JPH06103539A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06103539A JPH06103539A JP25285592A JP25285592A JPH06103539A JP H06103539 A JPH06103539 A JP H06103539A JP 25285592 A JP25285592 A JP 25285592A JP 25285592 A JP25285592 A JP 25285592A JP H06103539 A JPH06103539 A JP H06103539A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果素
子にバイアス磁界を印加手段として用いる軟磁性体膜
が、還流磁区構造となり、この軟磁性体膜が磁化された
とき、各磁区の境界の磁壁が移動することによる、磁気
抵抗効果素子での再生出力の変動をなくすことにある。 【構成】非磁性導体膜１４を挟んで磁気抵抗効果素子１
５と軟磁性体膜１３が積層され、この軟磁性体膜１３を
磁気抵抗効果素子１５のバイアス磁界の印加手段として
用いる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記軟磁性体膜
１３に、膜面に平行な面内磁気異方性Ｈｐと膜面に垂直
な垂直磁気異方性Ｈｖを付与することによって、軟磁性
体膜１３に生じる還流磁区構造の発生を抑制し、各磁区
の境界の磁壁の発生をなくしたことを特徴とする磁気抵
抗効果型ヘッド。
子にバイアス磁界を印加手段として用いる軟磁性体膜
が、還流磁区構造となり、この軟磁性体膜が磁化された
とき、各磁区の境界の磁壁が移動することによる、磁気
抵抗効果素子での再生出力の変動をなくすことにある。 【構成】非磁性導体膜１４を挟んで磁気抵抗効果素子１
５と軟磁性体膜１３が積層され、この軟磁性体膜１３を
磁気抵抗効果素子１５のバイアス磁界の印加手段として
用いる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記軟磁性体膜
１３に、膜面に平行な面内磁気異方性Ｈｐと膜面に垂直
な垂直磁気異方性Ｈｖを付与することによって、軟磁性
体膜１３に生じる還流磁区構造の発生を抑制し、各磁区
の境界の磁壁の発生をなくしたことを特徴とする磁気抵
抗効果型ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスク装置あ
るいは磁気テープ装置などに用いられる、情報の読取用
の磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
るいは磁気テープ装置などに用いられる、情報の読取用
の磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
【０００２】近年、磁気ディスク装置の小型化、大容量
化に伴い、高性能な磁気ヘッドが要求されている。この
要求を満足するものとして、磁気記録媒体の速度に依存
せず、小型の磁気ディスク装置に対しても利用でき、高
出力が得られる情報の読取用の磁気抵抗効果型ヘッドが
注目されている。
化に伴い、高性能な磁気ヘッドが要求されている。この
要求を満足するものとして、磁気記録媒体の速度に依存
せず、小型の磁気ディスク装置に対しても利用でき、高
出力が得られる情報の読取用の磁気抵抗効果型ヘッドが
注目されている。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの要
部の斜面図、図５は同要部の断面図であり、これらの図
において、１はニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体から
なる下部磁気シールド層、２は非磁性絶縁層からなる磁
気ギャップ層、３はニッケル・鉄・ロジウム（NiFeRh）
などの軟磁性体膜、４はチタン (Ti) 、タングステン
(W)、またはモリブデン(Mo)などからなる非磁性導体
膜、５はニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体からなる磁
気抵抗効果素子、６は磁気抵抗効果素子５にセンス電流
