JPH0434713A - 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドInfo
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- JPH0434713A JPH0434713A JP2140685A JP14068590A JPH0434713A JP H0434713 A JPH0434713 A JP H0434713A JP 2140685 A JP2140685 A JP 2140685A JP 14068590 A JP14068590 A JP 14068590A JP H0434713 A JPH0434713 A JP H0434713A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 230000000694 effects Effects 0.000 title abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果型着順ヘッドに関する。
本発明は、基板上に感磁部と、該感磁部の両端から信号
磁界と同方向にセンス電流を印加するように導出される
電極導電層と、感磁部を絶縁層を介して横切るように延
在するバイアス磁界発生用導体とを有し、感磁部の上を
覆ってシールド用磁性体層が配置された磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおいて、少くとも電極導電層の一部とバイ
アス磁界発生用導体の一部を共通の導電パターンで形成
することにより、狭ギャップ化を容易に達成すると共に
、高密度化にも対応できるようにしたものである。
磁界と同方向にセンス電流を印加するように導出される
電極導電層と、感磁部を絶縁層を介して横切るように延
在するバイアス磁界発生用導体とを有し、感磁部の上を
覆ってシールド用磁性体層が配置された磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおいて、少くとも電極導電層の一部とバイ
アス磁界発生用導体の一部を共通の導電パターンで形成
することにより、狭ギャップ化を容易に達成すると共に
、高密度化にも対応できるようにしたものである。
また、本発明は、基板上に感磁部と、該感磁部の両端か
ら信号磁界と同方向にセンス電流を印加するように導出
される電極導電層と、感磁部を絶縁層を介して横切るよ
うに延在するバイアス磁界発生用導体とを有し、感磁部
の上を覆ってシールド用磁性体層が配置された磁気抵抗
効果型磁気ヘッドにおいて、電極導電層を主導電金属部
と耐湿性導電部より成り、電極導電層の摺動面近傍を耐
湿性導電部により構成することにより、高温高湿の環境
条件下でも高信頼性を得るようにしたものである。
ら信号磁界と同方向にセンス電流を印加するように導出
される電極導電層と、感磁部を絶縁層を介して横切るよ
うに延在するバイアス磁界発生用導体とを有し、感磁部
の上を覆ってシールド用磁性体層が配置された磁気抵抗
効果型磁気ヘッドにおいて、電極導電層を主導電金属部
と耐湿性導電部より成り、電極導電層の摺動面近傍を耐
湿性導電部により構成することにより、高温高湿の環境
条件下でも高信頼性を得るようにしたものである。
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドとして、第１２図に示すよう
に支持基板（１）上にその感磁部即ち磁気抵抗効果素子
（以下ＭＲ素子という）（２）を磁気記録媒体の摺動面
（ａ）に対して垂直方向に配置し、その先端部と後端部
に夫々接続される電極導体層（３Ａ）及び（３Ｂ）を形
成してＭＲ素子（２）に磁気記録媒体からの信号磁界と
同方向にセンス電流を流すように構成した薄膜ヘッド（
Ａ）が提案されている。二〇薄腹ヘッド（Ａ）ではバイ
アス磁界を印加する手段として、絶縁層（４）を介して
ＭＲ素子（２）を横切るように配したバイアス磁界発生
用導体（以下バイアス導体という）（５）を用いている
。バイアス導体（５）を用いる方法は、導体（５）に流
す電流を変化させることによってバイアス磁界を最適化
することができるものである。なお、同図において、〔
６〕は絶縁層、（７）は分解能を向上させるためＭＲ素
子（２）の上を覆うように配置されたシールド用磁性体
、（１１）はギャップを示す。この例ではＭＲ素子（２
）を非磁性の中間層（２ａ）を介して２層の磁性体膜（
２ｂ）及び（２Ｃ）で構成しているため、バルクハウゼ
ンノイズ、即ち磁壁の移動に基づくノイズの発生を確実
に回避することができる。しかし、第１２図の薄膜ヘッ
ド（Ａ）においては、バイアス導体（５）をＭＲ素子の
電極導電層（３Ａ）、 （３Ｂ） とは別に形成する
必要があり、層構造が複雑になると共に、特に線記録密
度を上げるための狭ギャップ化が難しい。
に支持基板（１）上にその感磁部即ち磁気抵抗効果素子
（以下ＭＲ素子という）（２）を磁気記録媒体の摺動面
（ａ）に対して垂直方向に配置し、その先端部と後端部
に夫々接続される電極導体層（３Ａ）及び（３Ｂ）を形
成してＭＲ素子（２）に磁気記録媒体からの信号磁界と
同方向にセンス電流を流すように構成した薄膜ヘッド（
Ａ）が提案されている。二〇薄腹ヘッド（Ａ）ではバイ
アス磁界を印加する手段として、絶縁層（４）を介して
ＭＲ素子（２）を横切るように配したバイアス磁界発生
用導体（以下バイアス導体という）（５）を用いている
。バイアス導体（５）を用いる方法は、導体（５）に流
す電流を変化させることによってバイアス磁界を最適化
することができるものである。なお、同図において、〔
６〕は絶縁層、（７）は分解能を向上させるためＭＲ素
子（２）の上を覆うように配置されたシールド用磁性体
、（１１）はギャップを示す。この例ではＭＲ素子（２
）を非磁性の中間層（２ａ）を介して２層の磁性体膜（
２ｂ）及び（２Ｃ）で構成しているため、バルクハウゼ
ンノイズ、即ち磁壁の移動に基づくノイズの発生を確実
に回避することができる。しかし、第１２図の薄膜ヘッ
ド（Ａ）においては、バイアス導体（５）をＭＲ素子の
電極導電層（３Ａ）、 （３Ｂ） とは別に形成する
必要があり、層構造が複雑になると共に、特に線記録密
