JP2005063562A - 薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを用いた磁気装置、並びに前記薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
特に磁極部の形状を適正化してサイドフリンジの発生を抑制できるとともに、その他の特性の向上をも図り、且つ前記磁極部の形成の容易化及び適正化を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを用いた磁気装置、並びに前記薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】
上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１が、下部コア層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２に比べて大きく形成されており、これによってサイドフリンジの抑制を図ることが可能になっている。しかも本発明では、磁気回路構成部と分離された磁極部７の形状を加工するものであり、前記磁極部７の適正な狭トラック化を実現できる。さらに磁気回路構成部と分離された磁極部７の後方領域に広いコイル層３８の形成領域３８ａを設けることができ、薄膜磁気ヘッドの小型化においても所定寸法のコイル層３８を形成しやすい。
【選択図】 図１

Description

本発明は、磁気記録媒体に磁界を与えて記録を行う薄膜磁気ヘッドに係り、特に磁極部の形状を適正化してサイドフリンジの発生を抑制できるとともに、その他の特性の向上をも図り、且つ前記磁極部の形成の容易化及び適正化を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを用いた磁気装置、並びに前記薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

図１５は、下記の特許文献１の図１に示す上部磁極層、ギャップ層及び下部磁極層の部分拡大正面図である。

図１５に示すように上部磁極層及び下部磁極層の両側端面は、共に前記ギャップ層から離れる方向に向けて徐々にトラック幅方向への幅寸法が広がるように傾斜面で形成されている。

図１５では、前記上部磁極層の下面のトラック幅方向への幅寸法及び前記下部磁極層の上面のトラック幅方向への幅寸法は共にＴｗ５である。

しかしながら図１５に示す磁極部構造であると次のような問題点がある。図１６は、実際に記録媒体上を特許文献１記載の薄膜磁気ヘッドが走行したときの問題点を指摘するための説明図である。

図１６に示す斜線部分は、前記磁極部から前記媒体に対して記録が行われた、あるいはこれから記録が行われる領域（トラック）である。図１６に示すように前記磁極部は記録媒体上を所定角θ５だけ傾いた状態を維持しながら走行する。この所定角θ５をスキュー角と呼んでいる。

図１５に示すように、前記上部磁極層の下面と下部磁極層の上面とが同じＴｗ５の寸法で形成されていると、図１６のようにスキュー角θ５によって、前記下部磁極層の上面のエッジが前記記録領域よりもはみ出し、前記下部磁極層のエッジで既に記録された隣の領域の記録磁界を消去してしまったり、あるいは新たに書き込みを行ってしまう、いわゆるサイドフリンジの問題が深刻化する。

一方、下記に示す特許文献２および特許文献３では、下部コア層の上面のトラック幅方向への寸法Ｔｗ６が、上部コア層の下面のトラック幅方向への寸法Ｔｗ７よりも小さくなっており（図１７を参照されたい）、特許文献２及び３に示した薄膜磁気ヘッドの構造は、特許文献１に示した薄膜磁気ヘッドの構造よりも上記したサイドフリンジの問題を抑制できるものと考えられた。
特開２００２−１９７６１６号公報（図１） 特開２００２−９２８１８号公報（図３、図１１、図１２） ＵＳＰ６，０５５，１３８（Ｆｉｇ１，１１）

しかしながら、特許文献２及び特許文献３は以下の点で、実際にサイドフリンジの発生を効果的に抑制できるのか否か不明である。

すなわちサイドフリンジの抑制は、薄膜磁気ヘッドの構造のみで決定できず、スキュー角との関係が重要である。この点、両文献には、薄膜磁気ヘッドの構造のみが開示されているだけで、スキュー角との関係に関し明確な記載が無い。例えば特許文献２の図１２では、スキュー角を０°として従来技術の問題点を挙げているが、スキューのあるときに実際に特許文献２の図１１の構造でサイドフリンジを効果的に抑制できるかは不明である。

また特許文献２及び特許文献３では、下部コア層と上部コア層が記録媒体との対向面でギャップ層を挟んで対向した形状であり、前記コア層と分離した磁極層が前記対向面でギャップ層を挟んで対向した構造ではない。

このため特許文献２の図３や特許文献３の図１１から明らかなように、下部コア層及び上部コア層は前記対向面からハイト方向に長く延びて形成され、両コア層がハイト方向後方で磁気的に接続されて磁気回路を構成している。

このように下部コア層及び上部コア層は、媒体対向面付近にのみ形成すれば良いというものではないため、特に高記録密度化を実現するために高精度に狭トラック化を図ることが非常に困難な構造であり、記録特性の低下を招きやすい。

また、特許文献２や特許文献３では、前記下部コア層が媒体対向面からハイト方向に長く延ばされて形成されているから、コイル層をどうしても前記下部コア層の上方に形成するしかなく、前記コイル層の形成領域が制限される。薄膜磁気ヘッドがより小型化されている現在にあって前記コイル層の広い形成領域の確保は重要な技術課題となっている。

また特許文献２及び特許文献３では、上部コア層の下面の幅寸法Ｔｗ７に比べて下部コア層の上面の幅寸法Ｔｗ６が狭い構造をどのように形成するのか具体的例示が無い。特許文献２には図５ないし図１０に製造方法が図示されているが、この工程図は、図４等の下部コア層の上面の幅寸法Ｔｗ６と上部コア層の下面の幅寸法Ｔｗ７とが同じ寸法となる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものであると認められる。

そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に磁極部の形状を適正化してサイドフリンジの発生を抑制できるとともに、その他の特性の向上をも図り、且つ前記磁極部の形成の容易化及び適正化を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを用いた磁気装置、並びに前記薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。

本発明は、記録媒体との対向面側に設けられた磁極部、前記磁極部に記録磁界を導く磁気回路構成部、記録磁界を誘導するためのコイル層を有し、
前記磁極部は、下部磁極層と上部磁極層と、両磁極層間に設けられたギャップ層とを有して構成され、
前記上部磁極層の下面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ１は、前記下部磁極層の上面の前記対向面側でのトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ２よりも大きく、
前記ギャップ層は、前記下部磁極層の上面のトラック幅方向における両側縁部から、前記上部磁極層の下面のトラック幅方向における両側縁部にかけて徐々にトラック幅方向への幅寸法が広がって形成され、
前記磁極部は前記対向面からハイト方向後方に所定領域内で形成され、前記磁極部よりもハイト方向後方に前記コイル層の形成領域が設けられていることを特徴とするものである。

