JPS61255524A - 磁気抵抗型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS61255524A JPS61255524A JP9836085A JP9836085A JPS61255524A JP S61255524 A JPS61255524 A JP S61255524A JP 9836085 A JP9836085 A JP 9836085A JP 9836085 A JP9836085 A JP 9836085A JP S61255524 A JPS61255524 A JP S61255524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- mre
- mre11
- recording medium
- resistance
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
- G11B5/3987—Specially shaped layers with provision for closing the magnetic flux during operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体として磁気テープ、磁気ディスク
を使用した磁気記録装置の磁気ヘッドにおいて、特に、
薄膜作製技術およびフォトリソグラフィを用いて作製さ
れる磁気抵抗型磁気ヘッドに関するものである。
を使用した磁気記録装置の磁気ヘッドにおいて、特に、
薄膜作製技術およびフォトリソグラフィを用いて作製さ
れる磁気抵抗型磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術
最近、磁気記録装置においてトラック密度の向上に伴う
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ）
を使った磁気抵抗型磁気ヘッド（以後ＭＲヘッドと呼ぶ
）が広く使用されつつある。その基本的かつ代表的構造
を第３図に示す。（例えば「マグネトレジスタンス リ
ードアウトトラン１ジユーサーＪ （Ｍａｇｎ＠ｔｏｒ
ｅｓｉｓｔａｎｃｅ ＲｅａｄｏｕｔＴｒａｎｓｄｕｃ
ｅｒ ＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ７１５０頁）
）第３図において非磁性基板１０１上にＭＲＥ１０２と
してパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）、Ｎｉ−Ｃｏ合金のよう
な強磁性薄膜を短冊状に形成する。この時、ＭＲＥ１０
２は磁界中蒸着などによってトラック幅方向を磁化容易
軸とするように一軸磁気異方性が誘起される。ＭＲＥ１
０２は、磁気記録媒体１０３に近接して配置される。磁
気記録媒体１０３の磁界により、ＭＲＥ１０２の磁化が
変化し、磁気抵抗効果によってＭＲＥ１ｏ２の抵抗が変
化する。この抵抗変化を検出するために、ＭＲ１４：１
０２の両端に設けられた電極１０４ａ、１０４ｂからＭ
ＲＥ１０２へ検知電流が通じられる。前記電極を介して
検出回路が接続され、ＭＲＥの抵抗変化が検出すること
により、磁気記録媒体に記憶されている情報の読み出し
が行われる。
トラック幅の短縮と磁気テープ走行速度の低速化などか
ら再生ヘッドとして磁気抵抗素子（以後ＭＲＥと呼ぶ）
を使った磁気抵抗型磁気ヘッド（以後ＭＲヘッドと呼ぶ
）が広く使用されつつある。その基本的かつ代表的構造
を第３図に示す。（例えば「マグネトレジスタンス リ
ードアウトトラン１ジユーサーＪ （Ｍａｇｎ＠ｔｏｒ
ｅｓｉｓｔａｎｃｅ ＲｅａｄｏｕｔＴｒａｎｓｄｕｃ
ｅｒ ＩＥＥＥ、 Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ７１５０頁）
）第３図において非磁性基板１０１上にＭＲＥ１０２と
してパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）、Ｎｉ−Ｃｏ合金のよう
な強磁性薄膜を短冊状に形成する。この時、ＭＲＥ１０
２は磁界中蒸着などによってトラック幅方向を磁化容易
軸とするように一軸磁気異方性が誘起される。ＭＲＥ１
０２は、磁気記録媒体１０３に近接して配置される。磁
気記録媒体１０３の磁界により、ＭＲＥ１０２の磁化が
変化し、磁気抵抗効果によってＭＲＥ１ｏ２の抵抗が変
化する。この抵抗変化を検出するために、ＭＲ１４：１
０２の両端に設けられた電極１０４ａ、１０４ｂからＭ
ＲＥ１０２へ検知電流が通じられる。前記電極を介して
検出回路が接続され、ＭＲＥの抵抗変化が検出すること
により、磁気記録媒体に記憶されている情報の読み出し
が行われる。
