JP3082003B2 - 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法Info
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- JP3082003B2 JP3082003B2 JP03215210A JP21521091A JP3082003B2 JP 3082003 B2 JP3082003 B2 JP 3082003B2 JP 03215210 A JP03215210 A JP 03215210A JP 21521091 A JP21521091 A JP 21521091A JP 3082003 B2 JP3082003 B2 JP 3082003B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスク装置に
用いられる薄膜磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果型ヘッド
に関するものである。近年、コンピュータシステムの外
部記憶装置である磁気ディスク装置の大容量化に伴い、
高性能な磁気ヘッドが要求されている。この要求を満足
するものとして、磁気ディスクの回転速度に依存せず高
出力が得られる磁気抵抗効果型ヘッドが注目されてい
る。
用いられる薄膜磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果型ヘッド
に関するものである。近年、コンピュータシステムの外
部記憶装置である磁気ディスク装置の大容量化に伴い、
高性能な磁気ヘッドが要求されている。この要求を満足
するものとして、磁気ディスクの回転速度に依存せず高
出力が得られる磁気抵抗効果型ヘッドが注目されてい
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型ヘッドは、図１２
に示すような構造となっている。すなわち、８はＮｉＦ
ｅなどの磁気抵抗効果を有する被膜からなる長方形状の
磁気抵抗効果素子、９はこの磁気抵抗効果素子８に一定
のセンス電流Ｊを流すための金（Au）膜などからなる引
出し導体層、１０ａ，１０ｂは磁気シールド層である。
前記磁気抵抗効果素子８は、その長手方向（Ｙ軸方向）
に磁化容易軸方向が一致するように長方形状に形成され
ている。前記引出し導体層９は、磁気抵抗効果素子８の
長手方向に対して所定幅（トラック幅に相当）で切除さ
れて、磁気抵抗効果素子８の両端部に接合している。
に示すような構造となっている。すなわち、８はＮｉＦ
ｅなどの磁気抵抗効果を有する被膜からなる長方形状の
磁気抵抗効果素子、９はこの磁気抵抗効果素子８に一定
のセンス電流Ｊを流すための金（Au）膜などからなる引
出し導体層、１０ａ，１０ｂは磁気シールド層である。
前記磁気抵抗効果素子８は、その長手方向（Ｙ軸方向）
に磁化容易軸方向が一致するように長方形状に形成され
ている。前記引出し導体層９は、磁気抵抗効果素子８の
長手方向に対して所定幅（トラック幅に相当）で切除さ
れて、磁気抵抗効果素子８の両端部に接合している。
【０００３】磁気抵抗効果素子８と引出し導体層９は、
２つの磁気シールド層１０ａ，１０ｂ間（再生ギャップ
に相当）に配置されるが、非磁性絶縁層（図示せず）を
介して磁気シールド層１０ａ，１０ｂと電気的に絶縁さ
れている。磁気抵抗効果素子８に流す一定電流すなわち
センス電流Ｊは引出し導体層９を通して磁気抵抗効果素
子８に流れ、引出し導体層９によって画定される長方形
の信号検出領域８ａに流れる。そして、磁気ディスクは
磁気抵抗効果型ヘッドの下をＸ軸方向に移動し、磁気抵
抗効果型ヘッドは、磁気ディスクに残留磁化の形で記録
された情報の信号磁界を、信号検出領域８ａで受けて抵
抗変化として検知する。
２つの磁気シールド層１０ａ，１０ｂ間（再生ギャップ
に相当）に配置されるが、非磁性絶縁層（図示せず）を
介して磁気シールド層１０ａ，１０ｂと電気的に絶縁さ
れている。磁気抵抗効果素子８に流す一定電流すなわち
センス電流Ｊは引出し導体層９を通して磁気抵抗効果素
子８に流れ、引出し導体層９によって画定される長方形
の信号検出領域８ａに流れる。そして、磁気ディスクは
磁気抵抗効果型ヘッドの下をＸ軸方向に移動し、磁気抵
抗効果型ヘッドは、磁気ディスクに残留磁化の形で記録
された情報の信号磁界を、信号検出領域８ａで受けて抵
抗変化として検知する。
【０００４】またこの場合、センス電流Ｊは、信号磁界
に対して磁気抵抗効果型ヘッドの再生を線型化するため
にも利用されている。すなわち、磁気抵抗効果素子８
は、一方の磁気シールド層１０ａに近接させて配置さ
れ、センス電流によって磁化された磁気シールド層１０
ａの表面からの漏洩磁界によって、磁気抵抗効果素子８
の長手方向と直交する方向（高さ方向）にバイアス磁界
が印加される（このバイアス方式をセルフバイアス法と
いう）。
に対して磁気抵抗効果型ヘッドの再生を線型化するため
にも利用されている。すなわち、磁気抵抗効果素子８
