JP4687574B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、例えば、ディスクなどの記録媒体の媒体面に対して磁界を与えて記録を行う薄膜磁気ヘッドに係り、特に、放熱効果を損なわず、ＰＴＰ（Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）の発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドに関する。

記録ヘッドは、基本的に、下記特許文献１の図７に記載されている層構造を有する。すなわち下部コア層（特許文献１の下部磁極）と、上部コア層（特許文献１の上部磁極）とコイル層とを有する。前記下部コア層と上部コア層は記録媒体との対向面で非磁性のギャップ層を介して膜厚方向にて対向している。前記下部コア層と前記上部コア層の後方部は、磁気的に接続されている。前記コイル層は、前記対向面よりも後方にて前記下部コア層と前記上部コア層との間に位置している。

前記上部コア層の前端面及び前記下部コア層の前端面は共に前記対向面にて露出している。前記上部コア層の前端面はトラック幅Ｔｗで露出している。前記下部コア層の前端面の面積は、前記上部コア層の前端面の面積に比べて非常に大きく形成されている。
特開２００４−２４７００１号公報 特開２００２−２３７００７号公報 特開２００３−１３２５０７号公報

ところで、記録ヘッドを使用する環境温度の上昇やコイルからの発熱によって記録ヘッド内部の温度が高くなると、他の部位に比べて前記対向面で非常に大きい露出面積を占める前記下部コア層の前端面が、前記下部コア層の周囲の絶縁材料等との間での熱膨張係数の違いによって前記対向面から突出するという、いわゆるＰＴＰ（Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）といわれる現象が発生する。前記ＰＴＰの発生によって前記下部コア層の前端面が記録媒体に衝突しやすくなる。

一方、前記ＰＴＰの発生を抑制する際、前記下部コア層による放熱効果を損なわないようにしなければならない。

前記下部コア層は前記コイル層と膜厚方向にて大きな体積にて対向している。前記下部コア層は、前記コイル層から発せられた熱を、スライダ側へ逃がす放熱機能を有するが、前記下部コア層による放熱効果を損なわず、前記ＰＴＰの発生の抑制のために前記下部コア層の形状を改良することが必要である。

また、前記下部コア層の形状の改良は、記録効率が低下しないようにしなければならない。

また、前記記録ヘッドの下側であってスライダとの間には、再生ヘッドが設けられる。前記再生ヘッドは、下部シールド層、及び上部シールド層と、両シールド層間に介在するＧＭＲ素子等の磁気検出素子とを有して構成される。前記上部シールド層と下部コア層間には絶縁性の分離層が設けられている。前記上部シールド層は前記下部コア層と距離的に近く、また前記対向面にて露出する前端面の面積も比較的大きいことからＰＴＰの発生の更なる抑制には、前記上部シールド層も含めて考えることが必要である。

上記した特許文献１では、上記とほぼ同じ問題を提起しているが、その解決策として、下部シールド層と上部シールド層の膜厚の和を規制している。

しかし、ＰＴＰの発生を抑制すべく下部コア層の形状の改良はなされていない。また特許文献１は、結局、シールド膜厚を全体的に薄くすることで、熱変形を抑制するというものであるが、膜厚を全体的に薄くしてしまうと放熱効果が低下するので好ましくない。

特許文献２，特許文献３は、いずれも上記したＰＴＰの発生を問題としていない。すなわちこれら文献は、ＰＴＰの発生を抑制すべく下部コア層の形状を改善するといったものではない。

そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、放熱効果を損なわず、ＰＴＰ（Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。

本発明における薄膜磁気ヘッドは、
膜厚方向にて間隔を空けて対向する第１磁性層及び第２磁性層と、前記第１磁性層及び前記第２磁性層の間に位置するコイル層と、を有し、
前記第２磁性層は、前記第１磁性層よりも上側に形成され、前記第２磁性層の前端面の幅寸法でトラック幅が規制されるか、あるいは、前記第２磁性層は、前記トラック幅を規制する磁極層と重ねられており、
前記第１磁性層の前端面は、記録媒体との対向面に露出し、前記第１磁性層の前方部の下面は、前記前方部の後方側から前記前端面に向かって、上方に向けて形成され、
前記第１磁性層の前記前端面での膜厚は、少なくとも一部で、前記第１磁性層の前記コイル層と膜厚方向で対向する位置での最大膜厚に比べて薄く形成されており、
前記第１磁性層の下側に、下部シールド層、上部シールド層、及び前記下部シールド層と前記上部シールド層間に位置する磁気検出素子とを有し、前記第１磁性層と前記上部シールド層とが間隔を空けて対向しており、
前記上部シールド層の前方部の上面が、前記前方部の後方側から前記前端面に向かって膜厚が薄くなるように下方向に向けて形成されており、
前記上部シールド層の前端面は前記対向面に露出し、前記上部シールド層の前記前端面での膜厚の少なくとも一部が、前記第１磁性層を介して、前記コイル層と膜厚方向で対向する位置での最大膜厚に比べて薄く形成されており、
前記前端面を除く前記第１磁性層の周囲、前記前端面を除く前記上部シールド層の周囲、前記第１磁性層の前方部の下面と前記対向面間、前記上部シールド層の前方部の上面と前記対向面間、及び、前記第１磁性層と前記上部シールド層との間には無機絶縁層が形成されており、
前記無機絶縁層は、前記第１磁性層よりも熱膨張係数が低いことを特徴とするものである。

本発明では、これにより、放熱効果を損なわず、ＰＴＰの発生を抑制することが可能である。しかも、ギャップ近傍にスムーズに記録磁界を誘導でき、良好な記録特性を得ることができる。

また本発明では、前記第１磁性層上には前記第１磁性層と磁気的に接続されるとともに、前端面が前記対向面に露出する隆起層が形成され、前記第１磁性層と前記隆起層とを含めた下部磁性部の前端面のうち、少なくとも、前記隆起層の両側に位置する前記第１磁性層の膜厚が、前記第１磁性層の前記コイル層と膜厚方向で対向する位置での最大膜厚に比べて薄く形成されていることが好ましい。

本発明では、前記第１磁性層の前方部の下面は、傾斜面あるいは曲面で形成されていることが、より良好な記録特性を得ることができて好ましい。

前記第１磁性層に距離的に近く、また比較的大きい体積を有する前記上部シールド層もＰＴＰの発生に影響を与えている。本発明では、前記第１磁性層の前方部の下面を後方から前端面に向かって上方に向けて、すなわち前記上部シールド層から離れる方向に向けて形成しているため、前記第１磁性層の前方部と前記上部シールド層間の相互作用を適切に弱めることが出来る。したがって本発明のように記録ヘッドと再生ヘッドとが積層された複合型薄膜磁気ヘッドであっても、より効果的にＰＴＰの発生を抑制できる。