度を上げるための狭ギャップ化が難しい。
一方、上述の２層構造のＭＲ素子〔２）を育する薄膜ヘ
ッドでは摺動面（ａ）に対して垂直方向にセンス電流を
流すために、第１３図に示すようにＭＲ素子（２）の電
極導電層（３Ａ）、 （３Ｂ） とバイアス導体（５
）とを同時に形成することも可能である（特開平１−１
１６９１２号参照）。この薄膜ヘッド（Ｂ）は第１２図
の薄膜ヘッド（Ａ）に比してギャップ１２を狭くするこ
とができる（ｊ！＋＞１２）。
ッドでは摺動面（ａ）に対して垂直方向にセンス電流を
流すために、第１３図に示すようにＭＲ素子（２）の電
極導電層（３Ａ）、 （３Ｂ） とバイアス導体（５
）とを同時に形成することも可能である（特開平１−１
１６９１２号参照）。この薄膜ヘッド（Ｂ）は第１２図
の薄膜ヘッド（Ａ）に比してギャップ１２を狭くするこ
とができる（ｊ！＋＞１２）。
しかし乍ら、上記第１３図の薄膜ヘッド（Ｂ）において
は、高密度化に対応したヘッドを作成しようとすると、
ＭＲ素子（２）の寸法が小さくなり、電極導電層（３Ａ
）、 （３Ｂ） との接触面積、電極導電層（３Ａ）
、 （３Ｂ） の幅を大きくできなくなる。その結果
、ＭＲ素子（２）の電極導電層（３＾）、（３Ｂ）
、バイアス導体（５）を同時に形成しようとすると、そ
の抵抗が大きくなり発熱ノイズが大きくなってしまう。
は、高密度化に対応したヘッドを作成しようとすると、
ＭＲ素子（２）の寸法が小さくなり、電極導電層（３Ａ
）、 （３Ｂ） との接触面積、電極導電層（３Ａ）
、 （３Ｂ） の幅を大きくできなくなる。その結果
、ＭＲ素子（２）の電極導電層（３＾）、（３Ｂ）
、バイアス導体（５）を同時に形成しようとすると、そ
の抵抗が大きくなり発熱ノイズが大きくなってしまう。
またバイアス導体（５）のＭＲ素子（２）上を横断する
幅が狭いためにＭＲ素子（２）に均一にバイアス磁界を
与えることができない。
幅が狭いためにＭＲ素子（２）に均一にバイアス磁界を
与えることができない。
一方、上述したＭＲ素子（２）の先端部と先端側の電極
（３Ａ）が摺動面（ａ）に露出する構成の薄膜ヘッドで
は、ＭＲ素子（２）の電極導電層（３Ａ）、 （３Ｂ）
は発熱ノイズを抑えるため通常、抵抗の低いＡｕ、
Ｃｕ、 Ａ４２等が用いられる。しかし、Ａｕは高
価であると同時に軟かく密着性が悪いために摺動面（ａ
）を形成する加工時に剥離し易い欠点があった。また、
Ｃｕは酸化し易く、耐湿性、耐蝕性に乏しく、高温高湿
の環境条件下での信頼性に欠けるものであった。Ｍも同
様であった。
（３Ａ）が摺動面（ａ）に露出する構成の薄膜ヘッドで
は、ＭＲ素子（２）の電極導電層（３Ａ）、 （３Ｂ）
は発熱ノイズを抑えるため通常、抵抗の低いＡｕ、
Ｃｕ、 Ａ４２等が用いられる。しかし、Ａｕは高
価であると同時に軟かく密着性が悪いために摺動面（ａ
）を形成する加工時に剥離し易い欠点があった。また、
Ｃｕは酸化し易く、耐湿性、耐蝕性に乏しく、高温高湿
の環境条件下での信頼性に欠けるものであった。Ｍも同
様であった。
本発明は、上述の点に鑑み、狭ギャップ化を図ると共に
、高密度化に対応できる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提
供するものである。
、高密度化に対応できる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提
供するものである。
また本発明は、高温高湿の環境条件下でも高信頼性の得
られる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供するものである
。
られる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供するものである
。
本発明は、基板（１２）上に感磁部（１３）と、感磁部
（１３）の両端から信号磁界と同方向にセンス電流を印
加するように導出される電極導電層（１５）と、感磁部
（１３）を絶縁層（１４）を介して横切るように延在す
るバイアス磁界発生用導体（１６）とを有し、感磁部（
１３）の上を覆ってシールド用磁性体層（１９）が配置
された磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、少くとも電
極導電層（１５）の一部と、バイアス磁界発生用導体（
１６）の一部を共通の導体パターン（１７）にて形成し
て構成する。
（１３）の両端から信号磁界と同方向にセンス電流を印
加するように導出される電極導電層（１５）と、感磁部
（１３）を絶縁層（１４）を介して横切るように延在す
るバイアス磁界発生用導体（１６）とを有し、感磁部（
１３）の上を覆ってシールド用磁性体層（１９）が配置
された磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、少くとも電
極導電層（１５）の一部と、バイアス磁界発生用導体（
１６）の一部を共通の導体パターン（１７）にて形成し
て構成する。
また、本発明は、基板（１２）上に感磁部（１３）と、
感磁部（１３）の両端から信号磁界と同方向にセンス電
流を印加するように導出される電極導電層（１５）と、
感磁部（１３）を絶縁層（１４）を介して横切るように
延在するバイアス磁界発生用導体（１６）とを有し、感
磁部（１３）の上を覆ってシールド用磁性体層（１９）
が配置された磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、電極
導電層（１５）を主導電金属部（２７）と耐湿性導電部
（２６）よりなり、電極導電層（１５）の摺動面近傍を
耐湿性導電部（１６）により形成して構成する。
感磁部（１３）の両端から信号磁界と同方向にセンス電
流を印加するように導出される電極導電層（１５）と、
感磁部（１３）を絶縁層（１４）を介して横切るように
延在するバイアス磁界発生用導体（１６）とを有し、感
磁部（１３）の上を覆ってシールド用磁性体層（１９）
が配置された磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、電極
導電層（１５）を主導電金属部（２７）と耐湿性導電部
（２６）よりなり、電極導電層（１５）の摺動面近傍を
耐湿性導電部（１６）により形成して構成する。