また、ＭＲＥ１０２を磁気記録媒体１０３から離して配
置し、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くだめ
の導磁性材料で構成されたヨークを有するＭＲヘッドも
広く知られている。（例えば、「マグネトレジステイブ
ヘッド」（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａ
ｄ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ Ｍａｇ １７２８８４頁
）） 一般ＫＭＲＥの抵抗変化ΔＲば、検知電流の向きと、Ｍ
ＲＥの磁化の向きとがなす角度をθ、最大抵抗変化をΔ
Ｒ１ｎａ！ とじた時、以下の（１）式が成り立つ。
置し、磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くだめ
の導磁性材料で構成されたヨークを有するＭＲヘッドも
広く知られている。（例えば、「マグネトレジステイブ
ヘッド」（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａ
ｄ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ Ｍａｇ １７２８８４頁
）） 一般ＫＭＲＥの抵抗変化ΔＲば、検知電流の向きと、Ｍ
ＲＥの磁化の向きとがなす角度をθ、最大抵抗変化をΔ
Ｒ１ｎａ！ とじた時、以下の（１）式が成り立つ。
ΔＲ＝ΔＲｍａｘ Ｃｏ” θ ・・・・
・・（１）また、ＭＲＥ内の信号磁束密度をＢ、ＭＲＥ
１ｑｌ の飽和磁束密度をＢ８とした時、近似的に５１ｇ ８１４２□ ・・・・・・（２）ｓ が成立しく１）式、（２）式より ｊ５゜ が導れる。即ち理論的にはＭＲＥは磁界変化に対して第
４図のような抵抗変化を示す。そしてＭＲＥの抵抗変化
による出力を高感度化および直線応答化する目的で、磁
気平衡点を第４図のＢの位置のバイアス磁界強度にする
だめのバイアス磁界がＭＲＥの困難軸方向に印加される
。
・・（１）また、ＭＲＥ内の信号磁束密度をＢ、ＭＲＥ
１ｑｌ の飽和磁束密度をＢ８とした時、近似的に５１ｇ ８１４２□ ・・・・・・（２）ｓ が成立しく１）式、（２）式より ｊ５゜ が導れる。即ち理論的にはＭＲＥは磁界変化に対して第
４図のような抵抗変化を示す。そしてＭＲＥの抵抗変化
による出力を高感度化および直線応答化する目的で、磁
気平衡点を第４図のＢの位置のバイアス磁界強度にする
だめのバイアス磁界がＭＲＥの困難軸方向に印加される
。
発明が解決しようとする問題点
しかし、高記録密度化に従って、ＭＲＥが微少パターン
化されると、変則的な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった。
化されると、変則的な磁壁移動に起因するバルクハウゼ
ンノイズがヘッド出力中に生ずるという問題があった。
即ち、消磁状態のＭＲＥは多数の磁区を有しており、第
６図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状のＭ
ＲＥの磁区構造の一例を示している。この例においては
、磁化容易軸方向に反平行の磁化を有する２つの主磁区
１６１，１６２と還流磁区とよばれる２つの磁区１５３
、１６４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を有しない
構造となっている。
６図は、その長手方向に磁化容易軸を有する短冊状のＭ
ＲＥの磁区構造の一例を示している。この例においては
、磁化容易軸方向に反平行の磁化を有する２つの主磁区
１６１，１６２と還流磁区とよばれる２つの磁区１５３
、１６４を有し、ＭＲＥ全体としての磁化を有しない
構造となっている。
そして、磁気記録媒体からの信号磁界がＭＲＥに作用し
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に、第６図疋示
すようなバルクハウゼンノイズＮ１〜Ｎ４を発生するこ
とになる。その結果、良好な信号再生を実現できない問
題を有していた。
、上記の磁区が変則的な移動を行った時に、第６図疋示
すようなバルクハウゼンノイズＮ１〜Ｎ４を発生するこ
とになる。その結果、良好な信号再生を実現できない問
題を有していた。
一般に、ＭＲＥの磁区構造はその形状により大きく依存
し、特にＭＲＥのアスペクト比（ＭＲＥの長さ／ＭＲＥ
の幅）が大きくなり、長さ方向の反磁界が小さくなると
、ＭＲＩｉ：の磁区構造は第７図のようにその中央部で
磁壁を有しない単磁区にすることができ、バルクハウゼ
ンノイズで発生を抑制できることが知られている。
し、特にＭＲＥのアスペクト比（ＭＲＥの長さ／ＭＲＥ
の幅）が大きくなり、長さ方向の反磁界が小さくなると