本発明では、前記上部シールド層の前端面は前記対向面に露出し、前記前端面での膜厚の少なくとも一部が、前記第１磁性層を介して、前記コイル層と膜厚方向で対向する位置での最大膜厚に比べて薄く形成されている。このとき、前記上部シールド層の前方部の上面が、前記前方部の後方側から前記前端面に向かって膜厚が薄くなるように下方向に向けて形成されていることが好ましい。これにより、より効果的に、前記第１磁性層の前方部と上部シールド層の前方部間の距離が後方から前記前端面に向かって離れてゆき、前記第１磁性層の前方部と上部シールド層の前方部間の相互作用をさらに弱めることが出来る。しかも前記上部シールド層の前端面の面積も小さくできるから、より効果的にＰＴＰの発生を抑制できる。なお前記上部シールド層は、コイル層と対向する後方域では膜厚が薄くされていないから、前記上部シールド層による放熱効果は損なわれない。

また本発明では、前記第１磁性層の前記前端面でのトラック幅方向における幅寸法は、前記第１磁性層の前記コイル層と膜厚方向で対向する位置での最大幅寸法に比べて小さく形成されていることが好ましい。これにより、前記第１磁性層の前記前端面の面積をより小さくでき、より効果的にＰＴＰの発生を抑制することが可能である。

本発明における薄膜磁気ヘッドによれば、放熱効果を損なわず、ＰＴＰ（Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）の発生を適切に抑制することが可能である。

図１は、第１の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、図２は、図１に示す複合型磁気ヘッドをＡ−Ａ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図である。

図３は、第２の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、図４は、図３に示す複合型磁気ヘッドをＢ−Ｂ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図である。

図５は、第３の実施形態を示す複合型磁気ヘッドの部分正面図である。
図６は、第４の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、図７は、図６に示す複合型磁気ヘッドをＣ−Ｃ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図である。

図８は、第５の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、図９は、図１に示す複合型磁気ヘッドをＤ−Ｄ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図である。

図１０は、第６の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、図１１は、図１０に示す複合型磁気ヘッドをＥ−Ｅ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図である。

図１から図１１に示す記録ヘッドは、いずれもディスクに対し水平に記録していく「面内磁気記録方式」の薄膜磁気ヘッドである。

図１２は、第７の実施形態の垂直磁気記録方式の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）の部分正面図、図１３は、図１４に示す記録ヘッドを含む複合型磁気ヘッドをＦ−Ｆ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図である。

図１２，図１３に示す記録ヘッドは、ディスクに対し垂直に記録していく「垂直磁気記録方式」の薄膜磁気ヘッドである。

各図において共通する層には同じ符号を付している。また各図においてＸ方向はトラック幅方向、図示Ｙ方向は、ハイト方向、図示Ｚ方向は、膜厚方向を指す。各方向は残り２つの方向に対して直交する関係となっている。図示Ｘ−Ｚ平面と平行な面は「記録媒体との対向面」であり、前記対向面に対し垂直方向であって記録媒体から離れる方向が「ハイト方向」（後方）である。前記記録媒体に近づく方向が「媒体方向」（前方）である。

スライダ１０はＡｌ_２Ｏ_３・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１０の対向面１０ａが記録媒体（図示しない）に対向し、記録媒体が回転すると、表面の空気流によりスライダ１０が記録媒体の表面から浮上し、またはスライダ１０が記録媒体上に摺動する。前記スライダ１０上に形成される後述する再生ヘッドＨ_Ｒ及び記録ヘッドＨ_Ｗの記録媒体との対向面Ｈは、前記スライダ１０の対向面１０ａとほぼ同一面を成している。

スライダ１０のトレーリング側端面（上面）１０ｂには、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２などの無機材料による絶縁層１２が形成されて、この絶縁層１２の上に再生ヘッドＨ_Ｒが形成されている。

再生ヘッドＨ_Ｒは下部シールド層１３と、前記下部シールド層１３上に形成された下部ギャップ層１７と、前記下部ギャップ層１７上に形成された磁気検出素子１４と、前記磁気検出素子１４上を覆う上部ギャップ層１５と前記上部ギャップ層１５上に形成された上部シールド層１６とを有して構成される。前記下部シールド層１３及び前記上部シールド層１６は、ＮｉＦｅ等の磁性材料で形成される。前記下部ギャップ層１７及び前記上部ギャップ層１５はＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の絶縁材料で形成される。前記磁気検出素子１４は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。

前記上部シールド層１６上には、絶縁材料で形成された分離層２０が形成されている。前記分離層２０は、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の絶縁材料で形成される。
前記分離層２０上には、記録ヘッドＨ_Ｗが設けられている。

図２に示すように前記分離層２０上には下部コア層（第１磁性層）２１が形成されている。前記下部コア層２１はＮｉＦｅ等の磁性材料で形成される。前記下部コア層２１の上面２１ａは平坦化面であり、前記下部コア層２１の上面２１ａには前記対向面Ｈからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離離れた位置に、Ｇｄ決め層２２が設けられている。前記Ｇｄ決め層２２は有機絶縁材料で形成されても無機絶縁材料で形成されてもよい。前記対向面Ｈからハイト方向に向けて、下部コア層２１の上面２１ａから前記Ｇｄ決め層２２上にかけて磁極部２３が形成されている。前記磁極部２３は、下から下部磁極層２４、ギャップ層２５及び上部磁極層２６の順で形成される。前記下部磁極層２４の形成は任意である。前記下部磁極層２４及び前記上部磁極層２６はＮｉＦｅ等の磁性材料で形成される。前記下部磁極層２４及び前記上部磁極層２６は、前記下部コア層２１及び上部コア層３４よりも高い飽和磁束密度を有する磁性材料で形成される。前記ギャップ層２５はＮｉＰ等の非磁性材料で形成される。

図２に示すように、前記磁極部２３の後方から前記下部コア層２１の上面２１ａにかけてコイル絶縁下地層２７が形成される。前記コイル絶縁下地層２７上には非磁性導電材料で形成された第１コイル層２８が形成されている。前記第１コイル層２８は例えば、スパイラル形状で形成された平面コイルである。前記下部コア層２１の上面２１ａには、前記対向面Ｈからハイト方向に離れた位置に磁性材料で形成された接続層２９が形成され、前記第１コイル層２８は前記絶縁層２９の周囲に上記したスパイラル形状にて形成されている。

図２に示すように前記第１コイル層２８の各ターン間はＡｌ_２Ｏ_３等のコイル絶縁層３０で埋められている。図２に示すように、前記上部磁極層２６の上面２６ａ、前記コイル絶縁層３０の上面３０ａ、第１コイル層２８の上面２８ａ及び接続層２９の上面２９ａは同一平面で形成されている。

前記第１コイル層２８上及び前記コイル絶縁層３０上には、コイル絶縁下地層３１を介して第２コイル層３２が形成されている。前記第２コイル層３２は、第１コイル層２８と同様に、スパイラル形状で形成された平面コイルであり、前記第１コイル層２８の巻き中心と第２コイル層３２の巻き中心は導通接続されている。前記第１コイル層２８と前記第２コイル層３２は逆向きに形成されている。

