JPS61196418A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS61196418A JPS61196418A JP3575385A JP3575385A JPS61196418A JP S61196418 A JPS61196418 A JP S61196418A JP 3575385 A JP3575385 A JP 3575385A JP 3575385 A JP3575385 A JP 3575385A JP S61196418 A JPS61196418 A JP S61196418A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mre
- magnetic
- recording medium
- thin film
- magnetic field
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
- G11B5/3987—Specially shaped layers with provision for closing the magnetic flux during operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体として磁気テープ、磁気ディスク
を使用した磁気記録装置において高記録密度化、高信頼
性化などの要請が強まる中で従来のバルク材料で作製さ
れる磁気ヘッドに代わり、薄膜作製技術、フォトリング
ラフィ技術を駆使し、狭ギャップ、狭トラツク、マルチ
トラック化を実現し、かつ上記要請をも満足する磁気抵
抗素子かから成る薄膜磁気ヘッドに関するものである。
を使用した磁気記録装置において高記録密度化、高信頼
性化などの要請が強まる中で従来のバルク材料で作製さ
れる磁気ヘッドに代わり、薄膜作製技術、フォトリング
ラフィ技術を駆使し、狭ギャップ、狭トラツク、マルチ
トラック化を実現し、かつ上記要請をも満足する磁気抵
抗素子かから成る薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術
最近、磁気記録装置においてトラック密度の向上に伴う
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ）
を使った磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以後ＭＲヘッドと
呼ぶ）が広く使用されつつある。その基本的かつ代表的
構造を第４図に示す（例えば「アマグネトレジスタンス
リードアウト トランスデユーサ−Ｊ （Ａ Ｍａｇ
ｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅＲｅａｄｏｕｔ Ｔｒａ
ｎｓｄｕｃｅｔ ＩＥＥＥ、Ｔｒａｎｓ Ｍａｇ７１６
０頁））。
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ）
を使った磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以後ＭＲヘッドと
呼ぶ）が広く使用されつつある。その基本的かつ代表的
構造を第４図に示す（例えば「アマグネトレジスタンス
リードアウト トランスデユーサ−Ｊ （Ａ Ｍａｇ
ｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅＲｅａｄｏｕｔ Ｔｒａ
ｎｓｄｕｃｅｔ ＩＥＥＥ、Ｔｒａｎｓ Ｍａｇ７１６
０頁））。
第４図において非磁性基板１０１上にＭＲＥ’として、
パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）、Ｎｉ−Ｃｏ合金の様な強磁
性薄膜１０２を短冊状に形成する。この時、ＭＲＥは、
磁界中蒸着などによってそのトラック幅方向が磁化容易
軸となるように一軸磁気異方性が誘起される。こうして
形成したＭＲＥを磁気記録媒体１０３に近接し、記録媒
体１０３に記録されている情報を読み出すものが基本的
かつ従来から使用されている代表的構造である。
パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）、Ｎｉ−Ｃｏ合金の様な強磁
性薄膜１０２を短冊状に形成する。この時、ＭＲＥは、
磁界中蒸着などによってそのトラック幅方向が磁化容易
軸となるように一軸磁気異方性が誘起される。こうして
形成したＭＲＥを磁気記録媒体１０３に近接し、記録媒
体１０３に記録されている情報を読み出すものが基本的
かつ従来から使用されている代表的構造である。
また、前記ＭＲＦを磁気記録媒体から離して配置し磁気
