JP2002092818A - 薄膜磁気ヘッド、及びその薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド、及びその薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2002092818A JP2002092818A JP2000281740A JP2000281740A JP2002092818A JP 2002092818 A JP2002092818 A JP 2002092818A JP 2000281740 A JP2000281740 A JP 2000281740A JP 2000281740 A JP2000281740 A JP 2000281740A JP 2002092818 A JP2002092818 A JP 2002092818A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ライトフリンジングを抑制して、高記録密度
化に対応できる薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 下部コア層６のギャップ形成面６ｓを、
上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと磁気ギャップ
Ｇを介して対向する面、上部コア層１１のギャップ形成
面１１ｓを、磁気ギャップＧを介して、下部コア層６の
ギャップ形成面６ｓの全面と非磁性層１２に対向する面
として、下部コア層６のギャップ形成面６ｓのトラック
幅方向寸法を、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓ
のトラック幅方向の寸法よりも小さくした。
化に対応できる薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 下部コア層６のギャップ形成面６ｓを、
上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと磁気ギャップ
Ｇを介して対向する面、上部コア層１１のギャップ形成
面１１ｓを、磁気ギャップＧを介して、下部コア層６の
ギャップ形成面６ｓの全面と非磁性層１２に対向する面
として、下部コア層６のギャップ形成面６ｓのトラック
幅方向寸法を、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓ
のトラック幅方向の寸法よりも小さくした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに用いられるインダクティブ型の薄膜磁気ヘ
ッドに係わり、特にライトフリンジングを抑制して、高
記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッド、及びこの薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関する。
ヘッドなどに用いられるインダクティブ型の薄膜磁気ヘ
ッドに係わり、特にライトフリンジングを抑制して、高
記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッド、及びこの薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、従来の薄膜磁気ヘッドを示す
説明図である。従来の薄膜磁気ヘッドの記録用ヘッド部
ｈ５２は、Ｃｕ薄膜等から成るコイル層（図示せず）
と、軟磁性材料薄膜からなる上部、下部コア層５４、５
５とを有し、コイル層は、互いに対向する上部、下部コ
ア層５４、５５間に介在して、上部コア層５４の先端部
５４ａは幅狭となって、下部コア層５５の先端部５５ａ
と磁気ギャップＧを介して対向している。上部、下部コ
ア層５４、５５には、コイル層を流れる電流により記録
磁界が誘導されて、記録磁界は、磁気ギャップＧにおい
て洩れ磁界となって磁気ディスクに付与される。
説明図である。従来の薄膜磁気ヘッドの記録用ヘッド部
ｈ５２は、Ｃｕ薄膜等から成るコイル層（図示せず）
と、軟磁性材料薄膜からなる上部、下部コア層５４、５
５とを有し、コイル層は、互いに対向する上部、下部コ
ア層５４、５５間に介在して、上部コア層５４の先端部
５４ａは幅狭となって、下部コア層５５の先端部５５ａ
と磁気ギャップＧを介して対向している。上部、下部コ
ア層５４、５５には、コイル層を流れる電流により記録
磁界が誘導されて、記録磁界は、磁気ギャップＧにおい
て洩れ磁界となって磁気ディスクに付与される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜磁気ヘッドでは、下部コア層５５の先端部５５ａが
上部コア層５４の先端部５４ａの幅寸法と同等以上に形
成されているので、洩れ磁界の幅寸法が、上部コア層５
４の先端部５４ａの幅（トラック幅）の範囲内に収まら
ず、磁気ディスクに付与される記録磁界の幅は、トラッ
ク幅よりも広がる。このようなトラック幅から外れた記
録磁界（ライトフリンジング）の影響は、トラック幅が
狭くなるほど増大して、高記録密度化に対応して狭トラ
ック幅となると、トラック位置の検出エラーの原因とな
る。本発明は、ライトフリンジングを抑制することによ
り、高記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
薄膜磁気ヘッドでは、下部コア層５５の先端部５５ａが
上部コア層５４の先端部５４ａの幅寸法と同等以上に形
成されているので、洩れ磁界の幅寸法が、上部コア層５
４の先端部５４ａの幅（トラック幅）の範囲内に収まら
ず、磁気ディスクに付与される記録磁界の幅は、トラッ
ク幅よりも広がる。このようなトラック幅から外れた記
録磁界（ライトフリンジング）の影響は、トラック幅が
狭くなるほど増大して、高記録密度化に対応して狭トラ
ック幅となると、トラック位置の検出エラーの原因とな
る。本発明は、ライトフリンジングを抑制することによ
り、高記録密度化に対応できる薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、軟磁性材料薄膜からなる下部コア層と、該下部コア
層上に形成された良導電材料薄膜からなるコイル層と、
該コイル層を介して前記下部コア層と対向する軟磁性材
料薄膜からなる上部コア層とを有し、互いに対向する前
記上部コア層のギャップ形成面と前記下部コア層のギャ
ップ形成面との間には、絶縁材料薄膜からなるギャップ
層が挟持されて、磁気ギャップが設けられ、前記下部コ
ア層における前記ギャップ形成面のトラック幅寸法は、
前記上部コア層における前記ギャップ形成面のトラック
幅寸法よりも小さい。このような薄膜磁気ヘッドでは、
コイル層を流れる電流により上部、下部コア層に記録磁
界が誘導されて、記録磁界は、磁気ギャップにおいて洩
れ磁界となり、磁気ディスクに付与される。このとき、
上部コア層のギャップ形成面におけるトラック幅方向の
側部位置では、洩れ磁界が発生しにくいので、上部コア
層のギャップ形成面から外れた記録磁界（ライトフリン
