JP3270174B2 - 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気ディスク装置Info
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- JP3270174B2 JP3270174B2 JP05349593A JP5349593A JP3270174B2 JP 3270174 B2 JP3270174 B2 JP 3270174B2 JP 05349593 A JP05349593 A JP 05349593A JP 5349593 A JP5349593 A JP 5349593A JP 3270174 B2 JP3270174 B2 JP 3270174B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
やＶＴＲ等に用いられる磁気抵抗効果型再生ヘッドに係
り、特に、バルクハウゼンノイズの抑制が可能で、高感
度、高Ｓ／Ｎ、高線分解能が達成可能な磁気抵抗効果型
再生ヘッドに関する。
やＶＴＲ等に用いられる磁気抵抗効果型再生ヘッドに係
り、特に、バルクハウゼンノイズの抑制が可能で、高感
度、高Ｓ／Ｎ、高線分解能が達成可能な磁気抵抗効果型
再生ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】シールド型ＭＲヘッドは、高透磁率を有
するシールド層と磁気抵抗効果素子との間の電気的な絶
縁を確保するために、絶縁層の厚みをある一定以下にす
ることが困難であるため、絶縁層の厚みで規定される線
記録分解能を向上させることが難しかった。この問題を
解決する手段として、２枚の異方性磁気抵抗効果素子を
非磁性絶縁層または非磁性金属層からなる中間層を間に
介して積層した構造のデュアルエレメントタイプの磁気
抵抗効果型ヘッドが知られている（特公昭５３−５７２
０４号）。
するシールド層と磁気抵抗効果素子との間の電気的な絶
縁を確保するために、絶縁層の厚みをある一定以下にす
ることが困難であるため、絶縁層の厚みで規定される線
記録分解能を向上させることが難しかった。この問題を
解決する手段として、２枚の異方性磁気抵抗効果素子を
非磁性絶縁層または非磁性金属層からなる中間層を間に
介して積層した構造のデュアルエレメントタイプの磁気
抵抗効果型ヘッドが知られている（特公昭５３−５７２
０４号）。
【０００３】このタイプの磁気抵抗効果型ヘッドでは、
一対の磁気抵抗効果素子に、例えば記録トラック幅の方
向に同一極性のセンス電流を流すと、互いに逆磁性で且
つ磁気記録媒体面に垂直な方向に動作点バイアスが付与
される。そのため、２枚の磁気抵抗効果素子は、それぞ
れ同一極性の信号磁界に対しては逆極性の電気抵抗変化
を示し、これらが相殺するために出力が発生しない。ま
た、互いに逆極性の信号磁界を受けたときには、同極性
の電気抵抗変化を生じるため、これらが強め合うことに
より出力が得られる。
一対の磁気抵抗効果素子に、例えば記録トラック幅の方
向に同一極性のセンス電流を流すと、互いに逆磁性で且
つ磁気記録媒体面に垂直な方向に動作点バイアスが付与
される。そのため、２枚の磁気抵抗効果素子は、それぞ
れ同一極性の信号磁界に対しては逆極性の電気抵抗変化
を示し、これらが相殺するために出力が発生しない。ま
た、互いに逆極性の信号磁界を受けたときには、同極性
の電気抵抗変化を生じるため、これらが強め合うことに
より出力が得られる。
【０００４】このように、デュアルエレメントタイプの
磁気抵抗効果型ヘッドは、いわゆる差動動作の出力応答
をする再生ヘッドである。しかも、中間層の膜厚で線分
解能を規定できるために、シールド層を設ける必要がな
く、従って簡単な構造で、高分解能で高Ｓ／Ｎの信号再
生を可能にすることが知られている。
磁気抵抗効果型ヘッドは、いわゆる差動動作の出力応答
をする再生ヘッドである。しかも、中間層の膜厚で線分
解能を規定できるために、シールド層を設ける必要がな
く、従って簡単な構造で、高分解能で高Ｓ／Ｎの信号再
生を可能にすることが知られている。
【０００５】しかしながら、このタイプの磁気抵抗効果
型ヘッドに関しては、簡単なヘッド構造を維持したま
ま、効果的な交換バイアス方法を一対の磁気抵抗効果素
子に付与してバルクハウゼンノイズを抑制する技術が見
出だされていないため、今のところ実用化が難しく、そ
の解決策が待たれていた。
型ヘッドに関しては、簡単なヘッド構造を維持したま
ま、効果的な交換バイアス方法を一対の磁気抵抗効果素
子に付与してバルクハウゼンノイズを抑制する技術が見
出だされていないため、今のところ実用化が難しく、そ
の解決策が待たれていた。
【０００６】また最近では、従来の異方性磁気抵抗効果
よりも高感度のスピンバルブ現象を始めとする巨大磁気
抵抗効果が発見されており、この効果を利用した磁気抵
抗効果素子の再生ヘッドへの応用が研究されている。し
かし、今のところ、前述のように出力応答が差動動作す
るタイプで、しかも高信頼性、高線分解能、高Ｓ／Ｎが
同時に満足されるような素子構造またはヘッド構造は知
られていない。
よりも高感度のスピンバルブ現象を始めとする巨大磁気
抵抗効果が発見されており、この効果を利用した磁気抵
抗効果素子の再生ヘッドへの応用が研究されている。し
かし、今のところ、前述のように出力応答が差動動作す
るタイプで、しかも高信頼性、高線分解能、高Ｓ／Ｎが
同時に満足されるような素子構造またはヘッド構造は知
られていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、バル
クハウゼンノイズの抑制が容易で、高感度、高Ｓ／Ｎ、
高線分解能、高信頼性が得られ、しかも製造が容易な磁
気抵抗効果型ヘッドを提供することにある。
クハウゼンノイズの抑制が容易で、高感度、高Ｓ／Ｎ、
高線分解能、高信頼性が得られ、しかも製造が容易な磁
