JPH0426908A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH0426908A JPH0426908A JP12815290A JP12815290A JPH0426908A JP H0426908 A JPH0426908 A JP H0426908A JP 12815290 A JP12815290 A JP 12815290A JP 12815290 A JP12815290 A JP 12815290A JP H0426908 A JPH0426908 A JP H0426908A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 5
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005292 diamagnetic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置に用いられる
磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子内の磁
壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制することを目
的とし、２つの磁気シールド体の間に非磁性絶縁層を介
して配設された薄膜強磁性体からなる磁気抵抗効果素子
に電流を流し、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体か
らの信号磁界を再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
、上記磁気抵抗効果素子の近傍に電流磁界発生手段を有
する少なくとも２つ以上の導体線を配設し、磁気抵抗効
果素子の磁化容易軸方向に電流磁界を印加するように構
成する。
磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子内の磁
壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制することを目
的とし、２つの磁気シールド体の間に非磁性絶縁層を介
して配設された薄膜強磁性体からなる磁気抵抗効果素子
に電流を流し、磁気抵抗効果を利用して磁気記録媒体か
らの信号磁界を再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
、上記磁気抵抗効果素子の近傍に電流磁界発生手段を有
する少なくとも２つ以上の導体線を配設し、磁気抵抗効
果素子の磁化容易軸方向に電流磁界を印加するように構
成する。
３産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置あるいは磁気テープ装置に用
いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
近年、コンピュータの外部記憶装置である磁気記録装置
の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要求されている
。この要求を満足するものとして、記録媒体の速度に依
存せず小径ディスクに対しても利用でき、高い出力が得
られる磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドという）
が注目されている。
の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要求されている
。この要求を満足するものとして、記録媒体の速度に依
存せず小径ディスクに対しても利用でき、高い出力が得
られる磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドという）
が注目されている。
従来のＭＲヘッドは第４図（ａ）、 （ｂ）に示すよ
うな構造を有している。同図において、１は矩形の磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）、２．２′は引き
出し導体層、３ａ、３ｂは磁気シールド体、４は非磁性
絶縁層である。ＭＲ素子１は、その長手方向（ｙ軸方向
）にＭＲ膜の容易軸方向が一致するようにパターン形成
されている。
うな構造を有している。同図において、１は矩形の磁気
抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）、２．２′は引き
出し導体層、３ａ、３ｂは磁気シールド体、４は非磁性
絶縁層である。ＭＲ素子１は、その長手方向（ｙ軸方向
）にＭＲ膜の容易軸方向が一致するようにパターン形成
されている。
引き出し導体層２．２′はＭＲ素子１の長手方向の両端
で素子に接合している。ＭＲ素子１及び弓き出し導体層
２．２′は２つの磁気シールド体３ａ、３ｂ間（再生ギ
ャップに相当）に配置され、非磁性絶縁層４を介して磁
気シールド体３ａ３ｂと電気的に絶縁されている。セン
ス電流ｊは引き出し導体層２．２′を通してＭＲ素子１
に流れ、導体層２．２′によって画定される矩形の信号
検出領域６に流れる。このように構成されたＭＲヘッド
は、該ＭＲヘッドの下をＸ軸方向に移動する磁気記録媒
体７からの信号磁界を信号検出領域６で抵抗変化として
検知することができる。
で素子に接合している。ＭＲ素子１及び弓き出し導体層
２．２′は２つの磁気シールド体３ａ、３ｂ間（再生ギ
ャップに相当）に配置され、非磁性絶縁層４を介して磁
気シールド体３ａ３ｂと電気的に絶縁されている。セン
ス電流ｊは引き出し導体層２．２′を通してＭＲ素子１
に流れ、導体層２．２′によって画定される矩形の信号
検出領域６に流れる。このように構成されたＭＲヘッド
は、該ＭＲヘッドの下をＸ軸方向に移動する磁気記録媒
体７からの信号磁界を信号検出領域６で抵抗変化として
検知することができる。
この場合、センス電流Ｊは、信号磁界に対してＭＲヘッ
ドの再生を線型化するためにも利用されている。即ちＭ
Ｒ素子１は、一方の磁気シールド体３ａに近接して配置
され、センス電流によって磁化した磁気シールド体表面
からの漏洩磁界によって素子高さ方向にバイアス磁界が
印加されていた。（このバイアス方式をセルフバイアス
法という。） 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来のＭＲヘッドでは、ＭＲ素子１の容易軸（ｙ軸
方向）の磁化方向に対してＭＲ素子が有限長であるため
素子端部に磁極（Ｎ、Ｓ極）が生じ、素子内部には磁化
方向とは反対向きの磁界（反磁界）が発生する。このた
めＭＲ素子は反磁界によって誘起された静磁エネルギー
を下げるために第５図に示すようにいくつかの磁区８に
分割された磁区構造となり、磁区の境界には磁壁９が生
じていた。
ドの再生を線型化するためにも利用されている。即ちＭ
Ｒ素子１は、一方の磁気シールド体３ａに近接して配置
され、センス電流によって磁化した磁気シールド体表面
からの漏洩磁界によって素子高さ方向にバイアス磁界が
印加されていた。（このバイアス方式をセルフバイアス
法という。） 〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来のＭＲヘッドでは、ＭＲ素子１の容易軸（ｙ軸
方向）の磁化方向に対してＭＲ素子が有限長であるため
素子端部に磁極（Ｎ、Ｓ極）が生じ、素子内部には磁化
方向とは反対向きの磁界（反磁界）が発生する。このた
めＭＲ素子は反磁界によって誘起された静磁エネルギー
を下げるために第５図に示すようにいくつかの磁区８に
分割された磁区構造となり、磁区の境界には磁壁９が生
じていた。
しかしながら一般にＭＲ膜においては、成膜の不完全さ
から結晶粒界、格子欠陥、不純物介在等の不均一性があ
る。このため従来のＭＲヘッドでは、記録媒体からの信
号磁界に対して磁壁は引っ掛かりながら移動し、磁化回
転が不連続となって再生波形にはバルクハウゼン雑音が
生ずるという問題が生じていた。
から結晶粒界、格子欠陥、不純物介在等の不均一性があ
る。このため従来のＭＲヘッドでは、記録媒体からの信
号磁界に対して磁壁は引っ掛かりながら移動し、磁化回
転が不連続となって再生波形にはバルクハウゼン雑音が
生ずるという問題が生じていた。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、磁気抵抗効果素子内
の磁壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制した磁気
抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
の磁壁の移動によるバルクハウゼン雑音を抑制した磁気
抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
こ課題を解決するための手段〕
第１図は本発明の原理説明図である。
本発明では同図に示すように、ＭＲ素子１１の近傍に２
つの導体線１８ａ、１８ｂをＭＲ素子１１を挾む様に配
置し、かつＭＲ素子１１と導体線１８ａ、１８ｂの各々
の形成面は互いに平行な位置関係になるようにしている
。そしてＭＲ素子１１の長手方向に対し垂直成分を持つ
電流Ｊを流し、ＭＲ膜の容易軸方向に２つの導体線１８
ａ、１８ｂの合成磁界Ｈを印加する。
つの導体線１８ａ、１８ｂをＭＲ素子１１を挾む様に配
置し、かつＭＲ素子１１と導体線１８ａ、１８ｂの各々
の形成面は互いに平行な位置関係になるようにしている
。そしてＭＲ素子１１の長手方向に対し垂直成分を持つ
電流Ｊを流し、ＭＲ膜の容易軸方向に２つの導体線１８
ａ、１８ｂの合成磁界Ｈを印加する。
こ作 用〕
本発明によれば、ＭＲ膜の容易軸方向に印加される２つ
の導体線１８ａ２１８ｂに流れる電流Ｊ１ｊ２により合
成された電流磁界によってＭＲ素子１１内の反磁界によ
る静磁エネルギーを下げることができ、これによってＭ
Ｒ素子１１を磁壁のない単一磁区構造とすることができ
る。従って磁壁の移動がないためバルクハウゼン雑音の
抑制が可能となる。
の導体線１８ａ２１８ｂに流れる電流Ｊ１ｊ２により合
成された電流磁界によってＭＲ素子１１内の反磁界によ
る静磁エネルギーを下げることができ、これによってＭ
Ｒ素子１１を磁壁のない単一磁区構造とすることができ
る。従って磁壁の移動がないためバルクハウゼン雑音の
抑制が可能となる。
また導体線１８ａ、１８ｂの電流流入（又は流出）部分
である導体線端部の形成面を導体線の形成面と同一面と
したことにより、容易に製造することが可能となる。
である導体線端部の形成面を導体線の形成面と同一面と
したことにより、容易に製造することが可能となる。
第２図は本発明の実施例を示す図であり、（ａ）は要部
斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図である
。
斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図である
。
同図において、１１はＮｉＦｅ膜からなるＭＲ素子、１
２ａ、１２ｂはＡｕ膜等からなる引き出し導体層、１３
ａは絶縁性磁性のＮ＋２ｎフエライト材からなる磁気シ
ールド体、１３ｂはＮｉＦｅあるいはフェライト材から
なる磁気シールド体である。また１８ａ及び１８ｂは逆
Ｙ字形に形成されたＡｕ膜等からなる導体線であり、磁
気シールド体１３ａ上に形成されてＭＲ素子１１の形成
面に対して平行になるように配置される。ＭＲ素子１１
は素子長手方向（ｙ軸方向）が容易軸方向に一致するよ
うにパターン形成され、導体線１８ａ・１８ｂに流れる
電流Ｊ＋ 、Ｊ２が作る合成磁界ＨがＭＲ素子１１の
容易軸方向に印加されるようになっている。また導体線
１８ａ、１８ｂの電流流入又は流出部分である導体線端
部の形成面は導体線１８ａ、１８ｂと同一面としている
。また引き出し導体層１２ａ、１２ｂはＭＲ素子１１の
長手方向に対して所定幅で切除されてＭＲ素子１１の両
端で接合され、ＭＲ素子の信号検出領域１６を画定して
いる。ＭＲ素子１１及び引き出し導体層１２ａ、１２ｂ
は２つの磁気シールド体１３２．１３ｂの間に配置され
るが、両者はＳｉＯ□膜あるいはへ１２０．膜の非磁性
絶縁層１４を介して磁気シールド体１３ａ、１３ｂとは
電気的に絶縁されている。
２ａ、１２ｂはＡｕ膜等からなる引き出し導体層、１３
ａは絶縁性磁性のＮ＋２ｎフエライト材からなる磁気シ
ールド体、１３ｂはＮｉＦｅあるいはフェライト材から
なる磁気シールド体である。また１８ａ及び１８ｂは逆
Ｙ字形に形成されたＡｕ膜等からなる導体線であり、磁
気シールド体１３ａ上に形成されてＭＲ素子１１の形成
面に対して平行になるように配置される。ＭＲ素子１１
は素子長手方向（ｙ軸方向）が容易軸方向に一致するよ
うにパターン形成され、導体線１８ａ・１８ｂに流れる
電流Ｊ＋ 、Ｊ２が作る合成磁界ＨがＭＲ素子１１の
容易軸方向に印加されるようになっている。また導体線
１８ａ、１８ｂの電流流入又は流出部分である導体線端
部の形成面は導体線１８ａ、１８ｂと同一面としている
。また引き出し導体層１２ａ、１２ｂはＭＲ素子１１の
長手方向に対して所定幅で切除されてＭＲ素子１１の両
端で接合され、ＭＲ素子の信号検出領域１６を画定して
いる。ＭＲ素子１１及び引き出し導体層１２ａ、１２ｂ
は２つの磁気シールド体１３２．１３ｂの間に配置され
るが、両者はＳｉＯ□膜あるいはへ１２０．膜の非磁性
絶縁層１４を介して磁気シールド体１３ａ、１３ｂとは
電気的に絶縁されている。
以上のように構成された本実施例のＭＲへンドは、引き
出し導体層１２ａ、１２ｂを通してセンス電流Ｊが信号
検出領域１６に流される。そして前述のセルフバイアス
方式によりＭＲ素子１１が線型動作することによりＭＲ
ヘッドは直下を移動する磁気記録媒体からの信号磁界を
検知する。この際ＭＲ素子１１は２つの導体線１８ａ、
１８ｂに流れる電流Ｊ１ ・Ｊ２により合成された電流
磁界Ｈが印加されることによって素子内の静磁エネルギ
ーが下がり、磁壁のない単一磁区構造となるため、バル
クハウゼン雑音の発生は抑制される。
出し導体層１２ａ、１２ｂを通してセンス電流Ｊが信号
検出領域１６に流される。そして前述のセルフバイアス
方式によりＭＲ素子１１が線型動作することによりＭＲ
ヘッドは直下を移動する磁気記録媒体からの信号磁界を
検知する。この際ＭＲ素子１１は２つの導体線１８ａ、
１８ｂに流れる電流Ｊ１ ・Ｊ２により合成された電流
磁界Ｈが印加されることによって素子内の静磁エネルギ
ーが下がり、磁壁のない単一磁区構造となるため、バル
クハウゼン雑音の発生は抑制される。
第３図は本発明の他の実施例を示す図であり、（ａ）は
要部斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図で
ある。同図において第２図と同一部分は同一符号を付し
て示した。
要部斜視図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面図で
ある。同図において第２図と同一部分は同一符号を付し
て示した。
本実施例は基本的には前実施例と同様であり、異なると
ころは、ＭＲ素子１１に磁界を印加するた約の導体線１
８ａ、１８ｂを前実施例ではＭＲ素子１１の一方の面側
に設けたものを本実施例では反対の面側にも設けたこと
である。
ころは、ＭＲ素子１１に磁界を印加するた約の導体線１
８ａ、１８ｂを前実施例ではＭＲ素子１１の一方の面側
に設けたものを本実施例では反対の面側にも設けたこと
である。
このように構成された本実施例は、より効果的にＭＲ素
子１１に電流磁界を印加することが可能となる。
子１１に電流磁界を印加することが可能となる。
なお以上の各実施例では、ＭＲヘッド再生の線型化方式
にはセルフバイアス法を用いているが、本発明は、線型
化のバイアス手段について特に制限はなく、他のシャン
トバイアス法、あるいは永久磁石バイアス法、バーバー
ポールバイアス法等のいずれであっても良いことは言う
までもない。
にはセルフバイアス法を用いているが、本発明は、線型
化のバイアス手段について特に制限はなく、他のシャン
トバイアス法、あるいは永久磁石バイアス法、バーバー
ポールバイアス法等のいずれであっても良いことは言う
までもない。
以上説明した様に、本発明によれば、ＭＲ素子の近傍に
少なくとも２つ以上の導体線を設け、その合成磁界をＭ
Ｒ素子の容易軸区方向に印加するようにしたことにより
、バルクハウゼン雑音の発生を抑制することができる。
少なくとも２つ以上の導体線を設け、その合成磁界をＭ
Ｒ素子の容易軸区方向に印加するようにしたことにより
、バルクハウゼン雑音の発生を抑制することができる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の実施例を示す図、
第３図は本発明の他の実施例を示す図、第４図は従来の
ＭＲヘッドを示す図、 第５図は従来のＭＲヘッドにおけるＭＲ素子の磁区構造
を示す図である。 図において、 １１はＭＲ素子、 １２ａ・１２ｂは引き出し導体層、 １３ａ、１３ｂは磁気シールド体、 １４は非磁性絶縁層、 １６は信号検出領域、 １７は磁気記録媒体、 １８ａ、１８ｂは導体線 を示す。
ＭＲヘッドを示す図、 第５図は従来のＭＲヘッドにおけるＭＲ素子の磁区構造
を示す図である。 図において、 １１はＭＲ素子、 １２ａ・１２ｂは引き出し導体層、 １３ａ、１３ｂは磁気シールド体、 １４は非磁性絶縁層、 １６は信号検出領域、 １７は磁気記録媒体、 １８ａ、１８ｂは導体線 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２つの磁気シールド体（１３ａ，１３ｂ）の間に非
磁性絶縁層（１４）を介して配設された薄膜強磁性体か
らなる磁気抵抗効果素子（１１）に電流を流し、磁気抵
抗効果を利用して磁気記録媒体（１７）からの信号磁界
を再生する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子（１１）の近傍に電流磁界発生手
段を有する少なくとも２つ以上の導体線（１８ａ，１８
ｂ）を配設し、磁気抵抗効果素子（１１）の磁化容易軸
方向に電流磁界を印加することを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッド。 ２、前記導体線（１８ａ，１８ｂ）の形成面は、前記磁
気抵抗効果素子（１１）の形成面に平行であり、かつ前
記導体線の電流流入（又は流出）部分である導体線端部
の形成面が該導体線の形成面と同一面であることを特徴
とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12815290A JPH0426908A (ja) | 1990-05-19 | 1990-05-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12815290A JPH0426908A (ja) | 1990-05-19 | 1990-05-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426908A true JPH0426908A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=14977671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12815290A Pending JPH0426908A (ja) | 1990-05-19 | 1990-05-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0426908A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT412039B (de) * | 2002-02-21 | 2004-08-26 | Inst Ind Elektronik Und Materi | Verfahren zur zweidimensionalen manipulation kleiner volumina von flüssigkeiten und festkörpern und aktuator zur ausführung des verfahrens |
-
1990
- 1990-05-19 JP JP12815290A patent/JPH0426908A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT412039B (de) * | 2002-02-21 | 2004-08-26 | Inst Ind Elektronik Und Materi | Verfahren zur zweidimensionalen manipulation kleiner volumina von flüssigkeiten und festkörpern und aktuator zur ausführung des verfahrens |
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