上記のように本発明では、上部磁極層の下面の幅寸法Ｔｗ１が、下部コア層の上面の幅寸法Ｔｗ２に比べて大きく形成されており、これによってサイドフリンジの抑制を図ることが可能になっている。

しかも本発明では、磁気回路構成部と分離された磁極部の形状を加工するものであり、前記磁極部の適正な狭トラック化を実現できる。

さらに本発明では、磁気回路構成部と分離された磁極部の後方領域に広いコイル層の形成領域を設けることができ、薄膜磁気ヘッドの小型化においても所定寸法のコイル層を形成しやすい。

また本発明では、前記上部磁極層の上面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ３は、前記Ｔｗ１よりも大きいことが好ましく、また前記下部磁極層の下面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ４は、前記Ｔｗ２よりも大きいことが好ましい。これによってＯＷ（オーバーライト）特性の向上を図ることが可能になる。
なお前記Ｔｗ３は前記Ｔｗ４よりも大きいことがより好ましい。

次に本発明では、前記ギャップ層は、ＮｉＰＲｅまたはＡｕで形成されることが好ましい。前記上部磁極層の下面の幅寸法Ｔｗ１を下部磁極層の上面の幅寸法Ｔｗ２よりも大きく形成するには、ギャップ層の材質が重要である。

また本発明は、上記のいずれかに記載された薄膜磁気ヘッドと、記録媒体とを有してなる磁気装置において、
前記薄膜磁気ヘッドの媒体上走行中におけるスキュー角がθで、前記θをｔａｎθとおいたとき、
前記ｔａｎθは、［[（Ｔｗ１−Ｔｗ２）／２]／ギャップ層の膜厚ＧＬ］以下であることを特徴とするものである。

上記関係を満たすことで、効果的にサイドフリンジの発生を抑制することが可能である。

また本発明は、記録媒体との対向面側に設けられた磁極部、前記磁極部に記録磁界を導く磁気回路構成部、記録磁界を誘導するためのコイル層を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
前記磁極部を下から下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順にメッキ形成し、
前記下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層のトラック幅方向における両側端面を削り、この工程後に、前記上部磁極層の下面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ１＞下部磁極層の上面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ２なる関係を満たすことを特徴とするものである。

上記の製造工程によって、前記上部磁極層の下面の幅寸法Ｔｗ１を下部磁極層の上面の幅寸法Ｔｗ２よりも大きく形成できる。特許文献２及び特許文献３はコア層であるので本発明と同じ工程を使用できない。本発明は磁極部だからこそ、上記工程を使用して、前記上部磁極層の下面の幅寸法Ｔｗ１が下部磁極層の上面の幅寸法Ｔｗ２よりも大きくなる構造を実際に実現できる。

また本発明では、前記ギャップ層には、前記ギャップ層の側面を削る角度に対して、前記ギャップ層への削り込みレートが前記下部磁極層及び上部磁極層への削り込みレートよりも早い材質を使用することが好ましい。これによって効果的に、前記上部磁極層の下面の幅寸法Ｔｗ１を下部磁極層の上面の幅寸法Ｔｗ２よりも大きく形成できる。

また本発明では、前記ギャップ層を、ＮｉＰＲｅまたはＡｕで形成することが好ましい。この材質は、下部磁極層や上部磁極層に使用されるＮｉＦｅ合金等に比べて前記削り込みレートを早くできる。

また本発明では、前記ギャップ層の膜厚を０．０６μｍ以上で０．１８μｍ以下で形成することが好ましい。

また本発明では、前記磁極部の高さ方向を０°とし、水平方向を９０°としたとき、前記ギャップ層、下部磁極層及び上部磁極層の側面を削る際の角度を、５０°以上で７０°以下とすることが好ましく、より好ましくは、前記角度を５５°以上で６０°以下とする。これによって、より効果的に、前記上部磁極層の下面の幅寸法Ｔｗ１を下部磁極層の上面の幅寸法Ｔｗ２よりも大きく形成できる。

本発明によれば、上部磁極層の下面の幅寸法Ｔｗ１が、下部コア層の上面の幅寸法Ｔｗ２に比べて大きく形成されており、これによってサイドフリンジの抑制を図ることが可能になっている。

しかも本発明では、磁気回路構成部と分離された磁極部の形状を加工するものであり、前記磁極部の適正な狭トラック化を実現できる。

さらに本発明では、磁気回路構成部と分離された磁極部の後方領域に広いコイル層の形成領域を設けることができ、薄膜磁気ヘッドの小型化においても所定寸法のコイル層を形成しやすい。

またスキュー角がθであるとき、本発明の薄膜磁気ヘッドの磁極部が、磁気装置内で、ｔａｎθ≦［[（Ｔｗ１−Ｔｗ２）／２]／ギャップ層の膜厚ＧＬ］なる関係を満たして記録媒体上を走行すれば、効果的にサイドフリンジの発生を抑制することが可能である。

また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、上部磁極層の下面の幅寸法Ｔｗ１を下部磁極層の上面の幅寸法Ｔｗ２よりも適切且つ容易に大きく形成できる。

特にギャップ層の材質や、イオンミリング時におけるイオン照射角度、及びギャップ層の膜厚を適切に選択・規制することで、より確実に上部磁極層の下面の幅寸法Ｔｗ１を下部磁極層の上面の幅寸法Ｔｗ２よりも大きく形成することが可能になる。

図１Ａ、Ｂは、本発明の第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分正面図、図２は図１とは異なる他の形態の薄膜磁気ヘッドの部分正面図、図３は、図１及び図２とは異なる他の形態の薄膜磁気ヘッドの部分正面図、図４は図１に示す薄膜磁気ヘッドを４−４線からＹ−Ｚ平面と平行な方向に向けて切断し、その切断面を矢印方向から見た薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。