気抵抗効果型ヘッドを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するために、本発明は、第１の磁気抵抗効果素子と第２
の磁気抵抗効果素子を反強磁性膜を間に介在させて積層
してなり、前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子は、と
もに異方性磁気抵抗効果膜であるか、または一対の磁性
膜を非磁性金属膜を間に介在させて積層したものである
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。本
発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、以下の態様が可能であ
る。
するために、本発明は、第１の磁気抵抗効果素子と第２
の磁気抵抗効果素子を反強磁性膜を間に介在させて積層
してなり、前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子は、と
もに異方性磁気抵抗効果膜であるか、または一対の磁性
膜を非磁性金属膜を間に介在させて積層したものである
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。本
発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、以下の態様が可能であ
る。
【０００９】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
第１及び第２の磁気抵抗効果素子は両者ともに２枚の磁
性膜が非磁性金属膜を介して積層構成されたものであ
り、第１及び第２の磁気抵抗効果素子に通電するセンス
電流の方向を磁気記録媒体に磁化された記録トラックの
幅方向とし、且つ反強磁性膜によって第１及び第２の磁
気抵抗効果素子を構成する２枚の磁性膜の内、反強磁性
膜に接する側の磁性膜に対して記録トラック幅方向に同
極性または互いに逆極性の縦バイアス磁界を付与したこ
とを特徴とするもの。
第１及び第２の磁気抵抗効果素子は両者ともに２枚の磁
性膜が非磁性金属膜を介して積層構成されたものであ
り、第１及び第２の磁気抵抗効果素子に通電するセンス
電流の方向を磁気記録媒体に磁化された記録トラックの
幅方向とし、且つ反強磁性膜によって第１及び第２の磁
気抵抗効果素子を構成する２枚の磁性膜の内、反強磁性
膜に接する側の磁性膜に対して記録トラック幅方向に同
極性または互いに逆極性の縦バイアス磁界を付与したこ
とを特徴とするもの。
【００１０】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
第１及び第２の磁気抵抗効果素子は両者ともに２枚の磁
性膜が非磁性金属膜を介して積層構成されたものであ
り、第１及び第２の磁気抵抗効果素子に通電するセンス
電流の方向を磁気記録媒体面に垂直な方向とし、第１及
び第２の磁気抵抗効果素子の間に２層の反強磁性膜（２
層の反強磁性膜の間に磁性膜を介してもよい）が設けら
れ、一方の磁気抵抗効果素子を構成する２枚の磁性膜の
内、一方の反強磁性膜に接する側の磁性膜に対して一方
の反強磁性膜により磁気記録媒体面に垂直な方向に縦バ
イアス磁界を付与し、他方の磁気抵抗効果素子を構成す
る２枚の磁性膜の内、他方の反強磁性膜に接する側の磁
性膜に対しては他方の反強磁性膜により一方の磁気抵抗
効果素子側への縦バアイス磁界とは同方向だが逆極性の
縦バイアス磁界を付与したことを特徴とするもの。な
お、１層の反強磁性膜用いても、同様の縦バイアス磁界
の付与は可能である。
第１及び第２の磁気抵抗効果素子は両者ともに２枚の磁
性膜が非磁性金属膜を介して積層構成されたものであ
り、第１及び第２の磁気抵抗効果素子に通電するセンス
電流の方向を磁気記録媒体面に垂直な方向とし、第１及
び第２の磁気抵抗効果素子の間に２層の反強磁性膜（２
層の反強磁性膜の間に磁性膜を介してもよい）が設けら
れ、一方の磁気抵抗効果素子を構成する２枚の磁性膜の
内、一方の反強磁性膜に接する側の磁性膜に対して一方
の反強磁性膜により磁気記録媒体面に垂直な方向に縦バ
イアス磁界を付与し、他方の磁気抵抗効果素子を構成す
る２枚の磁性膜の内、他方の反強磁性膜に接する側の磁
性膜に対しては他方の反強磁性膜により一方の磁気抵抗
効果素子側への縦バアイス磁界とは同方向だが逆極性の
縦バイアス磁界を付与したことを特徴とするもの。な
お、１層の反強磁性膜用いても、同様の縦バイアス磁界
の付与は可能である。
【００１１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
反強磁性膜が第１および第２の反強磁性膜の積層膜から
なる絶縁膜あるいは半導体の膜であり、第１の磁性膜は
第１の反強磁性膜により第１の磁性膜の膜面及び媒体対
向面に平行な方向の第１の交換バイアス磁界を付与さ
れ、第２の磁性膜は第２の反強磁性膜により第２の磁性
膜の膜面及び媒体対向面に平行な方向で第１の交換バイ
アス磁界とは逆極性を有する第２の交換バイアス磁界を
付与され、且つ第１および第２の磁性膜の膜面垂直方向
に電圧を印加して第１および第２の反強磁性膜にトンネ
ル電流を流しておいたときに、第１および第２の磁性膜
が磁気記録媒体からの信号磁界を受けることによって生
ずる電気抵抗の変化を電圧変化として検出することによ
って、信号再生をすることを特徴とするもの。
反強磁性膜が第１および第２の反強磁性膜の積層膜から
なる絶縁膜あるいは半導体の膜であり、第１の磁性膜は
第１の反強磁性膜により第１の磁性膜の膜面及び媒体対
向面に平行な方向の第１の交換バイアス磁界を付与さ
れ、第２の磁性膜は第２の反強磁性膜により第２の磁性
膜の膜面及び媒体対向面に平行な方向で第１の交換バイ
アス磁界とは逆極性を有する第２の交換バイアス磁界を
付与され、且つ第１および第２の磁性膜の膜面垂直方向
