JP3640913B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体に信号を記録する、または前記信号を再生する磁気ヘッドに係り、特に、前記磁気ヘッドの狭ギャップ化を促進することのできる磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１３は、従来の磁気ヘッドを記録媒体との対向面側からみた正面図である。図１３に示す磁気ヘッドは、いわゆるインダクティブヘッドである記録用の磁気記録素子Ｈ１ａが、磁気抵抗効果を利用した再生用の磁気検出素子Ｈ２ａの上に積層されている複合型の磁気ヘッドである。
【０００３】
磁気検出素子Ｈ２ａは、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である磁界読み取り部１と、磁界読み取り部１に電流を供給するための電極層２，２、磁界読み取り部１の上下にギャップ層３を介して形成された下部シールド層４と上部シールド層５を有して構成される。
【０００４】
磁気検出素子Ｈ２ａのトラック幅はＴｒである。また、上部シールド層５と下部シールド層４間の距離（ギャップ長）はＧ１である。
【０００５】
電極層２，２は、ＣｒやＴａなどの導電性材料からなる。
ギャップ層３は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁性材料からなり、下部シールド層４及び上部シールド層５は、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成されている。
【０００６】
磁気検出素子Ｈ２ａに、外部磁界（信号磁界）が与えられると、磁界読み取り部１の電気抵抗が変化することにより、外部磁界（信号磁界）を検出できる。
【０００７】
上部シールド層５上に絶縁材料で形成された分離層６を介して、下部コア層７が形成されている。下部コア層７上には、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０が積層されている。上部磁極層１０の上には上部コア層１１が積層されている。上部磁極層１０は、上部コア層１１に磁気的に接続されている。下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０の先端面のトラック幅方向の幅寸法は等しくなっており、磁気記録素子のトラック幅Ｔｗを規定している。
【０００８】
下部コア層７、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０、上部コア層１１の周囲には、絶縁層１２が設けられている。
【０００９】
下部コア層７、下部磁極層８、上部磁極層１０、及び上部コア層１１はＮｉＦｅなどの磁性材料で形成されており、ギャップ層９はＮｉＰ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの非磁性材料で形成されている。
【００１０】
分離層６、絶縁層１２は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁性材料で形成されている。
【００１１】
上部コア層１１と下部コア層７の間に、コイル層（図示せず）が螺旋状にパターン形成されている。
【００１２】
前記コイル層に記録電流が与えられると、下部コア層７及び上部コア層１１に記録磁界が誘導され、ギャップ層９を介して対向する下部磁極層８及び上部磁極層１０間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
図１３に示される従来の磁気ヘッドでは、磁気検出素子Ｈ２ａの電極層２，２、下部シールド層４、上部シールド層５、並びに、下部コア層７、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０の先端面が、ギャップ層３、分離層６、及び絶縁層１２の記録媒体との対向面側の端面（先端面）に露出している。
【００１４】
これは、図１３に示される磁気ヘッドが、以下に示す工程を経て形成されるためである。
【００１５】
まず、下部シールド層４、磁界読み取り部１、電極層２，２、ギャップ層３、上部シールド層５をスパッタ法などによって薄膜形成する。下部シールド層４及び上部シールド層５はメッキ形成してもよい。さらに、分離層６をスパッタ成膜した後、下部コア層７、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０、上部コア層１１をメッキ形成する。なお、ギャップ層９はスパッタ法で形成されてもよい。絶縁層１２はスパッタ法によって形成している。
【００１６】
図１４及び図１５は、それぞれパターン形成工程直後の磁気検出素子Ｈ２ａと磁気記録素子Ｈ１ａを素子上方からみた平面図である。パターン形成直後の磁気検出素子Ｈ２ａと磁気記録素子Ｈ１ａは、ハイト方向長さ（図示Ｙ方向）が完成した素子より長くなっている。
【００１７】
パターン形成した磁気検出素子Ｈ２ａを記録媒体との対向面側から研磨して、磁気検出素子Ｈ２ａの直流抵抗値が所定の値になるように調節する。図１４では、一点鎖線Ｂ−Ｂまで研磨する。このとき、図１５の磁気記録素子Ｈ１ａも記録媒体との対向面側から一点鎖線Ｃ−Ｃまで研磨される。
【００１８】
この研磨工程で、磁気検出素子Ｈ２ａの電極層２，２、下部シールド層４、上部シールド層５、並びに、下部コア層７、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０の先端面が、ギャップ層３、分離層６、及び絶縁層１２の記録媒体との対向面側の端面（先端面）に露出し、さらに研磨される。
【００１９】
研磨には、ダイヤモンドなどの砥粒が用いられるのに対して、下部シールド層４、上部シールド層５、並びに、下部コア層７、下部磁極層８、上部磁極層９を形成するＮｉＦｅ（パーマロイ）などの磁性材料は硬度が低く、研磨によってキズついたり、前記砥粒がその表面に刺さったままになってしまうことがある。
【００２０】
磁性材料からなる層がキズつくと、素子の磁気特性が悪化することがある。また、前記砥粒が磁性材料からなる層の表面に刺さった状態で、磁気ヘッド装置が組み立てられて、磁気ヘッドが記録媒体上を摺動移動または浮上移動すると、記録媒体が傷つき、信号記録の精度が低下する。これは、高記録密度化を進めるために、浮上式磁気ヘッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進める際の妨げになっている。
【００２１】
また、図１３に示される従来の磁気ヘッドでは、前記研磨工程で、下部シールド層４と上部シールド層５にスメアリングが発生しやすく、下部シールド層４や上部シールド層５が電極層２，２と短絡しやすいという問題が発生していた。下部シールド層４や上部シールド層５と電極層２，２の短絡はギャップ長Ｇ１が短くなる程発生しやすく、磁気検出素子Ｈ２ａの狭ギャップ化を促進するための妨げとなっていた。
【００２２】
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、磁気ヘッドを構成する磁性材料からなる層表面の傷、砥粒の残留を低減し、また、下部シールド層や上部シールド層と電極層の短絡も低減して、高記録密度化を促進することができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下部シールド層、磁界読み取り部、前記磁界読み取り部に電流を供給するための電極層、及び上部シールド層を有する磁気検出素子を有する磁気ヘッドにおいて、
前記磁気検出素子の前記下部シールド層と前記上部シールド層の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層が形成されており、この絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における前記下部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記下部シールド層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さいこと、及び／又は、前記絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における前記上部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部シールド層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さく
前記磁気検出素子の前記電極層の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層が形成されており、この絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における、前記電極層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記下部シールド層の前記露出面と前記上部シールド層の前記露出面のうち、少なくとも一方のトラック幅方向の幅寸法よりも大きいことを特徴とするものである。
【００２４】
本発明では、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が各層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっている。
【００２５】
すなわち、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層の、前記絶縁材料層の前記端面における露出面積を従来よりも小さくできる。従って、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【００２６】
さらに、下部シールド層や上部シールド層のスメアリングを低減することができるので、電極層の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【００２８】
本発明では、前記下部シールド層の前記露出面と前記上部シールド層の前記露出面のうち少なくとも一方のトラック幅方向の幅寸法を、前記電極層の前記露出面のトラック幅方向の幅寸法より小さくできるのでより効果的に、下部シールド層や上部シールド層と、電極層の短絡を低減させることができる。
【００２９】
なお、前記下部シールド層及び／又は前記上部シールド層の、トラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きいと、前記下部シールド層及び／又は前記上部シールド層の形状異方性がトラック幅方向を向き、トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きくなる。トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きい前記下部シールド層、前記上部シールド層であれば、トラック幅方向に垂直な方向（記録媒体からの洩れ磁界方向）から外部磁界（信号磁界）が与えられたときの磁気ヒステリシスが小さくなり、検出対象の外部磁界（信号磁界）以外の磁界を吸収遮断するシールド機能が向上する。
【００３０】
また、本発明では、前記磁気検出素子に重ねられて、下部コア層、上部コア層コイル層、及び前記下部コア層と前記上部コア層の間に形成される非磁性材料からなるギャップ層を有する磁気記録素子が形成されている、複合型の磁気ヘッドを構成することができる。
【００３１】
複合型の磁気ヘッドを構成するときには、前記下部コア層の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層が形成されており、この絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における、前記下部コア層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記下部コア層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さいことが好ましい。
【００３２】
これにより、前記下部コア層の前記露出面の面積も、従来より小さくすることができるので、前記下部コア層表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。
【００３３】
また本発明では、前記磁気記録素子の前記下部コア層は、そのトラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きいことが好ましい。
【００３５】
前記下部コア層のトラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きいと、前記下部コア層の形状異方性がトラック幅方向を向き、トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きくなる。トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きい前記下部コア層であれば、記録信号電流によって発生した誘導磁界による磁気ヒステリシスが最小になるので、前記下部コア層の保磁力及びヒステリシス損失が低下し、記録信号の高周波化・高速記録化に適切に対応できる磁気記録素子を提供できる。
【００３７】
本発明において、前記磁気記録素子と前記磁気検出素子が重ねられた複合型の磁気ヘッドを構成し、前記下部コア層を前記上部シールド層の上層に形成するときには、前記下部コア層の前記上部シールド層に重なる領域内に、前記下部コア層の各縁部が形成されていると、前記上部シールド層の上に前記下部コア層を安定した形状で形成することができるので好ましい。
【００３８】
また、前記下部コア層を形成する磁性材料が、前記上部シールド層を形成する磁性材料よりも飽和磁束密度が大きいことが好ましい。
【００３９】
一方、前記上部シールド層は、前記下部コア層より透磁率が大きいことが好ましい。
【００４０】
また、本発明において、前記磁気記録素子の前記ギャップ層と前記上部コア層の間に、先端面のトラック幅方向の幅寸法が前記上部コア層の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、前記上部コア層に磁気的に接続されている上部磁極層が形成されると、前記磁気記録素子の記録トラック幅寸法を小さくできるので好ましい。
【００４１】
前記磁気記録素子の記録トラック幅寸法を小さくするために、さらに、前記磁気記録素子の前記ギャップ層と前記下部コア層の間に、先端面のトラック幅方向の幅寸法が前記下部コア層の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、前記下部コア層に磁気的に接続されている下部磁極層が形成されているとより好ましい。
【００４２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態の磁気ヘッドを記録媒体との対向面からみた正面図である。
【００４３】
図１に示される磁気へッドは、記録用の磁気記録素子Ｈ１が再生用の磁気検出素子Ｈ２上に積層されている、いわゆる複合型の磁気ヘッドである。
【００４４】
磁気記録素子Ｈ１は、いわゆるインダクティブヘッドであり、磁気検出素子Ｈ２は、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。
【００４５】
図１に示された磁気ヘッドは、例えばアルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）で形成されたスライダのトレーリング側端面上に形成される。スライダは、記録媒体との対向面と逆面側で、ステンレス材などによる弾性変形可能な支持部材と接合され、磁気ヘッド装置が構成される。
【００４６】
図１に示すように、スライダ２１のトレーリング側端面２１ａ上にＡｌ2Ｏ3膜２２を介してＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の下部シールド層２３が形成され、さらにその上であって、磁界読み取り部２４及び磁界読み取り部２４に電流を供給する電極層２５，２５及びＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の上部シールド層２７が形成されている。下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５及び上部シールド層２７は、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの絶縁材料からなる絶縁材料層２６中に形成されている。絶縁材料層２６のうち、下部シールド層２３と上部シールド層２７の間の部分がギャップ層２６ａである。
【００４７】
磁界読み取り部２４は、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子や異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である。図１では、膜面水平方向にセンス電流磁界を流す、いわゆるＣＩＰ型のＧＭＲ素子を図示している。従って、電極層２５，２５は磁界読み取り部２４の上面の両端部に接続されている。
【００４８】
電極層２５，２５は、例えば、Ａｕ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｐｄなどで形成される。電極層２５の膜厚は３００Å〜１５００Åである。
【００４９】
ただし、磁界読み取り部２４が、膜面垂直方向にセンス電流磁界を流す、いわゆるＣＰＰ型のＧＭＲ素子であってもよいし、また、トンネル磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ素子であってもよい。この場合、電極層２５，２５は、磁界読み取り部２４の上面及び下面に接続される。
【００５０】
上部シールド層及び下部シールド層の膜厚は、１．０μｍ〜３．０μｍである。
【００５１】
下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５、ギャップ層２６、上部シールド層２７が磁気検出素子Ｈ２を構成している。
【００５２】
図１では、磁界読み取り部２４上の電極層２５，２５間のトラック幅方向（Ｘ方向）の距離が、磁界読み取り部２４のトラック幅Ｔｒである。また、上部シールド層２７と下部シールド層２３間の距離はＧ２である。また、上部シールド層２７の下面から電極層２５，２５の上面までの距離をＧ２ａ、下部シールド層２３の上面から電極層２５，２５の下面までの距離をＧ２ｂとする。本実施の形態では、Ｇ２が０．０８μｍ、Ｇ２ａが０．０３μｍ、Ｇ２ｂが０．０２μｍである。
【００５３】
このような磁界読み取り部２４を備えた磁気検出素子が磁気ディスク等磁気媒体の磁気記録を再生するとき、磁界読み取り部２４は、上部シールド層２７、下部シールド層２３間に現れた磁気ディスクからの磁界を検知して、磁界により電気抵抗が変化する。そして、磁界読み取り部２４の電気抵抗変化から磁気記録を再生する。
【００５４】
なお、磁気検出素子からみたとき、記録媒体との対向面は、例えば磁気検出素子を構成する薄膜の膜面に垂直で且つ磁気検出素子のフリー磁性層の外部磁界（記録信号磁界）が印加されていないときの磁化方向と平行な平面である。図１では、記録媒体との対向面はＸ−Ｚ平面に平行な平面である。
【００５５】
また、トラック幅方向とは、外部磁界によって磁化方向が変動する領域の幅方向のことであり、例えば、フリー磁性層の外部磁界が印加されていないときの磁化方向、すなわち図示Ｘ方向である。トラック幅方向のフリー磁性層の幅寸法が磁気検出素子のトラック幅Ｔｒを規定する。
【００５６】
磁気検出素子Ｈ２上には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）やＳｉＯ2などの絶縁性材料からなる分離層２８を介して、ＮｉＦｅ等の磁性材料からなる下部コア層２９が形成されている。
【００５７】