第１の発明の構成においては、感磁部（１３）の電極導
電層（１５）の一部とバイアス磁界発生用導体（１６）
の一部を共通の導電パターン（１７）にて形成すること
により、薄膜ヘッドにおける層構造が単純になり、狭ギ
ャップ化が可能となる。また、共通の導電パターン（１
７）によってバイアス磁界発生用導体が感磁部（１３）
の端部まで覆うこととなり、バイアス磁界が感磁部（１
３）に均一に与えられる。また、感磁部（１３）の寸法
が小さくなっても電極導電層（１５）との接触面積、電
極導電層（１５）の幅が十分得られるので発熱ノイズが
抑えられ薄膜ヘッドの高密度化にも対応できる。さらに
電極導電層（１５）とバイアス磁界発生用導体（１６）
の一部が共通化されるので、薄膜ヘッドの導出する端子
数が削減される。
電層（１５）の一部とバイアス磁界発生用導体（１６）
の一部を共通の導電パターン（１７）にて形成すること
により、薄膜ヘッドにおける層構造が単純になり、狭ギ
ャップ化が可能となる。また、共通の導電パターン（１
７）によってバイアス磁界発生用導体が感磁部（１３）
の端部まで覆うこととなり、バイアス磁界が感磁部（１
３）に均一に与えられる。また、感磁部（１３）の寸法
が小さくなっても電極導電層（１５）との接触面積、電
極導電層（１５）の幅が十分得られるので発熱ノイズが
抑えられ薄膜ヘッドの高密度化にも対応できる。さらに
電極導電層（１５）とバイアス磁界発生用導体（１６）
の一部が共通化されるので、薄膜ヘッドの導出する端子
数が削減される。
第２の発明の構成においては、感磁部（１３）における
電極導電層（１５）の摺動面近傍を耐湿性導電部（２６
）により形成することにより、電極導電層（１５）には
湿気等による酸化、腐食等の劣化が生ぜず、高温高湿の
環境条件下でも薄膜ヘッドとして高い信頼性が得られる
。
電極導電層（１５）の摺動面近傍を耐湿性導電部（２６
）により形成することにより、電極導電層（１５）には
湿気等による酸化、腐食等の劣化が生ぜず、高温高湿の
環境条件下でも薄膜ヘッドとして高い信頼性が得られる
。
以下、図面を参照して本発明による磁気抵抗効果型薄膜
ヘッドの実施例を説明する。
ヘッドの実施例を説明する。
第１の発明に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドは、少くと
もＭＲ素子の先端側又は後端側の電極導電層（１５）の
いずれか一方の電極導電層（１５）の一部とバイアス磁
界発生用導体（即ちバイアス導体）（１６）の一部を共
通の導電パターン（１７）で形成し、その共通導電パタ
ーン（１７）の端子部を接地電位に接続するものである
。第１図及び第２図はその一実施例を示す。本例の薄膜
ヘッド（１１）は、支持基板（１２）上に磁気言己録媒
体（所謂磁気ディスク）と対面する摺動面（ａ）に対し
て垂直方向に沿うＭＲ素子（１３）を形成し、その上に
絶縁層（１４）を形成して、この絶縁層〈１４）にＭＲ
素子（２）の先端部及び後端部が夫々臨むコンタクト窓
（１４ａ）及び（１４ｂ） を形成した後、同一工程に
よってコンタクト窓（１４ｂ） を通じてＭＲ素子（１
３）の後端部に接続する後端側電極導電層（１５Ｂ）
と、バイアス導体（１６）と、コンタクト窓（１４ａ
） を通じてＭＲ素子（１３）の先端部に接続する先
端側電極導電層（図示せず）とバイアス導体（１６）の
一部が共通化された導体パターン（１７）とを形成して
なる。バイアス導体（１６）即ち之に連続する共通の導
電パターン（１７）はＭＲ素子（１３）上を横切るよう
に形成する。さらに薄膜ヘッドとしての分解能を上げる
ために絶縁層（１８）を介してＭＲ素子（１３）上を覆
ってシールド用磁性体（１９）を配置する。ＭＲ素子（
１３）としては、非磁性の中間層（１３ａ） を介し
て上下２層の磁性体膜（１３ｂ）及び（１３Ｃ） で形
成し、バルクハウゼンノイズ、即ち磁壁の移動に基づく
ノイズの発生を回避するようになされる。また、ＭＲ素
子（１３）の先端部及び共通導電パターン（１７）のＭ
Ｒ素素子先端−相当する部分は摺動面（ａ）に露出する
ように形成される。そして、共通導電パターン（１７）
の端子部ｔ１ を接地電位Ｖｓｓに接続し、ＭＲ素子（
１３）の後端側電極導電層（１５Ｂ） の端子部ｔ２
をアンプ部（図示せず）に接続しこの端子部ｔ２ に
はその定電圧源を通して所定電位を印加し、またバイア
ス導体（１６〉の端子部ｔ、に所定の電位を印加するよ
うになす。
もＭＲ素子の先端側又は後端側の電極導電層（１５）の
いずれか一方の電極導電層（１５）の一部とバイアス磁
界発生用導体（即ちバイアス導体）（１６）の一部を共
通の導電パターン（１７）で形成し、その共通導電パタ
ーン（１７）の端子部を接地電位に接続するものである
。第１図及び第２図はその一実施例を示す。本例の薄膜
ヘッド（１１）は、支持基板（１２）上に磁気言己録媒
体（所謂磁気ディスク）と対面する摺動面（ａ）に対し
て垂直方向に沿うＭＲ素子（１３）を形成し、その上に
絶縁層（１４）を形成して、この絶縁層〈１４）にＭＲ
素子（２）の先端部及び後端部が夫々臨むコンタクト窓
（１４ａ）及び（１４ｂ） を形成した後、同一工程に
よってコンタクト窓（１４ｂ） を通じてＭＲ素子（１
３）の後端部に接続する後端側電極導電層（１５Ｂ）
と、バイアス導体（１６）と、コンタクト窓（１４ａ
） を通じてＭＲ素子（１３）の先端部に接続する先
端側電極導電層（図示せず）とバイアス導体（１６）の
一部が共通化された導体パターン（１７）とを形成して
なる。バイアス導体（１６）即ち之に連続する共通の導
電パターン（１７）はＭＲ素子（１３）上を横切るよう
に形成する。さらに薄膜ヘッドとしての分解能を上げる
ために絶縁層（１８）を介してＭＲ素子（１３）上を覆
ってシールド用磁性体（１９）を配置する。ＭＲ素子（
１３）としては、非磁性の中間層（１３ａ） を介し
て上下２層の磁性体膜（１３ｂ）及び（１３Ｃ） で形
成し、バルクハウゼンノイズ、即ち磁壁の移動に基づく
ノイズの発生を回避するようになされる。また、ＭＲ素
子（１３）の先端部及び共通導電パターン（１７）のＭ
Ｒ素素子先端−相当する部分は摺動面（ａ）に露出する
ように形成される。そして、共通導電パターン（１７）
の端子部ｔ１ を接地電位Ｖｓｓに接続し、ＭＲ素子（
１３）の後端側電極導電層（１５Ｂ） の端子部ｔ２
をアンプ部（図示せず）に接続しこの端子部ｔ２ に
はその定電圧源を通して所定電位を印加し、またバイア
ス導体（１６〉の端子部ｔ、に所定の電位を印加するよ
うになす。
かかる構成の薄膜ヘッド（１１）においては、ＭＲ素子
（１３）には共通導体パターン（１７）のコンタクト部
（１７ａ） と後端側電極導電層（１５Ｂ） を通
して磁気ディスクからの信号磁界と同方向のセンス電流
１ｓが流れ、且つバイアス導体（１６）及び共通導電パ
ターン（１７）を通じてセンス電流ｉｓ方向とほぼ直交
する方向にバイアス電流ｉ＠が流れるようになる。この
薄膜ヘッド（１１）の等価回路を第３図に示す。同図に
おいて、Ｒ２はＭＲｓ子（１３）及び後端側電極導電層
（１５Ｂ） による抵抗値、Ｒ２はバイアス導体（１
６） （即ち共通導体パターン（１７）直前までのバイ
アス導体部分）の抵抗値、Ｒ３は共通導体パターン（１
７）の抵抗値である。この薄膜ヘッド（１１）において
、ＭＲ素子（１３）に与えられる磁束変化に基いてＭＲ
素子（１３）の抵抗がΔＲ変化したときの出力変化ΔＶ
は次の式（１〕で与えられる。但し、測定は定電流回路
であり、共通導電パターン（１７）の端子部ｔ、とＭＲ
素子（１３）の後端側電極導電層（１５１３） の端子
ａ ｔ Ｚ間の電位差の変化量を出力として検知する。
（１３）には共通導体パターン（１７）のコンタクト部
（１７ａ） と後端側電極導電層（１５Ｂ） を通
して磁気ディスクからの信号磁界と同方向のセンス電流
１ｓが流れ、且つバイアス導体（１６）及び共通導電パ
ターン（１７）を通じてセンス電流ｉｓ方向とほぼ直交
する方向にバイアス電流ｉ＠が流れるようになる。この
薄膜ヘッド（１１）の等価回路を第３図に示す。同図に
おいて、Ｒ２はＭＲｓ子（１３）及び後端側電極導電層
（１５Ｂ） による抵抗値、Ｒ２はバイアス導体（１
６） （即ち共通導体パターン（１７）直前までのバイ
アス導体部分）の抵抗値、Ｒ３は共通導体パターン（１
７）の抵抗値である。この薄膜ヘッド（１１）において
、ＭＲ素子（１３）に与えられる磁束変化に基いてＭＲ
素子（１３）の抵抗がΔＲ変化したときの出力変化ΔＶ
は次の式（１〕で与えられる。但し、測定は定電流回路
であり、共通導電パターン（１７）の端子部ｔ、とＭＲ
素子（１３）の後端側電極導電層（１５１３） の端子
ａ ｔ Ｚ間の電位差の変化量を出力として検知する。
ΔＶ−１ｓ（Ｒ１＋ΔＲ）＋（１ｓ＋ ｉｎ） Ｒ３−
ＣｉｓＲ＋＋（１ｓ＋ ｉｎ） Ｒ３Ｅ＝ｉｓΔＲ・・
・・・・（１） 上記式〔１）から本例の薄膜ヘッド（１１）は従来の薄
膜ヘッドと変らない値が得られる。従って、ＭＲ素子（
１３）の後端側電極導電層（１５Ｂ） の端子部ｔ２と
バイアス導体（１６）の端子部ｔ３ に印加する電圧は
独立に選ぶことができ、ｌ５＝１＋＋でない限り、バイ
アス電流ｉＢ はＭＲ素子（１３）上を横切って流れ、
適当なバイアス磁界をＭＲ素子（１３）に与えることが
できる。またＭＲ素子（１３）の後端側電極（１５Ｂ）
の端子部ｔ２ に印加する電圧ｖ１ もしくはバ
イアス導体（１４）の端子部ｔ３ に印加する電圧ｖ２
のどちらかを負電位に選べば抵抗器Ｒ８の共通導体パタ
ーン（１７）に流れる電流値を１１１−１ｓｊと小さく
でき発熱ノイズを抑えることができる。
ＣｉｓＲ＋＋（１ｓ＋ ｉｎ） Ｒ３Ｅ＝ｉｓΔＲ・・
・・・・（１） 上記式〔１）から本例の薄膜ヘッド（１１）は従来の薄
膜ヘッドと変らない値が得られる。従って、ＭＲ素子（
１３）の後端側電極導電層（１５Ｂ） の端子部ｔ２と
バイアス導体（１６）の端子部ｔ３ に印加する電圧は
独立に選ぶことができ、ｌ５＝１＋＋でない限り、バイ
アス電流ｉＢ はＭＲ素子（１３）上を横切って流れ、
適当なバイアス磁界をＭＲ素子（１３）に与えることが
できる。またＭＲ素子（１３）の後端側電極（１５Ｂ）
の端子部ｔ２ に印加する電圧ｖ１ もしくはバ
イアス導体（１４）の端子部ｔ３ に印加する電圧ｖ２
のどちらかを負電位に選べば抵抗器Ｒ８の共通導体パタ
ーン（１７）に流れる電流値を１１１−１ｓｊと小さく
でき発熱ノイズを抑えることができる。
上述する本例の薄膜ヘッド（１１）によれば、ＭＲ素子
（１３）の電極導電層とバイアス導体を同一工程で形成
するので、層構造が単純になり、ギャップ！、を狭くす
ることができる。即ち、狭ギャップ化を容易に達成する
ことができる。しかも、ＭＲ素子（１３）の先端側電極
導電層とバイアス導体の一部を共通の導体パターン（１
７）で形成することにより、ＭＲ素子（１３）の寸法を
小さくしても先端側導電層に相当する部分即ちコンタク
ト部（１７ａ）及び後端側導電層（１５Ｂ） 即ちそ
のコンタク） ！（１７ｂ）との接触面積、電極幅を十
分にとることができ、ＭＲ素子（１３）を小さくした高
密度化にも対応できるものである。また、共通導電パタ
ーン（１７）によって実質的にバイアス導体がＭＲ素子
＝（１３）の先端部まで覆っているので、ＭＲ素子（１
３）に対してバイアス磁界を均一にかけることができる
。また、本構成ではＭＲ素子（１３）の電極導電層とバ
イアス導体間の層間短絡が原理的に起きなくなり、薄膜
ヘッドの信頼性が向上する。さらに、ヘッドの外部導出
の端子数も従来の４端子から３端子に減るので、端子構
成も簡素化される。
（１３）の電極導電層とバイアス導体を同一工程で形成
するので、層構造が単純になり、ギャップ！、を狭くす
ることができる。即ち、狭ギャップ化を容易に達成する
ことができる。しかも、ＭＲ素子（１３）の先端側電極
導電層とバイアス導体の一部を共通の導体パターン（１
７）で形成することにより、ＭＲ素子（１３）の寸法を
小さくしても先端側導電層に相当する部分即ちコンタク
ト部（１７ａ）及び後端側導電層（１５Ｂ） 即ちそ
のコンタク） ！（１７ｂ）との接触面積、電極幅を十
分にとることができ、ＭＲ素子（１３）を小さくした高
密度化にも対応できるものである。また、共通導電パタ
ーン（１７）によって実質的にバイアス導体がＭＲ素子
＝（１３）の先端部まで覆っているので、ＭＲ素子（１
３）に対してバイアス磁界を均一にかけることができる
。また、本構成ではＭＲ素子（１３）の電極導電層とバ
イアス導体間の層間短絡が原理的に起きなくなり、薄膜
ヘッドの信頼性が向上する。さらに、ヘッドの外部導出
の端子数も従来の４端子から３端子に減るので、端子構
成も簡素化される。
第４１！ｌ及び第５図は他の実施例を示す。本例の薄膜
ヘッド（２１）は第１図及び第２図と同様にＭＲ素子（
１３）の先端側電極導電層をバイアス導体の一部を共通
とした導体パターン（１７）を形成するも、特にＭＲ素
子（１３）上において導体パターン（１７）のＭＲ素子
先端側電極導電層に相当する部分（１５Ａ）とバイアス
導体部分（１６ａ） が分離するようなスリブ） （
２２）を形成して部分（１５＾）と（１６）の合流点ｐ
をＭＲ素子（１３）から少しずらしセンス電流１ｓ と
バイアス電流ＩＢ とが互いにＭＲ素子（１３）を慣切
ったところで合流するように構成する。その他の構成は
第１図及び第２図と全く同じである。
ヘッド（２１）は第１図及び第２図と同様にＭＲ素子（
１３）の先端側電極導電層をバイアス導体の一部を共通
とした導体パターン（１７）を形成するも、特にＭＲ素
子（１３）上において導体パターン（１７）のＭＲ素子
先端側電極導電層に相当する部分（１５Ａ）とバイアス
導体部分（１６ａ） が分離するようなスリブ） （
２２）を形成して部分（１５＾）と（１６）の合流点ｐ
をＭＲ素子（１３）から少しずらしセンス電流１ｓ と
バイアス電流ＩＢ とが互いにＭＲ素子（１３）を慣切
ったところで合流するように構成する。その他の構成は
第１図及び第２図と全く同じである。
この薄膜ヘッド（２１）によれば、ＭＲ素子（１３）直
上のバイアス電流ＩＢ の流れを乱すことがないので、
さらに良好なバイアス磁界をＭＲ素子（１３）に与える
ことができる。ここでは、ＭＲ素子（１３）の極く近傍
で両溝体部分（１５＾）、 （１６）が合流するので、
ＭＲ素子先端部の導体部分（１５Ａ） の抵抗値上昇
は問題とならないものである。その他は、狭キャップ化
、高密度化、端子数削減等、９Ｊ１図の薄膜ヘッド（１
１）と同様の効果を奏するものである。
上のバイアス電流ＩＢ の流れを乱すことがないので、
さらに良好なバイアス磁界をＭＲ素子（１３）に与える
ことができる。ここでは、ＭＲ素子（１３）の極く近傍
で両溝体部分（１５＾）、 （１６）が合流するので、
ＭＲ素子先端部の導体部分（１５Ａ） の抵抗値上昇
は問題とならないものである。その他は、狭キャップ化
、高密度化、端子数削減等、９Ｊ１図の薄膜ヘッド（１
１）と同様の効果を奏するものである。
第６図はさらに他の実施例を示す。本例の薄膜ヘッド（
２３）は前述の第１図の構成において、ＭＲ素子（１３
）の後端側電極導電層（１５Ｂ） とバイアス導体（
１６）の後端との一部を共通の導体パターン（２４）に
て形成し、之より共通端子ｔ４ を導出して構成する。
２３）は前述の第１図の構成において、ＭＲ素子（１３
）の後端側電極導電層（１５Ｂ） とバイアス導体（
１６）の後端との一部を共通の導体パターン（２４）に
て形成し、之より共通端子ｔ４ を導出して構成する。
その他の構成は第１図と全く同様である。
この薄膜ヘッド（２３）の等価回路を第７図に示す。
同図においてＲ，、Ｒ２及びＲ３は１１３図で説明した
と同様の抵抗値であり、Ｒ４は後端側の共通導体パター
ン（２４）の抵抗値である。かかる構成の薄膜ヘッド（
２３）では、バイアス導体〈１６）に流す電流１！ｌ
とＭＲ素子（１３）に流す電流１．を独立には選ぶこ
とはできないが、ヘッドの外部導出の端子数をさらに２
端子１．．１４ に削減することができる。
と同様の抵抗値であり、Ｒ４は後端側の共通導体パター
ン（２４）の抵抗値である。かかる構成の薄膜ヘッド（
２３）では、バイアス導体〈１６）に流す電流１！ｌ
とＭＲ素子（１３）に流す電流１．を独立には選ぶこ
とはできないが、ヘッドの外部導出の端子数をさらに２
端子１．．１４ に削減することができる。
その他は狭ギャップ化、高密度化等、第１図の薄膜ヘッ
ド〈１１）と同様の効果を奏するものである。
ド〈１１）と同様の効果を奏するものである。
次に、第８図及び第９図は高温高湿の環境条件下でも貰
い信頼性が得られる薄膜ヘッドの実施例を示す。基本的
にはＭＲ素子（１３）の電極導電層（１５）を比抵抗の
小さい金属層と耐湿性導電層をもって形成し、その電極
導電層（１５）の摺動面（ａ）に露出する近傍部分を耐
湿性導電層のみで形成するようになす。
い信頼性が得られる薄膜ヘッドの実施例を示す。基本的
にはＭＲ素子（１３）の電極導電層（１５）を比抵抗の
小さい金属層と耐湿性導電層をもって形成し、その電極
導電層（１５）の摺動面（ａ）に露出する近傍部分を耐
湿性導電層のみで形成するようになす。
即ち第８図及び第９図において、（１３）は基板上に摺
動面に対して垂直方向に配された前述と同様の２層構造
のＭＲ素子を示す。このＭＲ素子（１３）の先端部及び
後端部よりＭＲ素子（１３）におけるセンス電流ｉ、を
信号磁界と同方向に流すための電極導電層（１５）即ち
先端側電極導電層（１５Ａ）及び後段側電極導電層（１
５Ｂ） が導出され、ＭＲ素子（１３）を絶縁層（１
４）を介して横切るように延在するバイアス導体（１６
）が形成される。さらに絶縁層（１８）を介してＭＲ素
子（１３）上に覆うシールド用磁性体（１９）が配され
る。しかして、本例ではＭＲ素子（１３）の先端側電極
導電層（１５Ａ） 及び後端側電極導電層（１５Ｂ）
を例えばＴｉ、 Ｍｏ、 Ｗ、’ Ｃｒ、 ＳｕＳ、
Ｃ等の耐湿性４４１層（２６）とＣｕ、 Ａｕ、
Ｍ等の比抵抗の小さい主導電導電層（２７）で形成し
、さらにＡｕ等接着力が小さい場合にはその上に接着力
の大きいＴ１゜ＭＯ等の接着金属層（２８）を形成する
と共に、特に先端側電極導電層（１５＾）において摺動
面（ａ）に露出する近傍部分（少くとも摺動面一から０
．５μｍ以上の深さまで）、図ではＭＲ素子（１３）と
の接続を、主導電金属層（２７）及び接着層（２８）を
除去して耐湿性導電層（２６）のみで形成するようにな
す。なお、バイアス導体（１６）も電極導電層（１５Ａ
）、 （１５Ｂ） と同じ多層金属層で形成するを可
とする。先端側電極導電層（１５Ａ） の作成法とし
ては例えばコンタクト窓を含んで耐湿性導電層（２６）
、主導電金属層（２７）及び接着金属層（２８）を積層
形成し電極パターンに形成した後、レジストマスクを介
して摺動面（ａ）に臨む接続部分のみをイオンミリング
等でエツチングし耐湿性導電層（２６）のみが残った時
点でエツチングを終了することで容易に形成できる。
動面に対して垂直方向に配された前述と同様の２層構造
のＭＲ素子を示す。このＭＲ素子（１３）の先端部及び
後端部よりＭＲ素子（１３）におけるセンス電流ｉ、を
信号磁界と同方向に流すための電極導電層（１５）即ち
先端側電極導電層（１５Ａ）及び後段側電極導電層（１
５Ｂ） が導出され、ＭＲ素子（１３）を絶縁層（１
４）を介して横切るように延在するバイアス導体（１６
）が形成される。さらに絶縁層（１８）を介してＭＲ素
子（１３）上に覆うシールド用磁性体（１９）が配され
る。しかして、本例ではＭＲ素子（１３）の先端側電極
導電層（１５Ａ） 及び後端側電極導電層（１５Ｂ）
を例えばＴｉ、 Ｍｏ、 Ｗ、’ Ｃｒ、 ＳｕＳ、
Ｃ等の耐湿性４４１層（２６）とＣｕ、 Ａｕ、
Ｍ等の比抵抗の小さい主導電導電層（２７）で形成し
、さらにＡｕ等接着力が小さい場合にはその上に接着力
の大きいＴ１゜ＭＯ等の接着金属層（２８）を形成する
と共に、特に先端側電極導電層（１５＾）において摺動
面（ａ）に露出する近傍部分（少くとも摺動面一から０
．５μｍ以上の深さまで）、図ではＭＲ素子（１３）と
の接続を、主導電金属層（２７）及び接着層（２８）を
除去して耐湿性導電層（２６）のみで形成するようにな
す。なお、バイアス導体（１６）も電極導電層（１５Ａ
）、 （１５Ｂ） と同じ多層金属層で形成するを可
とする。先端側電極導電層（１５Ａ） の作成法とし
ては例えばコンタクト窓を含んで耐湿性導電層（２６）
、主導電金属層（２７）及び接着金属層（２８）を積層
形成し電極パターンに形成した後、レジストマスクを介
して摺動面（ａ）に臨む接続部分のみをイオンミリング
等でエツチングし耐湿性導電層（２６）のみが残った時
点でエツチングを終了することで容易に形成できる。
かかる薄膜ヘッド（２５）によれば、ＭＲ素子（１３）
の先端側電極導電層（１５Ａ） において、その摺動
面（ａ）が露出する近傍部分では耐湿性導電層（２６）
のみで形成され、他は主導電金属層（２７）と耐湿性導
電層（２６）で形成された構成であるので、高温高湿の
環境条件下で使用しても摺動面（ａ）に露出する先端側
電極導電層（１５Ａ） が劣化（酸化、腐食等）する
ことがなく、高い信頼性で保つことができる。
の先端側電極導電層（１５Ａ） において、その摺動
面（ａ）が露出する近傍部分では耐湿性導電層（２６）
のみで形成され、他は主導電金属層（２７）と耐湿性導
電層（２６）で形成された構成であるので、高温高湿の
環境条件下で使用しても摺動面（ａ）に露出する先端側
電極導電層（１５Ａ） が劣化（酸化、腐食等）する
ことがなく、高い信頼性で保つことができる。
第１０図及び第１１図は夫々本発明に係る薄膜ヘッド（
耐湿性導電層（２６）としてＴｉを用いた場合）及び従
来の薄膜ヘッドの高温高湿（温度６０℃、湿度９０％）
環境試験結果を示す。第１１図の従来の薄膜ヘッドでは
ＭＲ素子の電極間の抵抗値が時間が経つにしたがい急激
に高くなっており、電極が腐食等で劣化していることが
認められる。これに対して、１１１０図の本発明の薄膜
ヘッドでは曲線（１）よりＭＲ素子の電極間抵抗は長時
間経ってもほとんど変化なく、電極劣化していないこと
が認められる。直線（Ｉりは良品率を示す。従って、薄
膜ヘッドの高温高湿環境下でも長期使用に耐え得るもの
である。
耐湿性導電層（２６）としてＴｉを用いた場合）及び従
来の薄膜ヘッドの高温高湿（温度６０℃、湿度９０％）
環境試験結果を示す。第１１図の従来の薄膜ヘッドでは
ＭＲ素子の電極間の抵抗値が時間が経つにしたがい急激
に高くなっており、電極が腐食等で劣化していることが
認められる。これに対して、１１１０図の本発明の薄膜
ヘッドでは曲線（１）よりＭＲ素子の電極間抵抗は長時
間経ってもほとんど変化なく、電極劣化していないこと
が認められる。直線（Ｉりは良品率を示す。従って、薄
膜ヘッドの高温高湿環境下でも長期使用に耐え得るもの
である。
尚、この薄膜ヘッド（２５）の技術は前述の薄膜ヘッド
（１１）、 （１２）、 （２３）等に適用できること
は勿論である。
（１１）、 （１２）、 （２３）等に適用できること
は勿論である。
尚、上側ではＭＲ素子の上部のみにシールド用磁性体を
配した所謂片シールド型薄腹ヘッドに適用したが、ＭＲ
素子の上下側にシールド用磁性体を配した所謂両シール
ド型薄膜ヘッドにも適用できることは勿論である。
配した所謂片シールド型薄腹ヘッドに適用したが、ＭＲ
素子の上下側にシールド用磁性体を配した所謂両シール
ド型薄膜ヘッドにも適用できることは勿論である。
第１の発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、ＭＲ
素子の電極導電層とバイアス磁界発生用導体の一部を共
通の導体パターンで形成することにより、高密度化でＭ
Ｒ素子の寸法を小さくした場合にも、狭ギャップ化を容
易に達成することができる。また、バイアス磁界をＭＲ
素子に均一に与えることができると共に、外部導出の端
子数を削減することができる。さらに、従来のようなＭ
Ｒ素子の電極導体層とバイアス磁界発生用導体との層間
短絡がなくなり、より信頼性を向上することができる。
素子の電極導電層とバイアス磁界発生用導体の一部を共
通の導体パターンで形成することにより、高密度化でＭ
Ｒ素子の寸法を小さくした場合にも、狭ギャップ化を容
易に達成することができる。また、バイアス磁界をＭＲ
素子に均一に与えることができると共に、外部導出の端
子数を削減することができる。さらに、従来のようなＭ
Ｒ素子の電極導体層とバイアス磁界発生用導体との層間
短絡がなくなり、より信頼性を向上することができる。
第２の発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、ＭＲ
素子の電極導電層において摺動面近傍を耐湿性導電部で
形成することにより、高温高湿の環境条件下でも電極劣
化が生ずることがなく、薄膜ヘッドとして高い信頼性を
得ることができる。
素子の電極導電層において摺動面近傍を耐湿性導電部で
形成することにより、高温高湿の環境条件下でも電極劣
化が生ずることがなく、薄膜ヘッドとして高い信頼性を
得ることができる。
第１図及び第２図は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