を流すための金（Au）膜からなる引き出し導体層、７は
磁気ギャップ層、８は上部磁気シールド層であり、これ
らが順次積層されて磁気抵抗効果型ヘッドが構成され
る。
部の斜面図、図５は同要部の断面図であり、これらの図
において、１はニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体から
なる下部磁気シールド層、２は非磁性絶縁層からなる磁
気ギャップ層、３はニッケル・鉄・ロジウム（NiFeRh）
などの軟磁性体膜、４はチタン (Ti) 、タングステン
(W)、またはモリブデン(Mo)などからなる非磁性導体
膜、５はニッケル鉄（NiFe）などの強磁性体からなる磁
気抵抗効果素子、６は磁気抵抗効果素子５にセンス電流
を流すための金（Au）膜からなる引き出し導体層、７は
磁気ギャップ層、８は上部磁気シールド層であり、これ
らが順次積層されて磁気抵抗効果型ヘッドが構成され
る。
【０００４】この磁気抵抗効果型ヘッドを構成する磁気
抵抗効果素子５が、信号磁界を受けて線型応答範囲で動
作して抵抗変化が得られるように、磁気抵抗効果素子５
の長手方向に向かう磁化方向を、所定角度（ほぼ４５
度）傾けるための磁気バイアス方式の一つとして、磁気
抵抗効果素子５にセンス電流を流し、それによって発生
する磁界で軟磁性体膜３を磁化し、その磁化により磁気
抵抗効果素子５に磁気バイアスを印加する方法がある。
抵抗効果素子５が、信号磁界を受けて線型応答範囲で動
作して抵抗変化が得られるように、磁気抵抗効果素子５
の長手方向に向かう磁化方向を、所定角度（ほぼ４５
度）傾けるための磁気バイアス方式の一つとして、磁気
抵抗効果素子５にセンス電流を流し、それによって発生
する磁界で軟磁性体膜３を磁化し、その磁化により磁気
抵抗効果素子５に磁気バイアスを印加する方法がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図６は従来の磁気抵抗
効果型ヘッドにおける軟磁性体膜３の拡大斜視図で、た
とえば長手方向寸法が１５０μｍ程度、短手方向寸法が
５μｍ程度のきわめて小さなものであり、面内磁気異方
性の方向すなわちＹ軸方向に有限長であるため、膜内部
には反磁界とこれに伴う静磁エネルギーが生じ、この静
磁エネルギーを下げるように、軟磁性体膜３には長手方
向の磁区３ａと両端部で直交する方向の磁区３ｂが生
じ、磁束の流れが閉じるような還流磁区構造となり、各
磁区の境界には磁壁３ｃが発生し、この磁壁３ｃが移動
すると、磁気抵抗効果素子５での再生出力に変動を与え
る、という問題があった。
効果型ヘッドにおける軟磁性体膜３の拡大斜視図で、た
とえば長手方向寸法が１５０μｍ程度、短手方向寸法が
５μｍ程度のきわめて小さなものであり、面内磁気異方
性の方向すなわちＹ軸方向に有限長であるため、膜内部
には反磁界とこれに伴う静磁エネルギーが生じ、この静
磁エネルギーを下げるように、軟磁性体膜３には長手方
向の磁区３ａと両端部で直交する方向の磁区３ｂが生
じ、磁束の流れが閉じるような還流磁区構造となり、各
磁区の境界には磁壁３ｃが発生し、この磁壁３ｃが移動
すると、磁気抵抗効果素子５での再生出力に変動を与え
る、という問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記のよう
な問題をなくすことを目的とし、非磁性導体膜１４を挟
んで磁気抵抗効果素子１５と軟磁性体膜１３が積層さ
れ、この軟磁性体膜１３を磁気抵抗効果素子１５のバイ
アス磁界の印加手段として用いる磁気抵抗効果型ヘッド
において、前記軟磁性体膜１３に、膜面に平行な面内磁
気異方性Ｈｐと膜面に垂直な垂直磁気異方性Ｈｖを付与
することによって、軟磁性体膜１３に生じる還流磁区構
造の発生を抑制し、各磁区の境界の磁壁の発生をなくし
た磁気抵抗効果型ヘッドとしたものである。
な問題をなくすことを目的とし、非磁性導体膜１４を挟
んで磁気抵抗効果素子１５と軟磁性体膜１３が積層さ
れ、この軟磁性体膜１３を磁気抵抗効果素子１５のバイ
アス磁界の印加手段として用いる磁気抵抗効果型ヘッド
において、前記軟磁性体膜１３に、膜面に平行な面内磁
気異方性Ｈｐと膜面に垂直な垂直磁気異方性Ｈｖを付与
することによって、軟磁性体膜１３に生じる還流磁区構
造の発生を抑制し、各磁区の境界の磁壁の発生をなくし
