JP2513689B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JP2513689B2 JP2513689B2 JP62119752A JP11975287A JP2513689B2 JP 2513689 B2 JP2513689 B2 JP 2513689B2 JP 62119752 A JP62119752 A JP 62119752A JP 11975287 A JP11975287 A JP 11975287A JP 2513689 B2 JP2513689 B2 JP 2513689B2
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- magnetic head
- magnetoresistive effect
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は磁気テープ装置、或いは磁気ディスク装置な
どに用いられるシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
において、直線状に形成された磁気抵抗効果素子の両端
部に信号検出用の一対の引出し端子を接続し、引出し端
子間の領域を信号検出部としたヘッド構成において、上
記磁気抵抗効果素子の両端部それぞれを上記引出し端子
との接合部から延長し、非検出部となる該延長部分の長
さを上記信号検出部の長さより長く設定して当該素子の
全長Ｌと幅Ｗとで定まるアスペクト比（L/W）を大きく
した構成とすることにより、再生時のMR素子中央の信号
検出部における磁壁の発生をなくしてバルクハウゼン雑
音の発生を低減し、高密度記録化（狭トラック化）され
た磁気ディスク媒体に対する再生効率の向上を図ったも
のである。
どに用いられるシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
において、直線状に形成された磁気抵抗効果素子の両端
部に信号検出用の一対の引出し端子を接続し、引出し端
子間の領域を信号検出部としたヘッド構成において、上
記磁気抵抗効果素子の両端部それぞれを上記引出し端子
との接合部から延長し、非検出部となる該延長部分の長
さを上記信号検出部の長さより長く設定して当該素子の
全長Ｌと幅Ｗとで定まるアスペクト比（L/W）を大きく
した構成とすることにより、再生時のMR素子中央の信号
検出部における磁壁の発生をなくしてバルクハウゼン雑
音の発生を低減し、高密度記録化（狭トラック化）され
た磁気ディスク媒体に対する再生効率の向上を図ったも
のである。
本発明は磁気テープ装置、或いは磁気ディスク装置な
どの再生ヘッドとして用いられる磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの改良に係り、特に再生時のバルクハウゼン雑
音を低減したシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
関するものである。
どの再生ヘッドとして用いられる磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドの改良に係り、特に再生時のバルクハウゼン雑
音を低減したシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
関するものである。
近来、磁気ディスク装置においては益々情報記録の大
容量化が急速に進められ、それに伴って例えば磁気ディ
スク媒体のトラック密度を向上させるために磁気ヘッド
の磁極幅も微小化されている。
容量化が急速に進められ、それに伴って例えば磁気ディ
スク媒体のトラック密度を向上させるために磁気ヘッド
の磁極幅も微小化されている。
ところがそのような従来の誘導型磁気ヘッドによる再
生では、十分な再生出力が得られないことから、磁気デ
ィスク媒体の狭記録トラック化による再生出力低下に対
する解決手段として、構造が簡単で、再生出力が記録媒
体速度に依存せず、しかも大出力が得られる再生ヘッド
として極めて有利なシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドが注目されている。
生では、十分な再生出力が得られないことから、磁気デ
ィスク媒体の狭記録トラック化による再生出力低下に対
する解決手段として、構造が簡単で、再生出力が記録媒
体速度に依存せず、しかも大出力が得られる再生ヘッド
として極めて有利なシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドが注目されている。
しかし、かかるシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを、その検出部を短かくして狭記録トラック化された
磁気ディスク媒体に対する再生ヘッドとして適用した場
合、バルクハウゼン雑音の発生が顕著である。このた
