JPH0744826A - 薄膜mrヘッド - Google Patents
薄膜mrヘッドInfo
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- JPH0744826A JPH0744826A JP21085493A JP21085493A JPH0744826A JP H0744826 A JPH0744826 A JP H0744826A JP 21085493 A JP21085493 A JP 21085493A JP 21085493 A JP21085493 A JP 21085493A JP H0744826 A JPH0744826 A JP H0744826A
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- Japan
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- film
- head
- magnetic
- thin film
- magnetic film
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超高密度記録が可能なハードディスクドライ
ブ装置に使用され、帯磁を防止する薄膜MRヘッドを得
ること。 【構成】 下部シールド磁性膜7の両端部を下部シール
ド磁性膜3に接合させ、MR素子5を閉の磁気回路でシ
ールドする。こうすると外部からの浮遊磁界に対して影
響を受けず、安定した記録再生特性が得られる。
ブ装置に使用され、帯磁を防止する薄膜MRヘッドを得
ること。 【構成】 下部シールド磁性膜7の両端部を下部シール
ド磁性膜3に接合させ、MR素子5を閉の磁気回路でシ
ールドする。こうすると外部からの浮遊磁界に対して影
響を受けず、安定した記録再生特性が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は超高密度記録が可能なハ
ードディスクドライブ装置に使用される薄膜MRヘッド
に関するものである。
ードディスクドライブ装置に使用される薄膜MRヘッド
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気記憶装置であるハードディス
クドライブ装置の高密度記録化に伴い、その記録再生用
の磁気ヘッドとして薄膜磁気ヘッド(インダクティブヘ
ッド)が実用化されるようになった。しかしながら更に
記録の超高密度化を図るためには、磁気抵抗効果(M
R)素子を使った薄膜MRヘッドが必要になってきた。
そこで薄膜MRヘッドの実用化に向けて研究開発がさか
んに行われている。
クドライブ装置の高密度記録化に伴い、その記録再生用
の磁気ヘッドとして薄膜磁気ヘッド(インダクティブヘ
ッド)が実用化されるようになった。しかしながら更に
記録の超高密度化を図るためには、磁気抵抗効果(M
R)素子を使った薄膜MRヘッドが必要になってきた。
そこで薄膜MRヘッドの実用化に向けて研究開発がさか
んに行われている。
【0003】従来の薄膜MRヘッドの構造について図5
及び図6を用いて説明する。図5は磁気ヘッドとディス
クが対面する面(ABS面)から見た薄膜MRヘッドの
断面図である。図5に示すようにスライダとなる基板2
1の上にアルミナの絶縁膜22が形成され、その上にセ
ンダストの下部シールド磁性膜23,アルミナ膜である
MR下部ギャップ絶縁膜24,FeNi膜のMR素子2
5,アルミナ膜であるMR上部ギャップ絶縁膜26,F
eNi膜の下部シールド磁性膜27が夫々この順序で形
成され、再生ヘッド部が構成される。
及び図6を用いて説明する。図5は磁気ヘッドとディス
クが対面する面(ABS面)から見た薄膜MRヘッドの
断面図である。図5に示すようにスライダとなる基板2
1の上にアルミナの絶縁膜22が形成され、その上にセ
ンダストの下部シールド磁性膜23,アルミナ膜である
MR下部ギャップ絶縁膜24,FeNi膜のMR素子2
5,アルミナ膜であるMR上部ギャップ絶縁膜26,F
eNi膜の下部シールド磁性膜27が夫々この順序で形
成され、再生ヘッド部が構成される。
【0004】又再生ヘッド部の上面には下部コアとして
アルミナのWRITE/READ分離絶縁膜28,下部
コアとしてFeNi膜のWRITE用下部磁性膜29,
アルミナのWRITEギャップ絶縁膜30,上部コアと
してWRITE用上部磁性膜31,アルミナの保護用絶
縁膜32がこの順序で形成され、記録ヘッドが構成され
る。
アルミナのWRITE/READ分離絶縁膜28,下部
コアとしてFeNi膜のWRITE用下部磁性膜29,
アルミナのWRITEギャップ絶縁膜30,上部コアと
してWRITE用上部磁性膜31,アルミナの保護用絶
縁膜32がこの順序で形成され、記録ヘッドが構成され
る。
【0005】図6は従来の薄膜MRヘッドをABS面に
対して垂直な方向から見た断面図である。図6に示すよ
