JPH10275313A - 磁気抵抗効果型読み取り変換器 - Google Patents
磁気抵抗効果型読み取り変換器Info
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- JPH10275313A JPH10275313A JP8279497A JP8279497A JPH10275313A JP H10275313 A JPH10275313 A JP H10275313A JP 8279497 A JP8279497 A JP 8279497A JP 8279497 A JP8279497 A JP 8279497A JP H10275313 A JPH10275313 A JP H10275313A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気抵抗効果型ヘッドを単磁区化してバルクハ
ウゼンノイズを抑圧し、且つ狭トラック化が可能となる
ような構成を提供する。 【解決手段】ＭＲ膜１と、ＭＲ膜１に磁気媒体面に垂直
方向の横バイアス磁界を印加するための軟磁性膜３と、
ＭＲ膜１のトラック幅方向の両端に接し、縦バイアス磁
界を印加するための、左右の縦バイアス膜４と、ＭＲ膜
１に電流を流すための、縦バイアス膜４の上に成膜され
た電極膜５と、ＭＲ膜１に接するように積層された反強
磁性膜６とを備え、左右の縦バイアス膜５の間に挟まれ
る空間に、ＭＲ膜１と、反強磁性膜６と、軟磁性膜３と
を形成する。
ウゼンノイズを抑圧し、且つ狭トラック化が可能となる
ような構成を提供する。 【解決手段】ＭＲ膜１と、ＭＲ膜１に磁気媒体面に垂直
方向の横バイアス磁界を印加するための軟磁性膜３と、
ＭＲ膜１のトラック幅方向の両端に接し、縦バイアス磁
界を印加するための、左右の縦バイアス膜４と、ＭＲ膜
１に電流を流すための、縦バイアス膜４の上に成膜され
た電極膜５と、ＭＲ膜１に接するように積層された反強
磁性膜６とを備え、左右の縦バイアス膜５の間に挟まれ
る空間に、ＭＲ膜１と、反強磁性膜６と、軟磁性膜３と
を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に記録
された信号情報を磁気抵抗効果を用いて読み取る薄膜磁
気変換器、すなわち磁気抵抗効果型読み取り変換器に関
する。
された信号情報を磁気抵抗効果を用いて読み取る薄膜磁
気変換器、すなわち磁気抵抗効果型読み取り変換器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体に記録された磁気信号情報
を検出するために磁気抵抗効果型読み取り変換器を用い
る事が従来から知られている。この磁気抵抗効果型読み
取り変換器を磁気ヘッドとして用いる場合には、動作領
域における磁界に対する抵抗の線形性保持及び磁気抵抗
効果膜を一つの磁石で構成される単磁区構造とし、多磁
区構造の場合に形成される磁壁が動くことにより生じる
バルクハウゼンノイズを抑圧するための二種類のバイア
ス磁界を印加しなければならない事が知られている。一
つは磁気抵抗効果膜の磁化容易軸方向に垂直な方向に磁
界を印加するものでありこれが磁気媒体の面に垂直で、
平旦な磁気抵抗効果膜の表面に平行な横バイアス磁界で
ある。この横バイアスは磁気抵抗効果膜に非磁性膜を介
して設置されている軟磁性膜からの磁界により得てい
る。もう一つは磁気抵抗効果膜の磁化容易軸方向に水平
な磁界を印加するものでありこれが縦バイアス磁界であ
る。
を検出するために磁気抵抗効果型読み取り変換器を用い
る事が従来から知られている。この磁気抵抗効果型読み
取り変換器を磁気ヘッドとして用いる場合には、動作領
域における磁界に対する抵抗の線形性保持及び磁気抵抗
効果膜を一つの磁石で構成される単磁区構造とし、多磁
区構造の場合に形成される磁壁が動くことにより生じる
バルクハウゼンノイズを抑圧するための二種類のバイア