は、一方の磁気シールド層１０ａに近接させて配置さ
れ、センス電流によって磁化された磁気シールド層１０
ａの表面からの漏洩磁界によって、磁気抵抗効果素子８
の長手方向と直交する方向（高さ方向）にバイアス磁界
が印加される（このバイアス方式をセルフバイアス法と
いう）。
【０００５】また、従来の磁気抵抗効果素子の形状で
は、磁化容易軸（Ｙ軸方向）の磁化方向に対して磁気抵
抗効果素子が有限長であるため、磁気抵抗効果素子の端
部に磁極（Ｎ、Ｓ極）が生じ、磁気抵抗効果素子の内部
には磁化方向とは反対向きの磁界すなわち反磁界が発生
する。このため磁気抵抗効果素子は、反磁界によって誘
起された静磁エネルギーを下げるために、図１３に示す
ようないくつかの磁区がループ状に分割された磁区構造
を示し、その磁区の境界には磁壁１１が生じている。
は、磁化容易軸（Ｙ軸方向）の磁化方向に対して磁気抵
抗効果素子が有限長であるため、磁気抵抗効果素子の端
部に磁極（Ｎ、Ｓ極）が生じ、磁気抵抗効果素子の内部
には磁化方向とは反対向きの磁界すなわち反磁界が発生
する。このため磁気抵抗効果素子は、反磁界によって誘
起された静磁エネルギーを下げるために、図１３に示す
ようないくつかの磁区がループ状に分割された磁区構造
を示し、その磁区の境界には磁壁１１が生じている。
【０００６】一般に磁気抵抗効果素子においては、成膜
の不完全さから結晶粒界、格子欠陥、不純物介在などの
不均一性があるために、従来の磁気抵抗効果型ヘッドで
は、磁気ディスクからの信号磁界に対して磁壁が引掛か
りながら移動し、磁化回転が不連続となって再生波形に
はバルクハウゼン雑音が生じるという問題があった。こ
のバルクハウゼン雑音を抑制するには、磁気抵抗効果素
子の磁化方向を揃えて単磁区化することが有効である。
の不完全さから結晶粒界、格子欠陥、不純物介在などの
不均一性があるために、従来の磁気抵抗効果型ヘッドで
は、磁気ディスクからの信号磁界に対して磁壁が引掛か
りながら移動し、磁化回転が不連続となって再生波形に
はバルクハウゼン雑音が生じるという問題があった。こ
のバルクハウゼン雑音を抑制するには、磁気抵抗効果素
子の磁化方向を揃えて単磁区化することが有効である。
【０００７】そこで図１４に示すように、磁気抵抗効果
素子８の両端部に、例えばＦｅＭｎなどの反強磁性体層
１２を積層することにより、図１５に示すように、磁気
交換結合作用によって磁気抵抗効果素子８の単磁区化を
行うことが提案された。この反強磁性体層１２を磁気抵
抗効果素子８の両端部に積層すると、この積層された両
端部のみでなく、中央部の信号検出領域８ａにおいても
単磁区状態が得られるように作用することも分ってい
る。
素子８の両端部に、例えばＦｅＭｎなどの反強磁性体層
１２を積層することにより、図１５に示すように、磁気
交換結合作用によって磁気抵抗効果素子８の単磁区化を
行うことが提案された。この反強磁性体層１２を磁気抵
抗効果素子８の両端部に積層すると、この積層された両
端部のみでなく、中央部の信号検出領域８ａにおいても
単磁区状態が得られるように作用することも分ってい
る。
【０００８】そして、このような磁気抵抗効果素子８の
両端部に反強磁性体層１２を設けた構造を得るために
は、磁気抵抗効果素子８の両端部を除く全面をフォトレ
ジストなどのマスク材料で覆い、このマスク材料が除か
れた磁気抵抗効果素子８の両端部を含む全面に反強磁性
体層１２を形成し、その後、マスク材料を除去すること
により、磁気抵抗効果素子８の両端部に反強磁性体層１
２が形成され、マスク材料の上の反強磁性体層は、マス
ク材料の除去と共に除去される（この方法は一般にリフ
トオフ法と呼ばれている）。
両端部に反強磁性体層１２を設けた構造を得るために
は、磁気抵抗効果素子８の両端部を除く全面をフォトレ
ジストなどのマスク材料で覆い、このマスク材料が除か
れた磁気抵抗効果素子８の両端部を含む全面に反強磁性
体層１２を形成し、その後、マスク材料を除去すること
により、磁気抵抗効果素子８の両端部に反強磁性体層１
２が形成され、マスク材料の上の反強磁性体層は、マス
ク材料の除去と共に除去される（この方法は一般にリフ
トオフ法と呼ばれている）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
方法により、磁気抵抗効果素子８の両端部に反強磁性体
層１２を設ける場合には、フォトレジストなどのマスク
材料の形成プロセス中は、磁気抵抗効果素子８の表面は
大気中にさらされており、従って、磁気抵抗効果素子８
の表面に酸化膜が形成されているため、磁気抵抗効果素
子８の両端部の上に反強磁性体層１２を積層しても、そ
の酸化膜のために、磁気抵抗効果素子８の両端部に、反
強磁性体層１２との磁気交換結合作用によって、磁気抵
抗効果素子８の単磁区化を行うバイアス磁界が発生せ
ず、単磁区化を行うことができないという問題があっ
た。
方法により、磁気抵抗効果素子８の両端部に反強磁性体
層１２を設ける場合には、フォトレジストなどのマスク
材料の形成プロセス中は、磁気抵抗効果素子８の表面は
大気中にさらされており、従って、磁気抵抗効果素子８