た磁気抵抗効果型ヘッドとしたものである。
【０００７】
【作用】この発明によれば、軟磁性体膜１３は、面内磁
気異方性Ｈｐの他に垂直磁気異方性Ｈｖをもち、このた
め軟磁性体膜１３に生じる磁化は、膜面内だけではなく
膜厚方向（垂直方向）にも閉じるように分布し、垂直方
向に微細に変化する構造となり、還流磁区構造の発生を
抑制して磁壁の発生をなくし、したがって、この磁壁が
移動すると、磁気抵抗効果素子での再生出力に変動を与
えるという問題をなくすことができる。
気異方性Ｈｐの他に垂直磁気異方性Ｈｖをもち、このた
め軟磁性体膜１３に生じる磁化は、膜面内だけではなく
膜厚方向（垂直方向）にも閉じるように分布し、垂直方
向に微細に変化する構造となり、還流磁区構造の発生を
抑制して磁壁の発生をなくし、したがって、この磁壁が
移動すると、磁気抵抗効果素子での再生出力に変動を与
えるという問題をなくすことができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの実
施例を、図１乃至図３に従って説明する。図１はこの発
明の磁気抵抗効果型ヘッドの要部の斜面図、図２は同要
部の断面図である。
施例を、図１乃至図３に従って説明する。図１はこの発
明の磁気抵抗効果型ヘッドの要部の斜面図、図２は同要
部の断面図である。
【０００９】これらの図において、１１は下部磁気シー
ルド層、１２は磁気ギャップ層、１３は軟磁性体膜、１
４は非磁性導体膜、１５は磁気抵抗効果素子、１６は磁
気抵抗効果素子１５にセンス電流を流すための引き出し
導体層、１７は磁気ギャップ層、１８は上部磁気シール
ド層であり、これらが順次積層されて磁気抵抗効果型ヘ
ッドが構成される点は従来例と同じである。
ルド層、１２は磁気ギャップ層、１３は軟磁性体膜、１
４は非磁性導体膜、１５は磁気抵抗効果素子、１６は磁
気抵抗効果素子１５にセンス電流を流すための引き出し
導体層、１７は磁気ギャップ層、１８は上部磁気シール
ド層であり、これらが順次積層されて磁気抵抗効果型ヘ
ッドが構成される点は従来例と同じである。
【００１０】この発明が従来例と相違する点を以下に説
明する。この発明の磁気抵抗効果型ヘッドを構成する軟
磁性体膜１３には、図３の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示
すように、図に示すＹ軸方向すなわち膜面に平行な面内
磁気異方性（Ｈｐ）と、図に示すＺ軸方向すなわち膜面
に垂直な垂直磁気異方性（Ｈｖ）を付与したものであ
り、それによって、軟磁性体膜に生じる還流磁区構造の
発生を抑制し、各磁区の境界の磁壁の発生をなくことが
でき、すなわち、図６に示す従来のように、軟磁性体膜
に生じる磁区が、磁束の流れが閉じるような還流磁区構
造となり、各磁区の境界には磁壁が発生し、この磁壁が
移動すると、磁気抵抗効果素子での再生出力に変動を与
えるという問題がなくなる。
明する。この発明の磁気抵抗効果型ヘッドを構成する軟
磁性体膜１３には、図３の（ａ），（ｂ），（ｃ）に示
すように、図に示すＹ軸方向すなわち膜面に平行な面内
磁気異方性（Ｈｐ）と、図に示すＺ軸方向すなわち膜面
に垂直な垂直磁気異方性（Ｈｖ）を付与したものであ
り、それによって、軟磁性体膜に生じる還流磁区構造の
発生を抑制し、各磁区の境界の磁壁の発生をなくことが
でき、すなわち、図６に示す従来のように、軟磁性体膜
に生じる磁区が、磁束の流れが閉じるような還流磁区構
造となり、各磁区の境界には磁壁が発生し、この磁壁が
移動すると、磁気抵抗効果素子での再生出力に変動を与
えるという問題がなくなる。
【００１１】前記軟磁性体膜１３の図３に示すＹ軸方向
すなわち膜面に平行な面内磁気異方性（Ｈｐ）の付与方
法としては、たとえばスパッタリング装置にＹ軸方向の
磁場を印加して軟磁性体膜１３を形成することによって
可能である。
すなわち膜面に平行な面内磁気異方性（Ｈｐ）の付与方
法としては、たとえばスパッタリング装置にＹ軸方向の
磁場を印加して軟磁性体膜１３を形成することによって
可能である。
【００１２】また、前記軟磁性体膜１３の図３に示すＺ
軸方向すなわち膜面に垂直な垂直磁気異方性（Ｈｖ）の
付与方法としては、たとえば軟磁性体膜１３の形成後
に、Ｚ軸方向の磁場を印加して熱処理するか、あるいは
軟磁性体膜１３を膜厚方向が結晶磁気異方性の方向とな
るように形成することによって可能である。
軸方向すなわち膜面に垂直な垂直磁気異方性（Ｈｖ）の
付与方法としては、たとえば軟磁性体膜１３の形成後
に、Ｚ軸方向の磁場を印加して熱処理するか、あるいは
軟磁性体膜１３を膜厚方向が結晶磁気異方性の方向とな
るように形成することによって可能である。
【００１３】このように、軟磁性体膜１３に、膜面に平
行な面内磁気異方性（Ｈｐ）と、膜面に垂直な垂直磁気
異方性（Ｈｖ）を付与することにより、図３の（ａ）お
よび軟磁性体膜１３の部分１３ａの拡大図である図３の
（ｂ），（ｃ）に示すように、軟磁性体膜１３は複数の
長手方向に平行な磁区１３ｂが平行な磁壁１３ｃによっ
て区分されて形成される。
行な面内磁気異方性（Ｈｐ）と、膜面に垂直な垂直磁気
異方性（Ｈｖ）を付与することにより、図３の（ａ）お
よび軟磁性体膜１３の部分１３ａの拡大図である図３の
（ｂ），（ｃ）に示すように、軟磁性体膜１３は複数の
長手方向に平行な磁区１３ｂが平行な磁壁１３ｃによっ
て区分されて形成される。
【００１４】さらに、互いに隣接する磁区の磁化がＭ1
とＭ2 の矢印で示され、Ｍ1 とＭ2は膜面に平行な面内
磁気異方性（Ｈｐ）と膜面に垂直な垂直磁気異方性（Ｈ
ｖ）との合成成分である。図３の（ｂ）は垂直磁気異方
性（Ｈｖ）が強い場合の磁化の状態を示し、図３の
（ｃ）は垂直磁気異方性（Ｈｖ）が弱い場合の磁化の状
態を示している。なお、これらの磁区は周知のビッタ法
あるいはカー効果による観察で確認できる。
とＭ2 の矢印で示され、Ｍ1 とＭ2は膜面に平行な面内
磁気異方性（Ｈｐ）と膜面に垂直な垂直磁気異方性（Ｈ
ｖ）との合成成分である。図３の（ｂ）は垂直磁気異方
性（Ｈｖ）が強い場合の磁化の状態を示し、図３の
（ｃ）は垂直磁気異方性（Ｈｖ）が弱い場合の磁化の状
態を示している。なお、これらの磁区は周知のビッタ法
あるいはカー効果による観察で確認できる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、非磁性導体膜を挟
んで磁気抵抗効果素子と軟磁性体膜が積層され、この軟
磁性体膜を磁気抵抗効果素子のバイアス磁界の印加手段
として用いる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記軟磁
性体膜に、膜面に平行な面内磁気異方性と膜面に垂直な
垂直磁気異方性を付与することによって、軟磁性体膜に
生じる還流磁区構造の発生を抑制し、各磁区の境界の磁
壁の発生をなくことができ、したがって、従来のよう
に、軟磁性体膜が還流磁区構造となり、磁気抵抗効果素
子にセンス電流を流し、それによって発生する磁界で軟
磁性体膜を磁化するときに、還流磁区構造を形成する各
磁区の境界に生じた磁壁が移動することにより、磁気抵
抗効果素子での再生出力に変動を与えるという問題をな
くすことができる。
んで磁気抵抗効果素子と軟磁性体膜が積層され、この軟
磁性体膜を磁気抵抗効果素子のバイアス磁界の印加手段
として用いる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記軟磁
性体膜に、膜面に平行な面内磁気異方性と膜面に垂直な
垂直磁気異方性を付与することによって、軟磁性体膜に
生じる還流磁区構造の発生を抑制し、各磁区の境界の磁
壁の発生をなくことができ、したがって、従来のよう
に、軟磁性体膜が還流磁区構造となり、磁気抵抗効果素
子にセンス電流を流し、それによって発生する磁界で軟
磁性体膜を磁化するときに、還流磁区構造を形成する各
磁区の境界に生じた磁壁が移動することにより、磁気抵
抗効果素子での再生出力に変動を与えるという問題をな
くすことができる。
【図１】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの要部の斜面
図である。
図である。
【図２】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの要部の断面
図である。
図である。
【図３】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドを構成する軟
磁性体膜の磁化の状態を示す図である。
磁性体膜の磁化の状態を示す図である。