ス磁界を印加しなければならない事が知られている。一
つは磁気抵抗効果膜の磁化容易軸方向に垂直な方向に磁
界を印加するものでありこれが磁気媒体の面に垂直で、
平旦な磁気抵抗効果膜の表面に平行な横バイアス磁界で
ある。この横バイアスは磁気抵抗効果膜に非磁性膜を介
して設置されている軟磁性膜からの磁界により得てい
る。もう一つは磁気抵抗効果膜の磁化容易軸方向に水平
な磁界を印加するものでありこれが縦バイアス磁界であ
る。
【０００３】これは磁気媒体の表面に平行でかつ読み出
しトラック幅方向に平行に延びるものである。
しトラック幅方向に平行に延びるものである。
【０００４】縦バイアス磁界を与える方法として幾つか
の方法が知られている。その一つとして、例えば、特開
平１−２４８５７８号公報は磁気抵抗効果膜と直に接し
た反強磁性膜間の交換結合磁界により縦バイアス磁界を
得ることを開示している。さらに別の例として、特開平
３−１２５３１１号公報は磁気抵抗効果膜、非磁性膜及
び軟磁性膜で構成される磁気抵抗効果素子が読み出しト
ラック幅のみに形成されており、その読み出しトラック
幅の両端部に、縦バイアスを印加するための縦バイアス
膜を形成することを開示している。
の方法が知られている。その一つとして、例えば、特開
平１−２４８５７８号公報は磁気抵抗効果膜と直に接し
た反強磁性膜間の交換結合磁界により縦バイアス磁界を
得ることを開示している。さらに別の例として、特開平
３−１２５３１１号公報は磁気抵抗効果膜、非磁性膜及
び軟磁性膜で構成される磁気抵抗効果素子が読み出しト
ラック幅のみに形成されており、その読み出しトラック
幅の両端部に、縦バイアスを印加するための縦バイアス
膜を形成することを開示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平１−２
４８５７８に開示されている構造では、読み出しトラッ
ク幅は電極膜の間隔により決まるが、図５に示すよう
に、磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜）１、非磁性膜１
７、軟磁性膜３及び反強磁性膜６で構成される磁気抵抗
効果素子が読み出しトラック幅Ｗより外側にまで広がっ
ており、隣のトラックの信号等をひろう現象が発生し狭
トラック化には不向きである。
４８５７８に開示されている構造では、読み出しトラッ
ク幅は電極膜の間隔により決まるが、図５に示すよう
に、磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜）１、非磁性膜１
７、軟磁性膜３及び反強磁性膜６で構成される磁気抵抗
効果素子が読み出しトラック幅Ｗより外側にまで広がっ
ており、隣のトラックの信号等をひろう現象が発生し狭
トラック化には不向きである。
【０００６】また、特開平３−１２５３１１に開示され
ている構造の場合はＭＲ膜をより安定にするため縦バイ
アス磁界を大きくする必要があるが、そのためにはバイ
アス膜厚を大きくせざるを得ない。しかし膜厚を大きく
すると保磁力が低下し、ＭＲ膜のＭＲ素子としての動作
が不安定になるという問題がある。
ている構造の場合はＭＲ膜をより安定にするため縦バイ
アス磁界を大きくする必要があるが、そのためにはバイ
アス膜厚を大きくせざるを得ない。しかし膜厚を大きく
すると保磁力が低下し、ＭＲ膜のＭＲ素子としての動作
が不安定になるという問題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
ヘッド読み取り変換器は、ＭＲ膜と、前記ＭＲ膜に磁気
媒体面に垂直方向の横バイアス磁界を印加するための軟
磁性膜と、前記ＭＲ膜に電流を流すための前記ＭＲ膜の
トラック幅方向の両端に接し、その一端に接する第１の
電極膜と、他端に接する第２の電極膜と、前記ＭＲ膜に
隣接するように積層された反強磁性膜とを備え、前記第