の表面に酸化膜が形成されているため、磁気抵抗効果素
子８の両端部の上に反強磁性体層１２を積層しても、そ
の酸化膜のために、磁気抵抗効果素子８の両端部に、反
強磁性体層１２との磁気交換結合作用によって、磁気抵
抗効果素子８の単磁区化を行うバイアス磁界が発生せ
ず、単磁区化を行うことができないという問題があっ
た。
【００１０】この発明は、このような従来の問題点に鑑
み、磁気抵抗効果素子の表面に酸化膜が存在するような
状況においても、反強磁性体層により磁気抵抗効果素子
の両端部を単磁区構造とするために十分なバイアス磁界
を安定して得られるような製造方法を提供することを目
的とする。
み、磁気抵抗効果素子の表面に酸化膜が存在するような
状況においても、反強磁性体層により磁気抵抗効果素子
の両端部を単磁区構造とするために十分なバイアス磁界
を安定して得られるような製造方法を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、この発明は、磁気記録媒体に残留磁化の形で記録さ
れた情報を、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子に
よってその抵抗変化として読取る磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法であって、所定形状の磁気抵抗効果素子１を
形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子１の両端部１
ａ，１ａを除く部分にマスク材料（フォトレジスト）３
を形成する工程と、このマスク材料３が形成されていな
い磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａに軟磁性体層
４と磁気抵抗効果素子１を単磁区化するための反強磁性
体層５とをこの順で連続して形成する工程とよりなるこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法とした
ものである。
に、この発明は、磁気記録媒体に残留磁化の形で記録さ
れた情報を、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子に
よってその抵抗変化として読取る磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法であって、所定形状の磁気抵抗効果素子１を
形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子１の両端部１
ａ，１ａを除く部分にマスク材料（フォトレジスト）３
を形成する工程と、このマスク材料３が形成されていな
い磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａに軟磁性体層
４と磁気抵抗効果素子１を単磁区化するための反強磁性
体層５とをこの順で連続して形成する工程とよりなるこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法とした
ものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、磁気抵抗効果素子１の両
端部１ａ，１ａに真空蒸着技術により軟磁性体層４を形
成し、その軟磁性体層４の形成と同一真空中でこの軟磁
性体層４の上に磁気抵抗効果素子１を単磁区化するため
の反強磁性体層５を形成するから、磁気抵抗効果素子１
の両端部１ａ，１ａの表面に酸化膜が生成していても、
反強磁性体層５は磁気抵抗効果素子１を単磁区化するに
十分なバイアス磁界を、磁気抵抗効果素子１の両端部１
ａ，１ａに及ぼすものである。
端部１ａ，１ａに真空蒸着技術により軟磁性体層４を形
成し、その軟磁性体層４の形成と同一真空中でこの軟磁
性体層４の上に磁気抵抗効果素子１を単磁区化するため
の反強磁性体層５を形成するから、磁気抵抗効果素子１
の両端部１ａ，１ａの表面に酸化膜が生成していても、
反強磁性体層５は磁気抵抗効果素子１を単磁区化するに
十分なバイアス磁界を、磁気抵抗効果素子１の両端部１
ａ，１ａに及ぼすものである。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法の実施例を各工程毎に説明する。先ず、図１は、
真空蒸着技術により膜厚５００Å程度のＮｉＦｅなどか
らなる磁気抵抗効果素子１を、基板２の上に形成した磁
気シールド層７ａの上に、磁化容易軸が長手方向に一致
するように長方形に形成する工程の断面図である。図２
は図１を上から見た平面図である。
造方法の実施例を各工程毎に説明する。先ず、図１は、
真空蒸着技術により膜厚５００Å程度のＮｉＦｅなどか
らなる磁気抵抗効果素子１を、基板２の上に形成した磁
気シールド層７ａの上に、磁化容易軸が長手方向に一致
するように長方形に形成する工程の断面図である。図２
は図１を上から見た平面図である。
【００１４】図３は、フォトリソグラフィ技術によって