に電圧を印加して第１および第２の反強磁性膜にトンネ
ル電流を流しておいたときに、第１および第２の磁性膜
が磁気記録媒体からの信号磁界を受けることによって生
ずる電気抵抗の変化を電圧変化として検出することによ
って、信号再生をすることを特徴とするもの。
【００１２】以上説明したように、本発明の磁気抵抗効
果型ヘッドでは、反強磁性膜を介して積層した２つの磁
気抵抗素子を磁気記録媒体に記録された磁化による信号
磁界を検出する一対の磁気抵抗効果素子として用いるこ
とによって、反強磁性膜により一対の磁気抵抗効果素子
に対してトラック幅方向へ同極性あるいは逆極性の交換
バイアス磁界を付与するとともに、一対の磁気抵抗効果
素子へ記録トラック幅方向で同一方向にセンス電流を通
電するか、あるいは反強磁性膜により一対の磁気抵抗効
果素子に対して磁気記録媒体面に垂直な方向に同極性あ
るいは逆極性の交換バイアス磁界を付与するとともに、
一対の磁気抵抗効果素子へ磁気記録媒体面に垂直な同一
方向にセンス電流を通電することによって、一対の磁気
抵抗効果素子が同一極性の信号磁界に対しては電気抵抗
の変化が相殺し合い、一方、逆極性の信号磁界に対して
は電気抵抗の変化が強め合う差動動作原理の磁気抵抗効
果型ヘッドが構成される。
果型ヘッドでは、反強磁性膜を介して積層した２つの磁
気抵抗素子を磁気記録媒体に記録された磁化による信号
磁界を検出する一対の磁気抵抗効果素子として用いるこ
とによって、反強磁性膜により一対の磁気抵抗効果素子
に対してトラック幅方向へ同極性あるいは逆極性の交換
バイアス磁界を付与するとともに、一対の磁気抵抗効果
素子へ記録トラック幅方向で同一方向にセンス電流を通
電するか、あるいは反強磁性膜により一対の磁気抵抗効
果素子に対して磁気記録媒体面に垂直な方向に同極性あ
るいは逆極性の交換バイアス磁界を付与するとともに、
一対の磁気抵抗効果素子へ磁気記録媒体面に垂直な同一
方向にセンス電流を通電することによって、一対の磁気
抵抗効果素子が同一極性の信号磁界に対しては電気抵抗
の変化が相殺し合い、一方、逆極性の信号磁界に対して
は電気抵抗の変化が強め合う差動動作原理の磁気抵抗効
果型ヘッドが構成される。
【００１３】このように構成される本発明の磁気抵抗効
果型ヘッドによると、バルクハウゼンノイズが生ぜずし
かも高線分解能かつ高感度、高Ｓ／Ｎの信号再生が可能
である。
果型ヘッドによると、バルクハウゼンノイズが生ぜずし
かも高線分解能かつ高感度、高Ｓ／Ｎの信号再生が可能
である。
【００１４】
【作用】本発明では、反強磁性膜を介して積層した一対
の磁気抵抗素子を、磁気記録媒体に記録された磁化によ
る信号磁界を検出する再生ヘッドとして用いている。こ
の場合、反強磁性膜により一対の磁気抵抗効果素子に対
して所定方向と所定強度の交換バイアス磁界が付与され
る。そのため、一対の磁気抵抗効果素子が同時に単磁区
化され、バルクハウゼンノイズを抑制することができ
る。
の磁気抵抗素子を、磁気記録媒体に記録された磁化によ
る信号磁界を検出する再生ヘッドとして用いている。こ
の場合、反強磁性膜により一対の磁気抵抗効果素子に対
して所定方向と所定強度の交換バイアス磁界が付与され
る。そのため、一対の磁気抵抗効果素子が同時に単磁区
化され、バルクハウゼンノイズを抑制することができ
る。
【００１５】しかも、一対の磁気抵抗効果素子に、記録
トラック幅方向または磁気記録媒体面に垂直な方向にセ
ンス電流を通電すると、一対の磁気抵抗効果素子のそれ
ぞれに、磁気記録媒体面に垂直な方向または記録トラッ
ク幅方向に、同一極性または互いに逆極性で動作点バイ
アス磁界が付与される。この動作点バイアス磁界効果
と、一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれに同極性または
逆極性に付与される交換バイアス磁界の効果とによっ
て、一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれは、同一極性の
信号磁界を受けたときには逆極性の電気抵抗変化をする
ために出力電圧は得られず、また互いに逆極性の信号磁
界を受けたときには電気抵抗の変化の方向が同極性とな
るために出力電圧が強め合うという差動動作の出力応答
を示す。
トラック幅方向または磁気記録媒体面に垂直な方向にセ
ンス電流を通電すると、一対の磁気抵抗効果素子のそれ
ぞれに、磁気記録媒体面に垂直な方向または記録トラッ
ク幅方向に、同一極性または互いに逆極性で動作点バイ
アス磁界が付与される。この動作点バイアス磁界効果
と、一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれに同極性または
逆極性に付与される交換バイアス磁界の効果とによっ
て、一対の磁気抵抗効果素子のそれぞれは、同一極性の
信号磁界を受けたときには逆極性の電気抵抗変化をする
ために出力電圧は得られず、また互いに逆極性の信号磁
界を受けたときには電気抵抗の変化の方向が同極性とな
るために出力電圧が強め合うという差動動作の出力応答
を示す。
【００１６】従って、外部から一様な外乱磁界を受けて
もそれには応答しないため、一対の磁気抵抗効果素子の
両側に絶縁層を介して高透磁率のシールド層を配置しな
くても、反強磁性膜の膜厚と磁気抵抗効果素子の膜厚を
規定することによって線記録分解能を規定することがで
きる。
もそれには応答しないため、一対の磁気抵抗効果素子の
両側に絶縁層を介して高透磁率のシールド層を配置しな
くても、反強磁性膜の膜厚と磁気抵抗効果素子の膜厚を
規定することによって線記録分解能を規定することがで
きる。
【００１７】このように、本発明の磁気抵抗効果ヘッド
では、反強磁性膜によって一対の磁気抵抗効果素子の単
磁区化と差動出力応答を可能にし、しかも反強磁性膜の
厚みによって線分解能も規定可能である。
では、反強磁性膜によって一対の磁気抵抗効果素子の単
