JPH05182146A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH05182146A JPH05182146A JP150392A JP150392A JPH05182146A JP H05182146 A JPH05182146 A JP H05182146A JP 150392 A JP150392 A JP 150392A JP 150392 A JP150392 A JP 150392A JP H05182146 A JPH05182146 A JP H05182146A
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 印加される信号磁界の変化を、一軸磁気異方
性を有する強磁性薄膜の電気抵抗変化として検出する薄
膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥ１２のトラック幅方向の
外側近傍両側に軟磁性体薄膜１５が配設されている薄膜
磁気ヘッド。 【効果】 クロストークを低減させ、かつ左右対称なク
ロストークの信号出力プロファイルを得ることができ
る。これによりトラック幅方向の再生精度が向上し、高
記録密度に好適な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
性を有する強磁性薄膜の電気抵抗変化として検出する薄
膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥ１２のトラック幅方向の
外側近傍両側に軟磁性体薄膜１５が配設されている薄膜
磁気ヘッド。 【効果】 クロストークを低減させ、かつ左右対称なク
ロストークの信号出力プロファイルを得ることができ
る。これによりトラック幅方向の再生精度が向上し、高
記録密度に好適な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果を利用し
て、磁気ディスク、磁気テープなどの磁気記録媒体に記
録された磁化信号を検出する薄膜磁気ヘッドに関し、よ
り詳細には、隣接するトラック間におけるクロストーク
の影響の低減を図った高密度記録に好適な磁気抵抗効果
型の薄膜磁気ヘッドに関する。
て、磁気ディスク、磁気テープなどの磁気記録媒体に記
録された磁化信号を検出する薄膜磁気ヘッドに関し、よ
り詳細には、隣接するトラック間におけるクロストーク
の影響の低減を図った高密度記録に好適な磁気抵抗効果
型の薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録装置において記録の高密
度化にともない、トラック幅の狭小化、あるいは磁気デ
ィスクの小径化及び磁気テープ走行速度の低速化などか
ら、再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以下ＭＲＥと記
す）を使った磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドが使用されつつ
ある。
度化にともない、トラック幅の狭小化、あるいは磁気デ
ィスクの小径化及び磁気テープ走行速度の低速化などか
ら、再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以下ＭＲＥと記
す）を使った磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドが使用されつつ
ある。
【０００３】図４は従来のこの種磁気抵抗型薄膜磁気ヘ
ッドの要部を示す斜視図であり、図中１３は導体を示し
ており、この導体１３と所定間隔において平行にＭＲＥ
１２が配設されている。また、このＭＲＥ１２に接して
交するように電極１４ａ、１４ｂが配設されている。
ッドの要部を示す斜視図であり、図中１３は導体を示し
ており、この導体１３と所定間隔において平行にＭＲＥ
１２が配設されている。また、このＭＲＥ１２に接して
交するように電極１４ａ、１４ｂが配設されている。
【０００４】非磁性体基板上に形成されるＭＲＥ１２は
パーマロイ（ＮｉＦｅ）合金のような強磁性薄膜を用い
て短冊状に形成され、このときＭＲＥ１２は磁界中で蒸
着などの方法によって作製され、トラック幅方向すなわ
ちＭＲＥ１２の長さ方向を磁化容易軸とするように一軸
磁気異方性が誘起される。
パーマロイ（ＮｉＦｅ）合金のような強磁性薄膜を用い
て短冊状に形成され、このときＭＲＥ１２は磁界中で蒸
着などの方法によって作製され、トラック幅方向すなわ