うにWRITE用下部磁性膜29とWRITE用上部磁
性膜31の間にWRITE用のコイル33が形成されて
いる。
対して垂直な方向から見た断面図である。図6に示すよ
うにWRITE用下部磁性膜29とWRITE用上部磁
性膜31の間にWRITE用のコイル33が形成されて
いる。
【0006】尚図6に示すように下部シールド磁性膜2
3,上部シールド磁性膜27,WRITE用下部及び上
部磁性膜は、夫々絶縁膜(アルミナ膜)によって電気的
に独立しているのが一般的である。又図5に示すように
下部シールド磁性膜23と上部シールド磁性膜27はほ
ぼ平行な位置にあり、その間隔が再生(READ)時の
READギャップ距離となるので、この距離の寸法精度
が重要な因子となっている。
3,上部シールド磁性膜27,WRITE用下部及び上
部磁性膜は、夫々絶縁膜(アルミナ膜)によって電気的
に独立しているのが一般的である。又図5に示すように
下部シールド磁性膜23と上部シールド磁性膜27はほ
ぼ平行な位置にあり、その間隔が再生(READ)時の
READギャップ距離となるので、この距離の寸法精度
が重要な因子となっている。
【0007】以上のように薄膜MRヘッドは積層構造に
よって構成されており、記録ヘッド部(WRITE部)
と再生ヘッド部(READ部)に分かれている。即ちW
RITE部で記録を行い、READ部で再生を行うこと
により、超高密度な磁気記録再生が可能となる。
よって構成されており、記録ヘッド部(WRITE部)
と再生ヘッド部(READ部)に分かれている。即ちW
RITE部で記録を行い、READ部で再生を行うこと
により、超高密度な磁気記録再生が可能となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら薄膜MR
ヘッドには数多くの問題点があり、実用化のための量産
製造が困難であった。その一つとして帯磁の問題があ
る。帯磁とは外部からの浮遊磁界(外乱磁界)、例えば
ハードディスクドライブ装置の内部にあるディスク回転
用のスピンドルモータに用いられる永久磁石や、ヘッド
をシークさせるアクチュエータに用いられる永久磁石
等、あるいはドライブ装置の組立時に自動化設備に含ま
れる永久磁石等、いろいろな状況で外乱磁界にさらされ
ることをいう。又磁気ヘッドの性能評価を行うときに
も、同じように外乱磁界にさらされる可能性がある。
ヘッドには数多くの問題点があり、実用化のための量産
製造が困難であった。その一つとして帯磁の問題があ
る。帯磁とは外部からの浮遊磁界(外乱磁界)、例えば
ハードディスクドライブ装置の内部にあるディスク回転
用のスピンドルモータに用いられる永久磁石や、ヘッド
をシークさせるアクチュエータに用いられる永久磁石
等、あるいはドライブ装置の組立時に自動化設備に含ま
れる永久磁石等、いろいろな状況で外乱磁界にさらされ
ることをいう。又磁気ヘッドの性能評価を行うときに
も、同じように外乱磁界にさらされる可能性がある。
【0009】このように外部からの浮遊磁界によるヘッ
ドの磁化は一般的に帯磁といわれているが、薄膜MRヘ
ッドにおいてもこの帯磁が問題となっている。例えば薄
膜MRヘッドの性能評価のために電気特性を数回同じ様
に測定すると、同一条件の測定であっても測定データが
ばらついてしまうことがある。その原因を詳しく調べる
と外部磁界による帯磁であることが判明した。
ドの磁化は一般的に帯磁といわれているが、薄膜MRヘ
ッドにおいてもこの帯磁が問題となっている。例えば薄
膜MRヘッドの性能評価のために電気特性を数回同じ様
に測定すると、同一条件の測定であっても測定データが
ばらついてしまうことがある。その原因を詳しく調べる
と外部磁界による帯磁であることが判明した。
【0010】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであって、外部磁界の影響を受けにくい薄
膜MRヘッドを実現することを目的とする。
なされたものであって、外部磁界の影響を受けにくい薄
膜MRヘッドを実現することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は磁気記録媒体の
トラック面と対面する浮上面の一部に設けられ、磁気抵
抗効果素子と磁気抵抗効果素子を周辺層からシールドす
る上部シールド磁性膜及び下部シールド磁性膜とが浮上
面から見て層状に形成され、磁気抵抗効果素子の磁気抵
抗変化により信号を再生する再生ヘッド部を含む薄膜M
Rヘッドであって、上部シールド磁性膜及び下部シール
ド磁性膜を、浮上面から見てヘッドのトラック方向と垂
直な方向の両端部で互いに接合したことを特徴とするも
のである。
トラック面と対面する浮上面の一部に設けられ、磁気抵
抗効果素子と磁気抵抗効果素子を周辺層からシールドす
る上部シールド磁性膜及び下部シールド磁性膜とが浮上
面から見て層状に形成され、磁気抵抗効果素子の磁気抵
抗変化により信号を再生する再生ヘッド部を含む薄膜M
Rヘッドであって、上部シールド磁性膜及び下部シール