磁区化と差動出力応答を可能にし、しかも反強磁性膜の
厚みによって線分解能も規定可能である。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の種々の実施例について、図面
を参照して説明する。 ＜実施例１＞ 図１は、本発明の第１の実施例に係る磁気抵抗効果ヘッ
ドを示す。この磁気抵抗効果ヘッドでは、図１（ａ）に
示すように、第１の磁気抵抗効果素子１は、磁性膜１
ａ、非磁性金属膜８及び磁性膜１ａからなる積層膜であ
り、第２の磁気抵抗効果素子２は、磁性膜２ａ、非磁性
金属膜８ｂ及び磁性膜２ｂからなる積層膜である。磁性
膜１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂは、全てＣｏＦｅ，ＮｉＦｅ
等からなり、非磁性金属膜８ａ，８ｂは、Ｃｕ等からな
るものである。
を参照して説明する。 ＜実施例１＞ 図１は、本発明の第１の実施例に係る磁気抵抗効果ヘッ
ドを示す。この磁気抵抗効果ヘッドでは、図１（ａ）に
示すように、第１の磁気抵抗効果素子１は、磁性膜１
ａ、非磁性金属膜８及び磁性膜１ａからなる積層膜であ
り、第２の磁気抵抗効果素子２は、磁性膜２ａ、非磁性
金属膜８ｂ及び磁性膜２ｂからなる積層膜である。磁性
膜１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂは、全てＣｏＦｅ，ＮｉＦｅ
等からなり、非磁性金属膜８ａ，８ｂは、Ｃｕ等からな
るものである。
【００１９】第１の磁気抵抗効果素子１と第２の磁気抵
抗効果素子２は、スピンバルブ現象等の巨大磁気抵抗効
果を示す素子であり、従来の異方性磁気抵抗効果素子よ
りも高感度である。第１の磁気抵抗効果素子１と第２の
磁気抵抗効果素子２は、ＦｅＭｎやＮｉＯ等の反強磁性
膜を介して積層されている。一対の磁気抵抗効果素子に
記録トラック幅方向にセンス電流Ｉs を通電したとき
に、一対の磁気抵抗効果素子が磁気記録媒体５ａから記
録信号磁界を検出し、電気抵抗の変化を生じることによ
り磁気抵抗効果素子の両端間に電圧変化が発生する。こ
の電圧変化を検出することによって、記録信号が再生さ
れる。
抗効果素子２は、スピンバルブ現象等の巨大磁気抵抗効
果を示す素子であり、従来の異方性磁気抵抗効果素子よ
りも高感度である。第１の磁気抵抗効果素子１と第２の
磁気抵抗効果素子２は、ＦｅＭｎやＮｉＯ等の反強磁性
膜を介して積層されている。一対の磁気抵抗効果素子に
記録トラック幅方向にセンス電流Ｉs を通電したとき
に、一対の磁気抵抗効果素子が磁気記録媒体５ａから記
録信号磁界を検出し、電気抵抗の変化を生じることによ
り磁気抵抗効果素子の両端間に電圧変化が発生する。こ
の電圧変化を検出することによって、記録信号が再生さ
れる。
【００２０】図１（ｂ）に示すように、反強磁性膜３に
よって、第１の磁気抵抗効果素子１および磁気抵抗効果
素子２を構成する２枚の磁性膜の内、それぞれ反強磁性
膜３に接する側の磁性膜１ａおよび磁性膜２ａには、そ
れらの磁化Ｍが磁気記録媒体からの信号磁界を受けても
回転できないほどに強い交換バイアス磁界ＨLBが、記録
トラック幅方向に付与される。また、センス電流Ｉs に
よって、第１の磁気抵抗効果素子１および第２の磁気抵
抗効果素子２を構成する反強磁性膜３に接しない側の磁
性膜１ｂおよび磁性膜２ｂには、磁気記録媒体５ａの面
に垂直方向で互いに逆極性の動作点バイアス磁界が付与
される。
よって、第１の磁気抵抗効果素子１および磁気抵抗効果
素子２を構成する２枚の磁性膜の内、それぞれ反強磁性
膜３に接する側の磁性膜１ａおよび磁性膜２ａには、そ
れらの磁化Ｍが磁気記録媒体からの信号磁界を受けても
回転できないほどに強い交換バイアス磁界ＨLBが、記録
トラック幅方向に付与される。また、センス電流Ｉs に
よって、第１の磁気抵抗効果素子１および第２の磁気抵
抗効果素子２を構成する反強磁性膜３に接しない側の磁
性膜１ｂおよび磁性膜２ｂには、磁気記録媒体５ａの面
に垂直方向で互いに逆極性の動作点バイアス磁界が付与
される。
【００２１】その結果、磁性膜１ｂと磁性膜２ｂの中の
磁化Ｍは、図１（ｂ）に示すように、記録トラック幅方
向に対して所定角度傾いており、しかも逆極性で存在す
ることになる。そのため、図１（ｃ）に示すように、第
１の磁気抵抗効果素子１と第２の磁気抵抗効果素子２の
それぞれの電気抵抗の磁界応答カーブ（以下、ＭＲ応答
カーブと呼ぶ）６ａと６ｂは互いにそれぞれの抵抗値の
増減方向が逆になる。即ち、この実施例の磁気抵抗効果
型ヘッドでは、第１の磁気抵抗効果素子１と第２の磁気
抵抗効果素子２が磁気記録媒体５ａから同極性の信号磁
界を受ける限りは、両者の抵抗変化は相殺し合うため、
出力電圧は得られず、逆極性の信号磁界を受けたときに
は、電気抵抗の方向が同極性となるため、出力電圧が強
め合うという差動動作の出力応答を示す。
磁化Ｍは、図１（ｂ）に示すように、記録トラック幅方
向に対して所定角度傾いており、しかも逆極性で存在す
ることになる。そのため、図１（ｃ）に示すように、第
１の磁気抵抗効果素子１と第２の磁気抵抗効果素子２の
それぞれの電気抵抗の磁界応答カーブ（以下、ＭＲ応答
カーブと呼ぶ）６ａと６ｂは互いにそれぞれの抵抗値の
増減方向が逆になる。即ち、この実施例の磁気抵抗効果
型ヘッドでは、第１の磁気抵抗効果素子１と第２の磁気
抵抗効果素子２が磁気記録媒体５ａから同極性の信号磁
界を受ける限りは、両者の抵抗変化は相殺し合うため、
出力電圧は得られず、逆極性の信号磁界を受けたときに
は、電気抵抗の方向が同極性となるため、出力電圧が強
め合うという差動動作の出力応答を示す。
【００２２】従って、一対の磁気抵抗効果素子の両側に
所定のギャップ間隔を置いて高透磁率のシールド層を設
けなくとも、良好な線分解能をもって記録信号の再生を
行うことができる。
所定のギャップ間隔を置いて高透磁率のシールド層を設