ちＭＲＥ１２の長さ方向を磁化容易軸とするように一軸
磁気異方性が誘起される。
【０００５】上記のように構成された薄膜磁気ヘッドに
おいて、磁気記録媒体から信号磁界が印加されるとＭＲ
Ｅ１２の磁化の方向が変化し、磁気抵抗効果によってＭ
ＲＥ１２の電気抵抗が変化する。この抵抗変化を検出す
るために、ＭＲＥ１２の両端もしくは途中に設けられた
電極１４ａ、１４ｂからＭＲＥ１２へ検知電流を流す。
そして電極１４ａ、１４ｂを介して接続された検出回路
がＭＲＥ１２の抵抗変化を検出することにより、磁気記
録媒体に記録されている情報の読み出しが行なわれる。
おいて、磁気記録媒体から信号磁界が印加されるとＭＲ
Ｅ１２の磁化の方向が変化し、磁気抵抗効果によってＭ
ＲＥ１２の電気抵抗が変化する。この抵抗変化を検出す
るために、ＭＲＥ１２の両端もしくは途中に設けられた
電極１４ａ、１４ｂからＭＲＥ１２へ検知電流を流す。
そして電極１４ａ、１４ｂを介して接続された検出回路
がＭＲＥ１２の抵抗変化を検出することにより、磁気記
録媒体に記録されている情報の読み出しが行なわれる。
【０００６】一般にＭＲＥ１２の抵抗変化ΔＲは磁界変
化に対して図５のような変化を示す。そしてＭＲＥ１２
の抵抗変化による出力を直線応答化する目的で、動作点
をＢの位置にするためのバイアス磁界がＭＲＥ１２の磁
化困難軸方向に印加され、磁化Ｍの方向は磁化容易軸に
対して約４５度開いた方向に向く。このバイアス磁界を
印加する方法としては、ＭＲＥ１２近傍に平行に配置さ
れた導体１３に直流電流を流して磁界を印加するシャン
トバイアス法、軟磁性体膜を配置してＭＲＥ１２と軟磁
性体膜とで一種の磁気回路を形成して磁界を印加するソ
フト膜バイアス法、Ｃｏ−Ｐｔ層等の高保磁力薄膜を用
いて磁界を印加する永久磁石法などが知られている。
化に対して図５のような変化を示す。そしてＭＲＥ１２
の抵抗変化による出力を直線応答化する目的で、動作点
をＢの位置にするためのバイアス磁界がＭＲＥ１２の磁
化困難軸方向に印加され、磁化Ｍの方向は磁化容易軸に
対して約４５度開いた方向に向く。このバイアス磁界を
印加する方法としては、ＭＲＥ１２近傍に平行に配置さ
れた導体１３に直流電流を流して磁界を印加するシャン
トバイアス法、軟磁性体膜を配置してＭＲＥ１２と軟磁
性体膜とで一種の磁気回路を形成して磁界を印加するソ
フト膜バイアス法、Ｃｏ−Ｐｔ層等の高保磁力薄膜を用
いて磁界を印加する永久磁石法などが知られている。
【０００７】又、ＭＲＥ１２は一般に再生動作時にＭＲ
Ｅ１２の磁壁の移動によりバルクハウゼンノイズと呼ば
れる、出力信号における不規則なジャンプが発生するこ
とが知られている。このようなノイズを抑制するために
はＭＲＥ１２が単磁区状態であることが望ましく、その
方法としては、第一にＭＲＥ１２のアスペクト比（ＭＲ
Ｅ１２の長さ／ＭＲＥ１２の幅）を大きくして長さ方向
の反磁界を減少させる方法、第二にＭＲＥ１２の長さ方
向に磁気バイアスを印加して磁区構造を安定化させる方
法がある。
Ｅ１２の磁壁の移動によりバルクハウゼンノイズと呼ば
れる、出力信号における不規則なジャンプが発生するこ
とが知られている。このようなノイズを抑制するために
はＭＲＥ１２が単磁区状態であることが望ましく、その
方法としては、第一にＭＲＥ１２のアスペクト比（ＭＲ
Ｅ１２の長さ／ＭＲＥ１２の幅）を大きくして長さ方向
の反磁界を減少させる方法、第二にＭＲＥ１２の長さ方
向に磁気バイアスを印加して磁区構造を安定化させる方
法がある。
【０００８】なお、図４に示したものは出力の直線応答
化のためにシャントバイアス法を、バルクハウゼンノイ
ズの抑制のためにＭＲＥ１２のアスペクト比を大きくす
る方法を採用したものである。
化のためにシャントバイアス法を、バルクハウゼンノイ
ズの抑制のためにＭＲＥ１２のアスペクト比を大きくす
る方法を採用したものである。
【０００９】ところで、一般にＭＲＥ１２を使った磁気
抵抗型薄膜磁気ヘッドでは、再生特性の一つであるオフ
トラックのクロストーク特性において、図７に示したよ
うなトラックの中心に関して左右非対称な信号出力プロ
ファイルを描くことが知られている（ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓ．Ｍａｇｎ．MAGー18,1155,(1982)）。この理由とし
ては、図６に示すように隣接トラックがＭＲＥ１２に対
して向かって右側にある場合（ａ）と、左側にある場合
（ｂ）とでは、磁化容易軸に対して約４５度傾いたＭＲ
Ｅ１２の磁化に隣接トラックからの漏れ磁束の与える影