図４には、浮上式ヘッドを構成するセラミック材のスライダ２１のトレーリング側端面２１ａ上に形成されたＭＲヘッドｈ１と、書込み用のインダクティブヘッドｈ２とが積層された、ＭＲ／インダクティブ複合型薄膜磁気ヘッド（以下、単に薄膜磁気ヘッドという）が示されているが、図１では、ＭＲへッドｈ１の図示を省略している。

図４に示すように、スライダ２１のトレーリング側端面２１ａ上にＡｌ₂Ｏ₃膜２２を介してＮｉＦｅ等からなる磁性材料製の下部シールド層２３が形成され、さらにその上に絶縁材料製の下部ギャップ層２４が形成されている。

下部ギャップ層２４上には記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子あるいはトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子などの磁気抵抗効果素子２５が形成され、さらに磁気抵抗効果素子２５及び下部ギャップ層２４上には絶縁材料製の上部ギャップ層２６が形成されている。さらに上部ギャップ層２６の上にＮｉＦｅ等の磁性材料で形成された上部シールド層２７が形成されている。ＭＲヘッドｈ１は、下部シールド層２３から上部シールド層２７までの積層膜で構成されている。

上部シールド層２７上には、Ａｌ₂Ｏ₃などからなる分離層２８を介して、インダクティブヘッドｈ２の下部コア層１が積層されている。下部コア層１は、ＮｉＦｅなどによって形成される。下部コア層１上には、Ｇｄ決め層３１が形成され、Ｇｄ決め層３１は例えば絶縁材料などで形成される。

また、記録媒体との対向面からＧｄ決め層３１上にかけて、上部コア層よりトラック幅方向寸法が小さい磁極部７が形成されている。

前記磁極部７は下から下部磁極層２、非磁性のギャップ層３、及び上部磁極層５が積層されて構成されている。

下部磁極層２は、例えば下部コア層１上に直接メッキ形成されている。また下部磁極層２の上に形成されたギャップ層３は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されている。よって前記下部磁極層２、ギャップ層３及び上部磁極層５を連続メッキ形成することが可能となっている。

前記ギャップ層３の上に形成された上部磁極層５は、その上に形成される上部コア層６と磁気的に接続される。

図４に示すように、上部磁極層５とギャップ層３の接合面のハイト方向長さ寸法で、ギャップデプス（Ｇｄ）が規制される。

前記磁極部７のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト方向後方（図示Ｙ方向）にはＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの無機材料からなる絶縁層３７（絶縁層３７ａ及び絶縁層３７ｂからなる）が形成されている。絶縁層３７の上面は磁極部７の上面と同一平面とされる。

図４に示すように、絶縁層３７ａの内部及び絶縁層３７ｂ上に、コイル層３８がパターン形成されている。前記コイル層３８の上方にはもう一段、コイル層４１が形成され、コイル層４１の上層は有機絶縁材料製の絶縁層３９によって覆われている。

磁極部７上から絶縁層３９上にかけて上部コア層６が例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。

上部コア層６の基端部６ｂは、下部コア層１上に形成された、ＮｉＦｅなどの磁性材料製の接続層（バックギャップ層）４０上に直接接続されている。

以下、図１に示す薄膜磁気ヘッドの特徴的部分について説明する。
図１に示すように、前記上部磁極層５の下面５ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はＴｗ１で形成され、前記下部磁極層２の上面２ａのトラック幅方向における幅寸法はＴｗ２で形成されている。図１に示すように前記上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１は、前記下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２よりも大きくなっている。

また前記上部磁極層５と下部磁極層２との間に挟まれたギャップ層３は、前記下部磁極層２の上面２ａのトラック幅方向における両側縁部２ａ１，２ａ１から、前記上部磁極層５の下面５ａのトラック幅方向における両側縁部５ａ１，５ａ１にかけて徐々にトラック幅方向への幅寸法が広がって形成されている。

図１に示すように前記ギャップ層３の両側端面３ａ，３ａは、ちょうど前記上部磁極層５及び下部磁極層２の側縁部５ａ１，２ａ１間を繋ぐ傾斜面として形成されている。前記両側端面３ａは前記傾斜面でなくても、例えば湾曲面などでもよい。

図１に示す実施形態では、前記上部磁極層５の両側端面５ｂ，５ｂと前記ギャップ層３の両側端面３ａとが同一の平坦化面で形成された連続面として構成されている。

図４に示すように前記ギャップ層３のハイト方向への形状は、前記ギャップ層３のハイト方向後端面３ｂがちょうど前記Ｇｄ決め層３１の表面とぶつかっており、前記Ｇｄ決め層３１よりハイト方向へは延びていない。よって前記ギャップ層３の膜面方向（図示Ｘ−Ｙ平面）への断面は、前記上部磁極層５の下面５ａの面積範囲内に収められている。

上記したように、前記上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１は、下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２よりも大きくなっているから、サイドフリンジの発生の抑制に適した構成となっている。

サイドフリンジの発生の抑制の原理、及びより効果的にサイドフリンジの発生を抑制するための数値限定に関し、以下に説明する。

図５は、本発明の薄膜磁気ヘッドが、例えばハードディスク装置などの磁気装置内に搭載されて記録媒体上を走行しながら記録を行った際におけるスキュー角θ１と、記録領域（トラック）との関係を模式図化したものである。なお図５に示す上部磁極層５及び下部磁極層２の形状は直方形状に簡略化して図示されている。また以下では薄膜磁気ヘッドの媒体上に対する「走行方向」を直線的に描いているが、実際には媒体は円盤状なので、走行方向が直線であることはない。よって「走行方向」は厳密に言えば、媒体の円周法線方向であるが、ここでは説明を簡単にすべく「走行方向」を直線的に描いている。

図５Ａでは、前記スキュー角が０°の場合である。上記のように下部磁極層２の上面２ａは、上部磁極層５の下面５ａの幅よりも小さいから、前記上部磁極層５と下部磁極層２との間で生じる記録磁界によって媒体に記録された、あるいはこれから記録される記録領域（トラック）よりも、前記下部磁極層２の上面２ａの縁部２ａ１が、外方に飛び出すことは無い。よってスキューが０°の場合は、本発明の薄膜磁気ヘッドの構造では、サイドフリンジの問題は生じない。サイドフリンジは次のようにスキューがつく場合にスキュー角との関係を考慮しなければならない。