下部コア層２９上には、先端面のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法が下部コア層２９の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、下部コア層２９に磁気的に接続されている下部磁極層３０、非磁性材料からなるギャップ層３１、先端面のトラック幅方向の幅寸法が上部コア層３４の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、上部コア層３４に磁気的に接続される上部磁極層３２が形成されている。本実施の形態において、下部コア層２９、下部磁極層３０、ギャップ層３１、上部磁極層３２、上部コア層３４の先端面とは、前記各層の記録媒体との対向面側の端面のことである。
【００５８】
下部磁極層３０、ギャップ層３１、及び上部磁極層３２の３層が記録コア部３３を構成している。下部磁極層３０、ギャップ層３１、及び上部磁極層３２の先端面のトラック幅方向寸法は等しくなっており、この先端面のトラック幅方向寸法が磁気記録素子Ｈ１のトラック幅寸法Ｔｗを規定している。
【００５９】
高記録密度化に対応した薄膜磁気ヘッドでは、トラック幅寸法Ｔｗは、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。また、下部磁極層３０の高さ寸法（厚み寸法）は、例えば０．２μｍ〜０．５μｍ程度、ギャップ層３１の高さ寸法（厚み寸法）は、例えば０．１μｍ〜０．１５μｍ程度、上部磁極層３２の高さ寸法（厚み寸法）は、例えば２．４〜２．７μｍ程度である。なお、上部コア層３４は、トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法で形成される。
【００６０】
上部コア層３４と下部コア層２９は、ＮｉＦｅなどによってメッキ形成されている。
【００６１】
上部磁極層３２及び下部磁極層３０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＣｏＮｉ、或いはＣｏＦｅＸ又はＦｅＮｉＸ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔのいずれか１または２種以上の元素である）の組成式で示される軟磁性材料のうちいずれか１種或いは２種以上を用いて形成される。
【００６２】
下部磁極層３０は、下部コア層２９上に直接メッキ形成されている。また下部磁極層３０の上に形成されたギャップ層３１は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層３１は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。なお、ギャップ層３１はＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁性材料を用いて形成されてもよい。
【００６３】
なお本発明における具体的な実施形態としてギャップ層３１にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰでギャップ層３１を形成することでギャップ層３１を適切に非磁性状態にできるからである。
【００６４】
上記のようにギャップ層３１がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層３０、ギャップ層３１及び上部磁極層３２を連続メッキ形成することが可能である。
【００６５】
なお記録コア部３３は、ギャップ層３１及び上部磁極層３２の２層で構成されていてもよい。
【００６６】
磁気記録素子Ｈ１の出力を大きくして、高記録密度化を促進するためには、記録下部コア層２９及び下部磁極層３０並びに上部コア層３４及び上部磁極層３２の飽和磁束密度を大きくすることが好ましい。また、磁気検出素子Ｈ２の上部シールド層２７と下部シールド層２３が、検出対象の信号磁界以外の磁界を効率よく遮断するようにするためには、上部シールド層２７と下部シールド層２３の透磁率が高いことが好ましい。
【００６７】
飽和磁束密度と透磁率の両方が大きい磁性材料を得ることは難しいので、本実施の形態では、上部コア層３４及び下部コア層２９を形成する磁性材料を選ぶときは飽和磁束密度が大きいものであることを優先させ、上部シールド層２７と下部シールド層２３の材料を選ぶときは透磁率が大きいものであることを優先させている。
【００６８】
その結果、本実施の形態では、下部コア層２９を形成する磁性材料は、上部シールド層２７を形成する磁性材料よりも飽和磁束密度が大きく、上部シールド層２７は、下部コア層２９より透磁率が大きくなっている。
【００６９】
なお、下部コア層の膜厚は１．０μｍ〜３．０μｍである。 上部コア層３４と上部磁極層３２は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。下部コア層２９と下部磁極層３０は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。
【００７０】
ただし、上部磁極層３２は、上部コア層３４よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料で形成されることが好ましい。また、下部磁極層３０は、下部コア層２９よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料で形成されることが好ましい。
【００７１】
下部コア層２９の両側部には、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの絶縁材料からなる絶縁材料層３５が形成されている。
【００７２】
磁気記録素子Ｈ１の上層には、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの絶縁材料からなる絶縁材料層３６が形成されている。
【００７３】
なお、磁気ヘッドが浮上式の磁気ヘッドに用いられる場合、記録媒体との対向面とは、いわゆるＡＢＳ面のことである。なお、後に説明する図４にも示されるように、記録媒体は磁気へッドの記録媒体との対向面に対向しており、図示Ｚ方向に移動する。この記録媒体からの洩れ磁界方向は図示Ｙ方向である。
【００７４】
図２は、図１に示された磁気検出素子Ｈ２を図１の上方向（図示Ｚ方向反対方向）からみた部分平面図である。
【００７５】
磁気検出素子Ｈ２の下部シールド層２３、上部シールド層２７及び電極層２５，２５は、前述のように絶縁材料層２６中に形成されているので、下部シールド層２３、上部シールド層２７、電極層２５，２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の奥側には絶縁材料層２６が形成されていることになる。磁界読み取り部２４、電極層２５，２５は、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【００７６】
図２に示されるように、下部シールド層２３では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＥ１である先端部２３ｅが形成されて、この先端部２３ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２３ｂとなっている。そして先端部２３ｅの前端面が露出面２３ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【００７７】
また、上部シールド層２７では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＦ１である先端部２７ｅが形成されて、この先端部２７ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２７ｂ，２７ｂとなっている。そして先端部２７ｅの前端面が露出面２７ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【００７８】
すなわち、この端面２６ｂにおける、下部シールド層２３の露出面２３ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１が下部シールド層２３のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２よりも小さくなっている。さらに、端面２６ｂにおける、上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｆ１が、上部シールド層２７のトラック幅方向の全幅寸法Ｆ２よりも小さくなっている。
【００７９】
従って、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂには、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の前面の一部分のみが露出することになり、下部シールド層２３及び上部シールド層２７表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【００８０】
さらに、下部シールド層２３や上部シールド層２７のスメアリングを低減することができるので、下部シールド層２３や上部シールド層２７と電極層２５，２５の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【００８１】
また、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂにおける電極層２５，２５の露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法（露出面２５ａ，２５ａの外側端面間距離）Ｉ１が、下部シールド層２３の露出面２３ａ及び上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１よりも、大きくなっている。
【００８２】
これにより効果的に、下部シールド層２３や上部シールド層２７と、電極層２５，２５の短絡を低減させることができる。
【００８３】
図３は、図１に示された磁気記録素子Ｈ１を図１の上方向（図示Ｚ方向反対方向）からみた部分平面図である。
【００８４】
磁気記録素子Ｈ１の下部コア層２９は、前述のように絶縁材料層３５中に形成されているので、下部コア層２９の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層３５が形成されていることになる。
【００８５】
図３に示されるように、下部コア層２９では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＪ１である先端部２９ｅが形成されて、この先端部２９ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２９ｂ，２９ｂとなっている。そして先端部２９ｅの前端面が露出面２９ａとして絶縁材料層３５の記録媒体との対向面側の端面３５ａに露出している。
【００８６】
すなわち、この端面３５ａにおける、下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１が下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２よりも小さくなっている。
【００８７】
従って、下部コア層２９の絶縁材料層３５の端面３５ａには、下部コア層２９の前面の一部分のみが露出することになり、下部コア層３５表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【００８８】
また、下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１を十分に細くすることにより、サイドフリンジングの発生を抑制することが可能である。
【００８９】
なお、図２及び図３では、下部シールド層２３の先端部２３ｅ、上部シールド層２７の先端部２７ｅ、及び下部コア層２９の先端部２９ｅのトラック幅方向の幅寸法はハイト方向に向かって一定になっている。ただし、これらの先端部２３ｅ、先端部２７ｅ、先端部２９ｅが、ハイト方向に奥側に向かうに従ってトラック幅方向の幅寸法が大きくなるものであってもよい。
【００９０】
図４は図１に示す磁気ヘッドをＤ−Ｄ線から切断し矢印方向から見た縦断面図である。
【００９１】
磁気検出素子Ｈ２の絶縁材料層２６は、上部シールド層２７及び下部シールド層２３のハイト方向（図示Ｙ方向）奥側にも形成されている。
【００９２】
磁気記録素子Ｈ１の下部コア層２９上にはＧｄ決め層４０が形成されている。上部磁極層３２とギャップ層３１の接合面の記録媒体との対向面側の端部からＧｄ決め層４０の先端部までの長さ寸法でギャップデプス（Ｇｄ）が規制される。Ｇｄ決め層４０は例えば非磁性有機絶縁材料からなるレジスト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性無機絶縁材料、またはＣｕなどの非磁性導電性材料などで形成される。
【００９３】
下部コア層２９上には、導電材料からなるメッキ下地層４１が積層されている。なお、図１では、メッキ下地層４１の図示を省略している。
【００９４】
記録媒体との対向面側では、メッキ下地層４１上に、記録コア部３３がメッキで形成されており、この記録コア部３３が絶縁材料層３６の記録媒体との対向面側の端面３６ａに露出している。
【００９５】
磁気ヘッドのハイト方向奥側では、メッキ下地層４１上に磁性金属材料の持ち上げ層４２がメッキで形成され、持ち上げ層４２が、下部コア層２９と磁気的に接続されている。
【００９６】
記録コア部３３および持ち上げ層４２を除く領域では、メッキ下地層４１およびＧｄ決め層４０を覆う絶縁下地層４３が形成されている。絶縁下地層４３の上には、第１のコイル層４４が設けられており、この第１のコイル層４４は、持ち上げ層４２の周囲に平面螺旋状となるようにメッキで形成されている。第１のコイル層４４のピッチ間は第１のコイル絶縁層４５で埋められており、また第１のコイル層４４の上面が第１のコイル絶縁層４５で覆われている。
【００９７】
第１のコイル絶縁層４５を形成する無機絶縁材料は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【００９８】
第１のコイル絶縁層４５上には、第２のコイル層４６が形成されている。第２のコイル層４６は、持ち上げ層４２の周囲に巻回された平面螺旋状であり、第１、第２のコイル層４４、４６は、中心部が第１のコイル絶縁層４５を貫通して互いに接続されている。
【００９９】
第２のコイル絶縁層４７は、レジスト等の有機絶縁材料からなり、第２のコイル層４６のピッチ間を埋めると共に、第２のコイル層の上面を覆っている。
【０１００】
上部コア層３４はメッキで形成されたものであり、基部３４ａが持ち上げ層４２に接続された状態で第２のコイル絶縁層４７を覆うように形成され、先端部３４ｂが記録コア部３３の上部磁極層３２の上面に磁気的に接続されている。
【０１０１】
また、上部コア層３４の先端部３４ｂは、絶縁材料層３６の記録媒体との対向面側の端面３６ａに露出することなく、端面３６ａからハイト方向へ後退した位置を起点として記録コア部３３から離れるに従って端面３６ａから離れるような傾斜面３４ｃを有している。
【０１０２】
絶縁材料層３６は磁気記録素子Ｈ１を覆っている。
また、図２ないし図４に示されるように、絶縁材料層２６、絶縁材料層３６、下部シールド層の露出面２３ａ、上部シールド層２７の露出面２７ａ、下部コア層２９の露出面２９ａ、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５、磁気コア部３３は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの絶縁性材料からなる保護膜３７に覆われている。図１は、保護膜３７がない状態での正面図である。
【０１０３】
第１コイル層４４及び第２コイル層４６に記録電流が与えられると、下部コア層２９及び上部コア層３４に記録磁界が誘導され、ギャップ層３１を介して対向する下部磁極層３０及び上部磁極層３２間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０１０４】
磁気記録素子からみた場合、トラック幅方向とは下部磁極層３０及び上部磁極層３２を流れる磁路の方向に垂直な方向である。
【０１０５】
なお記録コア部３３は、ギャップ層３１及び上部磁極層３２のみで構成されていてもよい。また、上部磁極層３２は２層以上の磁性層によって形成されてもよい。
【０１０６】
本実施の形態では、図２に示されるように、下部シールド層２３の、トラック幅方向の全幅寸法Ｅ２が、ハイト方向の全長寸法Ｅ３より大きい。また、上部シールド層２７のトラック幅方向の全幅寸法Ｆ２が、ハイト方向の全長寸法Ｆ３より大きい。
【０１０７】
さらに、図３に示されるように、磁気記録素子Ｈ２の下部コア層２９は、そのトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２が、ハイト方向の全長寸法Ｊ３より大きくなっている。
【０１０８】
下部シールド層２３、上部シールド層２７、下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きいと、形状磁気異方性がトラック幅方向をむき、磁化方向がトラック幅方向を向いている磁区の面積を大きくすることが容易になる。
【０１０９】
図５は、下部コア層２９の磁区構造の１例を示す平面図である。下部コア層の磁区構造は、例えばカー効果偏光顕微鏡を用いて観察することができる。
【０１１０】
磁化方向がトラック幅方向（図示Ｘ方向）を向いている磁区２９ｆの総面積が、還流磁区２９ｇの総面積より大きくなっている。なお、還流磁区とは、下部コナ層２９内で静磁エネルギーを低く保つように、磁束が表面につきあたって表面磁荷を作らないように磁束を還流する磁区のことである。
【０１１１】
すなわち、下部コア層２９のトラック幅方向の磁気異方性エネルギーが、ハイト方向の磁気異方性エネルギーより小さくなっており、下部コア層２９はトラック幅方向が磁化容易軸方向である。
【０１１２】
第１コイル層４４及び第２コイル層４６を流れる信号電流によって発生した誘導磁界は、上部コア層３４及び下部コア層２９内をトラック幅方向に垂直な方向に流れる。従って、下部コア層２９の磁化容易軸方向がトラック幅方向であると磁気ヒステリシスが最小になるので、下部コア層２９の保磁力及びヒステリシス損失が低下し、記録信号の高周波化・高速記録化に適切に対応できる磁気記録素子を提供できる。
【０１１３】
同様にして、トラック幅方向の全幅寸法がハイト方向の全長寸法より大きい下部シールド層２３、上部シールド層２７も、磁化方向がトラック幅方向を向いている磁区の総面積が大きく、磁化容易軸方向がトラック幅方向であることを確認できる。
【０１１４】
上部シールド層２７、下部シールド層２３は、上部シールド層２７、下部シールド層２３間にある記録媒体からの磁界以外の余分な磁界を吸収遮蔽するものである。上部シールド層２７、下部シールド層２３の磁化容易軸方向がトラック幅方向であると保磁力が低下してトラック幅方向に垂直な方向（洩れ磁界方向）の透磁率が大きくなり、シールド機能が向上する。従って、記録媒体の高線記録密度化、狭トラック幅化に適切に対応できる磁気検出素子を提供できる。
【０１１５】
図６及び図７は、本発明における下部コア層の他の形状を示す平面図である。図６に示される下部コア層５０は、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＫ１である先端部５０ｂが形成されている点では図５の下部コア層２９と同じである。しかし、先端部５０ｂより後方には、トラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面が形成されておらず、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに平行な平面部５０ｃ，５０ｃが形成されている。
【０１１６】
そして先端部５０ｂの前端面が露出面５０ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１１７】