響が異なるためと考えられている。従って、図７のグラ
フはトラック中心の右側が図６（ａ）に示した場合に相
当し、左側が図６（ｂ）に示した場合に相当すると考え
られる。
抵抗型薄膜磁気ヘッドでは、再生特性の一つであるオフ
トラックのクロストーク特性において、図７に示したよ
うなトラックの中心に関して左右非対称な信号出力プロ
ファイルを描くことが知られている（ＩＥＥＥ Ｔｒａ
ｎｓ．Ｍａｇｎ．MAGー18,1155,(1982)）。この理由とし
ては、図６に示すように隣接トラックがＭＲＥ１２に対
して向かって右側にある場合（ａ）と、左側にある場合
（ｂ）とでは、磁化容易軸に対して約４５度傾いたＭＲ
Ｅ１２の磁化に隣接トラックからの漏れ磁束の与える影
響が異なるためと考えられている。従って、図７のグラ
フはトラック中心の右側が図６（ａ）に示した場合に相
当し、左側が図６（ｂ）に示した場合に相当すると考え
られる。
【００１０】このクロストークの影響はトラック幅及び
ガードバンドの狭小化にともない顕著になる傾向があ
る。
ガードバンドの狭小化にともない顕著になる傾向があ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】記録の高密度化にとも
ないＭＲＥ１２のトラック幅が狭小化されると、隣接す
るトラック間のクロストークの影響が増大するので、ト
ラック幅方向に対する信号出力プロファイルの左右非対
称性の割合が増加し、トラック幅方向の再生精度が低下
するという課題があった。
ないＭＲＥ１２のトラック幅が狭小化されると、隣接す
るトラック間のクロストークの影響が増大するので、ト
ラック幅方向に対する信号出力プロファイルの左右非対
称性の割合が増加し、トラック幅方向の再生精度が低下
するという課題があった。
【００１２】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、オフトラックにおけるクロストークが低
減され、かつ左右対称なクロストークの信号出力プロフ
ァイルが得られ、これによってトラック幅方向の再生精
度が向上した、高記録密度に好適な薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的としている。
ものであって、オフトラックにおけるクロストークが低
減され、かつ左右対称なクロストークの信号出力プロフ
ァイルが得られ、これによってトラック幅方向の再生精
度が向上した、高記録密度に好適な薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、印加される信号磁
界の変化を、一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜の電気
抵抗変化として検出する薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ
Ｅのトラック幅方向の外側近傍両側に軟磁性体薄膜が配
設されていることを特徴としている。
ため本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、印加される信号磁
界の変化を、一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜の電気
抵抗変化として検出する薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ
Ｅのトラック幅方向の外側近傍両側に軟磁性体薄膜が配
設されていることを特徴としている。
【００１４】
【作用】上記した構成によれば、クロストークの主原因
となっている隣接トッラクからの漏れ磁束が、前記ＭＲ
Ｅのトラック幅方向の外側近傍両側に配置される適当な
透磁率を有する軟磁性体薄膜に流入することになり、隣
接するトラックに対してこれら軟磁性体薄膜が磁束シー
ルド効果の働きを成すのでオフトラックにおけるクロス
トークが低減され、かつ左右対称なクロストークの信号
出力プロファイルが得られる。
となっている隣接トッラクからの漏れ磁束が、前記ＭＲ
Ｅのトラック幅方向の外側近傍両側に配置される適当な
透磁率を有する軟磁性体薄膜に流入することになり、隣
接するトラックに対してこれら軟磁性体薄膜が磁束シー
ルド効果の働きを成すのでオフトラックにおけるクロス
トークが低減され、かつ左右対称なクロストークの信号
出力プロファイルが得られる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施例
