JPH10302219A - 薄膜磁気ヘッドおよび製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよび製造方法Info
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- JPH10302219A JPH10302219A JP9112635A JP11263597A JPH10302219A JP H10302219 A JPH10302219 A JP H10302219A JP 9112635 A JP9112635 A JP 9112635A JP 11263597 A JP11263597 A JP 11263597A JP H10302219 A JPH10302219 A JP H10302219A
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- magnetic
- yoke layer
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- G11B5/313—Disposition of layers
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストマスクの分解能による制限を受ける
ことなく、狭いコア幅を有する磁気ヨーク層を形成する
ことが可能な新しい方法を提案すること。 【解決手段】 基板に斜面を有する溝を設け、第１磁気
ヨーク層の先端部が斜面を覆うように形成し、溝を埋め
るように埋め込み層を成膜した後で、第１磁気ヨーク層
の先端部の膜厚方向の断面が表面に露出するように平面
化加工し、その膜厚法の幅をコア幅とすることにより、
磁気ヨーク層の狭コア幅化を実現する。
ことなく、狭いコア幅を有する磁気ヨーク層を形成する
ことが可能な新しい方法を提案すること。 【解決手段】 基板に斜面を有する溝を設け、第１磁気
ヨーク層の先端部が斜面を覆うように形成し、溝を埋め
るように埋め込み層を成膜した後で、第１磁気ヨーク層
の先端部の膜厚方向の断面が表面に露出するように平面
化加工し、その膜厚法の幅をコア幅とすることにより、
磁気ヨーク層の狭コア幅化を実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
のトラック密度を向上させるために、従来よりもコア幅
を狭くすることが可能な薄膜磁気ヘッド、およびその製
造方法に関する。
のトラック密度を向上させるために、従来よりもコア幅
を狭くすることが可能な薄膜磁気ヘッド、およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気トランデューサーを図４、図
５に示す。図４は磁気ベッドスライダ３１の斜視図であ
り、スライダ３１のレール面（浮上面）３２には薄膜磁
気ヘッド素子３３の先端部が表出するように形成されて
いる。図５は薄膜磁気ヘッド素子３３の部分の拡大図で
あり、図５中、（ア）は平面図、（イ）は（ア）のＡ−
Ａ断面図、（ウ）は（ア）のＢ−Ｂ断面図である。
５に示す。図４は磁気ベッドスライダ３１の斜視図であ
り、スライダ３１のレール面（浮上面）３２には薄膜磁
気ヘッド素子３３の先端部が表出するように形成されて
いる。図５は薄膜磁気ヘッド素子３３の部分の拡大図で
あり、図５中、（ア）は平面図、（イ）は（ア）のＡ−
Ａ断面図、（ウ）は（ア）のＢ−Ｂ断面図である。
【０００３】基板１１上に、第１磁気ヨーク層１４、ギ
ャップ層２０、コイル層１７、層間絶縁層１８、第２ヨ
ーク層１９を順次積層して形成し、その後図示しない外
部接続端子や加工保護膜などが形成され、第１および第
２磁気ヨーク層１４，１９の先端部（Ａ−Ａ部）の位置
で切断加工されて、薄膜磁気ヘッドとされる。先端部
（Ａ−Ａ部）の位置で切断加工された部分は、媒体面４
１（図５（ウ）に仮想線で示した）に対向する面に相当
し、浮上面４２と呼ばれる。コア幅は、この浮上面に露
出した第１磁気ヨーク層１４と第２磁気ヨーク層１９の
重なりあった部分（ただし、間にギャップがあるが）の
幅Ｗで決定される。
ャップ層２０、コイル層１７、層間絶縁層１８、第２ヨ
ーク層１９を順次積層して形成し、その後図示しない外
部接続端子や加工保護膜などが形成され、第１および第
２磁気ヨーク層１４，１９の先端部（Ａ−Ａ部）の位置
で切断加工されて、薄膜磁気ヘッドとされる。先端部
