JP2001273611A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

薄膜磁気ヘッド

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JP2001273611A
JP2001273611A JP2000089815A JP2000089815A JP2001273611A JP 2001273611 A JP2001273611 A JP 2001273611A JP 2000089815 A JP2000089815 A JP 2000089815A JP 2000089815 A JP2000089815 A JP 2000089815A JP 2001273611 A JP2001273611 A JP 2001273611A
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film
insulating layer
magnetoresistive
magnetic head
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JP2000089815A
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Katsuya Kikuiri
勝也 菊入
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Alps Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヘリカルスキャン方式によりアジマス記録・
再生をおこなう摺動式薄膜磁気ヘッドにおけるスメア発
生の低減を図り、摺動式および浮上式薄膜磁気ヘッドの
研磨工程におけるスメア発生の低減を図る。 【解決手段】 磁気記録媒体に対して相対的に移動する
ことにより情報を読み出すための磁気抵抗効果素子１４
を有する薄膜磁気ヘッドＡ、Ｂ，Ｃであって、基体２
と、基体上に形成された下部シールド層１２と、下部絶
縁層１３と、前記磁気抵抗効果素子１４と、前記磁気抵
抗効果素子１４上に形成された上部絶縁層１５と、上部
シールド層１６とを具備してなり、前記上部シールド層
１６と前記下部シールド層１２との間隔を前記磁気抵抗
効果素子１４近傍で均一化するために該磁気抵抗効果素
子１４と同一膜面内位置に中部絶縁層１４Ｃが形成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
係り、特に薄膜磁気ヘッドの媒体摺動面または媒体対向
面におけるスメアの防止、または、薄膜磁気ヘッドの製
造における研磨工程におけるスメアの防止に用いて好適
な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッ
ドは、従来のバルク型の磁気ヘッドに対して更に一層狭
トラック化に対応することが可能なことから、記録密度
の高いテープメディアに対して相対摺動する構造の摺動
型磁気ヘッドや、磁気ディスクに対して非接触状態で相
対移動する浮上式磁気ヘッドに種々の形状をもって適用
されている。
【０００３】このような、従来の薄膜磁気ヘッドを備え
た摺動型磁気ヘッドを図面を参照して説明する。図１９
は従来の摺動型磁気ヘッドの斜視図であり、図２０はこ
の摺動型磁気ヘッドの要部を媒体対向面側から見た模式
平面図であり、図２１は図２０のＭ−Ｍ’線に沿う断面
図であり、図２２は図２０のＭＲ素子１０５付近の拡大
平面図でである。
【０００４】図１９に示す摺動型磁気ヘッドＢは、ブロ
ック状のコア半体（基体）２０２、２０３をそれらの側
端面同士をコア内蔵層２０５を介して接着一体化して全
体としてブロック状に形成され、接合したコア半体２０
２、２０３の側面の１つを台板２０１上に接着し、コア
半体２０２、２０３の一側を台板２０１の端部から若干
外側に突出させて台板２０１に固定されている。台板２
０１の外側に突出された摺動型磁気ヘッドＢの一面は凸
曲面状に加工されて磁気テープ等の磁気記録媒体に対す
る媒体摺動面２０６とされている。
【０００５】コア内蔵層２０５には図２０および図２１
に示すように、記録用の書き込みヘッド（以下、インダ
クティブヘッドと表記する）２１０と、磁気抵抗効果素
子を備えた読出用の薄膜磁気ヘッド２１１が内蔵されて
いる。薄膜磁気ヘッド２１１は、コア半体２０２上に下
部シールド層１０１、下部絶縁層１０４、磁気抵抗効果
素子（以下、ＭＲ素子と表記する）１０５、上部絶縁層
１０６、上部シールド層１０７が順次積層されて形成さ
れている。図２０に示すように、これら下部シールド層
１０１、下部絶縁層１０４、ＭＲ素子１０５、上部絶縁
層１０６、上部シールド層１０７は、いずれもその端面
が媒体摺動面２０６に露出している。ここで、下部絶縁
層１０４および上部絶縁層１０６により読出用の磁気ギ
ャップＧが形成されており、また、上部シールド層１０
７および下部シールド層１０１は例えばＮｉＦｅ合金よ
りなるとともに、上部絶縁層１０６および下部絶縁層１
０４は例えばＡｌ2Ｏ3よりなるものとされている。
【０００６】また、図２０と図２１に示す構造において
上部シールド層１０７は、その上に形成されるインダク
ティブヘッド２１０の下部コア層と兼用にされ、この下
部コア層（上部シールド層）１０７上に書込ギャップ層
１１０が形成され、その上に平面的に螺旋状となるよう
にパターン化されたコイル層１１１が形成され、コイル
層１１１はコイル絶縁層１１２によって囲まれ、コイル
絶縁層１１２上に形成された上部コア層１１３はその先
端部１１３ａを媒体摺動面２０６にて下部コア層１０７
に書込絶縁層１１０を介し微小間隙をあけて対向してい
る。上部コア層１１３の基端部側１１３ｂは下部コア層
１０７と磁気的に接続されている。更に上部コア層１１
３には保護層１１６が形成されている。なお、図２１に
符号１０８で示すものは、ＭＲ素子１０５に接続された
検出用の電極であり、この電極１０８はＭＲ素子１０５
の両側に各々配線されている。