また、図７に示される下部コア層５１では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＬ１である先端部５１ｂが形成されて、この先端部５１ｂより後方は、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに平行な平面部５１ｃ１，５１ｃ１と、平面部５１ｃ１，５１ｃ１に連続して形成されているトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面５１ｃ２，５１ｃ２となっている。そして先端部５１ｂの前端面が露出面５１ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１１８】
図６でも、この端面２６ｂにおける、下部コア層５０の露出面５０ａのトラック幅方向の幅寸法Ｋ１が下部コア層５０のトラック幅方向の全幅寸法Ｋ２よりも小さくなっている。また、端面２６ｂにおける、下部コア層５１の露出面５１ａのトラック幅方向の幅寸法Ｌ１が下部コア層５１のトラック幅方向の全幅寸法Ｌ２よりも小さくなっている。
【０１１９】
従って、絶縁材料層２６の端面２６ｂには、下部コア層５０または５１の前面の一部分のみが露出することになり、下部コア層５０または５１表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０１２０】
また、下部コア層５０または５１の露出面５０ａまたは５１ａのトラック幅方向の幅寸法Ｋ１またはＬ１を十分に細くすることにより、サイドフリンジングの発生を抑制することが可能である。
【０１２１】
なお、図６及び図７では、下部コア層５０の先端部５０ｂ、下部コア層５１の先端部５１ｂのトラック幅方向の幅寸法はハイト方向の奥側に向かって一定になっている。ただし、これらの先端部５０ｂ、先端部５１ｂが、ハイト方向に奥側に向かうに従ってトラック幅方向の幅寸法が大きくなるものであってもよい。
【０１２２】
下部コア層５０は、トラック幅方向の全幅寸法Ｋ２がハイト方向の全長寸法Ｋ３より大きい。また、下部コア層５１は、トラック幅方向の全幅寸法Ｌ２がハイト方向の全長寸法Ｌ３より大きい。
【０１２３】
従って、下部コア層５０及び５１も磁化容易軸方向がトラック幅方向であり、磁気ヒステリシスが最小になるので、下部コア層２９の保持力及びヒステリシス損失が低下し、記録信号の高周波化・高速記録化に適切に対応できる磁気記録素子を提供できる。
【０１２４】
なお、下部シールド層２３、上部シールド層２７の代わりに、図６に示される下部コア層５０ような、先端部２３ｅ、２７ｅより後方に絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに平行な平面部が形成されている下部シールド層、上部シールド層が形成されてもよい。
【０１２５】
または、図７に示される下部コア層５１ような、先端部２３ｅ、２７ｅより後方に絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに平行な平面部と、前記平面部に連続して形成されているトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面が形成されている下部シールド層、上部シールド層が形成されてもよい。
【０１２６】
また、図３において、上部シールド層２７を点線で示しているが、このように、下部コア層２９は上部シールド層２７の上層に形成され、上部シールド層２７に重なる領域内に、下部コア層２９の各縁部が形成されている。下部コア層２９の各縁部とは、先端部２９ｅの側端面２９ｅ１，２９ｅ１、傾斜面２９ｂ，２９ｂ、側端面２９ｃ，２９ｃ、及び後端面２９ｄのことである。
【０１２７】
すなわち、下部コア層２９は上部シールド層２７に完全に重なるように形成されており、下部コア層２９を安定した形状で形成することができ、下部コア層の磁気特性を向上させることができる。
【０１２８】
なお、図１ないし図４に示された実施の形態の磁気ヘッドでは、下部シールド層２３、上部シールド層２７、及び下部コア層２９の３層とも、絶縁材料層２６または３５の記録媒体との対向面側の端面２６ｂまたは３５ａにおける、露出面２３ａ、２７ａ、２９ａのトラック幅方向の幅寸法がそれぞれの層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっている。
【０１２９】
しかし、本発明には、下部シールド層２３、上部シールド層２７、または下部コア層２９のうちいずれか１層だけで、端面２６ｂまたは３５ａにおける露出面のトラック幅方向の幅寸法がその層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっているものも含まれる。
【０１３０】
ただし、下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１が、下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２よりも小さくなっているだけであって、下部シールド層２３、上部シールド層２７の両層で、露出面２３ａ及び２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１がそれぞれの層のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２及びＦ２よりも小さくなっていない場合には、必ず下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２を、ハイト方向の全長寸法Ｊ３より大きくして、形状磁気異方性をトラック幅方向に向かせている。
【０１３１】
また、下部シールド層２３、上部シールド層２７、または下部コア層２９のうちのいずれか２層だけで、端面２６ｂまたは３５ａにおける露出面のトラック幅方向の幅寸法がそれぞれの層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっているものも含まれる。
【０１３２】
また、電極層２５，２５の端面２６ｂにおける露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法Ｉ１は、下部シールド層２３の露出面２３ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１と上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｆ１うち一方よりも小さければよい。
【０１３３】
図８は、本発明の第２の実施の形態の磁気へッドを記録媒体からの対向面側からみた部分正面図である。
【０１３４】
図８の磁気ヘッドは、磁気記録素子Ｈ１の下部コア層２９が磁気検出素子Ｈ４の上部シールド層としても機能し、図１の磁気ヘッドに形成されていた独立した上部シールド層２７が形成されていない点で、図１ないし図４に示された磁気ヘッドと異っている。
【０１３５】
磁気検出素子Ｈ４は、下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、及び電極層２５，２５が絶縁材料層２６内に形成され、磁界読み取り部２４の上に絶縁材料層２６を介して上部シールド層として機能する下部コア層２９が積層されたものである。
【０１３６】
下部シールド層２３と磁界読み取り部２４の間及び磁界読み取り部２４と下部コア層２９の間の絶縁材料層２６がギャップ層２６ａである。
【０１３７】
図８において、図１の磁気ヘッドと同じ部材には、同じ符号をつけている。図８において、磁気記録素子Ｈ１は図１のものと同じである。
【０１３８】
図８に示された磁気ヘッドでも、磁気検出素子Ｈ４の下部シールド層２３及び電極層２５，２５は、絶縁材料層２６中に形成されており、下部シールド層２３、電極層２５，２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の奥側には絶縁材料層２６が形成されている。
【０１３９】
また、図８の磁気へッドでも、下部シールド層２３の平面形状は図２に示された形状であり、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＥ１である先端部２３ｅが形成されて、この先端部２３ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２３ｂとなっている。そして先端部２３ｅの前端面が露出面２３ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１４０】
また、下部コア層２９は、絶縁材料層３５中に形成されており、下部コア層２９の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層３５が形成されている。
【０１４１】
図８の磁気へッドでも、下部コア層２９の平面形状は図３に示された形状であり、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＪ１である先端部２９ｅが形成されて、この先端部２９ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２９ｂ，２９ｂとなっている。そして先端部２９ｅの前端面が露出面２９ａとして絶縁材料層３５の記録媒体との対向面側の端面３５ａに露出している。
【０１４２】
すなわち、この端面２６ｂにおける、下部シールド層２３の露出面２３ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１が下部シールド層２３のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２よりも小さくなっている。また、端面３５ａにおける、下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１が下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２よりも小さくなっている。
【０１４３】
従って、下部シールド層２３の絶縁材料層２６の端面２６ｂには、下部シールド層２３の前面の一部分のみが露出し、下部コア層２９の絶縁材料層３５の端面３５ａには、下部コア層２９の前面の一部分のみが露出することになり、下部シールド層２３及び下部コア層２９表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０１４４】
さらに、下部シールド層２３及び下部コア層２９のスメアリングを低減することができるので、下部シールド層２３や下部コア層２９と電極層２５，２５の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【０１４５】
また、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂにおける電極層２５，２５の露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法（露出面２５ａ，２５ａの外側端面間距離）Ｉ１が、下部シールド層２３の露出面２３ａ及び下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＪ１よりも、大きくなっている。
【０１４６】
これにより効果的に、下部シールド層２３や下部コア層２９と、電極層２５，２５の短絡を低減させることができる。
【０１４７】
また、図１から図４に示された磁気ヘッド、及び図８に示された磁気ヘッドは、上部コア層３４と下部コア層２９の間に、下部磁極層３０、ギャップ層３１、及び上部磁極層３２からなる磁気コア部３３が形成されたものである。しかし、本発明は、図９に示される本発明の第３の実施の形態のように上部コア層５２と下部コア層２９の間に非磁性材料からなるギャップ層５３のみが形成されるものであってもよい。ただし、上部コア層５２の先端面５２ａは、絶縁材料層３６の端面３６ａに露出する。
【０１４８】
図９に示された磁気ヘッドでは、上部コア層５２の先端面５２ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法で磁気記録素子のトラック幅寸法Ｔｗがきまる。
【０１４９】
図１０は、本発明の第４の実施の形態の磁気へッドを記録媒体からの対向面側からみた部分正面図である。
【０１５０】
図１０の磁気ヘッドは、ＧＭＲ素子である磁界読み取り部２４の上面と下面にセンス電流を供給するための電極層６０、６０が形成されている。すなわち、磁気検出素子Ｈ６が、ＧＭＲ素子を構成するフリー磁性層、非磁性材料層、固定磁性層などの各膜面に対し垂直方向からセンス電流を流すＣＰＰ（current perpendicular to the plane）型の磁気検出素子である点で、図１ないし図４の磁気ヘッドと異なっている。
【０１５１】
磁界読み取り部２４（ＧＭＲ素子）のフリー磁性層の上面の幅で決められるトラック幅寸法をＴｗ、磁界読み取り部２４の膜厚をＴ、磁界読み取り部２４のハイト方向への長さをＭＲｈとすると、ＣＰＰ型の場合は、以下のように出力（ΔＶ）が変化する。
【０１５２】
電流密度（Ｊ＝Ｉ／（Ｔｗ×ＭＲｈ））と膜厚Ｔを一定とし、前記トラック幅Ｔｗとハイト長さＭＲｈを１／Ｓ倍に縮小したとすると、磁界読み取り部２４の抵抗値ＲはＳ2倍となり、よって抵抗変化量ΔＲもＳ2倍となる。またセンス電流Ｉは１／Ｓ2倍となる。したがって出力ΔＶ（＝ΔＲ×Ｉ）は一定である。
【０１５３】
一方、発熱量（Ｐ）を一定として、前記トラック幅Ｔｗとハイト長さＭＲｈを１／Ｓ倍に縮小したとすると、磁界読み取り部２４の抵抗値ＲはＳ2倍となり、よって抵抗変化量ΔＲもＳ2倍となる。またセンス電流Ｉは１／Ｓ倍となるから、出力ΔＶはＳ倍に大きくなる。
【０１５４】
このように素子サイズを小さくしていくと、ＣＩＰ型よりもＣＰＰ型にする方が出力を大きくでき、ＣＰＰ型は、今後の高記録密度化に伴う素子サイズの狭小化に適切に対応できる構造である。
【０１５５】
図１０において、図１の磁気ヘッドと同じ部材には、同じ符号をつけている。図１０において、磁気記録素子Ｈ１は図１のものと同じである。
【０１５６】
図１０に示された磁気ヘッドでも、磁気検出素子Ｈ６の下部シールド層２３、上部シールド層２７及び電極層６０，６０は、絶縁材料層２６中に形成されており、下部シールド層２３、上部シールド層２７、及び電極層６０，６０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の奥側には絶縁材料層２６が形成されている。
【０１５７】
また、図１０の磁気へッドでも、下部シールド層２３の平面形状は図２に示された形状であり、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＥ１である先端部２３ｅが形成されて、この先端部２３ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２３ｂとなっている。そして先端部２３ｅの前端面が露出面２３ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１５８】
また、上部シールド層２７の平面形状も図２に示された形状であり、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＦ１である先端部２７ｅが形成されて、この先端部２７ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２７ｂとなっている。そして先端部２７ｅの前端面が露出面２７ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１５９】
すなわち、この端面２６ｂにおける、下部シールド層２３の露出面２３ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１が下部シールド層２３のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２よりも小さくなっている。また、端面２６ｂにおける、下部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｆ１が下部シールド層２７のトラック幅方向の全幅寸法Ｆ２よりも小さくなっている。
【０１６０】
従って、絶縁材料層２６の端面２６ｂには、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の前面の一部分のみが露出することになり、下部シールド層２３及び上部シールド層２７表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０１６１】
さらに、下部シールド層２３及び上部シールド層２７のスメアリングを低減することができるので、下部シールド層２３や上部シールド層２７と電極層６０，６０の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【０１６２】
また、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂにおける電極層６０，６０の露出面６０ａ，６０ａのトラック幅方向の幅寸法Ｍ１が、下部シールド層２３の露出面２３ａ及び上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１よりも、大きくなっている。
【０１６３】
これにより効果的に、下部シールド層２３や上部シールド層２７と、電極層６０，６０の短絡を低減させることができる。
【０１６４】
図１ないし図４に示された磁気ヘッドの製造方法を説明する。
スライダ２１となる基板上に、Ａｌ2Ｏ3膜２２を成膜し、このＡｌ2Ｏ3膜２２上にＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の下部シールド層２３をレジストフォトリソグラフィー及びフレームメッキ法或いはスパッタ法でパターン成膜する。その上にＡｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの絶縁材料からなる絶縁材料層２６、磁界読み取り部２４及び磁界読み取り部２４に電流を供給する電極層２５，２５をレジストフォトリソグラフィー及びフレームメッキ法或いはスパッタ法でパターン成膜する。
【０１６５】
さらに、磁界読み取り部２４及び電極層２５，２５上に、絶縁材料層２６を積層した後、ＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の上部シールド層２７をレジストフォトリソグラフィー及びフレームメッキ法或いはスパッタ法でパターン成膜する。
【０１６６】
磁界読み取り部２４は、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子や異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である。図１では、膜面水平方向にセンス電流磁界を流す、いわゆるＣＩＰ型のＧＭＲ素子を図示している。従って、電極層２５，２５は磁界読み取り部２４の上面の両端部に接続されている。
【０１６７】
電極層２５，２５は、例えば、Ａｕ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｐｄなどで形成される。電極層２５の膜厚は３００Å〜１５００Åである。
【０１６８】
上部シールド層２７及び下部シールド層２３の膜厚は、１．０μｍ〜３．０μｍである。
【０１６９】
磁界読み取り部２４上の電極層２５，２５間のトラック幅方向（Ｘ方向）の距離で、磁界読み取り部２４のトラック幅Ｔｒを規定する。また、上部シールド層２７と下部シールド層２３間の距離はＧ２である。また、上部シールド層２７の下面から電極層２５，２５の上面までの距離をＧ２ａ、下部シールド層２３の上面から電極層２５，２５の下面までの距離をＧ２ｂとする。本実施の形態では、Ｇ２が０．０８μｍ、Ｇ２ａが０．０３μｍ、Ｇ２ｂが０．０２μｍである。
【０１７０】
図１１は、下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５、上部シールド層２７までパターン形成した状態の平面図である。
【０１７１】
図１１の状態では、下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５、上部シールド層２７のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の前側及び奥側は絶縁材料層２６によって囲まれている。
【０１７２】