を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一機能を
有する構成部品については同一符合を付すこととする。
図１は実施例における薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視
図である。さらに図２は実施例に係る薄膜磁気ヘッドの
要部を示すトラック幅方向の概略断面図である。
を図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一機能を
有する構成部品については同一符合を付すこととする。
図１は実施例における薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視
図である。さらに図２は実施例に係る薄膜磁気ヘッドの
要部を示すトラック幅方向の概略断面図である。
【００１６】図中１１は非磁性体であるセラミックから
なる基板を示しており、この基板１１の上方には絶縁層
１６ａを介して導体１３が配設され、さらに導体１３の
上方には所定厚みの絶縁層１６ｂを介して磁気抵抗素子
（以下ＭＲＥと記す）１２が配設されている。このＭＲ
Ｅ１２の上面に当接して電極１４ａ、１４ｂが配設され
ており、ＭＲＥ１２の両外側近傍には軟磁性体薄膜１５
ａ、１５ｂがトラック幅方向に対して垂直に配設されて
いる。さらに、これら導体１３、ＭＲＥ１２、電極１４
ａ、１４ｂ、軟磁性体薄膜１５ａ、１５ｂを取り囲むよ
うに絶縁層１６が形成されている。
なる基板を示しており、この基板１１の上方には絶縁層
１６ａを介して導体１３が配設され、さらに導体１３の
上方には所定厚みの絶縁層１６ｂを介して磁気抵抗素子
（以下ＭＲＥと記す）１２が配設されている。このＭＲ
Ｅ１２の上面に当接して電極１４ａ、１４ｂが配設され
ており、ＭＲＥ１２の両外側近傍には軟磁性体薄膜１５
ａ、１５ｂがトラック幅方向に対して垂直に配設されて
いる。さらに、これら導体１３、ＭＲＥ１２、電極１４
ａ、１４ｂ、軟磁性体薄膜１５ａ、１５ｂを取り囲むよ
うに絶縁層１６が形成されている。
【００１７】図２に基づいて、上記薄膜磁気ヘッドの製
造工程を述べる。まずＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣなどの非磁性
のセラミックからなる基板１１の上にＳｉＯ2 からなる
絶縁層１６ａをスパッタ技術を用いて厚さ１μｍ形成
し、次いで絶縁層１６ａの上に後で形成されるＭＲＥ１
２に対してバイアス磁界を印加するためのＴｉ薄膜から
なる導体１３を厚さ６００Åで所定の形状にパターン化
して形成する。導体１３の上から絶縁層１６ｂを厚さ
０．１μｍ形成し、次いで絶縁層１６ｂの上にＭＲＥ１
２として厚さ４００ÅのＮｉ−Ｆｅ薄膜を、磁界中にお
ける蒸着法などにより磁化容易軸がトラック幅方向とな
るように形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて所
定の形状にパターン化する。本実施例では素子幅４μ
ｍ，素子長さ４０μｍの短冊状にパターン化した。ＭＲ
Ｅ１２におけるトッラク幅、すなわち電極１４ａ、１４
ｂ間の間隔は８μｍとした。更に、軟磁性体薄膜１５
ａ、１５ｂをＣｏＺｒ非晶質合金薄膜を用いてＭＲＥ１
２の両側に間隔１μｍを開けてスパッタ法により所定の
形状に形成する。ついで電極１４ａ、１４ｂとしてＣｒ
下地（厚さ０．１μｍ）のＡｕ導体薄膜（厚さ１μｍ）
を形成し、所定の形状にパターン化する。その上に最終
的な保護膜として絶縁層１６ｃを厚さ２０μｍ形成す
る。その後、機械加工と配線を施して、磁気ディスク用
スライダー形状となした。
造工程を述べる。まずＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣなどの非磁性
のセラミックからなる基板１１の上にＳｉＯ2 からなる
絶縁層１６ａをスパッタ技術を用いて厚さ１μｍ形成
し、次いで絶縁層１６ａの上に後で形成されるＭＲＥ１
２に対してバイアス磁界を印加するためのＴｉ薄膜から
なる導体１３を厚さ６００Åで所定の形状にパターン化
して形成する。導体１３の上から絶縁層１６ｂを厚さ
０．１μｍ形成し、次いで絶縁層１６ｂの上にＭＲＥ１
２として厚さ４００ÅのＮｉ−Ｆｅ薄膜を、磁界中にお
ける蒸着法などにより磁化容易軸がトラック幅方向とな
るように形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて所
定の形状にパターン化する。本実施例では素子幅４μ
ｍ，素子長さ４０μｍの短冊状にパターン化した。ＭＲ
Ｅ１２におけるトッラク幅、すなわち電極１４ａ、１４
ｂ間の間隔は８μｍとした。更に、軟磁性体薄膜１５
ａ、１５ｂをＣｏＺｒ非晶質合金薄膜を用いてＭＲＥ１
２の両側に間隔１μｍを開けてスパッタ法により所定の
形状に形成する。ついで電極１４ａ、１４ｂとしてＣｒ
下地（厚さ０．１μｍ）のＡｕ導体薄膜（厚さ１μｍ）
を形成し、所定の形状にパターン化する。その上に最終
的な保護膜として絶縁層１６ｃを厚さ２０μｍ形成す
る。その後、機械加工と配線を施して、磁気ディスク用
スライダー形状となした。
【００１８】軟磁性体薄膜１５ａ、１５ｂとＭＲＥ１２
との距離はできるだけ近付けた方が良いが、余り近付け
すぎると、絶縁層１６におけるポアの存在によりＭＲＥ
１２と軟磁性体薄膜１５ａ、１５ｂとの間に電気的短絡
が生じる可能性があるので、最小間隔として０．２μｍ
程度確保する必要がある。さらに、軟磁性体薄膜１５
ａ、１５ｂの断面中心位置は隣接トラックからの漏れ磁
束の影響を少なくさせるために、ＭＲＥ１２のトラック
幅方向の延長方向に設定した。また、軟磁性体薄膜１５
ａ、１５ｂの幅は約２μｍ以上、高さは導体１３および
層間絶縁膜１６ｂおよびＭＲＥ１２の各膜厚の合計より
厚ければ良く、この実施例では長さ４０μｍ、幅４μ
ｍ、高さ５μｍとした。
との距離はできるだけ近付けた方が良いが、余り近付け
すぎると、絶縁層１６におけるポアの存在によりＭＲＥ
１２と軟磁性体薄膜１５ａ、１５ｂとの間に電気的短絡
が生じる可能性があるので、最小間隔として０．２μｍ
程度確保する必要がある。さらに、軟磁性体薄膜１５
ａ、１５ｂの断面中心位置は隣接トラックからの漏れ磁
束の影響を少なくさせるために、ＭＲＥ１２のトラック
幅方向の延長方向に設定した。また、軟磁性体薄膜１５
ａ、１５ｂの幅は約２μｍ以上、高さは導体１３および
層間絶縁膜１６ｂおよびＭＲＥ１２の各膜厚の合計より
厚ければ良く、この実施例では長さ４０μｍ、幅４μ
ｍ、高さ５μｍとした。
【００１９】上記構成の薄膜磁気ヘッドによれば、ＭＲ
Ｅ１２は磁界中で蒸着によって形成されるため、トラッ
ク幅方向を磁化容易軸とするように一軸磁気異方性が誘
起される。
Ｅ１２は磁界中で蒸着によって形成されるため、トラッ
ク幅方向を磁化容易軸とするように一軸磁気異方性が誘
起される。
【００２０】また、磁気記録媒体の信号磁界によりＭＲ
Ｅ１２の磁化の方向が変化し、磁気抵抗効果によってＭ
ＲＥ１２の電気抵抗が変化する。この抵抗変化を検出す
るために、ＭＲＥ１２の両端もしくは途中に設けられた
電極１４ａ、１４ｂからＭＲＥ１２へ検知電流を流す。
電極１４ａ、１４ｂを介して接続された検出回路がＭＲ
Ｅ１２の抵抗変化を検出することにより、磁気記録媒体
に記録されている情報の読み出しが行なわれる。
Ｅ１２の磁化の方向が変化し、磁気抵抗効果によってＭ
ＲＥ１２の電気抵抗が変化する。この抵抗変化を検出す
るために、ＭＲＥ１２の両端もしくは途中に設けられた
電極１４ａ、１４ｂからＭＲＥ１２へ検知電流を流す。
電極１４ａ、１４ｂを介して接続された検出回路がＭＲ
Ｅ１２の抵抗変化を検出することにより、磁気記録媒体
に記録されている情報の読み出しが行なわれる。
【００２１】上記のように作製した磁気抵抗型の薄膜磁
気ヘッドを用いて再生特性を評価した。記録の書き込み
はトラック幅９μｍ、ギャップ長０．５μｍの一般的な
誘導型薄膜磁気ヘッドを用いて、５．２５インチ径のス
パッタ媒体（保磁力１２５０Ｏｅ）に行なった。ＭＲＥ
１２に流すセンス電流は１０ｍＡ、ＭＲＥ１２へのバイ
アス磁界印加用の電流は１５ｍＡに設定した。また相対
速度は７ｍ／ｓｅｃ、ヘッド浮上量を０．２μｍとし、
また線記録密度は１０００ｆｃ／ｍｍとした。
気ヘッドを用いて再生特性を評価した。記録の書き込み
はトラック幅９μｍ、ギャップ長０．５μｍの一般的な
誘導型薄膜磁気ヘッドを用いて、５．２５インチ径のス
パッタ媒体（保磁力１２５０Ｏｅ）に行なった。ＭＲＥ
１２に流すセンス電流は１０ｍＡ、ＭＲＥ１２へのバイ
アス磁界印加用の電流は１５ｍＡに設定した。また相対
速度は７ｍ／ｓｅｃ、ヘッド浮上量を０．２μｍとし、
また線記録密度は１０００ｆｃ／ｍｍとした。
【００２２】図３はこのようにして測定したオフトラッ
クのクロストーク特性を示す。信号出力曲線はトラック
の中心に関して左右対称なプロファイルとなっている。
クのクロストーク特性を示す。信号出力曲線はトラック
の中心に関して左右対称なプロファイルとなっている。
【００２３】以上の説明から、明らかなように本実施例
に係る薄膜磁気ヘッドにあってはＭＲＥ１２のトラック
幅方向の外側近傍両側に軟磁性体薄膜１５ａ、１５ｂが
配設されているので、隣接するトラックに対してこれら
軟磁性体薄膜１５ａ、１５ｂが磁束シールド効果の働き
を成し、オフトラックのクロストークを低減させてクロ
ストークの影響を抑え、かつ左右対称なクロストークの
信号出力プロファイルを得ることができる。これにより
トラック幅方向の再生精度を向上させ、高記録密度に好
適な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
に係る薄膜磁気ヘッドにあってはＭＲＥ１２のトラック
幅方向の外側近傍両側に軟磁性体薄膜１５ａ、１５ｂが
配設されているので、隣接するトラックに対してこれら
軟磁性体薄膜１５ａ、１５ｂが磁束シールド効果の働き
を成し、オフトラックのクロストークを低減させてクロ
ストークの影響を抑え、かつ左右対称なクロストークの
信号出力プロファイルを得ることができる。これにより
トラック幅方向の再生精度を向上させ、高記録密度に好
適な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００２４】なお、上記実施例では前記軟磁性体薄膜１
５ａ、１５ｂを形成するのにＣｏＺｒを用いたが、軟磁
性体薄膜１５ａ、１５ｂの形成材料はＣｏＺｒに限定さ
れるものではなく、その他ＣｏＺｒＭｏ、ＣｏＺｒＮｂ
等のＣｏＺｒ系非晶質合金あるいはパーマロイ膜（Ｎｉ
−Ｆｅ薄膜）を用いてもよい。また、絶縁層１６の形成
材料としてＳｉＯ2 の他にＡｌ2 Ｏ3 を用いることもで
き、ＭＲＥ１２の形成材料としてＮｉ−Ｃｏ膜を用いる
こともできる。
５ａ、１５ｂを形成するのにＣｏＺｒを用いたが、軟磁
性体薄膜１５ａ、１５ｂの形成材料はＣｏＺｒに限定さ
れるものではなく、その他ＣｏＺｒＭｏ、ＣｏＺｒＮｂ
等のＣｏＺｒ系非晶質合金あるいはパーマロイ膜（Ｎｉ
−Ｆｅ薄膜）を用いてもよい。また、絶縁層１６の形成
材料としてＳｉＯ2 の他にＡｌ2 Ｏ3 を用いることもで
き、ＭＲＥ１２の形成材料としてＮｉ−Ｃｏ膜を用いる
こともできる。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る薄膜磁
気ヘッドおいては、印加される信号磁界の変化を、一軸
磁気異方性を有する強磁性薄膜の電気抵抗変化として検
出する薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥのトラック幅方
向の外側近傍両側に軟磁性体薄膜が配設されているの
で、これら軟磁性体薄膜に隣接するトラックに対しては
磁束シールド効果の働きを成し、オフトラックのクロス
トークを低減しかつ左右対称なクロストークの信号出力
プロファイルを得ることができる。これによりトラック
幅方向の再生精度が向上し、高記録密度に好適な薄膜磁
気ヘッドを得ることができる。
気ヘッドおいては、印加される信号磁界の変化を、一軸
磁気異方性を有する強磁性薄膜の電気抵抗変化として検
出する薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥのトラック幅方
向の外側近傍両側に軟磁性体薄膜が配設されているの
で、これら軟磁性体薄膜に隣接するトラックに対しては
磁束シールド効果の働きを成し、オフトラックのクロス
トークを低減しかつ左右対称なクロストークの信号出力
プロファイルを得ることができる。これによりトラック
幅方向の再生精度が向上し、高記録密度に好適な薄膜磁
気ヘッドを得ることができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施例を示す要
部の斜視図である。
部の斜視図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施例を示すト
ラック幅方向の概略断面図である。
ラック幅方向の概略断面図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施例における
オフトラックのクロストーク特性図である。
オフトラックのクロストーク特性図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの要部を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子にお
ける再生出力に対応するΔＲ−Ｈ曲線図である。