ド磁性膜を、浮上面から見てヘッドのトラック方向と垂
直な方向の両端部で互いに接合したことを特徴とするも
のである。
【0012】
【作用】このような特徴を有する本発明によれば、磁気
抵抗効果素子が上部シールド磁性膜及び下部シールド磁
性膜によってシールドされているので、外部からMR素
子に侵入する外乱磁界を防止できる。又上部シールド磁
性膜及び下部シールド磁性膜の両端部に発生していた磁
極が磁気回路を閉じたことにより消滅し、帯磁による記
録再生特性のばらつきがなくなる。本発明の薄膜MRヘ
ッドを使用することで、従来より安定した記録再生特性
が得られることとなる。
抵抗効果素子が上部シールド磁性膜及び下部シールド磁
性膜によってシールドされているので、外部からMR素
子に侵入する外乱磁界を防止できる。又上部シールド磁
性膜及び下部シールド磁性膜の両端部に発生していた磁
極が磁気回路を閉じたことにより消滅し、帯磁による記
録再生特性のばらつきがなくなる。本発明の薄膜MRヘ
ッドを使用することで、従来より安定した記録再生特性
が得られることとなる。
【0013】
【実施例】まず本発明の一実施例における薄膜MRヘッ
ドの構造について図1を参照しつつ説明する。図1は本
実施例の薄膜MRヘッドをディスクの対面する方向から
見たときの断面図である。本図に示すように薄膜MRヘ
ッドのABS面から見てスライダとなる基板1の上にア
ルミナの絶縁膜2が形成され、その上にセンダストの下
部シールド磁性膜3,アルミナのMR下部ギャップ絶縁
膜4,FeNi膜のMR素子5,アルミナのMR上部ギ
ャップ絶縁膜6,FeNi膜の上部シールド磁性膜7に
より再生ヘッド部が構成される。
ドの構造について図1を参照しつつ説明する。図1は本
実施例の薄膜MRヘッドをディスクの対面する方向から
見たときの断面図である。本図に示すように薄膜MRヘ
ッドのABS面から見てスライダとなる基板1の上にア
ルミナの絶縁膜2が形成され、その上にセンダストの下
部シールド磁性膜3,アルミナのMR下部ギャップ絶縁
膜4,FeNi膜のMR素子5,アルミナのMR上部ギ
ャップ絶縁膜6,FeNi膜の上部シールド磁性膜7に
より再生ヘッド部が構成される。
【0014】又記録ヘッド部はアルミナのWRITE/
READ分離絶縁膜8が形成され、更にその上に下部コ
アとしてFeNi膜のWRITE用下部磁性膜9,アル
ミナのWRITEギャップ絶縁膜10,上部コアとして
FeNi膜のWRITE用上部磁性膜11,アルミナの
保護用絶縁膜12が夫々形成されている。
READ分離絶縁膜8が形成され、更にその上に下部コ
アとしてFeNi膜のWRITE用下部磁性膜9,アル
ミナのWRITEギャップ絶縁膜10,上部コアとして
FeNi膜のWRITE用上部磁性膜11,アルミナの
保護用絶縁膜12が夫々形成されている。
【0015】図1に示すように本実施例の薄膜MRヘッ
ドは、上部シールド磁性膜7の両端部で下部シールド磁
性膜3に接合していることが特徴である。即ち上部シー
ルド磁性膜7が下部シールド磁性膜3に接合することに
よって、2つの磁気的効果が生じる。
ドは、上部シールド磁性膜7の両端部で下部シールド磁
性膜3に接合していることが特徴である。即ち上部シー
ルド磁性膜7が下部シールド磁性膜3に接合することに
よって、2つの磁気的効果が生じる。
【0016】まず第1に、従来では図6の上部シールド
磁性膜27及び下部シールド磁性膜23の両端部に磁極
を形成していたが、本従来の構成にすることにより両端
部に磁極が発生しない。
磁性膜27及び下部シールド磁性膜23の両端部に磁極
を形成していたが、本従来の構成にすることにより両端
部に磁極が発生しない。
【0017】第2に、従来では上部シールド磁性膜27
と下部シールド磁性膜23が平行に位置して離れていた
ため、外部からの外乱磁界がMR素子25の部分まで影
響を与え易い構造になっていた。これに対して本実施例
の構成では、図1に示すように上部シールド磁性膜7と
下部シールド磁性膜3が接合しているため、磁気的に閉
じた状態になっている。このため外部からの外乱磁界が
内部に侵入しにくい。
と下部シールド磁性膜23が平行に位置して離れていた
ため、外部からの外乱磁界がMR素子25の部分まで影
響を与え易い構造になっていた。これに対して本実施例
の構成では、図1に示すように上部シールド磁性膜7と
下部シールド磁性膜3が接合しているため、磁気的に閉
じた状態になっている。このため外部からの外乱磁界が
内部に侵入しにくい。
【0018】次に本実施例の薄膜MRヘッドと従来の薄
膜MRヘッドの電気磁気変換特性について図2を用いて
説明する。図2は薄膜MRヘッドの再生出力の周波数依
存特性を示すグラフである。ここでは同一条件で記録再
生を行ったときの再生出力を示している。尚縦軸のスケ
ールは正規化してあり、本実施例を実線で、従来例を破
線で示す。図2に示すように実施例と従来例ではほとん
ど特性の差はなかった。
膜MRヘッドの電気磁気変換特性について図2を用いて