図５Ｂは、前記スキュー角がθ１の場合である。図５Ｂはちょうどサイドフリンジが発生しない限界を示しており、かかる場合の前記スキュー角θ１は、次のように表される。図５Ｂの右側にある図は、左側にある図の丸で囲った部分を拡大した部分拡大図である。

図５Ｂの左図及び右図は、前記薄膜磁気ヘッドの走行方向と、前記下部磁極層２の上面２ａの縁部２ａ１と前記上部磁極層５の下面５ａの縁部５ａ１とを結んだ仮想線（１）とが、ちょうど同一方向となった（一致した）状態である。

このとき、前記上部磁極層５の側端面から膜厚方向（図１で言えば図示Ｚ方向）に仮想線（２）を引き、前記下部磁極層２の上面２ａから、前記仮想線（２）方向に向けて、前記仮想線（２）とちょうど直交するように仮想線（３）を引く。

仮想線（１）、（２）、（３）の３辺で形成された三角形において、仮想線（１）と仮想線（２）間の角度が、スキュー角θ１と一致している。また仮想線（１）と（３）との交点間における前記仮想線（２）の長さは、ちょうどギャップ層３の膜厚ＧＬと一致している。また前記下部磁極層２の上面２ａの縁部２ａ１から前記仮想線（２）との交点間における仮想線（３）の長さは、上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１から前記下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２を引き、それを２で割った値[（Ｔｗ１−Ｔｗ２）／２]と一致している。

よってθ１をｔａｎθ１と置いたとき、図５Ｂの状態では、ｔａｎθ１＝［[（Ｔｗ１−Ｔｗ２）／２]／ＧＬ］の関係が成り立っている。

上記したように図５Ｂの状態は、ちょうど下部磁極エッジに起因したサイドフリンジの発生が無い限界である。この状態から前記θ１がさらに大きくなると、記録領域から前記下部磁極層２の上面２ａの縁部２ａ１が外方に飛び出すことになるため、サイドフリンジが発生する。

従って本発明では、ｔａｎθ１≦［[（Ｔｗ１−Ｔｗ２）／２]／ＧＬ］という関係が成り立つように、各寸法を規制すれば、サイドフリンジの発生を効果的に抑制できて好ましい。

図５Ｂでは、前記薄膜磁気ヘッドの上部磁極層５が走行方向に対して図示右側に傾くスキュー角θ１を有しているが、図５Ｃのように前記上部磁極層５が走行方向に対して図示左側に傾くスキュー角θ２を有している場合でも、ｔａｎθ２≦［[（Ｔｗ１−Ｔｗ２）／２]／ＧＬ］という関係が成り立つように、各寸法を規制すれば、サイドフリンジの発生をより効果的に抑制できることは言うまでもない。

図１Ａに示す実施形態では、前記上部磁極層５の両側端面は、前記下面５ａから上方に向けて前記上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が徐々に広がるように傾斜した下方側端面５ｂと、前記下方側端面５ｂの上側縁部５ｂ１から屈曲して前記上部磁極層５の幅寸法がほぼ一定となるように延びる上方側端面５ｃとで構成されている。

なお後述する実験によれば、図１Ｂのように、前記上部磁極層５の両側端面が、前記下面５ａから上方に向けて前記上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が徐々に広がるように傾斜した側端面５ｂで形成され、この側端面５ｂが前記上部コア層６の下面まで連続して延びている形状となりやすい。

前記上部磁極層５の上面５ｄはトラック幅方向への幅寸法がＴｗ３で形成されている。前記Ｔｗ３は前記上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１に比べて大きくなっており、前記上部磁極層５のボリュームが大きく確保され、ＯＷ（オーバーライト）特性等の記録特性の向上を図ることができる。

一方、下部磁極層２の両側端面２ｂは、前記上面２ａから下方に向けて前記下部磁極層２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が徐々に広がるように傾斜した傾斜面となっている。

前記下部磁極層２の下面２ｃはトラック幅方向への幅寸法がＴｗ４で形成されている。前記Ｔｗ４は前記下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２に比べて大きくなっており、前記下部磁極層２のボリュームが大きく確保され、ＯＷ（オーバーライト）特性等の記録特性の向上を図ることができる。

なお特にＯＷ特性のより効果的な向上を図るには、できる限り上部磁極層５のボリュームを確保することが望ましく、よって前記Ｔｗ３を前記Ｔｗ４より大きくして、前記上部磁極層５のボリュームを下部磁極層２に比べて大きくすることが好ましい。

本発明では、下部磁極層２、ギャップ層３及び上部磁極層５からなる磁極部７の形状を適正化するものである。前記磁極部７は下部コア層１や上部コア層６等の磁気回路構成部と分離形成されており、図４に示すように、前記磁極部７の真後の領域を、コイル層３８を形成するためのコイル形成領域３８ａとして使用することが可能である。

前記コイル層３８は例えば必要なインダクタンス等を確保するため所定の巻数や断面積は予め規定されており、よって前記コイル層３８の形成領域を広く確保できることが好ましいが、特に薄膜磁気ヘッド自体の小型化によって前記コイル層３８の形成領域を広く確保することが難しくなっている。しかし本発明のように下部コア層１と上部コア層６に挟まれた磁極部７を媒体対向面側に設けることで、コイル層３８の形成領域を比較的広く確保でき、さらに前記磁極部７の形状の適正化を図ることで、上記したサイドフリンジの発生の抑制やＯＷ特性の向上とともに、前記磁極部７の狭トラック化を促進させることもでき、高記録密度化を適切に図ることが可能となっている。

本発明では上記したように、前記下部磁極層２、ギャップ層３及び上部磁極層５の全てをメッキ形成できる。この結果、後述の製造方法で説明するように、前記下部磁極層２、ギャップ層３及び上部磁極層５を図１のような形状に適切に且つ容易に加工することが可能になるが、図１のように、上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１を下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２より広くするには、前記ギャップ層３の材質が重要である。

本発明では前記ギャップ層３としてＮｉＰＲｅまたはＡｕを選択する。本発明では前記ギャップ層として非磁性金属材料を使用しているが、前記非磁性金属材料を用いることで記録磁界の向上を図ることができるというメリットがある。