図２に示すように前記第２コイル層３２上は、例えば有機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層３３にて覆われており、前記コイル絶縁層３３上には磁性材料で形成された上部コア層（第２磁性層）３４が形成されている。前記上部コア層３４の前方部３４ａは前記上部磁極層２６上に接しており、前記上部コア層３４の後方部３４ｂは前記接続層２９上に接している。

前記記録ヘッドＨｗ上は、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料で形成された保護層３５にて覆われている。

図１に示すように、下部シールド層１３の前端面１３ａ、上部シールド層１６の前端面１６ａ、下部コア層２１の前端面２１ｂ、磁極部２３の前端面２３ａ、及び上部コア層３４の前端面３４ｃは、いずれも前記対向面Ｈに露出している。なお前記上部コア層３４の前端面３４ｃはハイト方向後方にやや後退しており前記対向面Ｈに露出していなくてもよい。

前記下部シールド層１３の前端面１３ａ、上部シールド層１６の前端面１６ａ及び下部コア層２１の前端面２１ｂのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法はいずれもほぼ同じ幅寸法Ｔ１で露出している。前記幅寸法Ｔ１は、５．００〜 １５０μｍ程度である。

前記磁極部２３の前端面２３ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成される。前記トラック幅Ｔｗは、特に上部磁極層２６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法で規制される。前記上部コア層３４の前端面３４ｃのトラック幅方向における幅寸法Ｔ２は、前記トラック幅Ｔｗよりやや広い幅寸法で形成される。前記トラック幅Ｔｗは、０．０５〜３．００μｍ程度である。前記幅寸法Ｔ２は、０．２〜３．０μｍ程度である。

図１４は、前記下部コア層２１の部分平面図であるが、下部コア層２１は、前端面２１ｂの幅寸法Ｔ１を同寸法にほぼ保ちながらハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて延出形成されている。すなわち前記下部コア層２１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面２１ｃ，２１ｃは、ハイト方向（図示Ｙ方向）とほぼ平行に延びている。前記下部コア層２１はほぼ矩形状で形成される。図示しないが、下部シールド層１３，上部シールド層１６も前記下部コア層２１と同様に、各前端面１３ａ，１６ａの幅寸法Ｔ１を同寸法にほぼ保ちながらハイト方向（図示Ｙ方向）に延出形成されている。

前記下部コア層２１の前記前端面２１ｂを除く周囲はＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の無機絶縁材料で形成された絶縁層３６で囲まれている。

図２に示すように前記下部コア層２１の前記前端面２１ｂからハイト方向にかけて所定の長さ寸法Ｌ１で形成された前方部２１ｄは、膜厚が、ハイト側から前記前端面２１ｂに向かうにしたがって徐々に薄くなる膜厚減少領域となっている。前記前方部２１ｄよりも後方部２１ｅは、ほぼ一定の膜厚Ｈ１で形成されている。前記前方部２１ｄの長さ寸法Ｌ１は、０．１〜６．０μｍ程度である。

図１，図２に示すように前記前端面２１ｂの膜厚Ｈ２は、その全域にて、前記膜厚Ｈ１に比べて薄くなっている。図１に示す点線部分は、前記後方部２１ｅの外周を示している。

本実施形態では、前記コイル層２８,３２と膜厚方向（図示Ｚ方向）にて対向する部分の前記下部コア層２１を従来と同じ厚さの膜厚Ｈ１で形成している。前記下部コア層２１は磁性材料で形成され、その周囲に広がる絶縁層３６（図１４参照）よりも高い熱伝導率を有する。よって本実施形態では、従来と同様に、前記下部コア層２１による良好な放熱効果を得ることが出来る。

さらに本実施形態では、上記したように、前記下部コア層２１の前端面２１ｂの膜厚Ｈ２は、その全域にて、前記膜厚Ｈ１に比べて薄くなっているから、前記前端面２１ｂの露出面積を適切に小さくでき、よって、熱膨張係数の差に起因するＰＴＰ（Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）の発生を適切に抑制することが出来る。

図２に示すように、前記前方部２１ｄと前記対向面Ｈ間にはＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の無機絶縁材料で形成された絶縁層３７が設けられている。この形態では、前記絶縁層３７と前記分離層２０とが別個のものとして形成されているが、前記絶縁層３７と前記分離層２０とが一体のものとして形成されていてもよい。前記絶縁層３７を設けることで、傾斜する前記前方部２１ｄの下面２１ｄ１が、熱膨張係数の小さい無機絶縁材料の前記絶縁層３７にて前方に突き出すのをブロックされ、前記前端面２１ｂの突き出し量をより効果的に小さくできる。前記絶縁層３６,３７には、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２を使用することが好適である。本実施形態では、前記絶縁層３６,３７に有機材料を使用することを除外しないが、一般的に、有機材料は無機材料より耐熱性が低いとされているため、有機材料を使用するときには、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２と同等あるいはそれ以上の耐熱性を有することが必要である。前記絶縁層３６,３７の耐熱性が低く、絶縁層３６,３７が使用環境温度の上昇等によって軟化すると、前記下部コア層２１の膨張を適切に阻害できず、前記下部コア層２１の膜厚を薄くしても前記前端面２１ｂは突出しやすくなる。前記耐熱性は軟化点を指標とできる。

図２に示す実施形態では、前記後方部２１ｅがほぼ一定の膜厚Ｈ１で形成されているので、前記前端面２１ｂの膜厚との対比において、比較する前記後方部２１ｅの膜厚をどの部位から選択しても問題ないが、前記後方部２１ｅに膜厚差がある場合には、前記コイル層２８,３２と膜厚方向にて対向する部分の最大膜厚を、前記前端面２１ｂの膜厚と比較する。本実施形態では、前記後方部２１ｅの前記コイル層２８,３２と膜厚方向にて対向する部分の最大膜厚を、前記前端面２１ｂの膜厚より厚くしているので、前記下部コア層２１による放熱効果は損なわれない。

ここで膜厚寸法を記載する。前記下部コア層２１の後方部２１ｅの膜厚Ｈ１は、０．３〜５．０μｍ程度である。例えば前記膜厚Ｈ１は約３μｍで形成される。前記下部コア層２１の前端面２１ｂの膜厚Ｈ２は、０．１〜４．０μｍ程度である。例えば前記膜厚Ｈ２は約１．０μｍで形成される。前記磁極部２３全体の膜厚は、０．５〜５．０μｍの範囲内である。前記磁極部２３のうち、前記下部磁極層２４の前端面２４ａの膜厚Ｈ５は、０．１〜０．７μｍ程度である。例えば前記膜厚Ｈ５は約０．４μｍで形成される。また、前記上部シールド層１６の前端面１６ａの膜厚Ｈ３は、０．３〜５．０μｍ程度である。例えば前記膜厚Ｈ３は約１．５μｍで形成される。また、前記下部シールド層１３の前端面１３ａの膜厚Ｈ４は、０．３〜５．０μｍ程度である。例えば前記膜厚Ｈ４は約１μｍで形成される。