図２に示されるように、下部シールド層２３では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＥ１である先端部２３ｅが形成されて、この先端部２３ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２３ｂとなっている。また、上部シールド層２７では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＦ１である先端部２７ｅが形成されて、この先端部２７ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２７ｂ，２７ｂとなっている。
【０１７３】
すなわち、下部シールド層２３の先端部２３ｅのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１が下部シールド層２３のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２よりも小さくなっている。さらに、上部シールド層２７の先端部２７ｅのトラック幅方向の幅寸法Ｆ１が、上部シールド層２７のトラック幅方向の全幅寸法Ｆ２よりも小さくなっている。
【０１７４】
図１１の状態では、下部シールド層２３の先端部２３ｅ、上部シールド層２７の先端部２７ｅ、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５はハイト方向の長さ寸法が、図２に示される完成した状態の磁気検出素子Ｈ２よりも長く形成されている。
【０１７５】
また、電極層２５，２５の露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法（露出面２５ａ，２５ａの外側端面間距離）Ｉ１を、下部シールド層２３の先端部２３ｅ及び上部シールド層２７の先端部２７ｅのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１よりも大きくしている。
【０１７６】
図１１の状態の磁気検出素子Ｈ２の上に、絶縁材料からなる分離層２８を積層した後、磁気記録素子Ｈ１を形成する。
【０１７７】
分離層２８の上に、下部コア層２９をレジストフォトリソグラフィー及びフレームメッキ法或いはスパッタ法でパターン形成する。
【０１７８】
さらに、下部コア層２９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の前側及び奥側を絶縁材料層３５で埋める。
【０１７９】
以下、図４も参照しつつ説明を続ける。
下部コア層２９上に、パーマロイなどの磁性材料で形成されたメッキ下地層４１を形成し、さらにメッキ下地層４１上の所定部分に、非磁性有機絶縁材料からなるレジスト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性無機絶縁材料、またはＣｕなどの非磁性導電性材料などで形成されるＧｄ決め層４０を形成する。
【０１８０】
Ｇｄ決め層４０をレジストを用いて形成するときには、レジスト層を矩形状に形成した後、ポストベーク（熱処理）することで、前記レジスト層にだれを生じさせ、図４に示すように、前記レジスト層で形成されたＧｄ決め層４０の前端面に下部コア層４０から図示Ｚ方向に向かうに従って徐々にハイト方向（図示Ｙ方向）に傾斜する面を形成する。熱処理後、Ｇｄ決め層４０に紫外線を照射して、硬化させる。
【０１８１】
次に、下部磁極層３０、ギャップ層３１、上部磁極層３２を形成するためのレジストフレームを形成した後、前記レジストフレーム内で、下部磁極層３０、ギャップ層３１、上部磁極層３２をパルス電流を用いた電気メッキ法を用いて連続メッキ形成する。
【０１８２】
上部磁極層３２及び下部磁極層３０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＣｏＮｉ、或いはＣｏＦｅＸ又はＦｅＮｉＸ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔのいずれか１または２種以上の元素である）の組成式で示される軟磁性材料のうちいずれか１種或いは２種以上を用いて形成される。
【０１８３】
下部磁極層３０は、メッキ下地層４１上に直接メッキ形成されている。また下部磁極層３０の上に形成されたギャップ層３１は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層３１は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【０１８４】
なお本発明における具体的な実施形態としてギャップ層３１にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰでギャップ層３１を形成することでギャップ層３１を適切に非磁性状態にできるからである。
【０１８５】
また、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2（酸化ケイ素）を用いたギャップ層３１を成膜・パターン形成後、その上にＮｉＦｅやＣｏＦｅなどからなるメッキ下地層を設け、上部磁極層３２をメッキ形成してもよい。
【０１８６】
また、メッキ形成された記録コア部３３の両側面（図示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向（図示Ｘ方向）からイオンミリングで削り、記録コア部３３の幅寸法を小さくしてもよい。
【０１８７】
次に下部コア層２９のハイト方向奥側で、メッキ下地層４１上に磁性金属材料の持ち上げ層４２をメッキで形成する。
【０１８８】
さらに、記録コア部３３および持ち上げ層４２を除く領域では、メッキ下地層４１およびＧｄ決め層４０を覆う絶縁下地層４３を成膜し、絶縁下地層４３の上に、第１のコイル層４４をフレームメッキ形成する。第１のコイル層４４のピッチ間及び第１のコイル層４４の上面に第１のコイル絶縁層４５を積層する。
【０１８９】
第１のコイル絶縁層４５を形成する無機絶縁材料は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【０１９０】
そして、第１のコイル絶縁層４５の上面をＣＭＰ技術などを利用して削って平坦面とする。このとき、上部磁極層３２の上面及び持ち上げ層４２の上面が露出する。
【０１９１】
第１のコイル絶縁層４５上に、第２のコイル層４６をフレームメッキ形成する。第２のコイル層４６も、持ち上げ層４２の周囲に巻回された平面螺旋状であり、第１、第２のコイル層４４、４６は、中心部が第１のコイル絶縁層４５を貫通して互いに接続される。
【０１９２】
さらに、第２のコイル層４６のピッチ間及び第２のコイル層の上面を、レジスト等の有機絶縁材料からなる第２のコイル絶縁層４７で覆い、第２のコイル絶縁層４７にＮｉＦｅによって上部コア層３４をフレームメッキ形成する。
【０１９３】
上部コア層３４は、基部３４ａが持ち上げ層４２に接続され、先端部３４ｂが記録コア部３３の上部磁極層３２の上面に磁気的に接続されるように形成される。
【０１９４】
上部コア層３４の形成後、上部コア層３４の上及び第２のコイル絶縁層４７上に絶縁材料層３６を積層する。
【０１９５】
図１２の状態では、下部コア層２９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の前側及び奥側は絶縁材料層３５によって囲まれている。
【０１９６】
図１２に示されるように、下部コア層２９では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＪ１である先端部２９ｅが形成されて、この先端部２９ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２９ｂ，２９ｂとなっている。
【０１９７】
すなわち、下部コア層２９の先端部２９ｅのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１が下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２よりも小さくなっている。
【０１９８】
図１２の状態では、下部コア層２９の先端部２９ｅはハイト方向の長さ寸法が、図３に示される完成した状態の磁気記録素子Ｈ１よりも長く形成されている。
【０１９９】
また、図１２において、上部シールド層２７を点線で示しているが、このように、上部シールド層２７に重なる領域内に下部コア層２９の各縁部が形成されている。下部コア層２９の各縁部とは、先端部２９ｅの側端面２９ｅ１，２９ｅ１、傾斜面２９ｂ，２９ｂ、側端面２９ｃ，２９ｃ、及び後端面２９ｄのことである。
【０２００】
すなわち、下部コア層２９は上部シールド層２７の領域内に形成されており、下部コア層２９を安定した形状で形成することができ、下部コア層の磁気特性を向上させることができる。
【０２０１】
一旦、絶縁材料層３６まで積層した後、磁気検出素子Ｈ２の磁界読み取り部２４の直流抵抗値を調節するために、磁界読み取り部２４のハイト方向長さ寸法を調節する。
【０２０２】
磁界読み取り部２４のハイト方向長さ寸法の調節は、図１１及び図１２の状態の基板ごと図示Ｙ方向に向けて研削し、磁界読み取り部２４をハイト方向奥側に研削することによって行なう。
【０２０３】
このとき、図１１及び図１２の状態における下部シールド層２３の先端部２３ｅのハイト方向前側（図示Ｙ方向反対側）の端面２３ａ１、磁界読み取り部２４の先端部２４ｅのハイト方向前側の端面２４ａ１、電極部２５，２５のハイト方向前側の端面２５ａ１，２５ａ１、上部シールド層２７の先端部２７ｅのハイト方向前側の端面２７ａ１、下部コア層２９の先端部２９ｅのハイト方向前側の端面２９ａ１から、下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極部２５，２５、上部シールド層２７、及び下部コア層２９が同時に削られていく。
【０２０４】
そして、図１１及び図１２の、例えば一点鎖線Ｏで示されるところまで削られたときに、磁界読み取り部２４の直流抵抗値が規定の値になり、図１ないし図４に示された磁気ヘッドになる。
【０２０５】
つまり、下部シールド層２３の先端部２３ｅの前端面が露出面２３ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出する。そして上部シールド層２７の先端部２７ｅの前端面が露出面２７ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出する。また、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５も端面２６ｂに露出する。
【０２０６】
さらに、下部コア層２９の先端部２９ｅの前端面が露出面２９ａとして絶縁材料層３５の記録媒体との対向面側の端面３５ａに露出する。また、磁気コア部３３は絶縁材料層３６の記録媒体との対向面側の端面３６ａに露出する。
【０２０７】
磁界読み取り部２４の直流抵抗値を調節した後、絶縁材料層２６、３５、３６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂ、３５ａ、３６ａを保護膜３７で覆う。
【０２０８】
上述のように、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の絶縁材料層２６の端面２６ｂには、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の前面の一部分のみが露出することになり、下部シールド層２３及び上部シールド層２７表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０２０９】
さらに、下部シールド層２３や上部シールド層２７のスメアリングを低減することができるので、下部シールド層２３や上部シールド層２７と電極層２５，２５の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【０２１０】
また、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂにおける電極層２５，２５の露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法（露出面２５ａ，２５ａの外側端面間距離）Ｉ１が、下部シールド層２３の露出面２３ａ及び上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１よりも、大きくなっている。
【０２１１】
これにより効果的に、下部シールド層２３や上部シールド層２７と、電極層２５，２５の短絡を低減させることができる。
【０２１２】
また、下部コア層２９の絶縁材料層３５の端面３５ａには、下部コア層２９の前面の一部分のみが露出することになり、下部コア層３５表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。このことからも、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０２１３】
なお、図１の正面図は模式図的に示したものであり、記録コア部３３が下部コア層２９表面から矩形状に立ち上がって形成されていなくてもよい。例えば、下部磁極層３０の両側端面から上部磁極層３２の両側端面にかけてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる、記録媒体との対向面と平行な断面形状が略逆台形状であったり、あるいは下部磁極層３０の記録媒体との対向面と平行な断面形状が略台形状で、その上に形成される、ギャップ層３１から上部磁極層３２までの記録媒体との対向面と平行な断面形状が略逆台形状であるような形状であってもかまわない。
【０２１４】
以上本発明をその好ましい実施例に関して述べたが、本発明の範囲から逸脱しない範囲で様々な変更を加えることができる。
【０２１５】
なお、上述した実施例はあくまでも例示であり、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。
【０２１６】
【発明の効果】
本発明では、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が各層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっている。
【０２１７】
すなわち、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層の、前記絶縁材料層の前記端面における露出面積を従来よりも小さくできるので、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０２１８】
さらに、下部シールド層や上部シールド層のスメアリングを低減することができるので、電極層の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【０２１９】
また、本発明では、前記下部シールド層の前記露出面と前記上部シールド層の前記露出面のうち少なくとも一方のトラック幅方向の幅寸法を、前記電極層の前記露出面のトラック幅方向の幅寸法より小さくできるのでより効果的に、下部シールド層や上部シールド層と、電極層の短絡を低減させることができる。
【０２２０】
また、本発明では、前記絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における、前記下部コア層の露出面のトラック幅方向の幅寸法を、前記下部コア層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくすることにより、前記下部コア層の前記露出面の面積も、従来より小さくすることができる。従って前記下部コア層表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。
【０２２１】
また、前記下部コア層のトラック幅方向の全幅寸法を、ハイト方向の全長寸法より大きくして、前記下部コア層の形状異方性をトラック幅方向に向かせ、トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積を大きくできる。トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きい前記下部コア層であれば、記録信号電流によって発生した誘導磁界による磁気ヒステリシスが最小になるので、前記下部コア層の保磁力及びヒステリシス損失が低下し、記録信号の高周波化・高速記録化に適切に対応できる磁気記録素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の磁気へッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図２】図１に示された磁気検出素子Ｈ２の部分平面図、
【図３】図１に示された磁気記録素子Ｈ１の部分平面図、
【図４】図１に示された磁気ヘッドの縦断面図、
【図５】図１に示された磁気記録素子Ｈ１の下部コア層２９の平面図、
【図６】本発明における下部コア層の他の形状を示す平面図、
【図７】本発明における下部コア層の他の形状を示す平面図、
【図８】本発明の第２の実施の形態の磁気へッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図９】本発明の第３の実施の形態の磁気へッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図１０】本発明の第４の実施の形態の磁気へッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図１１】図１に示された磁気ヘッドの一製造工程を示す平面図、
【図１２】図１に示された磁気ヘッドの一製造工程を示す平面図、
【図１３】従来の磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図１４】従来の磁気ヘッドの一製造工程を示す平面図、
【図１５】従来の磁気ヘッドの一製造工程を示す平面図、
【符号の説明】
２１ スライダ
２３ 下部シールド層
２４ 磁界読み取り部
２５ 電極層
２６、３５、３６ 絶縁材料層
２７ 上部シールド層
２８ 分離層
２９ 下部コア層
３０ 下部磁極層
３１ ギャップ層
３２ 上部磁極層
３３ 磁気コア部
３４ 上部コア層
Ｈ１ 磁気記録素子
Ｈ２ 磁気検出素子
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体に信号を記録する、または前記信号を再生する磁気ヘッドに係り、特に、前記磁気ヘッドの狭ギャップ化を促進することのできる磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１３は、従来の磁気ヘッドを記録媒体との対向面側からみた正面図である。図１３に示す磁気ヘッドは、いわゆるインダクティブヘッドである記録用の磁気記録素子Ｈ１ａが、磁気抵抗効果を利用した再生用の磁気検出素子Ｈ２ａの上に積層されている複合型の磁気ヘッドである。
【０００３】
磁気検出素子Ｈ２ａは、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子や、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である磁界読み取り部１と、磁界読み取り部１に電流を供給するための電極層２，２、磁界読み取り部１の上下にギャップ層３を介して形成された下部シールド層４と上部シールド層５を有して構成される。
【０００４】
磁気検出素子Ｈ２ａのトラック幅はＴｒである。また、上部シールド層５と下部シールド層４間の距離（ギャップ長）はＧ１である。
【０００５】
電極層２，２は、ＣｒやＴａなどの導電性材料からなる。
ギャップ層３は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁性材料からなり、下部シールド層４及び上部シールド層５は、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成されている。
【０００６】
磁気検出素子Ｈ２ａに、外部磁界（信号磁界）が与えられると、磁界読み取り部１の電気抵抗が変化することにより、外部磁界（信号磁界）を検出できる。
【０００７】