ジング）が磁気ディスクに付与されることを抑制するこ
とができる。よって、上部コア層の先端部の大きさを、
十分な記録磁界強度が得られるように保持したまま、磁
気ディスクに付与される記録磁界の幅寸法を狭くして、
高記録密度化に対応した薄膜磁気ヘッドとすることがで
きる。
は、軟磁性材料薄膜からなる下部コア層と、該下部コア
層上に形成された良導電材料薄膜からなるコイル層と、
該コイル層を介して前記下部コア層と対向する軟磁性材
料薄膜からなる上部コア層とを有し、互いに対向する前
記上部コア層のギャップ形成面と前記下部コア層のギャ
ップ形成面との間には、絶縁材料薄膜からなるギャップ
層が挟持されて、磁気ギャップが設けられ、前記下部コ
ア層における前記ギャップ形成面のトラック幅寸法は、
前記上部コア層における前記ギャップ形成面のトラック
幅寸法よりも小さい。このような薄膜磁気ヘッドでは、
コイル層を流れる電流により上部、下部コア層に記録磁
界が誘導されて、記録磁界は、磁気ギャップにおいて洩
れ磁界となり、磁気ディスクに付与される。このとき、
上部コア層のギャップ形成面におけるトラック幅方向の
側部位置では、洩れ磁界が発生しにくいので、上部コア
層のギャップ形成面から外れた記録磁界（ライトフリン
ジング）が磁気ディスクに付与されることを抑制するこ
とができる。よって、上部コア層の先端部の大きさを、
十分な記録磁界強度が得られるように保持したまま、磁
気ディスクに付与される記録磁界の幅寸法を狭くして、
高記録密度化に対応した薄膜磁気ヘッドとすることがで
きる。
【０００５】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記下部コア
層の基部に、前記上部コア層の前記ギャップ形成面に向
けて突出する凸部が設けられており、該凸部の上面は、
前記下部コア層の前記ギャップ形成面である。このよう
な薄膜磁気ヘッドでは、上部コア層のギャップ形成面と
下部コア層のギャップ形成面との間に洩れ磁界が発生し
易いので、磁気ディスクに付与される記録磁界強度が向
上して、記録情報の信頼性が高い薄膜磁気ヘッドとする
ことができる。
層の基部に、前記上部コア層の前記ギャップ形成面に向
けて突出する凸部が設けられており、該凸部の上面は、
前記下部コア層の前記ギャップ形成面である。このよう
な薄膜磁気ヘッドでは、上部コア層のギャップ形成面と
下部コア層のギャップ形成面との間に洩れ磁界が発生し
易いので、磁気ディスクに付与される記録磁界強度が向
上して、記録情報の信頼性が高い薄膜磁気ヘッドとする
ことができる。
【０００６】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記下部コア
層の前記凸部の上面全面が、前記ギャップ形成面であ
る。このような磁気ヘッドでは、上部コア層のギャップ
形成面におけるトラック幅方向の両側部で、洩れ磁界が
発生しにくいので、ライトフリンジングを抑制する効果
が向上して、さらに、高記録密度化に対応した薄膜磁気
ヘッドとすることができる。
層の前記凸部の上面全面が、前記ギャップ形成面であ
る。このような磁気ヘッドでは、上部コア層のギャップ
形成面におけるトラック幅方向の両側部で、洩れ磁界が
発生しにくいので、ライトフリンジングを抑制する効果
が向上して、さらに、高記録密度化に対応した薄膜磁気
ヘッドとすることができる。
【０００７】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記基部の上
面が、前記凸部の根元部からトラック幅方向に離れるに
したがって漸次膜厚が薄くなる。このような薄膜磁気ヘ
ッドでは、上部コア層のギャップ形成面位置から離れる
と、下部コア層の基部と上部コア層のギャップ形成面と
の間隔が大きくなるので、洩れ磁界が発生しにくくな
る。よって、ライトフリンジングを抑制する効果がさら
に向上して、より高記録密度化に対応した薄膜磁気ヘッ
ドとすることができる。
面が、前記凸部の根元部からトラック幅方向に離れるに
したがって漸次膜厚が薄くなる。このような薄膜磁気ヘ
ッドでは、上部コア層のギャップ形成面位置から離れる
と、下部コア層の基部と上部コア層のギャップ形成面と
の間隔が大きくなるので、洩れ磁界が発生しにくくな
る。よって、ライトフリンジングを抑制する効果がさら
に向上して、より高記録密度化に対応した薄膜磁気ヘッ
ドとすることができる。
【０００８】また、このような下部コア層の形状では、
イオンミリング工程により上部コア層と下部コア層の形
状を形成するとき、下部コア層の凸部を適切な突出寸法
に形成することができるので、上部コア層のギャップ形
成面と下部コア層のギャップ形成面との間に洩れ磁界が
発生し易く、磁気ディスクに付与される記録磁界強度が
向上して、記録情報の信頼性が高い薄膜磁気ヘッドとす
ることができる。
イオンミリング工程により上部コア層と下部コア層の形
状を形成するとき、下部コア層の凸部を適切な突出寸法
に形成することができるので、上部コア層のギャップ形
成面と下部コア層のギャップ形成面との間に洩れ磁界が
発生し易く、磁気ディスクに付与される記録磁界強度が
向上して、記録情報の信頼性が高い薄膜磁気ヘッドとす
ることができる。
【０００９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下
部コア層となる第１の軟磁性材料薄膜と非磁性材料薄膜
を、基板上に互いに隣接するように形成して、前記第１
の軟磁性材料薄膜と前記非磁性材料薄膜の表面が、同一
平面となるように加工する工程と、前記第１の軟磁性材
料薄膜と前記非磁性材料薄膜の表面に、ギャップ層とな
る絶縁材料薄膜を形成した後、該絶縁材料薄膜の表面に
第２の軟磁性材料薄膜を形成して、該第２の軟磁性材料
薄膜を、前記第１の軟磁性薄膜と前記非磁性材料薄膜と
に跨る上部コア層に形成する工程とを有する。このよう
な薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ギャップ層を挟持し
て、互いに対向する上部コア層のギャップ形成面と下部
コア層のギャップ形成面とを、下部コア層におけるギャ
ップ形成面のトラック幅寸法が、上部コア層におけるギ
ャップ形成面のトラック幅寸法よりも小さくなるように
形成することができる。
部コア層となる第１の軟磁性材料薄膜と非磁性材料薄膜
を、基板上に互いに隣接するように形成して、前記第１
の軟磁性材料薄膜と前記非磁性材料薄膜の表面が、同一
平面となるように加工する工程と、前記第１の軟磁性材
料薄膜と前記非磁性材料薄膜の表面に、ギャップ層とな
る絶縁材料薄膜を形成した後、該絶縁材料薄膜の表面に
第２の軟磁性材料薄膜を形成して、該第２の軟磁性材料
薄膜を、前記第１の軟磁性薄膜と前記非磁性材料薄膜と
に跨る上部コア層に形成する工程とを有する。このよう
な薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ギャップ層を挟持し
て、互いに対向する上部コア層のギャップ形成面と下部
コア層のギャップ形成面とを、下部コア層におけるギャ
ップ形成面のトラック幅寸法が、上部コア層におけるギ
ャップ形成面のトラック幅寸法よりも小さくなるように
形成することができる。
【００１０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前
記第２の軟磁性材料薄膜と前記絶縁材料薄膜をトラック
幅方向に削って、前記上部コア層と前記ギャップ層を形
成すると共に、前記第１の軟磁性薄膜を削って、前記下
部コア層の基部から前記上部コア層側に突出する凸部、
及び、前記下部コア層の前記凸部からトラック幅方向に
離れるにしたがって漸次膜厚が薄くなる傾斜面を形成す
る工程は、θ1＞θ2である関係で、前記第１、第２の軟
磁性材料薄膜の膜厚方向に対するイオン照射角度が、そ
れぞれ、θ1、θ2である第１、第２、第３のイオンミリ
ング工程を順次行う。このような薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、第１のイオンミリング工程では、下部コア層
の凸部からトラック幅方向に離れるにしたがって漸次膜
厚が薄くなる傾斜面を形成して、第２のイオンミリング
工程では、下部コア層の凸部を形成すると共に、上部コ
ア層を所定寸法とすることができる。このような第１、
第２のイオンミリング工程では、軟磁性材料と絶縁材料
とのイオンミリングレートの差違を緩和して、ギャップ
層がトラック幅方向にオーバーエッチングされることな
く、磁気ギャップが安定した信頼性の高い薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができる。さらに、第１、第２のイオ
ンミリング工程では、下部コア層の凸部におけるトラッ
ク幅方向の片側部直上に、上部コア層のトラック幅方向
の側部を設けることができるので、下部コア層の凸部
が、上部コア層からトラック幅方向に突出することがな
く、ライトフリンジングが抑制された薄膜磁気ヘッドを
製造することができる。
記第２の軟磁性材料薄膜と前記絶縁材料薄膜をトラック
幅方向に削って、前記上部コア層と前記ギャップ層を形
成すると共に、前記第１の軟磁性薄膜を削って、前記下
部コア層の基部から前記上部コア層側に突出する凸部、
及び、前記下部コア層の前記凸部からトラック幅方向に
離れるにしたがって漸次膜厚が薄くなる傾斜面を形成す
る工程は、θ1＞θ2である関係で、前記第１、第２の軟
磁性材料薄膜の膜厚方向に対するイオン照射角度が、そ
れぞれ、θ1、θ2である第１、第２、第３のイオンミリ
ング工程を順次行う。このような薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、第１のイオンミリング工程では、下部コア層
の凸部からトラック幅方向に離れるにしたがって漸次膜
厚が薄くなる傾斜面を形成して、第２のイオンミリング
工程では、下部コア層の凸部を形成すると共に、上部コ
ア層を所定寸法とすることができる。このような第１、
第２のイオンミリング工程では、軟磁性材料と絶縁材料
とのイオンミリングレートの差違を緩和して、ギャップ
層がトラック幅方向にオーバーエッチングされることな
く、磁気ギャップが安定した信頼性の高い薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができる。さらに、第１、第２のイオ
ンミリング工程では、下部コア層の凸部におけるトラッ
ク幅方向の片側部直上に、上部コア層のトラック幅方向
の側部を設けることができるので、下部コア層の凸部
が、上部コア層からトラック幅方向に突出することがな
く、ライトフリンジングが抑制された薄膜磁気ヘッドを
製造することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッドを、図１
から図１１を用いて説明する。まず、本発明の薄膜磁気
ヘッドの一実施の形態を、図１から図４を用いて説明す
る。
から図１１を用いて説明する。まず、本発明の薄膜磁気
ヘッドの一実施の形態を、図１から図４を用いて説明す
る。
【００１２】本発明の一実施の形態とする薄膜磁気ヘッ
ドは、セラミック等の非磁性材料からなる略矩形状のス
ライダ６１上に形成されており、記録データを再生する
再生ヘッド部ｈ１と、磁気ディスクにデータを記録する
記録ヘッド部ｈ２とから構成される複合型薄膜磁気ヘッ
ドである。
ドは、セラミック等の非磁性材料からなる略矩形状のス
ライダ６１上に形成されており、記録データを再生する
再生ヘッド部ｈ１と、磁気ディスクにデータを記録する
記録ヘッド部ｈ２とから構成される複合型薄膜磁気ヘッ
ドである。
【００１３】図１に示すように、スライダ６１は、ヘッ
ド形成面６１ａが、磁気ディスク対向面６１ｂと隣り合
う面であるとともに、磁気ディスク対向面６１ｂと略垂
直である。
ド形成面６１ａが、磁気ディスク対向面６１ｂと隣り合
う面であるとともに、磁気ディスク対向面６１ｂと略垂
直である。
【００１４】図２、図３、図４に示すように、スライダ
６１のヘッド形成面６１ａには、再生ヘッド部ｈ１と記
録ヘッド部ｈ２が、順次積層されて形成されている。再
生ヘッド部ｈ１は、磁気ディスクの磁気記録を再生する
ためのＡＭＲ素子やＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子１
が、パーマロイ等の軟磁性材料薄膜からなり互いに対向
する上部、下部シールド層２、３間に、Ａｌ2Ｏ3等の絶
縁材料薄膜からなる絶縁層４を介して挟持されており、
磁気抵抗効果素子１の先端部、及び、上部、下部シール
ド層２、３の先端部は、スライダ６１の磁気ディスク対
向面６１ｂに露出している。
６１のヘッド形成面６１ａには、再生ヘッド部ｈ１と記
録ヘッド部ｈ２が、順次積層されて形成されている。再
生ヘッド部ｈ１は、磁気ディスクの磁気記録を再生する
ためのＡＭＲ素子やＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子１
が、パーマロイ等の軟磁性材料薄膜からなり互いに対向
する上部、下部シールド層２、３間に、Ａｌ2Ｏ3等の絶
縁材料薄膜からなる絶縁層４を介して挟持されており、
磁気抵抗効果素子１の先端部、及び、上部、下部シール
ド層２、３の先端部は、スライダ６１の磁気ディスク対
向面６１ｂに露出している。
【００１５】図４に示すように、トラック幅方向は、ス
ライダ６１の磁気ディスク対向面６１ｂに露出した磁気
抵抗効果素子１の先端部の幅方向である。
ライダ６１の磁気ディスク対向面６１ｂに露出した磁気
抵抗効果素子１の先端部の幅方向である。
【００１６】再生ヘッド部ｈ１の上部シールド層２は、
Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなる分離層５により覆われて
おり、記録ヘッド部ｈ２は、分離層５を介して再生ヘッ
ド部ｈ１上に積層されている。
Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなる分離層５により覆われて
おり、記録ヘッド部ｈ２は、分離層５を介して再生ヘッ
ド部ｈ１上に積層されている。
【００１７】記録ヘッド部ｈ２は、下部コア層６と、下
部コア層６の表面に形成されたギャップ層８と、ギャッ
プ層８上に形成されたコイル層９と、コイル層９を介し