記録媒体からの信号磁界をＭＲＨに導くだめの導磁性材
料からならヨークを有するＭＲヘッドも広く知られてい
る。
記録媒体からの信号磁界をＭＲＨに導くだめの導磁性材
料からならヨークを有するＭＲヘッドも広く知られてい
る。
（例えば「マグネトレジスティプヘッズ」（Ｍａｇｎｅ
ｔｏｒ＠ｓｉｇｔｉｖｅ Ｈｅａｄｓ ＩＥＥＥ 、Ｔ
ｒａｎｓ ｙｉ＆ｇ１７２８８４頁））。
ｔｏｒ＠ｓｉｇｔｉｖｅ Ｈｅａｄｓ ＩＥＥＥ 、Ｔ
ｒａｎｓ ｙｉ＆ｇ１７２８８４頁））。
ＭＲＥの動作は以下の通りである。即ち磁気記録媒体か
らの信号磁界はＭＲＥの磁化を回転させ、これに従って
ＭＲＥの抵抗が変化する。
らの信号磁界はＭＲＥの磁化を回転させ、これに従って
ＭＲＥの抵抗が変化する。
コノ時、ＭＲＨに電極１０４ａ、１０４ｂを通じて、セ
ンス電流Ｉ８を流しておくとＭＲＥの抵抗変化は電圧変
化に変換されて検知される。
ンス電流Ｉ８を流しておくとＭＲＥの抵抗変化は電圧変
化に変換されて検知される。
一般ＫＭＲＨの抵抗変化ΔＲは、センス電流の向きと、
ＭＲＥの磁化の向きとがなす角度をθ。
ＭＲＥの磁化の向きとがなす角度をθ。
最大抵抗変化をΔＲとした時、以下の（１）式にａｘ
示す関係が成立する。
ΔＲ＝ΔＲｃｏｓ２θ ・−・・・・−・−−−−−
−−（１）ａｘ また、ＭＲＥ内の信号磁束密度Ｂ、ｉ９．ＭＲＥの飽和
磁束密度をＢ、とした時、近似的に以下の（２）式が成
立する。
−−（１）ａｘ また、ＭＲＥ内の信号磁束密度Ｂ、ｉ９．ＭＲＥの飽和
磁束密度をＢ、とした時、近似的に以下の（２）式が成
立する。
Ｓ・
、膿−［又 ０６０１００９１６０６１００３
００．（２）Ｓ。
００．（２）Ｓ。
（１）、（２）式より、
が導かれる。即ち、理論的にはＭＲＥは、磁界変化に対
して、第６図のような抵抗変化を示す、そして、ＭＲＥ
の抵抗変化による出力を高感度化および直線応答化する
目的で、磁気平衡点を第６図Ｂの位置にするためのバイ
アス磁界を印加して用いられる。
して、第６図のような抵抗変化を示す、そして、ＭＲＥ
の抵抗変化による出力を高感度化および直線応答化する
目的で、磁気平衡点を第６図Ｂの位置にするためのバイ
アス磁界を印加して用いられる。
発明が解決しようとする問題点
しかし、高記録密度化に従って、ＭＲＥが微少パターン
化されると、不連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった。
化されると、不連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった。
即ち、消磁状態のＭＲＥは、多数の磁区を有しており、
第６図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状の
ＭＲＥの磁区構造の一例を示している。この例において
は、磁化容易軸方向に反平行の磁化を有する２つの主磁
区１５１，１５２と、還流磁区と呼ばれる２つの磁区１
６３ 、１５４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を有し
ない構造となっている。
第６図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状の
ＭＲＥの磁区構造の一例を示している。この例において
は、磁化容易軸方向に反平行の磁化を有する２つの主磁
区１５１，１５２と、還流磁区と呼ばれる２つの磁区１
６３ 、１５４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を有し
ない構造となっている。
そして、磁気記録媒体からの信号磁界がＭＲＥに作用し
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に第７図に示す
ようなバルクハウゼンノイズＮ。
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に第７図に示す
ようなバルクハウゼンノイズＮ。
〜Ｎ４を発生することになる。その結果、良好な信号再
生を実現できない問題点を有していた。
生を実現できない問題点を有していた。
本発明の目的は前記のバルクハウゼンノイズの発生を除
去し、低ノイズ化を実現したＭＲＨを提供することであ
る。
去し、低ノイズ化を実現したＭＲＨを提供することであ
る。
問題点を解決するための手段
本発明の薄膜磁気ヘッドは、基板上に設けられた強磁性
金属材料からなる磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に
センス電流を流す一対の電極とを具備し、磁気記録媒体
からの信号磁界を前記抵抗畳竿／７″１料片姿什シ１イ
蛤軸十入ｒらｒ−曲記請侑抵抗素子を、端部を有しない