説明する。図2は薄膜MRヘッドの再生出力の周波数依
存特性を示すグラフである。ここでは同一条件で記録再
生を行ったときの再生出力を示している。尚縦軸のスケ
ールは正規化してあり、本実施例を実線で、従来例を破
線で示す。図2に示すように実施例と従来例ではほとん
ど特性の差はなかった。
【0019】しかしながら記録及び再生を繰り返して測
定を行うと、従来例の薄膜MRヘッドは再生出力にばら
つきが大きくなることがわかった。その結果を図3に示
す。図3は記録再生の周波数を1MHzに固定して、20
回測定したときの再生出力のヒストグラムである。図3
(a)に示すように従来の薄膜MRヘッドでは、中心値
に対して左右に大きくばらつきが生じている。これに比
較して図3(b)に示すように本実施例の薄膜MRヘッ
ドでは、ほぼ中心値に集中していることが明らかとなっ
た。
定を行うと、従来例の薄膜MRヘッドは再生出力にばら
つきが大きくなることがわかった。その結果を図3に示
す。図3は記録再生の周波数を1MHzに固定して、20
回測定したときの再生出力のヒストグラムである。図3
(a)に示すように従来の薄膜MRヘッドでは、中心値
に対して左右に大きくばらつきが生じている。これに比
較して図3(b)に示すように本実施例の薄膜MRヘッ
ドでは、ほぼ中心値に集中していることが明らかとなっ
た。
【0020】このように本実施例の薄膜MRヘッドは従
来の薄膜MRに比較してより安定な特性が得られること
が明らかとなった。そこで更にこの効果を明確にさせる
ために、外乱磁界として永久磁石を近づけて強制的に帯
磁させたときの影響を確認した。この結果を図4に示
す。図4に示すヒストグラムは記録再生の周波数を1M
Hzに固定して、毎回永久磁石により帯磁させながら20
回測定したときの再生出力である。図4(a)に示すよ
うに従来の薄膜MRヘッドでは図3(a)に示したもの
よりも更に激しくばらついていることが判った。これに
対して本実施例の薄膜MRヘッドでは、図4(b)に示
すように図3(b)とほぼ同等の結果を得た。このこと
から本実施例の薄膜MRヘッドは外部からの浮遊磁界の
影響をほとんど受けないことがはっきりした。
来の薄膜MRに比較してより安定な特性が得られること
が明らかとなった。そこで更にこの効果を明確にさせる
ために、外乱磁界として永久磁石を近づけて強制的に帯
磁させたときの影響を確認した。この結果を図4に示
す。図4に示すヒストグラムは記録再生の周波数を1M
Hzに固定して、毎回永久磁石により帯磁させながら20
回測定したときの再生出力である。図4(a)に示すよ
うに従来の薄膜MRヘッドでは図3(a)に示したもの
よりも更に激しくばらついていることが判った。これに
対して本実施例の薄膜MRヘッドでは、図4(b)に示
すように図3(b)とほぼ同等の結果を得た。このこと
から本実施例の薄膜MRヘッドは外部からの浮遊磁界の
影響をほとんど受けないことがはっきりした。
【0021】以上のように本実施例の薄膜MRヘッドは
従来の薄膜MRヘッドに比較して、記録再生を繰り返し
ても再生出力が常に安定している。従って薄膜MRヘッ
ドの量産製造における歩留りが向上し、従来よりも安定
した超高密度記録の可能なハードディスクドライブ装置
が実現できる。
従来の薄膜MRヘッドに比較して、記録再生を繰り返し
ても再生出力が常に安定している。従って薄膜MRヘッ
ドの量産製造における歩留りが向上し、従来よりも安定
した超高密度記録の可能なハードディスクドライブ装置
が実現できる。
【0022】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、上部シールド磁性膜の両端部が下部シールド磁性膜
に接合しているため、外乱磁界に対して磁気的に閉じた
磁気回路が構成される。このため外部からの浮遊磁界に
よって電気磁気変換特性が変動するということがなく、
非常に安定な薄膜MRヘッドが実現できる。従って本発
明の薄膜MRヘッドを使用することによって超高密度記
録の可能なハードディスクドライブ装置が実現できる。
ば、上部シールド磁性膜の両端部が下部シールド磁性膜
に接合しているため、外乱磁界に対して磁気的に閉じた
磁気回路が構成される。このため外部からの浮遊磁界に
よって電気磁気変換特性が変動するということがなく、
非常に安定な薄膜MRヘッドが実現できる。従って本発
明の薄膜MRヘッドを使用することによって超高密度記
録の可能なハードディスクドライブ装置が実現できる。
【図1】本発明の一実施例における薄膜MRヘッドの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図2】本実施例と従来の薄膜MRヘッドを用いて記録
再生を行った際の再生出力の周波数依存性を示すグラフ
である。
再生を行った際の再生出力の周波数依存性を示すグラフ
である。
【図3】記録再生周波数を1MHzに固定して20回測定
したとき薄膜MRヘッドの再生出力のヒストグラムであ
る。
