および中央部感磁領域の磁区構造を制御し、バルクハウ
ゼンノイズの発生を抑制するための端部磁区制御領域1
2に分けられる。
果(MR)再生ヘッドは、第6図(A),(B)に示す
ように、磁気抵抗効果層10、横方向バイアス印加用シ
ャント膜20、縦方向バイアス印加用硬磁性体層30、
電極層40から構成されている。また、磁気抵抗層10
は、媒体からの情報磁界を検出する中央部感磁領域11
および中央部感磁領域の磁区構造を制御し、バルクハウ
ゼンノイズの発生を抑制するための端部磁区制御領域1
2に分けられる。
【0031】実施例1、実施例2、実施例3と異なると
ころは、横方向バイアス印加用にシャント膜20のみを
用いているにある。(A)(B)に示すような磁気抵抗
効果型再生ヘッドにおいても、硬磁性体層の端部間距離
を電極の内端面間距離以下にすることにより、作成プロ
セスにおいて、硬磁性体層内端面間の中心位置と電極内
端面間の中心位置がずれても、硬磁性体層の両内端面と
も電極内端面位置と一致するか内側にあり、電極端部で
発生する磁壁を抑えるのに十分な縦バイアスを電極近傍
に印加でき、バルクハウゼンノイズ発生率、オフトラッ
ク特性に関して、実施例1、実施例2、実施例3と同様
の効果があった。
ころは、横方向バイアス印加用にシャント膜20のみを
用いているにある。(A)(B)に示すような磁気抵抗
効果型再生ヘッドにおいても、硬磁性体層の端部間距離
を電極の内端面間距離以下にすることにより、作成プロ
セスにおいて、硬磁性体層内端面間の中心位置と電極内
端面間の中心位置がずれても、硬磁性体層の両内端面と
も電極内端面位置と一致するか内側にあり、電極端部で
発生する磁壁を抑えるのに十分な縦バイアスを電極近傍
に印加でき、バルクハウゼンノイズ発生率、オフトラッ
ク特性に関して、実施例1、実施例2、実施例3と同様
の効果があった。
【0032】[実施例5]本発明による他の磁気抵抗効
果(MR)再生ヘッドは、第7図(A)(B)に示すよ
うに、磁気抵抗効果層10、横方向バイアス印加用シャ
ント膜20、電極層40から構成されている。また、磁
気抵抗層10は、媒体からの情報磁界を検出する中央部
感磁領域11および中央部感磁領域の磁区構造を制御
し、バルクハウゼンノイズの発生を抑制するための端部
磁区制御領域12に分けられる。
果(MR)再生ヘッドは、第7図(A)(B)に示すよ
うに、磁気抵抗効果層10、横方向バイアス印加用シャ
ント膜20、電極層40から構成されている。また、磁
気抵抗層10は、媒体からの情報磁界を検出する中央部
感磁領域11および中央部感磁領域の磁区構造を制御
し、バルクハウゼンノイズの発生を抑制するための端部
磁区制御領域12に分けられる。
【0033】ここでは、端部磁区制御層を特開平3−2
42983に開示されているのと同等の方法によって高
保磁力化(高保磁力層13)した。このような、磁気抵
抗効果再生ヘッドにおいても、端部磁区制御領域内端面
間距離を電極の内端面間距離以下とすることにより、作
成プロセスにおいて、硬磁性体層内端面間の中心位置と
電極内端面間の中心位置がずれても、端部磁区制御領域
の内端面とも電極内端面位置と一致するか内側にあり、
電極端部で発生する磁壁を抑えるのに十分な縦バイアス
を電極近傍に印加でき、バルクハウゼンノイズ発生率、
オフトラック特性ついて、実施例1、実施例2、実施例
3、実施例4と同等の効果があった。
42983に開示されているのと同等の方法によって高
保磁力化(高保磁力層13)した。このような、磁気抵
抗効果再生ヘッドにおいても、端部磁区制御領域内端面
間距離を電極の内端面間距離以下とすることにより、作
成プロセスにおいて、硬磁性体層内端面間の中心位置と
電極内端面間の中心位置がずれても、端部磁区制御領域
の内端面とも電極内端面位置と一致するか内側にあり、
電極端部で発生する磁壁を抑えるのに十分な縦バイアス
を電極近傍に印加でき、バルクハウゼンノイズ発生率、
オフトラック特性ついて、実施例1、実施例2、実施例
3、実施例4と同等の効果があった。
【0034】なお、端部磁区制御領域にCoイオンなど
のような金属イオンを打ち込む方法によって高保磁力化
を図っても、同様の効果があった。
のような金属イオンを打ち込む方法によって高保磁力化
を図っても、同様の効果があった。
【0035】
【発明の効果】本発明は、磁気抵抗効果型再生ヘッドの
作成プロセスにおいて、端部磁区制御領域内端面間の中
心位置と電極内端面間の中心位置がずれても、端部磁区
制御領域両内端面とも電極内端面位置と一致するか内側
にあり、電極端部で発生する磁壁を抑えるのに十分な縦
バイアスを電極近傍に印加できる。したがって、バルク
ハウゼンノイズの発生しない磁気抵抗効果再生ヘッドを
歩留まり良く得ることができる。さらに、実質的に端部
磁区制御領域の内端面間距離によってトラック幅が決ま
っており、オフトラック特性の良好な磁気抵抗効果型再
生ヘッドを得ることができる。
作成プロセスにおいて、端部磁区制御領域内端面間の中
心位置と電極内端面間の中心位置がずれても、端部磁区
制御領域両内端面とも電極内端面位置と一致するか内側
にあり、電極端部で発生する磁壁を抑えるのに十分な縦
バイアスを電極近傍に印加できる。したがって、バルク
ハウゼンノイズの発生しない磁気抵抗効果再生ヘッドを
歩留まり良く得ることができる。さらに、実質的に端部
磁区制御領域の内端面間距離によってトラック幅が決ま
っており、オフトラック特性の良好な磁気抵抗効果型再
生ヘッドを得ることができる。
【0036】さらに、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドを
再生ヘッドに用い、記録ヘッドとして誘導型磁気ヘッド
を用い、重ね合わせた録再分離型ヘッドは、バルクハウ
ゼンノイズが発生せず、狭トラック密度化が可能となっ
た。また、このような録再分離型ヘッドを用いた磁気記
録再装置は、大容量、小型化が可能であった。
再生ヘッドに用い、記録ヘッドとして誘導型磁気ヘッド
を用い、重ね合わせた録再分離型ヘッドは、バルクハウ
ゼンノイズが発生せず、狭トラック密度化が可能となっ
た。また、このような録再分離型ヘッドを用いた磁気記
録再装置は、大容量、小型化が可能であった。
【図1】本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの実施
例の断面図。
例の断面図。
【図2】硬磁性体内端面間中心と電極内端面間中心との