【０００７】さらに詳細に説明すると、ＭＲ素子１０５
は、図２２に示すように、磁気抵抗効果によりメディア
から磁気記録の読み出しをおこなう磁気抵抗効果膜（Ｍ
Ｒ膜）１０５ａと、この磁気抵抗効果膜１０５ａの左右
両側に該磁気抵抗効果膜１０５ａの端部に被着するよう
に設けられるバイアス層１０５ｂ，１０５ｂとを具備し
て構成されている。このＭＲ素子１０５の両側位置にお
いては、エッジ部１０５ｃ、１０５ｃが形成されてい
る。このため、上部絶縁層１０６の膜厚が、図２２に示
すように、膜厚Ｓ1 に設定されているのに対して、エッ
ジ部１０５ｃに対応する部分では、膜厚Ｓ2 と薄くなっ
ている。
【０００８】このような、摺動型磁気ヘッドＢは、図２
２に符号Ｔ1 で示す方向に移動する磁気テープ等のメデ
ィアと摺動することにより、メディアから磁気記録の読
み出しをおこなう。また、ヘリカルスキャン方式の磁気
記録再生装置に用いられガードバンドレス方式による記
録をおこなった場合には、磁気ギャップをトラックの幅
方向に対して所定の角度（アジマス角）だけ傾けた、い
わゆるアジマス記録・再生がおこなわれるため、磁気テ
ープ等のメディアの移動方向は、図２２に符号Ｔ2 で示
す方向となっている。
【０００９】この摺動型磁気ヘッドＢは例えば以下のよ
うにして製造される。まず、薄膜形成技術によりコア半
体２０２上にＭＲ素子１０５を有する薄膜磁気ヘッド２
１１およびインダクティブヘッド２１０を順次形成して
コア内蔵層２０５を形成する。この際、ＭＲ素子１０５
付近の製造方法としては、まず、図２３に示すように、
下部シールド層１０１上に、下部絶縁層１０４、バイア
ス層１０５ｂ’，１０５ｂ’、および、ＭＲ膜１０５
ａ’，１０５ａ”を形成する。そして、レジスト等のパ
ターンによりバイアス層１０５ｂ’，１０５ｂ’、およ
び、ＭＲ膜１０５ａ’，１０５ａ”を被覆して、バイア
ス層１０５ｂ’，１０５ｂ’の一部、および、ＭＲ膜１
０５ａ”をミリングにより除去した後、図２２に示すよ
うに、上部絶縁層１０６を積層する。ここで、このミリ
ングによるＭＲ膜１０５ａ”の除去を完全におこなうた
め、バイアス層１０５ｂ’，１０５ｂ’には、図２２に
示すように、エッジ部１０５ｃが形成される。そして、
このコア内蔵層２０５に別のコア半体２０３を接合して
コアブロックとし、このコアブロックの一面を、例えば
ダイヤモンド砥粒が分散されてなる研磨テープで研磨す
ることにより凸曲面状の媒体摺動面２０６に加工して摺
動型磁気ヘッドＢが得られる。
【００１０】一方、ハードディスク等の非接触型の浮上
式磁気ヘッドにおいても、上記のようなＭＲ素子を有す
る構造が採用されており、このような浮上式磁気ヘッド
においても、その製造過程において上記のようにＭＲ素
子を形成した後におこなう研磨工程があり、例えば上記
のような研磨テープ等を使用して、磁気記録媒体に対向
する磁気ヘッドの媒体対向面等を研磨加工していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この摺動型磁
気ヘッドＢにおいては、上部、下部絶縁層１０６、１０
４を挟む上部、下部シールド層１０７、１０１が、比較
的に低硬度なＮｉＦｅ合金より構成されているので、コ
アブロックを研磨テープで研磨する際に、上部、下部シ
ールド層１０７、１０１の研磨面が研磨テープによって
飴が引き延ばされるごとく引き延ばされて、図２０に示
すような舌状のダレＤが生じる可能性がある。そして場
合によっては、この舌状のダレＤが例えば上部シールド
層１０７または下部シールド層１０１からＭＲ素子１０
５まで達して、上部シールド層１０７とＭＲ素子１０５
または下部シールド層１０１とＭＲ素子１０５とがショ
ートしてしまうという、いわゆるスメアが発生するとい
う問題があった。また、この摺動型磁気ヘッドＢに磁気
テープ等を相対摺動させて磁気記録情報の再生を行った
場合にも、磁気テープによってヘッドの媒体摺動面２０
６が研磨される形となり、上記の場合と同様にシールド
層１０７、１０１の一部が飴が引き延ばされる如く引き
延ばされてダレＤが発生しショートしてしまう、つま
り、スメアが発生するおそれがあった。
【００１２】さらに、前述のアジマス角を有するヘリカ
ルスキャン方式によりアジマス記録・再生をおこなう場
合には、図２２に示すように、ＭＲ素子１０５のエッジ
部１０５ｃに対応する部分で上部絶縁層１０６の膜厚が
Ｓ2 と薄くなっているため、この部分において上述のよ
うなスメアの発生する確率がさらに増大してしまうとい
う問題があった。その上、最近では、磁気記録密度の高
密度化の要求に対応するために、上下のシールド層１０
７、１０１の間隔、すなわち磁気ギャップＧを狭くする
必要があり、上部、下部絶縁層１０６、１０４の膜厚が
さらに薄くなる傾向にある。この場合には、たとえ小さ
いダレが発生しても容易にシールド層１０７，１０１、
ＭＲ素子１０５どうしがショートしてしまい、スメアの
発生確率がより高くなってしまうという問題があった。
【００１３】一方、ハードディスク等の非接触型の浮上
式磁気ヘッドにおいても、上記のようなＭＲ素子を有す
る構造が採用されているため、その製造過程における研
磨工程においてＭＲ素子部分を研磨する際に、上記のよ
うなスメアが発生する可能性があるという問題があっ
た。
【００１４】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、以下の目的のうち少なくともその一つを達成しよ
うとするものである。 摺動式薄膜磁気ヘッドにおけるスメア発生の低減を
図ること。 ヘリカルスキャン方式によりアジマス記録・再生を
おこなう場合におけるスメア発生の低減を図ること。 浮上式薄膜磁気ヘッドの研磨工程におけるスメア発
生の低減を図ること。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気記録媒体
に対して相対的に摺動することにより情報を読み出すた
めの磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドであっ
て、基体と、基体上に形成された下部シールド層と、該
下部シールド層上に形成された下部絶縁層と、該下部絶
縁層上に形成された前記磁気抵抗効果素子と、前記磁気
抵抗効果素子上に形成された上部絶縁層と、上部シール
ド層とを具備してなり、その媒体摺動面において前記磁
気抵抗効果素子が前記上部絶縁層および前記下部絶縁層
に挟まれた状態で配置され、前記磁気抵抗効果素子の幅
方向両側に該磁気抵抗効果素子と同一膜面内位置となる
ように中部絶縁層が形成されることにより上記課題を解
決した。本発明の前記磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗効
果膜と、前記媒体摺動面において前記磁気抵抗効果膜の
両側に位置して該磁気抵抗効果膜に直接的に接触状態と
されるバイアス層とを具備し、該バイアス層と前記中部
絶縁層とが前記媒体摺動面において接続状態に構成され
ることが好ましい。本発明は、磁気記録媒体に対して相
対的に移動することにより情報を読み出すための磁気抵
抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、基体と、
基体上に形成された下部シールド層と、該下部シールド
層上に形成された下部絶縁層と、該下部絶縁層上に形成
された前記磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子
上に形成された上部絶縁層と、上部シールド層とを具備
してなり、その媒体対向面において前記磁気抵抗効果素
子が前記上部絶縁層および前記下部絶縁層に挟まれた状
態で配置され、前記磁気抵抗効果素子の幅方向両側に該
磁気抵抗効果素子と同一膜面内位置となるように中部絶
縁層が形成されることにより上記課題を解決した。本発
明の前記磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗効果膜と、前記
媒体対向面において前記磁気抵抗効果膜の両側に位置し
て該磁気抵抗効果膜に直接的に接触状態とされるバイア
ス層とを具備し、該バイアス層と前記中部絶縁層とが前
記媒体対向面において接続状態に構成されることが好ま
しい。
【００１６】本発明は、磁気記録媒体に対して相対的に
摺動または移動することにより情報を読み出すための磁
気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、基体
と、基体上に形成された下部シールド層と、下部絶縁層
と、前記磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子上
に形成された上部絶縁層と、上部シールド層とを具備し
てなり、前記上部シールド層と前記下部シールド層との
間隔を前記磁気抵抗効果素子近傍で均一化するために該
磁気抵抗効果素子と同一膜面内位置に中部絶縁層が形成
されることができる。本発明の前記磁気抵抗効果素子
が、磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の両側に位置
して、該磁気抵抗効果膜に接触状態とされるバイアス層
とを具備し、該バイアス層と中部絶縁層とが接続状態に
構成されることが好ましい。本発明では、磁気抵抗効果
素子と同一膜面内位置に中部絶縁層を形成したことによ
り、この中部絶縁層から磁気抵抗効果素子近傍にわたっ
て、上部絶縁層を略均一に積層することが可能となるた
め、媒体摺動面または媒体対向面における上部シールド
層と下部シールド層との間の絶縁層の厚み寸法間隔を、
磁気抵抗効果素子近傍で均一化することが可能になる。
これにより、前述のアジマス角を有するヘリカルスキャ
ン方式によりアジマス記録・再生をおこなう磁気ヘッド
の場合でも、両シールド層および磁気抵抗効果素子の間
の間隔を適正に設定することが可能となり、ヘッドとテ
ープ等の磁気記録媒体との摺動によりシールド層が引き
延ばされて発生するスメアが、アジマス角によって発生
しやすくなることを防止することができる。これによ
り、上部シールド層と下部シールド層との間隔、すなわ
ち磁気ギャップの寸法を狭くした場合でも、スメアの発
生の低減を図ることができる。
【００１７】また、本発明においては、バイアス層にお
いて形成されたエッジ部に対して、中部絶縁層を接続す
ることにより、磁気抵抗効果膜、バイアス層および中部
絶縁層と上部絶縁層との境界を滑らかにすることが可能
となり、上部絶縁層の膜厚を略一定に設定することが可
能となる。これにより、磁気抵抗効果膜、バイアス層と
中部絶縁層との接続部分付近で上部シールド層を滑らか
に形成することが可能となる。これにより、前述のアジ
マス角を有するヘリカルスキャン方式によりアジマス記
録・再生をおこなう磁気ヘッドの場合でも、両シールド
層および磁気抵抗効果素子の間の間隔を適正に設定する
ことが可能となり、ヘッドとテープ等の磁気記録媒体と
の摺動によりシールド層が引き延ばされて発生するスメ
アが、アジマス角によって発生しやすくなることを防止
することができる。さらに、上記の構成により、両シー
ルド層および磁気抵抗効果素子の間の間隔を適正に設定
することが可能となり、摺動式薄膜磁気ヘッドおよび浮
上式薄膜磁気ヘッドの研磨工程におけるスメア発生の低
減を図ることが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの第１実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第１実施形態］図１は本発明に係る第１実施形態の薄
膜磁気ヘッドの磁気記録装置の台板１に取り付けた状態
を示す斜視図であり、図２は図１に示す薄膜磁気ヘッド
の要部斜視図であり、図３は、図２に示す薄膜磁気ヘッ
ド要部を媒体摺動面から見た概略正面図であり、図４は
図３に示す薄膜磁気ヘッド要部の側断面図である。
【００１９】本実施形態の薄膜磁気ヘッドＢは、図１に
示すように、ブロック状のコア半体（基体）２、３をそ
れらの側端面どうしをコア内蔵層５を介して接着一体化
して全体としてブロック状に形成され、接合したコア半
体２、３の側面の１つを台板１の上面に接着し、コア半
