JPH06243438A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH06243438A JPH06243438A JP3097493A JP3097493A JPH06243438A JP H06243438 A JPH06243438 A JP H06243438A JP 3097493 A JP3097493 A JP 3097493A JP 3097493 A JP3097493 A JP 3097493A JP H06243438 A JPH06243438 A JP H06243438A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 狭ギャップ化した場合でも安定してバイアス
をＭＲ素子に印加し、再生出力の向上を図り、記録密度
の向上を達成する。 【構成】 電流バイアス型のＭＲヘッドにおいて、ＭＲ
素子４とシールド磁性体５，６の最も近い距離が０．２
５μｍ以下のときに、バイアスを印加する導体がシール
ド磁性体５，６間に存在し、ＭＲ素子４に対して同じ側
に存在するシールド磁性体６とバイアス導体８間の距離
Ｌ1 を、ＭＲ素子４に対して反対側に存在するシールド
磁性体５とバイアス導体８間の距離Ｌ2 と同じか若しく
は狭くする。
をＭＲ素子に印加し、再生出力の向上を図り、記録密度
の向上を達成する。 【構成】 電流バイアス型のＭＲヘッドにおいて、ＭＲ
素子４とシールド磁性体５，６の最も近い距離が０．２
５μｍ以下のときに、バイアスを印加する導体がシール
ド磁性体５，６間に存在し、ＭＲ素子４に対して同じ側
に存在するシールド磁性体６とバイアス導体８間の距離
Ｌ1 を、ＭＲ素子４に対して反対側に存在するシールド
磁性体５とバイアス導体８間の距離Ｌ2 と同じか若しく
は狭くする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に記録された情報信号を読み出すのに好適な磁気抵抗効
果型磁気ヘッドに関する。
に記録された情報信号を読み出すのに好適な磁気抵抗効
果型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ハードディスク・ドライブ装置
等に搭載される再生専用の磁気ヘッドとしては、短波長
感度に優れることから、電流を流して信号磁束による抵
抗変化を電圧変化として読み取る構成とされた磁気抵抗
効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）が一
般的に使用されている。
等に搭載される再生専用の磁気ヘッドとしては、短波長
感度に優れることから、電流を流して信号磁束による抵
抗変化を電圧変化として読み取る構成とされた磁気抵抗
効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）が一
般的に使用されている。
【０００３】かかるＭＲヘッドとしては、例えば特開平
４−２１９１６号公報に開示されるように、スライダと
なる非磁性材料からなる基板上に形成された磁気抵抗効
果素子（以下、ＭＲ素子と称する。）を一対のシールド
磁性体によって挾み込み、そのＭＲ素子上を横切るよう
にしてバイアス導体を設け、該バイアス導体に電流を流
すことでバイアス磁場を上記ＭＲ素子に印加するように
した，いわゆる電流バイアス型の磁気ヘッドが提案され
ている。
４−２１９１６号公報に開示されるように、スライダと
なる非磁性材料からなる基板上に形成された磁気抵抗効
果素子（以下、ＭＲ素子と称する。）を一対のシールド
磁性体によって挾み込み、そのＭＲ素子上を横切るよう
にしてバイアス導体を設け、該バイアス導体に電流を流
すことでバイアス磁場を上記ＭＲ素子に印加するように
した，いわゆる電流バイアス型の磁気ヘッドが提案され
ている。
【０００４】ところで、ＭＲヘッドにおいて記録密度を
上げるには、トラック幅方向の密度と線記録密度を上げ
る方法がある。このトラック幅方向の密度を上げるに
は、ＭＲ素子の幅を狭くすればよく、また、線記録密度
を上げるには、再生ギャップを狭くしなければならな
い。
上げるには、トラック幅方向の密度と線記録密度を上げ
る方法がある。このトラック幅方向の密度を上げるに
は、ＭＲ素子の幅を狭くすればよく、また、線記録密度
を上げるには、再生ギャップを狭くしなければならな
い。
【０００５】ところが、上述のバイアス導体によってＭ
Ｒ素子にバイアス磁場を印加する電流バイアス型の磁気
ヘッドでは、記録密度向上のために再生ギャップを狭く
すると、ＭＲ素子にバイアスがうまくかからなくなって
しまう。このため、ＭＲ素子を充分に最適バイアス角
（例えば４５度）まで磁化回転させることができなくな
り、出力も極端に小さくなる。
Ｒ素子にバイアス磁場を印加する電流バイアス型の磁気
ヘッドでは、記録密度向上のために再生ギャップを狭く
すると、ＭＲ素子にバイアスがうまくかからなくなって
しまう。このため、ＭＲ素子を充分に最適バイアス角
（例えば４５度）まで磁化回転させることができなくな
り、出力も極端に小さくなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、かか
る従来の実情に鑑みて提案されたものであり、狭ギャッ
プ化した場合でも安定してバイアスをＭＲ素子に印加す
ることができる再生出力の高い磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
る従来の実情に鑑みて提案されたものであり、狭ギャッ
プ化した場合でも安定してバイアスをＭＲ素子に印加す
ることができる再生出力の高い磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、バイアス導体に
電流を流すことで磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を印
加する電流バイアス型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて、磁気抵抗効果素子とシールド磁性体の最も近い距
離が０．２５μｍ以下のときに、バイアスを印加する導
体がシールド磁性体間に存在し、磁気抵抗効果素子に対
して同じ側に存在するシールド磁性体とバイアス導体間
の距離が、磁気抵抗効果素子に対して反対側に存在する
シールド磁性体とバイアス導体間の距離と同じか若しく
は狭いことを特徴とするものである。
達成するために提案されたものであり、バイアス導体に
電流を流すことで磁気抵抗効果素子にバイアス磁場を印
加する電流バイアス型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて、磁気抵抗効果素子とシールド磁性体の最も近い距
離が０．２５μｍ以下のときに、バイアスを印加する導
体がシールド磁性体間に存在し、磁気抵抗効果素子に対
して同じ側に存在するシールド磁性体とバイアス導体間
の距離が、磁気抵抗効果素子に対して反対側に存在する
シールド磁性体とバイアス導体間の距離と同じか若しく
は狭いことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明においては、一対のシールド磁性体間に
設けられたＭＲ素子に対して同じ側に存在するシールド
磁性体とバイアス導体間の距離を、ＭＲ素子に対して反
対側に存在するシールド磁性体とバイアス導体間の距離
と同じか若しくは狭くしているので、バイアス導体から
のバイアス磁場が効率良くＭＲ素子にかかる。
設けられたＭＲ素子に対して同じ側に存在するシールド
磁性体とバイアス導体間の距離を、ＭＲ素子に対して反
対側に存在するシールド磁性体とバイアス導体間の距離
と同じか若しくは狭くしているので、バイアス導体から
のバイアス磁場が効率良くＭＲ素子にかかる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例のＭ
Ｒヘッドは、図１及び図２に示すように、スライダーと
なるＡｌ 2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の非磁性材料からなる基板１
上に、先端部と後端部に配線導体２，３がそれぞれ接続