、ＭＲＩｉ：の磁区構造は第７図のようにその中央部で
磁壁を有しない単磁区にすることができ、バルクハウゼ
ンノイズで発生を抑制できることが知られている。
しかし、ＭＲＥの長さは、トラック幅の制限をうける。
特に高密度記録用として、狭トラツクおよびマルチトラ
ック化された磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥ長を長くする
ことは不可能であった。
ック化された磁気ヘッドにおいて、ＭＲＥ長を長くする
ことは不可能であった。
また、ＭＲＥを単磁区にする別の方法として、ＭＲＥの
長さ方向に磁気バイアスを印加する方法が知られている
。しかし、この方法では、前記バイアス磁界が、磁気記
録媒体へ浅部し、磁気記録媒体上の情報を損う問題点が
あった。
長さ方向に磁気バイアスを印加する方法が知られている
。しかし、この方法では、前記バイアス磁界が、磁気記
録媒体へ浅部し、磁気記録媒体上の情報を損う問題点が
あった。
本発明の目的は磁気記録媒体に記憶された情報を損うこ
となしに、トラック幅、トラックピッチなどにより長さ
制限されたＭＲＥの有効部分を単磁区構造にしてバルク
ハウゼンノイズを発生しない磁気抵抗型磁気ヘッドを提
供することである。
となしに、トラック幅、トラックピッチなどにより長さ
制限されたＭＲＥの有効部分を単磁区構造にしてバルク
ハウゼンノイズを発生しない磁気抵抗型磁気ヘッドを提
供することである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の磁気抵抗型磁気ヘ
ッドは、ＭＲＥの磁気記録媒体と当接しない部分の少な
くとも１ケ所に間隙を有する閉磁路構造のＭＲＥと、単
磁区化された部分の抵抗変化だけを検知する一対の電極
とで構成されることを特徴としている。
ッドは、ＭＲＥの磁気記録媒体と当接しない部分の少な
くとも１ケ所に間隙を有する閉磁路構造のＭＲＥと、単
磁区化された部分の抵抗変化だけを検知する一対の電極
とで構成されることを特徴としている。
作 用
本発明における作用は、ＭＲＥの両端に発生する反磁界
の影響をおさえ、ＭＲＥの中央有効部分を単磁区化する
ことである。
の影響をおさえ、ＭＲＥの中央有効部分を単磁区化する
ことである。
本発明の磁気抵抗型磁気ヘッドにおいては、反磁界の影
響を最小に抑えるだめ、二つの作用がある。
響を最小に抑えるだめ、二つの作用がある。
今、間隙内の磁場Ｈｇ、ＭＲＥ内の反磁界Ｈｄ。
間隙をδ、ＭＲＥの磁路長をｌとし、
Ｈｑ・δ＝Ｈｄ（ｌ−δ） ・・・・・・（
４）が成立する。またＭＲＥが一様に磁化Ｐｍを持って
いると゛すると、 Ｐｍ＝ μｏ（Ｈｑ−ＨＤ） −−（５
）が成立する。（μ０は真空透磁率） （４）式と（５）式よりＨｇを消去して（６）式が導か
れる。
４）が成立する。またＭＲＥが一様に磁化Ｐｍを持って
いると゛すると、 Ｐｍ＝ μｏ（Ｈｑ−ＨＤ） −−（５
）が成立する。（μ０は真空透磁率） （４）式と（５）式よりＨｇを消去して（６）式が導か
れる。
Ｈｐ＝（Ｐｍ／ μｏ）（δ／Ｊ） −・・
・・櫓）まず、第１の作用は、本発明のＭＲＥにおいて
、素子を折り畳むことにより、磁路長を長くすることに
よる。即ち、伸）式で、Ｐｍ、δを一定とし、ｌを大き
くすることに対応するその結果、（６）式に従ってＭＲ
Ｅ内の反磁界がおさえられる。
・・櫓）まず、第１の作用は、本発明のＭＲＥにおいて
、素子を折り畳むことにより、磁路長を長くすることに
よる。即ち、伸）式で、Ｐｍ、δを一定とし、ｌを大き
くすることに対応するその結果、（６）式に従ってＭＲ
Ｅ内の反磁界がおさえられる。
第２の作用は、本発明のＭＲＥが間隙を有していること
による。即ち、これは（６）式でδを小さくすることに
対応し従ってＭＲ，Ｅ内の反磁界がおさえられる。この
作用はδを小さくするほど大きい。
による。即ち、これは（６）式でδを小さくすることに
対応し従ってＭＲ，Ｅ内の反磁界がおさえられる。この
作用はδを小さくするほど大きい。
以上の２つの作用によって、ＭＲＥ内の反磁界は最小と
なシ、ＭＲＥ中央中央有効部上１磁区化される。
なシ、ＭＲＥ中央中央有効部上１磁区化される。
実施例
第１図は本発明における一実施例の磁気抵抗型磁気ヘッ
ドを示すものである。
ドを示すものである。
第１図において、非磁性基板１ｏ上に、ＭＲＥｌｌとし
てのＮｉ−Ｆｅ薄膜が３００人〜ＳｏＯ人の厚さで形成
され、フォ） ＩＪソグラフィ技術によって、間隙１２
を有する閉磁路にパターン化される。
てのＮｉ−Ｆｅ薄膜が３００人〜ＳｏＯ人の厚さで形成
され、フォ） ＩＪソグラフィ技術によって、間隙１２
を有する閉磁路にパターン化される。
この時Ｎｔ−Ｆｅ薄膜は磁界中蒸着によりトラック幅方
向が磁化容易軸に設定される。次に、ＭＲＥｌｌの中央