体２、３の一側を台板１の端部から若干外側に突出させ
て台板１に固定されている。これらのコア半体２、３は
ＣａＴｉＯ3、Ａｌ2Ｏ3＋ＴｉＣなどの耐摩耗性に優れ
たセラミック材料あるいはフェライトなどからなる。コ
ア半体２は、図１，図２に示すように、その長手方向と
直交する断面が平行四辺形である四角柱状をなし、後述
するように読出ヘッド１１の形成されている側面２ａと
台板１の法線１ａとがなす角度（すなわち、四角柱状で
ある断面の平行四辺形の内角）が、アジマス角θｘとな
るように形成されている。図１に示すように、台板１の
外側に突出された薄膜磁気ヘッドＢの一面は凸曲面状に
加工されていて、磁気テープ等の磁気記録媒体（磁気メ
ディア）に対する媒体摺動面６とされている。
【００２０】次に、媒体摺動面６の中央部に設けられて
いるコア内蔵層５には、図３，図４に示すように、書込
ヘッド（インダクティブヘッド）１０と読出ヘッド（Ｍ
Ｒヘッド：磁気抵抗効果ヘッド）１１が内蔵されてい
る。ＭＲヘッド１１は、図３，図４に示すように、コア
半体（基体）２の側面上に形成されたパーマロイ（Ｆｅ
Ｎｉ）、センダスト（Ｆｅ-Ａｌ-Ｓｉ合金）等の磁性合
金からなる下部シールド層１２上に、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3）などの非磁性材料により形成された下部ギャップ
層（下部絶縁層）１３が設けられる。このギャップ層１
３上において、媒体摺動面６側部分には磁気抵抗効果素
子１４が積層され、それ以外の部分には中部絶縁層１４
Ｃが積層されている。さらにその上には、上部ギャップ
層（上部絶縁層）１５、上部シールド層１６が順に形成
されている。この上部シールド層１６と下部シールド層
１２との間で、読出用の磁気ギャップＧが形成されてお
り、上部シールド層１６は、その上に設けられる書込ヘ
ッド１０の下部コア層と兼用にされている。
【００２１】書込ヘッド１０は、上部シールド層と兼用
にされた下部コア層１６の上に、ギャップ層１７が形成
され、その上に平面的に環状かつ螺旋状となるようにパ
ターン化された薄膜のコイル部１８が形成され、薄膜コ
イル部１８は絶縁層１９にその一部を囲まれている。絶
縁層１９の上に形成された上部コア層からなるヨーク部
２０は、その磁極先端部２０ａを媒体摺動面６に出して
その部分において上部シールド層と兼用にされた下部コ
ア層１６との間に微小間隙をあけて対向され、ヨーク部
２０の基端部２０ｂが下部コア層と兼用にされた上部シ
ールド層１６と磁気的に接続させて設けられ、媒体摺動
面６側にヨーク部２０の磁極先端部２０ａを位置させ、
この磁極先端部２０ａと媒体摺動面６側の上部シールド
層１６の先端部との間に書き込み用の磁気ギャップが形
成されている。また、上部コア層２０の上にはアルミナ
などからなる保護層８が設けられ、この保護層８を介し
てコア半体３が接続されて薄膜磁気ヘッドＢが構成され
ている。
【００２２】前記磁気抵抗効果素子１４は、非磁性膜を
強磁性膜と磁気抵抗効果膜とで挟んだ構造のＭＲ素子あ
るいはスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果多層膜素子な
どからなる磁気抵抗効果素子１４に、後述するように電
極層１４Ｄとバイアス層１４Ｂとを接続してなるもの
で、電極層１４Ｄから検出電流を流した状態の磁気抵抗
効果素子１４に磁気テープ等の磁気記録媒体からの漏れ
磁場が作用すると抵抗変化を生じるものである。読出ヘ
ッド１１においては、磁気テープからの漏れ磁界の有無
により磁気抵抗効果膜の電気抵抗が変化するので、この
抵抗変化を検出することで磁気テープの磁気記録内容を
読み取ることができる。
【００２３】図５は磁気抵抗効果素子を示す正面図であ
り、図６は図５に示す磁気抵抗効果素子の積層構造の一
例を示す正断面図であり、図７は図５に示す磁気抵抗効
果素子の磁気抵抗効果膜とバイアス層との位置関係を示
す平断面図である。この例の磁気抵抗効果素子１４は、
図５に示すように、磁気抵抗効果を呈するための断面略
台形状の磁気抵抗効果膜１４Ａと、この磁気抵抗効果膜
１４Ａの左右両側（膜面内方向両外側）に磁気抵抗効果
膜１４Ａの端部に被着するように設けられた硬磁性材料
からなるバイアス層１４Ｂ，１４Ｂと、磁気抵抗効果膜
１４Ａに近傍部分のバイアス層１４Ｂ上に被覆された電
極層１４Ｄとを具備して構成されている。磁気抵抗効果
膜１４Ａは、図６に示すように、軟磁性膜１４ａと非磁
性膜１４ｂと軟磁性膜１４ｃとを積層してなる断面台形
状とされるＭＲ素子構造とすることができる。
【００２４】ここでバイアス層１４Ｂは、軟磁性膜１４
ａにバイアス磁界を印加して軟磁性膜１４ａを単磁区化
することでバルクハウゼンノイズを低減するために設け
られるものである。このバイアス層１４Ｂは磁気抵抗効
果素子１４Ａにおいて磁気抵抗効果を呈するために重要
な役割を有する層であり、効率的に確実にバイアス磁界
を印加するためにバイアス層１４Ｂはある程度大きな体
積が必要となる。このためバイアス層１４Ｂは、図７に
示すように、一側の端部１４ｆにおいて磁気抵抗効果膜
１４Ａに被着されるが、他の部分においては磁気抵抗効
果膜１４Ａの外側に延出形成され、その他側端部１４ｇ
には電極層１４Ｄ，１４Ｄが接続配置されている。これ
ら磁気抵抗効果膜１４Ａおよびバイアス層１４Ｂの外側
には、図７に示すように、これらと略同一面内位置（図
５に示す上部ギャップ層１５の膜厚Ｓ方向における同一
位置）に中部絶縁層１４Ｃが形成されている。バイアス
層１４Ｂ，１４Ｂの外側にはこれらの膜厚方向に面を有
するエッジ部１４ｄ，１４ｄが形成されているが、この
エッジ部１４ｄは、その全面が、磁気中部絶縁層１４Ｃ
によってほぼ覆われた状態で接続されている。したがっ
て、バイアス層１４Ｂ，１４Ｂ、および、磁気抵抗効果
膜１４Ａと、中部絶縁層１４Ｃとは、略同一の膜厚とし
て設定されており、上部絶縁層１５の下面、つまり下部
絶縁層１３側の面は、滑らかな状態に形成されている。
【００２５】図８は図５に示す磁気抵抗効果素子の積層
