JPS5925282B2 - 磁気抵抗ヘッド - Google Patents
磁気抵抗ヘッドInfo
- Publication number
- JPS5925282B2 JPS5925282B2 JP12379279A JP12379279A JPS5925282B2 JP S5925282 B2 JPS5925282 B2 JP S5925282B2 JP 12379279 A JP12379279 A JP 12379279A JP 12379279 A JP12379279 A JP 12379279A JP S5925282 B2 JPS5925282 B2 JP S5925282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive
- magnetoresistive element
- width
- recording medium
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗ヘッドに関する。
さらに詳細には、強磁性体薄膜の磁気抵抗効果を利用し
た磁気抵抗ヘッドに関する。第１図ａおよびをは従来の
磁気抵抗ヘッド１０を示す。
た磁気抵抗ヘッドに関する。第１図ａおよびをは従来の
磁気抵抗ヘッド１０を示す。
第１図において、強磁性体薄膜からなる磁気抵抗素子１
１の両端にはトラック幅を規定する距離（電極間距離）
ｌをもつて電極１２が接続され、磁気抵抗素子１１の一
端から他端へその素子中の全幅にわたつて電流が流され
る。磁気抵抗素子１１の背後には磁気抵抗素子１１に磁
気バイアスを与える永久磁石膜からなる磁気バイアス膜
１３が設けられる。これらは絶縁層１４に囲まれ、そし
て前後に短波長記録された磁気記録媒体１６に記録され
た情報を再生するに必要な分解能向上用の磁気シールド
層１５が設けられる。絶縁層１４はヘッドのギャップ長
ｇを規定する。この磁気抵抗ヘッドは、その動作特性を
線形化するために、磁気バイアス膜１３によつて磁気抵
抗素子１１にバイアス磁界を印加して磁気抵抗素子１１
の磁化の方向とその素子中を流れる電流の方向とが所定
の角度（例えば４５度の角度）をなすようにし、ている
。
１の両端にはトラック幅を規定する距離（電極間距離）
ｌをもつて電極１２が接続され、磁気抵抗素子１１の一
端から他端へその素子中の全幅にわたつて電流が流され
る。磁気抵抗素子１１の背後には磁気抵抗素子１１に磁
気バイアスを与える永久磁石膜からなる磁気バイアス膜
１３が設けられる。これらは絶縁層１４に囲まれ、そし
て前後に短波長記録された磁気記録媒体１６に記録され
た情報を再生するに必要な分解能向上用の磁気シールド
層１５が設けられる。絶縁層１４はヘッドのギャップ長
ｇを規定する。この磁気抵抗ヘッドは、その動作特性を
線形化するために、磁気バイアス膜１３によつて磁気抵
抗素子１１にバイアス磁界を印加して磁気抵抗素子１１
の磁化の方向とその素子中を流れる電流の方向とが所定
の角度（例えば４５度の角度）をなすようにし、ている
。
そして、磁気記録媒体１６からの信号磁束によつてこの
角度が変化するとき、それに対応した素子の電気抵抗の
変化を利用して信号磁束の大きさを検出する構造になつ
ている。また、特公昭５４−７５６４号公報には、磁気
抵抗素子に所定の角度をなして良導体細条を設けて磁気
抵抗素子の磁化容易軸と所定の角度をなして、その素子
中に電流を流すことによ）、バイアス磁界の印加を不要
とした磁気抵抗ヘツドが開示されている。このような構
造を有する磁気抵抗ヘツドの再生出力は、トラツク幅を
規定する電極間距離をｌ、磁気抵抗素子の幅（１）方向
での信号磁束による比抵１Ｗ抗の変化量の平均値をΔｐ
＝− Δｐ（ｘ）Ｄｘ、磁気ＷＯ抵抗素子に流す電流の
密度をＪとすると、Ｖ＝Δｐ−Ｊ・１で与えられる。
角度が変化するとき、それに対応した素子の電気抵抗の
変化を利用して信号磁束の大きさを検出する構造になつ
ている。また、特公昭５４−７５６４号公報には、磁気
抵抗素子に所定の角度をなして良導体細条を設けて磁気
抵抗素子の磁化容易軸と所定の角度をなして、その素子
中に電流を流すことによ）、バイアス磁界の印加を不要
とした磁気抵抗ヘツドが開示されている。このような構
造を有する磁気抵抗ヘツドの再生出力は、トラツク幅を
規定する電極間距離をｌ、磁気抵抗素子の幅（１）方向
での信号磁束による比抵１Ｗ抗の変化量の平均値をΔｐ
＝− Δｐ（ｘ）Ｄｘ、磁気ＷＯ抵抗素子に流す電流の