すなわち非磁性導電材料で形成されたギャップ層３内にうず電流が生じ、うず電流による磁界のためにギャップ層３に生じるもれ磁束が増加し、この結果、記録磁界の向上を図ることができる。

しかも本発明の形態であれば前記記録磁界の向上とともにギャップ層３からの漏れ磁束に起因したサイドフリンジングの抑制をも適切に図ることができる。

この点、詳述すると、例えば図１に示す形態において、ギャップ層３の両側端面３ａが、前記上部磁極層５及び下部磁極層２の側縁部５ａ１，２ａ１よりもトラック幅方向の両側からはみ出してトラック幅方向に広く広がった形態であると、前記ギャップ層３からのもれ磁束がトラック幅Ｔｗよりも広い範囲にわたって発生するのでギャップ層３の漏れ磁束に起因したサイドフリンジングが発生しやすくなる。

しかし本発明では、前記上部磁極層５及び下部磁極層２の側縁部５ａ１，２ａ１との間を繋いだ非常に狭い領域内にのみ前記ギャップ層３を設けているから、ギャップ層３から発生する漏れ磁束がトラック幅Ｔｗよりも広がりにくく、従ってギャップ層３の漏れ磁束に起因したサイドフリンジングを効果的に抑制できる。

図１に示す磁極部７の形状は最適な形状の一つではあるが一例に過ぎない。例えば図２のように、前記上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における側端面５ｅ、５ｅが下部コア層１の下面から見てほぼ垂直に延びており、同様に前記下部磁極層２のトラック幅方向における側端面２ｄ，２ｄが下部コア層１の下面から見てほぼ垂直に延びる形態であってもよい。かかる場合でも前記上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１は、前記下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２よりも大きく形成され、前記上部磁極層５と下部磁極層２との間に挟まれたギャップ層３の側端面３ａは前記下部磁極層２の上面２ａの縁部２ａ１から前記上部磁極層５の下面５ａの縁部５ａ１にかけて傾斜した形状となっている。

また図３では、前記上部磁極層５の形状は図２に示すものと同じであるが、下部磁極層２が、図１に示す上部磁極層５のように、上面２ａから下方にかけて前記下部磁極層２のトラック幅方向への幅寸法が徐々に広がるように傾斜する上方側端面２ｅと、前記上方側端面２ｅの下方縁部２ｅ１から屈曲して前記下部磁極層２の幅寸法がほぼ一定となるように高さ方向（図示Ｚ方向）と平行に延びる下方側端面２ｆとで構成されている。

また前記上部磁極層５の側端面５ｆは、例えば一点鎖線で示すように、幅寸法が下方から上方に向けて広がるように傾斜し、この傾斜面が前記上部磁極層５の上面５ｄまで続く形状であってもかまわない。

なお図１ないし図３の各磁極層２，５の形状はそれぞれ選択可能で、図１ないし図３の磁極層２，５の組み合わせ以外の組み合わせで磁極部７が構成されていてもよい。

次に図６ないし図８を用いて本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図６ないし図８に示す各図は、薄膜磁気ヘッドの製造工程中の状態を示す部分拡大正面図である。

なお磁極部７の形成が本発明の特徴的部分であって、その他の層の形成には従来と同様の方法を使用できるので、以下では前記磁極部７の形成工程を主体に説明する。

図４に示す磁性材料製の下部コア層１までを形成し、さらに前記下部コア層１の上にレジスト等からなるＧｄ決め層３１を形成した後、図６に示す工程に移る。

図６に示す工程では、前記下部コア層１上にレジスト層１０を所定膜厚で塗布する。次に露光現像によって前記レジスト層１０に磁極部７を形成するための孔１０ａを形成する。前記孔１０ａを記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて所定の長さ寸法となるように形成するとともに、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法も所定寸法となるように形成する。

前記孔１０ａの下面には、前記下部コア層１の上面が露出している。あるいは前記下部コア層１上にスパッタ法等で形成されたメッキ下地層（図示しない）が露出する。

図６工程では、前記孔１０ａ内に、下から下部磁極層２、ギャップ層３及び上部磁極層５の順に各層をメッキ形成する。

前記下部磁極層２や上部磁極層５を、下部コア層１や上部コア層６より高い飽和磁束密度を有する磁性材料でメッキ形成できる。例えば前記下部コア層１や上部コア層６がＮｉＦｅ合金で形成されている場合には、前記下部磁極層２や上部磁極層５をＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金等で形成する。

本発明では、前記下部磁極層２と上部磁極層５との間に挟まれたギャップ層３を、ＮｉＰＲｅまたはＡｕでメッキ形成する。例えば前記ギャップ層３をＮｉ−Ｐ−Ｒｅでメッキ形成する。

本発明において前記ギャップ層３はメッキ形成可能な材質であることは当然であるが、イオンミリングにおけるレートが重要である。この点については後述する。

図６のように磁極部７をメッキ形成した後、前記レジスト層１０を除去する。図６工程により前記下部コア層１上にはＧｄ決め層３１と磁極部７のみが設けられた状態となる。

図７工程では、前記磁極部７の両側端面７ａを例えばイオンミリング法で削っていく。図７に示す矢印Ｒはイオン照射方向を示しており、このイオン照射方向は、前記下部コア層１の上面に対して垂直方向（図示Ｚ方向）からの角度θ３で規定される。

本発明では、図７工程で、前記磁極部７を構成するギャップ層３の両側端面３ａが上部磁極層５や下部磁極層２の両側端面５ｇ，２ｇよりも早く削れていき、特に前記ギャップ層３の両側端面３ａは、斜めからのイオン照射によって下方ほど削れ易くなっている。前記ギャップ層３の両側端面３ａの下方が上方に比べて早く削られるので、前記下部磁極層２の上面２ａの両側縁部付近も削られやすい状態になり、前記下部磁極層２の上面２ａの両側縁部付近が前記上部磁極層５の下面５ａの両側縁部付近に比べて早く削られる。

この結果、図８の実線で示すように、ミリング工程後における前記上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１が、前記下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２に比べて大きい状態が確保される。

ところで図７、図８工程で、前記上部磁極層５の下面５ａのトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ１が、前記下部磁極層２の上面２ａのトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ２に比べて大きくなるように制御するには、以下の点を考慮することが重要である。