構造の他の例を示す正断面図である。このような構造の
磁気抵抗効果膜１４Ａは、図８に示すように、フリー磁
性膜１４ｈと非磁性中間膜１４ｉと固定磁性膜１４ｊと
反強磁性膜１４ｋとから形成されるスピンバルブ型の巨
大磁気抵抗効果膜とすることができる。このような構造
においては、反強磁性膜１４ｋとの交換結合により固定
された固定磁性膜１４ｊの磁化方向に対して、印加され
た外部磁界によってフリー磁性膜１４ｈの磁化方向が変
化することにより磁気抵抗効果膜の抵抗値が変化し、こ
れを印加した検出電流の変化により検出することができ
る。ここで先のバイアス層１４Ｂは、フリー磁性膜１４
ｈにバイアス磁界を印加してフリー磁性膜１４ｈを単磁
区化することでバルクハウゼンノイズを低減するために
設けられるものである。このバイアス層１４Ｂは磁気抵
抗効果素子において重要な役割を有する層であるが、効
率的に確実にバイアス磁界を印加するためにバイアス層
１４Ｂはある程度大きな体積が必要となる。このためバ
イアス層１４Ｂは先の構成と同様に図８に示すように一
側の端部１４ｆにおいて磁気抵抗効果膜１４Ａに被着さ
れるが、他の部分においては磁気抵抗効果膜１４Ａの外
側に延出形成される。なお、スピンバルブ型の巨大磁気
抵抗効果膜としては、図８に示すような、いわゆるトッ
プタイプのものとは逆に、基板側から、反強磁性膜１４
ｋと固定磁性膜１４ｊと非磁性中間膜１４ｉとフリー磁
性膜１４ｈとを順に積層したボトムタイプのものも採用
することが可能である。
【００２６】前記書込ヘッド１０では、薄膜コイル部１
８に記録電流が与えられ、薄膜コイル部１６からヨーク
部２０に起磁力が与えられる。そして、磁気ギャップの
部分での下部コア層と兼用された上部シールド層１６と
ヨーク部２０の磁極先端部２０ａからの漏れ磁界により
磁気テープ等の磁気記録媒体に磁気信号を記録すること
ができる。
【００２７】図９は図１の薄膜磁気ヘッドを用いた回転
ヘッド組立体を回転ドラムに取り付けた状態を示す側面
図であり、図１０は図９の回転ヘッドによるヘリカルス
キャン方式の記録・再生をおこなう説明の斜視図であ
り、図１１は、図９の回転ヘッドによる磁気テープへの
記録を説明する概略図である。このような、薄膜磁気ヘ
ッドＢは、図１に示すように、台板（ベース）１に取り
付けられて、回転ヘッド組立体が構成され、この回転ヘ
ッド組立体は、図９，図１０に示すように、回転ドラム
Ｄに取り付けられてビデオヘッドとされている。このよ
うに、薄膜磁気ヘッドＢがベース１が取り付けられ回転
ヘッドＤに配設された状態で、ＭＲヘッド１１の磁気ギ
ャップＧおよび書込ヘッド１０の磁気ギャップのアジマ
ス角θｘが決定されている。また、回転ヘッドＤには、
図１０に示すように、薄膜磁気ヘッドＢとはアジマス角
の異なる薄膜磁気ヘッドＡが設けられて、コンビネーシ
ョンヘッドとされる。ここで、薄膜磁気ヘッドＡはアジ
マス角が異なる以外は薄膜磁気ヘッドＢと略同等の構成
とされる。これにより、図１１に示すように、薄膜磁気
ヘッドＡにより再生するトラックＴ１は、薄膜磁気ヘッ
ドＢにより記録された隣接する別のトラックＴ２と重複
された領域があるものの、トラックＴ１のアジマス角θ
１とトラックＴ２のアジマス角θｘとが異なることに基
づくアジマス損失を利用して、隣接するトラックどうし
のクロストークを除去するヘリカルスキャン方式の磁気
記録再生装置におけるアジマス記録・再生をおこなうこ
とが可能となる。
【００２８】このような薄膜磁気ヘッドＢにおいて、ア
ジマス記録・再生をおこなった際には、図１に矢印Ｔで
示す方向に、磁気テープＴｐが摺動している。ここで、
上部シールド層１６と下部シールド層１２との間隔で形
成される磁気ギャップＧにおいては、中部絶縁層１４Ｃ
が磁気抵抗効果素子１４と略同一面内位置に存在してい
るために、磁気抵抗効果素子１４の周辺においても、上
部絶縁層１５の厚み寸法を、図５にＳで示すように略一
定に設定することができ、両シールド層１２，１６の間
隔を略一定にすることができる。したがって、アジマス
記録・再生をおこなった場合にも、磁気テープＴｐの摺
動方向Ｔにかかわらず、この摺動方向Ｔに対する上部シ
ールド層１６、磁気抵抗効果素子１４、および、下部シ
ールド層１２の間の間隔を一定にすることが可能とな
る。これにより、磁気テープＴｐの摺動によって、上部
シールド層１６、磁気抵抗効果素子１４、下部シールド
層１２が飴のように引き延ばされてダレが形成された場
合にも、このダレによるショートの発生のしやすさが前
記磁気テープＴｐの摺動方向Ｔによって特異的に増大す
ることの防止、つまり、アジマス角の存在に依存してス
メア発生の頻度が増大する可能性を低減することができ
る。また、磁気ギャップＧの間隔を狭くして、高記録密
度化に対応した場合にも、スメア発生の低減を図ること
が可能となる。
【００２９】次に、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明する。図１２ないし図１５は、本実施形態に
おける薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための断面
図である。
【００３０】まず、図１２に示すように、コア半体２と
なるＣａＴｉＯ3、Ａｌ2Ｏ3＋ＴｉＣなどからなる基板
に、下から、Ａｌ2Ｏ3からなる図示しない下地層、下部
シールド層１２、下部絶縁層１３、および、磁気抵抗効
果膜１４ＡとなるＭＲ膜１４Ａ”を、メッキ、スパッタ
法等の成膜法により、所定の膜厚としてそれぞれ積層す
る。
【００３１】次いで、図１３に示すように、レジストＲ
１により、バイアス層１４Ｂとなるバイアス層１４Ｂ’
のパターンニングをおこない、イオンミリング、エッチ
ング等により、ＭＲ膜１４Ａ”および下部絶縁層１３の
一部を除去し、メッキ、スパッタ法等の成膜法により、
バイアス層１４Ｂ’を成膜し、レジストＲ１を剥離す
る。
【００３２】次いで、図１４に示すように、レジストＲ
２により、磁気抵抗効果素子１４となるバイアス層１４
Ｂおよび磁気抵抗効果膜１４Ａ部分のパターンニングを
おこない、イオンミリング等により、ＭＲ膜１４Ａ”、
