JPH0991629A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0991629A JPH0991629A JP7243096A JP24309695A JPH0991629A JP H0991629 A JPH0991629 A JP H0991629A JP 7243096 A JP7243096 A JP 7243096A JP 24309695 A JP24309695 A JP 24309695A JP H0991629 A JPH0991629 A JP H0991629A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の縦バイアス層として用いられていた反
強磁性層は磁気抵抗層に数十（Ｏｅ；エルステッド）の
交換異方性磁界を与えるにすぎなかったため、磁気抵抗
層の単磁区化度が低く、バルクハウゼンノイズが発生し
やすいものであった。 【解決手段】 縦バイアス層８の材料として、α−Ｆｅ
2Ｏ3（酸化鉄）を用い、この縦バイアス層８を磁気抵抗
層４の下に密着させる。α−Ｆｅ2Ｏ3の縦バイアス層８
は、磁気抵抗層４に交換異方性磁界を与えるのみなら
ず、Ｂ領域での磁気抵抗層４に数百（Ｏｅ）程度の大き
な保磁力を持たせる。このため、磁気抵抗層４のＢ領域
でのｘ方向の磁化が安定しＡ領域の磁気抵抗層４に対し
確実な縦バイアス磁界が与えられる。よって、バルクハ
ウゼンノイズを低減することができ、磁気検出特性を高
めることができる。
強磁性層は磁気抵抗層に数十（Ｏｅ；エルステッド）の
交換異方性磁界を与えるにすぎなかったため、磁気抵抗
層の単磁区化度が低く、バルクハウゼンノイズが発生し
やすいものであった。 【解決手段】 縦バイアス層８の材料として、α−Ｆｅ
2Ｏ3（酸化鉄）を用い、この縦バイアス層８を磁気抵抗
層４の下に密着させる。α−Ｆｅ2Ｏ3の縦バイアス層８
は、磁気抵抗層４に交換異方性磁界を与えるのみなら
ず、Ｂ領域での磁気抵抗層４に数百（Ｏｅ）程度の大き
な保磁力を持たせる。このため、磁気抵抗層４のＢ領域
でのｘ方向の磁化が安定しＡ領域の磁気抵抗層４に対し
確実な縦バイアス磁界が与えられる。よって、バルクハ
ウゼンノイズを低減することができ、磁気検出特性を高
めることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置の磁気ヘッドなどに設けられて磁気記録媒体からの洩
れ磁束を磁気抵抗効果を利用して検出する薄膜磁気ヘッ
ドに係り、特に縦バイアス層から磁気抵抗層に効果的な
縦バイアス磁界を与えることができる薄膜磁気ヘッドに
関する。
置の磁気ヘッドなどに設けられて磁気記録媒体からの洩
れ磁束を磁気抵抗効果を利用して検出する薄膜磁気ヘッ
ドに係り、特に縦バイアス層から磁気抵抗層に効果的な
縦バイアス磁界を与えることができる薄膜磁気ヘッドに
関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のエクスチェンジバイアス
方式の薄膜磁気ヘッドの正面図である。この薄膜磁気ヘ
ッドに対するハードディスクなどの磁気記録媒体の走行
方向はｚ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方
向はｙ方向である。Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）など
で形成された下部絶縁層１の上に、軟磁性（ＳＡＬ）層
２、非磁性（ＳＨＵＮＴ）層３、磁気抵抗（ＭＲ）層４
が下から順に積層されている。磁気抵抗層４の上のトラ
ック幅Ｔｗを開けた両側には、反強磁性層５，５が設け
られている。そして、反強磁性層５，５の上にはリード
層６，６が積層され、リード層６，６と磁気抵抗層４の
上には、上部絶縁層７が積層されている。
方式の薄膜磁気ヘッドの正面図である。この薄膜磁気ヘ
ッドに対するハードディスクなどの磁気記録媒体の走行
方向はｚ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方
向はｙ方向である。Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）など
で形成された下部絶縁層１の上に、軟磁性（ＳＡＬ）層
２、非磁性（ＳＨＵＮＴ）層３、磁気抵抗（ＭＲ）層４
が下から順に積層されている。磁気抵抗層４の上のトラ
ック幅Ｔｗを開けた両側には、反強磁性層５，５が設け
られている。そして、反強磁性層５，５の上にはリード
層６，６が積層され、リード層６，６と磁気抵抗層４の
上には、上部絶縁層７が積層されている。
【０００３】軟磁性層２はＦｅ−Ｎｉ−Ｎｂ（鉄−ニッ
ケル−ニオブ）系材料、非磁性層３はＴａ（タンタ
ル）、磁気抵抗層４はＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）系材
料などによりそれぞれ形成されている。また、反強磁性
層５は、ＮｉＯ（酸化ニッケル）、Ｎｉ−Ｍｎ（ニッケ
ル−マンガン）合金、Ｐｔ−Ｍｎ（白金−マンガン）合
金、Ｆｅ−Ｍｎ（鉄−マンガン）合金のいずれか１つの
材料で形成されている。リード層６はＣｒ（クロム）や
Ｔａ（タンタル）やＷ（タングステン）などの導電性材
料で形成されている。
ケル−ニオブ）系材料、非磁性層３はＴａ（タンタ
ル）、磁気抵抗層４はＮｉ−Ｆｅ（ニッケル−鉄）系材
料などによりそれぞれ形成されている。また、反強磁性
層５は、ＮｉＯ（酸化ニッケル）、Ｎｉ−Ｍｎ（ニッケ
ル−マンガン）合金、Ｐｔ−Ｍｎ（白金−マンガン）合
金、Ｆｅ−Ｍｎ（鉄−マンガン）合金のいずれか１つの
材料で形成されている。リード層６はＣｒ（クロム）や
Ｔａ（タンタル）やＷ（タングステン）などの導電性材
料で形成されている。
【０００４】図４では、反強磁性層５から磁気抵抗層４
に対しｘ方向への縦バイアス磁界が与えられる。すなわ
ち、磁気抵抗層４の反強磁性層５との交換結合領域（Ｂ
領域）では、反強磁性層５からの交換異方性磁界（Ｈｅ
ｘ）が与えられてｘ方向へ単磁区化され、これに誘発さ
れて、磁気抵抗層４のトラック幅（Ｔｗ）内の領域であ