の一例を示す平面図及びＡ−Ａ線上の断面図、第３図は
その等価回路図、第４１！Ｉ及び第５図は本発明の他の
例を示す平面図及びそのＢ−Ｂ線上の断面図、第６図は
本発明のさらに他の例を示す平面図、第７図はその等価
回路図、第８図及び第９図は本発明のさらに他の例を示
す平面図及びそのＣ−Ｃ線上の断面図、第１０図及び第
１１図は本発明薄膜ヘッドと従来の薄膜ヘッドの環境試
験結果を示すグラフ、第１２図及び第１３１！Ｉは夫々
従来磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの断面図である。 （１３）はＭＲ素子、（１５） ［（１５Ａ） （１５
Ｂ）コは電極導電層、（１６〉はバイアス導体、（１７
）は共通導体パターン、（２６）は耐湿性導電層、（２
７）は主導電金属層である。 １１ ｇｈ月爽ヘッド １２ 支持＆裁 ７３ ＭＲｉＥチ １４．１１ 鞄鰺層 １５Ｂ 慢咄便１電箱１１電層 Ｅ バイアス導体 ｔ７ 丑０クトノＶターン 第１図 第３図 ｌ３・・−ＭＲ素子 ｔＳ−−・バイアス祷Δ年 １７．２４・−快−リ弄４奎ハ０ターン２３−・・簿」
隻ヘッド １３・・・ＭＲｆＥ−） １６ ・バイアス本体 ／７−、、ＬＩＬ番停パ〆−ン ２１・・・鼻環ヘッド ２２・・・スリット 簿イ面回路図 第７図 ｌ３ 閃Ｒ紫チ １！；Ａ 、 １５Ｂ−、電極導電１ バイアス導４本 一１１性４ｔＪ ２７・・・支ａＣｔ＾層 Ｓ 得塩ｔＡ層 誤数時間 第１１図
の一例を示す平面図及びＡ−Ａ線上の断面図、第３図は
その等価回路図、第４１！Ｉ及び第５図は本発明の他の
例を示す平面図及びそのＢ−Ｂ線上の断面図、第６図は
本発明のさらに他の例を示す平面図、第７図はその等価
回路図、第８図及び第９図は本発明のさらに他の例を示
す平面図及びそのＣ−Ｃ線上の断面図、第１０図及び第
１１図は本発明薄膜ヘッドと従来の薄膜ヘッドの環境試
験結果を示すグラフ、第１２図及び第１３１！Ｉは夫々
従来磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの断面図である。 （１３）はＭＲ素子、（１５） ［（１５Ａ） （１５
Ｂ）コは電極導電層、（１６〉はバイアス導体、（１７
）は共通導体パターン、（２６）は耐湿性導電層、（２
７）は主導電金属層である。 １１ ｇｈ月爽ヘッド １２ 支持＆裁 ７３ ＭＲｉＥチ １４．１１ 鞄鰺層 １５Ｂ 慢咄便１電箱１１電層 Ｅ バイアス導体 ｔ７ 丑０クトノＶターン 第１図 第３図 ｌ３・・−ＭＲ素子 ｔＳ−−・バイアス祷Δ年 １７．２４・−快−リ弄４奎ハ０ターン２３−・・簿」
隻ヘッド １３・・・ＭＲｆＥ−） １６ ・バイアス本体 ／７−、、ＬＩＬ番停パ〆−ン ２１・・・鼻環ヘッド ２２・・・スリット 簿イ面回路図 第７図 ｌ３ 閃Ｒ紫チ １！；Ａ 、 １５Ｂ−、電極導電１ バイアス導４本 一１１性４ｔＪ ２７・・・支ａＣｔ＾層 Ｓ 得塩ｔＡ層 誤数時間 第１１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に感磁部と、該感磁部の両端から信号磁界と
同方向にセンス電流を印加するように導出される電極導
電層と、上記感磁部を絶縁層を介して横切るように延在
するバイアス磁界発生用導体とを有し、上記感磁部の上
を覆ってシールド用磁性体層が配置された磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドにおいて、 少くとも上記電極導電層の一部と、上記バイアス磁界発
生用導体の一部が共通の導体パターンからなることを特
徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 ２、基板上に感磁部と、該感磁部の両端から信号磁界と
同方向にセンス電流を印加するように導出される電極導
電層と、上記感磁部を絶縁層を介して横切るように延在
するバイアス磁界発生用導体とを有し、上記感磁部の上
を覆ってシールド用磁性体層が配置された磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドにおいて、 上記電極導電層は主導電金属部と、耐湿性導電部より成
り、 上記電極導電層の摺動面近傍を耐湿性導電部により構成
したことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140685A JPH0434713A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
| EP91108704A EP0459404B1 (en) | 1990-05-30 | 1991-05-28 | Magnetoresistance-effect thin film head |
| US07/706,257 US5351158A (en) | 1990-05-30 | 1991-05-28 | Magnetoresistance effect thin film head with interconnected electrode structure |
| DE69116602T DE69116602T2 (de) | 1990-05-30 | 1991-05-28 | Magnetwiderstandseffekt-Dünnfilmkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140685A JPH0434713A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434713A true JPH0434713A (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=15274376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2140685A Pending JPH0434713A (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5351158A (ja) |
| EP (1) | EP0459404B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0434713A (ja) |
| DE (1) | DE69116602T2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0434713A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
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| US5930084A (en) | 1996-06-17 | 1999-07-27 | International Business Machines Corporation | Stabilized MR sensor and flux guide joined by contiguous junction |
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| US7009818B1 (en) * | 2002-12-30 | 2006-03-07 | Storage Technology Corporation | Thin film magnetic head having improved thermal characteristics, and method of manufacturing |
| US7719802B2 (en) * | 2003-09-23 | 2010-05-18 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensor with electrically defined active area dimensions |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS584992A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Hitachi Ltd | 磁気電気変換素子 |
| US4967298A (en) * | 1987-02-17 | 1990-10-30 | Mowry Greg S | Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield |
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| US5081554A (en) * | 1987-04-01 | 1992-01-14 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| US5111352A (en) * | 1987-07-29 | 1992-05-05 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic head with reduced flux leakage |
| US5103553A (en) * | 1987-07-29 | 1992-04-14 | Digital Equipment Corporation | Method of making a magnetic recording head |
| JPS6482311A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JP2596010B2 (ja) * | 1987-10-29 | 1997-04-02 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| JP2668897B2 (ja) * | 1987-10-29 | 1997-10-27 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US4914538A (en) * | 1988-08-18 | 1990-04-03 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer |
| US5005096A (en) * | 1988-12-21 | 1991-04-02 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic shunt bias |
| KR940004989B1 (ko) * | 1989-08-04 | 1994-06-09 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 박막자기헤드 |
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| JPH0434713A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP2140685A patent/JPH0434713A/ja active Pending
-
1991
- 1991-05-28 US US07/706,257 patent/US5351158A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-28 EP EP91108704A patent/EP0459404B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-28 DE DE69116602T patent/DE69116602T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69116602D1 (de) | 1996-03-07 |
| EP0459404B1 (en) | 1996-01-24 |
| EP0459404A3 (en) | 1992-01-15 |
| EP0459404A2 (en) | 1991-12-04 |
| DE69116602T2 (de) | 1996-09-05 |
| US5351158A (en) | 1994-09-27 |
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