JP2000048318A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭トラック幅化及びオーバーライト特性の向
上の両方を同時に達成できる薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 記録ギャップを介して互いに対向する下
部磁極及び上部磁極を含む記録ヘッド部を備えた薄膜磁
気ヘッドであって、上部磁極は、記録ギャップ側の第１
の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を
有し、かつ記録ギャップの反対側の第２の端が第１の端
の幅より広い幅を有している。
上の両方を同時に達成できる薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 記録ギャップを介して互いに対向する下
部磁極及び上部磁極を含む記録ヘッド部を備えた薄膜磁
気ヘッドであって、上部磁極は、記録ギャップ側の第１
の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を
有し、かつ記録ギャップの反対側の第２の端が第１の端
の幅より広い幅を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばハードディ
スク、フロッピーディスク等の磁気媒体に磁気記録を行
うためのインダクティブ記録ヘッド部を有する薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。
スク、フロッピーディスク等の磁気媒体に磁気記録を行
うためのインダクティブ記録ヘッド部を有する薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】インダクティブ記録ヘッド部は、ＡＢＳ
（浮上面）に露出した先端が記録ギャップを介して互い
に対向しており、後部においてヨークとして互いに接触
している２つの磁極と、そのヨークの周囲に巻回されて
いるコイルとから主として構成されている。
（浮上面）に露出した先端が記録ギャップを介して互い
に対向しており、後部においてヨークとして互いに接触
している２つの磁極と、そのヨークの周囲に巻回されて
いるコイルとから主として構成されている。
【０００３】図１及び図２は、従来のインダクティブ記
録ヘッドにおける磁極のＡＢＳ側から見た概略構造を表
わす断面図である。
録ヘッドにおける磁極のＡＢＳ側から見た概略構造を表
わす断面図である。
【０００４】図１において、１０は下部磁極、１１は記
録ギャップ、１２は上部磁極をそれぞれ示している。こ
のインダクティブ記録ヘッドにおいては、上部磁極１２
の幅ＷP2が記録ギャップ側においてもその反対側におい
ても同一となるように形成されている。
録ギャップ、１２は上部磁極をそれぞれ示している。こ
のインダクティブ記録ヘッドにおいては、上部磁極１２
の幅ＷP2が記録ギャップ側においてもその反対側におい
ても同一となるように形成されている。
【０００５】このような形状の上部磁極１２を有するイ
ンダクティブ記録ヘッドは、磁極への磁束の流入に抵抗
が生じるため、オーバーライト特性が比較的低くなって
しまう。
ンダクティブ記録ヘッドは、磁極への磁束の流入に抵抗
が生じるため、オーバーライト特性が比較的低くなって
しまう。
【０００６】このような不都合を改善する構造として、
図２に示すような形状の上部磁極を備えたインダクティ
ブ記録ヘッドが存在する。同図において、２０は下部磁
極、２１は記録ギャップ、２２は上部磁極をそれぞれ示
している。このヘッドは、上部磁極２２のＷP2が記録ギ
ャップ側からその反対側に向かって徐々に大きくなって
おり、これによって磁束の流入側が広くなるため、オー
バーライト特性を向上させることができる。
図２に示すような形状の上部磁極を備えたインダクティ
ブ記録ヘッドが存在する。同図において、２０は下部磁
極、２１は記録ギャップ、２２は上部磁極をそれぞれ示
している。このヘッドは、上部磁極２２のＷP2が記録ギ
ャップ側からその反対側に向かって徐々に大きくなって
おり、これによって磁束の流入側が広くなるため、オー
バーライト特性を向上させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示す従来のインダクティブ記録ヘッドによると、記録の
ための実効トラック幅がどうしても広がってしまうとい
う問題が生じる。特に近年、磁気記録の高密度化に伴っ
て磁気ヘッドのトラック幅をより狭くすることが要求さ
れているため、このような実効トラック幅の広がりは大
きな問題である。
示す従来のインダクティブ記録ヘッドによると、記録の
ための実効トラック幅がどうしても広がってしまうとい
う問題が生じる。特に近年、磁気記録の高密度化に伴っ
て磁気ヘッドのトラック幅をより狭くすることが要求さ
れているため、このような実効トラック幅の広がりは大
きな問題である。
【０００８】従って本発明の目的は、狭トラック幅化及
びオーバーライト特性の向上の両方を同時に達成できる
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにあ
る。
びオーバーライト特性の向上の両方を同時に達成できる
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、記録ギ
ャップを介して互いに対向する下部磁極及び上部磁極を
含む記録ヘッド部を備えた薄膜磁気ヘッドであって、上
部磁極は、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所
定距離離れた位置まで等しい幅を有し、かつ記録ギャッ
プの反対側の第２の端が第１の端の幅より広い幅を有し
ている薄膜磁気ヘッドが提供される。
ャップを介して互いに対向する下部磁極及び上部磁極を
含む記録ヘッド部を備えた薄膜磁気ヘッドであって、上
部磁極は、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所
定距離離れた位置まで等しい幅を有し、かつ記録ギャッ
プの反対側の第２の端が第１の端の幅より広い幅を有し
ている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１０】上部磁極が、ＡＢＳ方向から見た形状とし
て、記録ギャップの反対側の第２の端が記録ギャップ側
の第１の端の幅より広い幅を有する形状となっているの
で、磁束の入口側の幅が広くなりかつ出口側の幅が狭く
なることとなり、オーバーライト特性が大幅に向上す
る。しかも、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも
所定距離離れた位置まで等しい幅を有しているので、磁
気ヘッドの実効トラック幅が広がってしまうような不都
合がなくなる。
て、記録ギャップの反対側の第２の端が記録ギャップ側
の第１の端の幅より広い幅を有する形状となっているの
で、磁束の入口側の幅が広くなりかつ出口側の幅が狭く
なることとなり、オーバーライト特性が大幅に向上す
る。しかも、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも
所定距離離れた位置まで等しい幅を有しているので、磁
気ヘッドの実効トラック幅が広がってしまうような不都
合がなくなる。
【００１１】上部磁極の幅は、所定距離離れた位置から
第２の端までほぼ連続的に変化していることが好まし
い。
第２の端までほぼ連続的に変化していることが好まし
い。
【００１２】ＡＢＳ方向から見た形状として、下部磁極
の記録ギャップ側の端が、上部磁極に対向する部分で凸
状に突出しており、この突出部が第１の端の幅に等しい
幅を有していることも好ましい。
の記録ギャップ側の端が、上部磁極に対向する部分で凸
状に突出しており、この突出部が第１の端の幅に等しい