バイアス層１４Ｂ’および下部絶縁層１３の一部を除去
する。ここで、レジストＲ２には、その下面に切り込み
部が形成された、いわゆる、リストオフレジストとされ
ている。
【００３３】次いで、図１５に示すように、レジストＲ
２を剥離しない状態で、スパッタ法等の成膜法により、
中部絶縁層１４Ｃを成膜する。このとき、磁気抵抗効果
素子１４と略同一の膜厚として中部絶縁層１４Ｃの膜厚
を設定して成膜することにより、中部絶縁層１４Ｃおよ
び、磁気抵抗効果素子１４の上面を滑らかな状態に形成
することができる。この中部絶縁層１４Ｃの成膜の際に
使用されるスパッタ法は、例えば、イオンビームスパッ
タ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッ
タ法のいずれかまたはそれらを組み合わせたスパッタ法
であることが好ましい。これにより、磁気抵抗効果素子
１４の形成された基板を、中部絶縁層１４Ｃの組成で形
成されたターゲットから放出されるビームに対して略垂
直方向に置き、これにより例えばイオンビームスパッタ
法を用いることにより、前記磁気抵抗効果素子１４に対
して略垂直方向から中部絶縁層１４Ｃを成膜することが
できるから、レジストＲ２の切り込み部内に中部絶縁層
１４Ｃが入り込んで形成されることがない。なお、レジ
ストＲ２上にも、中部絶縁層１４Ｃと同じ組成の層１４
Ｃ’が形成される。
【００３４】そして、次の工程では、図１５に示すレジ
ストＲ２を、レジスト剥離液を用いながらリフトオフに
よって除去し、次いで、滑らかな状態になった中部絶縁
層１４Ｃおよび、磁気抵抗効果素子１４の上面に、所定
の膜厚に上部絶縁層１５、上部シールド層１６を順次積
層し、電極層１４Ｄを形成して、図５，図７に示すＭＲ
ヘッド１１に対応する部分を形成する。そして、引き続
き書込ヘッド１０に対応した部分を形成した後、アジマ
ス角θｘに対応した状態に基板を切断、研磨することに
よりコア半体２として形成し、これをコア半体３と接合
して組み立てて、さらに、研磨テープ等により媒体摺動
面６を研磨して成形する研磨工程を経た後、薄膜磁気ヘ
ッドＢが完成する。ここで、媒体摺動面６の形成におけ
る研磨工程においては、研磨テープを、図１０に示す磁
気テープＴｐの摺動方向（図５に示すＴ方向）と略同一
方向に摺動させて研磨をおこなう。最終的には、これを
ベース１に取り付けた後、回転ヘッド組立体とし、図
９，図１０に示すように、回転ドラムＤに組み立ててビ
デオヘッドとする。
【００３５】本実施形態においては、上記のように、レ
ジストＲ２によってパターンニングされた磁気抵抗効果
素子１４を成膜し、このレジストＲ２を剥離せずに、中
部絶縁層１４Ｃを成膜し、その後リフトオフによりレジ
ストＲ２を剥離することで、中部絶縁層１４Ｃおよび、
磁気抵抗効果素子１４の上面を滑らかな状態に形成する
ことができ、これにより、上部絶縁層１５の膜厚を略一
定に設定することができる。その結果、上部シールド層
１６と磁気抵抗効果素子１４、下部シールド層１２と磁
気抵抗効果素子１４、および、上部シールド層１６と下
部シールド層１２の間の間隔をそれぞれ一定にして、研
磨テープ等によりおこなう研磨工程において、磁気テー
プＴｐの摺動方向Ｔと略同一とされる研磨テープの摺動
方向にかかわらず、研磨テープの摺動によって、上部シ
ールド層１６、磁気抵抗効果素子１４、下部シールド層
１２が飴のように引き延ばされてダレが形成され、この
ダレによるショートの発生の防止、つまり、スメア発生
の低減を図ることができる。また、磁気ギャップＧの間
隔を狭くして、高記録密度化に対応した場合にも、スメ
ア発生の低減を図ることが可能となる。
【００３６】なお、本実施形態においては、ＶＴＲヘッ
ドのような回転ドラムを有する構成としたが、磁気テー
プ等の磁気記録媒体に対して摺動するタイプの磁気ヘッ
ドであれば、これ以外の構成に適応することも可能であ
る。
【００３７】なお、本実施形態においてはまた、図５に
示すような構成とは異なり、図１８に示すように、媒体
摺動面６において、中部絶縁層１４Ｃがバイアス層１４
Ｂの上に突出している構成も可能である。このような構
成の場合には、磁気抵抗効果膜１４Ａの部分における磁
気ギャップＧのサイズ（磁気抵抗効果膜１４Ａの厚み寸
法）を変えずに、これ以外の場所、つまり、バイアス層
１４Ｂおよびその外側において、ギャップ層を厚くする
ことができ、さらにスメアの発生を低減することができ
る。
【００３８】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第２
実施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第２実施形態］図１６は本発明に係る第２実施形態の
薄膜磁気ヘッドを示す斜視図、図１７はその要部を拡大
した模式斜視図である。本実施形態の薄膜磁気ヘッドＣ
において、図１ないし図１５に示す第１実施形態と異な
る箇所は、ハードディスク装置などの磁気記録媒体に搭
載される浮上式のものとされる点である。それ以外の対
応する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略
する。
【００３９】本実施形態の薄膜磁気ヘッドＣのスライダ
２５１は、図２２において符号２３５で示す側がディス
ク面の移動方向の上流側に向くリーディング側で、符号
２３６で示す側がトレーリング側である。このスライダ
２５１のディスクに対向する面では、レール状のＡＢＳ
面（エアーベアリング面：レール部の浮上面）２５１
ａ、２５１ａ、２５１ｂと、エアーグルーブ２５１ｃ、
２５１ｃとが形成されている。そして、このスライダ２
５１のトレーリング側の端面２５１ｄには、磁気コア部
２５０が設けられている。
【００４０】この例で示す薄膜磁気ヘッドの磁気コア部
２５０は、図１７に示す構造の複合型磁気ヘッドであ
り、スライダ２５１のトレーリング側端面２５１ｄ上
に、ＭＲヘッド（読出ヘッド）１１と、インダクティブ
ヘッド（書込ヘッド）１０とが順に積層されて構成され
ている。
【００４１】この例のＭＲヘッド１１は、基板を兼ねる
スライダ２５１のトレーリング側端部に形成された磁性
合金からなる下部シールド層１２上に、図４に示す第１
実施形態と同様に下部ギャップ層（下部絶縁層）１３が
設けられ、下部ギャップ層１３上には、磁気抵抗効果素
子１４および中部絶縁層１４Ｃが積層されている。この
磁気抵抗効果素子１４上には、上部ギャップ層（上部絶
縁層）１５を介して上部シールド層１６が形成されてい
る。この上部シールド層１６は、その上に設けられるイ
ンダクティブヘッド１０の下部コア層と兼用にされてい
る。このＭＲヘッド１１は、ハードディスクのディスク
などの磁気記録媒体からの微小の漏れ磁界の有無によ
り、磁気抵抗効果素子１４の抵抗を変化させ、この抵抗
変化を読み取ることで記録媒体の記録内容を読み取るも
のである。
【００４２】前記ＭＲヘッド１１に設けられている磁気
抵抗効果素子１４には、上述したスピンバルブ型薄膜素
子、つまり、図８に示すような巨大磁気抵抗効果素子が
備えられている。前記スピンバルブ型薄膜素子は、薄膜
磁気へッド（再生用ヘッド）を構成する最も重要なもの
である。
【００４３】また、インダクティブヘッド１０は、下部
コア層１６の上に、ギャップ層１７が形成され、その上
に平面的に螺旋状となるようにパターン化されたコイル
層１８が形成されている。前記コイル層１８は、絶縁層
１９に囲まれている。絶縁層１９の上に形成された上部
コア層２０は、ＡＢＳ面（媒体対向面）２５１ｂにて、
その磁極端部２０ａを下部コア層１６に、書込磁気ギャ
ップの厚みをあけて対向させ、図１７に示すように、そ
の基端部２０ｂを下部コア層１６と磁気的に接続させて
設けられている。また、上部コア層２０の上には、アル
ミナなどからなる保護層８が設けられている。
【００４４】このようなインダクティブヘッド１０で
は、コイル層１８に記録電流が与えられ、コイル層１８
からコア層２０に記録磁束が与えられる。そして、前記
インダクティブヘッド１０は、磁気ギャップの部分での
下部コア層１６と上部コア層２０の先端部２０ａからの
漏れ磁界により、ハードディスクなどの磁気記録媒体に
磁気信号を記録するものである。
【００４５】このような薄膜磁気ヘッドＣにおいても、
磁気抵抗効果素子１４付近の製造方法は、図１２ないし
図１５に示した第１実施形態と同様におこなわれる。そ
して、その成形工程において、第１実施形態における媒
体摺動面６に対応した媒体対向面２５１ｂを研磨工程に
より成形する。このとき、この研磨工程においては、ス
ズ（Ｓｎ）合金からなるラップ定盤等にて研磨をおこな
う。
【００４６】本実施形態においては、第１実施形態と同
様に、中部絶縁層１４Ｃおよび、磁気抵抗効果素子１４
の上面を滑らかな状態に形成することができ、これによ
り、上部絶縁層１５の膜厚を略一定に設定することがで
きる。その結果、上部シールド層１６、磁気抵抗効果素
子１４、および、下部シールド層１２の間の間隔を一定
にして、製造工程においてラップ定盤等によりおこなう
研磨工程において、ラップ定盤の摺動方向にかかわら
ず、このラップ定盤の摺動によって、上部シールド層１
６、磁気抵抗効果素子１４、下部シールド層１２が飴の
ように引き延ばされてダレが形成され、このダレによる
ショートの発生の防止、つまり、スメア発生の低減を図
ることができる。また、磁気ギャップＧの間隔を狭くし
て、高記録密度化に対応した場合にも、スメア発生の低
減を図ることが可能となる。
【００４７】なお、薄膜磁気ヘッドのスライダ部分の構
成およびインダクティブヘッドの構成は、図１６，図１
７に示すものに限定されず、浮上式であれば、その他の
種々の構造のスライダおよびインダクティブヘッドを採
用することができるのは勿論である。
【００４８】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、以下
の効果を奏する。 （１） 中部絶縁層を形成したことにより、この中部絶
縁層から磁気抵抗効果素子近傍にわたって、上部絶縁層
を略均一に積層することが可能となるため、上部シール
ド層と下部シールド層との間隔を、磁気抵抗効果素子近
傍で均一化することが可能になる。これにより、前述の
アジマス角を有するヘリカルスキャン方式によりアジマ
ス記録・再生をおこなう磁気ヘッドの場合でも、両シー
ルド層および磁気抵抗効果素子の間の間隔を適正に設定
することが可能となり、ヘッドとテープ等の磁気記録媒
体との摺動によりシールド層が引き延ばされて発生する
スメアが、アジマス角に依存して発生しやすくなること
を防止することができる。これにより、上部シールド層
と下部シールド層との間隔、すなわち磁気ギャップの寸
法を狭くした場合でも、摺動式薄膜磁気ヘッドにおける
スメア発生の低減を図ること、特に、ヘリカルスキャン
方式によりアジマス記録・再生をおこなう場合における
スメア発生の低減を図ることができる。 （２） また、本発明においては、バイアス層に形成さ
れたエッジ部に対して、中部絶縁層を接続することによ
り、磁気抵抗効果膜、バイアス層および中部絶縁層と上
部絶縁層との境界を滑らかにすることが可能となり、上
部絶縁層の膜厚を略一定に設定することが可能となる。
これにより、磁気抵抗効果膜、バイアス層と中部絶縁層
との接続部分付近で上部絶縁層および上部シールド層を
滑らかに形成することが可能となる。これにより、前述
のアジマス角を有するヘリカルスキャン方式によりアジ
マス記録・再生をおこなう磁気ヘッドの場合でも、両シ
ールド層および磁気抵抗効果素子の間の間隔を適正に設
定することが可能となり、ヘッドと研磨テープ等との摺
動によりシールド層が引き延ばされて発生するスメア
が、発生しやすくなることを防止することができる。こ
れにより、摺動式薄膜磁気ヘッドおよび浮上式薄膜磁気
ヘッドの研磨工程におけるスメア発生の低減を図ること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第１実施形
態の磁気記録装置の台板１に取り付けた状態を示す斜視
図である。
【図２】 図１に示す薄膜磁気ヘッドの要部斜視図で
ある。
【図３】 図２に示す薄膜磁気ヘッド要部を媒体摺動
面から見た概略正面図である。
【図４】 図３に示す薄膜磁気ヘッド要部の側断面図
である。
【図５】 図３に示す磁気抵抗効果素子付近を示す正
面図である。
【図６】 図５に示す磁気抵抗効果素子の積層構造の
一例を示す正断面図である。
【図７】 図５に示す磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効
果膜とバイアス層との位置関係を示す平断面図である。
【図８】 図５に示す磁気抵抗効果素子の積層構造の
他の例を示す正断面図である。
【図９】 図１の薄膜磁気ヘッドを用いた回転ヘッド
組立体を回転ドラムに取り付けた状態を示す側面図であ
る。
【図１０】 図９の回転ヘッドによるヘリカルスキャ
ン方式の記録・再生をおこなう説明の斜視図である。
【図１１】 図９の回転ヘッドによる磁気テープへの
記録を説明する概略図である。
【図１２】 本発明における薄膜磁気ヘッドの第１実
施形態の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】 本発明における薄膜磁気ヘッドの第１実
施形態の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】 本発明における薄膜磁気ヘッドの第１実
施形態の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】 本発明における薄膜磁気ヘッドの第１実
施形態の製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】 本発明に係る第２実施形態の薄膜磁気ヘ
ッドを示す斜視図である。
【図１７】 図１６に示す薄膜磁気ヘッドの要部を拡
大した模式斜視図である。
【図１８】 図３に示す磁気抵抗効果素子付近の他の
例を示す正面図である。
【図１９】 従来の摺動型磁気ヘッドの斜視図であ
る。
【図２０】 図１９に示す摺動型磁気ヘッドの要部を
媒体対向面側から見た模式平面図である。
【図２１】 図２０のＭ−Ｍ’線に沿う断面図であ
る。
【図２２】 図２０のＭＲ素子１０５付近の拡大平面
図である。
【図２３】 図１９に示す摺動型磁気ヘッドの製造方
法においてＭＲ素子１０５付近を示す拡大断面図であ
る。
【符号の説明】
Ａ，Ｂ，Ｃ…薄膜磁気ヘッド、Ｇ…磁気ギャップ、１…
台板、２，３…コア半体、５…コア内蔵層、６…媒体摺
動面、１０…書込ヘッド（インダクティブヘッド）、１
１…読出ヘッド（ＭＲヘッド：磁気抵抗効果ヘッド）、
１２…下部シールド層、１３…下部ギャップ層（下部絶
縁層）、１４…磁気抵抗効果素子、１４Ａ…磁気抵抗効
果膜、１４Ｂ…バイアス層、１４Ｃ…中部絶縁層、１４
Ｄ…電極層、１４ａ…軟磁性膜、１４ｂ…非磁性膜、１
４ｃ…軟磁性膜、１４ｄ…エッジ部、１４ｆ…端部、１
４ｇ…他側端部、１４ｈ…フリー磁性膜、１４ｉ…非磁
性中間膜、１４ｊ…固定磁性膜、１４ｋ…反強磁性膜、
１５…上部ギャップ層（上部絶縁層）、１６…上部シー
ルド層（下部コア層）、１７…ギャップ層、１８…コイ
ル部、１９…絶縁層、２０…ヨーク部、Ｒ１，Ｒ２…レ
ジスト

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気記録媒体に対して相対的に摺動す
    ることにより情報を読み出すための磁気抵抗効果素子を
    有する薄膜磁気ヘッドであって、 基体と、基体上に形成された下部シールド層と、該下部
    シールド層上に形成された下部絶縁層と、該下部絶縁層
    上に形成された前記磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗
    効果素子上に形成された上部絶縁層と、上部シールド層
    とを具備してなり、 その媒体摺動面において前記磁気抵抗効果素子が前記上
    部絶縁層および前記下部絶縁層に挟まれた状態で配置さ
    れ、前記磁気抵抗効果素子の幅方向両側に該磁気抵抗効
    果素子と同一膜面内位置となるように中部絶縁層が形成
    されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗効
    果膜と、前記媒体摺動面において前記磁気抵抗効果膜の
    両側に位置して該磁気抵抗効果膜に直接的に接触状態と
    されるバイアス層とを具備し、該バイアス層と前記中部
    絶縁層とが前記媒体摺動面において接続状態に構成され
    ることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 磁気記録媒体に対して相対的に移動す
    ることにより情報を読み出すための磁気抵抗効果素子を
    有する薄膜磁気ヘッドであって、 基体と、基体上に形成された下部シールド層と、該下部
    シールド層上に形成された下部絶縁層と、該下部絶縁層
    上に形成された前記磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗
    効果素子上に形成された上部絶縁層と、上部シールド層
    とを具備してなり、 その媒体対向面において前記磁気抵抗効果素子が前記上
    部絶縁層および前記下部絶縁層に挟まれた状態で配置さ
    れ、前記磁気抵抗効果素子の幅方向両側に該磁気抵抗効
    果素子と同一膜面内位置となるように中部絶縁層が形成
    されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗効
    果膜と、前記媒体対向面において前記磁気抵抗効果膜の
    両側に位置して該磁気抵抗効果膜に直接的に接触状態と
    されるバイアス層とを具備し、該バイアス層と前記中部
    絶縁層とが前記媒体対向面において接続状態に構成され
    ることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
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