１の電極膜と前記第２の電極膜との間に挟まれる空間
に、前記ＭＲ膜と、前記反強磁性膜と、前記軟磁性膜と
が形成されたことを特徴とする。
ヘッド読み取り変換器は、ＭＲ膜と、前記ＭＲ膜に磁気
媒体面に垂直方向の横バイアス磁界を印加するための軟
磁性膜と、前記ＭＲ膜に電流を流すための前記ＭＲ膜の
トラック幅方向の両端に接し、その一端に接する第１の
電極膜と、他端に接する第２の電極膜と、前記ＭＲ膜に
隣接するように積層された反強磁性膜とを備え、前記第
１の電極膜と前記第２の電極膜との間に挟まれる空間
に、前記ＭＲ膜と、前記反強磁性膜と、前記軟磁性膜と
が形成されたことを特徴とする。
【０００８】本発明の磁気抵抗効果型ヘッド読み取り変
換器は、ＭＲ膜と、前記ＭＲ膜に磁気媒体面に垂直方向
の横バイアス磁界を印加するための軟磁性膜と、縦バイ
アス磁界を印加するために設けた、前記ＭＲ膜のトラッ
ク幅方向の両端に接し、その一端に接する第１の縦バイ
アス膜と他端に接する第２の縦バイアス膜と、前記ＭＲ
膜に電流を流すための、前記第１の縦バイアス膜の上に
成膜された第１の電極膜と前記第２の縦バイアス膜の上
に成膜された第２の電極膜と、前記ＭＲ膜に接するよう
に積層された反強磁性膜とを備え、前記第１の縦バイア
ス膜と前記第２の縦バイアス膜との間に挟まれる空間
に、前記ＭＲ膜と、前記反強磁性膜と、前記軟磁性膜と
が形成されたことを特徴とする。
換器は、ＭＲ膜と、前記ＭＲ膜に磁気媒体面に垂直方向
の横バイアス磁界を印加するための軟磁性膜と、縦バイ
アス磁界を印加するために設けた、前記ＭＲ膜のトラッ
ク幅方向の両端に接し、その一端に接する第１の縦バイ
アス膜と他端に接する第２の縦バイアス膜と、前記ＭＲ
膜に電流を流すための、前記第１の縦バイアス膜の上に
成膜された第１の電極膜と前記第２の縦バイアス膜の上
に成膜された第２の電極膜と、前記ＭＲ膜に接するよう
に積層された反強磁性膜とを備え、前記第１の縦バイア
ス膜と前記第２の縦バイアス膜との間に挟まれる空間
に、前記ＭＲ膜と、前記反強磁性膜と、前記軟磁性膜と
が形成されたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に本発明による実施例を示
す。図１（ａ）に示す様に、軟磁性膜３、非磁性膜２、
磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜）１と積層し、さらにＭ
Ｒ膜１上に直接反強磁性膜６を積層する。次に図１
（ｂ）に示すように、読み出しトラック幅と等しい寸法
のフォトレジスト７を形成し、図１（ｃ）に示すように
イオンミリングなどの方法によりＭＲ膜１、非磁性膜
２、軟磁性膜３及び反強磁性膜６をエッチングする。さ
らに図１（ｄ）に示すように電極膜５を成膜し、リフト
オフすると図１（ｅ）に示す構造となる。この様な構造
にすることにより、ＭＲ膜１、軟磁性膜３及び反強磁性
膜６で構成される磁気抵抗効果素子の幅が２つの電極に
はさまれた領域の幅である読み出しトラック幅Ｗと等し
くなり、読み出しトラック幅Ｗの外側にはみ出すことが
ないので、隣のトラックの信号等をひろう現象が発生し
ないため、狭トラック化が可能となる。また、ＭＲ膜１
に直接反強磁性膜が接触しているため、ＭＲ膜１と反強
磁性膜６との間の交換結合磁界により単磁区化され、バ
ルクハウゼンノイズが抑圧される。
す。図１（ａ）に示す様に、軟磁性膜３、非磁性膜２、
磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜）１と積層し、さらにＭ
Ｒ膜１上に直接反強磁性膜６を積層する。次に図１
（ｂ）に示すように、読み出しトラック幅と等しい寸法
のフォトレジスト７を形成し、図１（ｃ）に示すように
イオンミリングなどの方法によりＭＲ膜１、非磁性膜
２、軟磁性膜３及び反強磁性膜６をエッチングする。さ