上部シールド層５上に絶縁材料で形成された分離層６を介して、下部コア層７が形成されている。下部コア層７上には、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０が積層されている。上部磁極層１０の上には上部コア層１１が積層されている。上部磁極層１０は、上部コア層１１に磁気的に接続されている。下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０の先端面のトラック幅方向の幅寸法は等しくなっており、磁気記録素子のトラック幅Ｔｗを規定している。
【０００８】
下部コア層７、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０、上部コア層１１の周囲には、絶縁層１２が設けられている。
【０００９】
下部コア層７、下部磁極層８、上部磁極層１０、及び上部コア層１１はＮｉＦｅなどの磁性材料で形成されており、ギャップ層９はＮｉＰ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの非磁性材料で形成されている。
【００１０】
分離層６、絶縁層１２は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁性材料で形成されている。
【００１１】
上部コア層１１と下部コア層７の間に、コイル層（図示せず）が螺旋状にパターン形成されている。
【００１２】
前記コイル層に記録電流が与えられると、下部コア層７及び上部コア層１１に記録磁界が誘導され、ギャップ層９を介して対向する下部磁極層８及び上部磁極層１０間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
図１３に示される従来の磁気ヘッドでは、磁気検出素子Ｈ２ａの電極層２，２、下部シールド層４、上部シールド層５、並びに、下部コア層７、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０の先端面が、ギャップ層３、分離層６、及び絶縁層１２の記録媒体との対向面側の端面（先端面）に露出している。
【００１４】
これは、図１３に示される磁気ヘッドが、以下に示す工程を経て形成されるためである。
【００１５】
まず、下部シールド層４、磁界読み取り部１、電極層２，２、ギャップ層３、上部シールド層５をスパッタ法などによって薄膜形成する。下部シールド層４及び上部シールド層５はメッキ形成してもよい。さらに、分離層６をスパッタ成膜した後、下部コア層７、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０、上部コア層１１をメッキ形成する。なお、ギャップ層９はスパッタ法で形成されてもよい。絶縁層１２はスパッタ法によって形成している。
【００１６】
図１４及び図１５は、それぞれパターン形成工程直後の磁気検出素子Ｈ２ａと磁気記録素子Ｈ１ａを素子上方からみた平面図である。パターン形成直後の磁気検出素子Ｈ２ａと磁気記録素子Ｈ１ａは、ハイト方向長さ（図示Ｙ方向）が完成した素子より長くなっている。
【００１７】
パターン形成した磁気検出素子Ｈ２ａを記録媒体との対向面側から研磨して、磁気検出素子Ｈ２ａの直流抵抗値が所定の値になるように調節する。図１４では、一点鎖線Ｂ−Ｂまで研磨する。このとき、図１５の磁気記録素子Ｈ１ａも記録媒体との対向面側から一点鎖線Ｃ−Ｃまで研磨される。
【００１８】
この研磨工程で、磁気検出素子Ｈ２ａの電極層２，２、下部シールド層４、上部シールド層５、並びに、下部コア層７、下部磁極層８、ギャップ層９、上部磁極層１０の先端面が、ギャップ層３、分離層６、及び絶縁層１２の記録媒体との対向面側の端面（先端面）に露出し、さらに研磨される。
【００１９】
研磨には、ダイヤモンドなどの砥粒が用いられるのに対して、下部シールド層４、上部シールド層５、並びに、下部コア層７、下部磁極層８、上部磁極層９を形成するＮｉＦｅ（パーマロイ）などの磁性材料は硬度が低く、研磨によってキズついたり、前記砥粒がその表面に刺さったままになってしまうことがある。
【００２０】
磁性材料からなる層がキズつくと、素子の磁気特性が悪化することがある。また、前記砥粒が磁性材料からなる層の表面に刺さった状態で、磁気ヘッド装置が組み立てられて、磁気ヘッドが記録媒体上を摺動移動または浮上移動すると、記録媒体が傷つき、信号記録の精度が低下する。これは、高記録密度化を進めるために、浮上式磁気ヘッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進める際の妨げになっている。
【００２１】
また、図１３に示される従来の磁気ヘッドでは、前記研磨工程で、下部シールド層４と上部シールド層５にスメアリングが発生しやすく、下部シールド層４や上部シールド層５が電極層２，２と短絡しやすいという問題が発生していた。下部シールド層４や上部シールド層５と電極層２，２の短絡はギャップ長Ｇ１が短くなる程発生しやすく、磁気検出素子Ｈ２ａの狭ギャップ化を促進するための妨げとなっていた。
【００２２】
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、磁気ヘッドを構成する磁性材料からなる層表面の傷、砥粒の残留を低減し、また、下部シールド層や上部シールド層と電極層の短絡も低減して、高記録密度化を促進することができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下部シールド層、磁界読み取り部、前記磁界読み取り部に電流を供給するための電極層、及び上部シールド層を有する磁気検出素子を有する磁気ヘッドにおいて、
前記磁気検出素子の前記下部シールド層と前記上部シールド層の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層が形成されており、この絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における前記下部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記下部シールド層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さいこと、及び／又は、前記絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における前記上部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部シールド層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さく
前記磁気検出素子の前記電極層の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層が形成されており、この絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における、前記電極層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記下部シールド層の前記露出面と前記上部シールド層の前記露出面のうち、少なくとも一方のトラック幅方向の幅寸法よりも大きいことを特徴とするものである。
【００２４】
本発明では、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が各層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっている。
【００２５】
すなわち、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層の、前記絶縁材料層の前記端面における露出面積を従来よりも小さくできる。従って、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【００２６】
さらに、下部シールド層や上部シールド層のスメアリングを低減することができるので、電極層の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【００２８】
本発明では、前記下部シールド層の前記露出面と前記上部シールド層の前記露出面のうち少なくとも一方のトラック幅方向の幅寸法を、前記電極層の前記露出面のトラック幅方向の幅寸法より小さくできるのでより効果的に、下部シールド層や上部シールド層と、電極層の短絡を低減させることができる。
【００２９】
なお、前記下部シールド層及び／又は前記上部シールド層の、トラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きいと、前記下部シールド層及び／又は前記上部シールド層の形状異方性がトラック幅方向を向き、トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きくなる。トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きい前記下部シールド層、前記上部シールド層であれば、トラック幅方向に垂直な方向（記録媒体からの洩れ磁界方向）から外部磁界（信号磁界）が与えられたときの磁気ヒステリシスが小さくなり、検出対象の外部磁界（信号磁界）以外の磁界を吸収遮断するシールド機能が向上する。
【００３０】
また、本発明では、前記磁気検出素子に重ねられて、下部コア層、上部コア層コイル層、及び前記下部コア層と前記上部コア層の間に形成される非磁性材料からなるギャップ層を有する磁気記録素子が形成されている、複合型の磁気ヘッドを構成することができる。
【００３１】
複合型の磁気ヘッドを構成するときには、前記下部コア層の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層が形成されており、この絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における、前記下部コア層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記下部コア層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さいことが好ましい。
【００３２】
これにより、前記下部コア層の前記露出面の面積も、従来より小さくすることができるので、前記下部コア層表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。
【００３３】
また本発明では、前記磁気記録素子の前記下部コア層は、そのトラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きいことが好ましい。
【００３５】
前記下部コア層のトラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きいと、前記下部コア層の形状異方性がトラック幅方向を向き、トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きくなる。トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きい前記下部コア層であれば、記録信号電流によって発生した誘導磁界による磁気ヒステリシスが最小になるので、前記下部コア層の保磁力及びヒステリシス損失が低下し、記録信号の高周波化・高速記録化に適切に対応できる磁気記録素子を提供できる。
【００３７】
本発明において、前記磁気記録素子と前記磁気検出素子が重ねられた複合型の磁気ヘッドを構成し、前記下部コア層を前記上部シールド層の上層に形成するときには、前記下部コア層の前記上部シールド層に重なる領域内に、前記下部コア層の各縁部が形成されていると、前記上部シールド層の上に前記下部コア層を安定した形状で形成することができるので好ましい。
【００３８】
また、前記下部コア層を形成する磁性材料が、前記上部シールド層を形成する磁性材料よりも飽和磁束密度が大きいことが好ましい。
【００３９】
一方、前記上部シールド層は、前記下部コア層より透磁率が大きいことが好ましい。
【００４０】
また、本発明において、前記磁気記録素子の前記ギャップ層と前記上部コア層の間に、先端面のトラック幅方向の幅寸法が前記上部コア層の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、前記上部コア層に磁気的に接続されている上部磁極層が形成されると、前記磁気記録素子の記録トラック幅寸法を小さくできるので好ましい。
【００４１】
前記磁気記録素子の記録トラック幅寸法を小さくするために、さらに、前記磁気記録素子の前記ギャップ層と前記下部コア層の間に、先端面のトラック幅方向の幅寸法が前記下部コア層の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、前記下部コア層に磁気的に接続されている下部磁極層が形成されているとより好ましい。
【００４２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態の磁気ヘッドを記録媒体との対向面からみた正面図である。
【００４３】
図１に示される磁気へッドは、記録用の磁気記録素子Ｈ１が再生用の磁気検出素子Ｈ２上に積層されている、いわゆる複合型の磁気ヘッドである。
【００４４】
磁気記録素子Ｈ１は、いわゆるインダクティブヘッドであり、磁気検出素子Ｈ２は、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。
【００４５】
図１に示された磁気ヘッドは、例えばアルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）で形成されたスライダのトレーリング側端面上に形成される。スライダは、記録媒体との対向面と逆面側で、ステンレス材などによる弾性変形可能な支持部材と接合され、磁気ヘッド装置が構成される。
【００４６】
図１に示すように、スライダ２１のトレーリング側端面２１ａ上にＡｌ2Ｏ3膜２２を介してＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の下部シールド層２３が形成され、さらにその上であって、磁界読み取り部２４及び磁界読み取り部２４に電流を供給する電極層２５，２５及びＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の上部シールド層２７が形成されている。下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５及び上部シールド層２７は、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの絶縁材料からなる絶縁材料層２６中に形成されている。絶縁材料層２６のうち、下部シールド層２３と上部シールド層２７の間の部分がギャップ層２６ａである。
【００４７】
磁界読み取り部２４は、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子や異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である。図１では、膜面水平方向にセンス電流磁界を流す、いわゆるＣＩＰ型のＧＭＲ素子を図示している。従って、電極層２５，２５は磁界読み取り部２４の上面の両端部に接続されている。
【００４８】
電極層２５，２５は、例えば、Ａｕ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｐｄなどで形成される。電極層２５の膜厚は３００Å〜１５００Åである。
【００４９】
ただし、磁界読み取り部２４が、膜面垂直方向にセンス電流磁界を流す、いわゆるＣＰＰ型のＧＭＲ素子であってもよいし、また、トンネル磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ素子であってもよい。この場合、電極層２５，２５は、磁界読み取り部２４の上面及び下面に接続される。
【００５０】
上部シールド層及び下部シールド層の膜厚は、１．０μｍ〜３．０μｍである。
【００５１】
下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５、ギャップ層２６、上部シールド層２７が磁気検出素子Ｈ２を構成している。
【００５２】
図１では、磁界読み取り部２４上の電極層２５，２５間のトラック幅方向（Ｘ方向）の距離が、磁界読み取り部２４のトラック幅Ｔｒである。また、上部シールド層２７と下部シールド層２３間の距離はＧ２である。また、上部シールド層２７の下面から電極層２５，２５の上面までの距離をＧ２ａ、下部シールド層２３の上面から電極層２５，２５の下面までの距離をＧ２ｂとする。本実施の形態では、Ｇ２が０．０８μｍ、Ｇ２ａが０．０３μｍ、Ｇ２ｂが０．０２μｍである。
【００５３】
このような磁界読み取り部２４を備えた磁気検出素子が磁気ディスク等磁気媒体の磁気記録を再生するとき、磁界読み取り部２４は、上部シールド層２７、下部シールド層２３間に現れた磁気ディスクからの磁界を検知して、磁界により電気抵抗が変化する。そして、磁界読み取り部２４の電気抵抗変化から磁気記録を再生する。
【００５４】
なお、磁気検出素子からみたとき、記録媒体との対向面は、例えば磁気検出素子を構成する薄膜の膜面に垂直で且つ磁気検出素子のフリー磁性層の外部磁界（記録信号磁界）が印加されていないときの磁化方向と平行な平面である。図１では、記録媒体との対向面はＸ−Ｚ平面に平行な平面である。
【００５５】
また、トラック幅方向とは、外部磁界によって磁化方向が変動する領域の幅方向のことであり、例えば、フリー磁性層の外部磁界が印加されていないときの磁化方向、すなわち図示Ｘ方向である。トラック幅方向のフリー磁性層の幅寸法が磁気検出素子のトラック幅Ｔｒを規定する。
【００５６】
磁気検出素子Ｈ２上には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）やＳｉＯ2などの絶縁性材料からなる分離層２８を介して、ＮｉＦｅ等の磁性材料からなる下部コア層２９が形成されている。
【００５７】
下部コア層２９上には、先端面のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法が下部コア層２９の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、下部コア層２９に磁気的に接続されている下部磁極層３０、非磁性材料からなるギャップ層３１、先端面のトラック幅方向の幅寸法が上部コア層３４の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、上部コア層３４に磁気的に接続される上部磁極層３２が形成されている。本実施の形態において、下部コア層２９、下部磁極層３０、ギャップ層３１、上部磁極層３２、上部コア層３４の先端面とは、前記各層の記録媒体との対向面側の端面のことである。
【００５８】
下部磁極層３０、ギャップ層３１、及び上部磁極層３２の３層が記録コア部３３を構成している。下部磁極層３０、ギャップ層３１、及び上部磁極層３２の先端面のトラック幅方向寸法は等しくなっており、この先端面のトラック幅方向寸法が磁気記録素子Ｈ１のトラック幅寸法Ｔｗを規定している。
【００５９】
高記録密度化に対応した薄膜磁気ヘッドでは、トラック幅寸法Ｔｗは、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。また、下部磁極層３０の高さ寸法（厚み寸法）は、例えば０．２μｍ〜０．５μｍ程度、ギャップ層３１の高さ寸法（厚み寸法）は、例えば０．１μｍ〜０．１５μｍ程度、上部磁極層３２の高さ寸法（厚み寸法）は、例えば２．４〜２．７μｍ程度である。なお、上部コア層３４は、トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法で形成される。
【００６０】
上部コア層３４と下部コア層２９は、ＮｉＦｅなどによってメッキ形成されている。
【００６１】
上部磁極層３２及び下部磁極層３０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＣｏＮｉ、或いはＣｏＦｅＸ又はＦｅＮｉＸ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔのいずれか１または２種以上の元素である）の組成式で示される軟磁性材料のうちいずれか１種或いは２種以上を用いて形成される。
