JPS63285719A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPS63285719A JPS63285719A JP11975287A JP11975287A JPS63285719A JP S63285719 A JPS63285719 A JP S63285719A JP 11975287 A JP11975287 A JP 11975287A JP 11975287 A JP11975287 A JP 11975287A JP S63285719 A JPS63285719 A JP S63285719A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は磁気テープ装置、或いは磁気ディスク装置など
に用いられるシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おいて、２つのシールド磁性体間に、バイアス導体層と
ＭＲ素子とをそれぞれ層間絶縁体層を介して配設した構
成における前記ＭＲ素子の両端部を、トラック幅と対応
する信号検出部の引出し端子が接続される部分よりそれ
ぞれ延長して設け、その素子長しと素子幅Ｗとの比（Ｌ
／Ｗ）を大きくした構成とすることにより、再生時の信
号検出部における磁区の急激な移動を減少してバルクハ
ウゼン雑音の発生を低減し、高密度記録化（狭トラツク
化）された磁気ディスク媒体に対する再生効率の向上を
図ったものである。
に用いられるシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おいて、２つのシールド磁性体間に、バイアス導体層と
ＭＲ素子とをそれぞれ層間絶縁体層を介して配設した構
成における前記ＭＲ素子の両端部を、トラック幅と対応
する信号検出部の引出し端子が接続される部分よりそれ
ぞれ延長して設け、その素子長しと素子幅Ｗとの比（Ｌ
／Ｗ）を大きくした構成とすることにより、再生時の信
号検出部における磁区の急激な移動を減少してバルクハ
ウゼン雑音の発生を低減し、高密度記録化（狭トラツク
化）された磁気ディスク媒体に対する再生効率の向上を
図ったものである。
本発明は磁気テープ装置、或いは磁気ディスク装置など
の再生ヘッドとして用いられる磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの改良に係り、特に再生時のバルクハウゼン雑音
を低減したシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
するものである。
の再生ヘッドとして用いられる磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの改良に係り、特に再生時のバルクハウゼン雑音
を低減したシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
するものである。
近来、磁気ディスク装置においては益々情報記録の大容
量化が急速に進められ、それに伴って例えば磁気ディス
ク媒体のトラック密度を向上させるために磁気ヘッドの
磁極幅も微小化されている。。
量化が急速に進められ、それに伴って例えば磁気ディス
ク媒体のトラック密度を向上させるために磁気ヘッドの
磁極幅も微小化されている。。
ところがそのような従来の誘導型磁気ヘッドによる再生
では、十分な再生出力が得られないことから、磁気ディ
スク媒体の狭記録トラック化による再生出力低下に対す
る解決手段として、構造が筒車で、再生出力が記録媒体
速度に依存せず、しかも大出力が得られる再生ヘッドと
して極めて有利なシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドが注目されている。
では、十分な再生出力が得られないことから、磁気ディ
スク媒体の狭記録トラック化による再生出力低下に対す
る解決手段として、構造が筒車で、再生出力が記録媒体
速度に依存せず、しかも大出力が得られる再生ヘッドと
して極めて有利なシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドが注目されている。
しかし、かかるシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
を、その検出部を短くして狭記録トラック化された磁気
ディスク媒体に対する再生ヘッドとして適用した場合、
バルクハウゼン雑音の発生が顕著である。このため、そ
のような狭記録トラックに対する再生時に発生するバル
クハウゼン雑音を容易に低減し得る磁気抵抗効果型のヘ
ッド構造が必要とされている。
を、その検出部を短くして狭記録トラック化された磁気
ディスク媒体に対する再生ヘッドとして適用した場合、
バルクハウゼン雑音の発生が顕著である。このため、そ
のような狭記録トラックに対する再生時に発生するバル
クハウゼン雑音を容易に低減し得る磁気抵抗効果型のヘ
ッド構造が必要とされている。
従来のシールド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下Ｍ