前記磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａを除く部分
をマスクするマスク材料（フォトレジスト）３を形成す
る工程の断面図である。図４は図３を上から見た平面図
である。
前記磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａを除く部分
をマスクするマスク材料（フォトレジスト）３を形成す
る工程の断面図である。図４は図３を上から見た平面図
である。
【００１５】図５は、前記マスク材料３が形成されてな
い磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａの上、および
磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａ以外のマスク材
料３の上に、真空蒸着技術により膜厚１００Å程度のＮ
ｉＦｅなどの軟磁性体層４を形成する工程の断面図であ
る。図６は図５を上から見た平面図である。
い磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａの上、および
磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａ以外のマスク材
料３の上に、真空蒸着技術により膜厚１００Å程度のＮ
ｉＦｅなどの軟磁性体層４を形成する工程の断面図であ
る。図６は図５を上から見た平面図である。
【００１６】図７は、前記軟磁性体層４の上に真空蒸着
技術により、同一真空中で膜厚５００Å程度のＦｅＭｎ
などの反強磁性体層５を形成する工程の断面図である。
図８は図７を上から見た平面図である。
技術により、同一真空中で膜厚５００Å程度のＦｅＭｎ
などの反強磁性体層５を形成する工程の断面図である。
図８は図７を上から見た平面図である。
【００１７】図９は前記マスク材料３をアセトンなどの
有機溶剤などで除去して、磁気抵抗効果素子１の両端部
１ａ，１ａの上に反強磁性体層５を形成する工程の断面
図である。図１０は図９を上から見た平面図である。以
上のようにして、磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１
ａの上に反強磁性体層５を被膜形成することができる。
有機溶剤などで除去して、磁気抵抗効果素子１の両端部
１ａ，１ａの上に反強磁性体層５を形成する工程の断面
図である。図１０は図９を上から見た平面図である。以
上のようにして、磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１
ａの上に反強磁性体層５を被膜形成することができる。
【００１８】図１１はこの発明により製造された磁気抵
抗効果型ヘッドの斜視図であり、１は磁気抵抗効果素
子、４は軟磁性体層、５は反強磁性体層、６ａ，６ｂは
引出し導体層、７ａ，７ｂは磁気シールド層である。こ
の磁気抵抗効果型ヘッドは、その磁気抵抗効果素子１の
両端部１ａ，１ａの表面に反強磁性体層５が形成されて
いるので、この反強磁性体層５の磁化（磁気モーメン
ト）が、磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａに磁気
交換結合作用を及ぼし、磁気抵抗効果素子１は単磁区構
造となっているので、バルクハウゼン雑音を発生しな
い。
抗効果型ヘッドの斜視図であり、１は磁気抵抗効果素
子、４は軟磁性体層、５は反強磁性体層、６ａ，６ｂは
引出し導体層、７ａ，７ｂは磁気シールド層である。こ
の磁気抵抗効果型ヘッドは、その磁気抵抗効果素子１の
両端部１ａ，１ａの表面に反強磁性体層５が形成されて
いるので、この反強磁性体層５の磁化（磁気モーメン
ト）が、磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａに磁気
交換結合作用を及ぼし、磁気抵抗効果素子１は単磁区構
造となっているので、バルクハウゼン雑音を発生しな
い。
【００１９】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法は、磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａの表面に
反強磁性体層５を形成する際に、その前に同一真空中で
軟磁性体層４を形成した後に、その上に反強磁性体層５
を形成することにより、磁気抵抗効果素子１の両端部１
ａ，１ａの表面に酸化被膜があっても、前記反強磁性体
層５の磁化が、磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａ
に磁気交換結合作用を及ぼすことができる。
法は、磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａの表面に
反強磁性体層５を形成する際に、その前に同一真空中で
軟磁性体層４を形成した後に、その上に反強磁性体層５
を形成することにより、磁気抵抗効果素子１の両端部１
ａ，１ａの表面に酸化被膜があっても、前記反強磁性体