【００６２】
下部磁極層３０は、下部コア層２９上に直接メッキ形成されている。また下部磁極層３０の上に形成されたギャップ層３１は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層３１は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。なお、ギャップ層３１はＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁性材料を用いて形成されてもよい。
【００６３】
なお本発明における具体的な実施形態としてギャップ層３１にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰでギャップ層３１を形成することでギャップ層３１を適切に非磁性状態にできるからである。
【００６４】
上記のようにギャップ層３１がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層３０、ギャップ層３１及び上部磁極層３２を連続メッキ形成することが可能である。
【００６５】
なお記録コア部３３は、ギャップ層３１及び上部磁極層３２の２層で構成されていてもよい。
【００６６】
磁気記録素子Ｈ１の出力を大きくして、高記録密度化を促進するためには、記録下部コア層２９及び下部磁極層３０並びに上部コア層３４及び上部磁極層３２の飽和磁束密度を大きくすることが好ましい。また、磁気検出素子Ｈ２の上部シールド層２７と下部シールド層２３が、検出対象の信号磁界以外の磁界を効率よく遮断するようにするためには、上部シールド層２７と下部シールド層２３の透磁率が高いことが好ましい。
【００６７】
飽和磁束密度と透磁率の両方が大きい磁性材料を得ることは難しいので、本実施の形態では、上部コア層３４及び下部コア層２９を形成する磁性材料を選ぶときは飽和磁束密度が大きいものであることを優先させ、上部シールド層２７と下部シールド層２３の材料を選ぶときは透磁率が大きいものであることを優先させている。
【００６８】
その結果、本実施の形態では、下部コア層２９を形成する磁性材料は、上部シールド層２７を形成する磁性材料よりも飽和磁束密度が大きく、上部シールド層２７は、下部コア層２９より透磁率が大きくなっている。
【００６９】
なお、下部コア層の膜厚は１．０μｍ〜３．０μｍである。 上部コア層３４と上部磁極層３２は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。下部コア層２９と下部磁極層３０は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。
【００７０】
ただし、上部磁極層３２は、上部コア層３４よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料で形成されることが好ましい。また、下部磁極層３０は、下部コア層２９よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料で形成されることが好ましい。
【００７１】
下部コア層２９の両側部には、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの絶縁材料からなる絶縁材料層３５が形成されている。
【００７２】
磁気記録素子Ｈ１の上層には、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの絶縁材料からなる絶縁材料層３６が形成されている。
【００７３】
なお、磁気ヘッドが浮上式の磁気ヘッドに用いられる場合、記録媒体との対向面とは、いわゆるＡＢＳ面のことである。なお、後に説明する図４にも示されるように、記録媒体は磁気へッドの記録媒体との対向面に対向しており、図示Ｚ方向に移動する。この記録媒体からの洩れ磁界方向は図示Ｙ方向である。
【００７４】
図２は、図１に示された磁気検出素子Ｈ２を図１の上方向（図示Ｚ方向反対方向）からみた部分平面図である。
【００７５】
磁気検出素子Ｈ２の下部シールド層２３、上部シールド層２７及び電極層２５，２５は、前述のように絶縁材料層２６中に形成されているので、下部シールド層２３、上部シールド層２７、電極層２５，２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の奥側には絶縁材料層２６が形成されていることになる。磁界読み取り部２４、電極層２５，２５は、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【００７６】
図２に示されるように、下部シールド層２３では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＥ１である先端部２３ｅが形成されて、この先端部２３ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２３ｂとなっている。そして先端部２３ｅの前端面が露出面２３ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【００７７】
また、上部シールド層２７では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＦ１である先端部２７ｅが形成されて、この先端部２７ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２７ｂ，２７ｂとなっている。そして先端部２７ｅの前端面が露出面２７ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【００７８】
すなわち、この端面２６ｂにおける、下部シールド層２３の露出面２３ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１が下部シールド層２３のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２よりも小さくなっている。さらに、端面２６ｂにおける、上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｆ１が、上部シールド層２７のトラック幅方向の全幅寸法Ｆ２よりも小さくなっている。
【００７９】
従って、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂには、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の前面の一部分のみが露出することになり、下部シールド層２３及び上部シールド層２７表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【００８０】
さらに、下部シールド層２３や上部シールド層２７のスメアリングを低減することができるので、下部シールド層２３や上部シールド層２７と電極層２５，２５の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【００８１】
また、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂにおける電極層２５，２５の露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法（露出面２５ａ，２５ａの外側端面間距離）Ｉ１が、下部シールド層２３の露出面２３ａ及び上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１よりも、大きくなっている。
【００８２】
これにより効果的に、下部シールド層２３や上部シールド層２７と、電極層２５，２５の短絡を低減させることができる。
【００８３】
図３は、図１に示された磁気記録素子Ｈ１を図１の上方向（図示Ｚ方向反対方向）からみた部分平面図である。
【００８４】
磁気記録素子Ｈ１の下部コア層２９は、前述のように絶縁材料層３５中に形成されているので、下部コア層２９の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層３５が形成されていることになる。
【００８５】
図３に示されるように、下部コア層２９では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＪ１である先端部２９ｅが形成されて、この先端部２９ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２９ｂ，２９ｂとなっている。そして先端部２９ｅの前端面が露出面２９ａとして絶縁材料層３５の記録媒体との対向面側の端面３５ａに露出している。
【００８６】
すなわち、この端面３５ａにおける、下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１が下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２よりも小さくなっている。
【００８７】
従って、下部コア層２９の絶縁材料層３５の端面３５ａには、下部コア層２９の前面の一部分のみが露出することになり、下部コア層３５表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【００８８】
また、下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１を十分に細くすることにより、サイドフリンジングの発生を抑制することが可能である。
【００８９】
なお、図２及び図３では、下部シールド層２３の先端部２３ｅ、上部シールド層２７の先端部２７ｅ、及び下部コア層２９の先端部２９ｅのトラック幅方向の幅寸法はハイト方向に向かって一定になっている。ただし、これらの先端部２３ｅ、先端部２７ｅ、先端部２９ｅが、ハイト方向に奥側に向かうに従ってトラック幅方向の幅寸法が大きくなるものであってもよい。
【００９０】
図４は図１に示す磁気ヘッドをＤ−Ｄ線から切断し矢印方向から見た縦断面図である。
【００９１】
磁気検出素子Ｈ２の絶縁材料層２６は、上部シールド層２７及び下部シールド層２３のハイト方向（図示Ｙ方向）奥側にも形成されている。
【００９２】
磁気記録素子Ｈ１の下部コア層２９上にはＧｄ決め層４０が形成されている。上部磁極層３２とギャップ層３１の接合面の記録媒体との対向面側の端部からＧｄ決め層４０の先端部までの長さ寸法でギャップデプス（Ｇｄ）が規制される。Ｇｄ決め層４０は例えば非磁性有機絶縁材料からなるレジスト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性無機絶縁材料、またはＣｕなどの非磁性導電性材料などで形成される。
【００９３】
下部コア層２９上には、導電材料からなるメッキ下地層４１が積層されている。なお、図１では、メッキ下地層４１の図示を省略している。
【００９４】
記録媒体との対向面側では、メッキ下地層４１上に、記録コア部３３がメッキで形成されており、この記録コア部３３が絶縁材料層３６の記録媒体との対向面側の端面３６ａに露出している。
【００９５】
磁気ヘッドのハイト方向奥側では、メッキ下地層４１上に磁性金属材料の持ち上げ層４２がメッキで形成され、持ち上げ層４２が、下部コア層２９と磁気的に接続されている。
【００９６】
記録コア部３３および持ち上げ層４２を除く領域では、メッキ下地層４１およびＧｄ決め層４０を覆う絶縁下地層４３が形成されている。絶縁下地層４３の上には、第１のコイル層４４が設けられており、この第１のコイル層４４は、持ち上げ層４２の周囲に平面螺旋状となるようにメッキで形成されている。第１のコイル層４４のピッチ間は第１のコイル絶縁層４５で埋められており、また第１のコイル層４４の上面が第１のコイル絶縁層４５で覆われている。
【００９７】
第１のコイル絶縁層４５を形成する無機絶縁材料は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【００９８】
第１のコイル絶縁層４５上には、第２のコイル層４６が形成されている。第２のコイル層４６は、持ち上げ層４２の周囲に巻回された平面螺旋状であり、第１、第２のコイル層４４、４６は、中心部が第１のコイル絶縁層４５を貫通して互いに接続されている。
【００９９】
第２のコイル絶縁層４７は、レジスト等の有機絶縁材料からなり、第２のコイル層４６のピッチ間を埋めると共に、第２のコイル層の上面を覆っている。
【０１００】
上部コア層３４はメッキで形成されたものであり、基部３４ａが持ち上げ層４２に接続された状態で第２のコイル絶縁層４７を覆うように形成され、先端部３４ｂが記録コア部３３の上部磁極層３２の上面に磁気的に接続されている。
【０１０１】
また、上部コア層３４の先端部３４ｂは、絶縁材料層３６の記録媒体との対向面側の端面３６ａに露出することなく、端面３６ａからハイト方向へ後退した位置を起点として記録コア部３３から離れるに従って端面３６ａから離れるような傾斜面３４ｃを有している。
【０１０２】
絶縁材料層３６は磁気記録素子Ｈ１を覆っている。
また、図２ないし図４に示されるように、絶縁材料層２６、絶縁材料層３６、下部シールド層の露出面２３ａ、上部シールド層２７の露出面２７ａ、下部コア層２９の露出面２９ａ、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５、磁気コア部３３は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの絶縁性材料からなる保護膜３７に覆われている。図１は、保護膜３７がない状態での正面図である。
【０１０３】
第１コイル層４４及び第２コイル層４６に記録電流が与えられると、下部コア層２９及び上部コア層３４に記録磁界が誘導され、ギャップ層３１を介して対向する下部磁極層３０及び上部磁極層３２間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０１０４】
磁気記録素子からみた場合、トラック幅方向とは下部磁極層３０及び上部磁極層３２を流れる磁路の方向に垂直な方向である。
【０１０５】
なお記録コア部３３は、ギャップ層３１及び上部磁極層３２のみで構成されていてもよい。また、上部磁極層３２は２層以上の磁性層によって形成されてもよい。
【０１０６】
本実施の形態では、図２に示されるように、下部シールド層２３の、トラック幅方向の全幅寸法Ｅ２が、ハイト方向の全長寸法Ｅ３より大きい。また、上部シールド層２７のトラック幅方向の全幅寸法Ｆ２が、ハイト方向の全長寸法Ｆ３より大きい。
【０１０７】
さらに、図３に示されるように、磁気記録素子Ｈ２の下部コア層２９は、そのトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２が、ハイト方向の全長寸法Ｊ３より大きくなっている。
【０１０８】
下部シールド層２３、上部シールド層２７、下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きいと、形状磁気異方性がトラック幅方向をむき、磁化方向がトラック幅方向を向いている磁区の面積を大きくすることが容易になる。
【０１０９】
図５は、下部コア層２９の磁区構造の１例を示す平面図である。下部コア層の磁区構造は、例えばカー効果偏光顕微鏡を用いて観察することができる。
【０１１０】
磁化方向がトラック幅方向（図示Ｘ方向）を向いている磁区２９ｆの総面積が、還流磁区２９ｇの総面積より大きくなっている。なお、還流磁区とは、下部コナ層２９内で静磁エネルギーを低く保つように、磁束が表面につきあたって表面磁荷を作らないように磁束を還流する磁区のことである。
【０１１１】
すなわち、下部コア層２９のトラック幅方向の磁気異方性エネルギーが、ハイト方向の磁気異方性エネルギーより小さくなっており、下部コア層２９はトラック幅方向が磁化容易軸方向である。
【０１１２】
第１コイル層４４及び第２コイル層４６を流れる信号電流によって発生した誘導磁界は、上部コア層３４及び下部コア層２９内をトラック幅方向に垂直な方向に流れる。従って、下部コア層２９の磁化容易軸方向がトラック幅方向であると磁気ヒステリシスが最小になるので、下部コア層２９の保磁力及びヒステリシス損失が低下し、記録信号の高周波化・高速記録化に適切に対応できる磁気記録素子を提供できる。
【０１１３】
同様にして、トラック幅方向の全幅寸法がハイト方向の全長寸法より大きい下部シールド層２３、上部シールド層２７も、磁化方向がトラック幅方向を向いている磁区の総面積が大きく、磁化容易軸方向がトラック幅方向であることを確認できる。
【０１１４】
上部シールド層２７、下部シールド層２３は、上部シールド層２７、下部シールド層２３間にある記録媒体からの磁界以外の余分な磁界を吸収遮蔽するものである。上部シールド層２７、下部シールド層２３の磁化容易軸方向がトラック幅方向であると保磁力が低下してトラック幅方向に垂直な方向（洩れ磁界方向）の透磁率が大きくなり、シールド機能が向上する。従って、記録媒体の高線記録密度化、狭トラック幅化に適切に対応できる磁気検出素子を提供できる。
【０１１５】
図６及び図７は、本発明における下部コア層の他の形状を示す平面図である。図６に示される下部コア層５０は、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＫ１である先端部５０ｂが形成されている点では図５の下部コア層２９と同じである。しかし、先端部５０ｂより後方には、トラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面が形成されておらず、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに平行な平面部５０ｃ，５０ｃが形成されている。
【０１１６】
そして先端部５０ｂの前端面が露出面５０ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１１７】
また、図７に示される下部コア層５１では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＬ１である先端部５１ｂが形成されて、この先端部５１ｂより後方は、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに平行な平面部５１ｃ１，５１ｃ１と、平面部５１ｃ１，５１ｃ１に連続して形成されているトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面５１ｃ２，５１ｃ２となっている。そして先端部５１ｂの前端面が露出面５１ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１１８】
図６でも、この端面２６ｂにおける、下部コア層５０の露出面５０ａのトラック幅方向の幅寸法Ｋ１が下部コア層５０のトラック幅方向の全幅寸法Ｋ２よりも小さくなっている。また、端面２６ｂにおける、下部コア層５１の露出面５１ａのトラック幅方向の幅寸法Ｌ１が下部コア層５１のトラック幅方向の全幅寸法Ｌ２よりも小さくなっている。
【０１１９】
従って、絶縁材料層２６の端面２６ｂには、下部コア層５０または５１の前面の一部分のみが露出することになり、下部コア層５０または５１表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０１２０】
また、下部コア層５０または５１の露出面５０ａまたは５１ａのトラック幅方向の幅寸法Ｋ１またはＬ１を十分に細くすることにより、サイドフリンジングの発生を抑制することが可能である。
【０１２１】
なお、図６及び図７では、下部コア層５０の先端部５０ｂ、下部コア層５１の先端部５１ｂのトラック幅方向の幅寸法はハイト方向の奥側に向かって一定になっている。ただし、これらの先端部５０ｂ、先端部５１ｂが、ハイト方向に奥側に向かうに従ってトラック幅方向の幅寸法が大きくなるものであってもよい。
【０１２２】
下部コア層５０は、トラック幅方向の全幅寸法Ｋ２がハイト方向の全長寸法Ｋ３より大きい。また、下部コア層５１は、トラック幅方向の全幅寸法Ｌ２がハイト方向の全長寸法Ｌ３より大きい。
【０１２３】