まず第１に、前記ギャップ層３の材質である。上記したように前記ギャップ層３の材質にＮｉＰＲｅ等を例示したが、前記ギャップ層３の材質にとって必要な条件は、前記ギャップ層３の側端面３ａを削るイオン照射角度θ３に対して、前記ギャップ層３に対するミリングレートが前記下部磁極層２及び上部磁極層５に対するミリングレートよりも早いことである。前記ＮｉＰＲｅは、下部磁極層２や上部磁極層５を構成するＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金等に比べてミリングレートが早い。

第２に、イオン照射方向である。図７に示すイオン照射角度θ３は、５０°以上で７０°以下であることが好ましい。より好ましくは前記照射角度θ３は５５°以上で６０°以下である。照射角度θ３によって各層のミリングレートが異なりまた削られ方が異なってくる。

前記イオン照射角度θ３が上記範囲から外れると、前記ギャップ層３の側端面３ａが上方から下方にかけてほぼ同じように削られていき、前記上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１と下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２とがほぼ同じ幅寸法となってしまったり、あるいは前記下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２が、前記上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１より大きくなってしまう。従って、前記イオン照射角度θ３を、５０°以上で７０°以下と規定している。

第３に、前記ギャップ層３の膜厚ＧＬである。前記膜厚ＧＬはある程度厚くなければならない。前記膜厚ＧＬが薄すぎると、上記したミリングレートの違いを利用して上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１と下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２とに差を付けづらい。一方、前記膜厚ＧＬが厚すぎても、図５で説明したスキュー角θ１，θ２を大きくできず、わずかなスキューでサイドフリンジが発生しやすくなったり、記録磁界の減衰が生じるなど記録特性に影響を及ぼしやすい。よって前記ギャップ層３の膜厚も重要な要素である。

本発明では前記ギャップ層３の膜厚ＧＬは０．０６μｍ以上で０．１８μｍ以下であることが好ましい。この範囲から外れると、ミリングレートの違いを利用して上部磁極層５の下面５ａの幅寸法Ｔｗ１を下部磁極層２の上面２ａの幅寸法Ｔｗ２より大きくしづらく、また記録特性の低下を招きやすい。

なお図８工程に示す一点鎖線の部分がイオンミリングで削り取られる磁極部７の部分で実線がミリング工程後、実際に磁極部７として残される部分であるが、図８に示すように下部コア層１も前記ミリングの影響を受けて、前記下部コア層１の上面１ａは、前記磁極部７の下面の両側縁部７ｂ，７ｂからトラック幅方向（図示Ｘ方向）に離れる方向に従って徐々に前記下部コア層１の膜厚が薄くなるように傾斜した形状となる。

上記した本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を用いれば、前記上部磁極層５の下面５ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法Ｔｗ１を、下部磁極層２の上面２ａのトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ２に比べて大きく形成でき、サイドフリンジの発生を適切に抑制可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。

特に本発明では、前記上部磁極層５と下部磁極層２との間に介在するギャップ層３の材質や膜厚、さらにイオンミリング法におけるイオン照射角度θ３を適正化することで、より効果的に前記Ｔｗ１をＴｗ２に比べて大きくすることができる。

なお図１ないし図３に示す上部磁極層５及び下部磁極層２の形状は、イオン照射角度θ３やギャップ層３の膜厚等で適宜選択できる。例えば後述する実験によれば、イオン照射角度θ３が小さくなると図２のように上部磁極層５及び下部磁極層２がストレート形状になりやすい傾向が見られる。また前記ギャップ層３の膜厚ＧＬが厚くなると、図１や図３のように上部磁極層５や下部磁極層２に傾斜する側面が現れる傾向が見られる。

以上、詳述した本発明における薄膜磁気ヘッドは、例えばハードディスク装置などに搭載される磁気ヘッド装置に内蔵される。前記薄膜磁気ヘッドは浮上式磁気ヘッドあるいは接触式磁気ヘッドのどちらに内蔵されたものでもよい。また前記薄膜磁気ヘッドはハードディスク装置以外にも磁気センサ等に使用できる。

まず、種々の材質のベタ膜（以下、試験片という）を形成し、前記試験片のミリングレートを測定した。

ここで各試験片の大きさを、直径が４インチ（約１０．２ｃｍ）の基板上に直径で概ね７ｍｍとなるパターンとして形成した。イオンミリングには、Ａｒガスを使用し、ビーム電圧を４００Ｖ、ビーム電流を３００ｍＡとした。

図９に示すようにイオン照射方向Ｒは、試験片の表面と同一方向を０°とし、前記試験片の表面とイオン照射方向Ｒ間の角度を照射角度θ４と規定した。

このように規定することで、図９での照射角度θ４は図７で説明した照射角度θ３と一致することになる。よって以下、図１０で規定する好ましい照射角度θ４は図３での照射角度θ３として用いることができる。

図１０に示すように、イオン照射角度θ４の変動により、各材質における試験片のミリングレートもそれぞれ変化することがわかった。例えば従来からギャップ材としてよく用いられてきたＡｌ₂Ｏ₃のミリングレートは、ＣｏＦｅ合金よりも小さい（遅い）。このため例えばＡｌ₂Ｏ₃をギャップ材とし、ＣｏＦｅを磁性体の部分に使用すると、前記磁性体の方が早く削れてしまうため、図１等の形状に磁極部７を形成することができない。

また図１０に示すＮｉＰはＣｏＦｅ合金等の磁性材料と同様にメッキ形成可能な材質であり、図１のような磁極部７の形成の際にメッキ可能なギャップ材として使用できる。しかしＮｉＰのミリングレートは、特にイオン照射角度θ４が６０°以上になるとＣｏＦｅ合金とほぼ同様のミリングレートとなるかそれよりも下回ってしまう。ＮｉＰでもイオン照射角度θ４が５０°程度あるいはそれよりも小さいとＣｏＦｅ合金のミリングレートを上回る範囲があるが、ギャップ層にＮｉＰを使用すると上部磁極層の下面の幅を、下部磁極層の上面の幅よりも小さくなるように規制できず、図１のような形状の磁極部を得られないことがわかった。なおＮｉＦｅ合金やＮｉＦｅＣｏ合金もＣｏＦｅ合金とほぼ同様のミリングレートであるから、ＮｉＦｅ合金やＮｉＦｅＣｏ合金とＮｉＰとのミリングレートに関する関係についても上記と同様のことが言える。