図２に示すように膜厚の減少領域である前記前方部２１ｄは、前記コイル層２８，３２の形成域よりも前方（対向面Ｈ側）に位置することが好ましい。これにより前記コイル層２８，３２下に厚い膜厚Ｈ１の下部コア層２１を対向させることができ、前記下部コア層２１による放熱効果を高めることが出来る。

また、前記前方部２１ｄの下面２１ｄ１は、前記前方部２１ｄのハイト側から前記前端面２１ｂに向かうにしたがって徐々に膜厚が薄くなる傾斜面（ここでいう傾斜面とは断面形状で見たときに直線的な傾く線として現れる面を指す）で形成されることが好ましい。なお、図１６に示すように、前記下面２１ｄ１に段差３８が２箇所以上形成され、前記ハイト側から前記前端面２１ｂに向けて断続的に膜厚が薄くなる形態、図１７に示すように、前記下面２１ｄ１に段差３８が１箇所だけ形成される形態、また図１８に示すように、前記下面２１ｄ１が曲面形状で形成される形態等を除外するものでない。図１８では前記下面２１ｄ１は凹形状であるが凸曲面で形成されてもよい。

ただし、図２や図１８のように連続的に膜厚がハイト側（図示Ｙ方向側）から前記前端面２１ｂに向けて薄く形成される形態であると、磁束がスムーズに、前記下部コア層２１内を通りやすく、記録特性の向上を図りやすい。図１６のように前記下面２１ｄ１に段差３８があると、前記段差３８により形成される角から記録磁界が漏れる等により記録特性が低下しやすいが、図２や図１８の形態では、そのような問題が生じにくいため好適である。

また本形態では、図１９のように前記下部コア層２１の下面２１ｄ１側でなく上面２１ｄ２を傾斜面で形成してハイト側（図示Ｙ方向側）から前記前端面２１ｂに向かうにしたがって徐々に膜厚が薄くなるようにすることを除外しない。しかし、前記下部コア層２１の上面２１ｄ２には磁極部２３が形成されたり、あるいはギャップ層が形成されたりするため、前記上面２１ｄ２は平坦化面で形成されるほうが望ましい。

ところで図１，図２に示す形態では、前記下部コア層２１と上部コア層３４との間には対向面Ｈに露出する磁極部２３が設けられている。前記磁極部２３のうち下部磁極層２４は前記下部コア層２１上に重ねられている。ここで「重ねられる」とは、前記下部磁極層２４と前記下部コア層２１とが直接接続されている場合のみならず、前記下部磁極層２４と前記下部コア層２１間にメッキ下地層が介在する場合も含む。

本形態では、前記下部コア層２１と前記下部磁極層２４を合わせた前端面（２１ｂ＋２４ａ）の膜厚が、その全域にて、前記後方部２１ｅでの膜厚Ｈ１より薄いことが好ましい。すなわち前記前端面（２１ｂ＋２４ａ）は、前記下部磁極層２４が前記下部コア層２１上に形成されている部分で、最も厚い膜厚（Ｈ２＋Ｈ５）となるが、前記膜厚（Ｈ２＋Ｈ５）は、前記膜厚Ｈ１より薄く形成されている。これにより、より適切にＰＴＰの発生を抑制することが可能である。

また図２に示すようにスライダ１０上に再生ヘッドＨ_Ｒと記録ヘッドＨ_Ｗとが分離層２０を介して積層される複合型薄膜磁気ヘッドでは、前記下部コア層２１と近い位置に形成され比較的大きい体積を有して形成される上部シールド層１６と前記下部コア層２１間で比較的強い相互作用が働いていると考えられる。すなわちＰＴＰの発生は、従来において、前端面での露出面積が最も大きかった下部コア層２１で最も問題であったが、下部コア層２１ほどではないにしても比較的大きい露出面積を有し、また前記下部コア層２１と距離的に近い前記上部シールド層１６の前端面１６ａも使用環境温度の上昇等により前方へ突出しやすい状態であった。

本形態のように、前記下部コア層２１の前端面２１ｂを後方部２１ｅの膜厚Ｈ１より薄い膜厚Ｈ２で形成することで、前記下部コア層２１の前端面２１ｂと前記上部シールド層１６の前端面１６ａを合わせたトータル面積は減少する。

しかも図２のように、前記下部コア層２１の前方部２１ｄの下面２１ｄ１を前記前方部２１ｄのハイト側から前記対向面Ｈに向かって前記上部シールド層１６から離れる方向に上方に向けて傾けているため、前記下部コア層２１の前方部２１ｄと前記上部シールド層１６間の距離Ｈ１２（図２参照）は前記対向面Ｈに向かうにしたがって徐々に広がり、よって前記下部コア層２１の前方部２１ｄと前記上部シールド層１６間の相互作用は効果的に弱まる。この結果、前記下部コア層２１の前端面２１ｂから前記上部シールド層１６の前端面１６ａまでのＰＴＰの発生をより効果的に抑制することが可能となる。

また、ＰＴＰの発生をより効果的に抑制するには、図３（図３に示す点線は、下部コア層２１の後方部２１ｅの外周を示し、一点鎖線は、上部シールド層１６の後方部１６ｂの外周を示している）及び図４に示すように、前記上部シールド層１６の前端面１６ａの膜厚Ｈ６を、前記上部シールド層１６の後方部１６ｂの膜厚Ｈ７よりも薄く形成することが好ましい。このとき、本形態では、前記上部シールド層１６の前端面１６ａの一部の膜厚Ｈ６が、前記上部シールド層１６の後方部１６ｂの膜厚Ｈ７よりも薄く形成される形態を含むが、前端面１６ａの膜厚Ｈ６が、全域にて、前記上部シールド層１６の後方部１６ｂの膜厚Ｈ７よりも薄く形成される形態であることがより好ましい。これにより、前記上部シールド層１６の放熱効果を損なわずに、前記上部シールド層１６の前記前端面１６ａの露出面積を小さくでき、ＰＴＰの発生をより効果的に抑制できる。

図４に示すように前記上部シールド層１６の前方部１６ｃの上面１６ｃ１を、前記前方部１６ｃのハイト側（図示Ｙ方向側）から前記前端面１６ａに向けて徐々に膜厚が薄くなるように下方向に向けて形成することが好ましい。前記上面１６ｃ１は図４に示す傾斜面形状以外に、図１６，１７で説明した段差形状や、図１８の曲面形状であってもよい。

しかも、前記上部シールド層１６の前記前方部１６ｃの上面１６ｃ１を図４に示すように、前記ハイト側から前記対向面Ｈに向けて徐々に前記下部コア層２１から離れる方向に形成することで、前記下部コア層２１の前方部２１ｄと前記上部シールド層１６の前方部１６ｃ間の距離Ｈ１３をより効果的に離すことができる。この結果、前記下部コア層２１の前方部２１ｄと前記上部シールド層１６の前方部１６ｃ間の相互作用を、益々、効果的に小さくできる。したがって図４の形態は、図２の形態に比べて、より効果的にＰＴＰの発生を抑制することが可能である。また、上部シールド層１６の上面側を改良し、下面側は従来と同様に平坦化面として形成することで、前記下部シールド層１３との間でのギャップ長を従来と同様に短くできる。