けなくとも、良好な線分解能をもって記録信号の再生を
行うことができる。
【００２３】以上のように、この実施例では、一対の磁
気抵抗効果素子の中間に１枚の反強磁性膜を設けるだけ
で、一対の磁気抵抗効果素子に交換バイアスを付与して
両者を共に単磁区化することができるのみならず、その
反強磁性膜の厚みで線記録分解能を規定できるという特
徴がある。その結果、ヘッドの構造が極めて簡単にな
り、製造も容易で、製造歩留まりも向上するという利点
がある。
気抵抗効果素子の中間に１枚の反強磁性膜を設けるだけ
で、一対の磁気抵抗効果素子に交換バイアスを付与して
両者を共に単磁区化することができるのみならず、その
反強磁性膜の厚みで線記録分解能を規定できるという特
徴がある。その結果、ヘッドの構造が極めて簡単にな
り、製造も容易で、製造歩留まりも向上するという利点
がある。
【００２４】＜実施例２＞ 図２は、本発明の第２の実施例に係る磁気抵抗効果ヘッ
ドを示す。この磁気抵抗効果ヘッドでは、第１の実施例
と同様の第１の磁気抵抗効果素子１と第２の磁気抵抗効
果素子２とからなる一対の磁気抵抗効果素子が、磁気記
録媒体５ａから信号磁界を検出するものである。一対の
磁気抵抗効果素子の中間には、第１の反強磁性膜３ａと
第２の反強磁性膜３ｂが積層されてなる反強磁性膜を配
置したものである。
ドを示す。この磁気抵抗効果ヘッドでは、第１の実施例
と同様の第１の磁気抵抗効果素子１と第２の磁気抵抗効
果素子２とからなる一対の磁気抵抗効果素子が、磁気記
録媒体５ａから信号磁界を検出するものである。一対の
磁気抵抗効果素子の中間には、第１の反強磁性膜３ａと
第２の反強磁性膜３ｂが積層されてなる反強磁性膜を配
置したものである。
【００２５】電極４ｂと電極４ａをそれぞれ一対の磁気
抵抗効果素子の磁気記録媒体５ａに対向する面の近傍部
位とそこから離間した部位とに接続し、これらを通して
センス電流を磁気記録媒体５ａの面に垂直な方向に通電
すると、磁気記録媒体５ａを矢印５ｂの方向に走行させ
たときに、一対の磁気抵抗効果素子が記録信号磁界を検
出することによって、電気抵抗変化を生じ、この変化を
電圧変化として取り出すことによって記録信号が再生さ
れる。
抵抗効果素子の磁気記録媒体５ａに対向する面の近傍部
位とそこから離間した部位とに接続し、これらを通して
センス電流を磁気記録媒体５ａの面に垂直な方向に通電
すると、磁気記録媒体５ａを矢印５ｂの方向に走行させ
たときに、一対の磁気抵抗効果素子が記録信号磁界を検
出することによって、電気抵抗変化を生じ、この変化を
電圧変化として取り出すことによって記録信号が再生さ
れる。
【００２６】図２（ｂ）に示すように、本実施例では、
第１及び第２の反強磁性膜３ａ，３ｂによって、第１の
磁気抵抗効果素子１および第２の磁気抵抗効果素子２の
それぞれ第１及び第２の反強磁性膜３ａ，３ｂに接する
側の磁性膜１ａ、磁性膜２ａに対して、磁気記録媒体５
ａの面に垂直な方向で且つ逆極性に、磁化Ｍが信号磁界
を受けても動かない程度に強い交換バイアス磁界ＨLBが
付与される。
第１及び第２の反強磁性膜３ａ，３ｂによって、第１の
磁気抵抗効果素子１および第２の磁気抵抗効果素子２の
それぞれ第１及び第２の反強磁性膜３ａ，３ｂに接する
側の磁性膜１ａ、磁性膜２ａに対して、磁気記録媒体５
ａの面に垂直な方向で且つ逆極性に、磁化Ｍが信号磁界
を受けても動かない程度に強い交換バイアス磁界ＨLBが
付与される。
【００２７】しかも、センス電流Ｉs によって、それぞ
れ第１の磁気抵抗効果素子１および第２の磁気抵抗効果
素子２の反強磁性膜３ａ，３ｂに接しない側の磁性膜１
ｂと磁性膜２ｂに、記録トラック幅方向で且つ逆極性の
動作点バイアス磁界ＨDBが付与される。その結果、磁化
Ｍは、それぞれに付与されるＨDBの方向を向き、磁性膜
１ｂと磁性膜２ｂが信号磁界を検出することによって、
第１の磁気抵抗効果素子１と第２の磁気抵抗効果素子は
それぞれ図２（ｃ）に示す６ａ，６ｂのＭＲ応答カーブ
を示す。そのため、第１の実施例と同様に差動動作で信
号再生ができ、第１の実施例と同様の作用で同様の効果
を得ることができる。
れ第１の磁気抵抗効果素子１および第２の磁気抵抗効果
素子２の反強磁性膜３ａ，３ｂに接しない側の磁性膜１
ｂと磁性膜２ｂに、記録トラック幅方向で且つ逆極性の
動作点バイアス磁界ＨDBが付与される。その結果、磁化
Ｍは、それぞれに付与されるＨDBの方向を向き、磁性膜
１ｂと磁性膜２ｂが信号磁界を検出することによって、
第１の磁気抵抗効果素子１と第２の磁気抵抗効果素子は
それぞれ図２（ｃ）に示す６ａ，６ｂのＭＲ応答カーブ
を示す。そのため、第１の実施例と同様に差動動作で信
号再生ができ、第１の実施例と同様の作用で同様の効果
を得ることができる。
【００２８】＜実施例３＞ 図３は本発明の第３の実施例に係る磁気抵抗効果ヘッド
を示す。この磁気抵抗効果ヘッドは、第２の実施例に係
る磁気抵抗効果ヘッドの変形例である。即ち、反強磁性
膜３は、第１の反強磁性膜３ａと第２の反強磁性膜３ｂ
を磁性膜７を介して積層したものであり、例えば反強磁
性膜３ａと磁性膜７と反強磁性膜３ｂをこの順に積層す
る場合に、先ず３ａを所定の磁場を印加しながら成膜す
ると、その磁場の印加方向に異方性が付与される。一
方、反強磁性膜３ｂは、磁性膜７の上に反強磁性膜３ａ
の場合とは同方向で逆磁性の磁場中で成膜することによ
って、磁性膜７と反強磁性膜３ｂとの界面における磁化
に起因する交換磁界の助けを受けて、反強磁性膜３ａと
は同方向で逆極性に異方性が付与される。そのため、前
述の第２の実施例と同様、一対の磁気抵抗効果素子に交
換バイアス磁界が付与され、その結果、第２の実施例と
同様の作用で同様の効果を得ることができる。
を示す。この磁気抵抗効果ヘッドは、第２の実施例に係
る磁気抵抗効果ヘッドの変形例である。即ち、反強磁性
膜３は、第１の反強磁性膜３ａと第２の反強磁性膜３ｂ
を磁性膜７を介して積層したものであり、例えば反強磁