て下部コア層６と対向する上部コア層１１とを有してい
る。
部コア層６の表面に形成されたギャップ層８と、ギャッ
プ層８上に形成されたコイル層９と、コイル層９を介し
て下部コア層６と対向する上部コア層１１とを有してい
る。
【００１８】下部コア層６は、パーマロイ等の軟磁性材
料薄膜からなり、分離層５の表面に形成されている。下
部コア層６は、先端部６ａが細幅となり、スライダ６１
の磁気ディスク対向面６１ｂまで延出されている。
料薄膜からなり、分離層５の表面に形成されている。下
部コア層６は、先端部６ａが細幅となり、スライダ６１
の磁気ディスク対向面６１ｂまで延出されている。
【００１９】下部コア層６の先端部６ａは、基部６ｆの
トラック幅方向の片側部において、基部６ｆから下部コ
ア層６の厚さ方向に突出した矩形状の凸部６ｂが形成さ
れている。凸部６ｂの上面は、トラック幅方向に所定寸
法を有する平坦面であり、全面をギャップ形成面６ｓと
する。また、基部６ｆの上面は、凸部６ｂからトラック
幅方向に離れるにしたがって、下部コア層６の膜厚が漸
次薄くなる傾斜面６ｃとなっている。
トラック幅方向の片側部において、基部６ｆから下部コ
ア層６の厚さ方向に突出した矩形状の凸部６ｂが形成さ
れている。凸部６ｂの上面は、トラック幅方向に所定寸
法を有する平坦面であり、全面をギャップ形成面６ｓと
する。また、基部６ｆの上面は、凸部６ｂからトラック
幅方向に離れるにしたがって、下部コア層６の膜厚が漸
次薄くなる傾斜面６ｃとなっている。
【００２０】下部コア層６は、凸部６ｂの突出寸法がギ
ャップ層８厚さの１〜３倍であり、傾斜面６ｃの傾斜角
度φが、２°以上であることが好ましい。このような下
部コア層６の形状では、ライトフリンジングの抑制効果
がさらに向上する。
ャップ層８厚さの１〜３倍であり、傾斜面６ｃの傾斜角
度φが、２°以上であることが好ましい。このような下
部コア層６の形状では、ライトフリンジングの抑制効果
がさらに向上する。
【００２１】下部コア層６周囲の分離層５表面には、Ａ
ｌ2Ｏ3等の非磁性材料薄膜からなる非磁性層１２が形成
されている。非磁性層１２には、非磁性層１２の膜厚方
向に突出した矩形状の凸部１２ａが形成されており、非
磁性層１２の凸部１２ａと下部コア層６の凸部６ｂは、
互いのトラック幅方向に隣接して、非磁性層１２の凸部
１２ａの上面と、下部コア層６のギャップ形成面６ｓ
（凸部６ｂの上面）は、同一平面に形成されている。ま
た、非磁性層１２は、凸部１２ａからトラック幅方向に
離れるにしたがって、非磁性層１２の膜厚が薄くなるよ
うな傾斜面１２ｂを有している。
ｌ2Ｏ3等の非磁性材料薄膜からなる非磁性層１２が形成
されている。非磁性層１２には、非磁性層１２の膜厚方
向に突出した矩形状の凸部１２ａが形成されており、非
磁性層１２の凸部１２ａと下部コア層６の凸部６ｂは、
互いのトラック幅方向に隣接して、非磁性層１２の凸部
１２ａの上面と、下部コア層６のギャップ形成面６ｓ
（凸部６ｂの上面）は、同一平面に形成されている。ま
た、非磁性層１２は、凸部１２ａからトラック幅方向に
離れるにしたがって、非磁性層１２の膜厚が薄くなるよ
うな傾斜面１２ｂを有している。
【００２２】ＳｉＯ2やＴａ2Ｏ3等の絶縁材料薄膜から
なるギャップ層８は、下部コア層６と非磁性層１２の表
面に形成されており、スライダ６１の磁気ディスク対向
面６１ｂ側において、下部コア層６のギャップ形成面６
ｓ（凸部６ｂの上面）と非磁性層１２の凸部１２ａの上
面の全面に形成されている。また、ギャップ層８から
は、下部コア層６の上部コア層１１との接続部分６ｄが
露出している。
なるギャップ層８は、下部コア層６と非磁性層１２の表
面に形成されており、スライダ６１の磁気ディスク対向
面６１ｂ側において、下部コア層６のギャップ形成面６
ｓ（凸部６ｂの上面）と非磁性層１２の凸部１２ａの上
面の全面に形成されている。また、ギャップ層８から
は、下部コア層６の上部コア層１１との接続部分６ｄが
露出している。
【００２３】ギャップ層８の表面には、レジスト等の有
機絶縁材料薄膜からなる第１の絶縁層１３が形成されて
おり、第１の絶縁層１３からは、下部コア層６のギャッ
プ形成面６ｓ（凸部６ｂの上面）、及び非磁性層１２の
凸部１２ａの上面に形成されたギャップ層８の全面が露
出している。
機絶縁材料薄膜からなる第１の絶縁層１３が形成されて
おり、第１の絶縁層１３からは、下部コア層６のギャッ
プ形成面６ｓ（凸部６ｂの上面）、及び非磁性層１２の
凸部１２ａの上面に形成されたギャップ層８の全面が露
出している。
【００２４】Ｃｕ等の良導電材料薄膜からなるコイル層
９は、スパイラル状であり、絶縁層１２の表面に形成さ
れている。
９は、スパイラル状であり、絶縁層１２の表面に形成さ
れている。
【００２５】第２の絶縁層７は、レジスト等の有機絶縁
材料薄膜からなり、第１の絶縁層１３の表面に形成され
て、コイル層９を覆っている。
材料薄膜からなり、第１の絶縁層１３の表面に形成され
て、コイル層９を覆っている。
【００２６】パーマロイ等の軟磁性材料薄膜からなる上
部コア層１１は、第２の絶縁層７を介してコイル層９を
覆うと共に、コイル層９を挟んで下部コア層６と対向し
ており、後端部１１ｂが、第１、第２の絶縁層１３、７
及びギャップ層８から露出した下部コア層６の接続部６
ｄに接続されている。
部コア層１１は、第２の絶縁層７を介してコイル層９を
覆うと共に、コイル層９を挟んで下部コア層６と対向し
ており、後端部１１ｂが、第１、第２の絶縁層１３、７
及びギャップ層８から露出した下部コア層６の接続部６
ｄに接続されている。
【００２７】スライダ６１の磁気ディスク対向面６１ｂ
まで延出された上部コア層１１の先端部１１ａは、略矩
形状であり、第１の絶縁層１３から露出したギャップ層
８の表面の全面に形成されている。上部コア層１１の先
端部１１ａにおけるトラック幅方向の寸法は、上部コア
層１１の先端部１１ａ直下に形成されたギャップ層８の
トラック幅方向寸法と同等である。
まで延出された上部コア層１１の先端部１１ａは、略矩
形状であり、第１の絶縁層１３から露出したギャップ層
８の表面の全面に形成されている。上部コア層１１の先
端部１１ａにおけるトラック幅方向の寸法は、上部コア
層１１の先端部１１ａ直下に形成されたギャップ層８の
トラック幅方向寸法と同等である。
【００２８】また、上部コア層１１の先端部１１ａは、
ギャップ層８を介して、下部コア層６のギャップ形成面
６ｓ（凸部６ｂの上面）の全面と非磁性層１２の凸部１
２ａの上面全面に対向していると共に、下部コア層６の
ギャップ形成面６ｓ（凸部６ｂの上面）と非磁性層１２
の凸部１２ａの上面とは、上部コア層１１の先端部１１
ａの全面と対向している。このとき、上部コア層１１の
先端部１１ａにおけるトラック幅方向の片側部は、下部
コア層６のギャップ形成面（凸部６ｂの上面）６ｓにお
けるトラック幅方向の片側部の直上に設けられている。
ギャップ層８を介して、下部コア層６のギャップ形成面
６ｓ（凸部６ｂの上面）の全面と非磁性層１２の凸部１
２ａの上面全面に対向していると共に、下部コア層６の
ギャップ形成面６ｓ（凸部６ｂの上面）と非磁性層１２
の凸部１２ａの上面とは、上部コア層１１の先端部１１
ａの全面と対向している。このとき、上部コア層１１の
先端部１１ａにおけるトラック幅方向の片側部は、下部
コア層６のギャップ形成面（凸部６ｂの上面）６ｓにお
けるトラック幅方向の片側部の直上に設けられている。
【００２９】このような上部コア層１１のギャップ形成
面１１ｓは、ギャップ層８を介して、下部コア層６のギ
ャップ形成面６ｓの全面と非磁性層１２に対向する面で
ある。また、下部コア層６のギャップ形成面６ｓとは、
上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと対向して、且
つ、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓとギャップ
層８を挟持する下部コア層６の面であり、下部コア層６
のギャップ形成面６ｓと上部コア層１１のギャップ形成
面１１ｓとの間には、ギャップ層８により磁気ギャップ
Ｇが形成されている。
面１１ｓは、ギャップ層８を介して、下部コア層６のギ
ャップ形成面６ｓの全面と非磁性層１２に対向する面で
ある。また、下部コア層６のギャップ形成面６ｓとは、
上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと対向して、且
つ、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓとギャップ
層８を挟持する下部コア層６の面であり、下部コア層６
のギャップ形成面６ｓと上部コア層１１のギャップ形成
面１１ｓとの間には、ギャップ層８により磁気ギャップ
Ｇが形成されている。
【００３０】このような下部コア層６のギャップ形成面
６ｓのトラック幅方向寸法は、上部コア層１１のギャッ
プ形成面１１ｓのトラック幅方向の寸法よりも小さくな
っている。
６ｓのトラック幅方向寸法は、上部コア層１１のギャッ
プ形成面１１ｓのトラック幅方向の寸法よりも小さくな
っている。
【００３１】次に、本発明の一実施の形態である上記薄
膜磁気ヘッドの製造方法、特に記録ヘッド部ｈ２の下部
コア層６の製造方法を、図５から図１０を用いて説明す
る。
膜磁気ヘッドの製造方法、特に記録ヘッド部ｈ２の下部
コア層６の製造方法を、図５から図１０を用いて説明す
る。
【００３２】まず、再生ヘッド部ｈ１と記録ヘッド部ｈ
２を隔てる分離層５上に、めっき法により、下部コア層
６となる第１の軟磁性材料薄膜（以後、第１のパーマロ
イ膜）２２を成膜した後、フォトリソ・エッチングによ
り、第１のパーマロイ膜２２を所定形状とする。
２を隔てる分離層５上に、めっき法により、下部コア層
６となる第１の軟磁性材料薄膜（以後、第１のパーマロ
イ膜）２２を成膜した後、フォトリソ・エッチングによ
り、第１のパーマロイ膜２２を所定形状とする。
【００３３】次に、スパッタ法により、非磁性層１２と
なる非磁性材料薄膜（以後、Ａｌ2Ｏ3膜）２１を、第１
のパーマロイ膜２２を覆うように形成する。そして、図
５に示すように、ＣＭＰ（Chemical-Mechanical-Polish
ing)加工により、Ａｌ2Ｏ3膜２１の表面から第１のパー
マロイ膜２２の表面を露出させるとともに、Ａｌ2Ｏ3膜
２１の表面と第１のパーマロイ膜２２の表面を同一平面
とする。
なる非磁性材料薄膜（以後、Ａｌ2Ｏ3膜）２１を、第１
のパーマロイ膜２２を覆うように形成する。そして、図
５に示すように、ＣＭＰ（Chemical-Mechanical-Polish
ing)加工により、Ａｌ2Ｏ3膜２１の表面から第１のパー
マロイ膜２２の表面を露出させるとともに、Ａｌ2Ｏ3膜
２１の表面と第１のパーマロイ膜２２の表面を同一平面
とする。
【００３４】そして、第１のパーマロイ膜２２とＡｌ2
Ｏ3膜２１の表面に、ギャップ層８となる絶縁材料薄膜
２３をスパッタ法により成膜する。
Ｏ3膜２１の表面に、ギャップ層８となる絶縁材料薄膜
２３をスパッタ法により成膜する。
【００３５】続いて、絶縁材料薄膜２３上に、第１の絶
縁層１３、コイル層９、第２の絶縁層７を順次形成す
る。そして、第２の絶縁層７の表面に、上部コア層１１
と同様のパーマロイからなる下地層（図示せず）をスパ
ッタ成膜して、下地層の表面に、上部コア層１１の形状
に対応するレジストフレーム（図示せず）を形成する。
縁層１３、コイル層９、第２の絶縁層７を順次形成す
る。そして、第２の絶縁層７の表面に、上部コア層１１
と同様のパーマロイからなる下地層（図示せず）をスパ
ッタ成膜して、下地層の表面に、上部コア層１１の形状
に対応するレジストフレーム（図示せず）を形成する。
【００３６】そして、レジストフレームが形成された下
地層の表面に、上部コア層１１となる第２の軟磁性材料
薄膜（以後、第２のパーマロイ膜）２４をめっき法によ
り形成して、その後、レジストフレームと、余分な第２
のパーマロイ膜２４、及び下地膜を除去して、第２のパ
ーマロイ膜２４を、図６に示すような、第１のパーマロ
イ膜２２とＡｌ2Ｏ3２１に跨るパターンにする。
地層の表面に、上部コア層１１となる第２の軟磁性材料
薄膜（以後、第２のパーマロイ膜）２４をめっき法によ
り形成して、その後、レジストフレームと、余分な第２
のパーマロイ膜２４、及び下地膜を除去して、第２のパ
ーマロイ膜２４を、図６に示すような、第１のパーマロ
イ膜２２とＡｌ2Ｏ3２１に跨るパターンにする。
【００３７】次に、ＣＦ4系ガスを用いたＲＩＥ（React
ive Ion Etching)により、絶縁材料薄膜２３を、第２の
パーマロイめっき膜２４の直下部分のみを残して、剥離
する。ＣＦ4系ガスを用いたＲＩＥでは、絶縁材料薄膜
２３のみを選択的に除去して、第２のパーマロイめっき
膜２４等には影響を与えない。
ive Ion Etching)により、絶縁材料薄膜２３を、第２の
パーマロイめっき膜２４の直下部分のみを残して、剥離
する。ＣＦ4系ガスを用いたＲＩＥでは、絶縁材料薄膜
２３のみを選択的に除去して、第２のパーマロイめっき
膜２４等には影響を与えない。
【００３８】続いて、上部、下部コア層１１、６及びギ
ャップ層８の形状を形成するイオンミリング工程を、図
８から図１０に示す。
ャップ層８の形状を形成するイオンミリング工程を、図
８から図１０に示す。
【００３９】第１のイオンミリング工程は、図８に示す
ように、第１、第２のパーマロイ膜２２、２４の膜厚方
向とθ1（θ1＝約７０°）の角度を成す方向にＡｒイオ
ンを照射して、第１のパーマロイ膜２２に下部コア層６
の傾斜面６ｃを形成する。また、Ａｌ2Ｏ3膜２１には、
非磁性層１２の傾斜面１２ｂが形成される。
ように、第１、第２のパーマロイ膜２２、２４の膜厚方
向とθ1（θ1＝約７０°）の角度を成す方向にＡｒイオ
ンを照射して、第１のパーマロイ膜２２に下部コア層６
の傾斜面６ｃを形成する。また、Ａｌ2Ｏ3膜２１には、
非磁性層１２の傾斜面１２ｂが形成される。
【００４０】第２のイオンミリング工程は、図９に示す
ように、第１、第２のパーマロイ膜２２、２４の膜厚方
向とθ2（θ2＝約２０°）の角度を成す方向にＡｒイオ
ンを照射して、第１のパーマロイ膜２２に、下部コア層
６の凸部６ｂを形成する。このとき、第２のパーマロイ
膜２４と絶縁材料薄膜２３は、トラック幅方向に削られ
て、さらに細幅となる。また、Ａｌ2Ｏ3膜２１には、非
磁性層１２の凸部１２ａが形成される。
ように、第１、第２のパーマロイ膜２２、２４の膜厚方
向とθ2（θ2＝約２０°）の角度を成す方向にＡｒイオ
ンを照射して、第１のパーマロイ膜２２に、下部コア層
６の凸部６ｂを形成する。このとき、第２のパーマロイ
膜２４と絶縁材料薄膜２３は、トラック幅方向に削られ
て、さらに細幅となる。また、Ａｌ2Ｏ3膜２１には、非
磁性層１２の凸部１２ａが形成される。
【００４１】このような第１、第２のイオンミリング工
程により、上部コア層１１の先端部１１ａにおけるトラ
ック幅方向の片側部を、下部コア層１１の凸部１１ｂに
おけるトラック幅方向の片側部直上に設けることができ
る。また、パーマロイとＡｌ2Ｏ3とのイオンミリングレ
ートの差違が緩和されて、ギャップ層８がトラック幅方
向にオーバーエッチングされることなく、磁気ギャップ
Ｇが安定して形成される。また、下部コア層６の凸部６
ｂが、上部コア層１１の先端部１１ａからトラック幅方
向に突出することがなく、ライトフリンジングを抑制す
ることができる。
程により、上部コア層１１の先端部１１ａにおけるトラ
ック幅方向の片側部を、下部コア層１１の凸部１１ｂに
おけるトラック幅方向の片側部直上に設けることができ
る。また、パーマロイとＡｌ2Ｏ3とのイオンミリングレ
ートの差違が緩和されて、ギャップ層８がトラック幅方
向にオーバーエッチングされることなく、磁気ギャップ
Ｇが安定して形成される。また、下部コア層６の凸部６
ｂが、上部コア層１１の先端部１１ａからトラック幅方
向に突出することがなく、ライトフリンジングを抑制す
ることができる。
【００４２】第３のイオンミリング工程は、図１０に示
すように、第１、第２のパーマロイめっき膜２２、２４
の膜厚方向とθ3（θ3＝約５５°）の角度を成す方向に
Ａｒイオンを照射する。このような第３のイオンミリン
グ工程では、第１、第２のイオンミリング工程によって
形成した上部、下部コア層１１、６の形状を損なうこと
なく、第１、第２のイオンミリング工程中にギャップ層
８に付着した磁性粉を取り除いて、上部、下部コア層１
１、６間の磁気的短絡を防ぐことができる。このように
して、記録ヘッド部ｈ２の製造を終了する。
すように、第１、第２のパーマロイめっき膜２２、２４
の膜厚方向とθ3（θ3＝約５５°）の角度を成す方向に
Ａｒイオンを照射する。このような第３のイオンミリン
グ工程では、第１、第２のイオンミリング工程によって
形成した上部、下部コア層１１、６の形状を損なうこと
なく、第１、第２のイオンミリング工程中にギャップ層
８に付着した磁性粉を取り除いて、上部、下部コア層１
１、６間の磁気的短絡を防ぐことができる。このように
して、記録ヘッド部ｈ２の製造を終了する。
【００４３】なお、第３のイオンミリング工程は、上
部、下部コア層１１、６の形状を形成する工程ではない
ので、省略することも可能である。
部、下部コア層１１、６の形状を形成する工程ではない
ので、省略することも可能である。
【００４４】次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの駆動につ
いて説明する。スライダ６１は、可撓性を有するステン
レス薄板からなるジンバル（図示せず）に取り付けられ
て、磁気ディスク対向面６１ｂを磁気ディスク（図示せ
ず）側に向けて、磁気ディスク面上を、磁気ディスク面
と微小間隔を保持して浮上する。そして、薄膜磁気ヘッ
ドにより、磁気ディスクへの磁気記録の付与、磁気ディ
スクの磁気記録の再生を行う。
いて説明する。スライダ６１は、可撓性を有するステン
レス薄板からなるジンバル（図示せず）に取り付けられ
て、磁気ディスク対向面６１ｂを磁気ディスク（図示せ
ず）側に向けて、磁気ディスク面上を、磁気ディスク面
と微小間隔を保持して浮上する。そして、薄膜磁気ヘッ
ドにより、磁気ディスクへの磁気記録の付与、磁気ディ
スクの磁気記録の再生を行う。
【００４５】記録ヘッドｈ２が磁気ディスクに磁気記録
を付与するとき、コイル層９を流れる電流により、上
部、下部コア層１１、６には、記録磁界が誘導される。
を付与するとき、コイル層９を流れる電流により、上
部、下部コア層１１、６には、記録磁界が誘導される。
【００４６】上部、下部コア層１１、６に誘導された記
録磁界は、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと下
部コア層６のギャップ形成面６ｓの間に設けられた磁気
ギャップＧにおいて洩れ磁界となり、磁気ディスクに付
与される。
録磁界は、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと下
部コア層６のギャップ形成面６ｓの間に設けられた磁気
ギャップＧにおいて洩れ磁界となり、磁気ディスクに付
与される。
【００４７】このとき、下部コア層６のギャップ形成面
６ｓは、下部コア層６の基部６ｆから上部コア層１１の
ギャップ形成面１１ｓ側に向けて突出した凸部６ｂの上
面なので、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと下
部コア層６のギャップ形成面６ｓとの間には、洩れ磁界
が発生し易い。
６ｓは、下部コア層６の基部６ｆから上部コア層１１の
ギャップ形成面１１ｓ側に向けて突出した凸部６ｂの上
面なので、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと下
部コア層６のギャップ形成面６ｓとの間には、洩れ磁界
が発生し易い。
【００４８】一方、上部コア層１１のギャップ形成面１
１ｓは、トラック幅方向の側部１１ｃが、下部コア層６
のギャップ形成面６ｓの直上位置から外れている。よっ
て、上部コア層１１の側部１１ｃ位置では、洩れ磁界が
発生しにくい。
１ｓは、トラック幅方向の側部１１ｃが、下部コア層６
のギャップ形成面６ｓの直上位置から外れている。よっ
て、上部コア層１１の側部１１ｃ位置では、洩れ磁界が
発生しにくい。
【００４９】また、下部コア層６の基部６ｆには、上部
コア層１１のギャップ形成面１１ｓの直下から離れるに
したがって、下部コア層６と上部コア層１１との距離が
広がるような傾斜面６ｃが設けられているので、上部コ
ア層１１のギャップ形成面１１ｓの直下から離れた位置
には、洩れ磁界が発生しにくい。
コア層１１のギャップ形成面１１ｓの直下から離れるに
したがって、下部コア層６と上部コア層１１との距離が
広がるような傾斜面６ｃが設けられているので、上部コ
ア層１１のギャップ形成面１１ｓの直下から離れた位置
には、洩れ磁界が発生しにくい。
【００５０】このように、上部コア層１１のギャップ形
成面１１ｓにおけるトラック幅方向の両側部、及び、上
部コア層１１のギャップ形成面１１ｓから外れた位置で
は、洩れ磁界が発生しにくいので、ライトフリンジング
を抑制して、磁気ディスクに付与される記録磁界の幅
（トラック幅）が狭く、高記録密度化に対応した薄膜磁
気ヘッドとすることができる。
成面１１ｓにおけるトラック幅方向の両側部、及び、上
部コア層１１のギャップ形成面１１ｓから外れた位置で