る磁気抵抗機能領域（Ａ領域）の磁化方向がｘ方向へ向
くようになる。
に対しｘ方向への縦バイアス磁界が与えられる。すなわ
ち、磁気抵抗層４の反強磁性層５との交換結合領域（Ｂ
領域）では、反強磁性層５からの交換異方性磁界（Ｈｅ
ｘ）が与えられてｘ方向へ単磁区化され、これに誘発さ
れて、磁気抵抗層４のトラック幅（Ｔｗ）内の領域であ
る磁気抵抗機能領域（Ａ領域）の磁化方向がｘ方向へ向
くようになる。
【０００５】再生動作を行なうときには、定常電流がリ
ード層６を通って磁気抵抗層４に与えられる。このとき
に磁気抵抗層４に発生する電流磁界が、軟磁性層２に対
しｙ方向（紙面手前方向）へ印加される。この磁界に基
づいて軟磁性層２がもたらす静磁結合エネルギーによ
り、磁気抵抗層４のＡ領域に横バイアス磁界（ｙ方向へ
の磁界）が与えられる。磁気抵抗層４にｘ方向への縦バ
イアス磁界とｙ方向への横バイアス磁界が与えられるこ
とにより、Ａ領域にて磁気抵抗層４の磁化の方向がｘ軸
方向とｙ軸方向の中間の角度に設定される。その結果、
記録媒体からＡ領域に与えられる外部磁界（磁気記録媒
体からの洩れ磁界）に対する抵抗変化（磁気抵抗効果特
性；Ｈ−Ｒ効果特性）が直線性を有する状態に設定され
る。磁気抵抗層４のＡ領域での抵抗の変化は、定常電流
から電圧の変化として検出される。
ード層６を通って磁気抵抗層４に与えられる。このとき
に磁気抵抗層４に発生する電流磁界が、軟磁性層２に対
しｙ方向（紙面手前方向）へ印加される。この磁界に基
づいて軟磁性層２がもたらす静磁結合エネルギーによ
り、磁気抵抗層４のＡ領域に横バイアス磁界（ｙ方向へ
の磁界）が与えられる。磁気抵抗層４にｘ方向への縦バ
イアス磁界とｙ方向への横バイアス磁界が与えられるこ
とにより、Ａ領域にて磁気抵抗層４の磁化の方向がｘ軸
方向とｙ軸方向の中間の角度に設定される。その結果、
記録媒体からＡ領域に与えられる外部磁界（磁気記録媒
体からの洩れ磁界）に対する抵抗変化（磁気抵抗効果特
性；Ｈ−Ｒ効果特性）が直線性を有する状態に設定され
る。磁気抵抗層４のＡ領域での抵抗の変化は、定常電流
から電圧の変化として検出される。
【０００６】また、図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造工
程を以下に簡単に説明すると、まず下部絶縁層１の上に
軟磁性層２、非磁性層３、磁気抵抗層４を順にスパッタ
成膜する。次に、磁気抵抗層４の上のトラック幅Ｔｗ部
分に、レジスト層を形成する。そして、レジスト層を載
せたままで、反強磁性層５およびリード層６をスパッタ
成膜する。磁気抵抗層４の上に形成されていたレジスト
層を除去すると、トラック幅Ｔｗを開けた両側に反強磁
性層５，５とリード層６，６が形成される。さらにその
上に上部絶縁層７を成膜すると、図４に示す薄膜磁気ヘ
ッドが製造される。
程を以下に簡単に説明すると、まず下部絶縁層１の上に
軟磁性層２、非磁性層３、磁気抵抗層４を順にスパッタ
成膜する。次に、磁気抵抗層４の上のトラック幅Ｔｗ部
分に、レジスト層を形成する。そして、レジスト層を載
せたままで、反強磁性層５およびリード層６をスパッタ
成膜する。磁気抵抗層４の上に形成されていたレジスト
層を除去すると、トラック幅Ｔｗを開けた両側に反強磁
性層５，５とリード層６，６が形成される。さらにその
上に上部絶縁層７を成膜すると、図４に示す薄膜磁気ヘ
ッドが製造される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のエクスチェ
ンジバイアス方式の薄膜磁気ヘッドでは、ＮｉＯやＦｅ
−Ｍｎ合金などで形成される反強磁性層５からＮｉ−Ｆ
ｅ系材料の磁気抵抗層４のＢ領域に与えられる交換異方
性磁界はたかだか数十（Ｏｅ；エルステッド）にすぎな
い。またＮｉ−Ｆｅ系材料の磁気抵抗層４は保磁力が小
さく、Ｂ領域における磁気抵抗層４のＸ方向の磁化は不
安定である。
ンジバイアス方式の薄膜磁気ヘッドでは、ＮｉＯやＦｅ
−Ｍｎ合金などで形成される反強磁性層５からＮｉ−Ｆ
ｅ系材料の磁気抵抗層４のＢ領域に与えられる交換異方
性磁界はたかだか数十（Ｏｅ；エルステッド）にすぎな
い。またＮｉ−Ｆｅ系材料の磁気抵抗層４は保磁力が小
さく、Ｂ領域における磁気抵抗層４のＸ方向の磁化は不
安定である。
【０００８】そのため、磁気記録媒体からのｙ方向への
洩れ磁界によりＢ領域での磁気抵抗層４の磁化の方向が
ｘ方向に安定せずに揺らぎを生じる。その結果、磁気抵
抗層４のＢ領域からＡ領域に対し安定したｘ方向への縦
バイアス磁界を与えることができず、その結果、Ａ領域
の磁化方向の変動に起因するバルクハウゼンノイズが高
くなるという欠点がある。
洩れ磁界によりＢ領域での磁気抵抗層４の磁化の方向が
ｘ方向に安定せずに揺らぎを生じる。その結果、磁気抵
抗層４のＢ領域からＡ領域に対し安定したｘ方向への縦
バイアス磁界を与えることができず、その結果、Ａ領域
の磁化方向の変動に起因するバルクハウゼンノイズが高
くなるという欠点がある。
【０００９】また、磁気抵抗層に安定した縦バイアス磁
界を与える方法としてハードバイアス方式がある。この
方式は、磁気抵抗層の両側に保磁力の大きい磁性材料に
よるハードバイアス層が形成され、ハードバイアス層の
ｘ方向への永久磁化により磁気抵抗層にｘ方向への磁界
が与えられる。ハードバイアス層は数百（Ｏｅ）の保持
力を有する材料で形成される。
界を与える方法としてハードバイアス方式がある。この
方式は、磁気抵抗層の両側に保磁力の大きい磁性材料に
よるハードバイアス層が形成され、ハードバイアス層の
ｘ方向への永久磁化により磁気抵抗層にｘ方向への磁界
が与えられる。ハードバイアス層は数百（Ｏｅ）の保持
力を有する材料で形成される。
【００１０】しかし、従来のハードバイアス方式では、
磁気抵抗層、非磁性層、軟磁性層の全ての層の両側にハ
ードバイアス層が接合されるものであるため、ハードバ
イアス層の磁化を磁気抵抗層のみに効率的に与えること
が困難であり、また磁気抵抗層とハードバイアス層との
接合界面における静磁結合が不十分となり、磁気抵抗層
に対し必ずしも充分な縦バイアス磁界が与えられないも
のとなっている。