Ｒヘッドと略称する）は第３図に示すように、例えばＭ
ｎ−Ｚｎフェライトなどからなる下部シールド磁性体を
兼ねた磁性基板１１とパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などか
らなる上部シールド磁性体層１２との間に、例えば銅（
Ｃｕ）などからなるバイアス導体層１４と、第４図の部
分拡大斜視図に示すように記録媒体１６の記録トラック
１７と対応する直線形状のパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）な
どの強磁性体からなる信号検出部１５ａとその両端に引
出し端子１５ｂが接続された形状の磁気抵抗効果素子（
以下ＭＲ素子と称する）１５とが、それぞれＳｉＯ□、
またはＡｌ□Ｏ１からなる非磁性絶縁層１３を介して平
行に配設した構成からなっている。
Ｒヘッドと略称する）は第３図に示すように、例えばＭ
ｎ−Ｚｎフェライトなどからなる下部シールド磁性体を
兼ねた磁性基板１１とパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などか
らなる上部シールド磁性体層１２との間に、例えば銅（
Ｃｕ）などからなるバイアス導体層１４と、第４図の部
分拡大斜視図に示すように記録媒体１６の記録トラック
１７と対応する直線形状のパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）な
どの強磁性体からなる信号検出部１５ａとその両端に引
出し端子１５ｂが接続された形状の磁気抵抗効果素子（
以下ＭＲ素子と称する）１５とが、それぞれＳｉＯ□、
またはＡｌ□Ｏ１からなる非磁性絶縁層１３を介して平
行に配設した構成からなっている。
かかるＭＲヘッドにより記録媒体１６の情報を再生する
に際しては、該バイアス導体層１４とＭＲ素子１５の磁
化容易軸方向（信号検出部１５ａの長さ方向）にそれぞ
れ一定電流を供給することにより、該バイアス印加用導
体層１４に流れる電流により発生する磁界がＭＲ素子１
５に対するバイアス磁界として印加され、矢印Ａの方向
に移動する記録媒体１６より該ＭＲ素子１５の磁化容易
軸に対して、垂直な磁化困難軸方向の記録磁界に応じて
変化する該ＭＲ素子１５の抵抗変化を電圧変化として検
出し再生を行っている。
に際しては、該バイアス導体層１４とＭＲ素子１５の磁
化容易軸方向（信号検出部１５ａの長さ方向）にそれぞ
れ一定電流を供給することにより、該バイアス印加用導
体層１４に流れる電流により発生する磁界がＭＲ素子１
５に対するバイアス磁界として印加され、矢印Ａの方向
に移動する記録媒体１６より該ＭＲ素子１５の磁化容易
軸に対して、垂直な磁化困難軸方向の記録磁界に応じて
変化する該ＭＲ素子１５の抵抗変化を電圧変化として検
出し再生を行っている。
ところでこのような従来のＭＲヘッドの構成にあっては
、再生時にＭＲ素子１５の信号検出部１５ａにおける磁
区の急激な移動によって生じるバルクハウゼン雑音を抑
制するために、ＭＲ素子１５としては第４図に示すよう
にその素子長りと素子幅Ｗとの比、Ｌ／Ｗ （アスペク
ト比）をでき得る限り大きくする必要があり、またその
ような構成がとられている。
、再生時にＭＲ素子１５の信号検出部１５ａにおける磁
区の急激な移動によって生じるバルクハウゼン雑音を抑
制するために、ＭＲ素子１５としては第４図に示すよう
にその素子長りと素子幅Ｗとの比、Ｌ／Ｗ （アスペク
ト比）をでき得る限り大きくする必要があり、またその
ような構成がとられている。
しかしながら、かかるＭＲヘッドを狭記録トラック化さ
れた記録媒体１６に対する再生ヘッドとして適用する場
合、ＭＲ素子１５の信号検出部１５ａの長さｌをトラッ
ク１７の幅に対応して短くする必要がある。
れた記録媒体１６に対する再生ヘッドとして適用する場
合、ＭＲ素子１５の信号検出部１５ａの長さｌをトラッ
ク１７の幅に対応して短くする必要がある。
ところが該ＭＲ素子１５の信号検出部１５ａの長さＥを
短くすると必然的に素子長しも短くなり、素子幅Ｗとの
比、即ちアスペクト比（Ｌ ／Ｗ）の大きいＭＲ素子１
５を構成することが困難となる問題があった。
短くすると必然的に素子長しも短くなり、素子幅Ｗとの
比、即ちアスペクト比（Ｌ ／Ｗ）の大きいＭＲ素子１
５を構成することが困難となる問題があった。
そこでこのような狭記録トランク化に対処するＭＲヘッ
ドとして、例えば第５図に示すようにＭＲ素子２１の素
子長りをアスペクト比（Ｌ／Ｗ）が大きくなるように長
く設け、その素子長り部分における記録媒体２４の狭記
録トランク２５幅と対応する信号検出部２２以外の両側
部分に、幅広の引出し端子２３を短絡する形に接続して
、その各接続部分の信号検出感度を低下させた構成も試
みられているが、その各引出し端子２３の接続部分が完
全な信号非検出感度部分とはならないため、該接続部分
が隣りのトラックからの信号の影響を受は易いという欠
点があった。
ドとして、例えば第５図に示すようにＭＲ素子２１の素
子長りをアスペクト比（Ｌ／Ｗ）が大きくなるように長