図４に示す形態では、前記上面１６ｃ１と対向面Ｈ間に、Ａｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の無機絶縁材料で形成された絶縁層４０が設けられている。前記絶縁層４０の上面と前記上部シールド層１６の後方部１６ｂの上面１６ｂ１は同一平面で形成されている。前記絶縁層４０を、前記絶縁層３７と同様に、無機絶縁材料で形成することで、ＰＴＰの発生をより効果的に抑制できる。なお前記上部シールド層１６の前端面１６ａを除く周囲は図示しない絶縁層にて囲まれている。

また図４の形態において前記上部シールド層１６の放熱効果を適切に維持するには、前記コイル層２８，３２の形成域下の全域に膜厚Ｈ７が厚い後方部１６ｂが対向するように形成することが好ましい。

また、図４に示す実施形態でも、下部コア層２１の場合と同様に、前記上部シールド層１６の前端面１６ａの膜厚Ｈ６と比較する箇所の膜厚Ｈ７は、前記コイル層２８,３２と膜厚方向にて対向する部分の最大膜厚と定義する。

また、図２に示すように放熱効果をより高めるには、下部コア層２１と上部シールド層１６間、前記上部シールド層１６と下部シールド層１３間、前記下部シールド層１３とスライダ１０間の少なくともいずれか一箇所を、絶縁層１２、ギャップ層１５、１７、及び分離層２０の熱伝導率より高い熱伝導率を有する導電性材料で形成された放熱層４１，４２，４３にて接続することが好ましい。これにより熱をスライダ１０へ適切に逃がすことが可能である。

また図１５に示すように前記下部コア層２１の前端面２１ｂのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法Ｔ３を、後方部２１ｅの幅寸法Ｔ４よりも小さくすることで、図５（図５に示す点線は、下部コア層２１の後方部２１ｅの外周を示し、一点鎖線は、上部シールド層１６の後方部１６ｂの外周を示している）に示すように、前記前端面２１ｂの面積を図２の場合に比べてより小さくでき、ＰＴＰの発生を、より効果的に抑制できる。図１５に示す形態では、前記後方部２１ｅの両側端面２１ｃ，２１ｃがハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に形成され、前記後方部２１ｅでの幅寸法Ｔ４がどの部位でもほぼ同じであるが、例えば、後方に向かうほど徐々に幅寸法が広がるような形態である場合には、前記コイル層２８，３２の形成域と膜厚方向で対向する部分での最大幅寸法を基準とし、前記前端面２１ｂの幅寸法Ｔ３を前記最大幅寸法よりも小さくする。

前記対向面Ｈに露出する前記前端面２１ｂが、前記磁極部２３の前端面２３ａ及び上部コア層３４の前端面３４ｃと膜厚方向にて対向する位置に形成されるように、幅方向にてリセスさせる部位は、前記下部コア層２１の両側端部であることが好ましい。

図１５に示すように、前記下部コア層２１の前方部２１ｄの両側端面２１ｆが、前記後方部２１ｅの両側端面２１ｃより内側に位置し、前記両側端面２１ｃと前記両側端面２１ｆ間を繋ぐ連結面２１ｇが、前記前端面２１ｂよりもハイト方向（図示Ｙ方向）に後退し、前記連結面２１ｇと前記対向面Ｈ間に前記絶縁層３６が介在している。前記連結面２１ｇはトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に向いているが、傾いていてもかまわない。

図１５に示す形態では、前記連結面２１ｇが、ちょうど前記前方部２１ｄと前記後方部２１ｅとの境に位置するが、前記連結面２１ｇは、前記前方部２１ｄ内に位置してもよいし、あるいは前記後方部２１ｅ内に位置してもよい。ただし、コイル層２８，３２の形成域と膜厚方向に対向する部分は、広い幅寸法で形成されているほうが、前記下部コア層２１の放熱効果を適切に高めることが出来るので、前記連結面２１ｇは、前記前方部２１ｄと前記後方部２１ｅとの境に位置するか、あるいは、前記前方部２１ｄ内に位置することが好ましい。

また、前記連結面２１ｇと前記対向面Ｈ間の距離Ｌ２は、０．３〜６．０μｍ程度であることが好ましい。これにより、前記下部コア層２１よりも熱膨張係数が低い絶縁層３６を十分な体積にて、前記連結面２１ｇと対向面Ｈ間に介在させることができ、前記下部コア層２１の熱膨張を効果的に抑制できる。

なお図１５に示すように前記前端面２１ｂと、両側端面２１ｃ間が傾斜面２１ｈにて連結されていてもよい。

このように前記下部コア層２１の前端面２１ｂの幅寸法Ｔ３を、後方部２１ｅの幅寸法Ｔ４よりも小さくすることで、図５に示すように、前記下部コア層２１の前端面２１ｂの露出面積を、より小さくでき、ＰＴＰの発生を、より効果的に抑制できる。

なお図１５に示す下部コア層２１の平面形状は、上部シールド層１６でも適用できる。これにより図５に示すように、前記上部シールド層１６の前端面１６ａの露出面積を、より小さくでき、ＰＴＰの発生を、より効果的に抑制できる。

図６，図７に示す形態では、下部コア層６０の前方部６０ｄには突出部６０ａが形成され、前記突出部６０ａが前記対向面Ｈに現れている。図６に示す点線は下部コア層６０の後方部６０ｃの外周を示している。

図７に示すように前記下部コア層６０の前方部６０ｄの下面６０ｄ１は、前記前方部６０ｄのハイト側から前端面６０ｂに向かって上方向に向けて形成されている。前記下面６０ｄ１の形状は傾斜面に限定されず、図１６，図１７に示す段差形状、図１８に示す曲面状であってもよい。

図６，図７に示す形態では、前記上部コア層３４の前端面３４ｃがトラック幅Ｔｗとして規制されている。前記突出部６０ａの幅寸法Ｔ５は前記トラック幅Ｔｗより大きい値で形成され、前記幅寸法Ｔ５は０．１〜５．０μｍ程度で形成される。また、前記突出部６０ａの膜厚Ｈ１０は、０．１〜０．７μｍ程度で形成される。前記突出部６０ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に位置する部分は、前記前端面６０ｂに薄い膜厚Ｈ１１で現れる。前記膜厚Ｈ１１は０．１〜４．０μｍ程度で形成される。また、前記突出部６０ａのハイト方向への長さ寸法Ｌ３（図７参照）は、０．１〜６．０μｍの範囲内で形成される。