従って、下部コア層５０及び５１も磁化容易軸方向がトラック幅方向であり、磁気ヒステリシスが最小になるので、下部コア層２９の保持力及びヒステリシス損失が低下し、記録信号の高周波化・高速記録化に適切に対応できる磁気記録素子を提供できる。
【０１２４】
なお、下部シールド層２３、上部シールド層２７の代わりに、図６に示される下部コア層５０ような、先端部２３ｅ、２７ｅより後方に絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに平行な平面部が形成されている下部シールド層、上部シールド層が形成されてもよい。
【０１２５】
または、図７に示される下部コア層５１ような、先端部２３ｅ、２７ｅより後方に絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに平行な平面部と、前記平面部に連続して形成されているトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面が形成されている下部シールド層、上部シールド層が形成されてもよい。
【０１２６】
また、図３において、上部シールド層２７を点線で示しているが、このように、下部コア層２９は上部シールド層２７の上層に形成され、上部シールド層２７に重なる領域内に、下部コア層２９の各縁部が形成されている。下部コア層２９の各縁部とは、先端部２９ｅの側端面２９ｅ１，２９ｅ１、傾斜面２９ｂ，２９ｂ、側端面２９ｃ，２９ｃ、及び後端面２９ｄのことである。
【０１２７】
すなわち、下部コア層２９は上部シールド層２７に完全に重なるように形成されており、下部コア層２９を安定した形状で形成することができ、下部コア層の磁気特性を向上させることができる。
【０１２８】
なお、図１ないし図４に示された実施の形態の磁気ヘッドでは、下部シールド層２３、上部シールド層２７、及び下部コア層２９の３層とも、絶縁材料層２６または３５の記録媒体との対向面側の端面２６ｂまたは３５ａにおける、露出面２３ａ、２７ａ、２９ａのトラック幅方向の幅寸法がそれぞれの層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっている。
【０１２９】
しかし、本発明には、下部シールド層２３、上部シールド層２７、または下部コア層２９のうちいずれか１層だけで、端面２６ｂまたは３５ａにおける露出面のトラック幅方向の幅寸法がその層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっているものも含まれる。
【０１３０】
ただし、下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１が、下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２よりも小さくなっているだけであって、下部シールド層２３、上部シールド層２７の両層で、露出面２３ａ及び２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１がそれぞれの層のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２及びＦ２よりも小さくなっていない場合には、必ず下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２を、ハイト方向の全長寸法Ｊ３より大きくして、形状磁気異方性をトラック幅方向に向かせている。
【０１３１】
また、下部シールド層２３、上部シールド層２７、または下部コア層２９のうちのいずれか２層だけで、端面２６ｂまたは３５ａにおける露出面のトラック幅方向の幅寸法がそれぞれの層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっているものも含まれる。
【０１３２】
また、電極層２５，２５の端面２６ｂにおける露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法Ｉ１は、下部シールド層２３の露出面２３ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１と上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｆ１うち一方よりも小さければよい。
【０１３３】
図８は、本発明の第２の実施の形態の磁気へッドを記録媒体からの対向面側からみた部分正面図である。
【０１３４】
図８の磁気ヘッドは、磁気記録素子Ｈ１の下部コア層２９が磁気検出素子Ｈ４の上部シールド層としても機能し、図１の磁気ヘッドに形成されていた独立した上部シールド層２７が形成されていない点で、図１ないし図４に示された磁気ヘッドと異っている。
【０１３５】
磁気検出素子Ｈ４は、下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、及び電極層２５，２５が絶縁材料層２６内に形成され、磁界読み取り部２４の上に絶縁材料層２６を介して上部シールド層として機能する下部コア層２９が積層されたものである。
【０１３６】
下部シールド層２３と磁界読み取り部２４の間及び磁界読み取り部２４と下部コア層２９の間の絶縁材料層２６がギャップ層２６ａである。
【０１３７】
図８において、図１の磁気ヘッドと同じ部材には、同じ符号をつけている。図８において、磁気記録素子Ｈ１は図１のものと同じである。
【０１３８】
図８に示された磁気ヘッドでも、磁気検出素子Ｈ４の下部シールド層２３及び電極層２５，２５は、絶縁材料層２６中に形成されており、下部シールド層２３、電極層２５，２５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の奥側には絶縁材料層２６が形成されている。
【０１３９】
また、図８の磁気へッドでも、下部シールド層２３の平面形状は図２に示された形状であり、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＥ１である先端部２３ｅが形成されて、この先端部２３ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２３ｂとなっている。そして先端部２３ｅの前端面が露出面２３ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１４０】
また、下部コア層２９は、絶縁材料層３５中に形成されており、下部コア層２９の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層３５が形成されている。
【０１４１】
図８の磁気へッドでも、下部コア層２９の平面形状は図３に示された形状であり、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＪ１である先端部２９ｅが形成されて、この先端部２９ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２９ｂ，２９ｂとなっている。そして先端部２９ｅの前端面が露出面２９ａとして絶縁材料層３５の記録媒体との対向面側の端面３５ａに露出している。
【０１４２】
すなわち、この端面２６ｂにおける、下部シールド層２３の露出面２３ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１が下部シールド層２３のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２よりも小さくなっている。また、端面３５ａにおける、下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１が下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２よりも小さくなっている。
【０１４３】
従って、下部シールド層２３の絶縁材料層２６の端面２６ｂには、下部シールド層２３の前面の一部分のみが露出し、下部コア層２９の絶縁材料層３５の端面３５ａには、下部コア層２９の前面の一部分のみが露出することになり、下部シールド層２３及び下部コア層２９表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０１４４】
さらに、下部シールド層２３及び下部コア層２９のスメアリングを低減することができるので、下部シールド層２３や下部コア層２９と電極層２５，２５の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【０１４５】
また、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂにおける電極層２５，２５の露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法（露出面２５ａ，２５ａの外側端面間距離）Ｉ１が、下部シールド層２３の露出面２３ａ及び下部コア層２９の露出面２９ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＪ１よりも、大きくなっている。
【０１４６】
これにより効果的に、下部シールド層２３や下部コア層２９と、電極層２５，２５の短絡を低減させることができる。
【０１４７】
また、図１から図４に示された磁気ヘッド、及び図８に示された磁気ヘッドは、上部コア層３４と下部コア層２９の間に、下部磁極層３０、ギャップ層３１、及び上部磁極層３２からなる磁気コア部３３が形成されたものである。しかし、本発明は、図９に示される本発明の第３の実施の形態のように上部コア層５２と下部コア層２９の間に非磁性材料からなるギャップ層５３のみが形成されるものであってもよい。ただし、上部コア層５２の先端面５２ａは、絶縁材料層３６の端面３６ａに露出する。
【０１４８】
図９に示された磁気ヘッドでは、上部コア層５２の先端面５２ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法で磁気記録素子のトラック幅寸法Ｔｗがきまる。
【０１４９】
図１０は、本発明の第４の実施の形態の磁気へッドを記録媒体からの対向面側からみた部分正面図である。
【０１５０】
図１０の磁気ヘッドは、ＧＭＲ素子である磁界読み取り部２４の上面と下面にセンス電流を供給するための電極層６０、６０が形成されている。すなわち、磁気検出素子Ｈ６が、ＧＭＲ素子を構成するフリー磁性層、非磁性材料層、固定磁性層などの各膜面に対し垂直方向からセンス電流を流すＣＰＰ（current perpendicular to the plane）型の磁気検出素子である点で、図１ないし図４の磁気ヘッドと異なっている。
【０１５１】
磁界読み取り部２４（ＧＭＲ素子）のフリー磁性層の上面の幅で決められるトラック幅寸法をＴｗ、磁界読み取り部２４の膜厚をＴ、磁界読み取り部２４のハイト方向への長さをＭＲｈとすると、ＣＰＰ型の場合は、以下のように出力（ΔＶ）が変化する。
【０１５２】
電流密度（Ｊ＝Ｉ／（Ｔｗ×ＭＲｈ））と膜厚Ｔを一定とし、前記トラック幅Ｔｗとハイト長さＭＲｈを１／Ｓ倍に縮小したとすると、磁界読み取り部２４の抵抗値ＲはＳ2倍となり、よって抵抗変化量ΔＲもＳ2倍となる。またセンス電流Ｉは１／Ｓ2倍となる。したがって出力ΔＶ（＝ΔＲ×Ｉ）は一定である。
【０１５３】
一方、発熱量（Ｐ）を一定として、前記トラック幅Ｔｗとハイト長さＭＲｈを１／Ｓ倍に縮小したとすると、磁界読み取り部２４の抵抗値ＲはＳ2倍となり、よって抵抗変化量ΔＲもＳ2倍となる。またセンス電流Ｉは１／Ｓ倍となるから、出力ΔＶはＳ倍に大きくなる。
【０１５４】
このように素子サイズを小さくしていくと、ＣＩＰ型よりもＣＰＰ型にする方が出力を大きくでき、ＣＰＰ型は、今後の高記録密度化に伴う素子サイズの狭小化に適切に対応できる構造である。
【０１５５】
図１０において、図１の磁気ヘッドと同じ部材には、同じ符号をつけている。図１０において、磁気記録素子Ｈ１は図１のものと同じである。
【０１５６】
図１０に示された磁気ヘッドでも、磁気検出素子Ｈ６の下部シールド層２３、上部シールド層２７及び電極層６０，６０は、絶縁材料層２６中に形成されており、下部シールド層２３、上部シールド層２７、及び電極層６０，６０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の奥側には絶縁材料層２６が形成されている。
【０１５７】
また、図１０の磁気へッドでも、下部シールド層２３の平面形状は図２に示された形状であり、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＥ１である先端部２３ｅが形成されて、この先端部２３ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２３ｂとなっている。そして先端部２３ｅの前端面が露出面２３ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１５８】
また、上部シールド層２７の平面形状も図２に示された形状であり、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＦ１である先端部２７ｅが形成されて、この先端部２７ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２７ｂとなっている。そして先端部２７ｅの前端面が露出面２７ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出している。
【０１５９】
すなわち、この端面２６ｂにおける、下部シールド層２３の露出面２３ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１が下部シールド層２３のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２よりも小さくなっている。また、端面２６ｂにおける、下部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｆ１が下部シールド層２７のトラック幅方向の全幅寸法Ｆ２よりも小さくなっている。
【０１６０】
従って、絶縁材料層２６の端面２６ｂには、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の前面の一部分のみが露出することになり、下部シールド層２３及び上部シールド層２７表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０１６１】
さらに、下部シールド層２３及び上部シールド層２７のスメアリングを低減することができるので、下部シールド層２３や上部シールド層２７と電極層６０，６０の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【０１６２】
また、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂにおける電極層６０，６０の露出面６０ａ，６０ａのトラック幅方向の幅寸法Ｍ１が、下部シールド層２３の露出面２３ａ及び上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１よりも、大きくなっている。
【０１６３】
これにより効果的に、下部シールド層２３や上部シールド層２７と、電極層６０，６０の短絡を低減させることができる。
【０１６４】
図１ないし図４に示された磁気ヘッドの製造方法を説明する。
スライダ２１となる基板上に、Ａｌ2Ｏ3膜２２を成膜し、このＡｌ2Ｏ3膜２２上にＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の下部シールド層２３をレジストフォトリソグラフィー及びフレームメッキ法或いはスパッタ法でパターン成膜する。その上にＡｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの絶縁材料からなる絶縁材料層２６、磁界読み取り部２４及び磁界読み取り部２４に電流を供給する電極層２５，２５をレジストフォトリソグラフィー及びフレームメッキ法或いはスパッタ法でパターン成膜する。
【０１６５】
さらに、磁界読み取り部２４及び電極層２５，２５上に、絶縁材料層２６を積層した後、ＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の上部シールド層２７をレジストフォトリソグラフィー及びフレームメッキ法或いはスパッタ法でパターン成膜する。
【０１６６】
磁界読み取り部２４は、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子や異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である。図１では、膜面水平方向にセンス電流磁界を流す、いわゆるＣＩＰ型のＧＭＲ素子を図示している。従って、電極層２５，２５は磁界読み取り部２４の上面の両端部に接続されている。
【０１６７】
電極層２５，２５は、例えば、Ａｕ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｐｄなどで形成される。電極層２５の膜厚は３００Å〜１５００Åである。
【０１６８】
上部シールド層２７及び下部シールド層２３の膜厚は、１．０μｍ〜３．０μｍである。
【０１６９】
磁界読み取り部２４上の電極層２５，２５間のトラック幅方向（Ｘ方向）の距離で、磁界読み取り部２４のトラック幅Ｔｒを規定する。また、上部シールド層２７と下部シールド層２３間の距離はＧ２である。また、上部シールド層２７の下面から電極層２５，２５の上面までの距離をＧ２ａ、下部シールド層２３の上面から電極層２５，２５の下面までの距離をＧ２ｂとする。本実施の形態では、Ｇ２が０．０８μｍ、Ｇ２ａが０．０３μｍ、Ｇ２ｂが０．０２μｍである。
【０１７０】
図１１は、下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５、上部シールド層２７までパターン形成した状態の平面図である。
【０１７１】
図１１の状態では、下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５、上部シールド層２７のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の前側及び奥側は絶縁材料層２６によって囲まれている。
【０１７２】
図２に示されるように、下部シールド層２３では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＥ１である先端部２３ｅが形成されて、この先端部２３ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２３ｂとなっている。また、上部シールド層２７では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＦ１である先端部２７ｅが形成されて、この先端部２７ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２７ｂ，２７ｂとなっている。
【０１７３】
すなわち、下部シールド層２３の先端部２３ｅのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１が下部シールド層２３のトラック幅方向の全幅寸法Ｅ２よりも小さくなっている。さらに、上部シールド層２７の先端部２７ｅのトラック幅方向の幅寸法Ｆ１が、上部シールド層２７のトラック幅方向の全幅寸法Ｆ２よりも小さくなっている。
【０１７４】
図１１の状態では、下部シールド層２３の先端部２３ｅ、上部シールド層２７の先端部２７ｅ、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５はハイト方向の長さ寸法が、図２に示される完成した状態の磁気検出素子Ｈ２よりも長く形成されている。
【０１７５】
また、電極層２５，２５の露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法（露出面２５ａ，２５ａの外側端面間距離）Ｉ１を、下部シールド層２３の先端部２３ｅ及び上部シールド層２７の先端部２７ｅのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１よりも大きくしている。
【０１７６】