層５の磁化が、磁気抵抗効果素子１の両端部１ａ，１ａ
に磁気交換結合作用を及ぼすことができる。
【００２０】前記実施例においては、軟磁性体層の材料
として磁気抵抗効果素子１と同じ材質のＮｉＦｅ膜とし
たが、これを磁気抵抗効果素子１とは異なる例えばＣｏ
ＺｒＣｒ膜などを用いてもよい。また、反強磁性体層５
としてはＦｅ2 Ｏ3 膜などのフェリ磁性材料、ＣｏＰ膜
などの永久磁石材料を用いてもよい。
として磁気抵抗効果素子１と同じ材質のＮｉＦｅ膜とし
たが、これを磁気抵抗効果素子１とは異なる例えばＣｏ
ＺｒＣｒ膜などを用いてもよい。また、反強磁性体層５
としてはＦｅ2 Ｏ3 膜などのフェリ磁性材料、ＣｏＰ膜
などの永久磁石材料を用いてもよい。
【００２１】また、前記実施例においては、磁気抵抗効
果型ヘッドの再生の線型化方式にはセルフバイアス法を
用いているが、この発明はこの線型化方式について特に
制限しない。すなわち、磁気抵抗効果型ヘッドの再生の
線型化を実現する他の磁気バイアス方式としては、シャ
ントバイアス法、永久磁石バイアス法、電流バイアス
法、バーバーポールバイアス法など、いずれであっても
良いことはいうまでもない。
果型ヘッドの再生の線型化方式にはセルフバイアス法を
用いているが、この発明はこの線型化方式について特に
制限しない。すなわち、磁気抵抗効果型ヘッドの再生の
線型化を実現する他の磁気バイアス方式としては、シャ
ントバイアス法、永久磁石バイアス法、電流バイアス
法、バーバーポールバイアス法など、いずれであっても
良いことはいうまでもない。
【００２２】
【発明の効果】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造
方法は、磁気記録媒体に残留磁化の形で記録された情報
を、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子によってそ
の抵抗変化として読取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法であって、所定形状の磁気抵抗効果素子を形成する工
程と、前記磁気抵抗効果素子の両端部を除く部分にマス
ク材料を形成する工程と、このマスク材料が形成されて
いない磁気抵抗効果素子の両端部に軟磁性体層と磁気抵
抗効果素子を単磁区化するための反強磁性体層とを、こ
の順で連続して形成する工程とよりなることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法としたものであり、
すなわち、磁気抵抗効果素子の両端部に、この磁気抵抗
効果素子の磁区構造を単磁区化するため、磁気抵抗効果
素子の両端部に、反強磁性体層を形成する直前に、軟磁
性体層を形成し、その上に反強磁性体層を形成するか
ら、磁気抵抗効果素子の両端部の表面に酸化膜が生成し
ていても、反強磁性体層は、磁気抵抗効果素子の両端部
に磁気交換結合作用によって磁気抵抗効果素子を単磁区
化するに十分なバイアス磁界を、磁気抵抗効果素子の両
端部に及ぼすことができるものである。従って、この磁
気抵抗効果素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッドは、磁区
構造が単磁区化しているので、磁気ディスクからの信号
磁界を、この磁気抵抗効果型ヘッドで再生した場合、そ
の再生波形にバルクハウゼン雑音を生じることがなくな
る。
方法は、磁気記録媒体に残留磁化の形で記録された情報
を、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子によってそ
の抵抗変化として読取る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法であって、所定形状の磁気抵抗効果素子を形成する工
程と、前記磁気抵抗効果素子の両端部を除く部分にマス
ク材料を形成する工程と、このマスク材料が形成されて
いない磁気抵抗効果素子の両端部に軟磁性体層と磁気抵
抗効果素子を単磁区化するための反強磁性体層とを、こ
の順で連続して形成する工程とよりなることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法としたものであり、
すなわち、磁気抵抗効果素子の両端部に、この磁気抵抗
効果素子の磁区構造を単磁区化するため、磁気抵抗効果
素子の両端部に、反強磁性体層を形成する直前に、軟磁
性体層を形成し、その上に反強磁性体層を形成するか
ら、磁気抵抗効果素子の両端部の表面に酸化膜が生成し
ていても、反強磁性体層は、磁気抵抗効果素子の両端部
に磁気交換結合作用によって磁気抵抗効果素子を単磁区
化するに十分なバイアス磁界を、磁気抵抗効果素子の両
端部に及ぼすことができるものである。従って、この磁
気抵抗効果素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッドは、磁区
構造が単磁区化しているので、磁気ディスクからの信号
磁界を、この磁気抵抗効果型ヘッドで再生した場合、そ
