JPS61177616A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS61177616A JPS61177616A JP1776685A JP1776685A JPS61177616A JP S61177616 A JPS61177616 A JP S61177616A JP 1776685 A JP1776685 A JP 1776685A JP 1776685 A JP1776685 A JP 1776685A JP S61177616 A JPS61177616 A JP S61177616A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- yoke
- head
- magnetic
- width
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は強磁性薄膜の磁気抵抗効果を応用して得た磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称す。）を用いて磁気記
録媒体に記録された信号の検出を行なう薄膜磁気ヘッド
に関する。
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称す。）を用いて磁気記
録媒体に記録された信号の検出を行なう薄膜磁気ヘッド
に関する。
〈従来技術〉
従来、ＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘッドは巻線型の磁気
ヘッドと比較して多くの利点があることが知られている
。即ち磁気記録媒体に記録された信号磁界を受けること
によって抵抗変化を電圧変化として取り出すことができ
るため、媒体の移送速度に依存せずに信号磁界を再生で
きるという利点、及び媒体の移送速度が低速の場合は巻
線型の磁気ヘッドより高出力であるという利点を備える
ものである。
ヘッドと比較して多くの利点があることが知られている
。即ち磁気記録媒体に記録された信号磁界を受けること
によって抵抗変化を電圧変化として取り出すことができ
るため、媒体の移送速度に依存せずに信号磁界を再生で
きるという利点、及び媒体の移送速度が低速の場合は巻
線型の磁気ヘッドより高出力であるという利点を備える
ものである。
従来の薄膜磁気ヘッドは第２図に示す如く高記録密度の
磁気記録媒体９に対して使用する為に通常媒体に近接さ
せるべくヘッドの先端にＭＲ素子６を露出した形になっ
ており、又その両側又は片側にシールド用高透磁率磁性
体７，８を具備している。また、多チャンネル薄膜磁気
ヘッドの場合は下側のシールド用高透磁率磁性体８とし
てＮ ｉ Ｚｎフェライト又はＭｎＺｎフェライトを使
用し、一方上側のシールド用高透磁率磁性体７としては
加工上の容易さからパーマロイなどの金属高透磁率磁性
体を使用している。ここで、薄膜磁気ヘッドを高記録密
度の磁気記録媒体９ （５０ＫＢＰＩ以上）に対応して
用いるためにはギャップ長を０．５μｍ以下にする必要
があり、そのような狭ギャップの中にＭＲ素子６を構成
した場合、媒体の走行によってヘッド先端１０が媒体９
と接触した際に媒体９上の湿気を帯びたほこり又は上側
のシールド用高透磁率磁性体７の微小な剥離によってＭ
Ｒ素子６が短絡され、出力の出ない状態がしばしば発生
した。又、上記の如くギャップ長を０．５μｍ以下に設
定した場合、ＭＲ素子６の応答を線型応答にする為のバ
イアス磁界印加手段を設けることが困難になった。この
場合上側のシールド用高透磁率磁性体７に通電すること
によってＭＲ素子６にバイアス磁界を印加することは可
能である。しかし、この場合もＭＲ素子が磁気記録媒体
９と接触する際に上側のシールド用高透磁率磁性体７と
ＭＲ素子６とがその間の絶縁層の存在にもかかわらず短
絡して上側のシールド用高透磁率磁性体７に通電してい
た電流がＭＲ素子６に流れ込んで大きなノイズになるこ
とがあった。
磁気記録媒体９に対して使用する為に通常媒体に近接さ
せるべくヘッドの先端にＭＲ素子６を露出した形になっ
ており、又その両側又は片側にシールド用高透磁率磁性
体７，８を具備している。また、多チャンネル薄膜磁気
ヘッドの場合は下側のシールド用高透磁率磁性体８とし
てＮ ｉ Ｚｎフェライト又はＭｎＺｎフェライトを使
用し、一方上側のシールド用高透磁率磁性体７としては
加工上の容易さからパーマロイなどの金属高透磁率磁性
体を使用している。ここで、薄膜磁気ヘッドを高記録密
度の磁気記録媒体９ （５０ＫＢＰＩ以上）に対応して
用いるためにはギャップ長を０．５μｍ以下にする必要