（Ａ−Ａ部）の位置で切断加工された部分は、媒体面４
１（図５（ウ）に仮想線で示した）に対向する面に相当
し、浮上面４２と呼ばれる。コア幅は、この浮上面に露
出した第１磁気ヨーク層１４と第２磁気ヨーク層１９の
重なりあった部分（ただし、間にギャップがあるが）の
幅Ｗで決定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の磁
気トランデューサーの製造方法では、第１磁気ヨーク層
１４と第２磁気ヨーク層１９はレジストマスクを用いた
選択めっき法や、レジストマスクによるイオンミリング
法などでパターン形成しており、これらの工程において
コア幅の確定が行われている。
気トランデューサーの製造方法では、第１磁気ヨーク層
１４と第２磁気ヨーク層１９はレジストマスクを用いた
選択めっき法や、レジストマスクによるイオンミリング
法などでパターン形成しており、これらの工程において
コア幅の確定が行われている。
【０００５】ここで、磁気ディスク装置のトラック密度
の向上のために、コア幅を狭くすることが要求される
が、磁気ヨーク層の膜厚（約２〜４μm ）よりも狭い、
コア幅１μm 以下を実現することは、レジストの分解能
の制限などで非常に困難であった。本発明は、レジスト
マスクの分解能による制限を受けることなく、狭いコア
幅を有する磁気ヨーク層を形成することが可能な新しい
方法を提案することを目的とする。
の向上のために、コア幅を狭くすることが要求される
が、磁気ヨーク層の膜厚（約２〜４μm ）よりも狭い、
コア幅１μm 以下を実現することは、レジストの分解能
の制限などで非常に困難であった。本発明は、レジスト
マスクの分解能による制限を受けることなく、狭いコア
幅を有する磁気ヨーク層を形成することが可能な新しい
方法を提案することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板（または基板上に形成した下地層）
に斜面を有する溝を設け、第１磁気ヨーク層の先端部が
斜面を覆うように形成し、溝を埋めるように埋め込み層
を成膜した後で、第１磁気ヨーク層の先端部の膜厚方向
の断面が表面に露出するように平面化加工し、その膜厚
法の幅をコア幅とすることにより、磁気ヨーク層の狭コ
ア幅化を実現するものである。
成するために、基板（または基板上に形成した下地層）
に斜面を有する溝を設け、第１磁気ヨーク層の先端部が
斜面を覆うように形成し、溝を埋めるように埋め込み層
を成膜した後で、第１磁気ヨーク層の先端部の膜厚方向
の断面が表面に露出するように平面化加工し、その膜厚
法の幅をコア幅とすることにより、磁気ヨーク層の狭コ
ア幅化を実現するものである。
【０００７】こうして、本発明によれば、下記の薄膜磁
気ヘッドおよびその製造方法が提供される。 基板または基板上に形成した下地層上に、第１磁気
ヨーク層、磁気ギャップ層、コイル層、層間絶縁膜およ
び第２磁気ヨーク層を順次積層した磁気トランスデュー
サを構成する薄膜磁気ヘッドにおいて、基板または下地
層が第１磁気ヨーク層の厚さより深い溝を有し、該溝内
に第１磁気ヨーク層が形成され、該溝が第１磁気ヨーク
層の先端部にコア幅方向に傾斜した斜面を有し、第１磁
気ヨーク層の先端部が該斜面上に形成されてその端部が
基板または下地層表面まで延在し、第１磁気ヨーク層の
その端部は基板または下地層表面と同一平面を形成し、
該溝の残部は埋め込まれ、基板または下地層及び第１磁
気ヨーク層の前記端部の上に磁気ギャップ層を介して第
２磁気ヨーク層が形成され、よって第１および第２磁気
ヨーク層のコア幅が第１磁気ヨーク層の略膜厚方向の寸
法によって決定されていることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。
気ヘッドおよびその製造方法が提供される。 基板または基板上に形成した下地層上に、第１磁気
ヨーク層、磁気ギャップ層、コイル層、層間絶縁膜およ
び第２磁気ヨーク層を順次積層した磁気トランスデュー
サを構成する薄膜磁気ヘッドにおいて、基板または下地
層が第１磁気ヨーク層の厚さより深い溝を有し、該溝内
に第１磁気ヨーク層が形成され、該溝が第１磁気ヨーク
層の先端部にコア幅方向に傾斜した斜面を有し、第１磁
気ヨーク層の先端部が該斜面上に形成されてその端部が
基板または下地層表面まで延在し、第１磁気ヨーク層の
その端部は基板または下地層表面と同一平面を形成し、
該溝の残部は埋め込まれ、基板または下地層及び第１磁