は、洩れ磁界が発生しにくいので、ライトフリンジング
を抑制して、磁気ディスクに付与される記録磁界の幅
（トラック幅）が狭く、高記録密度化に対応した薄膜磁
気ヘッドとすることができる。
【００５１】なお、上記実施の形態では、下部コア層６
のギャップ形成面６ｓを上部コア層１１のギャップ形成
面１１ｓのトラック幅方向の片側に形成したが、図１１
のように、下部コア層６のギャップ形成面６ｓを上部コ
ア層１１のギャップ形成面１１ｓのトラック幅方向の中
央付近に設けた薄膜磁気ヘッドでも良い。
のギャップ形成面６ｓを上部コア層１１のギャップ形成
面１１ｓのトラック幅方向の片側に形成したが、図１１
のように、下部コア層６のギャップ形成面６ｓを上部コ
ア層１１のギャップ形成面１１ｓのトラック幅方向の中
央付近に設けた薄膜磁気ヘッドでも良い。
【００５２】このような薄膜磁気ヘッドでは、上部コア
層６のギャップ形成面６ｓのトラック幅方向の両端部に
おいて、洩れ磁界がさらに発生しにくく、ライトフリン
ジングをさら抑制することができる。
層６のギャップ形成面６ｓのトラック幅方向の両端部に
おいて、洩れ磁界がさらに発生しにくく、ライトフリン
ジングをさら抑制することができる。
【００５３】なお、図４、１１では、下部コア層６に凸
部６ｂと傾斜部６ｃとを設けたが、下部コア層６の形状
は、上記に限定されず、下部コア層６のギャップ形成面
６ｓを、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと磁気
ギャップＧを介して対向する面、上部コア層１１のギャ
ップ形成面１１ｓを、磁気ギャップＧを介して、下部コ
ア層６のギャップ形成面６ｓの全面と非磁性層１２に対
向する面として、下部コア層６のギャップ形成面６ｓの
トラック幅方向寸法が、上部コア層１１のギャップ形成
面１１ｓのトラック幅方向の寸法よりも小さい限り、ラ
イトフリンジングを抑制する効果を得ることができる。
部６ｂと傾斜部６ｃとを設けたが、下部コア層６の形状
は、上記に限定されず、下部コア層６のギャップ形成面
６ｓを、上部コア層１１のギャップ形成面１１ｓと磁気
ギャップＧを介して対向する面、上部コア層１１のギャ
ップ形成面１１ｓを、磁気ギャップＧを介して、下部コ
ア層６のギャップ形成面６ｓの全面と非磁性層１２に対
向する面として、下部コア層６のギャップ形成面６ｓの
トラック幅方向寸法が、上部コア層１１のギャップ形成
面１１ｓのトラック幅方向の寸法よりも小さい限り、ラ
イトフリンジングを抑制する効果を得ることができる。
【００５４】また、上記実施の形態では、非磁性層１２
を、スパッタにより成膜したＡｌ2Ｏ3等として説明した
が、非磁性層１２は、めっき法により形成されたＣｕ等
の非磁性金属であっても良い。
を、スパッタにより成膜したＡｌ2Ｏ3等として説明した
が、非磁性層１２は、めっき法により形成されたＣｕ等
の非磁性金属であっても良い。
【００５５】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドは、軟磁性材料
薄膜からなる下部コア層と、該下部コア層上に形成され
た良導電材料薄膜からなるコイル層と、該コイル層を介
して前記下部コア層と対向する軟磁性材料薄膜からなる
上部コア層とを有し、互いに対向する前記上部コア層の
ギャップ形成面と前記下部コア層のギャップ形成面との
間には、絶縁材料薄膜からなるギャップ層が挟持され
て、磁気ギャップが設けられ、前記下部コア層における
前記ギャップ形成面のトラック幅寸法は、前記上部コア
層における前記ギャップ形成面のトラック幅寸法よりも
小さい。このような薄膜磁気ヘッドでは、コイル層を流
れる電流により上部、下部コア層に記録磁界が誘導され
て、記録磁界は、磁気ギャップにおいて洩れ磁界とな
り、磁気ディスクに付与される。このとき、上部コア層
のギャップ形成面におけるトラック幅方向の端部位置に
おいて、洩れ磁界が発生しにくいので、上部コア層のギ
ャップ形成面から外れた記録磁界（ライトフリンジン
グ）が磁気ディスクに付与されることを抑制することが
できる。よって、上部コア層の先端部の大きさを、十分
な記録磁界強度が得られるように保持したまま、磁気デ
ィスクに付与される記録磁界の幅寸法を狭くして、高記
録密度化に対応した薄膜磁気ヘッドとすることができ
る。
薄膜からなる下部コア層と、該下部コア層上に形成され
た良導電材料薄膜からなるコイル層と、該コイル層を介
して前記下部コア層と対向する軟磁性材料薄膜からなる
上部コア層とを有し、互いに対向する前記上部コア層の
ギャップ形成面と前記下部コア層のギャップ形成面との
間には、絶縁材料薄膜からなるギャップ層が挟持され
て、磁気ギャップが設けられ、前記下部コア層における
前記ギャップ形成面のトラック幅寸法は、前記上部コア
層における前記ギャップ形成面のトラック幅寸法よりも
小さい。このような薄膜磁気ヘッドでは、コイル層を流
れる電流により上部、下部コア層に記録磁界が誘導され
て、記録磁界は、磁気ギャップにおいて洩れ磁界とな
り、磁気ディスクに付与される。このとき、上部コア層
のギャップ形成面におけるトラック幅方向の端部位置に
おいて、洩れ磁界が発生しにくいので、上部コア層のギ
ャップ形成面から外れた記録磁界（ライトフリンジン
グ）が磁気ディスクに付与されることを抑制することが
できる。よって、上部コア層の先端部の大きさを、十分
な記録磁界強度が得られるように保持したまま、磁気デ
ィスクに付与される記録磁界の幅寸法を狭くして、高記
録密度化に対応した薄膜磁気ヘッドとすることができ
る。
【００５６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下
部コア層となる第１の軟磁性材料薄膜と非磁性材料薄膜
を、基板上に互いに隣接するように形成して、前記第１
の軟磁性材料薄膜と前記非磁性材料薄膜の表面が、同一
平面となるように加工する工程と、前記第１の軟磁性材
料薄膜と前記非磁性材料薄膜の表面に、ギャップ層とな
る絶縁材料薄膜を形成した後、該絶縁材料薄膜の表面に
第２の軟磁性材料薄膜を形成して、該第２の軟磁性材料
薄膜を、前記第１の軟磁性薄膜と前記非磁性材料薄膜と
に跨る上部コア層に形成する工程とを有する。このよう
な薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ギャップ層を挟持し
て、互いに対向する上部コア層のギャップ形成面と下部
コア層のギャップ形成面とを、下部コア層におけるギャ
ップ形成面のトラック幅寸法が、上部コア層におけるギ
ャップ形成面のトラック幅寸法よりも小さくなるように
形成することができる。
部コア層となる第１の軟磁性材料薄膜と非磁性材料薄膜
を、基板上に互いに隣接するように形成して、前記第１
の軟磁性材料薄膜と前記非磁性材料薄膜の表面が、同一
平面となるように加工する工程と、前記第１の軟磁性材
料薄膜と前記非磁性材料薄膜の表面に、ギャップ層とな
る絶縁材料薄膜を形成した後、該絶縁材料薄膜の表面に
第２の軟磁性材料薄膜を形成して、該第２の軟磁性材料
薄膜を、前記第１の軟磁性薄膜と前記非磁性材料薄膜と
に跨る上部コア層に形成する工程とを有する。このよう
な薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ギャップ層を挟持し
て、互いに対向する上部コア層のギャップ形成面と下部
コア層のギャップ形成面とを、下部コア層におけるギャ
ップ形成面のトラック幅寸法が、上部コア層におけるギ
ャップ形成面のトラック幅寸法よりも小さくなるように
形成することができる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドが
形成されたスライダを示す
形成されたスライダを示す
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドを示す説明図。
【図３】図２の矢印３方向から見た断面図。
【図４】図２の矢印４方向から見た図。
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図１０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明
図。
図。
【図１１】本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施の形態を
示す説明図。
示す説明図。
【図１２】従来の薄膜磁気ヘッドを示す説明図。
Ｇ 磁気ギャップ １ 磁気抵抗効果素子 ２ 上部コア層 ３ 下部コア層 ５ 分離層 ６ 下部コア層 ６ａ 先端部 ６ｂ 凸部 ６ｃ 傾斜面 ６ｄ 接続部 ６ｆ 基部 ６ｓ ギャップ形成面 ８ ギャップ層 ９ コイル層 １１ 上部コア層 １１ａ 先端部 １１ｆ 側部 １１ｓ ギャップ形成面 １２ 非磁性層
Claims (6)
- 【請求項１】軟磁性材料薄膜からなる下部コア層と、該
下部コア層上に形成された良導電材料薄膜からなるコイ
ル層と、該コイル層を介して前記下部コア層と対向する
軟磁性材料薄膜からなる上部コア層とを有し、互いに対
向する前記上部コア層のギャップ形成面と前記下部コア
層のギャップ形成面との間には、絶縁材料薄膜からなる
ギャップ層が挟持されて、磁気ギャップが設けられ、前
記下部コア層における前記ギャップ形成面のトラック幅
寸法は、前記上部コア層における前記ギャップ形成面の
トラック幅寸法よりも小さいことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項２】前記下部コア層の基部には、前記上部コア
層の前記ギャップ形成面に向けて突出する凸部が設けら
れており、該凸部の上面は、前記下部コア層の前記ギャ
ップ形成面であることを特徴とする請求項１記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】前記下部コア層の前記凸部は、上面の全面
が前記ギャップ形成面であることを特徴とする請求項２
記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】前記基部の上面は、前記凸部の根元部から
トラック幅方向に離れるにしたがって漸次膜厚が薄くな
る傾斜面となること特徴とする請求項３記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項５】下部コア層となる第１の軟磁性材料薄膜と
非磁性材料薄膜を、基板上に互いに隣接するように形成
して、前記第１の軟磁性材料薄膜と前記非磁性材料薄膜
の表面が、同一平面となるように加工する工程と、前記
第１の軟磁性材料薄膜と前記非磁性材料薄膜の表面に、
ギャップ層となる絶縁材料薄膜を形成した後、該絶縁材
料薄膜の表面に第２の軟磁性材料薄膜を形成して、該第
２の軟磁性材料薄膜を、前記第１の軟磁性薄膜と前記非
磁性材料薄膜とに跨る上部コア層に形成する工程とを有
することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】前記第２の軟磁性材料薄膜と前記絶縁材料
薄膜をトラック幅方向に削って、前記上部コア層と前記
ギャップ層を形成すると共に、前記第１の軟磁性薄膜を
削って、前記下部コア層の基部から前記上部コア層側に
突出する凸部、及び、前記下部コア層の前記凸部からト
ラック幅方向に離れるにしたがって漸次膜厚が薄くなる
傾斜面を形成する工程は、θ1＞θ2である関係で、前記
第１、第２の軟磁性材料薄膜の膜厚方向に対するイオン
照射角度が、それぞれ、θ1、θ2である第１、第２のイ
オンミリング工程を順次行うことを特徴とする請求項５
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000281740A JP2002092818A (ja) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | 薄膜磁気ヘッド、及びその薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000281740A JP2002092818A (ja) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | 薄膜磁気ヘッド、及びその薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002092818A true JP2002092818A (ja) | 2002-03-29 |
Family
ID=18766348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000281740A Pending JP2002092818A (ja) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | 薄膜磁気ヘッド、及びその薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002092818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7215512B2 (en) | 2003-08-13 | 2007-05-08 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head, magnetic device including the same, and method for manufacturing the same |
-
2000
- 2000-09-12 JP JP2000281740A patent/JP2002092818A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7215512B2 (en) | 2003-08-13 | 2007-05-08 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head, magnetic device including the same, and method for manufacturing the same |
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