性膜３ａと磁性膜７と反強磁性膜３ｂをこの順に積層す
る場合に、先ず３ａを所定の磁場を印加しながら成膜す
ると、その磁場の印加方向に異方性が付与される。一
方、反強磁性膜３ｂは、磁性膜７の上に反強磁性膜３ａ
の場合とは同方向で逆磁性の磁場中で成膜することによ
って、磁性膜７と反強磁性膜３ｂとの界面における磁化
に起因する交換磁界の助けを受けて、反強磁性膜３ａと
は同方向で逆極性に異方性が付与される。そのため、前
述の第２の実施例と同様、一対の磁気抵抗効果素子に交
換バイアス磁界が付与され、その結果、第２の実施例と
同様の作用で同様の効果を得ることができる。
【００２９】＜実施例４＞ 図４は本発明の第４の実施例に係る磁気抵抗効果ヘッド
を示す。この磁気抵抗効果ヘッドでは、ＮｉＯ等からな
る絶縁性の反強磁性膜３を介して第１の磁性膜１と第２
の磁性膜２を積層した磁気抵抗効果素子の両側に、電極
４ａ，４ｂが設けられている。これら電極４ａと４ｂの
間に電圧を加えることによって、反強磁性膜３にトンネ
ル電流を流しておき、第１の磁性膜１と第２の磁性膜２
とが磁気記録媒体５ａから信号磁界を受けることによっ
て、第１の磁性膜１と第２の磁性膜２の磁化Ｍの成す角
が変化する。それによって生じる磁気抵抗効果素子のコ
ンダクタンスの変化を電圧変化として検出することによ
って記録信号が再生される。
を示す。この磁気抵抗効果ヘッドでは、ＮｉＯ等からな
る絶縁性の反強磁性膜３を介して第１の磁性膜１と第２
の磁性膜２を積層した磁気抵抗効果素子の両側に、電極
４ａ，４ｂが設けられている。これら電極４ａと４ｂの
間に電圧を加えることによって、反強磁性膜３にトンネ
ル電流を流しておき、第１の磁性膜１と第２の磁性膜２
とが磁気記録媒体５ａから信号磁界を受けることによっ
て、第１の磁性膜１と第２の磁性膜２の磁化Ｍの成す角
が変化する。それによって生じる磁気抵抗効果素子のコ
ンダクタンスの変化を電圧変化として検出することによ
って記録信号が再生される。
【００３０】図４（ｂ）に示すように、第１の磁性膜１
と第２の磁性膜２は、反強磁性膜３によって、記録トラ
ック幅方向で且つ同方向に単磁区化され、且つ磁化Ｍが
信号磁界によって回転出来る程度の交換バイアス磁界が
付与される。その結果、第１の磁性膜１と第２の磁性膜
２が同一強度で同極性の信号磁界を受けたときには出力
応答がなく、同一強度で且つ逆極性の信号磁界を受けた
ときには最大の出力応答をする。このように、本実施例
に係る磁気抵抗効果ヘッドは、第１の実施例と同様に差
動動作の磁気抵抗効果型ヘッドであり、第１の実施例と
同様の効果を有するものである。
と第２の磁性膜２は、反強磁性膜３によって、記録トラ
ック幅方向で且つ同方向に単磁区化され、且つ磁化Ｍが
信号磁界によって回転出来る程度の交換バイアス磁界が
付与される。その結果、第１の磁性膜１と第２の磁性膜
２が同一強度で同極性の信号磁界を受けたときには出力
応答がなく、同一強度で且つ逆極性の信号磁界を受けた
ときには最大の出力応答をする。このように、本実施例
に係る磁気抵抗効果ヘッドは、第１の実施例と同様に差
動動作の磁気抵抗効果型ヘッドであり、第１の実施例と
同様の効果を有するものである。
【００３１】＜実施例５＞ 図５は本発明の第５の実施例に係る磁気抵抗効果ヘッド
を示す。この磁気抵抗効果ヘッドは、図５（ａ）に示す
ように、磁性膜１と磁性膜２の間にはネール温度の異な
る第１の反強磁性膜３ａと第２の反強磁性膜３ｂの積層
膜が配置され、磁性膜１は反強磁性膜３ａによって磁性
膜２は反強磁性膜３ｂによって記録トラック幅方向で且
つ逆極性に交換バイアス磁界が付与されることを除け
ば、第４の実施例と同様の作用で同様の効果が得られ
る。
を示す。この磁気抵抗効果ヘッドは、図５（ａ）に示す
ように、磁性膜１と磁性膜２の間にはネール温度の異な
る第１の反強磁性膜３ａと第２の反強磁性膜３ｂの積層
膜が配置され、磁性膜１は反強磁性膜３ａによって磁性
膜２は反強磁性膜３ｂによって記録トラック幅方向で且
つ逆極性に交換バイアス磁界が付与されることを除け
ば、第４の実施例と同様の作用で同様の効果が得られ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反強磁性膜を介して積層した一対の巨大磁気抵抗素子
を、磁気記録媒体に記録された磁化による信号磁界を検
出する磁気抵抗効果ヘッドとして用いることによって、
反強磁性膜により一対の巨大磁気抵抗効果素子に対して
トラック幅方向へ同極性あるいは逆極性の交換バイアス
磁界を付与するとともに、一対の磁気抵抗効果素子へ記
録トラック幅方向で同一方向にセンス電流を通電する
か、あるいは反強磁性膜により一対の磁気抵抗効果素子
に対して磁気記録媒体面に垂直な方向に同極性あるいは
逆極性の交換バイアス磁界を付与するとともに一対の巨
大磁気抵抗効果素子へ磁気記録媒体面に垂直な同一方向
にセンス電流を通電することによって、一対の巨大磁気
抵抗効果素子が同一極性の信号磁界に対しては電気抵抗
の変化が相殺し合い、一方、逆極性の信号磁界に対して
は電気抵抗の変化が強め合う差動動作原理の磁気抵抗効
果型ヘッドを得ることが出来る。
反強磁性膜を介して積層した一対の巨大磁気抵抗素子
を、磁気記録媒体に記録された磁化による信号磁界を検
出する磁気抵抗効果ヘッドとして用いることによって、
反強磁性膜により一対の巨大磁気抵抗効果素子に対して
トラック幅方向へ同極性あるいは逆極性の交換バイアス
磁界を付与するとともに、一対の磁気抵抗効果素子へ記
録トラック幅方向で同一方向にセンス電流を通電する
か、あるいは反強磁性膜により一対の磁気抵抗効果素子
に対して磁気記録媒体面に垂直な方向に同極性あるいは
逆極性の交換バイアス磁界を付与するとともに一対の巨
大磁気抵抗効果素子へ磁気記録媒体面に垂直な同一方向
にセンス電流を通電することによって、一対の巨大磁気
抵抗効果素子が同一極性の信号磁界に対しては電気抵抗