気ヨーク層の前記端部の上に磁気ギャップ層を介して第
２磁気ヨーク層が形成され、よって第１および第２磁気
ヨーク層のコア幅が第１磁気ヨーク層の略膜厚方向の寸
法によって決定されていることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。
【０００８】 基板または基板上に形成した下地層上
に、第１磁気ヨーク層、磁気ギャップ層、コイル層、層
間絶縁膜および第２磁気ヨーク層を順次積層した磁気ト
ランスデューサを構成する薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、基板または下地層（１）の第１磁気ヨーク層
（４）の先端形成予定部に、コア幅（ｗ）方向に傾斜し
た斜面（２）を持つ溝（３）を設ける工程と、前記基板
または下地層（１）上に第１磁気ヨーク層（４）を形成
する工程と、前記溝を含む基板または下地層（１）上お
よび前記第１磁気ヨーク層（４）上に埋め込み層（５）
を形成する工程と、前記斜面（２）の途中まで、前記基
板または下地層（１）、前記第１磁気ヨーク層（４）お
よび前記埋め込み層（５）を平面化加工して、前記第１
磁気ヨーク層の厚さ方向断面を表面に露出させる工程
と、その上に磁気ギャップ層（１０）、コイル層
（７）、層間絶縁層（８）および第２磁気ヨーク層
（９）を順次積層する工程を含み、よって前記第１およ
び第２磁気ヨーク層のコア幅（Ｃｗ）を、前記第１磁気
ヨーク層（４）の前記表面に露出した前記断面の幅
（ｗ）とすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
に、第１磁気ヨーク層、磁気ギャップ層、コイル層、層
間絶縁膜および第２磁気ヨーク層を順次積層した磁気ト
ランスデューサを構成する薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、基板または下地層（１）の第１磁気ヨーク層
（４）の先端形成予定部に、コア幅（ｗ）方向に傾斜し
た斜面（２）を持つ溝（３）を設ける工程と、前記基板
または下地層（１）上に第１磁気ヨーク層（４）を形成
する工程と、前記溝を含む基板または下地層（１）上お
よび前記第１磁気ヨーク層（４）上に埋め込み層（５）
を形成する工程と、前記斜面（２）の途中まで、前記基
板または下地層（１）、前記第１磁気ヨーク層（４）お
よび前記埋め込み層（５）を平面化加工して、前記第１
磁気ヨーク層の厚さ方向断面を表面に露出させる工程
と、その上に磁気ギャップ層（１０）、コイル層
（７）、層間絶縁層（８）および第２磁気ヨーク層
（９）を順次積層する工程を含み、よって前記第１およ
び第２磁気ヨーク層のコア幅（Ｃｗ）を、前記第１磁気
ヨーク層（４）の前記表面に露出した前記断面の幅
（ｗ）とすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【０００９】第１磁気ヨーク層の膜厚により、コア幅が
確定されるが、膜厚の制御は比較的容易であり、２μm
以下、さらには１μm 以下の狭いコア幅が容易に達成で
きる。
確定されるが、膜厚の制御は比較的容易であり、２μm
以下、さらには１μm 以下の狭いコア幅が容易に達成で
きる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面（図１〜図３）を参照
して説明する。図１〜３の各々において、（ア）は平面
図、（イ）は（ア）のＡ−Ａ断面図である。図１を参照
すると、シリコンおよびＡｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ（アルチッ
ク）などの基板１に約４５°の斜面２を持つ溝３を形成
する。図中、斜面２の枠で囲まれた内部が溝（凹部）３
である。溝３の形状は、第１磁気ヨーク層４が溝３の内
部に納まるようにし、かつ第１磁気ヨーク層４の先端部
形成予定部には溝３の縁の斜面が来るようにする。溝３
の深さは、形成する第１磁気ヨーク層の膜厚より充分に
深くして、後で平面化加工しても第１磁気ヨーク層が損
傷しないようにする。第１磁気ヨーク層の膜厚は形成す
べきコア幅を考慮して決める。ここでは、平面化加工を
考慮して、溝の深さは例えば３μｍとする。基板１に斜
面を持つ溝を形成することは例えばエッチング条件を選
択することによって可能である。例えばシリコン基板１
に斜面を持つ溝を形成するには、（１００）面を有する