閉磁路構造としたものである。
金属材料からなる磁気抵抗素子と、前記磁気抵抗素子に
センス電流を流す一対の電極とを具備し、磁気記録媒体
からの信号磁界を前記抵抗畳竿／７″１料片姿什シ１イ
蛤軸十入ｒらｒ−曲記請侑抵抗素子を、端部を有しない
閉磁路構造としたものである。
作 用
本発明は上記した構成により、閉磁路構造を有する磁化
容易軸に対し水平なＭＲＥが、外部からの磁界に作用し
ない時、磁化方向をもつ部分と、垂直な磁化方向を持つ
部分とを有し、ＭＲＥ全体での磁化を発生しないような
消磁状態にすることができる。
容易軸に対し水平なＭＲＥが、外部からの磁界に作用し
ない時、磁化方向をもつ部分と、垂直な磁化方向を持つ
部分とを有し、ＭＲＥ全体での磁化を発生しないような
消磁状態にすることができる。
このような磁化状態は、ＭＲＥにおける磁化容易軸との
鉛直部分が水平部分よりも細く、長さが長い場合に起り
やすい傾向がある。
鉛直部分が水平部分よりも細く、長さが長い場合に起り
やすい傾向がある。
そしてこのようなＭＲＥでは本質的に磁壁は存在しない
から、不連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイ
ズを除去することができる。
から、不連続な磁壁移動に起因するバルクハウゼンノイ
ズを除去することができる。
なお、本発明のＭＲＥは前述したバイアス磁界の有無に
関わらず、磁壁を有しない磁化状態にすることが可能で
ある。
関わらず、磁壁を有しない磁化状態にすることが可能で
ある。
実施例
第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの構成を示
している。
している。
第１図において、非磁性基板１０上に、ＭＲＥｌｌとし
てのＮｉ−Ｆｅ薄膜が３００人〜５ｏＯ人形成され、フ
ォトリングラフィ技術によって、端部を有しない閉磁路
構造のＭＲＥｌｌにパターン化される。
てのＮｉ−Ｆｅ薄膜が３００人〜５ｏＯ人形成され、フ
ォトリングラフィ技術によって、端部を有しない閉磁路
構造のＭＲＥｌｌにパターン化される。
この時、Ｎ ｉ −Ｆ ｅ薄膜は、磁界中蒸着などによ
って、トラック幅方向１２が磁化容易軸になるように形
成される。
って、トラック幅方向１２が磁化容易軸になるように形
成される。
次に、ＭＲＥｌｌ［センス電流を流すための導体薄膜１
３ａ、１３ｂがＭＲＥの磁気記録媒体１４に対しての鉛
直方向部分１１ｃ、１１ｄで接合するように形成される
。
３ａ、１３ｂがＭＲＥの磁気記録媒体１４に対しての鉛
直方向部分１１ｃ、１１ｄで接合するように形成される
。
そして、この後、パ・ノシベーシ璽ン膜としての、Ｓｉ
ｏ２膜あるいはＳｉＯ膜（図示せず）が形成され、ＭＲ
ヘッドの磁気記録媒体との摺接面が所定の形状に加工、
ラッピングされ、ＭＲヘッドが完成される。
ｏ２膜あるいはＳｉＯ膜（図示せず）が形成され、ＭＲ
ヘッドの磁気記録媒体との摺接面が所定の形状に加工、
ラッピングされ、ＭＲヘッドが完成される。
本実施例においては、磁気記録媒体からの信号磁界は主
として、ＭＲＨの水平部分１１ａを横切り、ＭＲＥｌｌ
の抵抗変化を発生させ、磁気記録媒体の情報が検知され
る。
として、ＭＲＨの水平部分１１ａを横切り、ＭＲＥｌｌ
の抵抗変化を発生させ、磁気記録媒体の情報が検知され
る。
前述したようにＭＲＨの水平部分１１ａは、磁壁を有し
ないから、バルクハウゼンノイズの除去された、良好な
信号再生が可能になる。
ないから、バルクハウゼンノイズの除去された、良好な
信号再生が可能になる。
なお、一般にはＭＲＥの感度向上と直線性向上を目的と
して、ＭＲＥの下層あるいは上層に導体薄膜を形成し、
これに直流電流を通じることによって生じる誘導磁界や
、外部磁石による磁界を用いることにより、前述したバ
イアス磁界をＭＲＥに印加するのがふつうである。
して、ＭＲＥの下層あるいは上層に導体薄膜を形成し、
これに直流電流を通じることによって生じる誘導磁界や
、外部磁石による磁界を用いることにより、前述したバ
イアス磁界をＭＲＥに印加するのがふつうである。
第２図は、本発明における他の実施例を示すもので、Ｍ
ＲＥを磁気記録媒体から離して配置、磁気記録媒体から
の信号磁界をＭＲＥに導くだめの導磁性材料からなるヨ
ークを有するＭＲヘッドにおける実施例である。
ＲＥを磁気記録媒体から離して配置、磁気記録媒体から
の信号磁界をＭＲＥに導くだめの導磁性材料からなるヨ
ークを有するＭＲヘッドにおける実施例である。
Ｍｎ−Ｚｎ単結晶フェライトなどの強磁性基板２１上に
、ＳｌＯ□などの絶縁薄膜（図示せず）を形成する。そ
してこの上層ＫＭＲＥへ前記バイアス磁界を印加するた
めの第１の導体薄膜２２が形成される〇 次に、８１０２ などの絶縁薄膜（図示せず）を形成
し、この上に端部を有しない閉磁路構造を有するＭＲＥ
２３が形成される。この時、ＭＲＥ２３は、磁界中蒸着
などによりトラック幅方向が、磁化容易軸になるように
形成される。
、ＳｌＯ□などの絶縁薄膜（図示せず）を形成する。そ
してこの上層ＫＭＲＥへ前記バイアス磁界を印加するた
めの第１の導体薄膜２２が形成される〇 次に、８１０２ などの絶縁薄膜（図示せず）を形成
し、この上に端部を有しない閉磁路構造を有するＭＲＥ
２３が形成される。この時、ＭＲＥ２３は、磁界中蒸着
などによりトラック幅方向が、磁化容易軸になるように
形成される。
次に、ＭＲＥ２３にセンス電流を流すための第２の導体
薄膜２４ａ、２４ｂが形成される。この時、第２導体薄
膜とＭＲＥは、ＭＲＥの磁気記録媒体に対する鉛直方向
部分２３ｃ、２３ｄで接合される。
薄膜２４ａ、２４ｂが形成される。この時、第２導体薄
膜とＭＲＥは、ＭＲＥの磁気記録媒体に対する鉛直方向
部分２３ｃ、２３ｄで接合される。
この後、再び８１０２などの絶縁薄膜（図示せず）を形
成しこの上に、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＨに
導くためのヨーク２５ａ 、２５ｂが形成される。
成しこの上に、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＨに
導くためのヨーク２５ａ 、２５ｂが形成される。
フロントギャップ２６は、ヨークを形成する前に所定の
寸法に調整される。
寸法に調整される。
次いで、パッジベージラン膜（図示せず）が形成され、
磁気記録媒体との摺接部が研磨されて完成される◇ この実施例においては、磁気記録媒体からの信号磁界は
ヨーク２５ａに導かれ、ＭＲＥ２３の水平部分２３ａを
横切る。このときＭＲＥ２３は抵抗変化し、信号が検知
される。この場合においても、ＭＲＥの水平部分１１ａ
は磁壁を有しないから、バルクハウゼンノイズの除去さ
れた、良好な信号再生が可能になる。
磁気記録媒体との摺接部が研磨されて完成される◇ この実施例においては、磁気記録媒体からの信号磁界は
ヨーク２５ａに導かれ、ＭＲＥ２３の水平部分２３ａを
横切る。このときＭＲＥ２３は抵抗変化し、信号が検知
される。この場合においても、ＭＲＥの水平部分１１ａ
は磁壁を有しないから、バルクハウゼンノイズの除去さ
れた、良好な信号再生が可能になる。
なお、本発明における２つの実施例では、ＭＲＥの感度
向上、直線応答性向上の目的でバイアス磁界が印加され
るが、バイアス磁界の有無に関係なく、本発明のＭＲヘ
ッドはバルクハウゼンノイズを除去するものである。
向上、直線応答性向上の目的でバイアス磁界が印加され
るが、バイアス磁界の有無に関係なく、本発明のＭＲヘ
ッドはバルクハウゼンノイズを除去するものである。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、ＭＲＥを端部を有しな
い閉磁路構造にすることにより、ＭＲＥ内の磁壁を除去
する。このようなＭＲＥでは、不連続な磁壁移動に起因
するバルクハウゼンノイズを発生しないから、高Ｓ／Ｎ
の信号再生が可能になる。
い閉磁路構造にすることにより、ＭＲＥ内の磁壁を除去
する。このようなＭＲＥでは、不連続な磁壁移動に起因
するバルクハウゼンノイズを発生しないから、高Ｓ／Ｎ
の信号再生が可能になる。
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの斜
視図、第２図は本発明の他の実施例における薄膜磁気ヘ
ッドの斜視図、第３図は本発明の端部を有しないＭＲＥ
の消磁時の磁化状態図、第４図は従来のＭＲヘッドの斜
視図、第５図はＭＲＥの磁界強度の抵抗変化を示す理論
特性図、第６図は従来のＭＲＥの消磁時の磁化状態図、
第７図はバルクハウゼンノイズを発生する微小パターン
ＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示す特性図である□１ｏ
・・・・・・非磁性基板、１１．２３・・・・・・ＭＲ
Ｅ。 １２・・・・・・磁化容易軸方向、１３ａ、１３ｂ・・
・・・・導体薄膜、１４・・・・・・磁気記録媒体、２
１・・・・・・強磁性基板、２２・・・・・・第１の導
体薄膜、２４ａ 、２４ｂ・・・・・・第２の導体薄膜
、２５ａ、２５ｂ・・・・・・ヨーク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌθ
・・・非磁性基板 δ１賜・・ヨーク 第 ２ 図 ２６・・
、フ０ントギー、、、７第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
視図、第２図は本発明の他の実施例における薄膜磁気ヘ
ッドの斜視図、第３図は本発明の端部を有しないＭＲＥ
の消磁時の磁化状態図、第４図は従来のＭＲヘッドの斜
視図、第５図はＭＲＥの磁界強度の抵抗変化を示す理論
特性図、第６図は従来のＭＲＥの消磁時の磁化状態図、
第７図はバルクハウゼンノイズを発生する微小パターン
ＭＲＥの磁界強度と抵抗変化を示す特性図である□１ｏ
・・・・・・非磁性基板、１１．２３・・・・・・ＭＲ
Ｅ。 １２・・・・・・磁化容易軸方向、１３ａ、１３ｂ・・
・・・・導体薄膜、１４・・・・・・磁気記録媒体、２
１・・・・・・強磁性基板、２２・・・・・・第１の導
体薄膜、２４ａ 、２４ｂ・・・・・・第２の導体薄膜
、２５ａ、２５ｂ・・・・・・ヨーク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｌθ
・・・非磁性基板 δ１賜・・ヨーク 第 ２ 図 ２６・・
、フ０ントギー、、、７第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- 基板上に設けられた強磁性金属材料からなる磁気抵抗素
子と、前記磁気抵抗素子にセンス電流を流す一対の電極
とを具備し、磁気記録媒体からの信号磁界を前記磁気抵
抗素子の抵抗変化として検知するように前記磁気抵抗素
子を、端部を有しない閉磁路構造としたことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3575385A JPS61196418A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3575385A JPS61196418A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196418A true JPS61196418A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12450588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3575385A Pending JPS61196418A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196418A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095397A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head of embodied recording and reproducing transducer type |
| US5097372A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head with wide recording area and narrow reproducing area |
| JP2007265938A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | プッシュ・スライドスイッチ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5719533B2 (ja) * | 1977-06-20 | 1982-04-23 |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP3575385A patent/JPS61196418A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5719533B2 (ja) * | 1977-06-20 | 1982-04-23 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095397A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head of embodied recording and reproducing transducer type |
| US5097372A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head with wide recording area and narrow reproducing area |
| JP2007265938A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Mitsumi Electric Co Ltd | プッシュ・スライドスイッチ |
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