ける再生出力に対応するΔＲ−Ｈ曲線図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドにおけ
る隣接トラックからのクロストークの影響を示す模式図
である。
る隣接トラックからのクロストークの影響を示す模式図
である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるオフトラックの
クロストーク特性図である。
クロストーク特性図である。
１２ ＭＲＥ １５ 軟磁性体薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 印加される信号磁界の変化を、一軸磁気
異方性を有する強磁性薄膜の電気抵抗変化として検出す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗素子のトラック幅
方向の外側近傍両側に軟磁性体薄膜が配設されているこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP150392A JPH05182146A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP150392A JPH05182146A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182146A true JPH05182146A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11503278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP150392A Pending JPH05182146A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182146A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798895A (en) * | 1994-02-28 | 1998-08-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetic reading head having a magnetoresistant element and improved polarization means |
| WO2002023540A3 (en) * | 2000-09-13 | 2002-10-17 | Seagate Technology Llc | New mr structures for high areal density reader by using side shields |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP150392A patent/JPH05182146A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798895A (en) * | 1994-02-28 | 1998-08-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Magnetic reading head having a magnetoresistant element and improved polarization means |
| WO2002023540A3 (en) * | 2000-09-13 | 2002-10-17 | Seagate Technology Llc | New mr structures for high areal density reader by using side shields |
| GB2381941A (en) * | 2000-09-13 | 2003-05-14 | Seagate Technology Llc | New MR structures for high areal density reader by using side shields |
| US6680829B2 (en) | 2000-09-13 | 2004-01-20 | Seagate Technology Llc | MR structures for high areal density reader by using side shields |
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