磁気抵抗層、非磁性層、軟磁性層の全ての層の両側にハ
ードバイアス層が接合されるものであるため、ハードバ
イアス層の磁化を磁気抵抗層のみに効率的に与えること
が困難であり、また磁気抵抗層とハードバイアス層との
接合界面における静磁結合が不十分となり、磁気抵抗層
に対し必ずしも充分な縦バイアス磁界が与えられないも
のとなっている。
【００１１】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
であり、磁気抵抗層の交換結合領域に磁界を与えるとと
もにその領域での磁気抵抗層の保持力を高めて永久磁化
させやすくし、トラック幅内の磁気抵抗層の単磁区化度
を高めて、バルクハウゼンノイズを低減できるようにし
た薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。
であり、磁気抵抗層の交換結合領域に磁界を与えるとと
もにその領域での磁気抵抗層の保持力を高めて永久磁化
させやすくし、トラック幅内の磁気抵抗層の単磁区化度
を高めて、バルクハウゼンノイズを低減できるようにし
た薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗層と
非磁性層と軟磁性層とが積層され、前記磁気抵抗層に対
し磁気記録媒体の記録面に沿う方向の縦バイアス磁界を
与える縦バイアス層が設けられた薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記縦バイアス層は、トラック幅方向に間隔を開け
て前記磁気抵抗層に接しており、且つこの縦バイアス層
は、前記磁気抵抗層に交換異方性磁界を与えるとともに
この磁気抵抗層の保磁力を高くするものであることを特
徴とするものである。
非磁性層と軟磁性層とが積層され、前記磁気抵抗層に対
し磁気記録媒体の記録面に沿う方向の縦バイアス磁界を
与える縦バイアス層が設けられた薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記縦バイアス層は、トラック幅方向に間隔を開け
て前記磁気抵抗層に接しており、且つこの縦バイアス層
は、前記磁気抵抗層に交換異方性磁界を与えるとともに
この磁気抵抗層の保磁力を高くするものであることを特
徴とするものである。
【００１３】上記において、縦バイアス層は、例えばα
−Ｆｅ2Ｏ3で形成される。
−Ｆｅ2Ｏ3で形成される。
【００１４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、縦バイ
アス層の上に磁気抵抗層が積層され、さらに磁気抵抗層
の上に非磁性層、軟磁性層が順に積層されているもの、
または、下から順に磁気抵抗層、非磁性層、軟磁性層が
積層され、非磁性層と軟磁性層はトラック幅方向に一定
の寸法を残して両側が除去されており、この除去された
部分に、縦バイアス層が磁気抵抗層に密着して積層され
ているものとなる。
アス層の上に磁気抵抗層が積層され、さらに磁気抵抗層
の上に非磁性層、軟磁性層が順に積層されているもの、
または、下から順に磁気抵抗層、非磁性層、軟磁性層が
積層され、非磁性層と軟磁性層はトラック幅方向に一定
の寸法を残して両側が除去されており、この除去された
部分に、縦バイアス層が磁気抵抗層に密着して積層され
ているものとなる。
【００１５】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗層
の膜厚を均一に形成でき、またトラック幅を開けた両側
で、縦バイアス層と磁気抵抗層とが確実に密着した構造
となる。このため、縦バイアス層と磁気抵抗層とが密着
している部分（Ｂ領域）での交換異方性結合が良好であ
り、縦バイアス層から磁気抵抗層の交換結合領域（Ｂ領
域）にｘ方向への安定した交換異方性磁界（Ｈｅｘ）を
与えることができる。さらにα−Ｆｅ2Ｏ3などの縦バイ
アス層は、これに密着しているＮｉ−Ｆｅ系材料（磁気
抵抗層）の保磁力を高くする機能を発揮し、磁気抵抗層
はＢ領域において数百（Ｏｅ）にも及ぶ保持力（Ｈｃ）
を持つものとなる。この保持力は従来のハードバイアス
方式におけるハードバイアス層の保持力に匹敵する。よ
って磁気抵抗効果層では、Ｂ領域がハードバイアス層と
近似した機能を発揮し、Ａ領域において磁気抵抗層にｘ
方向へ大きな縦バイアス磁界が与えられ、Ａ領域がｘ方
向へ確実に単磁区化される。
の膜厚を均一に形成でき、またトラック幅を開けた両側
で、縦バイアス層と磁気抵抗層とが確実に密着した構造
となる。このため、縦バイアス層と磁気抵抗層とが密着
している部分（Ｂ領域）での交換異方性結合が良好であ
り、縦バイアス層から磁気抵抗層の交換結合領域（Ｂ領
域）にｘ方向への安定した交換異方性磁界（Ｈｅｘ）を
与えることができる。さらにα−Ｆｅ2Ｏ3などの縦バイ
アス層は、これに密着しているＮｉ−Ｆｅ系材料（磁気
抵抗層）の保磁力を高くする機能を発揮し、磁気抵抗層
はＢ領域において数百（Ｏｅ）にも及ぶ保持力（Ｈｃ）
を持つものとなる。この保持力は従来のハードバイアス
方式におけるハードバイアス層の保持力に匹敵する。よ
って磁気抵抗効果層では、Ｂ領域がハードバイアス層と
近似した機能を発揮し、Ａ領域において磁気抵抗層にｘ
方向へ大きな縦バイアス磁界が与えられ、Ａ領域がｘ方
向へ確実に単磁区化される。
【００１６】また、Ｂ領域での磁気抵抗層は保磁力が大
きいために、磁気記録媒体からの洩れ磁界のような外部
磁界の影響を受けず、外部磁界により磁化の方向に揺ら
ぎが生じにくくなる。よって、Ａ領域における磁気抵抗
層に対し安定した縦バイアス磁界を与えることができ、
これによりバルクハウゼンノイズを低減できる。
きいために、磁気記録媒体からの洩れ磁界のような外部
磁界の影響を受けず、外部磁界により磁化の方向に揺ら
ぎが生じにくくなる。よって、Ａ領域における磁気抵抗
層に対し安定した縦バイアス磁界を与えることができ、
これによりバルクハウゼンノイズを低減できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
により説明する。図１ないし図３は本発明の薄膜磁気ヘ
ッドを構造別に示した正面図である。ハードディスクな
どの記録媒体の記録面は、図１ないし図３の紙面に平行
な向きで薄膜磁気ヘッドに対向する。ｘ方向はトラック
幅方向、ｚ方向は磁気ヘッドの記録媒体に対する相対的
な移動方向、ｙ方向（紙面手前方向）は記録媒体から磁
気ヘッドに与えられる洩れ磁界の方向である。
により説明する。図１ないし図３は本発明の薄膜磁気ヘ
ッドを構造別に示した正面図である。ハードディスクな
どの記録媒体の記録面は、図１ないし図３の紙面に平行
な向きで薄膜磁気ヘッドに対向する。ｘ方向はトラック
幅方向、ｚ方向は磁気ヘッドの記録媒体に対する相対的
な移動方向、ｙ方向（紙面手前方向）は記録媒体から磁
気ヘッドに与えられる洩れ磁界の方向である。
【００１８】図１に示す薄膜磁気ヘッドでは、Ａｌ2Ｏ3
により形成された下部絶縁層１の上の所定の間隔を開け
た両側に、縦バイアス層８，８が積層され、その上に磁
気抵抗層４が一定の膜厚で成膜されている。磁気抵抗層
４の縦バイアス層８，８が重ねられていない部分のｘ方
向の間隔がトラック幅Ｔｗである。磁気抵抗層４のうち
前記トラック幅Ｔｗの部分が磁気抵抗機能領域（Ａ領
域）であり、磁気抵抗層４のうち前記縦バイアス層８が
重ねられている部分が交換結合領域（Ｂ領域）である。
により形成された下部絶縁層１の上の所定の間隔を開け
た両側に、縦バイアス層８，８が積層され、その上に磁
気抵抗層４が一定の膜厚で成膜されている。磁気抵抗層
４の縦バイアス層８，８が重ねられていない部分のｘ方
向の間隔がトラック幅Ｔｗである。磁気抵抗層４のうち
前記トラック幅Ｔｗの部分が磁気抵抗機能領域（Ａ領
域）であり、磁気抵抗層４のうち前記縦バイアス層８が
重ねられている部分が交換結合領域（Ｂ領域）である。
【００１９】磁気抵抗層４はＮｉ−Ｆｅ系材料で形成さ
れ、縦バイアス層８はα−Ｆｅ2Ｏ3（酸化鉄）により形
成されている。磁気抵抗層４の上には、非磁性（ＳＨＵ
ＮＴ）層３、軟磁性（ＳＡＬ）層２が下から順に積層さ
れている。これらの各層は互いに平行に積層されてお
り、非磁性層３はＴａ、軟磁性層２はＦｅ−Ｎｉ−Ｎｂ
系材料などによりそれぞれ形成されている。軟磁性層２
の上のリードトラック幅を開けた両側には、リード層
６，６が形成されている。このリード層６はＣｒあるい
はＴａあるいはＷなどの導電性材料により形成されてい
る。さらに最上部にはＡｌ2Ｏ3などの上部絶縁層７が積
層されている。
れ、縦バイアス層８はα−Ｆｅ2Ｏ3（酸化鉄）により形
成されている。磁気抵抗層４の上には、非磁性（ＳＨＵ
ＮＴ）層３、軟磁性（ＳＡＬ）層２が下から順に積層さ
れている。これらの各層は互いに平行に積層されてお
り、非磁性層３はＴａ、軟磁性層２はＦｅ−Ｎｉ−Ｎｂ
系材料などによりそれぞれ形成されている。軟磁性層２
の上のリードトラック幅を開けた両側には、リード層
６，６が形成されている。このリード層６はＣｒあるい
はＴａあるいはＷなどの導電性材料により形成されてい
る。さらに最上部にはＡｌ2Ｏ3などの上部絶縁層７が積
層されている。
【００２０】Ｎｉ−Ｆｅ系材料により形成されている磁
気抵抗層４の下側にはα−Ｆｅ2Ｏ3による縦バイアス層
８が密着している。この両材料の密着により、Ｂ領域で
は、縦バイアス層８から磁気抵抗層４に数十（Ｏｅ；エ
ルステッド）の交換異方性磁界（Ｈｅｘ）が与えられ
る。この交換異方性磁界の大きさは、従来のエクスチェ
ンジバイアス層のＮｉＯ、Ｆｅ−Ｍｎ合金などが磁気抵
抗層に与える交換異方性磁界の大きさとほぼ同じであ
る。図１に示すようにＢ領域では縦バイアス層８と磁気
抵抗層４とが均一な膜厚で互いに平行に積層されて密着
しているため、縦バイアス層８と磁気抵抗層４のＢ領域
との交換異方性結合は良好であり、縦バイアス層８から
交換異方性磁界（Ｈｅｘ）により、磁気抵抗層４のＢ領
域がｘ方向に単磁区化される。
気抵抗層４の下側にはα−Ｆｅ2Ｏ3による縦バイアス層
８が密着している。この両材料の密着により、Ｂ領域で
は、縦バイアス層８から磁気抵抗層４に数十（Ｏｅ；エ
ルステッド）の交換異方性磁界（Ｈｅｘ）が与えられ
る。この交換異方性磁界の大きさは、従来のエクスチェ
ンジバイアス層のＮｉＯ、Ｆｅ−Ｍｎ合金などが磁気抵
抗層に与える交換異方性磁界の大きさとほぼ同じであ
る。図１に示すようにＢ領域では縦バイアス層８と磁気
抵抗層４とが均一な膜厚で互いに平行に積層されて密着
しているため、縦バイアス層８と磁気抵抗層４のＢ領域
との交換異方性結合は良好であり、縦バイアス層８から
交換異方性磁界（Ｈｅｘ）により、磁気抵抗層４のＢ領
域がｘ方向に単磁区化される。
【００２１】さらに、α−Ｆｅ2Ｏ3とＮｉ−Ｆｅ系材料
とが密着していると、Ｎｉ−Ｆｅ系材料の保磁力が大き
くなる。すなわち縦バイアス層８が密着している磁気抵
抗層４のＢ領域は、数百（Ｏｅ；エルステッド）の保持
力を有するようになる。磁気抵抗層４のＢ領域の保磁力
が大きいと、磁気記録媒体からＢ領域に洩れ磁界が与え
られても、Ｂ領域での磁気抵抗層４に与えられる交換異
方性磁界が揺らぐことがない。よって、縦バイアス層８
からの交換異方性磁界による磁気抵抗層４のＢ領域での
磁化は安定し、Ａ領域の磁気抵抗層４もＢ領域の磁化に
誘発されてｘ方向へ確実に単磁区化される。
とが密着していると、Ｎｉ−Ｆｅ系材料の保磁力が大き
くなる。すなわち縦バイアス層８が密着している磁気抵
抗層４のＢ領域は、数百（Ｏｅ；エルステッド）の保持
力を有するようになる。磁気抵抗層４のＢ領域の保磁力
が大きいと、磁気記録媒体からＢ領域に洩れ磁界が与え
られても、Ｂ領域での磁気抵抗層４に与えられる交換異
方性磁界が揺らぐことがない。よって、縦バイアス層８
からの交換異方性磁界による磁気抵抗層４のＢ領域での
磁化は安定し、Ａ領域の磁気抵抗層４もＢ領域の磁化に
誘発されてｘ方向へ確実に単磁区化される。
【００２２】またα−Ｆｅ2Ｏ3が密着していることによ
りＢ領域の磁気抵抗層４の保磁力が大きいため、このＢ
領域をｘ方向へ永久磁化させることもできる。この永久
磁化によりＡ領域の磁気抵抗層４を確実にｘ方向へ単磁
区化できる。このように、α−Ｆｅ2Ｏ3を縦バイアス層
８として使用することにより、Ａ領域の磁気抵抗層４に
対し、エクスチェンジバイアスとハードバイアスの双方