基板面をＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液中でエッチング
する方法が知られている。レジストマスクで基板面の一
部を露出しＫＯＨエッチングすればよい。このとき形成
される斜面は（１１１）面となり、斜面の角度は約５５
°が得られる。また、アルチック基板の場合は、反応性
プラズマエッチングにより同様にエッチングすればよ
い。このとき用いるガス種はフッ素系ガスが一般的であ
る。斜面の角度の制御はガス圧、パワー等で行い、最適
な条件を選択して行なえば約４５°の斜面を得る事がで
きる。
して説明する。図１〜３の各々において、（ア）は平面
図、（イ）は（ア）のＡ−Ａ断面図である。図１を参照
すると、シリコンおよびＡｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ（アルチッ
ク）などの基板１に約４５°の斜面２を持つ溝３を形成
する。図中、斜面２の枠で囲まれた内部が溝（凹部）３
である。溝３の形状は、第１磁気ヨーク層４が溝３の内
部に納まるようにし、かつ第１磁気ヨーク層４の先端部
形成予定部には溝３の縁の斜面が来るようにする。溝３
の深さは、形成する第１磁気ヨーク層の膜厚より充分に
深くして、後で平面化加工しても第１磁気ヨーク層が損
傷しないようにする。第１磁気ヨーク層の膜厚は形成す
べきコア幅を考慮して決める。ここでは、平面化加工を
考慮して、溝の深さは例えば３μｍとする。基板１に斜
面を持つ溝を形成することは例えばエッチング条件を選
択することによって可能である。例えばシリコン基板１
に斜面を持つ溝を形成するには、（１００）面を有する
基板面をＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液中でエッチング
する方法が知られている。レジストマスクで基板面の一
部を露出しＫＯＨエッチングすればよい。このとき形成
される斜面は（１１１）面となり、斜面の角度は約５５
°が得られる。また、アルチック基板の場合は、反応性
プラズマエッチングにより同様にエッチングすればよ
い。このとき用いるガス種はフッ素系ガスが一般的であ
る。斜面の角度の制御はガス圧、パワー等で行い、最適
な条件を選択して行なえば約４５°の斜面を得る事がで
きる。
【００１１】次いで、第１磁気ヨーク層４のパターンを
溝の内側に形成するが、このパターンはヘッドの先端部
（Ａ−Ａ部）に位置する溝３の斜面２を覆うように延び
ている。第１磁気ヨーク層４の材質はＮｉＦｅ（パーマ
ロイ）、ＦｅＮなどの軟磁性材料が用いられ、スパッタ
法、めっき法などで成膜し、前記のようにレジストマス
クを用いた選択めっき法や、レジストマスクによるイオ
ンシリング法などでパターニングできる。その後、Ａｌ
2 Ｏ3 などの埋め込み層５を基板１全面に成膜する。成
膜法は特に限定されず、例えば、スパッタ法でよい。埋
め込み層５の材質は、平面化加工を容易にする非磁性層
であれば特に限定されない。埋め込み層５は溝３を完全
に埋める膜厚であればよいが、実際には基板表面上の第
１磁気ヨーク層４の頂部よりも上までの厚さで成膜し
て、平坦化加工を容易にする。
溝の内側に形成するが、このパターンはヘッドの先端部
（Ａ−Ａ部）に位置する溝３の斜面２を覆うように延び
ている。第１磁気ヨーク層４の材質はＮｉＦｅ（パーマ
ロイ）、ＦｅＮなどの軟磁性材料が用いられ、スパッタ
法、めっき法などで成膜し、前記のようにレジストマス
クを用いた選択めっき法や、レジストマスクによるイオ
ンシリング法などでパターニングできる。その後、Ａｌ
2 Ｏ3 などの埋め込み層５を基板１全面に成膜する。成
膜法は特に限定されず、例えば、スパッタ法でよい。埋
め込み層５の材質は、平面化加工を容易にする非磁性層
であれば特に限定されない。埋め込み層５は溝３を完全
に埋める膜厚であればよいが、実際には基板表面上の第
１磁気ヨーク層４の頂部よりも上までの厚さで成膜し
て、平坦化加工を容易にする。
【００１２】図２を参照すると、埋め込み層５の上から
平面化ラッピング加工Ｐして、基板１表面上の第１磁気
ヨーク層４を完全に除去し、さらに基板の一部を除去し
て、斜面２上にある第１磁気ヨーク層４の膜厚方向の横
断面６が表面に露出するようにする。図３を参照する
と、次いで、磁気ギャップ層１０、コイル層７、層間絶
縁層８、第２磁気ヨーク層９を、慣用の方法で順次積層
する。第２磁気ヨーク層９もパターニングする。磁気ギ