この形態では、前記下部コア層６０の前端面６０ｂの膜厚は、その全域にて、下部コア層６０の後方部６０ｃでの膜厚Ｈ９より薄く形成されていることが好ましい。すなわち前記突出部６０ａの膜厚Ｈ１０は、前記後方部６０ｃの膜厚Ｈ９より薄い。これにより、ＰＴＰの発生を適切に抑制できる。

ただし、前記突出部６０ａの膜厚Ｈ１０が、前記後方部６０ｃの膜厚Ｈ９以上である場合も本形態に含まれる。かかる場合、膜厚Ｈ１１＜膜厚Ｈ９≦膜厚Ｈ１０という関係が成り立っている。

図６，図７の形態は、上記した形態と同様に、前記下部コア層６０の前方部６０ｄの下面６０ｄ１が、ハイト側から前記前端面６０ｂに向かうにしたがって上方向に向けて形成されている。よって、磁束がスムーズに前記下部コア層６０内を通り記録特性の向上を図ることができるとともに、前記下部コア層６０の前方部６０ｄと前記上部シールド層１６間の距離を前記対向面Ｈに向かうほど大きくでき、よって前記下部コア層６０と前記上部シールド層１６間に作用する相互作用をより適切に弱めることが出来る。この結果、前記下部コア層６０の前端面６０ｂの一部が、後方部６０ｃの膜厚Ｈ９以上であっても、従来に比べて効果的にＰＴＰの発生を効果的に抑制できる。

図６，図７の形態は、一定の膜厚で形成された下部コア層６０の最終的に突出部６０ａとなる部分を除く上面を一定の深さまでイオンミリング等で削って形成されたものである。

なお図７に示すように、前記突出部６０ａの後方に、コイル層５２が形成され、前記コイル層５２の上面及び前記コイル層５２の各ターン間を埋めるコイル絶縁層５３の上面が前記突出部６０ａの上面と同一平面で形成される。前記突出部６０ａの上面、コイル層５２の上面、及びコイル絶縁層５３の上面には、絶縁性のギャップ層６１が形成され、前記ギャップ層６１上に上部コア層３４が形成される。前記上部コア層３４の後方部は接続層２９上に磁気的に接続されている。図７に示す形態は、記上部コア層３４を平坦なギャップ層６１上に形成でき、前記上部コア層３４の前端面３４ｃの幅で規制されるトラック幅Ｔｗを高精度に形成することが出来る。

図８，図９に示す形態は、下部コア層２１上に突出形状の隆起層５０を有する。前記隆起層５０の膜厚はＨ８である。前記隆起層５０の後方域にコイル層８７が形成されている。前記隆起層５０はトラック幅Ｔｗよりも広い幅寸法Ｔ８を有し、また膜厚も、その後方域にコイル層を形成できる程度の比較的厚い膜厚Ｈ８を有しているので、前記下部コア層２１のみならず前記隆起層５０も考慮してＰＴＰの低減を図ることが好ましい。前記下部コア層２１及び隆起層５０を含めて下部磁極層と定義すると、前記下部コア層２１の前端面２１ｂ及び前記隆起層５０の前端面５０ａが、前記下部磁性部の前端面に該当し、前記「下部磁性部」の前端面の膜厚は、全域にて、後方部２１ｅの膜厚Ｈ１に対して薄いことが好ましい。ただし、図６，図７で説明したように、前記下部コア層２１上に隆起層５０が形成された箇所の前端面の膜厚（Ｈ２＋Ｈ８）が、前記膜厚Ｈ１以上であっても本形態に含まれる。前記隆起層５０の幅寸法Ｔ８は０．１〜０．５μｍの範囲内、膜厚Ｈ８は０．１〜０．７μｍの範囲内、長さ寸法Ｌ４は０．１〜６．０μｍの範囲内である。

図８，図９に示す形態でも、前記下部コア層２１の前方部２１ｄの下面２１ｄ１は、前記前方部２１ｄのハイト側から前記前端面２１ｂに向けて上方向に向かって形成されている。前記下面２１ｄ１と前記対向面Ｈ間には絶縁層３７が介在する。前記下部コア層２１の前方部２１ｄの下面２１ｄ１と前記上部シールド層１６間の距離は、ハイト側から前記対向面Ｈに向かうにしたがって徐々に広がり、よって前記下部コア層２１と前記上部シールド層１６間の相互作用を適切に弱めることができ、この結果、ＰＴＰの発生を効果的に抑制できる。

図８，図９に示す形態では、前記隆起層５０のハイト方向後方に下部コア層２１上にコイル絶縁下地層８０を介して下側コイル層８７が形成され、前記下側コイル層８７の各ターン間を埋めるコイル絶縁層５３の上面、接続層２９の上面が前記隆起層５０の上面と同一平面で形成される。前記同一平面上には前記対向面Ｈからハイト方向に所定距離だけ離れた位置にＧｄ決め層８１が形成され、前記Ｇｄ決め層８１の前方及び後方に下から下部磁極層８２、ギャップ層８３が形成され、さらに前記ギャップ層８３上及びＧｄ決め層８１上に上部磁極層８４が形成される。前記下部磁極層８２、ギャップ層８３及び前記上部磁極層８４の３層構造で磁極部８５が構成され、前記磁極部８５のトラック幅方向における幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制される。前記磁極部８５の両側及び後方は図示しない絶縁層で囲めれており、前記磁極部８５の上面と前記絶縁層の上面は同一平面で形成される。前記上部磁極層８４上には上部コア層８９が重ねられている。前記上部コア層８９の前端面８９ａは前記対向面Ｈから露出していてもしていなくてもどちらでもよい。前記上部コア層８９の前端面８９ａの幅寸法Ｔ６は、たとえば、トラック幅Ｔｗよりも広い幅寸法で形成される。前記前端面８９ａ除く上部コア層８９の周囲は図示しない絶縁層で囲まれており、前記上部コア層８９上にはコイル絶縁下地層８６上に、上側コイル層８８が形成されている。

ここで、前記コイル層８７，８８は、図１〜図７に示す平面型のコイル層とは違って、各コイル層８７，８８は複数本ずつ設けられ、各コイル層８７，８８は、前記磁極部８５及び前記上部コア層８９を横切ってその両側に延出形成され、前記下側コイル層８７の両側端部と前記上側コイル層８８の両側端部とが、前記磁極部８５及び上部コア層８９を中心軸としてその周囲を螺旋状で巻回するように接続される形態である（ソレノイド（Ｓｏｌｅｎｏｉｄ）状のコイル）。

図１０，図１１に示す形態は、今まで挙げた形態の中では最もシンプルな形態である。すなわち、下部コア層２１上にギャップ層９０が形成され、前記ギャップ層９０上にコイル層９１が形成されている。前記コイル層９１上は有機材料等からなるコイル絶縁層９２で覆われている。前記コイル絶縁層９２上には上部コア層３４が形成され、前記上部コア層３４の前方部３４ａは、前記対向面Ｈで前記ギャップ層９０を介して下部コア層２１と対向している。一方、前記上部コア層３４の後方部３４ｂは前記下部コア層２１に磁気的に接続されている。図１０に示すように前記上部コア層３４の前端面３４ｃは前記対向面Ｈから露出し、前記前端面３４ｃの幅寸法はトラック幅Ｔｗとなっている。

前記下部コア層２１の形態は、図２に示す形態と同じである。すなわち前記下部コア層２１の前端面２１ｂの膜厚Ｈ２は全域にて、後方部２１ｅでの膜厚Ｈ１より薄く形成されている。よって前記コイル層９１と対向する部分では厚い膜厚Ｈ１を有するが、前記前端面２１ｂの露出面積は小さくされている。したがって、放熱効果を損なわず、ＰＴＰの発生を適切に抑制することが出来る。

前記下部コア層２１の前方部２１ｄの下面２１ｄ１は、そのハイト側から前記前端面２１ｂに向かって膜厚が徐々に薄くなるように上方に向けて形成されている。よって、前記下部コア層２１の前方部２１ｄと前記上部シールド層１６間の距離は前記対向面Ｈに近づくにつれて徐々に大きくなり、前記下部コア層２１と前記上部シールド層１６間の相互作用を適切に弱めることが出来る。よって前記下部コア層２１の形状を有することで、より効果的に、ＰＴＰの発生を抑制することが出来る。

図１２，図１３では、符号１００は主磁極層（第２磁性層）である。図１２に示すように前記主磁極層１００の前端面１００ａはトラック幅Ｔｗで露出する。

前記主磁極層１００上には非磁性のギャップ層１０１が形成され、前記ギャップ層１０１上には前記対向面Ｈからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離離れた位置にＧｄ決め層１０２が形成されている。前記Ｇｄ決め層１０２の後方には上側コイル層８８が形成され、前記上側コイル層８８上はコイル絶縁層１０３にて覆われている。前記コイル絶縁層１０３上にはリターンヨーク層（第１磁性層）１０４が形成されている。前記リターンヨーク層１０４の前方部１０４ａは前記ギャップ層１０１を介して前記主磁極層１００に対向し、前記リターンヨーク層１０４の後端は、前記主磁極層１００に磁気的に接続されている。

図１２，図１３に示すように、前記リターンヨーク層１０４の前記前方部１０４ａよりもハイト方向の後方部１０４ｂのうち、コイル層８８と膜厚方向にて対向する位置での最大膜厚はＨ１４で形成されている。一方、前記リターンヨーク層１０４の前記対向面Ｈに現れる前端面１０４ｃの膜厚はＨ１５であり、前記前端面１０４ｃの膜厚Ｈ１５は、その全域にて、前記後方部１０４ｂの膜厚Ｈ１４よりも薄く形成されている。

図１２，図１３に示す記録ヘッドＨ_Ｗは垂直磁気記録ヘッドであり、記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させるものである。

前記記録媒体Ｍは例えばディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａを、また内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。

この垂直磁気記録ヘッドにおいてリターンヨーク層１０４の前端面１０４ｃの膜厚Ｈ１５が、後方部１０４ｂでの膜厚Ｈ１４よりも薄く形成されているため、前記リターンヨーク層１０４によるＰＴＰの発生を効果的に抑制できる。

また前記リターンヨーク層１０４の前記コイル層８８と膜厚方向で対向する部分では厚い膜厚で形成されているので、前記リターンヨーク層１０４の放熱効果を損なうことがない。前記リターンヨーク層１０４に吸収された熱は保護層１０５を介して上方から逃がされる。

前記リターンヨーク層１０４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法は、Ｔ７で形成される。前記幅寸法Ｔ７は、５．００〜１５０μｍ程度である。前記幅寸法Ｔ７は前記トラック幅Ｔｗ（０．０５〜３．００μｍ程度）に比べて十分に広い幅寸法にて形成されている。

また前記リターンヨーク層１０４が前記主磁極層１００の下側に形成される形態であってもよい。かかる場合、前記リターンヨーク層１０４は、図２に示す下部コア層２１と同様の形状にて形成されていてもよい。

図２０〜図２５に示す図面を用いて、図２に示す下部コア層２１及び絶縁層３７の製造方法について説明する。各図は、製造工程中における一工程図であり、図２と同じ断面から見た部分断面図で示されている。なお図２０〜図２５では、図２に示す分離層２０と絶縁層３７とを一体に形成している。

図２０に示す工程では、表面が平坦化面である上部シールド層１６上に所定の膜厚で形成された絶縁層９５を形成する。点線部分は記録媒体との対向面Ｈの位置である。

図２１工程では、前記絶縁層９５上にレジスト層９６を形成する。前記レジスト層９６は、絶縁層３７及び分離層２０として残す以外の絶縁層９５上に形成する。前記レジスト層９６は例えば、リフトオフ用のレジストであり、前記レジスト層９６の笠部９６ａの一部分は、絶縁層３７として残されるべき絶縁層９５上にかかるように形成されている。

そして前記レジスト層９６に覆われていない前記絶縁層９５を一定の深さまでイオンミリングで除去する（図２１に示す一点鎖線の位置まで削られる）。イオンミリングは等方性であり、前記レジスト層９６の笠部９６ａ下では、残された絶縁層９５の表面が傾斜面として形成される。

図２２に示すように一定の薄い膜厚で残された絶縁層９５の部分が図２に示す分離層２０であり、記録媒体との対向面Ｈにて隆起形状の絶縁層９５が図２に示す絶縁層３７である。前記絶縁層３７の後端面３７ａは傾斜面となっている。

前記絶縁層３７上から前記分離層２０上にかけて下部コア層２１をメッキ形成するためのメッキ下地層９７をスパッタにて形成する。

そして前記絶縁層３７上及び前記分離層２０上に、レジスト層９８を形成し、前記レジスト層９８に前記下部コア層２１の抜きパターン９８ａを露光現像にて形成する。

図２３に示す工程では、前記抜きパターン９８ａ内に下部コア層２１をメッキ形成する。そして前記レジスト層９８を除去し、図２４工程では、前記下部コア層２１の周囲、及び前記下部コア層２１上に絶縁層３６をスパッタ等で成膜し、前記絶縁層３６上を前記下部コア層２１の上面２１ａが露出するとともに、前記上面２１ａが平坦化面となるように、例えばＣＭＰ技術を用いて、前記絶縁層３６上及び前記下部コア層２１上を削る（図２４に示す一点鎖線の位置まで削る）。このとき、前記記録媒体との対向面Ｈとなる位置にて、下部コア層２１が残されていなければならない。前記対向面Ｈとなる位置にて前記下部コア層２１は膜厚Ｈ２で残される。一方、前記下部コア層２１の後方域では一定の膜厚Ｈ１で残され、前記膜厚Ｈ１は前記膜厚Ｈ２よりも十分厚い膜厚となっている。