有効部１３の抵抗変化のみを検出するように電極１４ａ
、 １４ｂが形成される。
向が磁化容易軸に設定される。次に、ＭＲＥｌｌの中央
有効部１３の抵抗変化のみを検出するように電極１４ａ
、 １４ｂが形成される。
この後、ＭＲＥｌｌ、電極１４ａ、１４ｂ（７）上部に
Ｓ ｚ Ｏ２などの保護層（図示せず）が形成され、磁
気記録媒体１５との摺接面が所定の形状に加工。
Ｓ ｚ Ｏ２などの保護層（図示せず）が形成され、磁
気記録媒体１５との摺接面が所定の形状に加工。
ラッピングされＭｌ（へ・、、Ｍ’が完成される。
磁気記録媒体１６からの信号磁界はＭＲＥｌｌの中央有
効部１３を横切り、ＭＲＥｌｌの抵抗変化を発生する。
効部１３を横切り、ＭＲＥｌｌの抵抗変化を発生する。
第２図は本実施例のＭＲＥの磁区を示す平面図である。
第２図に示すように、ＭＲＥｌｌの中央有効部１３は単
磁区３１され、本質的に磁壁はないから、バルクハウゼ
ンノイズを発生しない良好な信号再生が可能になる。
磁区３１され、本質的に磁壁はないから、バルクハウゼ
ンノイズを発生しない良好な信号再生が可能になる。
ＭＲＥの幅Ｌ を１０ｐｍ、間隙Ｌ２を６ｐｍ。
長さＬ３を１ｏ○μｍ、電極間距離即ちＭＲ有効部の長
さＬ を７０μ扉、鉛直部長さＬ６を１０μｍとしたＭ
ＲＥによる再生波形中のバルクハウゼンノイズによる高
調波成分をスペクトロアナライザーで分析し幅１０μ扉
、長さ１００μｍ、電極間距離７０μｍの短冊状のＭＲ
Ｅによる高調波成分と比較すると、本実施例のものは、
高調波成分が１６〜３０ ｄＢ少なくなる。
さＬ を７０μ扉、鉛直部長さＬ６を１０μｍとしたＭ
ＲＥによる再生波形中のバルクハウゼンノイズによる高
調波成分をスペクトロアナライザーで分析し幅１０μ扉
、長さ１００μｍ、電極間距離７０μｍの短冊状のＭＲ
Ｅによる高調波成分と比較すると、本実施例のものは、
高調波成分が１６〜３０ ｄＢ少なくなる。
なお、本実施例では、ＭＲＥは磁気記録媒体直接当接し
ているが、ＭＲＥを磁気記録媒体から離して設置し、そ
の間に磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くヨー
クを設けた構成も可能である。
ているが、ＭＲＥを磁気記録媒体から離して設置し、そ
の間に磁気記録媒体からの信号磁界をＭＲＥに導くヨー
クを設けた構成も可能である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、以下の優れた効果を奏す
ることができる。
ることができる。
（１）ＭＲＥを間隙を有する閉磁路構造とすることによ
り、ＭＲＥ内部の反磁界の影響を最小に抑え、ＭＲＥの
中央有効部を単磁区構造にする。
り、ＭＲＥ内部の反磁界の影響を最小に抑え、ＭＲＥの
中央有効部を単磁区構造にする。
その結果として、変則的な磁壁移動に起因するバルクハ
ウゼンノイズを除去することが可能になる。特に本発明
はトラック幅、トラックピッチなどの制限によりＭＲＥ
の長さを大きくできない時に有効である。
ウゼンノイズを除去することが可能になる。特に本発明
はトラック幅、トラックピッチなどの制限によりＭＲＥ
の長さを大きくできない時に有効である。
（２）ＭＲＥを完全に閉磁路にしても単磁区化は可能で
ある。しかし、この場合には、ＭＲＥの磁気記録媒体か
ら離れている部分にも検知電流が流れるため、再生感度
を低下する問題点が存在する。一方、本発明においては
、ＭＲＥは間隙を有しており、検知電流はＭＲＥの抵抗
変化する有効部分だけに流れる。従って、再生感度が大
きい利点を有する。
ある。しかし、この場合には、ＭＲＥの磁気記録媒体か
ら離れている部分にも検知電流が流れるため、再生感度
を低下する問題点が存在する。一方、本発明においては
、ＭＲＥは間隙を有しており、検知電流はＭＲＥの抵抗
変化する有効部分だけに流れる。従って、再生感度が大
きい利点を有する。
（３）ＭＲＥの単磁区化に外部バイアス磁界を使用して
いないため、磁気記録媒体上の情報は外部バイアス磁界
の浅部磁界によって損われることはない。
いないため、磁気記録媒体上の情報は外部バイアス磁界
の浅部磁界によって損われることはない。
第１図は本発明の一実施例における磁気抵抗型磁気ヘッ
ドの概要を示す斜視図、第２図はＭＲＥの消磁状態の磁
区構造を示す平面図、第３図は従来の磁気抵抗型磁気ヘ
ッドの概要を示す斜視図、第４図はＭＲＥの磁界強度と
抵抗変化を示す理論特性図、第６図は従来のＭＲＥＯ消
磁時における磁区構造を示す平面図、第６図はアスペク
ト比が非常に大きいＭＲＥの消磁時における単磁区状態
を示す平面図、第７図はバルクハウゼンノイズを発生す
る微小パターンＭＲＥの磁界強度による抵抗変化を示す
特性図である。 １ｏ・・・・・・非磁性基板、１１・・・・・・磁気抵