く設け、その素子長り部分における記録媒体２４の狭記
録トランク２５幅と対応する信号検出部２２以外の両側
部分に、幅広の引出し端子２３を短絡する形に接続して
、その各接続部分の信号検出感度を低下させた構成も試
みられているが、その各引出し端子２３の接続部分が完
全な信号非検出感度部分とはならないため、該接続部分
が隣りのトラックからの信号の影響を受は易いという欠
点があった。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、ＭＲ素子の素子
長りを、狭記録トラック幅と対応する信号検出部に完全
な信号非検出感度部分を加えて長（して、アスペクト比
（Ｌ／Ｗ）を大きくし、再生時の磁区の急激な移動によ
って生ずるバルクハウゼン雑音を抑制した新規なシール
ド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的
とするものである。
長りを、狭記録トラック幅と対応する信号検出部に完全
な信号非検出感度部分を加えて長（して、アスペクト比
（Ｌ／Ｗ）を大きくし、再生時の磁区の急激な移動によ
って生ずるバルクハウゼン雑音を抑制した新規なシール
ド型の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的
とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、２つのシールド磁性
体間に、バイアス導体層とＭＲ素子とをそれぞれ層間絶
縁体層を介して配設したヘッド構成における前記ＭＲ素
子の両端部を、トラック幅と対応する信号検出部の引出
し端子が接続される部分よりそれぞれ延長して設け、そ
の素子長と素子幅の比（アクペクト比）を太き（した構
成とする。
体間に、バイアス導体層とＭＲ素子とをそれぞれ層間絶
縁体層を介して配設したヘッド構成における前記ＭＲ素
子の両端部を、トラック幅と対応する信号検出部の引出
し端子が接続される部分よりそれぞれ延長して設け、そ
の素子長と素子幅の比（アクペクト比）を太き（した構
成とする。
本発明のシールド型のＭＲヘッドは、ＭＲ素子の長さを
、トラック幅と対応する信号検出部の引出し端子が接続
された両端よりそれぞれ延長して長く設けているため、
ｇ９ Ｍ Ｒ素子の素子長と素子幅の比（アクペクト比
）が大きくなり、再生時の信号検出部における磁区の急
激な移、動により生ずるバルクハウゼン雑音が抑制され
る。
、トラック幅と対応する信号検出部の引出し端子が接続
された両端よりそれぞれ延長して長く設けているため、
ｇ９ Ｍ Ｒ素子の素子長と素子幅の比（アクペクト比
）が大きくなり、再生時の信号検出部における磁区の急
激な移、動により生ずるバルクハウゼン雑音が抑制され
る。
またこのようなＭＲ素子の信号検出部の各引出し端子接
続端より延長して設けられた部分は、再生時に電流が流
れないので、信号検出の機能がなく、再生すべきトラッ
クの隣のトラックからの影響を受けることはない。
続端より延長して設けられた部分は、再生時に電流が流
れないので、信号検出の機能がなく、再生すべきトラッ
クの隣のトラックからの影響を受けることはない。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るシールド型の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおけるＭＲ素子の構成の一実施例を示す斜視図
であり、第５図と同等部分には同一符号を付している。
ヘッドにおけるＭＲ素子の構成の一実施例を示す斜視図
であり、第５図と同等部分には同一符号を付している。
第１図の実施例が第５図の例と異なる点は、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライトなどの磁性基板からなる下部シールド磁性体
とパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などからなる上部シールド
磁性体層との間に、バイアス導体層と共にそれぞれＳｉ
ｎ、、またはＡ ｌ ２０３からなる層間絶縁層を介し
て配設したＭＲ素子３１の構成として、狭記録トラック
２５化された記録媒体２４と対向する素子長りを、その
素子幅Ｗとの比（Ｌ／Ｗ ：アクペクト比）が所定の大
きな値となる長さにパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの薄
膜により設け、その中央部における該狭記録トランク２
５幅に対応する長さ１部分を挟む形に一対の銅（Ｃｕ）
などからなる引出し端子３４を接続配置して、該長さ２
部分を信号検出部３２、その他の部分を非検出部３３と
した構成としたことである。
フェライトなどの磁性基板からなる下部シールド磁性体
とパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などからなる上部シールド
磁性体層との間に、バイアス導体層と共にそれぞれＳｉ
ｎ、、またはＡ ｌ ２０３からなる層間絶縁層を介し
て配設したＭＲ素子３１の構成として、狭記録トラック
２５化された記録媒体２４と対向する素子長りを、その
素子幅Ｗとの比（Ｌ／Ｗ ：アクペクト比）が所定の大
きな値となる長さにパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの薄
膜により設け、その中央部における該狭記録トランク２
５幅に対応する長さ１部分を挟む形に一対の銅（Ｃｕ）
などからなる引出し端子３４を接続配置して、該長さ２
部分を信号検出部３２、その他の部分を非検出部３３と
した構成としたことである。
かくすれば、再生時の信号検出部３２における磁区の急
激な移動により生ずるバルクハウゼン雑音が抑制される
。またこの信号検出部３２の各引出し端子３４接続端よ
り外方向に延長された非検出部３３にはバイアス電流が
流れないことから、再生すべきトラックの隣のトラック
からの影響を受けることがなくなる等、再生特性が著し
く向上する。
激な移動により生ずるバルクハウゼン雑音が抑制される
。またこの信号検出部３２の各引出し端子３４接続端よ
り外方向に延長された非検出部３３にはバイアス電流が
流れないことから、再生すべきトラックの隣のトラック
からの影響を受けることがなくなる等、再生特性が著し
く向上する。
更に第２図は本発明に係るシールド型の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおけるＭＲ素子の他の実施例構成を示す斜
視図であり、第１図と同等部分には同一符号を付してい
る。
磁気ヘッドにおけるＭＲ素子の他の実施例構成を示す斜
視図であり、第１図と同等部分には同一符号を付してい
る。
第２図の実施例が第１図の実施例と異なる点は、ＭＲ素
子４１を構成する信号検出部４２及び各引出し端子４４
と、該各引出し端子４４の接続端より外方向に延長され
た非検出部４３とが、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの
同一材料によるパターン形成により設けたことである。
子４１を構成する信号検出部４２及び各引出し端子４４
と、該各引出し端子４４の接続端より外方向に延長され
た非検出部４３とが、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの
同一材料によるパターン形成により設けたことである。
本実施例構成によれば、前記第１図による実施例と同様
な効果が得られると共に、ＭＲ素子４１の形成工程が簡
略化される利点がある。
な効果が得られると共に、ＭＲ素子４１の形成工程が簡
略化される利点がある。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗
効果型磁気ヘッドによれば、記録媒体の狭トラツクに対
応してＭＲ素子の信号検出部の長さｌを短くしても、素
子長しと素子幅Ｗとの比（Ｌ／Ｗ）を大きく構成するこ
とが可能となり、再生時の信号検出部における磁区の急
激な移動が減少され、バルクハウゼン雑音が低減できる
優れた利点を有し、再生効率の良好なシールド型の磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを得ることができる。
効果型磁気ヘッドによれば、記録媒体の狭トラツクに対
応してＭＲ素子の信号検出部の長さｌを短くしても、素
子長しと素子幅Ｗとの比（Ｌ／Ｗ）を大きく構成するこ
とが可能となり、再生時の信号検出部における磁区の急
激な移動が減少され、バルクハウゼン雑音が低減できる
優れた利点を有し、再生効率の良好なシールド型の磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを得ることができる。
従って、高密度記録化（狭トラツク化）された磁気ディ
スク媒体に対する再生ヘッドとして適用することにより
、実用上価れた効果を奏する。
スク媒体に対する再生ヘッドとして適用することにより
、実用上価れた効果を奏する。
第１図は本発明に係るシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおけるＭＲ素子の一実 施例を示す部分拡大斜視図、 第２図は本発明に係るシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおけるＭＲ素子の他の 実施例を示す部分拡大斜視図、 第３図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
説明するための要部断面図、 第４図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるＭＲ素子の一例を示す 部分拡大斜視図、 第５図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるＭＲ素子の他の例を示 す部分拡大斜視図である。 第１図及び第２図において、 ２４は記録媒体、２５は狭記録トラック、３１゜４１は
ＭＲ素子、３２．４２は信号検出部、３３゜４３は非検
出部、３４．４４は引出し端子をそれぞれ示す。 劃−、ｌｒ耗剖１敲咽ｆｔｆ舒斬伐閃 第１図 ｊ＃４蛎可のす＝の突方台分Ｊｅｔ荒り（’ｔｊ３零Ｉ
ｎ−ト引Ｉｆ？り第２ｒＸＪ 従未＾ＭＦ？素知Ａへε米１帥糾徨国 第４図 第５凶
ッドにおけるＭＲ素子の一実 施例を示す部分拡大斜視図、 第２図は本発明に係るシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおけるＭＲ素子の他の 実施例を示す部分拡大斜視図、 第３図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
説明するための要部断面図、 第４図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるＭＲ素子の一例を示す 部分拡大斜視図、 第５図は従来のシールド型磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるＭＲ素子の他の例を示 す部分拡大斜視図である。 第１図及び第２図において、 ２４は記録媒体、２５は狭記録トラック、３１゜４１は
ＭＲ素子、３２．４２は信号検出部、３３゜４３は非検
出部、３４．４４は引出し端子をそれぞれ示す。 劃−、ｌｒ耗剖１敲咽ｆｔｆ舒斬伐閃 第１図 ｊ＃４蛎可のす＝の突方台分Ｊｅｔ荒り（’ｔｊ３零Ｉ
ｎ−ト引Ｉｆ？り第２ｒＸＪ 従未＾ＭＦ？素知Ａへε米１帥糾徨国 第４図 第５凶
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ２つのシールド磁性体間に、バイアス導体層と磁気抵抗
効果素子（３１）とをそれぞれ層間絶縁体層を介して配
設したヘッド構成において、 上記磁気抵抗効果素子（３１）の両端部を、その信号検
出部（３２）の引出し端子（３４）が接続される部分よ
りそれぞれ延長して設け、その素子長Ｌと素子幅Ｗの比
（Ｌ／Ｗ）を大きくしたことを特徴とする磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119752A JP2513689B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119752A JP2513689B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285719A true JPS63285719A (ja) | 1988-11-22 |
| JP2513689B2 JP2513689B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=14769277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62119752A Expired - Lifetime JP2513689B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513689B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04284443A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気ヘッド |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593527A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production of magnetoresistance effect type magnetic head |
| JPS56165925A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetoresistance effect type head |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62119752A patent/JP2513689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593527A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production of magnetoresistance effect type magnetic head |
| JPS56165925A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetoresistance effect type head |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04284443A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2513689B2 (ja) | 1996-07-03 |
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