したとき薄膜MRヘッドの再生出力のヒストグラムであ
る。
【図4】外部から強制的に外乱磁界を与えたとき薄膜M
Rヘッドの再生出力のヒストグラムである。
Rヘッドの再生出力のヒストグラムである。
【図5】従来の薄膜MRヘッドの構造例を示す断面図で
ある。
ある。
【図6】従来の薄膜MRヘッドの構造を示す縦断面図で
ある。
ある。
1,21 基板 2,22 絶縁膜 3,23 下部シールド磁性膜 4,24 MR下部ギャップ絶縁膜 5,25 MR素子 6,26 MR上部ギャップ絶縁膜 7,27 上部シールド磁性膜 8,28 WRITE/READ分離絶縁膜 9,29 WRITE用下部磁性膜 10,30 WRITEギャップ絶縁膜 11,31 WRITE用上部磁性膜1 12,32 保護用絶縁膜 33 WRITE用のコイル
Claims (1)
- 【請求項1】 磁気記録媒体のトラック面と対面する浮
上面の一部に設けられ、磁気抵抗効果素子と前記磁気抵
抗効果素子を周辺層からシールドする上部シールド磁性
膜及び下部シールド磁性膜とが前記浮上面から見て層状
に形成され、前記磁気抵抗効果素子の磁気抵抗変化によ
り信号を再生する再生ヘッド部を含む薄膜MRヘッドに
おいて、 前記上部シールド磁性膜及び前記下部シールド磁性膜
を、前記浮上面から見てヘッドのトラック方向と垂直な
方向の両端部で互いに接合したことを特徴とする薄膜M
Rヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21085493A JPH0744826A (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 薄膜mrヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21085493A JPH0744826A (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 薄膜mrヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0744826A true JPH0744826A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16596207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21085493A Pending JPH0744826A (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 薄膜mrヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0744826A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7505232B2 (en) * | 2004-06-24 | 2009-03-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head with side shield and manufacturing method thereof |
US8014108B2 (en) | 2008-02-08 | 2011-09-06 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device of the CPP type, utilizing insulating layers interposed in shield layers to form a closed magnetic path usable in a disk system |
-
1993
- 1993-08-02 JP JP21085493A patent/JPH0744826A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7505232B2 (en) * | 2004-06-24 | 2009-03-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head with side shield and manufacturing method thereof |
US8014108B2 (en) | 2008-02-08 | 2011-09-06 | Tdk Corporation | Magnetoresistive device of the CPP type, utilizing insulating layers interposed in shield layers to form a closed magnetic path usable in a disk system |
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