ずれとバルクハウゼンノイズ発生率との関係を示した
図。
ずれとバルクハウゼンノイズ発生率との関係を示した
図。
【図3】本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドと従来
の磁気抵抗効果型再生ヘッドのオフトラック特性を比較
した図。
の磁気抵抗効果型再生ヘッドのオフトラック特性を比較
した図。
【図4】本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの実施
例の断面図。
例の断面図。
【図5】本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの実施
例の断面図。
例の断面図。
【図6】本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの実施
例の断面図。
例の断面図。
【図7】本発明による磁気抵抗効果型再生ヘッドの実施
例の断面図。
例の断面図。
10…磁気抵抗効果層、11…中央部感磁領域、12…
端部磁区制御領域、13…高保磁力層、20…横方向バ
イアス印加用シャント膜、21…SAL膜、30…縦方
向バイアス印加用硬磁性体層、40…電極層。
端部磁区制御領域、13…高保磁力層、20…横方向バ
イアス印加用シャント膜、21…SAL膜、30…縦方
向バイアス印加用硬磁性体層、40…電極層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北田 正弘 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (10)
- 【請求項1】中央部感磁領域と端部磁区制御領域を有す
る磁気抵抗層、この両端に接続された電極、該磁気抵抗
層に横方向バイアスを発生するためのパタ−ン、該磁気
抵抗層を磁気シ−ルドするために両側に設けた軟磁性
膜、およびこれを支持する基体からなる磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、該中央部感磁領域の長さ(該端部磁区
制御領域内端面間距離)が、該電極の内端面間距離より
も小さく、実質的に磁区制御領域内端面間隔距離が再生
トラック幅となることを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘ
ッド。 - 【請求項2】前記磁気抵抗層において、該端部磁区制御
領域の保磁力が該中央部感磁領域の保磁力よりも大きい
ことを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果再生ヘッ
ド。 - 【請求項3】前記磁気抵抗層の端部磁区制御領域に直接
接した硬磁性体層を備え、前記磁気抵抗層の中央部感磁
領域を単磁区状態に維持するため、磁界および強磁性交
換結合による縦バイアスを発生させる手段を含む請求項
1または請求項2記載の磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項4】前記硬磁性体層の残留磁束密度が、1.0
T以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項3
のうちいずれかに記載の磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項5】前記硬磁性体層としてCo合金系の硬磁性
体膜であることを特徴とする請求項1ないし請求項4の
うちいずれかに記載の磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項6】前記磁気抵抗層の端部磁区制御領域に直接
接した反強磁性体層を備え、前記磁気抵抗層の中央部感
磁領域を単磁区状態に維持するため、反強磁性交換結合
による縦バイアスを発生させる手段を含む請求項1また
は請求項2記載の磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項7】前記磁気抵抗層の端部磁区制御領域に直接
接した元素の拡散源となる膜を備え、熱処理によって拡
散を生じせしめ硬磁性体とすることによって磁区制御領
域を形成する請求項1または請求項2記載の磁気抵抗効
果再生ヘッド。 - 【請求項8】前記磁気抵抗層の端部磁区制御領域を、前
記磁気抵抗層にイオンを打ち込むことによって形成する
ことを特徴とする請求項1または2項記載の磁気抵抗効
果再生ヘッド。 - 【請求項9】請求項1ないし請求項8のうちいずれかに
記載の磁気抵抗効果再生ヘッドを再生ヘッドとし、誘導
型ヘッドを記録ヘッドとし、それらを重ね合わせたこと
を特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項10】請求項9記載の記録再生分離型磁気ヘッ
ドを備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4065749A JPH05266434A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 磁気抵抗効果再生ヘッド |
US08/036,364 US5461526A (en) | 1992-03-24 | 1993-03-24 | Magnetoresistive read head and magnetic storage system using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4065749A JPH05266434A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 磁気抵抗効果再生ヘッド |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP279498A Division JPH10162328A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 磁気抵抗効果再生ヘッド |
JP2000134221A Division JP2001006131A (ja) | 2000-01-01 | 2000-04-28 | 磁気記録再生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05266434A true JPH05266434A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13295983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4065749A Pending JPH05266434A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 磁気抵抗効果再生ヘッド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5461526A (ja) |
JP (1) | JPH05266434A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147007A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-06 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
US7320168B2 (en) * | 2003-10-29 | 2008-01-22 | Headway Technologies, Inc. | Method to improve heat dissipation in a magnetic shield |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03242983A (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-29 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気構造体の製造方法 |
EP0675554A1 (en) * | 1994-03-24 | 1995-10-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect element |
JP3184400B2 (ja) * | 1994-06-07 | 2001-07-09 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
JPH08153310A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
JP3045942B2 (ja) * | 1994-12-07 | 2000-05-29 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
JPH08180328A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Fujitsu Ltd | スピンバルブ磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
US5896251A (en) * | 1994-12-26 | 1999-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect head with conductor film pair and magnetic field proving film pair disposed between substrate and magnetoresistance effect film |
JPH097122A (ja) * | 1995-06-22 | 1997-01-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生ヘッド |
US5754376A (en) * | 1995-09-12 | 1998-05-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetoresistive head with hard magnetic bias |
EP0770991A3 (en) * | 1995-10-26 | 1998-05-20 | Read-Rite Corporation | Thin film magnetoresistive head with contiguous junction |
US6256863B1 (en) * | 1996-03-12 | 2001-07-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Yoke type magnetoresistance head and manufacturing method of the same |
JP2980043B2 (ja) * | 1996-12-24 | 1999-11-22 | 日本電気株式会社 | 磁気ヘッド及び磁気記録再生方法 |
CN1107307C (zh) * | 1997-05-13 | 2003-04-30 | 西加特技术有限责任公司 | 稳定性提高的磁阻传感器 |
US5898241A (en) * | 1997-12-05 | 1999-04-27 | Hid Corporation | Read head for Wiegand token |
EP0989547A3 (en) * | 1998-07-31 | 2005-09-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | "Thin-film magnetic head device" |
US6542342B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-04-01 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect transducer having longitudinal bias layer directly connected to free layer |
WO2001001395A1 (fr) * | 1999-06-25 | 2001-01-04 | Fujitsu Limited | Tete magnetoresistive et dispositif de reproduction d'informations |