【図４】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの要部の斜面図で
ある。
ある。
【図５】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの要部の断面図で
ある。
ある。
【図６】従来の磁気抵抗効果型ヘッドにおける軟磁性体
膜の拡大斜視図である。
膜の拡大斜視図である。
１ 下部磁気シールド層 ２ 磁気ギャップ層 ３ 軟磁性体膜 ３ａ 磁区 ３ｂ 磁区 ３ｃ 磁壁 ４ 非磁性導体膜 ５ 磁気抵抗効果素子 ６ 引き出し導体層 ７ 磁気ギャップ層 ８ 上部磁気シールド層 １１ 下部磁気シールド層 １２ 磁気ギャップ層 １３ 軟磁性体膜 １３ａ 部分 １３ｂ 磁区 １３ｃ 磁壁 １４ 非磁性導体膜 １５ 磁気抵抗効果素子 １６ 引き出し導体層 １７ 磁気ギャップ層 １８ 上部磁気シールド層 Ｈｐ 面内磁気異方性 Ｈｖ 垂直磁気異方性 Ｍ1 磁化 Ｍ2 磁化
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性導体膜（１４）を挟んで磁気抵抗
効果素子（１５）と軟磁性体膜（１３）が積層され、こ
の軟磁性体膜（１３）を磁気抵抗効果素子（１５）のバ
イアス磁界の印加手段として用いる磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいて、 前記軟磁性体膜（１３）に、膜面に平行な面内磁気異方
性（Ｈｐ）と膜面に垂直な垂直磁気異方性（Ｈｖ）を付
与することによって、軟磁性体膜（１３）に生じる還流
磁区構造の発生を抑制し、各磁区の境界の磁壁の発生を
なくしたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 前記軟磁性体膜（１３）の膜面に垂直な
垂直磁気異方性（Ｈｖ）が、結晶磁気異方性であること
を特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 前記軟磁性体膜（１３）の膜面に垂直な
垂直磁気異方性（Ｈｖ）が、磁場中熱処理による誘導磁
気異方性であることを特徴とする請求項１に記載の磁気
抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25285592A JPH06103539A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25285592A JPH06103539A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103539A true JPH06103539A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17243114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25285592A Withdrawn JPH06103539A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103539A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100392677B1 (ko) * | 1999-08-09 | 2003-07-28 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 자기 임피던스효과 소자 및 그 제조방법 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP25285592A patent/JPH06103539A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100392677B1 (ko) * | 1999-08-09 | 2003-07-28 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 자기 임피던스효과 소자 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |