JPS5845619A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

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JPS5845619A
JPS5845619A JP56140974A JP14097481A JPS5845619A JP S5845619 A JPS5845619 A JP S5845619A JP 56140974 A JP56140974 A JP 56140974A JP 14097481 A JP14097481 A JP 14097481A JP S5845619 A JPS5845619 A JP S5845619A
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magnetic
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末永　雅英
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに係り、特に長
手方向に磁化容易軸をもち、がっ、先端が突出している
磁気抵抗膜を有する、面安定出力、低雑音の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドに関する。
一般に、パーマロイなどの１強磁性体薄膜の磁気抵抗効
果を利用した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、高感度
であり、出力が媒体速度に依存しないなど、優れた特許
を有するため高密度記録分野で注目されている。この磁
気ヘッドを第１図を用いて説明する。図中、磁気ヘッド
１゜は、導電接点４０及び５０を介して外部の読取り回
路６０に接続された磁気抵抗素子３を具えている。
これらの構成菓子３０．４０及び５ｏは、ガラス等に間
隔に設けられている。かかる磁気ヘッドは、磁気記録媒
体２０の磁気的記録再生を行なうものであり、特公昭５
４−７５６４号公報及び米国特許第３４９３６９４号公
報に示されている。
本ヘッドの心臓部ともいうべき磁気抵抗素子の従来知ら
れている代表的な形状は、第１図ａに示すように長方形
であり、その長軸が磁気抵抗素子１の磁化容易軸と一致
するように形成されていた。そのため、磁化困難軸方向
に信号磁界が印加されると、磁気抵抗１撲而内に第１図
（１））に示すような磁壁２が形成されやすく、これが
原因となって、出力電圧が変動し、バルクノ−ウゼン雑
音が発生しやすかった。
このような問題は磁化容易軸方向に所定値以上の直流バ
イアス磁界を印加することにより解決できることが知ら
れている。しかしながら高密度記録用シールド伺き磁気
抵抗ヘッドの場合には構造上あるいは信頼性−にの制約
から十分なバイアス磁界を印加できないことが多く、他
の有効な方法を併用することが望まれていた。
本発明の目的は−ｆ：、記の如き間：電点を除去するこ
とであり、磁気抵抗膜内に磁壁を発生しにくくすること
により、出力電圧の変動およびバルクハウゼン雑音を低
減させた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供すること
にある。
この１」的を達成するため、本発明においては磁気抵抗
膜の長手方向（容易軸方向）の先端を突出させ、二つの
長辺の端を結んだ線より外側に位置させるようにするこ
とを特徴とする。
以下本発明の一実施例を図面を用いて詳卸ｊに説明する
。第３図（ａｌ乃至（Ｃ１は本発明による磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子の形状をそれぞれ示す
ものである。
これらの磁気抵抗素子１は、基板７０上に薄膜技術によ
って、材質ａ１Ｎｉ−ＮＩＦｅパーマロイが、膜厚６０
０Ａで設けられている。また、長軸及び短軸の長さはそ
れぞれ５０ｐｍ及び１０μｍであり、長４ｊ１１と磁化
容易軸の方向がいずれも一致する様にパターンニングさ
れている。
第４図はこれらの磁気抵抗膜の短軸磁化困難４１１１＋
方向に１０００ｅの交流磁界を印加した後の磁区Ｍ造を
ビッタ−法により観察した結果を示す。
同図より、磁気抵抗素子１の先端が円あるいは三角形状
に突出しているもの（（ａｔ、ｆｌ）ｔ　、（ｃｌ）に
おいては、従来できやすかった還流磁区と異なる磁区構
造が実現ｌ−ていることがわかる。
これに対し、第７図（ｄｉ及び（ｅｌに示す如く、先端
が半円径状あるいは三角状に窪んだ形状の磁気抵抗素子
１は、第８図（ｄｌ及びｒｅ＋に示す如く、端部と２分
して結合する磁北２が形成され、バルクハウゼン雑片が
発生しやすい。
前記第３図及び第７図に示した各形状の磁気抵抗素子の
長軸方向に１百尚のバイアス磁界を印加しながら、４．
＜７＋軸方向に１０ｏＯｅの交流磁界を印加した後の各
種磁気抵抗素子における磁壁発生率とバイアス磁界の大
きさとの関係を第５図にのバイアス磁界で単磁区化が実
現されており、磁気抵抗膜の先端を円あるいは三角形状
に突出させることにより磁壁発生抑制効果が生じている
ことかわかる。
つぎに、−に記（ａｌ、（ｂｌ、ｉｃｌ型の磁気抵抗膜