図１０に示す実験結果からＮｉＰＲｅ（組成比は、Ｎｉ７１ｗｔ％、Ｐ１３ｗｔ％、Ｒｅ１６ｗｔ％）がＮｉＰよりも高い（早い）ミリングレートを有することがわかった。ＮｉＰＲｅはＮｉＰと同様にメッキ形成可能な非磁性材料で、しかもＣｏＦｅやＮｉＰよりも高いミリングレートを有しており、本発明では前記ＮｉＰＲｅをギャップ材の一つとして用いることとした。

そこでギャップ材としてＮｉＰＲｅを使用した磁極部を形成し（実施例）、この磁極部をある所定の条件の下でイオンミリングした際にどのような形状の磁極部として完成するかを測定し、また比較例としてギャップ材にＮｉＰを使用した磁極部を形成し、同じ条件の下でイオンミリングした際に如何なる形状の磁極部として完成するかを測定することとした。

その実験結果が図１１である。図１１Ａは、ギャップ材としてＮｉＰを用いた比較例、図１１Ｂはギャップ材としてＮｉＰＲｅ（組成比は、Ｎｉ７１ｗｔ％、Ｐ１３ｗｔ％、Ｒｅ１６ｗｔ％）を用いた実施例である。比較例ではＮｉＰの膜厚を０．０９μｍとし、実施例ではＮｉＰＲｅの膜厚を０１２μｍとした。また比較例及び実施例でのミリング前のトラック幅Ｔｗ（ここでトラック幅Ｔｗは上部磁極層の下面の幅寸法で規制される）はともに０．３５μｍであった。また実施例及び比較例共に、下部磁極層及び上部磁極層にはＣｏＦｅ合金を用いた。

ミリング条件としては、実施例及び比較例共に、ミリング照射角度θ４を６０°とし、９０分間行った。

図１１Ａ及び図１１Ｂともに、（１）の線がイオンミリング前の磁極部形状のシルエットである。この状態から上記ミリング条件によって前記磁極部を削り込んでいった。図１１Ａに示す（２）の線が上記のミリングを終了した時点での、磁極部形状のシルエットである。同様に、図１１Ｂに示す（３）の線が上記のミリングを終了した時点での、磁極部形状のシルエットである。

ここでミリング終了後における磁極部の形状（（２）及び（３）の線）を見てみると、図１１Ａの比較例では、上部磁極層の下面の幅寸法が、下部磁極層の上面の幅寸法より小さいことがわかった。

一方、図１１Ｂの実施例では、前記上部磁極層の下面の幅寸法が、下部磁極層の上面の幅寸法より大きいことがわかった。

このようにギャップ材としてＮｉＰを使用した比較例では、前記上部磁極層の下面の幅寸法を、下部磁極層の上面の幅寸法より大きくすることができなかった。

図１１の実験ではイオン照射角度θ４を６０°として行ったが、図１０を見ると、イオン照射角度θ４が６０°のとき、ＮｉＰとＣｏＦｅとのミリングレートはほぼ同じになっていることがわかった。一方、ＮｉＰＲｅはＣｏＦｅよりも大きなミリングレートを有していることがわかった。

図１２ないし図１４に示す実験結果は、ギャップ材としてＮｉＰＲｅ（組成比は、Ｎｉ７１ｗｔ％、Ｐ１３ｗｔ％、Ｒｅ１６ｗｔ％）を使用した磁極部に対し、イオン照射角度θ４やギャップの膜厚ＧＬを種々変化させた場合に、前記磁極部の形状がどのように変化するかを測定したものである。

図１２では、前記ギャップ層の膜厚ＧＬを０．０６μｍに固定している。イオンミリングの時間は図１１と同様に９０分であり、また上部磁極層及び下部磁極層にはＣｏＦｅを使用している。

図１２Ａでは、イオン照射角度θ４を５０°、図１２Ｂではイオン照射角度θ４を５５°、図１２Ｃではイオン照射角度θ４を６０°として測定した実験結果である。各図において、外側にある線がミリング前における磁極部のシルエットであり、内側にある線がミリング後における磁極部のシルエットである。

図１２Ａでは、上部磁極層の下面の幅寸法が下部磁極層の上面の幅寸法に比べて小さくなっていることがわかった。一方、図１２Ｂ及び図１２Ｃでは、上部磁極層の下面の幅寸法が下部磁極層の上面の幅寸法に比べて大きくなっていることがわかった。

次に図１３では、前記ギャップ層の膜厚ＧＬを０．１２μｍに固定している。イオンミリングの時間は図１１と同様に９０分であり、また上部磁極層及び下部磁極層にはＣｏＦｅを使用している。

図１３Ａでは、イオン照射角度θ４を５０°、図１３Ｂではイオン照射角度θ４を５５°、図１３Ｃではイオン照射角度θ４を６０°として測定した実験結果である。各図において、外側にある線がミリング前における磁極部のシルエットであり、内側にある線がミリング後における磁極部のシルエットである。

図１３Ａでは、上部磁極層の下面の幅寸法が下部磁極層の上面の幅寸法に比べて小さくなっていることがわかった。一方、図１３Ｂ及び図１３Ｃでは、上部磁極層の下面の幅寸法が下部磁極層の上面の幅寸法に比べて大きくなっていることがわかった。

次に図１４では、前記ギャップ層の膜厚ＧＬを０．１８μｍに固定している。イオンミリングの時間は図１１と同様に９０分であり、また上部磁極層及び下部磁極層にはＣｏＦｅを使用している。

図１４Ａでは、イオン照射角度θ４を５０°、図１４Ｂではイオン照射角度θ４を５５°、図１４Ｃではイオン照射角度θ４を６０°として測定した実験結果である。各図において、外側にある線がミリング前における磁極部のシルエットであり、内側にある線がミリング後における磁極部のシルエットである。

図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃでは、いずれも上部磁極層の下面の幅寸法が下部磁極層の上面の幅寸法に比べて大きくなっていることがわかった。

ここで図１２ないし図１４に示す実験結果から、イオン照射角度θ４を５０°にしてもギャップ層の膜厚ＧＬを大きくして具体的には０．１８μｍ程度に大きくすれば、上部磁極層の下面の幅寸法を下部磁極層の上面の幅寸法に比べて大きくできることがわかった。

一方、イオン照射角度θ４が５５°、６０°の場合には、ギャップ層の膜厚ＧＬが０．０６μｍ程度にまで小さくしても、上部磁極層の下面の幅寸法を下部磁極層の上面の幅寸法に比べて大きくできることがわかった。

以上の実験結果から、本発明では次の点を規定した。まずギャップ層の材質にはＮｉＰＲｅを使用することとした。次に、イオン照射角度θ４を５０°以上で７０°以下にすることとした。より好ましくは前記θ４を５５°以上で６０°以下にすることとした。次にギャップ層の膜厚を０．０６μｍ以上で０．１８μｍ以下にすることとした。

なお本発明では、図１０に示す実験結果からギャップ層としてＡｕも使用可能な材質であると規定した。

本発明の磁気ヘッドの第１の実施の形態の正面図、 本発明の磁気ヘッドの第２の実施の形態の正面図、 本発明の磁気ヘッドの第３の実施の形態の正面図、 本発明の磁気ヘッドの第１の実施の形態の縦断面図、 本発明の薄膜磁気ヘッドが磁気装置内に搭載されて記録媒体上を走行しながら記録を行った際におけるスキュー角θと、記録領域（トラック）との関係を説明するための模式図、 本発明の薄膜磁気ヘッドの磁極部の製造方法を示す一工程図、 図６の次の工程を示す一工程図、 図７の次の工程を示す一工程図、 各材質のミリングレートの実験方法を説明するための模式図、 各材質における、イオン照射角度θ４とミリングレートとの関係を示すグラフ、 Ａは、ギャップ層にＮｉＰを使用した場合の磁極部のシルエット、Ｂは、ギャップ層にＮｉＰＲｅを使用した場合の磁極部のシルエット、 ギャップ層の膜厚ＧＬを０．０６μｍに固定し、Ａはイオン照射角度θ４を５０°、Ｂはイオン照射角度θ４を５５°Ｃはイオン照射角度θ４を６０°としてミリングを行った場合の磁極部のシルエット、 ギャップ層の膜厚ＧＬを０．１２μｍに固定し、Ａはイオン照射角度θ４を５０°、Ｂはイオン照射角度θ４を５５°Ｃはイオン照射角度θ４を６０°としてミリングを行った場合の磁極部のシルエット、 ギャップ層の膜厚ＧＬを０．１８μｍに固定し、Ａはイオン照射角度θ４を５０°、Ｂはイオン照射角度θ４を５５°Ｃはイオン照射角度θ４を６０°としてミリングを行った場合の磁極部のシルエット、 従来の薄膜磁気ヘッドの磁極部の部分正面図、 図１５に示す磁極部形状の問題点を説明するための模式図、 他の従来の薄膜磁気ヘッドの部分正面図、

符号の説明

１ 下部コア層
２ 下部磁極層
３ ギャップ層
５ 上部磁極層
６ 上部コア層
７ 磁極部
１０ レジスト層
３１ Ｇｄ決め層
３８ コイル層
３８ａ コイル形成領域
Ｔｗ１ （上部磁極層５の下面５ａのトラック幅方向の）幅寸法
Ｔｗ２ （下部磁極層２の上面２ａのトラック幅方向の）幅寸法
θ１、θ２ スキュー角
θ３、θ４ イオン照射角度

Claims (12)

1. 記録媒体との対向面側に設けられた磁極部、前記磁極部に記録磁界を導く磁気回路構成部、記録磁界を誘導するためのコイル層を有し、
   前記磁極部は、下部磁極層と上部磁極層と、両磁極層間に設けられたギャップ層とを有して構成され、
   前記上部磁極層の下面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ１は、前記下部磁極層の上面の前記対向面側でのトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ２よりも大きく、
   前記ギャップ層は、前記下部磁極層の上面のトラック幅方向における両側縁部から、前記上部磁極層の下面のトラック幅方向における両側縁部にかけて徐々にトラック幅方向への幅寸法が広がって形成され、
   前記磁極部は前記対向面からハイト方向後方に所定領域内で形成され、前記磁極部よりもハイト方向後方に前記コイル層の形成領域が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 前記上部磁極層の上面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ３は、前記Ｔｗ１よりも大きい請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 前記下部磁極層の下面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ４は、前記Ｔｗ２よりも大きい請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 前記上部磁極層の上面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ３は、前記下部磁極層の下面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ４よりも大きい請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 前記ギャップ層は、ＮｉＰＲｅあるいはＡｕで形成される請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載された薄膜磁気ヘッドと、記録媒体とを有してなる磁気装置において、
   前記薄膜磁気ヘッドの媒体上走行中におけるスキュー角がθで、前記θをｔａｎθとおいたとき、
   前記ｔａｎθは、［[（Ｔｗ１−Ｔｗ２）／２]／ギャップ層の膜厚ＧＬ］以下であることを特徴とする磁気装置。
7. 記録媒体との対向面側に設けられた磁極部、前記磁極部に記録磁界を導く磁気回路構成部、記録磁界を誘導するためのコイル層を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
   前記磁極部を下から下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順にメッキ形成し、
   前記下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層のトラック幅方向における両側端面を削り、この工程後に、前記上部磁極層の下面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ１＞下部磁極層の上面のトラック幅方向における幅寸法Ｔｗ２なる関係を満たすことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
8. 前記ギャップ層には、前記ギャップ層の側端面を削る角度に対して、前記ギャップ層への削り込みレートが前記下部磁極層及び上部磁極層への削り込みレートよりも早い材質を使用する請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
9. 前記ギャップ層を、ＮｉＰＲｅあるいはＡｕで形成する請求項７または８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. 前記ギャップ層の膜厚を０．０６μｍ以上で０．１８μｍ以下で形成する請求項７ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
11. 前記磁極部の高さ方向を０°とし、水平方向を９０°としたとき、前記ギャップ層、下部磁極層及び上部磁極層の側端面を削る際の角度を、５０°以上で７０°以下とする請求項７ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
12. 前記角度を５５°以上で６０°以下とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。

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