抗素子（ＭＲＥ）、１２−−−−−−間隙、１４ａ 、
１４ ｂ−−−−・−電極、１５・・・・・・磁気記
録媒体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ３
−）−４ＲＥ甲モを効古ｐ ｒｓ−−−ｆ＊ ｊｉ’（部Ｎ噴−５！ミイ４Ｓ、第２
図 第３図 男 ４ 図 ＭＲＥＩ；Ｅｐａ Ｔ’４’＆ｌｋシ１３第５図 ／、１り
ドの概要を示す斜視図、第２図はＭＲＥの消磁状態の磁
区構造を示す平面図、第３図は従来の磁気抵抗型磁気ヘ
ッドの概要を示す斜視図、第４図はＭＲＥの磁界強度と
抵抗変化を示す理論特性図、第６図は従来のＭＲＥＯ消
磁時における磁区構造を示す平面図、第６図はアスペク
ト比が非常に大きいＭＲＥの消磁時における単磁区状態
を示す平面図、第７図はバルクハウゼンノイズを発生す
る微小パターンＭＲＥの磁界強度による抵抗変化を示す
特性図である。 １ｏ・・・・・・非磁性基板、１１・・・・・・磁気抵
抗素子（ＭＲＥ）、１２−−−−−−間隙、１４ａ 、
１４ ｂ−−−−・−電極、１５・・・・・・磁気記
録媒体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ３
−）−４ＲＥ甲モを効古ｐ ｒｓ−−−ｆ＊ ｊｉ’（部Ｎ噴−５！ミイ４Ｓ、第２
図 第３図 男 ４ 図 ＭＲＥＩ；Ｅｐａ Ｔ’４’＆ｌｋシ１３第５図 ／、１り
Claims (1)
- 磁気記録媒体と当接しない部分の少なくとも１力所に微
小な間隙を有する閉磁路構造の磁気抵抗素子と、前記磁
気抵抗素子中央部の抵抗変化を検知する１対の電極を具
備し、磁気記録媒体からの情報を前記磁気抵抗素子の抵
抗変化として検知する磁気抵抗型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60098360A JPH0810486B2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 | 磁気抵抗型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60098360A JPH0810486B2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 | 磁気抵抗型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255524A true JPS61255524A (ja) | 1986-11-13 |
| JPH0810486B2 JPH0810486B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=14217712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60098360A Expired - Fee Related JPH0810486B2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 | 磁気抵抗型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810486B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736427A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Hitachi Ltd | Jikiteikohetsudo |
| JPS5736428A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Hitachi Ltd | Jikiteikohetsudo |
-
1985
- 1985-05-09 JP JP60098360A patent/JPH0810486B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736427A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Hitachi Ltd | Jikiteikohetsudo |
| JPS5736428A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Hitachi Ltd | Jikiteikohetsudo |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810486B2 (ja) | 1996-01-31 |
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