US6570745B1 (en) | 2000-11-20 | 2003-05-27 | International Business Machines Corporation | Lead overlaid type of sensor with sensor passive regions pinned |
US7804709B2 (en) * | 2008-07-18 | 2010-09-28 | Seagate Technology Llc | Diode assisted switching spin-transfer torque memory unit |
US8223532B2 (en) | 2008-08-07 | 2012-07-17 | Seagate Technology Llc | Magnetic field assisted STRAM cells |
US8054677B2 (en) | 2008-08-07 | 2011-11-08 | Seagate Technology Llc | Magnetic memory with strain-assisted exchange coupling switch |
US7746687B2 (en) * | 2008-09-30 | 2010-06-29 | Seagate Technology, Llc | Thermally assisted multi-bit MRAM |
US8487390B2 (en) * | 2008-10-08 | 2013-07-16 | Seagate Technology Llc | Memory cell with stress-induced anisotropy |
US8217478B2 (en) | 2008-10-10 | 2012-07-10 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack with oxide to reduce switching current |
US8053255B2 (en) * | 2009-03-03 | 2011-11-08 | Seagate Technology Llc | STRAM with compensation element and method of making the same |
US8289644B2 (en) * | 2010-07-16 | 2012-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Varying data reader response |
US8482967B2 (en) | 2010-11-03 | 2013-07-09 | Seagate Technology Llc | Magnetic memory element with multi-domain storage layer |
US8934185B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-01-13 | Seagate Technology Llc | Storage device head instability recovery by heating from head heater |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3840898A (en) * | 1972-12-29 | 1974-10-08 | Ibm | Self-biased magnetoresistive sensor |
JPS6059518A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-05 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッド |
US4785366A (en) * | 1987-07-09 | 1988-11-15 | International Business Machine Corporation | Magnetoresistive read transducer having patterned orientation of longitudinal bias |
US4879619A (en) * | 1988-03-28 | 1989-11-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer |
US5005096A (en) * | 1988-12-21 | 1991-04-02 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic shunt bias |
-
1992
- 1992-03-24 JP JP4065749A patent/JPH05266434A/ja active Pending
-
1993
- 1993-03-24 US US08/036,364 patent/US5461526A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07147007A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-06-06 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
JP2731506B2 (ja) * | 1993-11-22 | 1998-03-25 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
US5792546A (en) * | 1993-11-22 | 1998-08-11 | Fujitsu Limited | Magneto-resistive head and method of producing the same |
US7320168B2 (en) * | 2003-10-29 | 2008-01-22 | Headway Technologies, Inc. | Method to improve heat dissipation in a magnetic shield |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5461526A (en) | 1995-10-24 |
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