その後、前記下部コア層２１上に図２に示す各層を形成していき、最終的に前記対向面Ｈとなる位置から切断すると、図２５に示すように、前記対向面Ｈにて、下部コア層２１は膜厚Ｈ２で露出する。

前記下部コア層２１の前方部２１ｄの下面２１ｄ１は、前記絶縁層３７の傾斜面（後端面）３７ａ上に形成されるため、傾斜面形状で形成され、前方部２１ｄの後方から前記対向面Ｈに向けて徐々に膜厚が薄くなる形態となる。

前記絶縁層３７及び前記下部コア層２１の形成方法は図２０から図２５に示す工程に限るものでない。例えば分離層２０上に、前記絶縁層３７の形成位置が開口しているリフトオフ用レジストを形成し、前記開口内に前記絶縁層３７をスパッタ成膜して、前記リフトオフ用レジストを除去する方法であってもよい。

また図１９や図１２，図１３に示すように磁性層の上面側をイオンミリング等で削って対向面に露出する前端面の膜厚を薄くしてもよい。

上記では特に下部シールド層１３の好ましい形態について触れていないが、前記下部シールド層１３の前端面１３ａも、その後方域の膜厚に比べて薄いことが好ましい。このとき、下部コア層２１と同様に前方部の下面が前記前方部の後方から前記対向面Ｈに向かって上方に向けて傾くように形成することが好ましい。前記シールド層１３，１６の狭ギャップ化を確保するためである。

第１の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、 図１に示す複合型磁気ヘッドをＡ−Ａ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図、 第２の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、 図３に示す複合型磁気ヘッドをＢ−Ｂ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図、 第３の実施形態を示す複合型磁気ヘッドの部分正面図、 第４の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、 図６に示す複合型磁気ヘッドをＣ−Ｃ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図、 第５の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、 図８に示す複合型磁気ヘッドをＤ−Ｄ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図、 第６の実施形態の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）を含む複合型磁気ヘッドの部分正面図、 図１０に示す複合型磁気ヘッドをＥ−Ｅ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図、 第７の実施形態の垂直磁気記録方式の記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）の部分正面図、 図１２に示す記録ヘッドを含む複合型磁気ヘッドをＦ−Ｆ線に沿ってＹ−Ｚ平面と平行な面から切断し矢印方向から見た部分断面図、 下部コア層及びその周囲の部分平面図、 図１４とは異なる形態の下部コア層及びその周囲の部分平面図、 図２とは異なる形態の下部コア層の部分拡大断面図、 図２とは異なる形態の下部コア層の部分拡大断面図、 図２とは異なる形態の下部コア層の部分拡大断面図、 図２とは異なる形態の下部コア層の部分拡大断面図、 本実施形態の下部コア層の形成方法を説明するための一工程図（部分断面図）、 図２０の次に行われる一工程図（部分断面図）、 図２１の次に行われる一工程図（部分断面図）、 図２２の次に行われる一工程図（部分断面図）、 図２３の次に行われる一工程図（部分断面図）、 図２４の次に行われる一工程図（部分断面図）、

符号の説明

１０ スライダ
１３ 下部シールド層
１４ 磁気検出素子
１６ 上部シールド層
１６ａ （上部シールド層の）前端面
１６ｂ （上部シールド層の）後方部
１６ｃ （上部シールド層の）前方部
１６ｃ１ （上部シールド層の前方部の）上面
２０ 分離層
２１、３４、６０ 下部コア層
２１ｂ、６０ｂ （下部コア層の）前端面
２１ｄ、６０ｄ （下部コア層の）前方部
２１ｄ１、６０ｄ１ （下部コア層の前方部の）下面
２１ｅ、６０ｃ （下部コア層の）後方部
２３、８５ 磁極部
２４、８２ 下部磁極層
２５、６１、８３ ギャップ層
２６、８４ 上部磁極層
２８、３２、５２、８７、８８ コイル層
３４、８９ 上部コア層
３６、３７、４０、９５ 絶縁層
５０ 隆起層
５０ａ （隆起層の）前端面
６０ａ （下部コア層の）突出部
９６、９８ レジスト層
１００ 主磁極層
１０４ リターンヨーク層
１０４ａ （リターンヨーク層の）前方部
１０４ｂ （リターンヨーク層の）後方部
１０４ｃ （リターンヨーク層の）前端面
Ｈ 記録媒体との対向面
Ｈ１〜Ｈ１５ 膜厚あるいは距離
Ｔ１〜Ｔ８ 幅寸法

Claims (4)

1. 膜厚方向にて間隔を空けて対向する第１磁性層及び第２磁性層と、前記第１磁性層及び前記第２磁性層の間に位置するコイル層と、を有し、
   前記第２磁性層は、前記第１磁性層よりも上側に形成され、前記第２磁性層の前端面の幅寸法でトラック幅が規制されるか、あるいは、前記第２磁性層は、前記トラック幅を規制する磁極層と重ねられており、
   前記第１磁性層の前端面は、記録媒体との対向面に露出し、前記第１磁性層の前方部の下面は、前記前方部の後方側から前記前端面に向かって、上方に向けて形成され、
   前記第１磁性層の前記前端面での膜厚は、少なくとも一部で、前記第１磁性層の前記コイル層と膜厚方向で対向する位置での最大膜厚に比べて薄く形成されており、
   前記第１磁性層の下側に、下部シールド層、上部シールド層、及び前記下部シールド層と前記上部シールド層間に位置する磁気検出素子とを有し、前記第１磁性層と前記上部シールド層とが間隔を空けて対向しており、
   前記上部シールド層の前方部の上面が、前記前方部の後方側から前記前端面に向かって膜厚が薄くなるように下方向に向けて形成されており、
   前記上部シールド層の前端面は前記対向面に露出し、前記上部シールド層の前記前端面での膜厚の少なくとも一部が、前記第１磁性層を介して、前記コイル層と膜厚方向で対向する位置での最大膜厚に比べて薄く形成されており、
   前記前端面を除く前記第１磁性層の周囲、前記前端面を除く前記上部シールド層の周囲、前記第１磁性層の前方部の下面と前記対向面間、前記上部シールド層の前方部の上面と前記対向面間、及び、前記第１磁性層と前記上部シールド層との間には無機絶縁層が形成されており、
   前記無機絶縁層は、前記第１磁性層よりも熱膨張係数が低いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 前記第１磁性層上には前記第１磁性層と磁気的に接続されるとともに、前端面が前記対向面に露出する隆起層が形成され、前記第１磁性層と前記隆起層とを含めた下部磁性部の前端面のうち、少なくとも、前記隆起層の両側に位置する前記第１磁性層の膜厚が、前記第１磁性層の前記コイル層と膜厚方向で対向する位置での最大膜厚に比べて薄く形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 前記第１磁性層の前方部の下面は、傾斜面あるいは曲面で形成されている請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 前記第１磁性層の前記前端面でのトラック幅方向における幅寸法は、前記第１磁性層の前記コイル層と膜厚方向で対向する位置での最大幅寸法に比べて小さく形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。

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