図１１の状態の磁気検出素子Ｈ２の上に、絶縁材料からなる分離層２８を積層した後、磁気記録素子Ｈ１を形成する。
【０１７７】
分離層２８の上に、下部コア層２９をレジストフォトリソグラフィー及びフレームメッキ法或いはスパッタ法でパターン形成する。
【０１７８】
さらに、下部コア層２９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の前側及び奥側を絶縁材料層３５で埋める。
【０１７９】
以下、図４も参照しつつ説明を続ける。
下部コア層２９上に、パーマロイなどの磁性材料で形成されたメッキ下地層４１を形成し、さらにメッキ下地層４１上の所定部分に、非磁性有機絶縁材料からなるレジスト、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの非磁性無機絶縁材料、またはＣｕなどの非磁性導電性材料などで形成されるＧｄ決め層４０を形成する。
【０１８０】
Ｇｄ決め層４０をレジストを用いて形成するときには、レジスト層を矩形状に形成した後、ポストベーク（熱処理）することで、前記レジスト層にだれを生じさせ、図４に示すように、前記レジスト層で形成されたＧｄ決め層４０の前端面に下部コア層４０から図示Ｚ方向に向かうに従って徐々にハイト方向（図示Ｙ方向）に傾斜する面を形成する。熱処理後、Ｇｄ決め層４０に紫外線を照射して、硬化させる。
【０１８１】
次に、下部磁極層３０、ギャップ層３１、上部磁極層３２を形成するためのレジストフレームを形成した後、前記レジストフレーム内で、下部磁極層３０、ギャップ層３１、上部磁極層３２をパルス電流を用いた電気メッキ法を用いて連続メッキ形成する。
【０１８２】
上部磁極層３２及び下部磁極層３０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＣｏＮｉ、或いはＣｏＦｅＸ又はＦｅＮｉＸ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔのいずれか１または２種以上の元素である）の組成式で示される軟磁性材料のうちいずれか１種或いは２種以上を用いて形成される。
【０１８３】
下部磁極層３０は、メッキ下地層４１上に直接メッキ形成されている。また下部磁極層３０の上に形成されたギャップ層３１は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層３１は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【０１８４】
なお本発明における具体的な実施形態としてギャップ層３１にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰでギャップ層３１を形成することでギャップ層３１を適切に非磁性状態にできるからである。
【０１８５】
また、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2（酸化ケイ素）を用いたギャップ層３１を成膜・パターン形成後、その上にＮｉＦｅやＣｏＦｅなどからなるメッキ下地層を設け、上部磁極層３２をメッキ形成してもよい。
【０１８６】
また、メッキ形成された記録コア部３３の両側面（図示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向（図示Ｘ方向）からイオンミリングで削り、記録コア部３３の幅寸法を小さくしてもよい。
【０１８７】
次に下部コア層２９のハイト方向奥側で、メッキ下地層４１上に磁性金属材料の持ち上げ層４２をメッキで形成する。
【０１８８】
さらに、記録コア部３３および持ち上げ層４２を除く領域では、メッキ下地層４１およびＧｄ決め層４０を覆う絶縁下地層４３を成膜し、絶縁下地層４３の上に、第１のコイル層４４をフレームメッキ形成する。第１のコイル層４４のピッチ間及び第１のコイル層４４の上面に第１のコイル絶縁層４５を積層する。
【０１８９】
第１のコイル絶縁層４５を形成する無機絶縁材料は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【０１９０】
そして、第１のコイル絶縁層４５の上面をＣＭＰ技術などを利用して削って平坦面とする。このとき、上部磁極層３２の上面及び持ち上げ層４２の上面が露出する。
【０１９１】
第１のコイル絶縁層４５上に、第２のコイル層４６をフレームメッキ形成する。第２のコイル層４６も、持ち上げ層４２の周囲に巻回された平面螺旋状であり、第１、第２のコイル層４４、４６は、中心部が第１のコイル絶縁層４５を貫通して互いに接続される。
【０１９２】
さらに、第２のコイル層４６のピッチ間及び第２のコイル層の上面を、レジスト等の有機絶縁材料からなる第２のコイル絶縁層４７で覆い、第２のコイル絶縁層４７にＮｉＦｅによって上部コア層３４をフレームメッキ形成する。
【０１９３】
上部コア層３４は、基部３４ａが持ち上げ層４２に接続され、先端部３４ｂが記録コア部３３の上部磁極層３２の上面に磁気的に接続されるように形成される。
【０１９４】
上部コア層３４の形成後、上部コア層３４の上及び第２のコイル絶縁層４７上に絶縁材料層３６を積層する。
【０１９５】
図１２の状態では、下部コア層２９のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側部及びハイト方向（図示Ｙ方向）の前側及び奥側は絶縁材料層３５によって囲まれている。
【０１９６】
図１２に示されるように、下部コア層２９では、トラック幅方向の幅寸法が一定の大きさＪ１である先端部２９ｅが形成されて、この先端部２９ｅより後方はトラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる傾斜面２９ｂ，２９ｂとなっている。
【０１９７】
すなわち、下部コア層２９の先端部２９ｅのトラック幅方向の幅寸法Ｊ１が下部コア層２９のトラック幅方向の全幅寸法Ｊ２よりも小さくなっている。
【０１９８】
図１２の状態では、下部コア層２９の先端部２９ｅはハイト方向の長さ寸法が、図３に示される完成した状態の磁気記録素子Ｈ１よりも長く形成されている。
【０１９９】
また、図１２において、上部シールド層２７を点線で示しているが、このように、上部シールド層２７に重なる領域内に下部コア層２９の各縁部が形成されている。下部コア層２９の各縁部とは、先端部２９ｅの側端面２９ｅ１，２９ｅ１、傾斜面２９ｂ，２９ｂ、側端面２９ｃ，２９ｃ、及び後端面２９ｄのことである。
【０２００】
すなわち、下部コア層２９は上部シールド層２７の領域内に形成されており、下部コア層２９を安定した形状で形成することができ、下部コア層の磁気特性を向上させることができる。
【０２０１】
一旦、絶縁材料層３６まで積層した後、磁気検出素子Ｈ２の磁界読み取り部２４の直流抵抗値を調節するために、磁界読み取り部２４のハイト方向長さ寸法を調節する。
【０２０２】
磁界読み取り部２４のハイト方向長さ寸法の調節は、図１１及び図１２の状態の基板ごと図示Ｙ方向に向けて研削し、磁界読み取り部２４をハイト方向奥側に研削することによって行なう。
【０２０３】
このとき、図１１及び図１２の状態における下部シールド層２３の先端部２３ｅのハイト方向前側（図示Ｙ方向反対側）の端面２３ａ１、磁界読み取り部２４の先端部２４ｅのハイト方向前側の端面２４ａ１、電極部２５，２５のハイト方向前側の端面２５ａ１，２５ａ１、上部シールド層２７の先端部２７ｅのハイト方向前側の端面２７ａ１、下部コア層２９の先端部２９ｅのハイト方向前側の端面２９ａ１から、下部シールド層２３、磁界読み取り部２４、電極部２５，２５、上部シールド層２７、及び下部コア層２９が同時に削られていく。
【０２０４】
そして、図１１及び図１２の、例えば一点鎖線Ｏで示されるところまで削られたときに、磁界読み取り部２４の直流抵抗値が規定の値になり、図１ないし図４に示された磁気ヘッドになる。
【０２０５】
つまり、下部シールド層２３の先端部２３ｅの前端面が露出面２３ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出する。そして上部シールド層２７の先端部２７ｅの前端面が露出面２７ａとして絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂに露出する。また、磁界読み取り部２４、電極層２５，２５も端面２６ｂに露出する。
【０２０６】
さらに、下部コア層２９の先端部２９ｅの前端面が露出面２９ａとして絶縁材料層３５の記録媒体との対向面側の端面３５ａに露出する。また、磁気コア部３３は絶縁材料層３６の記録媒体との対向面側の端面３６ａに露出する。
【０２０７】
磁界読み取り部２４の直流抵抗値を調節した後、絶縁材料層２６、３５、３６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂ、３５ａ、３６ａを保護膜３７で覆う。
【０２０８】
上述のように、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の絶縁材料層２６の端面２６ｂには、下部シールド層２３及び上部シールド層２７の前面の一部分のみが露出することになり、下部シールド層２３及び上部シールド層２７表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０２０９】
さらに、下部シールド層２３や上部シールド層２７のスメアリングを低減することができるので、下部シールド層２３や上部シールド層２７と電極層２５，２５の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【０２１０】
また、絶縁材料層２６の記録媒体との対向面側の端面２６ｂにおける電極層２５，２５の露出面２５ａ，２５ａのトラック幅方向の幅寸法（露出面２５ａ，２５ａの外側端面間距離）Ｉ１が、下部シールド層２３の露出面２３ａ及び上部シールド層２７の露出面２７ａのトラック幅方向の幅寸法Ｅ１及びＦ１よりも、大きくなっている。
【０２１１】
これにより効果的に、下部シールド層２３や上部シールド層２７と、電極層２５，２５の短絡を低減させることができる。
【０２１２】
また、下部コア層２９の絶縁材料層３５の端面３５ａには、下部コア層２９の前面の一部分のみが露出することになり、下部コア層３５表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。このことからも、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０２１３】
なお、図１の正面図は模式図的に示したものであり、記録コア部３３が下部コア層２９表面から矩形状に立ち上がって形成されていなくてもよい。例えば、下部磁極層３０の両側端面から上部磁極層３２の両側端面にかけてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる、記録媒体との対向面と平行な断面形状が略逆台形状であったり、あるいは下部磁極層３０の記録媒体との対向面と平行な断面形状が略台形状で、その上に形成される、ギャップ層３１から上部磁極層３２までの記録媒体との対向面と平行な断面形状が略逆台形状であるような形状であってもかまわない。
【０２１４】
以上本発明をその好ましい実施例に関して述べたが、本発明の範囲から逸脱しない範囲で様々な変更を加えることができる。
【０２１５】
なお、上述した実施例はあくまでも例示であり、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。
【０２１６】
【発明の効果】
本発明では、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が各層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくなっている。
【０２１７】
すなわち、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層の、前記絶縁材料層の前記端面における露出面積を従来よりも小さくできるので、前記下部シールド層及び／又は上部シールド層表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。特に、本発明の磁気ヘッドを浮上式磁気ヘッドとして使用するときに、磁気へッドの記録媒体上の浮上距離の極小化を進めることが容易になり、高記録密度化を促進できる。
【０２１８】
さらに、下部シールド層や上部シールド層のスメアリングを低減することができるので、電極層の短絡も低減させることができ、磁気検出素子の狭ギャップ化も容易になり、線記録密度のさらなる向上への対応ができる。
【０２１９】
また、本発明では、前記下部シールド層の前記露出面と前記上部シールド層の前記露出面のうち少なくとも一方のトラック幅方向の幅寸法を、前記電極層の前記露出面のトラック幅方向の幅寸法より小さくできるのでより効果的に、下部シールド層や上部シールド層と、電極層の短絡を低減させることができる。
【０２２０】
また、本発明では、前記絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における、前記下部コア層の露出面のトラック幅方向の幅寸法を、前記下部コア層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さくすることにより、前記下部コア層の前記露出面の面積も、従来より小さくすることができる。従って前記下部コア層表面の傷、砥粒の残留を低減することができる。
【０２２１】
また、前記下部コア層のトラック幅方向の全幅寸法を、ハイト方向の全長寸法より大きくして、前記下部コア層の形状異方性をトラック幅方向に向かせ、トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積を大きくできる。トラック幅方向に磁化方向が向いた磁区の面積が大きい前記下部コア層であれば、記録信号電流によって発生した誘導磁界による磁気ヒステリシスが最小になるので、前記下部コア層の保磁力及びヒステリシス損失が低下し、記録信号の高周波化・高速記録化に適切に対応できる磁気記録素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の磁気へッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図２】図１に示された磁気検出素子Ｈ２の部分平面図、
【図３】図１に示された磁気記録素子Ｈ１の部分平面図、
【図４】図１に示された磁気ヘッドの縦断面図、
【図５】図１に示された磁気記録素子Ｈ１の下部コア層２９の平面図、
【図６】本発明における下部コア層の他の形状を示す平面図、
【図７】本発明における下部コア層の他の形状を示す平面図、
【図８】本発明の第２の実施の形態の磁気へッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図９】本発明の第３の実施の形態の磁気へッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図１０】本発明の第４の実施の形態の磁気へッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図１１】図１に示された磁気ヘッドの一製造工程を示す平面図、
【図１２】図１に示された磁気ヘッドの一製造工程を示す平面図、
【図１３】従来の磁気ヘッドを記録媒体との対向面側から見た正面図、
【図１４】従来の磁気ヘッドの一製造工程を示す平面図、
【図１５】従来の磁気ヘッドの一製造工程を示す平面図、
【符号の説明】
２１ スライダ
２３ 下部シールド層
２４ 磁界読み取り部
２５ 電極層
２６、３５、３６ 絶縁材料層
２７ 上部シールド層
２８ 分離層
２９ 下部コア層
３０ 下部磁極層
３１ ギャップ層
３２ 上部磁極層
３３ 磁気コア部
３４ 上部コア層
Ｈ１ 磁気記録素子
Ｈ２ 磁気検出素子
Claims (10)
- 下部シールド層、磁界読み取り部、前記磁界読み取り部に電流を供給するための電極層、及び上部シールド層を有する磁気検出素子を有する磁気ヘッドにおいて、
前記磁気検出素子の前記下部シールド層と前記上部シールド層の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層が形成されており、この絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における前記下部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記下部シールド層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さいこと、及び／又は、前記絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における前記上部シールド層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部シールド層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さく
前記磁気検出素子の前記電極層の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層が形成されており、この絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における、前記電極層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記下部シールド層の前記露出面と前記上部シールド層の前記露出面のうち、少なくとも一方のトラック幅方向の幅寸法よりも大きいことを特徴とする磁気ヘッド。 - 前記下部シールド層及び／又は前記上部シールド層の、トラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きい請求項１記載の磁気ヘッド。
- 前記磁気検出素子に重ねられて、下部コア層、上部コア層、コイル層及び前記下部コア層と前記上部コア層の間に形成される非磁性材料からなるギャップ層を有する磁気記録素子が形成されている請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
- 前記下部コア層の両側部及びハイト方向の奥側には絶縁材料層が形成されており、この絶縁材料層の記録媒体との対向面側の端面における、前記下部コア層の露出面のトラック幅方向の幅寸法が、前記下部コア層のトラック幅方向の全幅寸法よりも小さい請求項３に記載の磁気ヘッド。
- 前記磁気記録素子の前記下部コア層は、そのトラック幅方向の全幅寸法が、ハイト方向の全長寸法より大きい請求項３または４に記載の磁気ヘッド。
- 前記下部コア層は前記上部シールド層の上層に形成され、前記下部コア層の前記上部シールド層に重なる領域内に、前記下部コア層の各縁部が形成されている請求項３ないし５のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記下部コア層を形成する磁性材料は、前記上部シールド層を形成する磁性材料よりも飽和磁束密度が大きい請求項３ないし６のうちいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記上部シールド層は、前記下部コア層より透磁率が大きい請求項３ないし７のうちいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記磁気記録素子の前記ギャップ層と前記上部コア層の間には、先端面のトラック幅方向の幅寸法が前記上部コア層の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、前記上部コア層に磁気的に接続されている上部磁極層が形成されている請求項３ないし８のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記磁気記録素子の前記ギャップ層と前記下部コア層の間には、先端面のトラック幅方向の幅寸法が前記下部コア層の先端面のトラック幅方向の幅寸法よりも小さく、前記下部コア層に磁気的に接続されている下部磁極層が形成されている請求項３ないし９のいずれかに記載の磁気ヘッド。
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