密度をＪとすると、Ｖ＝Δｐ−Ｊ・１で与えられる。
それゆえ、高密度に記録された情報を再生するため、ギ
ヤツプ長Ｇ．｝よびトラツク幅１を狭くすると、第１図
に示した磁気抵抗ヘツドを用いても、再生出力が不足し
、Ｓ／Ｎ比が実用に供さない程度まで低下するという問
題が生じる。本発明の目的は、前述の如き従来の問題点
を解決し、高密度記録に適した高出力、高感度の磁気抵
抗ヘツドを提供することである。
ヤツプ長Ｇ．｝よびトラツク幅１を狭くすると、第１図
に示した磁気抵抗ヘツドを用いても、再生出力が不足し
、Ｓ／Ｎ比が実用に供さない程度まで低下するという問
題が生じる。本発明の目的は、前述の如き従来の問題点
を解決し、高密度記録に適した高出力、高感度の磁気抵
抗ヘツドを提供することである。
ユ本発明の特徴とするところは、磁気抵
抗素子の幅は狭めないで磁気抵抗素子の幅よ勺狭い領域
で、かつ磁気記録媒体対向面に寄つた領域に電流を流し
て信号磁束を検出することによつて、ヘツドの感度特性
を良好に保ちながらヘツド出力を増大さ２せることにあ
る。次に本発明を実施例をもつて詳細に説明する。
抗素子の幅は狭めないで磁気抵抗素子の幅よ勺狭い領域
で、かつ磁気記録媒体対向面に寄つた領域に電流を流し
て信号磁束を検出することによつて、ヘツドの感度特性
を良好に保ちながらヘツド出力を増大さ２せることにあ
る。次に本発明を実施例をもつて詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す。第２図において、磁
気抵抗素子２１はＷ１の幅を持ち、例えば３００Ａの膜
厚を有するパーマロイからなる強３磁性体薄膜である。
この素子２１の両端に素子中に検出電流を流すための電
極２２が接続される。電極２２は例えば膜厚０．３μｍ
＜７）Ａｕ電極である。素子２１と電極２２は幅Ｗ２で
媒体対向面２３に寄つて、実施例の場合、対向面２３を
含むように３接続される。そして、これらのまわシに第
１図ａに示したＳｉＯ２による絶縁膜およびＦｅ３Ｏ４
のバイアス膜およびパーマロイのシールド膜が同様に設
けられる。これによると、磁気抵抗素子２１と電極２２
は、素子２１の幅Ｗ，より狭い幅Ｗ２でか４つ媒体対向
面２３を含むように接続されているため、素子中を流れ
る電流は電極が接続された領域に沿つて、磁気抵抗素子
２１の幅Ｗ１より狭い領域でかつ媒体対向面を含む領域
を流れ、素子２１の図示上部領域には流れず、媒体対向
面を含むＷ２が検出領域幅となる。また、ヘツドの感度
特性に有効な領域は磁気抵抗素子全体の幅Ｗ，である。
気抵抗素子２１はＷ１の幅を持ち、例えば３００Ａの膜
厚を有するパーマロイからなる強３磁性体薄膜である。
この素子２１の両端に素子中に検出電流を流すための電
極２２が接続される。電極２２は例えば膜厚０．３μｍ
＜７）Ａｕ電極である。素子２１と電極２２は幅Ｗ２で
媒体対向面２３に寄つて、実施例の場合、対向面２３を
含むように３接続される。そして、これらのまわシに第
１図ａに示したＳｉＯ２による絶縁膜およびＦｅ３Ｏ４
のバイアス膜およびパーマロイのシールド膜が同様に設
けられる。これによると、磁気抵抗素子２１と電極２２
は、素子２１の幅Ｗ，より狭い幅Ｗ２でか４つ媒体対向
面２３を含むように接続されているため、素子中を流れ
る電流は電極が接続された領域に沿つて、磁気抵抗素子
２１の幅Ｗ１より狭い領域でかつ媒体対向面を含む領域
を流れ、素子２１の図示上部領域には流れず、媒体対向
面を含むＷ２が検出領域幅となる。また、ヘツドの感度
特性に有効な領域は磁気抵抗素子全体の幅Ｗ，である。
第３図は、上述の条件に加え、Ｗ，＝１５μｍ、バイア
ス膜の膜厚０．３／Ｈ，．シールド膜の膜厚２μｍ、ギ
ヤツプ長ｇを０．８μｍとした場合の検出領域幅Ｗ２と
ヘツド出力（規格化した数値）との関係を従来型（Ｗ，
−Ｗ２）と比較して示す。
ス膜の膜厚０．３／Ｈ，．シールド膜の膜厚２μｍ、ギ
ヤツプ長ｇを０．８μｍとした場合の検出領域幅Ｗ２と
ヘツド出力（規格化した数値）との関係を従来型（Ｗ，
−Ｗ２）と比較して示す。
従来型の特性３１と本発明による特性３２を比較すると
、Ｗ２がＷ，の半分以上の場合は顕著な差がないが、Ｗ
２がＷ１の半分以下の範囲のごとく、Ｗ１に対してＷ２
を狭くすることにより、信号磁束検出領域Ｗ２における
平均磁束密度、即ちΔｐを増大でき、従来型の場合より
ヘツド出力を１．５倍以上増大させることができること
、また、この傾向はＷ２が狭いほど著しいことがわかる
。そしてヘツドの感度特性は磁気抵抗素子の幅Ｗ，が充
分広いため良好に保たれており、磁気記録媒体からの信
号磁束が低下してもＳ／Ｎ比の良好な出力を得ることが
できる。
、Ｗ２がＷ，の半分以上の場合は顕著な差がないが、Ｗ
２がＷ１の半分以下の範囲のごとく、Ｗ１に対してＷ２
を狭くすることにより、信号磁束検出領域Ｗ２における
平均磁束密度、即ちΔｐを増大でき、従来型の場合より
ヘツド出力を１．５倍以上増大させることができること
、また、この傾向はＷ２が狭いほど著しいことがわかる
。そしてヘツドの感度特性は磁気抵抗素子の幅Ｗ，が充
分広いため良好に保たれており、磁気記録媒体からの信
号磁束が低下してもＳ／Ｎ比の良好な出力を得ることが
できる。
第２図に訃いて、磁気抵抗素子２１と電極２２とはＷ２
の幅でのみ接続されているが、素子２１のＷ２の領域を
除くＷ１−Ｗ２の領域に透磁率を変えないで電気抵抗を
増すような処理、たとえばＣｒを添加するなどすれば、
素子２１の端部の全幅にわたつて電極が接続されるよう
にしてもよい。
の幅でのみ接続されているが、素子２１のＷ２の領域を
除くＷ１−Ｗ２の領域に透磁率を変えないで電気抵抗を
増すような処理、たとえばＣｒを添加するなどすれば、
素子２１の端部の全幅にわたつて電極が接続されるよう
にしてもよい。
第４図は本発明の他の実施例を示す。第２図ではバイア
ス磁界印加型の磁気抵抗ヘツドの例を挙げたが、第４図
は前述の特公昭５４−７５６４号公報に示されたごとき
バーバーボール型と呼ばれる磁気抵抗ヘツドに本発明を
適用した例を示す。第４図において、磁気抵抗素子４１
の両端の媒体対向面４３に寄つた領域で電極４４が接続
される。そして媒体対向面４３からその領域内に媒体対
向面４３に対して所定の角度で良導電体細条４２が設け
られる。この良導電体細条４２は素子中を流れる電流の
向きをバイアス磁界の印加なしに素子４１の磁化容易軸
の方向ど所定の角度を持たせることができ、少なくとも
１本設ければその効果が得られる。第４図に示した構造
で、第２図の例とほぼ同じ効果が得られることが確認さ
れた。
ス磁界印加型の磁気抵抗ヘツドの例を挙げたが、第４図
は前述の特公昭５４−７５６４号公報に示されたごとき
バーバーボール型と呼ばれる磁気抵抗ヘツドに本発明を
適用した例を示す。第４図において、磁気抵抗素子４１
の両端の媒体対向面４３に寄つた領域で電極４４が接続
される。そして媒体対向面４３からその領域内に媒体対
向面４３に対して所定の角度で良導電体細条４２が設け
られる。この良導電体細条４２は素子中を流れる電流の
向きをバイアス磁界の印加なしに素子４１の磁化容易軸
の方向ど所定の角度を持たせることができ、少なくとも
１本設ければその効果が得られる。第４図に示した構造
で、第２図の例とほぼ同じ効果が得られることが確認さ
れた。
また、へツド出力が目標仕様を十分満たす場合には、信
号磁束検出領域Ｗ２を磁気抵抗素子の先端（媒体対向面
）よシわずかに離し、若干奥に設けることによジ、ギヤ
ツプ深さ加工の影響や、磁区の発生に由来する雑音の影
響を受けにくい磁気抵抗ヘツドを製造できることが確認
された。
号磁束検出領域Ｗ２を磁気抵抗素子の先端（媒体対向面
）よシわずかに離し、若干奥に設けることによジ、ギヤ
ツプ深さ加工の影響や、磁区の発生に由来する雑音の影
響を受けにくい磁気抵抗ヘツドを製造できることが確認
された。
さらに、本発明は磁気シールド層を有しない、比較的長
波長記録された情報を再生するためのへツドにも利用で
き、同様な効果が得られることが確認された。以上の説
明のように本発明によれば、磁気抵抗素子の幅を狭める
ことなく信号検出領域幅を磁気抵抗素子の幅より狭くし
たことから、ヘツドの出力を大幅に増大させるだけでな
く、ヘツドの感度特性を良好にできるのでヘツド特性の
バラツキやヘツド雑音を低減できる等の効果を有する。
波長記録された情報を再生するためのへツドにも利用で
き、同様な効果が得られることが確認された。以上の説
明のように本発明によれば、磁気抵抗素子の幅を狭める
ことなく信号検出領域幅を磁気抵抗素子の幅より狭くし
たことから、ヘツドの出力を大幅に増大させるだけでな
く、ヘツドの感度特性を良好にできるのでヘツド特性の
バラツキやヘツド雑音を低減できる等の効果を有する。
また、本発明は従来の製造プロセスをほとんど変更する
ことなく実現可能であるという利点をも有する。
ことなく実現可能であるという利点をも有する。
第１図ａは従来の磁気抵抗ヘツドを示す断面図、第１図
ｂは第１図ａの磁気抵抗素子訃よび電極を示す図、第２
図は本発明の一実施例を示す図、第３図は本発明を説明
するための特性曲線を示す図、第４図は本発明の他の実
施例を示す図である。 ２１訃よび４１・・−・・・磁気抵抗素子、２２訃よび
４４・・・・・・電極、２３および４３・・・・・・磁
気記録媒体対向面、４２・・・・・・良導電体細条。
ｂは第１図ａの磁気抵抗素子訃よび電極を示す図、第２
図は本発明の一実施例を示す図、第３図は本発明を説明
するための特性曲線を示す図、第４図は本発明の他の実
施例を示す図である。 ２１訃よび４１・・−・・・磁気抵抗素子、２２訃よび
４４・・・・・・電極、２３および４３・・・・・・磁
気記録媒体対向面、４２・・・・・・良導電体細条。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 強磁性体薄膜からなる磁気抵抗素子を備え、該磁気
抵抗素子の一端から他端へその素子中に電流を流して磁
気記録媒体からの信号磁束を検出する磁気抵抗ヘッドに
おいて、上記磁気抵抗素子の幅より挾い領域でかつ磁気
記録媒体対向面に寄つた領域に上記電流を流すことを特
徴とする磁気抵抗ヘッド。 ２ 上記磁気記録媒体対向面を含む磁気抵抗素子の幅よ
り挾い領域に電流を流すことを特徴とする第１項記載の
磁気抵抗ヘッド。 ３ 上記電流を流す領域を上記磁気記録媒体対向面から
わずかに離すことを特徴とする第１項記載の磁気抵抗ヘ
ッド。 ４ 上記磁気抵抗素子の所定の上記領域に電流が流れる
ように、上記磁気抵抗素子の幅より挾い幅の電極を上記
磁気抵抗素子の両端に接続したことを特徴とする第１項
、第２項、第３項のいずれかの項記載の磁気抵抗ヘッド
。 ５ 上記磁気抵抗素子の電流が流れる領域に、上記磁気
記録媒体対向面と所定角度をなして少なくとも１本の良
導電体細条を設けたことを特徴とする第１項、第２項、
第３項、第４項のいずれかの項記載の磁気抵抗ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12379279A JPS5925282B2 (ja) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | 磁気抵抗ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12379279A JPS5925282B2 (ja) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | 磁気抵抗ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5647921A JPS5647921A (en) | 1981-04-30 |
| JPS5925282B2 true JPS5925282B2 (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=14869412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12379279A Expired JPS5925282B2 (ja) | 1979-09-28 | 1979-09-28 | 磁気抵抗ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925282B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092460A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-24 | Showa Denko Kk | セラミツク質溶射材の製造法 |
| JP2611202B2 (ja) * | 1986-07-28 | 1997-05-21 | 日本ビクター株式会社 | 磁気抵抗ヘツド |
| JPS63118001A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Nippon Yakin Kogyo Co Ltd | 研掃材の製造装置 |
-
1979
- 1979-09-28 JP JP12379279A patent/JPS5925282B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5647921A (en) | 1981-04-30 |
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