め、そのような狭記録トラックに対する再生時に発生す
るバルクハウゼン雑音を容易に低減し得る磁気抵抗効果
型のヘド構造が必要とされている。
ドを、その検出部を短かくして狭記録トラック化された
磁気ディスク媒体に対する再生ヘッドとして適用した場
合、バルクハウゼン雑音の発生が顕著である。このた
め、そのような狭記録トラックに対する再生時に発生す
るバルクハウゼン雑音を容易に低減し得る磁気抵抗効果
型のヘド構造が必要とされている。
従来のシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下
MRヘッドと略称する）は第３図に示すように、例えばMn
−Znフェライトなどからなる下部シールド磁性体を兼ね
て磁性基板11とパーマロイ（Ni−Fe）などからなる上部
シールド磁性体層12との間に、例えば銅（Cu）などから
なるバイアス導体層14と、第４図の部分拡大斜視図に示
すように記録媒体16の記録トラック17と対応する直線形
状のパーマロイ（Ni−Fe）などの強磁性体からなる信号
検出部15aとその両端に引出し端子15bが接続された形状
の磁気抵抗効果素子（以下MR素子と称する）15とが、そ
れぞれSiO2,またはAl2O3からなる非磁性絶縁層13を介し
て平行に配設した構成からなっている。
MRヘッドと略称する）は第３図に示すように、例えばMn
−Znフェライトなどからなる下部シールド磁性体を兼ね
て磁性基板11とパーマロイ（Ni−Fe）などからなる上部
シールド磁性体層12との間に、例えば銅（Cu）などから
なるバイアス導体層14と、第４図の部分拡大斜視図に示
すように記録媒体16の記録トラック17と対応する直線形
状のパーマロイ（Ni−Fe）などの強磁性体からなる信号
検出部15aとその両端に引出し端子15bが接続された形状
の磁気抵抗効果素子（以下MR素子と称する）15とが、そ
れぞれSiO2,またはAl2O3からなる非磁性絶縁層13を介し
て平行に配設した構成からなっている。
かかるMRヘッドにより記録媒体16の情報を再生するに
際しては、該バイアス導体層14とMR素子15の磁化容易軸
方向（信号検出部15aの長さ方向）にそれぞれ一定電流
を供給することにより、該バイアス印加用導体層14に流
れる電流により発生する磁界がMR素子15に対するバイア
ス磁界として印加され、矢印Ａの方向に移動する記録媒
体16より該MR素子15の磁化容易軸に対して、垂直な磁化
困難軸方向の記録磁界に応じて変化する該MR素子15の抵
抗変化を電圧変化として検出し再生を行っている。
際しては、該バイアス導体層14とMR素子15の磁化容易軸
方向（信号検出部15aの長さ方向）にそれぞれ一定電流
を供給することにより、該バイアス印加用導体層14に流
れる電流により発生する磁界がMR素子15に対するバイア
ス磁界として印加され、矢印Ａの方向に移動する記録媒
体16より該MR素子15の磁化容易軸に対して、垂直な磁化
困難軸方向の記録磁界に応じて変化する該MR素子15の抵
抗変化を電圧変化として検出し再生を行っている。
しかしながら、かかるMRヘッドを狭記録トラック化さ
れた記録媒体16に対する再生ヘッドとして適用する場
合、MR素子15の信号検出部15aの長さｌをトラック17の
幅に対応して短くする必要がある。
れた記録媒体16に対する再生ヘッドとして適用する場
合、MR素子15の信号検出部15aの長さｌをトラック17の
幅に対応して短くする必要がある。
ところが該MR素子15の信号検出部15aの長さｌを短く
すると必然的に素子長Ｌも短くなり、素子幅Ｗとの比、
即ちアスペクト比（L/W）の大きいMR素子15を構成する
ことが困難となる問題があった。
すると必然的に素子長Ｌも短くなり、素子幅Ｗとの比、
即ちアスペクト比（L/W）の大きいMR素子15を構成する
ことが困難となる問題があった。
そこでこのような狭記録トラック化に対処するMRヘッ
ドとして、例えば第５図に示すようにMR素子21の素子長
Ｌをアスペクト比（L/W）が大きくなるように長く設
け、その素子長Ｌ部分における記録媒体24の狭記録トラ
ック25幅と対応する信号検出部22以外の両側部分に、幅
広の引出し端子23を短絡する形に接続して、その各接続
部分の信号検出感度を低下させた構成も試みられている
が、その各引出し端子23の接続部分が完全な信号非検出
感度部分とはならないため、該接続部分が隣りのトラッ
クからの信号の影響を受け易いという欠点があった。
ドとして、例えば第５図に示すようにMR素子21の素子長
Ｌをアスペクト比（L/W）が大きくなるように長く設
け、その素子長Ｌ部分における記録媒体24の狭記録トラ
ック25幅と対応する信号検出部22以外の両側部分に、幅
広の引出し端子23を短絡する形に接続して、その各接続
部分の信号検出感度を低下させた構成も試みられている
が、その各引出し端子23の接続部分が完全な信号非検出
感度部分とはならないため、該接続部分が隣りのトラッ
クからの信号の影響を受け易いという欠点があった。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、狭記録トラッ
クに適用でき、しかもバルクハウゼン雑音を抑制した新
規のシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する
ことを目的とするものである。
クに適用でき、しかもバルクハウゼン雑音を抑制した新
規のシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する
ことを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、直線状に形成され
た磁気抵抗効果素子の両端部に信号検出用の一対の引出
し端子を接続し、引出し端子間の領域を信号検出部とし
たヘッド構成において、上記磁気抵抗効果素子の両端部
それぞれを上記引出し端子との接合部から延長し、非検
出部となる該延長部分の長さを上記信号検出部の長さよ
り長く設定して当該素子の全長Ｌと幅Ｗとで定まるアス
ペクト比（L/W）を大きくした構成とする。
た磁気抵抗効果素子の両端部に信号検出用の一対の引出
し端子を接続し、引出し端子間の領域を信号検出部とし
たヘッド構成において、上記磁気抵抗効果素子の両端部
それぞれを上記引出し端子との接合部から延長し、非検
出部となる該延長部分の長さを上記信号検出部の長さよ
り長く設定して当該素子の全長Ｌと幅Ｗとで定まるアス
ペクト比（L/W）を大きくした構成とする。
本発明のシールド型のMRヘッドは、直線状に形成され
たMR素子の長さを、トラック幅と対応する信号検出部の
引出し端子が接続された両端よりそれぞれ延長してMR素
子の全長Ｌを許される長さ一杯にとり両端延長部（非検
出部）の長さを信号検出部領域の長さより長くしている
ため、該MR素子の素子長と素子幅の比（アスペクト比）
が大きくなり、再生時の素子両端の延長部（非検出部）
に磁壁が発生し、MR素子中央の信号検出部に磁壁が発生
しにくくなることで、バルクハウゼン雑音が抑制され
る。
たMR素子の長さを、トラック幅と対応する信号検出部の
引出し端子が接続された両端よりそれぞれ延長してMR素
子の全長Ｌを許される長さ一杯にとり両端延長部（非検
出部）の長さを信号検出部領域の長さより長くしている
ため、該MR素子の素子長と素子幅の比（アスペクト比）
が大きくなり、再生時の素子両端の延長部（非検出部）
に磁壁が発生し、MR素子中央の信号検出部に磁壁が発生
しにくくなることで、バルクハウゼン雑音が抑制され
る。
またこのようなMR素子の信号検出部の各引出し端子接
続端より延長して設けられた部分は、再生時に電流が流
れないので、信号検出の機能がなく、再生すべきトラッ
クの隣のトラックからの影響を受けることはない。
続端より延長して設けられた部分は、再生時に電流が流
れないので、信号検出の機能がなく、再生すべきトラッ
クの隣のトラックからの影響を受けることはない。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明に係るシールド型の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおけるMR素子の構成の一実施例を示す斜視図
であり、第５図と同等部分には同一符号を付している。
気ヘッドにおけるMR素子の構成の一実施例を示す斜視図
であり、第５図と同等部分には同一符号を付している。
第１図の実施例が第５図の例と異なる点は、Mn−Znフ
ェライトなどの磁性基板からなる下部シールド磁性体と
パーマロイ（Ni−Fe）などからなる上部シールド磁性体
層との間に、バイアス導体層と共にそれぞれSiO2、また
はAl2O3からなる層間絶縁層を介して配設したMR素子31
の構成として、狭記録トラック25化された記録媒体24と
対向する素子長Ｌを、その素子幅Ｗとの比（L/W:アスペ
クト比）が所定の大きな値となる長さのパーマロイ（Ni
−Fe）などの薄膜により直線状に形成し、その中央部に
おける該狭記録トラック25幅に対応する長さｌ部分を挟
む形に一対の銅（Cu）などからなる引出し端子34を接続
配置して、該長さｌ部分を信号検出部32、その他の部分
を非検出部33とする。また、トラック密度の高密度化の
要求に応えるため、引出し端子34間の間隔、即ち信号検
出部32の長さｌをトラック幅に対応させるが、信号検出
部32の長さｌを短くすると、MR素子の全長Ｌが必然的に
短くなるため、全長Ｌは許される長さ一杯にし、両端延
長部（非検出部33）の長さを信号検出部32の長さｌより
長くしてアスペクト比（L/W）をできるだけ大きくす
る。かくすれば、再生時の信号検出部32における磁区の
急激な移動により生ずるバルクハウゼン雑音が抑制され
る。またこの信号検出部32の各引出し端子34接続端より
外方向に延長された非検出部33にはバイアス電流が流れ
ないことから、再生すべきトラックの隣のトラックから
の影響を受けることがなくなる等、再生特性が著しく向
上する。
ェライトなどの磁性基板からなる下部シールド磁性体と
パーマロイ（Ni−Fe）などからなる上部シールド磁性体
層との間に、バイアス導体層と共にそれぞれSiO2、また
はAl2O3からなる層間絶縁層を介して配設したMR素子31
の構成として、狭記録トラック25化された記録媒体24と
対向する素子長Ｌを、その素子幅Ｗとの比（L/W:アスペ
クト比）が所定の大きな値となる長さのパーマロイ（Ni
−Fe）などの薄膜により直線状に形成し、その中央部に
おける該狭記録トラック25幅に対応する長さｌ部分を挟
む形に一対の銅（Cu）などからなる引出し端子34を接続
配置して、該長さｌ部分を信号検出部32、その他の部分
を非検出部33とする。また、トラック密度の高密度化の
要求に応えるため、引出し端子34間の間隔、即ち信号検
出部32の長さｌをトラック幅に対応させるが、信号検出
部32の長さｌを短くすると、MR素子の全長Ｌが必然的に
短くなるため、全長Ｌは許される長さ一杯にし、両端延
長部（非検出部33）の長さを信号検出部32の長さｌより
長くしてアスペクト比（L/W）をできるだけ大きくす
る。かくすれば、再生時の信号検出部32における磁区の
急激な移動により生ずるバルクハウゼン雑音が抑制され
る。またこの信号検出部32の各引出し端子34接続端より
外方向に延長された非検出部33にはバイアス電流が流れ
ないことから、再生すべきトラックの隣のトラックから
の影響を受けることがなくなる等、再生特性が著しく向
上する。
更に第２図は本発明に係るシールド型の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおけるMR素子の他の実施例構成を示す斜
視図であり、第１図と同等部分には同一符号を付してい
る。
型磁気ヘッドにおけるMR素子の他の実施例構成を示す斜
視図であり、第１図と同等部分には同一符号を付してい
る。
第２図の実施例が第１図の実施例と異なる点は、直線
状のMR素子41を構成する信号検出部42及び各引出し端子
44と、該各引出し端子44の接続端より外方向に延長され
た非検出部43とが、パーマロイ（Ni−Fe）などの同一材
料によるパターン形成により設けたことである。本実施
例構成によれば、前記第１図による実施例と同様な効果
が得られると共に、MR素子41の形成工程が簡略化される
利点がある。
状のMR素子41を構成する信号検出部42及び各引出し端子
44と、該各引出し端子44の接続端より外方向に延長され
た非検出部43とが、パーマロイ（Ni−Fe）などの同一材
料によるパターン形成により設けたことである。本実施
例構成によれば、前記第１図による実施例と同様な効果
が得られると共に、MR素子41の形成工程が簡略化される
利点がある。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵
抗効果型磁気ヘッドによれば、記録媒体の狭トラックに
対応して直線状に形成されたMR素子の信号検出部の長さ
ｌを短くしても、素子長Ｌと素子幅Ｗとの比（L/W）を
大きく構成することが可能となり、再生時の信号検出部
における磁区の急激な移動が減少され、バルクハウゼン
雑音が低減できる優れた利点を有し、再生効率の良好な
シールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得ることがで
きる。
抗効果型磁気ヘッドによれば、記録媒体の狭トラックに
対応して直線状に形成されたMR素子の信号検出部の長さ
ｌを短くしても、素子長Ｌと素子幅Ｗとの比（L/W）を
大きく構成することが可能となり、再生時の信号検出部
における磁区の急激な移動が減少され、バルクハウゼン
雑音が低減できる優れた利点を有し、再生効率の良好な
シールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得ることがで
きる。
従って、高密度記録化（狭トラック化）された磁気デ
ィスク媒体に対する再生ヘッドとして適用することによ
り、実用上優れた効果を奏する。
ィスク媒体に対する再生ヘッドとして適用することによ
り、実用上優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係るシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおけるMR素子の一実施例を示す部分拡大斜視図、 第２図は本発明に係るシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおけるMR素子の他の実施例を示す部分拡大斜視
図、 第３図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
説明するための要部断面図、 第４図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるMR素子の一例を示す部分拡大斜視図、 第５図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるMR素子の他の例を示す部分拡大斜視図である。 第１図及び第２図において、 24は記録媒体、25は狭記録トラック、31,41はMR素子、3
2,42は信号検出部、33,43は非検出部、34,44は引出し端
子をそれぞれ示す。
ッドにおけるMR素子の一実施例を示す部分拡大斜視図、 第２図は本発明に係るシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおけるMR素子の他の実施例を示す部分拡大斜視
図、 第３図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
説明するための要部断面図、 第４図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるMR素子の一例を示す部分拡大斜視図、 第５図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるMR素子の他の例を示す部分拡大斜視図である。 第１図及び第２図において、 24は記録媒体、25は狭記録トラック、31,41はMR素子、3
2,42は信号検出部、33,43は非検出部、34,44は引出し端
子をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】直線状に形成された磁気抵抗効果素子の両
端部に信号検出用の一対の引出し端子を接続し、引出し
端子間の領域を信号検出部としたヘッド構成において、 上記磁気抵抗効果素子の両端部それぞれを上記引出し端
子との接合部から延長し、非検出部となる該延長部分の
長さを上記信号検出部の長さより長く設定して当該素子
の全長Ｌと幅Ｗとで定まるアスペクト比（L/W）を大き
くしたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119752A JP2513689B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119752A JP2513689B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285719A JPS63285719A (ja) | 1988-11-22 |
| JP2513689B2 true JP2513689B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=14769277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62119752A Expired - Lifetime JP2513689B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513689B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04284443A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気ヘッド |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593527A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production of magnetoresistance effect type magnetic head |
| JPS56165925A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetoresistance effect type head |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62119752A patent/JP2513689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593527A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production of magnetoresistance effect type magnetic head |
| JPS56165925A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetoresistance effect type head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63285719A (ja) | 1988-11-22 |
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