ャップ層１０は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 などの
非磁性材料であればよく、膜厚としては例えば０．１〜
０．５μｍが採用される。その後、コイル層７は例えば
Ｃｕの選択めっきにより例えば０．１〜０．５μｍの厚
さに形成する。層間絶縁層８は例えばレジストのハード
ベーク（２５０℃）で形成する。また、第２磁気ヨーク
層９は、例えば、ＮｉＦｅの選択めっきにより、あるい
はＦｅＮのスパッタリング、イオンミリングなどによ
り、例えば１〜５μｍの膜厚に形成する。
平面化ラッピング加工Ｐして、基板１表面上の第１磁気
ヨーク層４を完全に除去し、さらに基板の一部を除去し
て、斜面２上にある第１磁気ヨーク層４の膜厚方向の横
断面６が表面に露出するようにする。図３を参照する
と、次いで、磁気ギャップ層１０、コイル層７、層間絶
縁層８、第２磁気ヨーク層９を、慣用の方法で順次積層
する。第２磁気ヨーク層９もパターニングする。磁気ギ
ャップ層１０は、例えば、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 などの
非磁性材料であればよく、膜厚としては例えば０．１〜
０．５μｍが採用される。その後、コイル層７は例えば
Ｃｕの選択めっきにより例えば０．１〜０．５μｍの厚
さに形成する。層間絶縁層８は例えばレジストのハード
ベーク（２５０℃）で形成する。また、第２磁気ヨーク
層９は、例えば、ＮｉＦｅの選択めっきにより、あるい
はＦｅＮのスパッタリング、イオンミリングなどによ
り、例えば１〜５μｍの膜厚に形成する。
【００１３】ここで、図３（ア）のＡ−Ａ断面を示す図
３（イ）におけるコア幅Ｃｗは、図２（ア）（イ）で表
面に露出した第１磁気ヨーク層６の膜厚方向の幅ｗで確
定される。第１磁気ヨーク層４の平面（基板表面および
溝底面）に成膜される膜厚をｔとすると、角度θの斜面
に成膜される第１磁気ヨーク層４の膜厚（斜面に垂直方
向）はｔｃｏｓθであり、従って、平面化加工で表面に
露出する第１磁気ヨーク層６の膜厚方向の幅ｗ（即ちＣ
ｗ）はｔｃｏｓθ／ｓｉｎθで求められる。例えば、θ
が４５°の斜面であれば、Ｃｗ＝ｔとなり、第１磁気ヨ
ーク層６の幅ｗ、即ち、ヨークのコア幅Ｃｗは、第１磁
気ヨーク層４の膜厚ｔと略等しくなることがわかる。第
１磁気ヨーク層の膜厚は１μｍ以下でも十分に制御でき
るので、コア幅も１μｍ以下に制御できる。
３（イ）におけるコア幅Ｃｗは、図２（ア）（イ）で表
面に露出した第１磁気ヨーク層６の膜厚方向の幅ｗで確
定される。第１磁気ヨーク層４の平面（基板表面および
溝底面）に成膜される膜厚をｔとすると、角度θの斜面
に成膜される第１磁気ヨーク層４の膜厚（斜面に垂直方
向）はｔｃｏｓθであり、従って、平面化加工で表面に
露出する第１磁気ヨーク層６の膜厚方向の幅ｗ（即ちＣ
ｗ）はｔｃｏｓθ／ｓｉｎθで求められる。例えば、θ
が４５°の斜面であれば、Ｃｗ＝ｔとなり、第１磁気ヨ
ーク層６の幅ｗ、即ち、ヨークのコア幅Ｃｗは、第１磁
気ヨーク層４の膜厚ｔと略等しくなることがわかる。第
１磁気ヨーク層の膜厚は１μｍ以下でも十分に制御でき
るので、コア幅も１μｍ以下に制御できる。
【００１４】従って、斜面２の角度に依存するが、コア
幅Ｃｗをほぼ第１磁気ヨーク層４の膜厚ｔに等しいオー
ダーで所望に制御して形成することができる。斜面の角
度としては２０〜７０°の範囲内が好ましい。この角度
範囲内であれば、コア幅Ｃｗを所望に制御してかつ狭く
形成できるからである。
幅Ｃｗをほぼ第１磁気ヨーク層４の膜厚ｔに等しいオー
ダーで所望に制御して形成することができる。斜面の角
度としては２０〜７０°の範囲内が好ましい。この角度
範囲内であれば、コア幅Ｃｗを所望に制御してかつ狭く
形成できるからである。
【００１５】コイルに電流を流したとき、第１、第２磁
気ヨーク層が磁化され、磁気ヨーク層の先端部のギャッ
プ層付近で媒体側に磁界が発生する。このとき、コア幅
に相当する幅で媒体面に記録情報が記録される。コア幅
が狭ければ、媒体面に多くの情報が記録できるので、記
録密度（厳密にはトラック密度であり、長さ１インチ当
たりのトラック数、いわゆるＴＰＩ）が向上する。な
お、上記の実施例ではインダクタ型磁気ヘッドを基板上
に直接形成する態様を説明したが、近時ＭＲヘッド（磁
気抵抗型ヘッド）が用いられるようになり、ＭＲヘッド
は読出し用なので、基板上にＭＲ素子を形成し、その上
に書込み用として上記の如きインダクタヘッドを形成す