されたＭＲ素子４が形成されるとともに、このＭＲ素子
４をその上下方向から挾み込むようにして一対のシール
ド磁性体５，６が形成されてなる。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例のＭ
Ｒヘッドは、図１及び図２に示すように、スライダーと
なるＡｌ 2 Ｏ3 −ＴｉＣ等の非磁性材料からなる基板１
上に、先端部と後端部に配線導体２，３がそれぞれ接続
されたＭＲ素子４が形成されるとともに、このＭＲ素子
４をその上下方向から挾み込むようにして一対のシール
ド磁性体５，６が形成されてなる。
【００１０】ＭＲ素子４は、平面形状が長方形状をなす
パターンとして形成され、その長手方向がハードディス
クとの摺動面となるＡＢＳ面７に対して直交する方向と
なるように設けられるとともに、その一端縁が上記ＡＢ
Ｓ面７に臨むようになっている。かかるＭＲ素子４は、
例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、蒸着やス
パッタリング等によって形成される。
パターンとして形成され、その長手方向がハードディス
クとの摺動面となるＡＢＳ面７に対して直交する方向と
なるように設けられるとともに、その一端縁が上記ＡＢ
Ｓ面７に臨むようになっている。かかるＭＲ素子４は、
例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、蒸着やス
パッタリング等によって形成される。
【００１１】また、上記ＭＲ素子４は、磁壁の移動に基
づくノイズ（バルクハウゼンノイズ）の発生を有効に回
避するために、例えばＳｉＯ2 等の如き非磁性材料より
なる中間層４ａを介して膜厚の薄い磁性体膜（ＭＲ膜）
４ｂ，４ｃを積層した積層膜構造となっている。
づくノイズ（バルクハウゼンノイズ）の発生を有効に回
避するために、例えばＳｉＯ2 等の如き非磁性材料より
なる中間層４ａを介して膜厚の薄い磁性体膜（ＭＲ膜）
４ｂ，４ｃを積層した積層膜構造となっている。
【００１２】上記ＭＲ素子４をその上下方向から挾み込
むシールド磁性体５，６のうち、下層のシールド磁性体
５は、例えばパーマロイ等の軟磁性金属層からなり、上
記ＡＢＳ面７にその一端を臨ませるようにして平面略正
方形状をなす幅広パターンとして形成されている。一
方、上層のシールド磁性体６は、下層のシールド磁性体
５と同様にパーマロイ等の軟磁性金属層からなり、上記
ＡＢＳ面７にその一端を臨ませるようにして略同一形状
の平面略正方形パターンとして形成されている。なお、
上層のシールド磁性体６は、ＡＢＳ面７側でＭＲ素子４
に近接するようにして屈曲されている。
むシールド磁性体５，６のうち、下層のシールド磁性体
５は、例えばパーマロイ等の軟磁性金属層からなり、上
記ＡＢＳ面７にその一端を臨ませるようにして平面略正
方形状をなす幅広パターンとして形成されている。一
方、上層のシールド磁性体６は、下層のシールド磁性体
５と同様にパーマロイ等の軟磁性金属層からなり、上記
ＡＢＳ面７にその一端を臨ませるようにして略同一形状
の平面略正方形パターンとして形成されている。なお、
上層のシールド磁性体６は、ＡＢＳ面７側でＭＲ素子４
に近接するようにして屈曲されている。
【００１３】そして、上記ＭＲ素子４の先端部と後端部
にそれぞれ接続される配線導体２，３は、上層のシール
ド磁性体６と対向する側に形成されている。これら配線
導体２，３は、上記ＭＲ素子４にセンス電流を流す役目
をするものである。そして、これら配線導体２，３のう
ち、ＭＲ素子４の先端側（ＡＢＳ面７側）に設けられる
配線導体２は、その一端縁がＡＢＳ面７に臨むようにし
て、平面略矩形状をなす小さな導体パターンとして形成
されている。
にそれぞれ接続される配線導体２，３は、上層のシール
ド磁性体６と対向する側に形成されている。これら配線
導体２，３は、上記ＭＲ素子４にセンス電流を流す役目
をするものである。そして、これら配線導体２，３のう
ち、ＭＲ素子４の先端側（ＡＢＳ面７側）に設けられる
配線導体２は、その一端縁がＡＢＳ面７に臨むようにし
て、平面略矩形状をなす小さな導体パターンとして形成
されている。
【００１４】また、上記配線導体２は、上層のシールド
磁性体６に対して電気的に接続されるようになされてい
る。したがって、ＭＲ素子４から見て上層のシールド磁
性体６と先端側の配線導体２とは略同電位となり、電気
的にＭＲ素子４の先端部が安定する。また、上記配線導
体２は、上層のシールド磁性体６と電気的に接続される
が、ＭＲ素子４とシールド磁性体６を磁気的に絶縁する
ようになっている。なお、かかる配線導体２は、ＭＲヘ
ッドにおける上層の再生用磁気ギャップｇ1 のギャップ
膜としても機能する。
磁性体６に対して電気的に接続されるようになされてい
る。したがって、ＭＲ素子４から見て上層のシールド磁
性体６と先端側の配線導体２とは略同電位となり、電気
的にＭＲ素子４の先端部が安定する。また、上記配線導
体２は、上層のシールド磁性体６と電気的に接続される
が、ＭＲ素子４とシールド磁性体６を磁気的に絶縁する
ようになっている。なお、かかる配線導体２は、ＭＲヘ
ッドにおける上層の再生用磁気ギャップｇ1 のギャップ
膜としても機能する。
【００１５】一方、後端側に設けられる配線導体３は、
帯状をなす導体パターンを閉路を構成するように平面矩
形状をなす配線パターンとして形成され、その先端側の
導体部３ａがＭＲ素子４の後端縁上に直接接触して電気
的接続が図られている。また、この配線導体３の後端側
の導体部３ｂよりＡＢＳ面７と垂直方向に引き出される
導体部３ｃは、上記ＭＲ素子４の接地部に接続されるよ
うになされている。
帯状をなす導体パターンを閉路を構成するように平面矩
形状をなす配線パターンとして形成され、その先端側の
導体部３ａがＭＲ素子４の後端縁上に直接接触して電気
的接続が図られている。また、この配線導体３の後端側
の導体部３ｂよりＡＢＳ面７と垂直方向に引き出される
導体部３ｃは、上記ＭＲ素子４の接地部に接続されるよ
うになされている。
【００１６】そして、これら先端側と後端側に設けられ
る配線導体２，３の間には、上記ＭＲ素子４にバイアス
磁場を印加するためのバイアス導体８が設けられてい
る。かかるバイアス導体８は、帯状の導体パターンとし
て、上記ＭＲ素子４の略中央部分をこのＭＲ素子４と直
交して設けられている。言い換えれば、上記バイアス導
体８は、ＭＲ素子４を横切る形でこのＭＲ素子４上に帯
状のパターンとして形成されている。
る配線導体２，３の間には、上記ＭＲ素子４にバイアス
磁場を印加するためのバイアス導体８が設けられてい
る。かかるバイアス導体８は、帯状の導体パターンとし
て、上記ＭＲ素子４の略中央部分をこのＭＲ素子４と直
交して設けられている。言い換えれば、上記バイアス導
体８は、ＭＲ素子４を横切る形でこのＭＲ素子４上に帯
状のパターンとして形成されている。
【００１７】また、このＭＲヘッドでは、下層のシール
ド磁性体５とＭＲ素子４との間に、下層の再生用磁気ギ
ャップｇ2 を構成するギャップ膜として機能するＡｌ2
Ｏ3よりなる下地膜９が設けられている。また、上層の
シールド磁性体６とＭＲ素子４との間には、該シールド
磁性体６とＭＲ素子４及びバイアス導体８との磁気的結
合を防止するために、絶縁層１０が設けられている。さ
らに、上層のシールド磁性体６の上には、ＭＲヘッドを
保護するための保護膜層１１が積層されている。
ド磁性体５とＭＲ素子４との間に、下層の再生用磁気ギ
ャップｇ2 を構成するギャップ膜として機能するＡｌ2
Ｏ3よりなる下地膜９が設けられている。また、上層の
シールド磁性体６とＭＲ素子４との間には、該シールド
磁性体６とＭＲ素子４及びバイアス導体８との磁気的結
合を防止するために、絶縁層１０が設けられている。さ
らに、上層のシールド磁性体６の上には、ＭＲヘッドを
保護するための保護膜層１１が積層されている。
【００１８】そして特に、本実施例では、記録密度向上
のために再生ギャップｇ2 を狭小化した場合でもＭＲ素
子４に安定したバイアスを印加するべく、バイアス導体
８と上下のシールド磁性体５，６及びＭＲ素子４の位置
関係を次のように規定する。すなわち、ＭＲ素子４に対
して同じ側に存在するシールド磁性体６とバイアス導体
８間の距離Ｌ1 （以下、これを上層対向距離Ｌ1 と言
う。）を、ＭＲ素子４に対して反対側に存在するシール
ド磁性体５とバイアス導体８間の距離Ｌ2 （以下、これ
を下層対向距離Ｌ2 と言う。）と同じか若しくは狭くす
る。このように規定することで、再生ギャップｇ2 を狭
くした場合でもＭＲ素子４に十分なバイアスを印加する
ことができる。これは、次の実験結果に基づく。
のために再生ギャップｇ2 を狭小化した場合でもＭＲ素
子４に安定したバイアスを印加するべく、バイアス導体
８と上下のシールド磁性体５，６及びＭＲ素子４の位置
関係を次のように規定する。すなわち、ＭＲ素子４に対
して同じ側に存在するシールド磁性体６とバイアス導体
８間の距離Ｌ1 （以下、これを上層対向距離Ｌ1 と言
う。）を、ＭＲ素子４に対して反対側に存在するシール
ド磁性体５とバイアス導体８間の距離Ｌ2 （以下、これ
を下層対向距離Ｌ2 と言う。）と同じか若しくは狭くす
る。このように規定することで、再生ギャップｇ2 を狭
くした場合でもＭＲ素子４に十分なバイアスを印加する
ことができる。これは、次の実験結果に基づく。
【００１９】先ず、再生ギャップｇ2 が広い（０．４５
μｍ）場合と、狭い（０．２５μｍ）場合の再生出力の
バイアス電流依存性を求めた。その結果を図６に示す。
なお、図６中線ａはギャップ長が０．４５μｍ、線ｂは
ギャップ長が０．２５μｍを示す。
μｍ）場合と、狭い（０．２５μｍ）場合の再生出力の
バイアス電流依存性を求めた。その結果を図６に示す。
なお、図６中線ａはギャップ長が０．４５μｍ、線ｂは
ギャップ長が０．２５μｍを示す。
【００２０】この結果からわかるように、再生ギャップ
ｇ2 を狭小化した場合、いくらバイアス電流を増やして
いっても、出力が変化せず小さいことがわかる。
ｇ2 を狭小化した場合、いくらバイアス電流を増やして
いっても、出力が変化せず小さいことがわかる。
【００２１】次に、バイアスの効率を見るために、さま
ざまなパラメーターを振った（但し、再生ギャップｇ2
のギャップ長は０．２５μｍに固定した。）結果を図３
に示す。図３中横軸のシールド間距離とは、図２に示す
上下のシールド磁性体５，６の対向距離Ｌ3 を示す。
ざまなパラメーターを振った（但し、再生ギャップｇ2
のギャップ長は０．２５μｍに固定した。）結果を図３
に示す。図３中横軸のシールド間距離とは、図２に示す
上下のシールド磁性体５，６の対向距離Ｌ3 を示す。
【００２２】かかる図３からわかるように、シールド間
距離Ｌ3 が狭くなる程、バイアス効率がよくなっている
のがわかる。図３中○印は、図６でバイアス磁場に対す
る出力依存が素直なもで、×印は依存性が鈍いものであ
る。この×のものはシールド間距離依存性がなく、バイ
アスがきちんとかかっていないことがわかる。
距離Ｌ3 が狭くなる程、バイアス効率がよくなっている
のがわかる。図３中○印は、図６でバイアス磁場に対す
る出力依存が素直なもで、×印は依存性が鈍いものであ
る。この×のものはシールド間距離依存性がなく、バイ
アスがきちんとかかっていないことがわかる。
【００２３】そこで、これを上層対向距離Ｌ1 と下層対
向距離Ｌ2 の比でプロットし直したものが図４である。
この図４には、ギャップ長０．２５μｍのデータの他に
ギャップ長０．１５μｍのデータも書き込んである。な
お、図４の縦軸は意味がない。かかる図４から、これら
の比が１（バイアス導体８が上下シールド磁性体５，６
の中間にある場合）よりも大きいと波形がおかしくな
り、バイアスがきちんとかからなくなることがわかる。
これは、以下のように説明できる。
向距離Ｌ2 の比でプロットし直したものが図４である。
この図４には、ギャップ長０．２５μｍのデータの他に
ギャップ長０．１５μｍのデータも書き込んである。な
お、図４の縦軸は意味がない。かかる図４から、これら
の比が１（バイアス導体８が上下シールド磁性体５，６
の中間にある場合）よりも大きいと波形がおかしくな
り、バイアスがきちんとかからなくなることがわかる。
これは、以下のように説明できる。
【００２４】バイアス導体８とＭＲ素子４との距離が離
れているため、バイアス磁場は直接ＭＲ素子４にかかる
成分は少なく、ほとんどの磁場は、シールド磁性体を磁
化しシールド磁性体から出てくる磁場がＭＲ素子４に印
加されることがわかっている。例えば、図５に示すよう
に、バイアス導体８が上層のシールド磁性体６よりも下
層のシールド磁性体５に近い場合（つまり上層対向距離
Ｌ1 ＞下層対向距離Ｌ 2 ）、かかるバイアス導体８で発
生したバイアス磁場は上層のシールド磁性体６よりも下
層のシールド磁性体５を強く磁化する。通常、ＭＲ素子
４は６０ｎｍ程度と薄いので、バイアス磁場が下層のシ
ールド磁性体５にかかるのを妨げない。
れているため、バイアス磁場は直接ＭＲ素子４にかかる
成分は少なく、ほとんどの磁場は、シールド磁性体を磁
化しシールド磁性体から出てくる磁場がＭＲ素子４に印
加されることがわかっている。例えば、図５に示すよう
に、バイアス導体８が上層のシールド磁性体６よりも下
層のシールド磁性体５に近い場合（つまり上層対向距離
Ｌ1 ＞下層対向距離Ｌ 2 ）、かかるバイアス導体８で発
生したバイアス磁場は上層のシールド磁性体６よりも下
層のシールド磁性体５を強く磁化する。通常、ＭＲ素子
４は６０ｎｍ程度と薄いので、バイアス磁場が下層のシ
ールド磁性体５にかかるのを妨げない。
【００２５】このとき、再生ギャップｇ2 のギャップ長
が０．２５μｍ以下と狭いと、磁化した下層のシールド
磁性体５から発生する磁場がＭＲ素子４に効率よくかか
ってしまう。一方、上層のシールド磁性体６も高透磁率
材料なので、図５中矢印で示すような経路をたどってＭ
Ｒ素子４に磁場が印加される。このように、上下のシー
ルド磁性体５，６からの磁場が互いに逆向きにＭＲ素子
４に印加されるため、ＭＲ素子４を十分に最適バイアス
角（例えば４５度）まで磁化回転させることができな
い。したがって、これらの実験結果から、バイアス導体
８を片側のシールド磁性体６にのみ近づけ、もう片側か
ら離せばよいことがわかる。本実施例では、バイアス導
体８を上層のシールド磁性体６に近づける一方、下層の
シールド磁性体５から離すようにした。
が０．２５μｍ以下と狭いと、磁化した下層のシールド
磁性体５から発生する磁場がＭＲ素子４に効率よくかか
ってしまう。一方、上層のシールド磁性体６も高透磁率
材料なので、図５中矢印で示すような経路をたどってＭ
Ｒ素子４に磁場が印加される。このように、上下のシー
ルド磁性体５，６からの磁場が互いに逆向きにＭＲ素子
４に印加されるため、ＭＲ素子４を十分に最適バイアス
角（例えば４５度）まで磁化回転させることができな
い。したがって、これらの実験結果から、バイアス導体
８を片側のシールド磁性体６にのみ近づけ、もう片側か
ら離せばよいことがわかる。本実施例では、バイアス導
体８を上層のシールド磁性体６に近づける一方、下層の
シールド磁性体５から離すようにした。
【００２６】なお、上述の実施例では、再生専用のＭＲ
ヘッドのみを基板上に形成した例であるが、かかるＭＲ
ヘッドの上に記録専用のインダクティブヘッドを積層し
てなる複合型の薄膜磁気ヘッド構成としても同様の作用
効果が得られる。
ヘッドのみを基板上に形成した例であるが、かかるＭＲ
ヘッドの上に記録専用のインダクティブヘッドを積層し
てなる複合型の薄膜磁気ヘッド構成としても同様の作用
効果が得られる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、一対のシールド磁性体間に設けられたＭ
Ｒ素子に対して同じ側に存在するシールド磁性体とバイ
アス導体間の距離を、ＭＲ素子に対して反対側に存在す
るシールド磁性体とバイアス導体間の距離と同じか若し
くは狭くしているので、再生ギャップを狭小化した場合
でも十分なバイアス磁場をＭＲ素子に印加させることが
できる。したがって、ＭＲ素子を十分に最適バイアス角
度まで磁化回転させることができ、ＭＲ素子の線形性が
保たれるとともに出力の向上並びに記録密度を高めるこ
とができる。
明においては、一対のシールド磁性体間に設けられたＭ
Ｒ素子に対して同じ側に存在するシールド磁性体とバイ
アス導体間の距離を、ＭＲ素子に対して反対側に存在す
るシールド磁性体とバイアス導体間の距離と同じか若し
くは狭くしているので、再生ギャップを狭小化した場合
でも十分なバイアス磁場をＭＲ素子に印加させることが
できる。したがって、ＭＲ素子を十分に最適バイアス角
度まで磁化回転させることができ、ＭＲ素子の線形性が
保たれるとともに出力の向上並びに記録密度を高めるこ
とができる。
【図１】本発明を適用したＭＲヘッドの要部拡大平面図
である。
である。
【図２】図１に示すＭＲヘッドの要部拡大断面図であ
る。
る。
【図３】シールド間距離とバイアス効率の関係を示す特
性図である。
性図である。
【図４】図３に示すデータを上層対向距離Ｌ1 と下層対
向距離Ｌ2 の比でプロットし直した特性図である。
向距離Ｌ2 の比でプロットし直した特性図である。
【図５】上層対向距離Ｌ1 が下層対向距離Ｌ2 よりも大
きいときのバイアス磁場の印加経路を示す図である。
きいときのバイアス磁場の印加経路を示す図である。
【図６】ギャップ長が０．４５μｍと０．２５μｍのと
きのＭＲヘッドにおける再生出力のバイアス電流依存性
を示す特性図である。
きのＭＲヘッドにおける再生出力のバイアス電流依存性
を示す特性図である。
１・・・基板 ２・・・先端側の配線導体 ３・・・後端側の配線導体 ４・・・ＭＲ素子 ５・・・下層のシールド磁性体 ６・・・上層のシールド磁性体 ７・・・ＡＢＳ面 Ｌ1 ・・・上層対向距離 Ｌ2 ・・・下層対向距離 Ｌ3 ・・・シールド間距離
Claims (1)
- 【請求項１】 バイアス導体に電流を流すことで磁気抵
抗効果素子にバイアス磁場を印加する電流バイアス型の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 磁気抵抗効果素子とシールド磁性体の最も近い距離が
０．２５μｍ以下のときに、バイアスを印加する導体が
シールド磁性体間に存在し、磁気抵抗効果素子に対して
同じ側に存在するシールド磁性体とバイアス導体間の距
離が、磁気抵抗効果素子に対して反対側に存在するシー
ルド磁性体とバイアス導体間の距離と同じか若しくは狭
いことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3097493A JPH06243438A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3097493A JPH06243438A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243438A true JPH06243438A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12318641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3097493A Withdrawn JPH06243438A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06243438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688577B1 (ko) * | 2005-10-14 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 자기 헤드, 이를 채용한 디스크 드라이브 시스템 및 자기헤드의 비대칭성 보정 방법 |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP3097493A patent/JPH06243438A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688577B1 (ko) * | 2005-10-14 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 자기 헤드, 이를 채용한 디스크 드라이브 시스템 및 자기헤드의 비대칭성 보정 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |