JP2007220230A - 垂直磁気記録ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】補助ヨーク層の磁区制御を適切に行うとともに前記主磁極層の前記補助ヨーク層に対する重なり領域を適正化して、磁気データの消去等の不具合を抑制することが可能な垂直磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】補助ヨーク層３５は多磁区構造であり、前記補助ヨーク層３５の前端面３５ａに接してトラック幅方向の平行成分が支配的な磁区３５ｂが形成されている。主磁極層２４は前記磁区３５ｂ上に重ねられており、前記磁区３５ｂの影響を受ける。これにより前記主磁極層２４は全体的にトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に帯磁しやくなる。これにより、記録時以外のときに、前記主磁極層２４の先端部２４ａから記録媒体に磁束が漏れ出るのを抑制でき、前記記録媒体に記録された磁気データを消去等する不具合を適切に抑制することが可能である。
【選択図】図３

Description

本発明は、ディスクなどの記録媒体の媒体面に対して垂直方向に磁界を与えて記録を行う垂直磁気記録ヘッドに係り、特に、磁気データの消去等の不具合を抑制することが可能な垂直磁気記録ヘッドに関する。

図１６は従来の垂直磁気記録ヘッドをハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けて膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図である。

図１６に示す符号１は、リターンヨーク層、符号２は主磁極層、符号３は補助ヨーク層である。図１６に示すように、前記補助ヨーク層３の前端面３ａは、記録媒体との対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に後退しており、前記補助ヨーク層３上に前記主磁極層２が形成される。前記主磁極層２の前端面２ａは前記対向面Ｈ１ａから露出している。前記主磁極層２上には非磁性のギャップ層４が形成されており、前記ギャップ層４上にコイル層５が形成され、さらに前記コイル層５上にはコイル絶縁層６が形成されている。

前記コイル絶縁層６上には、前記リターンヨーク層１が形成され、前記リターンヨーク層１の先端部１ａは、前記対向面Ｈ１ａで前記主磁極層２に前記ギャップ層４を介して対向し、前記リターンヨーク層１の後端部１ｂは前記主磁極層２と磁気的に接続されている。

前記主磁極層２は前記補助ヨーク層３に比べて飽和磁束密度（Ｂｓ）が高い磁性材料で形成される。ただし前記主磁極層２は透磁率が低いので、透磁率が高い磁性材料で形成された前記補助ヨーク層３を前記主磁極層２と重ね合わせることで、多くの磁束を適切に前記主磁極層２の先端部２ｂにまで導くことが可能となり記録効率の向上を図ることが出来る。

図１６に示すように、記録時、前記リターンヨーク層１から主磁極層２に至る磁路が形成される。前記記録媒体Ｍは、その表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａと、内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有している。そして、前記主磁極層２の前記対向面Ｈ１ａの前端面２ａには磁束φが集中し、前記磁束φは、前記主磁極層２からハード膜Ｍａ、ソフト膜Ｍｂを通り、前記リターンヨーク層１に戻る。前記磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが前記記録媒体Ｍに記録される。
特開２００３−３６５０３号公報 特開２００４−７１１３９号公報 特開２００５−３８５３５号公報

図１７（ａ）は、前記補助ヨーク層３の平面図、図１７（ｂ）は、前記補助ヨーク層３上に重ねられた状態での前記主磁極層２の平面図、である。図１７は、コイル層５に電流を流さず、前記コイル層５からの記録磁界が前記主磁極層２及び補助ヨーク層３に与えられていない状態、すなわち記録時以外の状態での前記主磁極層２及び補助ヨーク層３の磁区構造を示す。なお図１７に示す矢印は各磁区内での自発磁化の方向を示す。

図１７（ａ）に示すように、前記補助ヨーク層３の前端面３ａは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）のほぼ中心から、前記補助ヨーク層３の両側端面３ｂに向けて、ハイト方向（図示Ｙ方向）に傾く傾斜面で形成されており、前記前端面３ａの前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する傾き角度θ３は、例えば５０°程度で形成されている。記録時以外では（強い外部磁場の影響がない限り）、図１７に示すように前記補助ヨーク層３は多磁区化状態となり、磁気モーメントのハイト方向（図示Ｙ方向）の平行成分が強い（あるいは前記ハイト方向の平行成分のみが存在する）磁区３ｃ，３ｃが前記前端面３ａ近傍に大きな面積で存在する。

図１７（ｂ）に示すように、前記主磁極層２は、トラック幅Ｔｗで形成された細長形状で形成された先端部２ｂと、前記先端部２ｂのハイト方向（図示Ｙ方向）に形成され前記先端部２ｂの幅寸法に比べてトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法が大きい幅広部２ｃとで構成される。図１７（ｂ）に示す幅広部２ｃの形状は図１７（ａ）の補助ヨーク層３の形状とほぼ同じとなっている。このため、前記主磁極層２も記録時以外のときにおいて、図１７（ｂ）に示すように多磁区化状態となっている。

しかし、図１７（ｂ）に示すように、前記主磁極層２が多磁区化状態となり、しかも前記先端部２ｂ近傍に、ハイト方向（図示Ｙ方向）の平行成分が強い磁区２ｄ，２ｄが存在するために、前記先端部２ｂがハイト方向と平行な方向に帯磁しやすく、前記先端部２ｂから前記記録媒体Ｍに向けて記録時以外のときでも磁束が漏れ出すことで、前記記録媒体Ｍに記録された磁気データを消去等とするといった問題が生じていた（Ｐｏｌｅ Ｅｒａｓｕｒｅ問題）。

ところで、前記主磁極層２の形状を小さくすれば、前記主磁極層２に形成される磁区は小さくなっていき、上記問題を緩和できる。

しかし前記主磁極層２は図１６に示すように前記補助ヨーク層３上に重ねられるため、前記主磁極層２は前記補助ヨーク層３の磁区構造の影響を受け、特に前記補助ヨーク層３の前端面３ａ近傍にあるハイト方向と平行な方向に向く磁区３ｃの影響を前記主磁極層２が強く受けて、前記主磁極層２がハイト方向と平行な方向に帯磁しやすく、依然としてＰｏｌｅ Ｅｒａｓｕｒｅ問題を適切に解決することができなかった。

上記特許文献にはいずれにも、前記補助ヨーク層３の磁区構造と前記補助ヨーク層３に重ねられる主磁極層２の形成位置とを結びつけて、Ｐｏｌｅ Ｅｒａｓｕｒｅ問題を指摘し、且つ解決する手段は提示されていない。

そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、補助ヨーク層の磁区制御を適切に行うとともに前記主磁極層の前記補助ヨーク層に対する重なり領域を適正化して、磁気データの消去等の不具合を抑制することが可能な垂直磁気記録ヘッドを提供することを目的としている。

本発明における垂直磁記録ヘッドは、
主磁極層と、前記主磁極層に接続される補助ヨーク層と、前記主磁極層、及び前記補助ヨーク層に、記録磁界を与えるためのコイル層と、を有し、
前記主磁極層は、トラック幅Ｔｗを規制する細長形状の先端部と、前記先端部のハイト側後方に設けられ、前記先端部よりトラック幅方向の幅寸法が広い幅広部を有し、
前記補助ヨーク層の前記対向面側に向く前端面は、前記対向面からハイト方向へ後退し、前記主磁極層の幅広部は前記補助ヨーク層に重ねられ、前記先端部は前記補助ヨーク層の前端面よりも前方に突出して前記対向面に露出しており、
前記補助ヨーク層は多磁区構造であり、磁気モーメントのハイト方向と平行な成分と前記磁気モーメントのトラック幅方向と平行な成分とを比較したときに、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区が少なくとも前記前端面の一部に接して形成され、
前記主磁極層の前記補助ヨーク層との重なり領域の半分以上の面積が、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい前記磁区と重なっていることを特徴とするものである。

本発明では、前記補助ヨーク層には、磁気モーメントのハイト方向と平行な成分とトラック幅方向と平行な成分とを比較したときに、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区が少なくとも前記補助ヨーク層の前端面の一部に接して形成されている。従来では、前記補助ヨーク層の前端面近傍には、ハイト方向の平行成分が大きい磁区が占めていたが、本発明では上記のように前記補助ヨーク層の磁区制御を行っている。

さらに、本発明での主磁極層は、トラック幅Ｔｗを規制する先端部と、トラック幅方向の幅寸法が前記先端部よりも広い幅広部とを有して構成され、前記幅広部は前記補助ヨーク層に重ねて形成され、前記先端部が前記補助ヨーク層の前端面よりも前方に突出している。このとき、前記主磁極層の前記補助ヨークとの重なり領域の半分以上の面積が、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区と重なっている。これにより前記主磁極層の前記幅広部は前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区の影響を強く受け、従来に比べて、前記主磁極層は、トラック幅方向と平行な方向（あるいはそれに近い方向）に帯磁しやすくなる。したがって、記録時以外のときに、前記主磁極層の先端部から磁束が記録媒体に向けて漏れ出すことを抑制でき、前記記録媒体に記録された磁気データを消去等とするといった不具合を適切に抑制することが可能である。

または本発明における垂直磁気記録ヘッドは、
主磁極層と、前記主磁極層に接続される補助ヨーク層と、前記主磁極層、及び前記補助ヨーク層に、記録磁界を与えるためのコイル層と、を有し、
前記主磁極層は、トラック幅Ｔｗを規制する細長形状の先端部と、前記先端部のハイト側後方に設けられ、前記先端部よりトラック幅方向の幅寸法が広い幅広部を有し、
前記補助ヨーク層のトラック幅方向の幅寸法は、前記幅広部の幅寸法に比べて大きく、前記補助ヨーク層の前記対向面側に向く前端面は、前記対向面からハイト方向へ後退し、前記主磁極層の幅広部は前記補助ヨーク層に重ねられ、前記先端部は前記補助ヨーク層の前端面よりも前方に突出して前記対向面に露出しており、
前記前端面の少なくとも一部は、トラック幅方向と平行な方向に対する傾き角度θ１が０〜３０°の範囲内で形成され、前記傾き角度θ１で形成された前記前端面は、平面視で、前記幅広部にハイト方向と平行な方向にて対向し且つ前記幅広部の幅寸法以上で形成され、
前記主磁極層は、前記補助ヨーク層のハイト方向への長さ寸法の半分以下の前端面側領域に重なることを特徴とするものである。

本発明では、前記補助ヨークの前記前端面は、前記対向面からハイト方向へ後退しており、前記前端面のトラック幅方向に対する傾き角度θは、０°〜３０°の範囲内である。これにより、磁気モーメントのハイト方向と平行な成分とトラック幅方向と平行な成分とを比較したときに、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区が少なくとも前記補助ヨーク層の前端面の一部に接して形成されやすくなる。すなわち、前記前端面の傾き角度θ１を規制することで、前記補助ヨーク層の前端面近傍に、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区を形成することが可能になる。

さらに、本発明での主磁極層は、トラック幅Ｔｗを規制する先端部と、トラック幅方向の幅寸法が前記先端部よりも広い幅広部とを有して構成され、前記幅広部は前記補助ヨーク層に重ねて形成され、前記先端部が前記補助ヨーク層の前端面よりも前方に突出している。このとき、前記主磁極層は、前記補助ヨーク層のハイト方向への長さ寸法の半分以下の前端面側領域に重なっている。これにより前記主磁極層の前記幅広部は前記補助ヨーク層の前端面近傍に形成されたトラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区の影響を強く受けやすくなり、従来に比べて、前記主磁極層は、トラック幅方向と平行な方向（あるいはそれに近い方向）に帯磁しやすくなる。したがって、記録時以外のときに、前記主磁極層の先端部から磁束が記録媒体に向けて漏れ出すことを抑制でき、前記記録媒体に記録された磁気データを消去等とするといった不具合を適切に抑制することが可能である。

上記発明において、前記補助ヨーク層は多磁区構造であり、磁気モーメントのハイト方向と平行な成分と前記磁気モーメントのトラック幅方向と平行な成分とを比較したときに、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区が少なくとも前記前端面の少なくとも一部に接して形成され、
前記主磁極層の前記補助ヨーク層との重なり領域の半分以上の面積が、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい前記磁区と重なっていることが、より適切に、前記主磁極層を、トラック幅方向と平行な方向（あるいはそれに近い方向）に帯磁でき好ましい。

また本発明では、前記主磁極層の前記補助ヨーク層との重なり領域の全面積が、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区と重なっていることが好ましい。これにより、前記主磁極層は、前記補助ヨーク層のハイト方向の平行成分の方が大きい磁区の影響を受けず、より効果的に、全体的にトラック幅方向と平行な方向（あるいはそれに近い方向）に帯磁でき、前記主磁極層の先端部から磁束が記録媒体に向けて漏れ出すことをより適切に抑制することが可能である。

また本発明では、前記補助ヨーク層のハイト方向への長さ寸法に対する前記補助ヨーク層のトラック幅方向への幅寸法の比（前記幅寸法／前記長さ寸法）は、１以上であることが好ましい。これにより、前記補助ヨーク層内で、トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区の面積を適切に大きくでき、前記主磁極層を、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区に重ねやすくなり、前記主磁極層の前記補助ヨーク層に対する位置制御を適切且つ簡単に行うことが可能になる。

本発明によれば、記録時以外のとき、主磁極層の先端部から磁束が記録媒体に向けて漏れ出すことを抑制でき、前記記録媒体に記録された磁気データを消去等とするといった不具合を適切に抑制することが可能である。

図１は、第１の実施形態の垂直磁気記録ヘッドを有する複合型磁気ヘッドをハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けて膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図（図３に示すＩ−Ｉ線から切断し矢印方向から見た縦断面図）、図２は第２の実施形態の垂直磁気記録ヘッドを有する複合型磁気ヘッドをハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向であって且つ膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図、図３は主磁極層及び補助ヨーク層の平面図、である。

図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１は、記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させるものである。

記録媒体Ｍは例えばディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。

スライダ１１はＡｌ_２Ｏ_３・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１１の対向面１１ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ１１が記録媒体Ｍに摺動する。図１では下方向（図示Ｚ方向と逆方向）がリーディング側で、上方向（図示Ｚ方向）がトレーリング側である。

スライダ１１のトレーリング側端面（上面）１１ｂには、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２などの無機材料による非磁性絶縁層５４が形成されて、この非磁性絶縁層５４の上に読取り部ＨＲが形成されている。

読取り部ＨＲは下部シールド層５２と上部シールド層５１と、下部シールド層５２と上部シールド層５１との間の無機絶縁層（ギャップ絶縁層）５５内に位置する読み取り素子５３とを有している。読み取り素子５３は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。

前記上部シールド層５１上にはＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の絶縁材料で形成された分離層１２が形成されている。

前記分離層１２上には、補助ヨーク層３５が形成される。前記補助ヨーク層３５は略矩形状で形成されている。図１及び図３に示すように前記補助ヨーク層３５の記録媒体との対向面Ｈ１ａ（以下、対向面Ｈ１ａと言う）側に向く前端面３５ａは、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ後退している。これにより前記前端面３５ａから仮に磁束が漏れ出ても、記記録媒体Ｍへの影響を抑制することが出来る。前記前端面３５ａの前記対向面Ｈ１ａからの最小後退距離Ｌ２（図３を参照）は０．３μｍ〜３．０μｍ程度である。前記補助ヨーク層３５の前端面３５ａと前記対向面Ｈ１ａの間はＡｌ_２Ｏ_３等の絶縁層６０により埋められている。

前記補助ヨーク層３５は、次に説明する主磁極層２４に比べて透磁率の高い磁性材料で例えばメッキ形成される。前記補助ヨーク層３５は例えばＮｉＦｅ合金で形成される。

図１に示すように、前記絶縁層６０及び補助ヨーク層３５の上面は平坦化面で形成され、この上に、主磁極層２４が形成される。

前記主磁極層２４は、図３に示すように、補助ヨーク層３５に比べて非常に小さく形成される。図３に示すように、トラック幅Ｔｗを規制する細長形状の先端部２４ａと、前記先端部２４ａのハイト方向の後方に形成され、前記先端部２４ａの（最大）幅寸法よりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）への（最大）幅寸法Ｔ１が大きい幅広部２４ｂとで構成される。

図１及び図３に示すように前記先端部２４ａの前端面２４ａ１は、前記対向面Ｈ１ａから露出している。また図３に示す実施形態では、前記先端部２４ａはハイト方向に向けて一定の幅寸法（＝Ｔｗ）で形成されているが、前記先端部２４ａの側端面２４ａ２がハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて幅寸法が広がるようにトラック幅方向に向けて傾く形状であってもよい。

図３に示すように、前記幅広部２４ｂの前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面２４ｂ１は、前記先端部２４ａの後端からハイト方向に向けて徐々に幅寸法が広がるように傾斜面で形成されており、前記前端面２４ｂ１と接続される側端面２４ｂ２は、ハイト方向と平行に設けられ、よって前記幅広部２４ｂは、前記先端部２４ａの後端からハイト方向への途中まで徐々に幅寸法が広がり、前記ハイト方向の途中から後端まで一定の幅寸法で形成されている。前記幅広部２４ｂに前記側端面２４ｂ２が形成されていなくてもよく、すなわち前記幅広部２４ｂは斜めに傾く前端面２４ｂ１と後端面２４ｂ３との平面形状が略三角形状となる形状で形成されていてもよい。また前記幅広部２４ｂの前記前端面２４ｂ１は傾斜していなくても前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に形成されていてもよい。また、前記側端面２４ｂ２は、前記ハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向でなく、トラック幅方向に向けてやや傾く形状であってもよい（このとき、トラック幅方向に対する前記前端面２４ｂ１の傾き角度θ２に比べて、トラック幅方向に対する前記側端面２４ｂ２の傾き角度の方が大きくなっている）。よって前記幅広部２４ｂの平面形状は、略長方形、略正方形、あるいは略台形等であってもよい。

図３に示すように前記主磁極層２４の幅広部２４ｂは前記補助ヨーク層３５の前端面３５ａ近傍上に重ねられている。前記主磁極層２４の先端部２４ａは前記補助ヨーク層３５の前端面３５ａよりも前方に向けて突出しており、上記したように前記先端部２４ａの前端面２４ａ１は前記対向面Ｈ１ａから露出している。

前記主磁極層２４は、強磁性材料で例えばメッキ形成されたものであり、前記補助ヨーク層３５よりも高い飽和磁束密度（Ｂｓ）を有する例えば、ＣｏＦｅ合金等で形成される。

前記主磁極層２４上から前記補助ヨーク層３５上にかけて非磁性のギャップ層２５が形成される。前記ギャップ層２５は例えばＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２等の絶縁材料で形成される。前記主磁極層２４のハイト方向の後方にある前記補助ヨーク層３５上には前記ギャップ層２５を介して非磁性導電材料のコイル層２７が形成される。また前記コイル層２７と前記補助ヨーク層３５間には前記ギャップ層２５と、前記ギャップ層２５上（あるいは下）に、コイル絶縁下地層が重ねて形成されていてもよい。図１に示す実施形態では前記コイル層２７は、前記ギャップ層２５上であって、前記リターンヨーク層２１の後端部の周囲に螺旋状に形成された平面コイルであるが、前記コイル層２７は図１の形態に限定されない。例えば、補助ヨーク層３５の下側に、複数本の下側コイル層が形成され、前記補助ヨーク層３５の上側に複数本の上側コイル層が形成され、前記下側コイル層と前記上側コイル層とが、前記補助ヨーク層３５又は主磁極層２４を中心軸としてその周囲を螺旋状で巻回するように接続される形態であってもよい。

図１に示すように前記コイル層２７上はコイル絶縁層３２によって覆われている。前記コイル絶縁層３２は有機絶縁材料で形成されることが好ましい。前記コイル絶縁層３２は、前記対向面Ｈ１ａ近傍及び前記補助ヨーク層３５のハイト方向の後端部には形成されない。

図１に示すように前記コイル絶縁層３２上にはリターンヨーク層２１が例えばメッキ形成される。図１に示すように前記リターンヨーク層２１は、前記対向面Ｈ１ａにて前記主磁極層２４上に前記ギャップ層２５を介して形成される。また前記リターンヨーク層２１と前記補助ヨーク層３５はハイト方向の後端で磁気的に接続される。なお磁気的な接続なしに、前記リフトオフ層２１がシールドとして機能してもよい。

図１に示すように、前記リターンヨーク層２１上にはＡｌ_２Ｏ_３等で形成された保護層１３が設けられている。

前記リターンヨーク層２１の前端面２１ａは、前記主磁極層２４の先端部２４ａの前端面２４ａ１に比べて十分に広い面積で形成されている。前記コイル層２７に電流が流され、記録磁界が生じると前記記録磁界は前記リターンヨーク層２１、補助ヨーク層３５及び主磁極層２４に導かれ、リターンヨーク層２１―補助ヨーク層３５−主磁極層２４を経る磁路が形成される。

前記補助ヨーク層３５は前記主磁極層２４よりも透磁率が高く適切に磁束を前記主磁極層２４にまで導く。飽和磁束密度Ｂｓの高い主磁極層２４では、その先端部２４ａに磁束を集中させることができ、磁束φは記録媒体Ｍに向けて垂直方向に放出され、ハード膜Ｍａ、ソフト膜Ｍｂを通り、前記リターンヨーク層２１に戻される。上記により前記ハード膜Ｍａに磁気データが記録される。

本実施形態における垂直磁気記録ヘッドＨ１の特徴的部分について説明する。本実施形態における垂直磁気記録ヘッドＨ１は以下に説明する少なくとも（１）（２）のいずれかの特徴を有している。

（１） 前記主磁極層２４は、トラック幅Ｔｗを規制する細長形状の先端部２４ａと、前記先端部２４ａのハイト側後方に設けられ、前記先端部２４ａよりトラック幅方向の幅寸法が広い幅広部２４ｂを有する。前記補助ヨーク層３５の前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面３５ａは、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向へ後退し、前記主磁極層２４の幅広部２４ｂは前記補助ヨーク層３５上に重ねられる。前記先端部２４ａは前記補助ヨーク層３５の前端面３５ａよりも前方に突出して前記対向面Ｈ１ａに露出している。前記補助ヨーク層３５は多磁区構造であり、磁気モーメントのハイト方向と平行な成分と前記磁気モーメントのトラック幅方向と平行な成分とを比較したときに、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区が少なくとも前記前端面３５ａの一部に接して形成される。そして、前記主磁極層２４の前記補助ヨーク層３５との重なり領域の半分以上の面積が、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい前記磁区と重なっている。

図１及び図３に示すように前記主磁極層２４は前記補助ヨーク層３５に比べて十分に小さく形成される。図１，図３に示すように、前記補助ヨーク層３５の前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面３５ａは、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向に後退している。

ところで前記コイル層２７に電流が流されず、前記補助ヨーク層３５に前記コイル層２７からの記録磁界が流れない状態では、前記補助ヨーク層３５は、図３に示すように多磁区化する。このとき、前記前端面３５ａの傾き角度θ１を小さくすればするほど、すなわち前記前端面３５ａがトラック幅方向（図示Ｘ方向）に近づくほど、前記前端面３５ａ側に、磁気モーメントのトラック幅方向と平行な成分とハイト方向と平行な成分とを対比したとき、前記トラック幅方向の平行成分のほうが大きい磁区（前記トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区）３５ｂが形成される。なお「前記トラック幅方向の平行成分のほうが大きい」には、ハイト方向の平行成分も存在するが、それよりも、前記トラック幅方向の平行成分が大きい場合のみならず、ハイト方向の平行成分が存在せず、トラック幅方向の平行成分のみが存在する場合も含まれる。

前記磁区３５ｂは、前記前端面３５ａの少なくとも一部と接するとともに後端面３５ｅ方向に向けて、且つトラック幅方向の中心からトラック幅方向の両側に広がって形成される。前記磁区３５ｂは例えば図３に示す後端面３５ｅ方向に突出する略三角形で形成される。

図３では前記補助ヨーク層３５は４つの磁区に分けられており、前記磁区３５ｂのハイト側で接する２つの磁区３５ｄ，３５ｄは、ハイト方向の平行成分が支配的であり、前記補助ヨーク層３５の後端面３５ｅ側に存在する磁区３５ｆは、トラック幅方向の平行成分が支配的となる。なお図３に示す矢印は各磁区における自発磁化の方向を示す。自発磁化は磁気モーメントのベクトル和で示される。前記磁区３５ｄでは、前記補助ヨーク層３５の側端面３５ｃがハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に形成されており、磁気異方性により、前記磁区３５ｄの自発磁化はほぼハイト方向と平行な方向となっており、また、前記磁区３５ｆでは、前記補助ヨーク層３５の後端面３５ｅがトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に形成されており、磁気異方性により、前記磁区３５ｆの自発磁化はほぼトラック幅方向と平行な方向となっている。

そして図３に示す実施形態では、前記主磁極層２４の幅広部２４ｂが前記前端面３５ａ近傍に形成されたトラック幅方向の平行成分が支配的な磁区３５ｂ上にのみ重ねられており、前記幅広部２４ｂは前記磁区３５ｂの影響のみを受ける。逆に言えば、前記幅広部２４ｂは前記ハイト方向の平行成分が支配的な磁区３５ｄの影響を受けない。これにより前記主磁極層２４は全体的に、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向（あるいは少なくともそれに近い方向）に帯磁しやくなる。前記主磁極層２４は前記補助ヨーク層３５に比べて非常に小さい形状であるが、前記主磁極層２４に先端部２４ａよりも幅の広い前記幅広部２４ｂを設けることで、前記幅広部２４ｂが、前記磁区３５ｂの影響を適切に受けることができ、効果的に前記主磁極層２４の全体をトラック幅方向と平行な方向に帯磁できる。また前記幅広部２４ｂは先端部２４ａのように細長形状ではないため形状異方性の面からも前記幅広部２４ｂはトラック幅方向に帯磁されやすい。

また前記主磁極層２４は単磁区構造でなく多磁区構造となる可能性もあるが、かかる場合でも、トラック幅方向の平行成分が支配的な前記磁区３５ｂの影響を適切に受けることで、トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区が前記主磁極層２４内で大きな面積を占める。また、前記幅広部２４ｂの前端面２４ｂ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する傾き角度θ２を０°〜３０°の範囲内で形成することにより、前記幅広部２４ｂにトラック幅方向の平行成分が支配的な磁区を非常に広い面積で形成できる。

このように、本実施形態では、記録時以外のときに、前記主磁極層２４を全体的にトラック幅方向（あるいは少なくともそれに近い方向）に帯磁でき、前記主磁極層２４の先端部２４ａから前記記録媒体Ｍに磁束が漏れ出るのを抑制でき、前記記録媒体Ｍに記録された磁気データを消去等する不具合を適切に抑制することが可能である。

図３に示す実施形態では、前記主磁極層２４の前記補助ヨーク層３５への重なり領域の全体が、トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区３５ｂ上に重なっており、この形態は、前記主磁極層２４が、前記補助ヨーク層３５のハイト方向の平行成分が支配的な磁区３５ｄの影響を受けないことから最も好ましい形態となっているが、例えば図４に示すように、前記主磁極層２４の前記幅広部２４ｂの一部が、前記補助ヨーク層３５に形成されたハイト方向の平行成分が支配的な磁区３５ｄ上に重なっていてもよい。このとき、前記主磁極層２４の前記補助ヨーク層３５との重なり領域の半分以上の面積が、前記トラック幅方向に向く磁区３５ｂ上に重なっていることが好ましい。これにより、前記主磁極層２４には前記トラック幅方向に向く磁区３５ｂの影響が、前記ハイト方向に向く磁区３５ｄの影響よりも強くなり、前記主磁極層２４が、トラック幅方向（あるいは少なくともそれに近い方向）に帯磁されやすく、また前記主磁極層２４が多磁区構造となってもトラック幅方向に向く磁区の面積が大きくなり、記録時以外のときに前記主磁極層２４の先端部２４ａから前記記録媒体Ｍに向けて磁束が漏れ出るのを適切に抑制することが出来る。

さらに上記（１）の特徴的部分を持つ垂直磁気記録ヘッドにおいては、前記補助ヨーク層３５の前記前端面３５ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する傾き角度θ１は３０°〜０°の範囲内であることが好ましい。この点については以下の（２）において説明する。

（２） 前記主磁極層２４は、トラック幅Ｔｗを規制する細長形状の先端部２４ａと、前記先端部２４ａのハイト側後方に設けられ、前記先端部２４ａよりトラック幅方向の幅寸法が広い幅広部２４ｂを有する。前記補助ヨーク層３５のトラック幅方向の幅寸法Ｔ２は、前記幅広部２４ｂの幅寸法Ｔ１に比べて大きく、前記補助ヨーク層３５の前記対向面側に向く前端面３５ａは、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向へ後退し、前記主磁極層２４の幅広部２４ｂは前記補助ヨーク層３５上に重ねられ、前記先端部２４ａは前記補助ヨーク層３５の前端面３５ａよりも前方に突出して前記対向面Ｈ１ａに露出している。前記前端面３５ａの少なくとも一部は、トラック幅方向と平行な方向に対する傾き角度θ１が０〜３０°の範囲内で形成され、前記傾き角度θ１で形成された前記前端面３５ａは、平面視で、前記幅広部２４ｂにハイト方向と平行な方向にて対向し且つ前記幅広部２４ｂの幅寸法Ｔ１以上で形成され、前記主磁極層２４は、前記補助ヨーク層３５のハイト方向への長さ寸法Ｌ１の半分以下の前端面側領域に重なる。なお（１）の特徴的部分と構成において重複する部分については、上記（１）の説明を参照されたい。

（２）における特徴的部分では、前記補助ヨーク層３５の前記前端面３５ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する傾き角度θ１が、０°〜３０°の範囲内に規制されている。これによって前記補助ヨーク層３５の少なくとも一部の前記前端面３５ａに接して形成される磁区３５ｂではトラック幅方向の平行成分が支配的となる。

また図３に示すように、一点鎖線Ａは、前記補助ヨーク層３５の長さ寸法Ｌ１の半分のラインを示す。図３に示すように前記主磁極層２４は、前記ラインＡよりも前方側（対向面Ｈ１ａ側）の前記補助ヨーク層３５上に重ねて形成されている。図３は（２）の特徴的部分を備えた上で最も好ましい形態となっている。それは上記（１）で説明したように、前記主磁極層２４が、前記補助ヨーク層３５の少なくとも一部の前端面３５ａに接して形成されたトラック幅方向への平行成分が支配的な磁区３５ｂ上のみに重ねて形成され、前記主磁極層２４の全体が、トラック幅方向と平行な方向（あるいは少なくともそれに近い方向）に帯磁されやすくなっているからである。これにより、記録時以外のときに前記主磁極層２４の先端部２４ａから記録媒体Ｍに向けて磁束が漏れ出るのを適切に抑制することが出来る。

図３の実施形態では、前記主磁極層２４の幅広部２４ｂがハイト方向に延ばされると、前記幅広部２４ｂの一部はハイト方向の平行成分が支配的な磁区３５ｄ上に重なり前記磁区３５ｄの影響を受けるが、少なくとも前記幅広部２４ｂの前記先端部２４ａに近い側では、トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区３５ｂの影響を受けるため、前記先端部２４ａを含めた前記主磁極層２４の前方側はトラック幅方向と平行な方向に帯磁されやすくなり、また、前記ラインＡ以下の前方側に前記主磁極層２４を形成することにより、前記主磁極層２４に対するハイト方向に向く磁区３５ｄの影響を弱めることができ、以上により、従来の構造に比べて前記主磁極層２４の先端部２４ａから記録媒体Ｍに磁束が漏れ出るのを適切に抑制できる。

また図３に示す実施形態では、前記前端面３５ａは、前記補助ヨーク層３５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における中央から両側の側端面３５ｃにかけて、夫々、一直線状に形成されている。そして図３では前記前端面３５ａの全体が０〜３０°の範囲内の傾き角度θ１となっている。ただし前記傾き角度θ１を有する箇所は前端面３５ａの一部であってもよい。このとき、前記前端面３５ａのうち、平面視（図３を参照）で、前記幅広部２４ｂにハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向にて対向し且つ前記幅広部２４ｂの幅寸法Ｔ１以上で形成された前記前端面３５ａのトラック幅方向に対する傾き角度θ１が、０〜３０°の範囲内で形成されることが必要である。これにより前記幅広部３４ｂと対向する領域に、トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区３５ｂを形成しやすく（逆に言えばハイト方向の平行成分が支配的な磁区は形成されにくい）、適切に前記幅広部２４ｂに前記磁区３５ｂを対向させることができる。また、例えば図３に示す前端面３５ａと側端面３５ｃ間の角部が面取り加工されていてもよく、係る場合の面取り面のトラック幅方向における傾き角度が、３０°より大きくても、前記前端面３５ａのうち、平面視（図３を参照）で、前記幅広部２４ｂにハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向にて対向し且つ前記幅広部２４ｂの幅寸法Ｔ１以上で形成された前記前端面３５ａのトラック幅方向に対する傾き角度θ１が、０〜３０°の範囲内で形成されれば、前記幅広部２４ｂと対向する前記補助ヨーク層３５の箇所にハイト方向の平行成分が支配的な磁区は形成されずらく、前記幅広部２４ｂの磁化制御を適切に行うことが出来る。また前記前端面３５ａは平面視で直線状である必要はなく、例えば曲線状であってもよい。かかる場合の傾き角度θ１は、曲線上の接線のトラック幅方向に対する傾き角度で規制される。

以下、（１）（２）の特徴的部分の構成に追加されるべき好ましい構成について説明する。

前記補助ヨーク層３５のトラック幅方向における幅寸法Ｔ２と、ハイト方向における長さ寸法Ｌ１との比（Ｔ２／Ｌ１）は１以上であることが好ましい。すなわち前記幅寸法Ｔ２が前記長さ寸法Ｌ１以上であることが好ましい。これにより前記ハイト方向の平行成分が支配的な磁区３５ｄ，３５ｄの占める面積が小さくなり、前記トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区３５ｂ，３５ｆの占める面積のほうが大きくなる。図５では、トラック幅方向の平行成分が支配的な前記磁区３５ｂと磁区３５ｆとが前記補助ヨーク層３５のほぼ中心付近で点接触しているが、前記比（Ｔ２／Ｌ１）が１よりも大きくなると、前記磁区３５ｂ，３５ｆが、前記補助ヨーク層３５のほぼ中心付近でトラック幅方向（図示Ｘ方向）に長く延びる磁壁を境に対向するようになり、かかる場合、前記主磁極層２４の幅広部３４ｂをハイト方向（図示Ｙ方向）に長く延ばしても前記幅広部２４ｂの大部分が前記トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区上に重なる。具体的には前記比（Ｔ２／Ｌ１）を１．２９以上にすると、後述する実験にも示すように、前記補助ヨーク層３５の前端面３５ａに接して形成されトラック幅に向く磁区３５ｂと、前記補助ヨーク層３５のハイト後端面３５ｅに接して形成されトラック幅に向く磁区３５ｆとが前記補助ヨーク層３５のほぼ中心付近でトラック幅方向に長く延びる磁壁を境に対向するため、前記補助ヨーク層３５の前端面３５ａから後端面３５ｅまでのトラック幅方向におけるある一定の幅寸法内には前記トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区が必ず存在し、よって前記主磁極層２４の幅広部２４ｂの全体を前記トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区上に重ねることが容易且つ適切に行える。

図３に示すように前記補助ヨーク層３５は前端面３５ａ、側端面３５ｃ、及び後端面３５ｅを有してなり、前記側端面３５ｃはハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に形成され、前記前端面３５ａは上記した傾き角度θ１を有し、前記後端面３５ｅはトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に形成されることが最も好ましい形態である。これにより磁区はほぼ４つ形成され、前記前端面３５ａにはトラック幅方向の平行成分が支配的な磁区３５ｂが広い面積で形成されやすくなる。

寸法について説明する。前記トラック幅Ｔｗは０．０６μｍ〜０．３０μｍの範囲内であることが好ましい。前記幅広部２４ｂの幅寸法Ｔ１（最大幅寸法）は０．５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。前記補助ヨーク層３５の前記幅寸法Ｔ２（最大幅寸法）は、１μｍ〜３０μｍの範囲内で形成されることが好ましい。また前記補助ヨーク層３５のハイト方向への長さ寸法Ｌ１（最大長さ寸法）は５μｍ〜３０μｍの範囲内で形成されることが好ましい。

なお図１に示す垂直記録磁気ヘッドの構造は一例である。例えば図２に示すように、前記主磁極層２４及び補助ヨーク層３５が前記リターンヨーク層２１よりも上方に位置し、前記補助ヨーク層３５と前記リターンヨーク層２１とが接続層２６を介して磁気的に接続されている構造であってもよい。図２に示す符号５６は、コイル絶縁下地層、符号５７はギャップ層である。なお図２に付された図１と同じ符号は図１と同じ層を示している。図１及び図２において前記主磁極層２４は前記補助ヨーク層３５の上側に形成されているが、前記補助ヨーク層３５の下側に形成されてもよい。

実験では、ＦｅＣｏで形成された磁性体を図７〜図１０に示す形状にてメッキ形成し、各磁性体に形成された磁区を磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）で観察した。

（図６に示す磁性体：実施例１）
模式図を図１１に示す。図１１に示すように幅寸法を１０μｍ、ハイト方向への長さを１５．５μｍとした。また前記磁性体の前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を３０°とした。

（図７に示す磁性体：実施例２）
模式図を図１２に示す。図１２に示すように幅寸法を２０μｍ、ハイト方向への長さ寸法を１５．５μｍとした。また前記磁性体の前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を３０°とした。

（図８に示す磁性体：実施例３）
模式図を図１３に示す。図１３に示すように幅寸法を１０μｍ、ハイト方向への長さ寸法を５μｍとした。また前記磁性体の前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を３０°とした。

（図９に示す磁性体：比較例）
模式図を図１４に示す。図１４に示すように幅寸法を１０μｍ、ハイト方向への長さ寸法を１５．５μｍとした。また前記磁性体の前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を５０°とした。

（図１０に示す磁性体：実施例４）
模式図を図１５に示す。図１５に示すように幅寸法を１０μｍ、ハイト方向への長さ寸法を１５．５μｍとした。また前記磁性体の前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を０°とした。

図６〜図８（模式図は図１１〜図１３）に示すように、各磁性体は多磁区構造となることがわかった。この磁区の構成から、各磁区における自発磁化の方向は、図１１〜図１３に示す方向であると推測できる。特に、各磁性体の前端面に接して形成される磁区Ｃでは、磁気モーメントのトラック幅方向の平行成分が、前記磁気モーメントのハイト方向の平行成分よりも大きくなり、自発磁化の方向はトラック幅方向と平行かあるいはそれに近い方向に向くことがわかった。

また図１１〜図１３に示すように、幅寸法Ｔ２と長さ寸法Ｌ１の比（Ｔ２／Ｌ１）を変えると、磁区構造が変化することがわかった。図１１では、前記比は、約０．６４５、図１２では、前記比は、約１．２９、図１３では、２であった。図１２，図１３では、トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区どうしが、トラック幅と平行に長く形成された磁壁Ｄを介して対向している。このような形態では、トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区が、前端面から後端面までのトラック幅方向の一定領域内に常に存在するため（例えば図１２に示す斜め線領域Ｂを参照）、図１２や図１３に示す形態の磁性体を補助ヨーク層として用いた場合、主磁極層を前記補助ヨーク層のトラック幅方向の平行成分が支配的な磁区に重ねて形成しやすくなる。すなわち、図１２に示す斜め線領域Ｂ上に主磁極層を重ねれば、前記主磁極層を、トラック幅方向の平行成分が支配的な磁区上に適切に重ねることが出来る。

この実験結果から、本実施例では、前記比を１．２９以上にすることが好ましい範囲とした。

次に図９（模式図は図１４）に示す比較例では、前記前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を５０°にしているが、これにより、前記前端面近傍にはハイト方向の平行成分が支配的な磁区が存在することがわかった。

一方、図１０（模式図は図１５）に示す実施例では、前記前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を０°にしているが、これにより、前記前端面近傍にはトラック幅方向の平行成分が支配的な磁区が存在することがわかった。図６〜図１５に示す実験結果から前記前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を０〜３０°の範囲内に設定した。これにより前記前端面近傍にトラック幅方向の平行成分が支配的な磁区が形成されることがわかった。

第１の実施形態の垂直磁気記録ヘッドを有する複合型磁気ヘッドを記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向であって且つ膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図、 第２の実施形態の垂直磁気記録ヘッドを有する複合型磁気ヘッドを記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向であって且つ膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図、 補助ヨーク層及び主磁極層の磁区構造等を示す平面図、 図３とは異なる形態の補助ヨーク層及び主磁極層の平面図、 図３，図４とは異なる形態の補助ヨーク層及び主磁極層の平面図、 幅寸法を１０μｍ、ハイト方向への長さを１５．５μｍ、前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を３０°とした磁性体の磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、 幅寸法を２０μｍ、ハイト方向への長さを１５．５μｍ、前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を３０°とした磁性体の磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、 幅寸法を１０μｍ、ハイト方向への長さを５μｍ、前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を３０°とした磁性体の磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、 幅寸法を１０μｍ、ハイト方向への長さを１５．５μｍ、前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を５０°とした磁性体の磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、 幅寸法を１０μｍ、ハイト方向への長さを１５．５μｍ、前端面のトラック幅方向に対する傾き角度を０°とした磁性体の磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、 図６の模式図、 図７の模式図、 図８の模式図、 図９の模式図、 図１０の模式図、 従来の垂直磁気記録ヘッドをハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けて膜厚方向（図示Ｚ方向）と平行な方向から切断した部分断面図、 （ａ）は従来の補助ヨーク層の磁区構造を示す平面図、（ｂ）は従来の主磁極層の磁区構造を示す平面図、

符号の説明

１１ スライダ
２１ リターンヨーク層
２４ 主磁極層
２４ａ （主磁極層の）先端部
２４ｂ （主磁極層の）幅広部
２７ コイル層
３５ 補助ヨーク層
３５ａ （補助ヨーク層の）前端面
３５ｂ、３５ｄ、３５ｆ 磁区

Claims (5)

1. 主磁極層と、前記主磁極層に接続される補助ヨーク層と、前記主磁極層、及び前記補助ヨーク層に、記録磁界を与えるためのコイル層と、を有し、
   前記主磁極層は、トラック幅Ｔｗを規制する細長形状の先端部と、前記先端部のハイト側後方に設けられ、前記先端部よりトラック幅方向の幅寸法が広い幅広部を有し、
   前記補助ヨーク層の前記対向面側に向く前端面は、前記対向面からハイト方向へ後退し、前記主磁極層の幅広部は前記補助ヨーク層に重ねられ、前記先端部は前記補助ヨーク層の前端面よりも前方に突出して前記対向面に露出しており、
   前記補助ヨーク層は多磁区構造であり、磁気モーメントのハイト方向と平行な成分と前記磁気モーメントのトラック幅方向と平行な成分とを比較したときに、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区が少なくとも前記前端面の一部に接して形成され、
   前記主磁極層の前記補助ヨーク層との重なり領域の半分以上の面積が、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい前記磁区と重なっていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
2. 主磁極層と、前記主磁極層に接続される補助ヨーク層と、前記主磁極層、及び前記補助ヨーク層に、記録磁界を与えるためのコイル層と、を有し、
   前記主磁極層は、トラック幅Ｔｗを規制する細長形状の先端部と、前記先端部のハイト側後方に設けられ、前記先端部よりトラック幅方向の幅寸法が広い幅広部を有し、
   前記補助ヨーク層のトラック幅方向の幅寸法は、前記幅広部の幅寸法に比べて大きく、前記補助ヨーク層の前記対向面側に向く前端面は、前記対向面からハイト方向へ後退し、前記主磁極層の幅広部は前記補助ヨーク層に重ねられ、前記先端部は前記補助ヨーク層の前端面よりも前方に突出して前記対向面に露出しており、
   前記前端面の少なくとも一部は、トラック幅方向と平行な方向に対する傾き角度θ１が０〜３０°の範囲内で形成され、前記傾き角度θ１で形成された前記前端面は、平面視で、前記幅広部にハイト方向と平行な方向にて対向し且つ前記幅広部の幅寸法以上で形成され、
   前記主磁極層は、前記補助ヨーク層のハイト方向への長さ寸法の半分以下の前端面側領域に重なることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
3. 前記補助ヨーク層は多磁区構造であり、磁気モーメントのハイト方向と平行な成分と前記磁気モーメントのトラック幅方向と平行な成分とを比較したときに、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区が少なくとも前記前端面の少なくとも一部に接して形成され、
   前記主磁極層の前記補助ヨーク層との重なり領域の半分以上の面積が、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい前記磁区と重なっている請求項１記載の垂直磁気記録ヘッド。
4. 前記主磁極層の前記補助ヨーク層との重なり領域の全面積が、前記トラック幅方向の平行成分の方が大きい磁区と重なっている請求項１又は３に記載の垂直磁気記録ヘッド。
5. 前記補助ヨーク層のハイト方向への長さ寸法に対する前記補助ヨーク層のトラック幅方向への幅寸法の比（前記幅寸法／前記長さ寸法）は、１以上である請求項１ないし４のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。

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