幅を有していることも好ましい。
【００１３】ＡＢＳ方向から見た形状として、下部磁極
の記録ギャップ側の端が、上部磁極に対向する部分を含
めて平坦に形成されていることも好ましい。
の記録ギャップ側の端が、上部磁極に対向する部分を含
めて平坦に形成されていることも好ましい。
【００１４】所定距離が１μｍであることが好ましい。
【００１５】磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を備えた再生ヘ
ッド部が記録ヘッド部と一体的に積層形成されているこ
とも好ましい。
ッド部が記録ヘッド部と一体的に積層形成されているこ
とも好ましい。
【００１６】本発明によれば、さらに、下部磁極用の層
を積層した後、記録ギャップ用の層を積層し、この記録
ギャップ用の層上にコイルを形成すると共に上部磁極を
形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、上部磁極
を、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離
離れた位置まで等しい幅を有し、かつ記録ギャップの反
対側の第２の端が第１の端の幅より広い幅を有する形状
に形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
を積層した後、記録ギャップ用の層を積層し、この記録
ギャップ用の層上にコイルを形成すると共に上部磁極を
形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、上部磁極
を、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離
離れた位置まで等しい幅を有し、かつ記録ギャップの反
対側の第２の端が第１の端の幅より広い幅を有する形状
に形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１７】上部磁極を、その幅が所定距離離れた位置
から第２の端までほぼ連続的に変化するように形成する
ことが好ましい。
から第２の端までほぼ連続的に変化するように形成する
ことが好ましい。
【００１８】所定距離を１μｍとすることが好ましい。
【００１９】上部磁極の形状を、フレームめっき法にお
けるレジストの露光条件を制御して形成することも好ま
しい。その露光条件は、露光の焦点位置又は露光光学系
の開口数であるかもしれない。
けるレジストの露光条件を制御して形成することも好ま
しい。その露光条件は、露光の焦点位置又は露光光学系
の開口数であるかもしれない。
【００２０】下部磁極の記録ギャップ側の端が、上部磁
極に対向する部分で凸状に突出しており、この突出部が
第１の端の幅に等しい幅を有する形状となるように、上
部磁極をマスクとして下部磁極用の層をドライエッチン
グすることも好ましい。
極に対向する部分で凸状に突出しており、この突出部が
第１の端の幅に等しい幅を有する形状となるように、上
部磁極をマスクとして下部磁極用の層をドライエッチン
グすることも好ましい。
【００２１】基板表面上に第１のシールド用の層を積層
し、第１のシールド用の層上にシールドギャップ用の層
を介してＭＲ素子用の層を積層した後ＭＲ素子を形成
し、次いでＭＲ素子上にシールドギャップ用の層を介し
て下部磁極用の層を積層することも好ましい。
し、第１のシールド用の層上にシールドギャップ用の層
を介してＭＲ素子用の層を積層した後ＭＲ素子を形成
し、次いでＭＲ素子上にシールドギャップ用の層を介し
て下部磁極用の層を積層することも好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】図３は本発明の一実施形態におけ
るインダクティブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見
た形状を概略的に示す図である。
るインダクティブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見
た形状を概略的に示す図である。
【００２３】同図において、３０は下部磁極、３１は記
録ギャップ、３２は上部磁極、３０ａは下部磁極３０の
凸状の突出部をそれぞれ示している。上部磁極３２の下
端は、記録ギャップ３１を介して下部磁極３０の突出部
３０ａの上端に対向している。突出部３０ａは、幅Ｗ
P2A を有しており、上部磁極３２もその下端から所定距
離ＬS の位置３３までこの幅ＷP2A に等しい幅を有して
いる。上部磁極３２の幅は、この位置３３から徐々に曲
線状に大きくなりその上端では、幅ＷP2B となってい
る。単なる一例として、各数値は次の通りである。Ｗ
P2A ＝０．９μｍ、ＷP2B ＝１．５μｍ、ＬG ＝０．３
μｍ、ＬT ＝０．５μｍ。ただし、ＬG は記録ギャップ
長、ＬT は突出部３０ａの長さである。所定距離（以
下、等幅部分長さと称する）ＬS は後述するように、Ｌ
S ≧１．０μｍに設定される。
録ギャップ、３２は上部磁極、３０ａは下部磁極３０の
凸状の突出部をそれぞれ示している。上部磁極３２の下
端は、記録ギャップ３１を介して下部磁極３０の突出部
３０ａの上端に対向している。突出部３０ａは、幅Ｗ
P2A を有しており、上部磁極３２もその下端から所定距
離ＬS の位置３３までこの幅ＷP2A に等しい幅を有して
いる。上部磁極３２の幅は、この位置３３から徐々に曲
線状に大きくなりその上端では、幅ＷP2B となってい
る。単なる一例として、各数値は次の通りである。Ｗ
P2A ＝０．９μｍ、ＷP2B ＝１．５μｍ、ＬG ＝０．３
μｍ、ＬT ＝０．５μｍ。ただし、ＬG は記録ギャップ
長、ＬT は突出部３０ａの長さである。所定距離（以
下、等幅部分長さと称する）ＬS は後述するように、Ｌ
S ≧１．０μｍに設定される。
【００２４】上部磁極は、図３に示したようにその幅が
位置３３から徐々に曲線状に大きくなる形状の他に、図
４に示すように上部磁極の下端から所定距離ＬS の位置
４３から徐々に直線的に大きくなる形状であってもよ
い。図４において、４０は下部磁極、４１は記録ギャッ
プ、４２は上部磁極、４０ａは下部磁極４０の突出部を
それぞれ示しており、上部磁極４２の下端は、記録ギャ
ップ４１を介して下部磁極４０の突出部４０ａの上端に
対向している。突出部４０ａは、幅ＷP2A を有してお
り、上部磁極４２もその下端から所定距離ＬS の位置４
３までこの幅ＷP2Aに等しい幅を有している。上部磁極
４２の幅は、この位置４３から徐々に直線状に大きくな
りその上端では、幅ＷP2B となっている。
位置３３から徐々に曲線状に大きくなる形状の他に、図
４に示すように上部磁極の下端から所定距離ＬS の位置
４３から徐々に直線的に大きくなる形状であってもよ
い。図４において、４０は下部磁極、４１は記録ギャッ
プ、４２は上部磁極、４０ａは下部磁極４０の突出部を
それぞれ示しており、上部磁極４２の下端は、記録ギャ
ップ４１を介して下部磁極４０の突出部４０ａの上端に
対向している。突出部４０ａは、幅ＷP2A を有してお
り、上部磁極４２もその下端から所定距離ＬS の位置４
３までこの幅ＷP2Aに等しい幅を有している。上部磁極
４２の幅は、この位置４３から徐々に直線状に大きくな
りその上端では、幅ＷP2B となっている。
【００２５】図５は、図３の実施形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッド
のトラックの中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方
向から見た断面図をそれぞれ示している。なお、本実施
形態は、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ再生ヘッド
部とが一体的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘッ
ドの場合である。ただし、本発明が、インダクティブ記
録ヘッド部のみが設けられている薄膜磁気ヘッドについ
ても適用可能であることはいうまでもない。
ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッド
のトラックの中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方
向から見た断面図をそれぞれ示している。なお、本実施
形態は、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ再生ヘッド
部とが一体的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘッ
ドの場合である。ただし、本発明が、インダクティブ記
録ヘッド部のみが設けられている薄膜磁気ヘッドについ
ても適用可能であることはいうまでもない。
【００２６】まず、ＡｌＴｉＣ等のセラミック材料によ
る図示しない基板上に、絶縁層５０を積層する。この絶
縁層５０は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の絶縁材料を、ス
パッタ法等で好ましくは１０００〜２００００ｎｍ程度
の層厚に形成する。
る図示しない基板上に、絶縁層５０を積層する。この絶
縁層５０は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の絶縁材料を、ス
パッタ法等で好ましくは１０００〜２００００ｎｍ程度
の層厚に形成する。
【００２７】次いで、その上に下部シールド５１用の層
を積層し、さらにその上にシールドギャップ用の絶縁層
５２を積層する。下部シールド５１用の層は、ＦｅＡｉ
Ｓｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、Ｆ
ｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等
の材料を、スパッタ法又はめっき法等で好ましくは１０
０〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。シールドギャ
ップ用の絶縁層５２は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の絶縁
材料を、スパッタ法等で好ましくは１０〜２００ｎｍ程
度の層厚に形成する。
を積層し、さらにその上にシールドギャップ用の絶縁層
５２を積層する。下部シールド５１用の層は、ＦｅＡｉ
Ｓｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、Ｆ
ｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等
の材料を、スパッタ法又はめっき法等で好ましくは１０
０〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。シールドギャ
ップ用の絶縁層５２は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の絶縁
材料を、スパッタ法等で好ましくは１０〜２００ｎｍ程
度の層厚に形成する。
【００２８】次いで、絶縁層５２上のＭＲ素子５３を形
成し、このＭＲ素子５３の両端に電気的に接続されるよ
うにリード導体５４を形成する。ＭＲ素子５３は、磁性
体の単層構造としてもよいが、磁性層及び非磁性層を交
互に積層した多層構造とすることが好ましい。磁性層の
材料としては、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＲｈ、ＦｅＭｎ、Ｎ
ｉＭｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉＯ、ＮｉＦｅＣｒ等が好まし
く、非磁性層の材料としては、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ等が好
ましい。また、多層構造として、例えばＮｉＦｅＲｈ／
Ｔａ／ＮｉＦｅの三層構造、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ
／ＦｅＭｎ、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／ＦｅＭｎ、Ｃｕ／
Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ、Ｆｅ／Ｃｒ、Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ
／Ａｇ等の複数層構造を１ユニットとして複数ユニット
を積層した構造としてもよい。多層構造の場合、磁性層
の層厚は、０．５〜５０ｎｍ、特に１〜２５ｎｍとする
ことが好ましく、非磁性層の層厚も、０．５〜５０ｎ
ｍ、特に１〜２５ｎｍとすることが好ましい。上述のユ
ニットの繰り返し積層数は、１〜３０回、特に１〜２０
回が好ましい。ＭＲ素子５３全体としての層厚は、５〜
１００ｎｍ、特に１０〜６０ｎｍであることが好まし
い。ＭＲ素子用の層を積層するには、スパッタ法、めっ
き法等が用いられる。リード導体５４は、Ｗ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｍｏ、ＣｏＰｔ等の導電性材料をスパ
ッタ法、めっき法等で１０〜５００ｎｍ、特に５０〜３
００ｎｍ程度の層厚に形成することが好ましい。
成し、このＭＲ素子５３の両端に電気的に接続されるよ
うにリード導体５４を形成する。ＭＲ素子５３は、磁性
体の単層構造としてもよいが、磁性層及び非磁性層を交
互に積層した多層構造とすることが好ましい。磁性層の
材料としては、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＲｈ、ＦｅＭｎ、Ｎ
ｉＭｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉＯ、ＮｉＦｅＣｒ等が好まし
く、非磁性層の材料としては、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ等が好
ましい。また、多層構造として、例えばＮｉＦｅＲｈ／
Ｔａ／ＮｉＦｅの三層構造、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ
／ＦｅＭｎ、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／ＦｅＭｎ、Ｃｕ／
Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ、Ｆｅ／Ｃｒ、Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ
／Ａｇ等の複数層構造を１ユニットとして複数ユニット
を積層した構造としてもよい。多層構造の場合、磁性層
の層厚は、０．５〜５０ｎｍ、特に１〜２５ｎｍとする
ことが好ましく、非磁性層の層厚も、０．５〜５０ｎ
ｍ、特に１〜２５ｎｍとすることが好ましい。上述のユ
ニットの繰り返し積層数は、１〜３０回、特に１〜２０
回が好ましい。ＭＲ素子５３全体としての層厚は、５〜
１００ｎｍ、特に１０〜６０ｎｍであることが好まし
い。ＭＲ素子用の層を積層するには、スパッタ法、めっ
き法等が用いられる。リード導体５４は、Ｗ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｍｏ、ＣｏＰｔ等の導電性材料をスパ
ッタ法、めっき法等で１０〜５００ｎｍ、特に５０〜３
００ｎｍ程度の層厚に形成することが好ましい。
【００２９】次いで、ＭＲ素子５３及びリード導体５４
上に、シールドギャップ用の絶縁層５５を積層する。こ
の絶縁層５５は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の絶縁材料