があり、そのような狭ギャップの中にＭＲ素子６を構成
した場合、媒体の走行によってヘッド先端１０が媒体９
と接触した際に媒体９上の湿気を帯びたほこり又は上側
のシールド用高透磁率磁性体７の微小な剥離によってＭ
Ｒ素子６が短絡され、出力の出ない状態がしばしば発生
した。又、上記の如くギャップ長を０．５μｍ以下に設
定した場合、ＭＲ素子６の応答を線型応答にする為のバ
イアス磁界印加手段を設けることが困難になった。この
場合上側のシールド用高透磁率磁性体７に通電すること
によってＭＲ素子６にバイアス磁界を印加することは可
能である。しかし、この場合もＭＲ素子が磁気記録媒体
９と接触する際に上側のシールド用高透磁率磁性体７と
ＭＲ素子６とがその間の絶縁層の存在にもかかわらず短
絡して上側のシールド用高透磁率磁性体７に通電してい
た電流がＭＲ素子６に流れ込んで大きなノイズになるこ
とがあった。
又、ＭＲ素子６の膜厚はヘッドの感度を上げる為に３０
０〜７００Ａと非常に薄い膜厚となっているので、ＭＲ
素子６が磁気記録媒体９の摺動面に露出している場合、
耐久性に問題があった。
０〜７００Ａと非常に薄い膜厚となっているので、ＭＲ
素子６が磁気記録媒体９の摺動面に露出している場合、
耐久性に問題があった。
−以上の点から第２図に示す構造のヘッド（シールド型
ＭＲヘッド）に変えて、ＭＲ素子部をヘッド先端から離
し、そのＭＲ素子部に磁気記録媒体にて発生した磁束を
導く磁束導入路（ヨーク）を配置した第１図の如き薄膜
磁気ヘッド（ヨークタイプＭＲヘッド）が考えられてい
る。同図で１はＭＲ素子部、２はヨーク前部、３はヨー
ク後部、４は下側のシールド用高透磁率磁性体、１２は
磁気記録媒体、１１はスペーシング、５はＭＲ素子部７
にバイアス磁界を印加する為の導体である。
ＭＲヘッド）に変えて、ＭＲ素子部をヘッド先端から離
し、そのＭＲ素子部に磁気記録媒体にて発生した磁束を
導く磁束導入路（ヨーク）を配置した第１図の如き薄膜
磁気ヘッド（ヨークタイプＭＲヘッド）が考えられてい
る。同図で１はＭＲ素子部、２はヨーク前部、３はヨー
ク後部、４は下側のシールド用高透磁率磁性体、１２は
磁気記録媒体、１１はスペーシング、５はＭＲ素子部７
にバイアス磁界を印加する為の導体である。
このヨークタイプＭＲヘッドでは図から明らかな様にヘ
ッド構造が複雑となる為、実際のヘッド加工上の寸法限
界等を考慮に入れて各寸法を慎重に決定する必要がある
。同図においてｔｈ、／ｙ １はヘッド効率を考慮した
場合小さい方が効率が良いと考えられるが、その他の寸
法については磁気的、効率の観点上において設計指針は
明確でない。ここで上記磁気的効率とはヘッド先端で与
えられた一定の磁束の値とＭＲ素子上の磁束の比率を言
う。
ッド構造が複雑となる為、実際のヘッド加工上の寸法限
界等を考慮に入れて各寸法を慎重に決定する必要がある
。同図においてｔｈ、／ｙ １はヘッド効率を考慮した
場合小さい方が効率が良いと考えられるが、その他の寸
法については磁気的、効率の観点上において設計指針は
明確でない。ここで上記磁気的効率とはヘッド先端で与
えられた一定の磁束の値とＭＲ素子上の磁束の比率を言
う。
く目的〉
本発明は上述の問題点を解消する為になされたものであ
り、ヨークタイプＭＲヘッドにおける皿素子とヨーク前
部及びＭＲ素子とヨーク後部の重なり幅の適切な値を求
めヘッド効率を良好に維持するとともに動作特性を改善
した薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とするもので
ある。
り、ヨークタイプＭＲヘッドにおける皿素子とヨーク前
部及びＭＲ素子とヨーク後部の重なり幅の適切な値を求
めヘッド効率を良好に維持するとともに動作特性を改善
した薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とするもので
ある。
〈実施例〉
以下、第１図を用いて本発明に係る薄膜磁気へラドの１
実施例について説明する。ＭＲ素子部とヨーク前部及び
ＭＲ素子部とヨーク後部の重なり幅寸法の適切な値は次
の様にして求めた。
実施例について説明する。ＭＲ素子部とヨーク前部及び
ＭＲ素子部とヨーク後部の重なり幅寸法の適切な値は次
の様にして求めた。
尚、上記型なり幅の適正値を求めるに当り、磁気記録媒
体上での十分長い記録波長に対する上記ヘッドの応答を
考え、記録媒体上での磁化はアークタンゼント型の磁化
遷移で媒体厚み方向に一様に Ｍ（ｘ）＝ −Ｍｒ ｔａｎ （） π ａ で磁化しているものとした。同式でＭｒは媒体上の残留
磁化、ａは遷移長、ψは遷移が発生する位置の値である
。上記磁化遷移から発生した磁界に対するＭＲ素子部上
及びヨーク上の磁化分布は通常積分法と呼ばれる、”Ａ
ｎ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｈｅｅｆｆｅｃｔ ｏ
ｆ ５ｈｉｅｌｄ ｌｅｎｇｔｈ ｏｎ ｔｈｅ ｐｅ
ｒｆｏｒ−ｍａｎｃｅ ｏｒ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉ
ｓｔｉｖｅ ｈｅａｄｓ”の方法で求めることができる
（例えば文献： ＩＥ３゜ＴＲＡＮＳ、ＭＡＧ、Ｖｏｌ
、ＭＡＧ−１４（１９７８）ｐ５１５Ｇ、 Ｖ、 Ｋｅ
ｌｌｅｙ ａｎｄ Ｒ，Ａ、 Ｋｅｔｃｈａｍ著を参照
）０又求められた磁化分布から各位置に対するＭＲヘヘ
ッの出力Ｖ（＝ＩｓＲ（ｘ））を求めることができる。
体上での十分長い記録波長に対する上記ヘッドの応答を
考え、記録媒体上での磁化はアークタンゼント型の磁化
遷移で媒体厚み方向に一様に Ｍ（ｘ）＝ −Ｍｒ ｔａｎ （） π ａ で磁化しているものとした。同式でＭｒは媒体上の残留
磁化、ａは遷移長、ψは遷移が発生する位置の値である
。上記磁化遷移から発生した磁界に対するＭＲ素子部上
及びヨーク上の磁化分布は通常積分法と呼ばれる、”Ａ
ｎ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｈｅｅｆｆｅｃｔ ｏ
ｆ ５ｈｉｅｌｄ ｌｅｎｇｔｈ ｏｎ ｔｈｅ ｐｅ
ｒｆｏｒ−ｍａｎｃｅ ｏｒ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉ
ｓｔｉｖｅ ｈｅａｄｓ”の方法で求めることができる
（例えば文献： ＩＥ３゜ＴＲＡＮＳ、ＭＡＧ、Ｖｏｌ
、ＭＡＧ−１４（１９７８）ｐ５１５Ｇ、 Ｖ、 Ｋｅ
ｌｌｅｙ ａｎｄ Ｒ，Ａ、 Ｋｅｔｃｈａｍ著を参照
）０又求められた磁化分布から各位置に対するＭＲヘヘ
ッの出力Ｖ（＝ＩｓＲ（ｘ））を求めることができる。
ここでＩｓはＭＲ素子に流すセンス電流値である。
第１図のヘッド構造から明らかな様に構造パラメータは
多種に及んでいるが、同図のＷ＝９μｍ。
多種に及んでいるが、同図のＷ＝９μｍ。
ＭＲ素子１の膜厚ｔ＝０．０３μｍ、α＝６８ 、ｔｙ
＝０．６５μｍ、ｔｈ：５μｍ、／ｙｌ＝５μｍ。
＝０．６５μｍ、ｔｈ：５μｍ、／ｙｌ＝５μｍ。
／ ｙ ２＝５ ｔｔｍＳｙ ｈ＝２ μｍ、 Ｏｖ
ｈ＝０．３ μｍ、記録媒体１２の厚み＝０．５μｍ１
その遷移長ａ＝ｏ、ｏｏｔμｍに設定した。
ｈ＝０．３ μｍ、記録媒体１２の厚み＝０．５μｍ１
その遷移長ａ＝ｏ、ｏｏｔμｍに設定した。
ここで、記録媒体１２にある値の残留磁化を与えた時の
ＭＲ素子部１の磁化の大きさを第３図に示す。ＭＲ素子
部ｌの上側ヨーク２，３と重なっている部分（Ｏｖｙｌ
、０ｖｙ２）の磁化は小さく、ＭＲ素子部ｌの全磁化の
大部分を上側ヨーク２．３と重なっていない部分の磁化
が占めている。これはＭＲ素子部１の上側ヨーク２，３
との重なり部分（Ｏｖｙｌ、０ｖｙ２）において磁束が
上側ヨーク２゜３の方に吸収される為である。次にＭＲ
素子部１と上側ヨーク２，３との重なり部分０ｖｙｌ（
＝Ｏｖｙ２）を変化させて、抵抗変化率（素子抵抗変化
／素子抵抗）のピーク値を計算した結果を第４図に示す
。ここでバイアスは最大抵抗変化率の形、記録媒体１２
の残留磁化は１２ Ｂ、８ ｅｍｕ／ｃ ｃとなってお
り、記録媒体１２からの微小な磁束に対するＭＲ素子部
ｌの応答すなわち感度を示している。
ＭＲ素子部１の磁化の大きさを第３図に示す。ＭＲ素子
部ｌの上側ヨーク２，３と重なっている部分（Ｏｖｙｌ
、０ｖｙ２）の磁化は小さく、ＭＲ素子部ｌの全磁化の
大部分を上側ヨーク２．３と重なっていない部分の磁化
が占めている。これはＭＲ素子部１の上側ヨーク２，３
との重なり部分（Ｏｖｙｌ、０ｖｙ２）において磁束が
上側ヨーク２゜３の方に吸収される為である。次にＭＲ
素子部１と上側ヨーク２，３との重なり部分０ｖｙｌ（
＝Ｏｖｙ２）を変化させて、抵抗変化率（素子抵抗変化
／素子抵抗）のピーク値を計算した結果を第４図に示す
。ここでバイアスは最大抵抗変化率の形、記録媒体１２
の残留磁化は１２ Ｂ、８ ｅｍｕ／ｃ ｃとなってお
り、記録媒体１２からの微小な磁束に対するＭＲ素子部
ｌの応答すなわち感度を示している。
０ｖｙｌは２μｍ近傍でピーク値をもっている。
これは、第３図に示したようにＭＲ素子部１の上側ヨー
ク２，３との重なり部分の磁化は小さくなるためあまり
０ｖｙｌを大きくとるとＭＲ素子部１の磁化し易い部分
が狭くなり全磁化が低下するためと、０ｖｙｌをあまり
小さくするとＭＲ素子部１に磁束が有効に伝達されない
ため、ＭＲ素子部ｌの全磁化が低下するためである。こ
れから、０ｖｙｌは１〜３μｍを適切な値の範囲として
取り得るが、０ｖｙｌが約２μｍのピーク値を境として
０ｖｙｌが１〜２μｍの方がよいのかあるいは２〜３μ
の方がよいのかは、第４図では判断できない。そこで、
記録媒体１２の残留磁化を変化させた時の抵抗変化率を
０ｖｙｌ（＝Ｏｖｙ２）をパラメータとして計算した結
果を第５図に示す。イくイアス無し、記録媒体残留磁化
Ｏ〜２５００ｅｍｕ／ｃｃという条件に設定されておシ
、これは、ＭＲ素子部１の大きな磁束に対する応答すな
わちＭＲ素子部１のダイナミックレンジを示している。
ク２，３との重なり部分の磁化は小さくなるためあまり
０ｖｙｌを大きくとるとＭＲ素子部１の磁化し易い部分
が狭くなり全磁化が低下するためと、０ｖｙｌをあまり
小さくするとＭＲ素子部１に磁束が有効に伝達されない
ため、ＭＲ素子部ｌの全磁化が低下するためである。こ
れから、０ｖｙｌは１〜３μｍを適切な値の範囲として
取り得るが、０ｖｙｌが約２μｍのピーク値を境として
０ｖｙｌが１〜２μｍの方がよいのかあるいは２〜３μ
の方がよいのかは、第４図では判断できない。そこで、
記録媒体１２の残留磁化を変化させた時の抵抗変化率を
０ｖｙｌ（＝Ｏｖｙ２）をパラメータとして計算した結
果を第５図に示す。イくイアス無し、記録媒体残留磁化
Ｏ〜２５００ｅｍｕ／ｃｃという条件に設定されておシ
、これは、ＭＲ素子部１の大きな磁束に対する応答すな
わちＭＲ素子部１のダイナミックレンジを示している。
そして最も大きな抵抗変化率を得ることができるのは０
ｖｙｌ＝１μｍの場合であり、以下０ｖｙｌ＝２μｍ
。
ｖｙｌ＝１μｍの場合であり、以下０ｖｙｌ＝２μｍ
。
Ｑｖｙｌ−３μｍの順になっている。このことは、第４
図からは、優位差のなかった０ｖｙｌの値が１〜２ μ
ｍ （！： ０ｖｙ１が２〜８μｍの２つ範囲に対しＭ
Ｒ素子部Ｉのダイナミックレンジの観点から０ｖｙ１の
値が１．１〜２μｍの場合の方が優利であることを示し
ている。
図からは、優位差のなかった０ｖｙｌの値が１〜２ μ
ｍ （！： ０ｖｙ１が２〜８μｍの２つ範囲に対しＭ
Ｒ素子部Ｉのダイナミックレンジの観点から０ｖｙ１の
値が１．１〜２μｍの場合の方が優利であることを示し
ている。
以上、ＭＲ素子幅を９μｍに設定したことを考慮すると
、ＭＲ素子と上側ヨークとの重なりの部分（Ｏｖｙｌ
、０ｖｙ２）は各々ＭＲ素子幅の１０〜２０チの範囲に
設定することが適切であると判断できる０ く効果〉 以上詳説した如く、本発明によればヨークタイプのＭＲ
ヘヘッの構造の効率の最適化を計ることができる。
、ＭＲ素子と上側ヨークとの重なりの部分（Ｏｖｙｌ
、０ｖｙ２）は各々ＭＲ素子幅の１０〜２０チの範囲に
設定することが適切であると判断できる０ く効果〉 以上詳説した如く、本発明によればヨークタイプのＭＲ
ヘヘッの構造の効率の最適化を計ることができる。
第１図は本発明の１実施例の説明に供するヨークタイプ
ＭＲヘッドの側断面図である。第２図は従来の薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。第３図はＭＲ素子の磁化状
態を示す特性図である０第４図及び第５図はＭＲヘヘッ
における特性図である０ １：ＭＲ素子部、２：ヨーク前部、３：ヨーク後部、４
：高透磁率磁性体、６：ＭＲ素子、７゜８：シールド用
高透磁率磁性体、９：磁気記録媒体、１０：ヘッド先端
、１１ニスベーシング、１２：磁気記録媒体。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第 ／Ｉ！
１ ＭＲＪ：ｎイＩＪＥ − 第３図 第イ図
ＭＲヘッドの側断面図である。第２図は従来の薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。第３図はＭＲ素子の磁化状
態を示す特性図である０第４図及び第５図はＭＲヘヘッ
における特性図である０ １：ＭＲ素子部、２：ヨーク前部、３：ヨーク後部、４
：高透磁率磁性体、６：ＭＲ素子、７゜８：シールド用
高透磁率磁性体、９：磁気記録媒体、１０：ヘッド先端
、１１ニスベーシング、１２：磁気記録媒体。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第 ／Ｉ！
１ ＭＲＪ：ｎイＩＪＥ − 第３図 第イ図
Claims (1)
- １、シールド用高透磁率磁性体上に、第１のヨークと磁
気抵抗効果素子と第２のヨークとをこの順にて結合した
ものを配置し、前記第１のヨークと前記磁気抵抗効果素
子との重なり幅及び前記磁気抵抗効果素子と前記第２の
ヨークとの重なり幅を前記磁気抵抗効果素子の幅の１０
〜２０％の範囲に設定したことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1776685A JPS61177616A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1776685A JPS61177616A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177616A true JPS61177616A (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=11952829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1776685A Pending JPS61177616A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177616A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0422916A2 (en) * | 1989-10-11 | 1991-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method for a magnetoresistive head |
| EP0514976A2 (en) * | 1991-05-21 | 1992-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Combined read/write magnetic head |
| EP0777213A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Eastman Kodak Company | Flux-guided paired magnetoresistive head |
| EP0848375A2 (en) * | 1996-12-12 | 1998-06-17 | Eastman Kodak Company | Low bias current paired magnetoresistive element head with misaligned anisotropy axes |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP1776685A patent/JPS61177616A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0422916A2 (en) * | 1989-10-11 | 1991-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method for a magnetoresistive head |
| EP0514976A2 (en) * | 1991-05-21 | 1992-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Combined read/write magnetic head |
| EP0777213A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-04 | Eastman Kodak Company | Flux-guided paired magnetoresistive head |
| EP0848375A2 (en) * | 1996-12-12 | 1998-06-17 | Eastman Kodak Company | Low bias current paired magnetoresistive element head with misaligned anisotropy axes |
| EP0848375A3 (en) * | 1996-12-12 | 1999-09-22 | Eastman Kodak Company | Low bias current paired magnetoresistive element head with misaligned anisotropy axes |
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