の縦バイアス磁界を与えることができる。
りＢ領域の磁気抵抗層４の保磁力が大きいため、このＢ
領域をｘ方向へ永久磁化させることもできる。この永久
磁化によりＡ領域の磁気抵抗層４を確実にｘ方向へ単磁
区化できる。このように、α−Ｆｅ2Ｏ3を縦バイアス層
８として使用することにより、Ａ領域の磁気抵抗層４に
対し、エクスチェンジバイアスとハードバイアスの双方
の縦バイアス磁界を与えることができる。
【００２３】再生動作では、定常電流がリード層６を通
って磁気抵抗層４に与えられ、この定常電流により、磁
気抵抗層４にｙ方向（紙面手前方向）の電流磁界が発生
し、この電流磁界が軟磁性層２にｙ方向へ与えられる。
さらに軟磁性層２がもたらす静磁結合エネルギーによ
り、磁気抵抗層４に横方向（ｙ方向）のＳＡＬバイアス
磁界が与えられる。Ａ領域の磁気抵抗層４には前記縦バ
イアス磁界と、ＳＡＬバイアスによる横バイアス磁界が
与えられ、これによりＡ領域の磁気抵抗層４の磁化の方
向がｘ方向とｙ方向の中間の角度に設定される。磁気記
録媒体からＡ領域の磁気抵抗層４に対してｙ方向に与え
られる洩れ磁界によりＡ領域の磁化方向が変化し、その
結果変化する電気抵抗が定常電流に基づき検出される。
って磁気抵抗層４に与えられ、この定常電流により、磁
気抵抗層４にｙ方向（紙面手前方向）の電流磁界が発生
し、この電流磁界が軟磁性層２にｙ方向へ与えられる。
さらに軟磁性層２がもたらす静磁結合エネルギーによ
り、磁気抵抗層４に横方向（ｙ方向）のＳＡＬバイアス
磁界が与えられる。Ａ領域の磁気抵抗層４には前記縦バ
イアス磁界と、ＳＡＬバイアスによる横バイアス磁界が
与えられ、これによりＡ領域の磁気抵抗層４の磁化の方
向がｘ方向とｙ方向の中間の角度に設定される。磁気記
録媒体からＡ領域の磁気抵抗層４に対してｙ方向に与え
られる洩れ磁界によりＡ領域の磁化方向が変化し、その
結果変化する電気抵抗が定常電流に基づき検出される。
【００２４】図１に示す薄膜磁気ヘッドでは、前記のよ
うにＢ領域の磁気抵抗層４の保磁力が高いためにｘ方向
への磁化が安定している。また磁気記録媒体からの洩れ
磁界などの外部磁界がＢ領域に与えられても、Ｂ領域の
磁気抵抗層４の保磁力が大きいため、Ｂ領域の磁気抵抗
層４のｘ方向の磁化の揺るぎが生じない。したがって磁
気抵抗層４のＡ領域に確実な縦バイアス磁界が与えら
れ、Ａ領域の磁化の方向が安定し、バルクハウゼンノイ
ズを低減できる。
うにＢ領域の磁気抵抗層４の保磁力が高いためにｘ方向
への磁化が安定している。また磁気記録媒体からの洩れ
磁界などの外部磁界がＢ領域に与えられても、Ｂ領域の
磁気抵抗層４の保磁力が大きいため、Ｂ領域の磁気抵抗
層４のｘ方向の磁化の揺るぎが生じない。したがって磁
気抵抗層４のＡ領域に確実な縦バイアス磁界が与えら
れ、Ａ領域の磁化の方向が安定し、バルクハウゼンノイ
ズを低減できる。
【００２５】次に図１に示す上記薄膜磁気ヘッドの製造
工程を以下に簡単に説明する。最初に下部絶縁層１の上
の全面に、縦バイアス層８をスパッタ成膜する。縦バイ
アス層８の上に所定のトラック幅を開けてレジスト層を
形成し、イオンミーリングなどによるエッチングを行
い、レジスト層が形成されていない領域（トラック幅Ｔ
ｗの領域）の縦バイアス層８を除去する。あるいは、下
部絶縁層１の上のトラック幅Ｔｗの部分にレジスト層を
形成し、このレジスト層が形成されていない部分（トラ
ック幅Ｔｗの両側部分）に縦バイアス層８をスパッタ成
膜してもよい。このいずれかの工程により、縦バイアス
層８のトラック幅Ｔｗの部分が除去され、トラック幅Ｔ
ｗの部分には下部絶縁層１が現れている状態となる。
工程を以下に簡単に説明する。最初に下部絶縁層１の上
の全面に、縦バイアス層８をスパッタ成膜する。縦バイ
アス層８の上に所定のトラック幅を開けてレジスト層を
形成し、イオンミーリングなどによるエッチングを行
い、レジスト層が形成されていない領域（トラック幅Ｔ
ｗの領域）の縦バイアス層８を除去する。あるいは、下
部絶縁層１の上のトラック幅Ｔｗの部分にレジスト層を
形成し、このレジスト層が形成されていない部分（トラ
ック幅Ｔｗの両側部分）に縦バイアス層８をスパッタ成
膜してもよい。このいずれかの工程により、縦バイアス
層８のトラック幅Ｔｗの部分が除去され、トラック幅Ｔ
ｗの部分には下部絶縁層１が現れている状態となる。
【００２６】次にレジスト層を除去し、磁気抵抗層４、
非磁性層３、軟磁性層２の３層を連続してスパッタ成膜
する。これにより、磁気抵抗層４のＢ領域は縦バイアス
層８の上に密着し、且つＡ領域は下部絶縁層１の上に積
層された状態になる。さらに、軟磁性層２の上の所定の
リードトラック幅部分にレジスト層を形成する。そし
て、この上から、リード層６，６をスパッタ成膜する。
リード層６，６はレジスト層が形成されていない領域
（リードトラック幅の両側）に形成される。軟磁性層２
の上のレジスト層を除去し、軟磁性層２とリード層６，
６の上に上部絶縁層７を積層すると、図１に示す薄膜磁
気ヘッドが完成する。
非磁性層３、軟磁性層２の３層を連続してスパッタ成膜
する。これにより、磁気抵抗層４のＢ領域は縦バイアス
層８の上に密着し、且つＡ領域は下部絶縁層１の上に積
層された状態になる。さらに、軟磁性層２の上の所定の
リードトラック幅部分にレジスト層を形成する。そし
て、この上から、リード層６，６をスパッタ成膜する。
リード層６，６はレジスト層が形成されていない領域
（リードトラック幅の両側）に形成される。軟磁性層２
の上のレジスト層を除去し、軟磁性層２とリード層６，
６の上に上部絶縁層７を積層すると、図１に示す薄膜磁
気ヘッドが完成する。
【００２７】図２に示す他の構造の薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明する。図２に示した薄膜磁気ヘッドでは、図１
に示した薄膜磁気ヘッドと同様に、下部絶縁層１の上
に、所定の間隔ａを開けてα−Ｆｅ2Ｏ3の縦バイアス層
８，８が形成されている。そして、縦バイアス層８，８
と、下部絶縁層１の上にＮｉ−Ｆｅ系材料の磁気抵抗層
４が均一な膜厚で積層されている。Ｂ領域では縦バイア
ス層８と磁気抵抗層４とが密着しており、Ｂ領域の磁気
抵抗層４の磁化の方向が安定している点は、図１と同様
である。
いて説明する。図２に示した薄膜磁気ヘッドでは、図１
に示した薄膜磁気ヘッドと同様に、下部絶縁層１の上
に、所定の間隔ａを開けてα−Ｆｅ2Ｏ3の縦バイアス層
８，８が形成されている。そして、縦バイアス層８，８
と、下部絶縁層１の上にＮｉ−Ｆｅ系材料の磁気抵抗層
４が均一な膜厚で積層されている。Ｂ領域では縦バイア
ス層８と磁気抵抗層４とが密着しており、Ｂ領域の磁気
抵抗層４の磁化の方向が安定している点は、図１と同様
である。
【００２８】図２では、磁気抵抗層４の上の中央部分に
非磁性層３と軟磁性層２が順に積層され、軟磁性層２の
ｘ方向の幅寸法によりトラック幅Ｔｗが決められてい
る。また非磁性層３と軟磁性層２の両側に、リード層
６，６が形成され、さらに軟磁性層２とリード層６，６
の上に上部絶縁層７が形成されている。図２に示した薄
膜磁気ヘッドを図１に示したものと比べると、α−Ｆｅ
2Ｏ3から成る縦バイアス層８と、Ｎｉ−Ｆｅ系材料の磁
気抵抗層４との密着により、Ｂ領域での磁気抵抗層４の
ｘ方向への磁化が安定する点で、図２と図１では同じ効
果を期待できる。
非磁性層３と軟磁性層２が順に積層され、軟磁性層２の
ｘ方向の幅寸法によりトラック幅Ｔｗが決められてい
る。また非磁性層３と軟磁性層２の両側に、リード層
６，６が形成され、さらに軟磁性層２とリード層６，６
の上に上部絶縁層７が形成されている。図２に示した薄
膜磁気ヘッドを図１に示したものと比べると、α−Ｆｅ
2Ｏ3から成る縦バイアス層８と、Ｎｉ−Ｆｅ系材料の磁
気抵抗層４との密着により、Ｂ領域での磁気抵抗層４の
ｘ方向への磁化が安定する点で、図２と図１では同じ効
果を期待できる。
【００２９】ただし、図１では、ＳＡＬバイアス磁界
（横バイアス磁界）を与える軟磁性層２がｘ方向へ長
く、トラック幅Ｔｗの両側に延びている。したがって、
磁気記録媒体からの洩れ磁界のうち、トラック幅Ｔｗか
ら外れる領域の磁界が軟磁性層２に与えられ、この磁界
によりバルクハウゼンノイズが多くなり、またオフトラ
ック特性も劣るものとなる。これに対し、図２に示すも
のでは、軟磁性層２の幅寸法によりトラック幅Ｔｗが決
められるため、上記のような欠点がなくなる。また図２
に示すものは、ａ、ｂ、ｃの寸法を設定しやすい構造で
ある。すなわち軟磁性層２のトラック幅寸法Ｔｗはイオ
ンミーリングなどのエッチング工程により高精度に決め
られるため、トラック幅Ｔｗの寸法精度の安定したもの
となる。
（横バイアス磁界）を与える軟磁性層２がｘ方向へ長
く、トラック幅Ｔｗの両側に延びている。したがって、
磁気記録媒体からの洩れ磁界のうち、トラック幅Ｔｗか
ら外れる領域の磁界が軟磁性層２に与えられ、この磁界
によりバルクハウゼンノイズが多くなり、またオフトラ
ック特性も劣るものとなる。これに対し、図２に示すも
のでは、軟磁性層２の幅寸法によりトラック幅Ｔｗが決
められるため、上記のような欠点がなくなる。また図２
に示すものは、ａ、ｂ、ｃの寸法を設定しやすい構造で
ある。すなわち軟磁性層２のトラック幅寸法Ｔｗはイオ
ンミーリングなどのエッチング工程により高精度に決め
られるため、トラック幅Ｔｗの寸法精度の安定したもの
となる。
【００３０】図２に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程で
は、下部絶縁層１の上に間隔ａを開けて縦バイアス層８
を積層し、その上に、磁気抵抗層４、非磁性層３、軟磁
性層２を連続してスパッタ成膜する。ここまでは図１に
示す薄膜磁気ヘッドと同じである。そしてレジスト層を
軟磁性層２の上に形成してトラック幅Ｔｗを決定し、ト
ラック幅Ｔｗの両側にて非磁性層３と軟磁性層２をイオ
ンミーリングなどのエッチング工程により除去する。そ
して軟磁性層２の上にレジスト層を載せたままその両側
にリード層６をスパッタ成膜する。その後に、レジスト
層を除去し、上部絶縁層７を形成する。
は、下部絶縁層１の上に間隔ａを開けて縦バイアス層８
を積層し、その上に、磁気抵抗層４、非磁性層３、軟磁
性層２を連続してスパッタ成膜する。ここまでは図１に
示す薄膜磁気ヘッドと同じである。そしてレジスト層を
軟磁性層２の上に形成してトラック幅Ｔｗを決定し、ト
ラック幅Ｔｗの両側にて非磁性層３と軟磁性層２をイオ
ンミーリングなどのエッチング工程により除去する。そ
して軟磁性層２の上にレジスト層を載せたままその両側
にリード層６をスパッタ成膜する。その後に、レジスト
層を除去し、上部絶縁層７を形成する。
【００３１】図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、縦バイア
ス層８が磁気抵抗層４の上に密着して設けられている。
図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、下部絶縁層１の上に、
磁気抵抗層４、非磁性層３、軟磁性層２の３層が連続し
てスパッタ成膜される。そして軟磁性層２の上面の間隔
ａの部分にレジスト層が形成され、寸法ａの両側部分が
イオンミーリングによるエッチングにより除去される。
その結果、間隔ａの両側にて非磁性層３と軟磁性層２が
完全に除去され、また磁気抵抗層４の一部が除去され
る。そして前記レジスト層を残したまま、α−Ｆｅ2Ｏ3
をスパッタし、縦バイアス層８が形成される。磁気抵抗
層４はＢ領域にて一部が除去され、その上に非磁性層３
が残っていないため、縦バイアス層８は磁気抵抗層４の
上に完全に密着する。次に、軟磁性層２の上のレジスト
層を除去し、次に軟磁性層２の上にトラック幅Ｔｗを決
めてレジスト層を形成し、このレジスト層の両側にリー
ド層６を形成する。さらに上部絶縁層７を形成する。
ス層８が磁気抵抗層４の上に密着して設けられている。
図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、下部絶縁層１の上に、
磁気抵抗層４、非磁性層３、軟磁性層２の３層が連続し
てスパッタ成膜される。そして軟磁性層２の上面の間隔
ａの部分にレジスト層が形成され、寸法ａの両側部分が
イオンミーリングによるエッチングにより除去される。
その結果、間隔ａの両側にて非磁性層３と軟磁性層２が
完全に除去され、また磁気抵抗層４の一部が除去され
る。そして前記レジスト層を残したまま、α−Ｆｅ2Ｏ3
をスパッタし、縦バイアス層８が形成される。磁気抵抗
層４はＢ領域にて一部が除去され、その上に非磁性層３
が残っていないため、縦バイアス層８は磁気抵抗層４の
上に完全に密着する。次に、軟磁性層２の上のレジスト
層を除去し、次に軟磁性層２の上にトラック幅Ｔｗを決
めてレジスト層を形成し、このレジスト層の両側にリー
ド層６を形成する。さらに上部絶縁層７を形成する。
【００３２】図３に示す実施例では、α−Ｆｅ2Ｏ3の縦
バイアス層８が、Ｎｉ−Ｆｅ系材料の磁気抵抗層４のＢ
領域に密着しているため、図１と図２に示すものと同様
に、Ａ領域の磁気抵抗層４に与えられる縦バイアス磁界
が安定する。また、軟磁性層２がトラック幅Ｔｗの両側
に長く延びていないため、図２に示したものと同様にオ
フトラック特性が良好になる。またトラック幅Ｔｗは、
リード層６の間隔により高精度に決められるものとな
る。
バイアス層８が、Ｎｉ−Ｆｅ系材料の磁気抵抗層４のＢ
領域に密着しているため、図１と図２に示すものと同様
に、Ａ領域の磁気抵抗層４に与えられる縦バイアス磁界
が安定する。また、軟磁性層２がトラック幅Ｔｗの両側
に長く延びていないため、図２に示したものと同様にオ
フトラック特性が良好になる。またトラック幅Ｔｗは、
リード層６の間隔により高精度に決められるものとな
る。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明の薄膜磁気ヘッドで
は、α−Ｆｅ2Ｏ3などで形成される縦バイアス層によ
り、磁気抵抗層に対して交換異方性磁界が与えられると
ともに、縦バイアス層が密着している部分での磁気抵抗
層の保磁力が大きくなるため、トラック幅の領域での磁
気抵抗層に充分な縦バイアス磁界を与え、バルクハウゼ
ンノイズを低減できる。
は、α−Ｆｅ2Ｏ3などで形成される縦バイアス層によ
り、磁気抵抗層に対して交換異方性磁界が与えられると
ともに、縦バイアス層が密着している部分での磁気抵抗
層の保磁力が大きくなるため、トラック幅の領域での磁
気抵抗層に充分な縦バイアス磁界を与え、バルクハウゼ
ンノイズを低減できる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの正面図
【図２】本発明の他の薄膜磁気ヘッドの正面図
【図３】本発明の他の薄膜磁気ヘッドの正面図
【図４】従来のエクスチェンジバイアス方式の薄膜磁気
ヘッドの正面図
ヘッドの正面図
１ 下部絶縁層 ２ 軟磁性（ＳＡＬ）層 ３ 非磁性（ＳＨＵＮＴ）層 ４ 磁気抵抗（ＭＲ）層 ６ リード層 ７ 上部絶縁層 ８ 縦バイアス層
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気抵抗層と非磁性層と軟磁性層とが積
層され、前記磁気抵抗層に対し磁気記録媒体の記録面に
沿う方向の縦バイアス磁界を与える縦バイアス層が設け
られた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記縦バイアス層は、
トラック幅方向に間隔を開けて前記磁気抵抗層に接して
おり、且つこの縦バイアス層は、前記磁気抵抗層に交換
異方性磁界を与えるとともにこの磁気抵抗層の保磁力を
高くするものであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 縦バイアス層がα−Ｆｅ2Ｏ3で形成され
ている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 縦バイアス層の上に磁気抵抗層が積層さ
れ、さらに磁気抵抗層の上に非磁性層、軟磁性層が順に
積層されている請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 下から順に磁気抵抗層、非磁性層、軟磁
性層が積層され、非磁性層と軟磁性層はトラック幅方向
に一定の寸法を残して両側が除去されており、この除去
された部分に、縦バイアス層が磁気抵抗層に密着して積
層されている請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7243096A JPH0991629A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 薄膜磁気ヘッド |
| US08/718,061 US5805389A (en) | 1995-09-21 | 1996-09-17 | Magnetoresistive head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7243096A JPH0991629A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0991629A true JPH0991629A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17098736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7243096A Pending JPH0991629A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5805389A (ja) |
| JP (1) | JPH0991629A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556391B1 (en) | 1999-12-07 | 2003-04-29 | Fujitsu Limited | Biasing layers for a magnetoresistance effect magnetic head using perpendicular current flow |
| US6721147B2 (en) | 1999-12-07 | 2004-04-13 | Fujitsu Limited | Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6040962A (en) * | 1997-05-14 | 2000-03-21 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element with conductive films and magnetic domain films overlapping a central active area |
| KR100434484B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 소프트 어제이션트 레이어로 바이어스된 자기 저항 헤드 |
| US6353318B1 (en) | 2000-03-10 | 2002-03-05 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive sensor having hard biased current perpendicular to the plane sensor |
| US6496334B1 (en) | 2000-05-26 | 2002-12-17 | Read-Rite Corportion | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having planarized extra gap and shield layers and method of fabrication thereof |
| US7144484B2 (en) * | 2000-08-15 | 2006-12-05 | Seagate Technology Llc | Ion mill shutter system |
| US6801408B1 (en) | 2000-11-02 | 2004-10-05 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having a planar sensor element and an extra gap and method of fabrication thereof |
| US6833982B2 (en) | 2001-05-03 | 2004-12-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic tunnel junction sensor with a free layer biased by longitudinal layers interfacing top surfaces of free layer extensions which extend beyond an active region of the sensor |
| AU2002352786A1 (en) * | 2002-03-07 | 2003-09-22 | Seagate Technology Llc | Armature vibration damper for an armature in a disc storage system |
| US6756648B2 (en) * | 2002-03-25 | 2004-06-29 | International Business Machines Corporation | System and method for stabilizing a magnetic tunnel junction sensor |
| US7268981B2 (en) * | 2004-04-30 | 2007-09-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Spin valve sensor having antiferromagnetic (AFM) pinning layer structures formed in the end regions |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4663685A (en) * | 1985-08-15 | 1987-05-05 | International Business Machines | Magnetoresistive read transducer having patterned longitudinal bias |
| US5495378A (en) * | 1995-01-30 | 1996-02-27 | Seagate Technology, Inc. | Magnetoresistive sensor with improved performance and processability |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP7243096A patent/JPH0991629A/ja active Pending
-
1996
- 1996-09-17 US US08/718,061 patent/US5805389A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556391B1 (en) | 1999-12-07 | 2003-04-29 | Fujitsu Limited | Biasing layers for a magnetoresistance effect magnetic head using perpendicular current flow |
| US6721147B2 (en) | 1999-12-07 | 2004-04-13 | Fujitsu Limited | Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5805389A (en) | 1998-09-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010417 |