の再生波形にバルクハウゼン雑音を生じることがなくな
る。
【図１】この発明の実施例における磁気抵抗効果素子を
形成する工程を示す断面図である。
形成する工程を示す断面図である。
【図２】図１を上から見た平面図である。
【図３】この発明の実施例におけるフォトレジストを形
成する工程を示す断面図である。
成する工程を示す断面図である。
【図４】図３を上から見た平面図である。
【図５】この発明の実施例における磁気抵抗効果素子の
両端部に軟磁性体層を形成する工程を示す断面図であ
る。
両端部に軟磁性体層を形成する工程を示す断面図であ
る。
【図６】図５を上から見た平面図である。
【図７】この発明の実施例における磁気抵抗効果素子の
両端に反強磁性体層を形成する工程を示す断面図であ
る。
両端に反強磁性体層を形成する工程を示す断面図であ
る。
【図８】図７を上から見た平面図である。
【図９】この発明の実施例におけるフォトレジストを除
去する工程を示す断面図である。
去する工程を示す断面図である。
【図１０】図９を上から見た平面図である。
【図１１】この発明により製造された磁気抵抗効果型ヘ
ッドの概略の斜視図である。
ッドの概略の斜視図である。
【図１２】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの概略を示す斜
視図である。
視図である。
【図１３】従来の磁気抵抗効果素子がループ状の磁区に
分割されている状態を示す斜視図である。
分割されている状態を示す斜視図である。
【図１４】従来の他の磁気抵抗効果型ヘッドの概略の斜
視図である。
視図である。
【図１５】磁気抵抗効果素子に反強磁性体層を積層して
磁気交換結合作用が行われる状態の図である。
磁気交換結合作用が行われる状態の図である。
１ 磁気抵抗効果素子 １ａ，１ａ 両端部 ２ 基板 ３ マスク材料 ４ 軟磁性体層 ５ 反強磁性体層 ６ａ，６ｂ 引出し導体層 ７ａ，７ｂ 磁気シールド層 ８ 磁気抵抗効果素子 ８ａ 信号検出領域 ９ 引出し導体層 １０ａ，１０ｂ 磁気シールド層 １１ 磁壁 １２ 反強磁性体層
Claims (1)
- 【請求項１】磁気記録媒体に残留磁化の形で記録された
情報を、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子によっ
てその抵抗変化として読取る磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法であって、 所定形状の磁気抵抗効果素子（１）を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子（１）の両端部（１ａ，１ａ）を
除く部分にマスク材料（３）を形成する工程と、このマ
スク材料（３）が形成されていない磁気抵抗効果素子
（１）の両端部（１ａ，１ａ）に軟磁性体層（４）と磁
気抵抗効果素子（１）を単磁区化するための反強磁性体
層（５）とをこの順で連続して形成する工程とよりなる
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03215210A JP3082003B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03215210A JP3082003B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0554337A JPH0554337A (ja) | 1993-03-05 |
| JP3082003B2 true JP3082003B2 (ja) | 2000-08-28 |
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ID=16668521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03215210A Expired - Fee Related JP3082003B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3082003B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3635504B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2005-04-06 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録装置 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP03215210A patent/JP3082003B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH0554337A (ja) | 1993-03-05 |
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