る態様もある。この場合、ＭＲ素子を形成後、その上に
非磁性かつ電気絶縁性の材料で平坦化下地層を形成し、
その上にインダクタヘッドを形成する。本発明はこのよ
うに基板上に下地層が形成され、その下地層に溝を形成
してその中に磁気ヨークを埋める態様も含むものであ
る。
気ヨーク層が磁化され、磁気ヨーク層の先端部のギャッ
プ層付近で媒体側に磁界が発生する。このとき、コア幅
に相当する幅で媒体面に記録情報が記録される。コア幅
が狭ければ、媒体面に多くの情報が記録できるので、記
録密度（厳密にはトラック密度であり、長さ１インチ当
たりのトラック数、いわゆるＴＰＩ）が向上する。な
お、上記の実施例ではインダクタ型磁気ヘッドを基板上
に直接形成する態様を説明したが、近時ＭＲヘッド（磁
気抵抗型ヘッド）が用いられるようになり、ＭＲヘッド
は読出し用なので、基板上にＭＲ素子を形成し、その上
に書込み用として上記の如きインダクタヘッドを形成す
る態様もある。この場合、ＭＲ素子を形成後、その上に
非磁性かつ電気絶縁性の材料で平坦化下地層を形成し、
その上にインダクタヘッドを形成する。本発明はこのよ
うに基板上に下地層が形成され、その下地層に溝を形成
してその中に磁気ヨークを埋める態様も含むものであ
る。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、従来製造が困難であっ
た、狭いコア幅を有する磁気トランデューサを容易に製
造することが可能になり、高トラック密度の大容量磁気
ディスク装置が実現できる。
た、狭いコア幅を有する磁気トランデューサを容易に製
造することが可能になり、高トラック密度の大容量磁気
ディスク装置が実現できる。
【図１】実施例の磁気トランデューサの製造工程（平面
化加工前）を説明する工程図である。
化加工前）を説明する工程図である。
【図２】実施例の磁気トランデューサの製造工程（平面
化加工後）を説明する工程図である。
化加工後）を説明する工程図である。
【図３】実施例の磁気トランデューサ（完成工後）を説
明する図である。
明する図である。
【図４】従来例の薄膜磁気ヘッドを搭載したスライダの
斜視図である。
斜視図である。
【図５】従来例の薄膜磁気ヘッドを説明する図である。
１…基板 ２…斜面 ３…溝 ４…第１磁気ヨーク層 ５…埋め込み層 ６…平面化加工で露出した第１磁気ヨーク層の厚さ方向
断面 ７…コイル層 ８…層間絶縁層 ９…第２磁気ヨーク層 １０…磁気ギャップ層 Ｃｗ…コア幅
断面 ７…コイル層 ８…層間絶縁層 ９…第２磁気ヨーク層 １０…磁気ギャップ層 Ｃｗ…コア幅
Claims (3)
- 【請求項１】 基板または基板上に形成した下地層上
に、第１磁気ヨーク層、磁気ギャップ層、コイル層、層
間絶縁膜および第２磁気ヨーク層を順次積層した磁気ト
ランスデューサを構成する薄膜磁気ヘッドにおいて、基
板または基板上に形成した下地層が第１磁気ヨーク層の
厚さより深い溝を有し、該溝内に第１磁気ヨーク層が形
成され、該溝が第１磁気ヨーク層の先端部にコア幅方向
に傾斜した斜面を有し、第１磁気ヨーク層の先端部が該
斜面上に形成されてその端部が基板または下地層表面ま
で延在し、第１磁気ヨーク層のその端部は基板または下
地層表面と同一平面を形成し、該溝の残部は埋め込ま
れ、基板及び第１磁気ヨーク層の前記端部の上に磁気ギ
ャップ層を介して第２磁気ヨーク層が形成され、よって
第１および第２磁気ヨーク層のコア幅が第１磁気ヨーク
層の略膜厚方向の寸法によって決定されていることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記コア幅が１μm 以下である請求項１
記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 基板または基板上に形成された下地層上
に、第１磁気ヨーク層、磁気ギャップ層、コイル層、層
間絶縁膜および第２磁気ヨーク層を順次積層した磁気ト
ランスデューサを構成する薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいて、 基板または基板上に形成された下地層（１）の第１磁気
ヨーク層（４）の先端形成予定部に、コア幅（ｗ）方向
に傾斜した斜面（２）を持つ溝（３）を設ける工程と、 前記基板または下地層（１）上に第１磁気ヨーク層
（４）を形成する工程と、 前記溝を含む基板または下地層（１）上および前記第１
磁気ヨーク層（４）上に埋め込み層（５）を形成する工