を、スパッタ法等で、５〜５００ｎｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍ程度の層厚に形成する。
上に、シールドギャップ用の絶縁層５５を積層する。こ
の絶縁層５５は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の絶縁材料
を、スパッタ法等で、５〜５００ｎｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００３０】以上述べたＭＲ再生ヘッド部の各層は、レ
ジストパターンを用いた一般的なリフトオフ法やミリン
グ法又はこれらを併用した方法でパターニングされる。
ジストパターンを用いた一般的なリフトオフ法やミリン
グ法又はこれらを併用した方法でパターニングされる。
【００３１】次いで、ＭＲ素子５３の上部シールドを兼
用する記録ヘッド部の下部磁極５６用の磁性層を積層
し、その上に記録ギャップ５７用の絶縁層を積層する。
下部磁極５６用の層は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅ
Ｎｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、めっき法、スパッタ法
等で好ましくは５００〜４０００ｎｍ程度の層厚に形成
する。記録ギャップ５７用の絶縁層は、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉＯ2 等の材料を、スパッタ法等で、１０〜５００ｎｍ
程度の層厚に形成する。
用する記録ヘッド部の下部磁極５６用の磁性層を積層
し、その上に記録ギャップ５７用の絶縁層を積層する。
下部磁極５６用の層は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅ
Ｎｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、めっき法、スパッタ法
等で好ましくは５００〜４０００ｎｍ程度の層厚に形成
する。記録ギャップ５７用の絶縁層は、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓ
ｉＯ2 等の材料を、スパッタ法等で、１０〜５００ｎｍ
程度の層厚に形成する。
【００３２】その後、記録ギャップ５７上に、コイル５
８及びこのコイル５８を取り囲む絶縁層５９を形成す
る。コイル５８は、Ｃｕ等の導電性材料を、フレームめ
っき法等で、２０００〜５０００ｎｍ程度の厚さに形成
する。絶縁層５９は、フォトレジスト材料を熱硬化させ
て、３０００〜２００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
８及びこのコイル５８を取り囲む絶縁層５９を形成す
る。コイル５８は、Ｃｕ等の導電性材料を、フレームめ
っき法等で、２０００〜５０００ｎｍ程度の厚さに形成
する。絶縁層５９は、フォトレジスト材料を熱硬化させ
て、３０００〜２００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００３３】以上の工程を経て得た層構造が、図５
（Ａ）に示されている。なお、コイル５８は、同図に示
す用に２層であってもよいし、３層以上であっても、ま
た、単層であってもよい。
（Ａ）に示されている。なお、コイル５８は、同図に示
す用に２層であってもよいし、３層以上であっても、ま
た、単層であってもよい。
【００３４】次いで、図５（Ｂ）に示すように、このよ
うに形成した絶縁層５９上に、ＡＢＳ側の磁極部と後側
のヨーク部とを有する上部磁極６０をフレームめっき法
で形成する。上部磁極６０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｃ
ｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、好ましくは３０
００〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。この際、上
部磁極６０の磁極部のＡＢＳ側から見た形状が、図３又
は図４のごとくなるように形成される。
うに形成した絶縁層５９上に、ＡＢＳ側の磁極部と後側
のヨーク部とを有する上部磁極６０をフレームめっき法
で形成する。上部磁極６０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、Ｃ
ｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、好ましくは３０
００〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。この際、上
部磁極６０の磁極部のＡＢＳ側から見た形状が、図３又
は図４のごとくなるように形成される。
【００３５】以下、このような形状の上部磁極６０を形
成するためのフレームめっき法について説明する。図６
は、本実施形態におけるフレームめっき法による上部磁
極の形成工程を詳しく説明する工程図である。
成するためのフレームめっき法について説明する。図６
は、本実施形態におけるフレームめっき法による上部磁
極の形成工程を詳しく説明する工程図である。
【００３６】図６（Ａ）に示す記録ギャップ５７上に、
図６（Ｂ）に示すように、Ｃｕ、ＮｉＦｅ、Ａｕ等の好
ましくはめっきすべき層と同様の成分による低抵抗膜６
１を、１０〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
図６（Ｂ）に示すように、Ｃｕ、ＮｉＦｅ、Ａｕ等の好
ましくはめっきすべき層と同様の成分による低抵抗膜６
１を、１０〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００３７】次いで、図６（Ｃ）に示すように、低抵抗
膜６１上にレジスト６２を塗布する。この際、レジスト
６２の層厚が、めっき層の厚みよりも厚くなるようにす
る。次いで、図６（Ｄ）に示すように、マスクパターン
を露光してこのレジスト６２に転写し、現像する。この
マスクパターンに関するレジスト６２の露光条件を、本
実施形態では適宜制御して図３又は図４のごとき形状を
得ているのである。図７は、その露光条件として露光の
焦点位置を変えることによって、レジスト６２のパター
ン形状が制御されることを示す図である。
膜６１上にレジスト６２を塗布する。この際、レジスト
６２の層厚が、めっき層の厚みよりも厚くなるようにす
る。次いで、図６（Ｄ）に示すように、マスクパターン
を露光してこのレジスト６２に転写し、現像する。この
マスクパターンに関するレジスト６２の露光条件を、本
実施形態では適宜制御して図３又は図４のごとき形状を
得ているのである。図７は、その露光条件として露光の
焦点位置を変えることによって、レジスト６２のパター
ン形状が制御されることを示す図である。
【００３８】図７において、縦軸の数値はレジストの高
さ［μｍ］を示しており、また、斜線部分は現像後に残
るレジスト部分を示している。また、図７（Ａ）は焦点
位置を基板表面から高さ５．０μｍの位置とした場合、
図７（Ｂ）は焦点位置を高さ４．０μｍの位置とした場
合、図７（Ｃ）は焦点位置を高さ３．０μｍの位置とし
た場合、図７（Ｄ）は焦点位置を高さ２．０μｍの位置
とした場合、図７（Ｅ）は焦点位置を高さ１．０μｍの
位置とした場合、図７（Ｆ）は焦点位置を高さ０．０μ
ｍの位置とした場合をそれぞれ示している。
さ［μｍ］を示しており、また、斜線部分は現像後に残
るレジスト部分を示している。また、図７（Ａ）は焦点
位置を基板表面から高さ５．０μｍの位置とした場合、
図７（Ｂ）は焦点位置を高さ４．０μｍの位置とした場
合、図７（Ｃ）は焦点位置を高さ３．０μｍの位置とし
た場合、図７（Ｄ）は焦点位置を高さ２．０μｍの位置
とした場合、図７（Ｅ）は焦点位置を高さ１．０μｍの