らに図１（ｄ）に示すように電極膜５を成膜し、リフト
オフすると図１（ｅ）に示す構造となる。この様な構造
にすることにより、ＭＲ膜１、軟磁性膜３及び反強磁性
膜６で構成される磁気抵抗効果素子の幅が２つの電極に
はさまれた領域の幅である読み出しトラック幅Ｗと等し
くなり、読み出しトラック幅Ｗの外側にはみ出すことが
ないので、隣のトラックの信号等をひろう現象が発生し
ないため、狭トラック化が可能となる。また、ＭＲ膜１
に直接反強磁性膜が接触しているため、ＭＲ膜１と反強
磁性膜６との間の交換結合磁界により単磁区化され、バ
ルクハウゼンノイズが抑圧される。
【実施例】以下に本発明の実施例を図を用いて詳細に説
明する。図４に本発明により作成された磁気抵抗効果型
読み取り変換器の断面図を示す。また図１から３では下
部磁気シールド、下部絶縁層、上部絶縁層及び記録のた
めの磁極などは省略してあるが、最終的には図４に示す
ような下部磁気シールド１１、下部絶縁膜１２、上部絶
縁膜１３及び記録のための磁極１５などを構成し、磁気
抵抗効果型読み取り変換器として動作する。
明する。図４に本発明により作成された磁気抵抗効果型
読み取り変換器の断面図を示す。また図１から３では下
部磁気シールド、下部絶縁層、上部絶縁層及び記録のた
めの磁極などは省略してあるが、最終的には図４に示す
ような下部磁気シールド１１、下部絶縁膜１２、上部絶
縁膜１３及び記録のための磁極１５などを構成し、磁気
抵抗効果型読み取り変換器として動作する。
【００１０】図１に本発明による第１の実施例を示す。
図中には下部磁気シールド１１、下部絶縁膜１２、上部
絶縁膜１３、上部磁気シールド１４及び磁極１５などは
省略してある。図１（ａ）に示す様に、Ｎｉ−Ｆｅ系の
合金もしくはＣｏ系合金からなる軟質磁性膜（以下ＳＡ
Ｌと称す）３、タンタル、クロム、チタンもしくは酸化
アルミニウムからなる非磁性膜（以下スペーサーと称
す）２、Ｎｉ−Ｆｅ系の合金からなる磁気抵抗効果膜
（以下ＭＲ膜と称す）１と積層し、さらにＭＲ膜１上に
Ｆｅ−Ｍｎ系合金及びＮｉ−Ｍｎ系合金からなる反強磁
性膜６を積層する。次に図１（ｂ）に示すように、読み
出しトラック幅と同じ寸法のフォトレジスト７を形成
し、図１（ｃ）に示すようにイオンミリングなどの方法
によりＭＲ膜１、スペーサー２、ＳＡＬ３及び反強磁性
膜６をエッチングする。さらに図１（ｄ）に示すように
電極膜５を成膜し、リフトオフすると図１（ｅ）に示す
構造とする。
図中には下部磁気シールド１１、下部絶縁膜１２、上部
絶縁膜１３、上部磁気シールド１４及び磁極１５などは
省略してある。図１（ａ）に示す様に、Ｎｉ−Ｆｅ系の
合金もしくはＣｏ系合金からなる軟質磁性膜（以下ＳＡ
Ｌと称す）３、タンタル、クロム、チタンもしくは酸化
アルミニウムからなる非磁性膜（以下スペーサーと称
す）２、Ｎｉ−Ｆｅ系の合金からなる磁気抵抗効果膜
（以下ＭＲ膜と称す）１と積層し、さらにＭＲ膜１上に
Ｆｅ−Ｍｎ系合金及びＮｉ−Ｍｎ系合金からなる反強磁
性膜６を積層する。次に図１（ｂ）に示すように、読み
出しトラック幅と同じ寸法のフォトレジスト７を形成
し、図１（ｃ）に示すようにイオンミリングなどの方法
によりＭＲ膜１、スペーサー２、ＳＡＬ３及び反強磁性
膜６をエッチングする。さらに図１（ｄ）に示すように
電極膜５を成膜し、リフトオフすると図１（ｅ）に示す
構造とする。
【００１１】第１の実施例の場合は既に述べたようにＭ
Ｒ膜１の幅が２つの電極にはさまれた領域の幅である読
み出しトラック幅と等しくなり、読み出しトラック幅の
外側にはみ出すことがないので隣のトラックの信号等を
ひろう現象が発生しないことと、ＭＲ膜１と反強磁性膜
６との間の交換結合磁界により単磁区化され、バルクハ
ウゼンノイズが抑圧されるという効果がある。
Ｒ膜１の幅が２つの電極にはさまれた領域の幅である読
み出しトラック幅と等しくなり、読み出しトラック幅の
外側にはみ出すことがないので隣のトラックの信号等を