上に第６図に示すような線幅１５μｍのショートパー６
を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成し、ｉｏ
ｒ品　の検出電流を流しながら、ディスク上に記録され
た情報の再生を行った。その結果、従来型のヘッドにお
いてみられた繰返し再生を新壁の移動によって生じると
推定される雑音（バルクハウゼンノイズ）がほとんどみ
られなくなった。
なお、従来型のヘッドにおいても検出電流を５ｏｒｒ＋
Ａ以上に増大させ、検出電流が作るセルフバイアス磁界
を増せば同様な効果が認められるが、この場合には磁気
抵抗膜中の電流密度が許容値（５Ｘ１０’　ｌ’ｙ／ｃ
ｒｄ　）を越えるため、磁気抵抗素子の発熱あるいはエ
レクトロマイグレーションが原因となって膜が破断しや
すくなるなど信頼性−にの問題が生じ、実用的でない。
また、永久磁石等により、磁気抵抗素子に４０ｅ以上の
均一バイアス磁界を印力Ｉ）することも考えられるが、
高密度記録用シールド付き磁気抵抗ヘッドの場合には、
シールドがほとんどの磁速を吸収するため、磁気抵抗素
子が有効に励磁されず実用的でない。
また、前ｄ己実施例においては、磁気抵抗素子１上にそ
のままショートパー３を設けた場合について述べたが、
同様な効果は、磁気抵抗膜の媒体対向面（第６図Ａ−Ａ
で示す而）側を、い（ぶん（たとえば第６図１３−Ｂで
示゛す面まで）削除したものについても認められた。こ
の様なカｌ工は、例えば（Ｉ））型の磁気抵抗素子をヘ
ッドの媒体対向面側に露出させたヘッドを作成するとき
に必要となる。
更らに本発明は、前述したバーバーポール型磁気ヘッド
に限られるものではなく、他のバイアス磁界印加方式を
採用した磁気抵抗ヘッド、例えば電流バイアス型磁気抵
抗ヘッドにおいても同様の効果を得ることができる。
以上述べた如く本発明によれば、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの磁気抵抗素子の長手方向（磁化容易軸方向）の先
端を突出させることにより磁気抵抗素子内の磁壁の発生
を抑制し、ヘッド出力電圧の変動及び雑音を低減するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
による磁気抵抗素子を説明するための図、第３図及び第
４図は本発明の実施例である磁気抵抗素子を説明するた
めの図である。第７図及び第８図は、磁気抵抗素子の各
種形状を説明するための図である。第５図は第６図及び
第７図に示した磁気抵抗素子の磁気特性を示す図である
。 第６図は、本発明の一実施例である磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの部分拡大図である。 符号の説明 １０・・・磁気抵抗効果型磁気ヘッド ２０・・・磁気記録媒体 １及び３０・・・磁気抵抗素子 ４０及び５０・・・接点 ６０・・・外部読取回路 、８ ７０・・・Ｊｔｓ板５　＆Ｕ　ａ・・・ショートバー２
・・・磁北 代理人弁理士　薄　１）利　幸 ２　１　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｆｉ＋　　磁気的異方性材料より成る細長い磁気抵抗素
    子を有し、該磁気抵抗素子の磁気容易軸と所定の角度を
    なして前記素子中に電流を流して磁気記録媒体上の情報
    の記録再生を行なう磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにお
    いて、前記磁化容易軸と磁気抵抗素子の長袖とを一致さ
    せると共に、前記磁気抵抗素子の長手方向両端を磁化容
    易軸両方向に沿って突出させた突出部を設けることを％
    徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気へンド。 （２、特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッドにおいて
    、前記突出部が円弧状外形を有することを特徴とする磁
    気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 （３１％許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッドにおいて
    、前記突出部が１つの角を有することを特徴とする磁気
    抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
JP56140974A 1981-09-09 1981-09-09 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド Granted JPS5845619A (ja)

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US06/402,419 US4556925A (en) 1981-09-09 1982-07-28 Magnetoresistive head

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