位置とした場合、図７（Ｆ）は焦点位置を高さ０．０μ
ｍの位置とした場合をそれぞれ示している。
【００３９】図７からも明らかのように、マスクパター
ンに関するレジスト６２の露光の焦点位置を制御するこ
とにより、所望のレジスト形状を得ることが可能とな
る。なお、以上は、露光条件として露光の焦点位置を制
御する例について説明したが、露光光学系の開口数を制
御しても同様の効果を得ることが可能である。
ンに関するレジスト６２の露光の焦点位置を制御するこ
とにより、所望のレジスト形状を得ることが可能とな
る。なお、以上は、露光条件として露光の焦点位置を制
御する例について説明したが、露光光学系の開口数を制
御しても同様の効果を得ることが可能である。
【００４０】次いで、図６（Ｅ）に示すように、このよ
うにパターニングされたレジスト６２′を用いてＮｉＦ
ｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を
めっきして上部磁極６０を得る。その後、図６（Ｆ）に
示すように、有機溶剤等を用いて、レジスト６２′を剥
離する。
うにパターニングされたレジスト６２′を用いてＮｉＦ
ｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を
めっきして上部磁極６０を得る。その後、図６（Ｆ）に
示すように、有機溶剤等を用いて、レジスト６２′を剥
離する。
【００４１】なお、上部磁極６０は、フレームめっき法
の代わりに、スパッタ法とミリング法とを組み合わせた
ドライプロセスで形成することも可能である。
の代わりに、スパッタ法とミリング法とを組み合わせた
ドライプロセスで形成することも可能である。
【００４２】次いで、図５（Ｃ）に示すように、このよ
うにして形成した上部磁極６０をマスクとして、イオン
ミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドラ
イエッチングを行い、前述の低抵抗膜６１及び記録ギャ
ップ５７用の絶縁層のマスクに覆われていない部分を除
去し、さらに下部磁極５６用の磁性層の途中までマスク
に覆われていない部分を除去する。
うにして形成した上部磁極６０をマスクとして、イオン
ミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドラ
イエッチングを行い、前述の低抵抗膜６１及び記録ギャ
ップ５７用の絶縁層のマスクに覆われていない部分を除
去し、さらに下部磁極５６用の磁性層の途中までマスク
に覆われていない部分を除去する。
【００４３】これにより、図５（Ｄ）に示すように、上
部磁極６０の下端に、記録ギャップ５７を介して対向し
かつ同じ幅を有する突出部５６ａが下部磁極５６に形成
される。次いで、パッドバンプ等を形成した後、保護層
６３を積層する。この保護層６３は、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 等の絶縁材料を、スパッタ法等で、５〜５００ｎ
ｍ、好ましくは５０００〜５００００ｎｍ程度の層厚に
形成する。
部磁極６０の下端に、記録ギャップ５７を介して対向し
かつ同じ幅を有する突出部５６ａが下部磁極５６に形成
される。次いで、パッドバンプ等を形成した後、保護層
６３を積層する。この保護層６３は、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 等の絶縁材料を、スパッタ法等で、５〜５００ｎ
ｍ、好ましくは５０００〜５００００ｎｍ程度の層厚に
形成する。
【００４４】図３に関連して説明したように、本実施形
態によれば、上部磁極３２（６０）はその下端から等幅
部分長さＬS だけ幅ＷP2A を有しており、この上部磁極
３２（６０）の幅は、その後上方に向かって徐々に曲線
状に大きくなりその上端では、この幅ＷP2A より大きい
幅ＷP2B となっている。この等幅部分長さＬS を、Ｌ S
≧１．０μｍに設定すると、ヘッドの実効トラック幅は
広がらない。図８は、上部磁極のこの等幅部分長さＬS
と実効トラック幅との関係を示す特性図である。これ
は、上部磁極及び下部磁極寸法を、ＷP2A ＝０．９μ
ｍ、ＷP2B ＝１．５μｍ、ＬG ＝０．３μｍ、ＬT ＝
０．５μｍとした場合の特性である。また、図９は、ト
ラック幅とオーバーライト特性との関係を示す特性図で
ある。
態によれば、上部磁極３２（６０）はその下端から等幅
部分長さＬS だけ幅ＷP2A を有しており、この上部磁極
３２（６０）の幅は、その後上方に向かって徐々に曲線
状に大きくなりその上端では、この幅ＷP2A より大きい
幅ＷP2B となっている。この等幅部分長さＬS を、Ｌ S
≧１．０μｍに設定すると、ヘッドの実効トラック幅は
広がらない。図８は、上部磁極のこの等幅部分長さＬS
と実効トラック幅との関係を示す特性図である。これ
は、上部磁極及び下部磁極寸法を、ＷP2A ＝０．９μ
ｍ、ＷP2B ＝１．５μｍ、ＬG ＝０．３μｍ、ＬT ＝
０．５μｍとした場合の特性である。また、図９は、ト
ラック幅とオーバーライト特性との関係を示す特性図で
ある。
【００４５】図８から明らかのように、等幅部分長さＬ
S が１．０μｍ以上の場合は、実効トラック幅が１．０
μｍに維持されているが、等幅部分長さＬS がこれより
短くなると、実効トラック幅は急激に広がってしまう。
S が１．０μｍ以上の場合は、実効トラック幅が１．０
μｍに維持されているが、等幅部分長さＬS がこれより
短くなると、実効トラック幅は急激に広がってしまう。
【００４６】図９からわかるように、本実施形態の磁気
ヘッドは、上部磁極の上端の幅が広がっているため、ト
ラック幅が小さくなった場合にも良好なオーバーライト
特性を維持できるが、従来の上部磁極が全て等幅の磁気
ヘッドではトラック幅が小さくなると、オーバーライト
特性が大幅に悪化してしまう。
ヘッドは、上部磁極の上端の幅が広がっているため、ト
ラック幅が小さくなった場合にも良好なオーバーライト
特性を維持できるが、従来の上部磁極が全て等幅の磁気
ヘッドではトラック幅が小さくなると、オーバーライト
特性が大幅に悪化してしまう。
【００４７】従って、本実施形態によれば、上部磁極の
上端の幅ＷP2B をその下端の幅ＷP2 A より大きくすると
共に、等幅部分長さＬS を１．０μｍ以上とすることに
よって、狭トラック幅化及びオーバーライト特性の向上
の両方を同時に達成することができる。
上端の幅ＷP2B をその下端の幅ＷP2 A より大きくすると
共に、等幅部分長さＬS を１．０μｍ以上とすることに
よって、狭トラック幅化及びオーバーライト特性の向上
の両方を同時に達成することができる。
【００４８】図１０は、本発明の他の実施形態における
薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁
気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及び
ＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示している。本実
施形態も、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ再生ヘッ
ド部とが一体的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘ
ッドの場合である。
薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁
気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及び
ＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示している。本実
施形態も、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ再生ヘッ
ド部とが一体的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘ
ッドの場合である。
【００４９】図３の実施形態では、下部磁極が上部磁極
の下端と対向する部分に凸状の突出部３０ａを有してい
るが、本実施形態では、下部磁極の上端は平坦な形状と
なっている。
の下端と対向する部分に凸状の突出部３０ａを有してい
るが、本実施形態では、下部磁極の上端は平坦な形状と
なっている。
【００５０】本実施形態において、基板上の絶縁層５
０、下部シールド５１、シールドギャップ用の絶縁層５
２、ＭＲ素子５３、リード導体５４、シールドギャップ
用の絶縁層５５、下部磁極１００用の磁性層、記録ギャ
ップ５７用の絶縁層、コイル５８及びこのコイル５８を
取り囲む絶縁層５９を形成するまでの製造工程は、図５
に述べたものと全く同様である。この状態の層構造が、
図１０（Ａ）に示されている。
０、下部シールド５１、シールドギャップ用の絶縁層５
２、ＭＲ素子５３、リード導体５４、シールドギャップ
用の絶縁層５５、下部磁極１００用の磁性層、記録ギャ
ップ５７用の絶縁層、コイル５８及びこのコイル５８を
取り囲む絶縁層５９を形成するまでの製造工程は、図５
に述べたものと全く同様である。この状態の層構造が、
図１０（Ａ）に示されている。
【００５１】次いで、図１０（Ｂ）に示すように、この
ように形成した絶縁層５９上に、ＡＢＳ側の磁極部と後
側のヨーク部とを有する上部磁極６０をフレームめっき
法で形成する。この上部磁極６０の形成も、図５に述べ
たものと全く同様である。
ように形成した絶縁層５９上に、ＡＢＳ側の磁極部と後
側のヨーク部とを有する上部磁極６０をフレームめっき
法で形成する。この上部磁極６０の形成も、図５に述べ
たものと全く同様である。
【００５２】本実施形態では、その後、下部磁極１００
までのミリングを行うことなく、図１０（Ｃ）に示すよ
うに、パッドバンプ等を形成し、保護層６３を積層す
る。従って、本実施形態では、下部磁極１００の上端は
平坦な形状となることを除いて、図３の実施形態の場合
とほぼ同じ工程を行う。
までのミリングを行うことなく、図１０（Ｃ）に示すよ
うに、パッドバンプ等を形成し、保護層６３を積層す
る。従って、本実施形態では、下部磁極１００の上端は
平坦な形状となることを除いて、図３の実施形態の場合
とほぼ同じ工程を行う。
【００５３】本実施形態における、その他の構成、作用
効果及び変更態様等は、図３の実施形態の場合とほぼ同
様である。
効果及び変更態様等は、図３の実施形態の場合とほぼ同
様である。
【００５４】図１１は、本発明のさらに他の実施形態に
おける薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であ
り、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面
図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示してい
る。本実施形態も、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ
再生ヘッド部とが一体的に積層形成されている複合型薄
膜磁気ヘッドの場合である。
おける薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であ
り、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面
図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示してい
る。本実施形態も、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ
再生ヘッド部とが一体的に積層形成されている複合型薄
膜磁気ヘッドの場合である。
【００５５】図３の実施形態では、上部磁極の磁極部と
ヨーク部とが同じフレームめっき工程で同時に形成され
ているが、本実施形態では、磁極部とヨーク部とが別個
の工程で形成される。
ヨーク部とが同じフレームめっき工程で同時に形成され
ているが、本実施形態では、磁極部とヨーク部とが別個
の工程で形成される。
【００５６】本実施形態において、基板上の絶縁層５
０、下部シールド５１、シールドギャップ用の絶縁層５
２、ＭＲ素子５３、リード導体５４、シールドギャップ
用の絶縁層５５、下部磁極５６用の磁性層及び記録ギャ
ップ５７用の絶縁層を形成するまでの製造工程は、図５
に述べたものと全く同様である。この状態の層構造が、
図１１（Ａ）に示されている。
０、下部シールド５１、シールドギャップ用の絶縁層５
２、ＭＲ素子５３、リード導体５４、シールドギャップ
用の絶縁層５５、下部磁極５６用の磁性層及び記録ギャ
ップ５７用の絶縁層を形成するまでの製造工程は、図５
に述べたものと全く同様である。この状態の層構造が、
図１１（Ａ）に示されている。
【００５７】次いで、図１１（Ｂ）に示すように、記録
ギャップ５７用の絶縁層上に、スロートハイトを決める
ための絶縁層１１０を形成する。ただし、この絶縁層１
１０は必ずしも形成しなくともよい。
ギャップ５７用の絶縁層上に、スロートハイトを決める
ための絶縁層１１０を形成する。ただし、この絶縁層１
１０は必ずしも形成しなくともよい。
【００５８】次いで、図１１（Ｃ）に示すように、上部
磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂをフレ
ームめっき法で形成する。この工程も上部磁極の磁極部
１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂのみを形成する点を
除いて、図５に述べたものと全く同様である。
磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂをフレ
ームめっき法で形成する。この工程も上部磁極の磁極部
１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂのみを形成する点を
除いて、図５に述べたものと全く同様である。
【００５９】その後、図１１（Ｄ）に示すように、この
ようにして形成した上部磁極の磁極部１１１ａをマスク
として、イオンミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）等のドライエッチングを行い、フレームめっき工
程で用いた低抵抗膜及び記録ギャップ５７用の絶縁層の
マスクに覆われていない部分を除去し、さらに下部磁極
５６用の磁性層の途中までマスクに覆われていない部分
を除去する。
ようにして形成した上部磁極の磁極部１１１ａをマスク
として、イオンミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）等のドライエッチングを行い、フレームめっき工
程で用いた低抵抗膜及び記録ギャップ５７用の絶縁層の
マスクに覆われていない部分を除去し、さらに下部磁極
５６用の磁性層の途中までマスクに覆われていない部分
を除去する。
【００６０】これにより、図１１（Ｅ）に示すように、
上部磁極の磁極部１１１ａの下端に、記録ギャップ５７
を介して対向しかつ同じ幅を有する突出部５６ａが下部
磁極５６に形成される。次いで、例えばＡｌ2 Ｏ3 等の
材料により、平坦化用の非磁性絶縁層１１２を形成し、
上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂが
所定の高さとなるまで研磨して平坦化する。
上部磁極の磁極部１１１ａの下端に、記録ギャップ５７
を介して対向しかつ同じ幅を有する突出部５６ａが下部
磁極５６に形成される。次いで、例えばＡｌ2 Ｏ3 等の
材料により、平坦化用の非磁性絶縁層１１２を形成し、
上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂが
所定の高さとなるまで研磨して平坦化する。
【００６１】次いで、図１１（Ｆ）に示すように、絶縁
層１１２上に、図５の場合と同様に、コイル１１３及び
このコイル１１３を取り囲む絶縁層１１４を形成し、さ
らに、その上に上部磁極のヨーク部１１５を形成する。
このヨーク部１１５は、先に形成した上部磁極の磁極部
１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂと一体化されて最終
的に上部磁極となる。
層１１２上に、図５の場合と同様に、コイル１１３及び
このコイル１１３を取り囲む絶縁層１１４を形成し、さ
らに、その上に上部磁極のヨーク部１１５を形成する。
このヨーク部１１５は、先に形成した上部磁極の磁極部
１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂと一体化されて最終
的に上部磁極となる。
【００６２】ヨーク部１１５の前端（ＡＢＳ側端）は、
図１１（Ｆ）に示すように、磁極部１１１ａ上に補助磁
極部１１５ａとして連接するように形成され、その幅が
磁極部１１１ａの上端の幅以上に形成される。補助磁極
部１１５ａは、その前端（ＡＢＳ側）をＡＢＳ側端まで
形成しない方が好ましい。ＡＢＳ側端まで形成する場
合、補助磁極部１１５ａのＡＢＳ側から見た形状を、そ
の幅が磁極部１１１ａの上端の幅から連続的に広がるよ
うに形成することも好ましい。
図１１（Ｆ）に示すように、磁極部１１１ａ上に補助磁
極部１１５ａとして連接するように形成され、その幅が
磁極部１１１ａの上端の幅以上に形成される。補助磁極
部１１５ａは、その前端（ＡＢＳ側）をＡＢＳ側端まで
形成しない方が好ましい。ＡＢＳ側端まで形成する場
合、補助磁極部１１５ａのＡＢＳ側から見た形状を、そ
の幅が磁極部１１１ａの上端の幅から連続的に広がるよ
うに形成することも好ましい。
【００６３】次いで、図１１（Ｇ）に示すように、パッ
ドバンプ等を形成し、保護層１１６を積層する。
ドバンプ等を形成し、保護層１１６を積層する。
【００６４】本実施形態における、その他の構成、作用
効果及び変更態様等は、図３の実施形態の場合とほぼ同
様である。
効果及び変更態様等は、図３の実施形態の場合とほぼ同
様である。
【００６５】図１２は、本発明のまたさらに他の実施形
態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図
であり、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による
断面図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示して
いる。本実施形態も、インダクティブ記録ヘッド部とＭ
Ｒ再生ヘッド部とが一体的に積層形成されている複合型
薄膜磁気ヘッドの場合である。
態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図
であり、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による
断面図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示して
いる。本実施形態も、インダクティブ記録ヘッド部とＭ
Ｒ再生ヘッド部とが一体的に積層形成されている複合型
薄膜磁気ヘッドの場合である。
【００６６】図１１の実施形態では、下部磁極が上部磁
極の下端と対向する部分に凸状の突出部５６ａを有して
いるが、本実施形態では、下部磁極の上端は平坦な形状
となっている。
極の下端と対向する部分に凸状の突出部５６ａを有して
いるが、本実施形態では、下部磁極の上端は平坦な形状
となっている。
【００６７】本実施形態において、基板上の絶縁層５
０、下部シールド５１、シールドギャップ用の絶縁層５
２、ＭＲ素子５３、リード導体５４、シールドギャップ
用の絶縁層５５、下部磁極１２０用の磁性層、記録ギャ
ップ５７用の絶縁層、上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨ
ーク後端部１１１ｂを形成するまでの製造工程は、図１
１に述べたものと全く同様である。この状態の層構造
が、図１２（Ｃ）に示されている。
０、下部シールド５１、シールドギャップ用の絶縁層５
２、ＭＲ素子５３、リード導体５４、シールドギャップ
用の絶縁層５５、下部磁極１２０用の磁性層、記録ギャ
ップ５７用の絶縁層、上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨ
ーク後端部１１１ｂを形成するまでの製造工程は、図１
１に述べたものと全く同様である。この状態の層構造
が、図１２（Ｃ）に示されている。
【００６８】本実施形態では、その後、下部磁極１２０
までのミリングを行うことなく、図１２（Ｄ）に示すよ
うに、平坦化用の非磁性絶縁層１１２を形成し、上部磁
極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂが所定の
高さとなるまで研磨して平坦化する。
までのミリングを行うことなく、図１２（Ｄ）に示すよ
うに、平坦化用の非磁性絶縁層１１２を形成し、上部磁
極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂが所定の
高さとなるまで研磨して平坦化する。
【００６９】以後、図１１（Ｆ）及び（Ｇ）と同様な工
程により、コイル１１３及びこのコイル１１３を取り囲
む絶縁層１１４を形成し、さらに、その上に上部磁極の
ヨーク部１１５を形成し、その後、パッドバンプ等を形
成し、保護層１１６を積層する。この工程が、図１２
（Ｅ）及び（Ｆ）に示されている。即ち、本実施形態で
は、下部磁極１２０の上端が平坦な形状となることを除
いて、図１１の実施形態の場合とほぼ同じ工程を行う。
程により、コイル１１３及びこのコイル１１３を取り囲
む絶縁層１１４を形成し、さらに、その上に上部磁極の
ヨーク部１１５を形成し、その後、パッドバンプ等を形
成し、保護層１１６を積層する。この工程が、図１２
（Ｅ）及び（Ｆ）に示されている。即ち、本実施形態で
は、下部磁極１２０の上端が平坦な形状となることを除
いて、図１１の実施形態の場合とほぼ同じ工程を行う。
【００７０】本実施形態における、その他の構成、作用
効果及び変更態様等は、図３の実施形態の場合とほぼ同
様である。
効果及び変更態様等は、図３の実施形態の場合とほぼ同
様である。
【００７１】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００７２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、上部磁極が、ＡＢＳ方向から見た形状として、記録
ギャップの反対側の第２の端が記録ギャップ側の第１の
端の幅より広い幅を有する形状となっているので、磁束
の入口側の幅が広くなりかつ出口側の幅が狭くなること
となり、オーバーライト特性が大幅に向上する。しか
も、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離
離れた位置まで等しい幅を有しているので、磁気ヘッド
の実効トラック幅が広がってしまうような不都合がなく
なる。
ば、上部磁極が、ＡＢＳ方向から見た形状として、記録
ギャップの反対側の第２の端が記録ギャップ側の第１の
端の幅より広い幅を有する形状となっているので、磁束
の入口側の幅が広くなりかつ出口側の幅が狭くなること
となり、オーバーライト特性が大幅に向上する。しか
も、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離
離れた位置まで等しい幅を有しているので、磁気ヘッド
の実効トラック幅が広がってしまうような不都合がなく
なる。
【図１】従来の一般的なインダクティブ記録ヘッド部に
ついてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
ついてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
【図２】従来の他のインダクティブ記録ヘッド部につい
てＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
てＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
【図３】本発明の一実施形態におけるインダクティブ記
録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示
す図である。
録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示
す図である。
【図４】図３の実施形態の変更態様におけるインダクテ
ィブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略
的に示す図である。
ィブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略
的に示す図である。
【図５】図３の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明する工程図である。
方法を説明する工程図である。
【図６】図３の実施形態におけるフレームめっき法によ
る上部磁極の形成工程を詳しく説明する工程図である。
る上部磁極の形成工程を詳しく説明する工程図である。
【図７】露光の焦点位置を変えることによって、レジス
トのパターン形状が制御されることを示す図である。
トのパターン形状が制御されることを示す図である。
【図８】上部磁極の等幅部分長さＬS と実効トラック幅
との関係を示す特性図である。
との関係を示す特性図である。
【図９】図３の実施形態におけるトラック幅とオーバー
ライト特性との関係を示す特性図である。
ライト特性との関係を示す特性図である。
【図１０】本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明する工程図である。
ドの製造方法を説明する工程図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態における薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明する工程図である。
気ヘッドの製造方法を説明する工程図である。
【図１２】本発明のまたさらに他の実施形態における薄
膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図である。
膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図である。
３０、４０、５６、１００、１２０ 下部磁極 ３０ａ、４０ａ、５６ａ 突出部 ３１、４１、５７ 記録ギャップ ３２、４２、６０ 上部磁極 ５０、５９、１１０、１１２、１１４ 絶縁層 ５１ 下部シールド ５２、５５ シールドギャップ用の絶縁層 ５３ ＭＲ素子 ５４ リード導体 ５８、１１３ コイル ６１ 低抵抗膜 ６２ レジスト ６３、１１６ 保護層 １１１ａ 磁極部 １１１ｂ ヨーク後端部 １１５ ヨーク部 １１５ａ 補助磁極部
Claims (13)
- 【請求項１】 記録ギャップを介して互いに対向する下
部磁極及び上部磁極を含む記録ヘッド部を備えた薄膜磁
気ヘッドであって、前記上部磁極は、前記記録ギャップ
側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等
しい幅を有し、かつ該記録ギャップの反対側の第２の端
が前記第１の端の幅より広い幅を有していることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記上部磁極の幅は、前記所定距離離れ
た位置から前記第２の端までほぼ連続的に変化している
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記下部磁極の前記記録ギャップ側の端
が、前記上部磁極に対向する部分で凸状に突出してお
り、該突出部が前記第１の端の幅に等しい幅を有してい
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項４】 前記下部磁極の前記記録ギャップ側の端
が、前記上部磁極に対向する部分を含めて平坦に形成さ
れていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記所定距離が１μｍであることを特徴
とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項６】 磁気抵抗効果素子を備えた再生ヘッド部
が前記記録ヘッド部と一体的に積層形成されていること
を特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 下部磁極用の層を積層した後、記録ギャ
ップ用の層を積層し、該記録ギャップ用の層上にコイル
を形成すると共に上部磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの
製造方法であって、前記上部磁極を、前記記録ギャップ
側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等
しい幅を有し、かつ該記録ギャップの反対側の第２の端
が前記第１の端の幅より広い幅を有する形状に形成する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 前記上部磁極を、その幅が前記所定距離
離れた位置から前記第２の端までほぼ連続的に変化する
ように形成することを特徴とする請求項７に記載の製造
方法。 - 【請求項９】 前記所定距離を１μｍとすることを特徴
とする請求項７又は８に記載の製造方法。 - 【請求項１０】 前記上部磁極の形状を、フレームめっ
き法におけるレジストの露光条件を制御して形成するこ
とを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の
製造方法。 - 【請求項１１】 前記露光条件が、露光の焦点位置又は
露光光学系の開口数であることを特徴とする請求項１０
に記載の製造方法。 - 【請求項１２】 前記下部磁極の前記記録ギャップ側の
端が、前記上部磁極に対向する部分で凸状に突出してお
り、該突出部が前記第１の端の幅に等しい幅を有する形
状となるように、該上部磁極をマスクとして該下部磁極
用の層をドライエッチングすることを特徴とする請求項
７から１１のいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項１３】 基板表面上に第１のシールド用の層を
積層し、該第１のシールド用の層上にシールドギャップ
用の層を介して磁気抵抗効果素子用の層を積層した後該
磁気抵抗効果素子を形成し、次いで該磁気抵抗効果素子
上にシールドギャップ用の層を介して前記下部磁極用の
層を積層することを特徴とする請求項７から１２のいず
れか１項に記載の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP10228529A JP2000048318A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10228529A JP2000048318A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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