ひろう現象が発生しないことと、ＭＲ膜１と反強磁性膜
６との間の交換結合磁界により単磁区化され、バルクハ
ウゼンノイズが抑圧されるという効果がある。
【００１２】本発明の第２の実施例は、図２（ｂ）に示
すように反強磁性膜６、ＭＲ膜１、スペーサー２、ＳＡ
Ｌ３の順に積層するものであり、実施例１の積層する順
番を入れ替えた構造であり、その他の構成、製法は第１
の実施例と同様である。
すように反強磁性膜６、ＭＲ膜１、スペーサー２、ＳＡ
Ｌ３の順に積層するものであり、実施例１の積層する順
番を入れ替えた構造であり、その他の構成、製法は第１
の実施例と同様である。
【００１３】第２の実施例の効果は、第１の実施例の効
果と同様である。
果と同様である。
【００１４】本発明の第３の実施例は、図２（ａ）（図
１（ｅ）と同じ図）の構造を成膜する際に、Ｃｏ系合金
からなる硬質磁性膜などの縦バイアス膜４を成膜した後
に電極膜５を成膜し、図２（ｃ）に示す構造であり、そ
の他の構成、製法は第１の実施例と同様である。
１（ｅ）と同じ図）の構造を成膜する際に、Ｃｏ系合金
からなる硬質磁性膜などの縦バイアス膜４を成膜した後
に電極膜５を成膜し、図２（ｃ）に示す構造であり、そ
の他の構成、製法は第１の実施例と同様である。
【００１５】第３の実施例の場合は、第１の実施例の効
果に加え、読み出しトラック幅の両端部に縦バイアスを
印加するための縦バイアス膜を設けていることにより、
ＭＲ膜１により大きな縦バイアス磁界を印加することが
できるため、単磁区構造にし易く、バルクハウゼンノイ
ズを抑圧し易いという効果がある。しかも、反強磁性膜
６による交換結合磁界による縦バイアス磁界が生じるの
で、縦バイアス膜４の膜厚をそれ程大きくする必要はな
く、従って保持力の低下するという問題が起ることもな
いという利点がある。
果に加え、読み出しトラック幅の両端部に縦バイアスを
印加するための縦バイアス膜を設けていることにより、
ＭＲ膜１により大きな縦バイアス磁界を印加することが
できるため、単磁区構造にし易く、バルクハウゼンノイ
ズを抑圧し易いという効果がある。しかも、反強磁性膜
６による交換結合磁界による縦バイアス磁界が生じるの
で、縦バイアス膜４の膜厚をそれ程大きくする必要はな
く、従って保持力の低下するという問題が起ることもな
いという利点がある。
【００１６】本発明の第４の実施例は、図２（ｂ）の構
造を構成する際に、硬質磁性膜などの縦バイアス膜４を
成膜した後に電極膜５を成膜したものであり、図２
（ｄ）に示す構造であり、その他の構成、製法は第２の
実施例と同様である。
造を構成する際に、硬質磁性膜などの縦バイアス膜４を
成膜した後に電極膜５を成膜したものであり、図２
（ｄ）に示す構造であり、その他の構成、製法は第２の
実施例と同様である。
【００１７】第４の実施例の効果は、第３の実施例の効
果と同様である。
果と同様である。
【００１８】本発明の第５の実施例は、ＳＡＬ３、反強
磁性膜６、ＭＲ膜１の順に積層し、図３（ａ）に示す構
造である。
磁性膜６、ＭＲ膜１の順に積層し、図３（ａ）に示す構
造である。
【００１９】第５の実施例の場合は、図２（ａ）におけ
る第１の実施例における非磁性膜２に相当するものがな
く、図３（ａ）の反強磁性膜６が非磁性膜２の磁気的な
分離機能を兼ねている。その他の構成、製法は第１は実
施例と同様である。
る第１の実施例における非磁性膜２に相当するものがな
く、図３（ａ）の反強磁性膜６が非磁性膜２の磁気的な
分離機能を兼ねている。その他の構成、製法は第１は実
施例と同様である。
【００２０】第５の実施例は、第１の実施例と比較して
工程が一つ少くなるため、製造コストを低くできるとい
う効果がある。
工程が一つ少くなるため、製造コストを低くできるとい
う効果がある。
【００２１】本発明の第６の実施例は、図３（ａ）の構
造を構成する際に、ＭＲ膜１、反強磁性膜６、ＳＡＬ３
の順に積層するものであり、実施例１の積層する順番を
変えた図３（ｂ）に示す構造である。
造を構成する際に、ＭＲ膜１、反強磁性膜６、ＳＡＬ３
の順に積層するものであり、実施例１の積層する順番を
変えた図３（ｂ）に示す構造である。
【００２２】第６の実施例の効果は、第５の実施例の効
果と同様である。
果と同様である。
【００２３】本発明の第７の実施例は、図３（ａ）の構
造を構成する際に、硬質磁性膜などの縦バイアス膜４を
成膜した後に電極膜５を成膜したものであり、図３
（ｃ）に示す構造であり、その他の構成、製法は第５の
実施例と同様である。
造を構成する際に、硬質磁性膜などの縦バイアス膜４を
成膜した後に電極膜５を成膜したものであり、図３
（ｃ）に示す構造であり、その他の構成、製法は第５の
実施例と同様である。
【００２４】第７の実施例の場合は、第１の実施例の効
果に加え、第３の実施例の効果と第５の実施例の効果の
両方を併せもつ。
果に加え、第３の実施例の効果と第５の実施例の効果の
両方を併せもつ。
【００２５】本発明の第８の実施例は、図３（ｂ）の構
造を構成する際に、硬質磁性膜などの縦バイアス膜４を
成膜した後に電極膜５を成膜したものであり、図３
（ｄ）に示す構造であり、その他の構成、製法は第６の
実施例と同様である。
造を構成する際に、硬質磁性膜などの縦バイアス膜４を
成膜した後に電極膜５を成膜したものであり、図３
（ｄ）に示す構造であり、その他の構成、製法は第６の
実施例と同様である。
【００２６】第８の実施例の効果は、第７の実施例の効
果と同様である。
果と同様である。
【００２７】
【発明の効果】以上実施例に示したような構造にするこ
とにより、読み出しトラック幅はＭＲ膜１、ＳＡＬ３及
び反強磁性膜６の磁気的な寸法により規定されるため、
これらで構成される磁気抵抗効果素子の幅である読み出
しトラック幅Ｗと等しくなり、読み出しトラック幅のＷ
の外側にはみ出すことがないので、隣のトラックの信号
等をひろう現象が発生しないため、狭トラック化が可能
となる。また、ＭＲ膜１に直接反強磁性膜６が接触して
いるため、ＭＲ膜１と反強磁性膜６との間の交換結合磁
界により単磁区化され、バルクハウゼンノイズが抑圧さ
れる。さらに図２（ｃ）、図２（ｄ）、図３（ｃ）及び
図３（ｄ）に示す構造にすることにより、上記効果に加
え縦バイアス層４からの縦バイアス磁界がＭＲ膜１及び
ＳＡＬ３に印加されるため、より安定した磁気抵抗効果
型読み取り変換器が供給できる。
とにより、読み出しトラック幅はＭＲ膜１、ＳＡＬ３及
び反強磁性膜６の磁気的な寸法により規定されるため、
これらで構成される磁気抵抗効果素子の幅である読み出
しトラック幅Ｗと等しくなり、読み出しトラック幅のＷ
の外側にはみ出すことがないので、隣のトラックの信号
等をひろう現象が発生しないため、狭トラック化が可能
となる。また、ＭＲ膜１に直接反強磁性膜６が接触して
いるため、ＭＲ膜１と反強磁性膜６との間の交換結合磁
界により単磁区化され、バルクハウゼンノイズが抑圧さ
れる。さらに図２（ｃ）、図２（ｄ）、図３（ｃ）及び
図３（ｄ）に示す構造にすることにより、上記効果に加
え縦バイアス層４からの縦バイアス磁界がＭＲ膜１及び
ＳＡＬ３に印加されるため、より安定した磁気抵抗効果
型読み取り変換器が供給できる。
【図１】図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ），図１
（ｄ），図１（ｅ）は本発明による磁気抵抗効果素子の
作成工程を示す図である。
（ｄ），図１（ｅ）は本発明による磁気抵抗効果素子の
作成工程を示す図である。
【図２】本発明による実施例の構造を示す図である。図
２（ａ）は本発明の実施例１の要部の構造を示す図であ
る。図２（ｂ）は本発明の実施例２の要部の構造を示す
図である。図２（ｃ）は本発明の実施例３の要部の構造
を示す図である。図２（ｄ）は本発明の実施例４の要部
の構造を示す図である。
２（ａ）は本発明の実施例１の要部の構造を示す図であ
る。図２（ｂ）は本発明の実施例２の要部の構造を示す
図である。図２（ｃ）は本発明の実施例３の要部の構造
を示す図である。図２（ｄ）は本発明の実施例４の要部
の構造を示す図である。
【図３】本発明による実施例の構造を示す図である。図
３（ａ）は本発明の実施例５の要部の構造を示す図であ
る。図３（ｂ）は本発明の実施例６の要部の構造を示す
図である。図３（ｃ）は本発明の実施例７の要部の構造
を示す図である。図３（ｄ）は本発明の実施例８の要部
の構造を示す図である。
３（ａ）は本発明の実施例５の要部の構造を示す図であ
る。図３（ｂ）は本発明の実施例６の要部の構造を示す
図である。図３（ｃ）は本発明の実施例７の要部の構造
を示す図である。図３（ｄ）は本発明の実施例８の要部
の構造を示す図である。
【図４】本発明の磁気抵抗効果読み取り変換器の実施例
１の構造を示す図である。
１の構造を示す図である。
１ 磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜） ２ 非磁性膜（スペーサー） ３ 軟磁性膜（ＳＡＬ） ４ 縦バイアス膜 ５ 電極膜 ６ 反強磁性膜 ７ フォトレジスト １１ 下部磁気シールド １２ 下部絶縁膜 １３ 上部絶縁膜 １４ 上部磁気シールド １５ 磁極 １６ 絶縁膜 １７ スペーサー Ｗ 読み出しトラック幅
Claims (12)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜）と、 前記ＭＲ膜に磁気媒体面に垂直方向の横バイアス磁界を
印加するための軟磁性膜と、 前記ＭＲ膜に電流を流すための前記ＭＲ膜のトラック幅
方向の両端に接し、その一端に接する第１の電極膜と、
他端に接する第２の電極膜と、 前記ＭＲ膜に隣接するように積層された反強磁性膜とを
備え、 前記第１の電極膜と前記第２の電極膜との間に挟まれる
空間に、前記ＭＲ膜と、前記反強磁性膜と、前記軟磁性
膜とが形成されたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド読み取り変換器。 - 【請求項２】 前記ＭＲ膜と前記軟磁性膜の間にあり磁
気的な絶縁を行うための非磁性膜とをさらに備え、 前記第１の電極膜と前記第２の電極膜との間に挟まれる
空間に前記非磁性膜がさらに形成されたことを特徴とす
る請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取り変換
器。 - 【請求項３】 前記軟磁性膜の上に前記反強磁性膜が成
膜され、 前記反強磁性膜の上に前記ＭＲ膜が成膜されたことを特
徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取り
変換器。 - 【請求項４】 前記ＭＲ膜の上に前記反強磁性膜が成膜
され、 前記反強磁性膜の上に前記軟磁性膜が成膜されたことを
特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取
り変換器。 - 【請求項５】 前記軟磁性膜の上に前記非磁性膜が成膜
され、 前記非磁性膜の上に前記ＭＲ膜が成膜され、 前記ＭＲ膜の上に前記反強磁性膜が成膜されたことを特
徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取り
変換器。 - 【請求項６】 前記反強磁性膜の上に前記ＭＲ膜が成膜
され、 前記ＭＲ膜の上に前記非磁性膜が成膜され、 前記非磁性膜の上に前記軟磁性膜が成膜されたことを特
徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取り
変換器。 - 【請求項７】 ＭＲ膜と、 前記ＭＲ膜に磁気媒体面に垂直方向の横バイアス磁界を
印加するための軟磁性膜と、 縦バイアス磁界を印加するために設けた、前記ＭＲ膜の
トラック幅方向の両端に接し、その一端に接する第１の
縦バイアス膜と他端に接する第２の縦バイアス膜と、 前記ＭＲ膜に電流を流すための、前記第１の縦バイアス
膜の上に成膜された第１の電極膜と前記第２の縦バイア
ス膜の上に成膜された第２の電極膜と、 前記ＭＲ膜に接するように積層された反強磁性膜とを備
え、 前記第１の縦バイアス膜と前記第２の縦バイアス膜との
間に挟まれる空間に、前記ＭＲ膜と、前記反強磁性膜
と、前記軟磁性膜とが形成されたことを特徴とする磁気
抵抗効果型ヘッド読み取り変換器。 - 【請求項８】 前記ＭＲ膜と前記軟磁性膜の間にあり磁
気的な絶縁を行うための非磁性膜とをさらに備え、 前記第１の電極膜と前記第２の電極膜との間に挟まれる
空間に前記非磁性膜がさらに形成されたことを特徴とす
る請求項７記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取り変換
器。 - 【請求項９】 前記軟磁性膜の上に前記反強磁性膜が成
膜され、 前記反強磁性膜の上に前記ＭＲ膜が成膜されたことを特
徴とする請求項７記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取り
変換器。 - 【請求項１０】 前記ＭＲ膜の上に前記反強磁性膜が成
膜され、 前記反強磁性膜の上に前記軟磁性膜が成膜されたことを
特徴とする請求項７記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取
り変換器。 - 【請求項１１】 前記軟磁性膜の上に前記非磁性膜が成
膜され、 前記非磁性膜の上に前記ＭＲ膜が成膜され、 前記ＭＲ膜の上に前記反強磁性膜が成膜されたことを特
徴とする請求項８記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取り
変換器。 - 【請求項１２】 前記反強磁性膜の上に前記ＭＲ膜が成
膜され、 前記ＭＲ膜の上に前記非磁性膜が成膜され、 前記非磁性膜の上に前記軟磁性膜が成膜されたことを特
徴とする請求項８記載の磁気抵抗効果型ヘッド読み取り
変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8279497A JPH10275313A (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 磁気抵抗効果型読み取り変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8279497A JPH10275313A (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 磁気抵抗効果型読み取り変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275313A true JPH10275313A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13784319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8279497A Pending JPH10275313A (ja) | 1997-04-01 | 1997-04-01 | 磁気抵抗効果型読み取り変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275313A (ja) |
-
1997
- 1997-04-01 JP JP8279497A patent/JPH10275313A/ja active Pending
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