の変化が相殺し合い、一方、逆極性の信号磁界に対して
は電気抵抗の変化が強め合う差動動作原理の磁気抵抗効
果型ヘッドを得ることが出来る。
【００３３】また、半導体または絶縁性の反強磁性膜を
介して一対の異方性磁気抵抗効果膜を積層した磁気抵抗
効果型ヘッドによると、反強磁性膜にトンネル電流を流
し、一対の異方性磁気抵抗効果膜が磁気記録媒体から信
号磁界を受けることによって生じる磁気抵抗効果素子の
コンダクタンスの変化を電圧変化として検出することに
よって、高感度で記録信号が再生されるとともに、差動
動作の出力応答が示される。
介して一対の異方性磁気抵抗効果膜を積層した磁気抵抗
効果型ヘッドによると、反強磁性膜にトンネル電流を流
し、一対の異方性磁気抵抗効果膜が磁気記録媒体から信
号磁界を受けることによって生じる磁気抵抗効果素子の
コンダクタンスの変化を電圧変化として検出することに
よって、高感度で記録信号が再生されるとともに、差動
動作の出力応答が示される。
【００３４】このように構成される本発明の磁気抵抗効
果型ヘッドによると、バルクハウゼンノイズが生ぜず、
しかも高線分解能かつ高感度、高Ｓ／Ｎの信号再生が可
能となるとともに、構造が簡単であるため製造も容易で
且つ高い製造歩留まりを得ることができる。
果型ヘッドによると、バルクハウゼンノイズが生ぜず、
しかも高線分解能かつ高感度、高Ｓ／Ｎの信号再生が可
能となるとともに、構造が簡単であるため製造も容易で
且つ高い製造歩留まりを得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す図。
ッドを示す図。
【図２】本発明の第２の実施例に係る磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す図。
ッドを示す図。
【図３】本発明の第３の実施例に係る磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す図。
ッドを示す図。
【図４】本発明の第４の実施例に係る磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す図。
ッドを示す図。
【図５】本発明の第５の実施例に係る磁気抵抗効果型ヘ
ッドを示す図。
ッドを示す図。
１…第１の磁気抵抗効果素子 １ａ…磁性膜 １ｂ…磁性膜 ２…第２の磁気抵抗効果素子 ２ａ…磁性膜 ２ｂ…磁性膜 ３…反強磁性膜 ３ａ…第１の反強磁性膜 ３ｂ…第２の反強磁性膜 ４ａ…電極 ４ｂ…電極 ５ａ…磁気記録媒体 ５ｂ…媒体走行方向 ６ａ…ＭＲ応答カーブ ６ｂ…ＭＲ応答カーブ ７…磁性膜
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の磁性膜と第２の磁性膜とこれら第
１および第２の磁性膜の間に介在する第１の非磁性膜と
を有する第１の磁気抵抗効果素子と、 第３の磁性膜と第４の磁性膜とこれら第３および第４の
磁性膜の間に介在する第２の非磁性膜とを有する第２の
磁気抵抗効果素子と、 これら第１及び第２の磁気抵抗効果素子の間に配置さ
れ、第１の反強磁性膜と第２の反強磁性膜を有する反強
磁性部とを具備し、 前記第１の反強磁性膜は前記第２の磁性膜に接して設け
られ、前記第２の反強磁性膜は前記第３の磁性膜に接し
て設けられ、前記第２の磁性膜は前記第１の反強磁性膜
により磁気記録媒体対向面に垂直な方向の第１の交換バ
イアス磁界を付与され、前記第３の磁性膜は前記第２の
反強磁性膜により磁気記録媒体対向面に垂直な方向で前
記第１の交換バイアス磁界とは逆極性を有する第２の交
換バイアス磁界を付与され、前記第１及び第２の磁気抵
抗効果素子のセンス電流通電方向は磁気記録媒体対向面
に垂直であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 前記第１の反強磁性膜と前記第２の反強
磁性膜との間に第５の磁性膜が介在していることを特徴
とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 磁気記録媒体に記録された情報を再生す
る磁気抵抗効果型ヘッドを備えた磁気ディスク装置であ
って、前記磁気抵抗効果型ヘッドは、 第１の磁性膜と第２の磁性膜とこれら第１および第２の
磁性膜の間に介在する第１の非磁性膜とを有する第１の
磁気抵抗効果素子と、 第３の磁性膜と第４の磁性膜とこれら第３および第４の
磁性膜の間に介在する第２の非磁性膜とを有する第２の
磁気抵抗効果素子と、 これら第１及び第２の磁気抵抗効果素子の間に配置さ
れ、第１の反強磁性膜と第２の反強磁性膜を有する反強
磁性部とを具備し、 前記第１の反強磁性膜は前記第２の磁性膜に接して設け
られ、前記第２の反強磁性膜は前記第３の磁性膜に接し
て設けられ、前記第２の磁性膜は前記第１の反強磁性膜
により磁気記録媒体対向面に垂直な方向の第１の交換バ
イアス磁界を付与され、前記第３の磁性膜は前記第２の
反強磁性膜により磁気記録媒体対向面に垂直な方向で前
記第１の交換バイアス磁界とは逆極性を有する第２の交
換バイアス磁界を付与され、前記第１及び第２の磁気抵
抗効果素子のセンス電流通電方向は磁気記録媒体対向面
に垂直であることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 前記第１の反強磁性膜と前記第２の反強
磁性膜との間に第５の磁性膜が介在していることを特徴
とする請求項３に記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 第１の磁化自由磁性膜と第１の磁化固着
磁性膜とこれらの磁性膜の間に介在する第１の非磁性膜
とを有する第１の磁気抵抗効果素子と、 第２の磁化自由磁性膜と第２の磁化固着磁性膜とこれら
の磁性膜の間に介在する第２の非磁性膜とを有する第２
の磁気抵抗効果素子と、 これら第１及び第２の磁気抵抗効果素子の間に配置され
前記第１の磁化固着磁性膜及び第２の磁化固着磁性膜に
対し交換バイアス磁界を付与する反強磁性膜とを具備
し、 前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子のセンス電流通電
方向が磁気記録媒体の磁化トラック幅方向であることを
特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項６】 磁気記録媒体に記録された情報を再生す
る磁気抵抗効果型ヘッドを備えた磁気ディスク装置であ
って、前記磁気抵抗効果型ヘッドは、 第１の磁化自由磁性膜と第１の磁化固着磁性膜とこれら
の磁性膜の間に介在する第１の非磁性膜とを有する第１
の磁気抵抗効果素子と、 第２の磁化自由磁性膜と第２の磁化固着磁性膜とこれら
の磁性膜の間に介在する第２の非磁性膜とを有する第２
の磁気抵抗効果素子と、 これら第１及び第２の磁気抵抗効果素子の間に配置され
前記第１の磁化固着磁性膜及び第２の磁化固着磁性膜に
対し交換バイアス磁界を付与する反強磁性膜とを具備
し、 前記第１及び第２の磁気抵抗効果素子のセンス電流通電
方向が磁気記録媒体の磁化トラック幅方向であることを
特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項７】 第１の磁性膜と、 第２の磁性膜と、 前記第１および第２の磁性膜の間に介在し、絶縁膜また
は半導体膜からなる第１の反強磁性膜および第２の反強
磁性膜を有する反強磁性部とを具備し、 前記第１の反強磁性膜は前記第１の磁性膜に接して設け
られ、前記第２の反強磁性膜は前記第２の磁性膜に接し
て設けられ、前記第１の磁性膜は前記第１の反強磁性膜
により前記第１の磁性膜の膜面及び媒体対向面に平行な
方向の第１の交換バイアス磁界を付与され、前記第２の
磁性膜は前記第２の反強磁性膜により前記第２の磁性膜
の膜面及び媒体対向面に平行な方向で前記第１の交換バ
イアス磁界とは逆極性を有する第２の交換バイアス磁界
を付与され、前記反強磁性部を介して前記第１および第
２の磁性膜の膜面に対して垂直方向に通電されるトンネ
ル電流により、磁気記録媒体からの信号磁界による電気
抵抗変化が検出されるように構成されたことを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項８】 前記反強磁性膜が、ＦｅＭｎまたはＮｉ
Ｏからなることを特徴とする請求項１、２、および５の
いずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05349593A JP3270174B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
| US08/472,487 US5576915A (en) | 1993-03-15 | 1995-06-07 | Magnetoresistive head with antiferromagnetic sublayers interposed between first and second spin-valve units to exchange bias inner magnetic films thereof |
| US08/568,437 US5768066A (en) | 1993-03-15 | 1995-12-06 | Magnetoresistive head having an antiferromagnetic layer interposed between first and second magnetoresistive elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05349593A JP3270174B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267029A JPH06267029A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3270174B2 true JP3270174B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=12944420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05349593A Expired - Fee Related JP3270174B2 (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3270174B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847509B2 (en) | 2001-02-01 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive head and perpendicular magnetic recording-reproducing apparatus |
| EP2293093B1 (en) * | 2008-05-30 | 2015-08-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic sensor and magnetic encoder |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP05349593A patent/JP3270174B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06267029A (ja) | 1994-09-22 |
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