程と、 前記斜面（２）の途中まで、前記基板または下地層
（１）、前記第１磁気ヨーク層（４）および前記埋め込
み層（５）を平面化加工して、前記第１磁気ヨーク層の
厚さ方向断面を表面に露出させる工程と、 その上に磁気ギャップ層（１０）、コイル層（７）、層
間絶縁層（８）および第２磁気ヨーク層（９）を順次積
層する工程を含み、よって前記第１および第２磁気ヨー
ク層のコア幅（Ｃｗ）を、前記第１磁気ヨーク層（４）
の前記表面に露出した前記断面の幅（ｗ）とすることを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9112635A JPH10302219A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 薄膜磁気ヘッドおよび製造方法 |
| US08/957,092 US5894389A (en) | 1997-04-30 | 1997-10-24 | Thin-film Magnetic head having a narrow core width and process for its production |
| DE19748875A DE19748875C2 (de) | 1997-04-30 | 1997-11-06 | Dünnschicht-Magnetkopf und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR1019970060996A KR100263805B1 (ko) | 1997-04-30 | 1997-11-19 | 박막 자기 헤드 및 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9112635A JPH10302219A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 薄膜磁気ヘッドおよび製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10302219A true JPH10302219A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14591669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9112635A Withdrawn JPH10302219A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 薄膜磁気ヘッドおよび製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5894389A (ja) |
| JP (1) | JPH10302219A (ja) |
| KR (1) | KR100263805B1 (ja) |
| DE (1) | DE19748875C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1997
- 1997-04-30 JP JP9112635A patent/JPH10302219A/ja not_active Withdrawn
- 1997-10-24 US US08/957,092 patent/US5894389A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-06 DE DE19748875A patent/DE19748875C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-19 KR KR1019970060996A patent/KR100263805B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19748875C2 (de) | 2000-10-05 |
| DE19748875A1 (de) | 1998-11-12 |
| KR19980079474A (ko) | 1998-11-25 |
| KR100263805B1 (ko) | 2000-08-16 |
| US5894389A (en) | 1999-04-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |