JP2000285411A - 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2000285411A JP11094314A JP9431499A JP2000285411A JP 2000285411 A JP2000285411 A JP 2000285411A JP 11094314 A JP11094314 A JP 11094314A JP 9431499 A JP9431499 A JP 9431499A JP 2000285411 A JP2000285411 A JP 2000285411A
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gap
core layer
thin
magnetic head
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Kiyoshi Sato
清 佐藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 １μｍ以下の磁気記録トラック幅の磁気ヘッ
ドにおいて、ギャップデプス設定の正確性を向上し、オ
ーバーライト特性を向上する。 【解決手段】 上部コア層４７および下部コア層２７が
後部領域Ｙから磁極端領域Ｘに向けて延在してそれらの
端面が媒体対向面１５２に露出し、上部コア層４７と下
部コア層２７との間に設けられたギャップ層４５上に、
その後部領域Ｙにノボラック系樹脂からなりポストベー
クによりアペックス面８０ａを有する後部絶縁層８０を
形成し、その磁極端領域Ｘにギャップ層４５を電極とす
る電気メッキ法により、前記ギャップ層４５と接する媒
体対向面１５２から後部絶縁層８０までの長さによりギ
ャップデプスＧｄが確定されるよう上部磁極層４６を形
成して、後部絶縁層８０の上にコイル４９の一部が設け
られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法に係り、特に、トラック幅が１μｍ以
下の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に用いて好適な
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３３は、従来の複合型薄膜磁気ヘッド
をスライダに備えた磁気ヘッド１５０を示す斜視図、図
３４は、図３３の磁気ヘッド１５０の要部を示す断面図
である。この浮上式磁気ヘッド１５０は、図３３に示す
ように、スライダ１５１と、スライダ１５１に備えられ
た複合型薄膜磁気ヘッド１５７を主体として構成されて
いる。ここで、符号１５５は、スライダ１５１の磁気記
録媒体の移動方向の上流側であるリーディング側を示
し、符号１５６は、同じく移動方向の下流側であるトレ
ーリング側を示す。このスライダ１５１の磁気記録媒体
に対向する媒体対向面１５２には、レール１５１ａ、１
５１ｂ、１５１ａが形成され、各レール同士間は、エア
ーグルーブ１５１ｃ、１５１ｃとされている。そして、
このスライダ１５１のトレーリング側１５６の端面１５
１ｄに複合型薄膜磁気ヘッド１５７が設けられている。
図３５は、複合型薄膜磁気ヘッド１５７の要部を示す斜
視図である。複合型薄膜磁気ヘッド１５７は、図３４お
よび図３５に示すように、磁気抵抗効果素子を備えたＭ
Ｒ磁気ヘッドｈ１と、書込みヘッドである薄膜磁気ヘッ
ドｈ２とが、スライダ１５１の端面１５１ｄ上に積層さ
れてなるものである。
【０００３】ＭＲ磁気ヘッドｈ１は、図３４，図３５に
示すように、スライダ１５１の端面１５１ｄ上に形成さ
れた磁性合金からなる下部シールド層１６３と、下部シ
ールド層１６３に積層された下部ギャップ層１６４と、
媒体対向面１５２に一部を露出させた磁気抵抗効果素子
１６５と、磁気抵抗効果素子１６５および下部ギャップ
層１６４を覆う上部ギャップ層１６６と、上部ギャップ
層１６６を覆う上部シールド層１６７とから構成されて
いる。上部シールド層１６７は、薄膜磁気ヘッドｈ２の
下部コア層と兼用とされている。
【０００４】上述のＭＲ磁気ヘッドｈ１は、読出ヘッド
として用いられるものであり、磁気記録媒体からの微小
の漏れ磁界が磁気抵抗効果素子１６５に印加されて磁気
抵抗効果素子１６５の抵抗が変化し、この抵抗変化に基
づいた電圧変化を磁気記録媒体の再生信号として読み出
すものである。
【０００５】薄膜磁気ヘッドｈ２は、下部コア層（上部
シールド層）１６７と、下部コア層１６７に積層された
ギャップ層１７４と、ギャップ層１７４の後部領域Ｙに
形成されたコイル１７６と、コイル１７６を覆う上部絶
縁層１７７と、磁極端領域Ｘにてギャップ層１７４に接
合されるとともに後部領域Ｙにて下部コア層１６７に接
合される上部コア層１７８とから構成されている。コイ
ル１７６は、平面的に螺旋状となるようにパターン化さ
れている。また、上部コア層１７８は、コイル１７６の
ほぼ中央部分にてその基端部１７８ｂが下部コア層１６
７に磁気的に接続されている。また、上部コア層１７８
上には、アルミナなどからなる保護層１７９が積層され
ている。
【０００６】下部コア層１６７、ギャップ層１７４、お
よび上部コア層１７８は、複合型薄膜磁気ヘッド１５７
の後部領域Ｙから磁極端領域Ｘに向けて延在するととも
に、媒体対向面１５２に露出している。この媒体対向面
１５２においては、上部コア層１７８と下部コア層１６
７とがギャップ層１７４を挟んで対向した状態で磁気ギ
ャップを形成している。ここで、図３４に示すように、
磁極端領域Ｘは、媒体対向面１５２近傍において、上部
コア層１７８と下部コア層１６７とがギャップ層１７４
のみを挟んで対向している領域をいい、後部領域Ｙは、
磁極端領域Ｘ以外の領域をいう。
【０００７】上述の薄膜磁気ヘッドｈ２は、書込ヘッド
として用いられるものであり、コイル１７６に記録電流
が与えられると、この記録電流により上部コア層１７８
および下部コア層１６７に磁束が発生し、この磁束が磁
気ギャップから外部に漏れて漏れ磁界を生じ、この漏れ
磁界により磁気記録媒体が磁化されて記録信号が記録さ
れる。
【０００８】ところで、上記の薄膜磁気ヘッドｈ２を製
造する際においては、予め下部コア層１６７、ギャップ
層１７４および上部コア層１７８を順次積層パターンニ
ングし形成する。ここで、上部コア層１７８は、フレー
ムメッキ法、イオンミーリングを用いて加工され、媒体
対向面１５２に露出する上部コア層１７８の幅は、前記
フレームメッキ等のレジスト幅や、メッキ、エッチング
加工により規定され、この媒体対向面１５２に露出する
上部コア層１７８の幅により、磁気記録トラック幅が規
定されている。このように、薄膜磁気ヘッドｈ２の磁気
記録トラック幅（媒体対向面に露出する上部コア層１７
８の磁極端側の幅）を狭く設定することにより、磁気記
録媒体のトラック幅を小さくすることが可能になって、
磁気記録媒体の記録密度を高めることが可能になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の薄膜磁
気ヘッドｈ２においては、コイル層１７６、上部絶縁層
１７７の段差があり上部コア層１７８の形成におけるレ
ジスト膜厚が厚くなり、フレームメッキの手段によりこ
れらの各層を精度良く成形し、磁極端を現状の最高の加
工精度で加工したとしても、レジストパターン形成時の
露光の分解能の限界により、磁気記録トラック幅を１μ
ｍ以下にするのは困難であり、磁気記録媒体の記録密度
をより向上させることができないという課題があった。
【００１０】また、記録密度を向上するために下部コア
層１６７と上部コア層１７８の各々に高飽和磁束密度材
料の磁性層を積層した２層構造とし、さらに、磁気記録
ギャップデプスＧｄを設定するために、図３６に示すよ
うに、下部コア層１６７にギャップ層１７４と上部コア
層の一部１７８Ａを積層し、この上部コア層の一部１７
８Ａにリストオフレジスト８１を形成した後、図３７に
示しように、イオンミリング等により上部コア層の一部
１７８Ａに端面１７８ａを形成して、図３８に示すよう
に、スパッタリング法等により絶縁層８３を形成する場
合があった。リストオフレジスト８１を除去し、さらに
上部コア層１７８Ｂを形成した状態を図３９に示す。図
３９は、図３４のＡ部を紙面裏側から見た拡大断面図で
ある。このような場合には、図３８に示すように、磁極
端領域Ｘにおいて、ギャップ層１７４を挟み込んでいる
下部コア層１６７および上部コア層の一部１７８Ａの後
部領域側の端部、即ち、磁気ギャップの媒体対向面から
の深さ；ギャップデプスＧｄを規定する端面１７８ａ
が、媒体対向面１５２に対して平行にならないことがあ
り、この場合、端面１７８ａ付近において漏れ磁界が大
きくなり、薄膜磁気ヘッドの書き込み能力が低下する可
能性があるとともに、端面１７８ａが媒体対向面１５２
に対して平行にならないために、図３８に示すように、
ギャップデプスＧｄが端面１７８ａのどの位置で規定さ
れるがが明確でなくなり、書込ヘッドのオーバーライト
特性が低下、または、ばらつきが発生するため、このギ
ャップデプスＧｄの設定を正確に行いたいという要求が
あった。
【００１１】また、磁気ギャップ幅を小さく設定した
際、図３６ないし図３８に示すように、ギャップデプス
Ｇｄを規定する端面１７８ａを形成するとともに絶縁層
８３を形成するために、その製造過程においてリストオ
フレジスト８１を使用した場合には、スパッタ等により
リストオフレジスト８１に付着した付着層８２を剥離す
るために、リストオフレジスト８１には切り込み部８１
ａが形成されて、ギャップデプスＧｄを規定する端面１
７８ａに対してリストオフレジスト８１がオーバーハン
グした形状として形成されるため、この状態で平面視し
た際にギャップデプスＧｄを規定する端面１７８ａの形
成位置の判別ができないことにより、ギャップデプスＧ
ｄ設定における正確性が低下し、書込ヘッドのオーバー
ライト特性が低下するという問題があった。また、図３
８に示すように、リストオフレジスト８１および付着層
８２を剥離するために、リストオフレジスト８１の切り
込み部８１ａに付着層８２を付着させないことが必要で
あり、このために、絶縁層８３を形成する際には、スパ
ッタの際の粒子の直進性を高めるように、これら薄膜磁
気ヘッドｈ２となる基板とターゲットとの位置が通常の
２倍以上に設定されるロングスロースパッタを用いるこ
とが必要である。しかし、このロングスロースパッタは
積層速度が１００オングストローム／分程度であり、生
産性が悪いためこれを改善したいという要求があった。
さらに、絶縁層８３には、ギャップデプスＧｄを規定す
る端面１７８ａ付近における漏れ磁界を防止するため、
図３８に示すように、下部コア層１６７に対して傾きを
持ったアペックス面８３ａを形成する場合があるが、ア
ペックス面８３ａの角度が不足する際には、この絶縁層
８３上側にさらに補助層８４を形成する必要があり、作
業工程が増加して製造効率が低下するとともに、補助層
８４におけるギャップデプスＧｄに対する位置設定精度
が悪くなる場合があるという問題があった。
【００１２】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、以下の目的のうち少なくとも１つを達成しようと
するものである。 １μｍ以下のトラック幅に対応し磁気記録トラック幅
が１μｍ以下であるような微細記録トラック幅を有する
薄膜磁気ヘッドを提供すること。 このような磁気ヘッドにおいて、磁気記録トラックの
媒体対向面からのギャップの深さの正確性を向上するこ
と。 薄膜磁気ヘッドの書込ヘッドのオーバーライト特性を
向上すること。 製造工程の簡略化と製造時間の短縮とを図ることので
きる薄膜磁気ヘッドを製造する方法を提供すること。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の薄膜磁
気ヘッドは、上部コア層および下部コア層が後部領域か
ら磁極端領域に向けて延在してそれらの端面が媒体対向
面に露出され、前記後部領域にて前記上部コア層と前記
下部コア層とが接続され、この上部コア層と下部コア層
との接続部分の周囲にコイルが設けられ、前記磁極端領
域にて前記上部コア層と前記下部コア層との間にギャッ
プ層が設けられてなる構造を有し、前記下部コア層に絶
縁層が積層され、該絶縁層の前記磁極端領域に前記媒体
対向面から前記後部領域に向けて延在する溝が設けら
れ、該溝に下部磁極層と前記ギャップ層とが積層され、
前記ギャップ層の前記後部領域には後部絶縁層が積層さ
れるとともに、前記ギャップ層の前記磁極端領域には上
部磁極層が積層され、前記下部磁極層が前記下部コア層
に接続され、前記上部磁極層が前記上部コア層に接続さ
れて、前記上部磁極層により上部磁極端が前記下部磁極
層により下部磁極端が構成されてなり、前記後部絶縁層
が、前記上部磁極層と前記上部コア層とに接続され、前
記上部磁極層が前記ギャップ層と接する前記媒体対向面
から後部絶縁層までの長さによりギャップデプスが確定
されてなることにより上記課題を解決した。本発明にお
いて、前記後部絶縁層の前記磁極端領域側先端が、前記
ギャップ層と前記上部磁極層との間に割り込んで入っ
て、前記後部絶縁層の前記磁極端領域側先端により前記
ギャップデプスが確定されてなることができる。本発明
の前記後部絶縁層においては、前記媒体対向面側から前
記後部領域側に向かってその厚みを増加するよう傾斜し
たアペックス面を備えてなることが好ましい。本発明に
おいて、前記後部絶縁層が、ポジ型フォトレジストから
形成されてなることが可能であり、このポジ型フォトレ
ジストがノボラック系樹脂とすることが可能である。本
発明において、前記後部絶縁層の上には、前記コイルの
一部が設けられてなる技術を適応することができる。
【００１４】また、本発明において、前記上部磁極層
が、前記溝の内部に設けられてなる技術を選択すること
ができる。前記媒体対向面に露出されたギャップ層の幅
が１μｍ以下に設定されてなることが可能である。
【００１５】さらに、本発明においては、例えば、前記
下部コア層の上面が研磨加工された平坦面とされたこと
や、前記後部絶縁層のアペックス面の傾斜角度は、前記
下部コア層に対して１０〜８０度の範囲であること、お
よび、前記後部絶縁層が前記絶縁層の上側に連続して延
在していることが可能である。磁気抵抗効果素子を備え
たＭＲ磁気ヘッドまたはＧＭＲ磁気ヘッドとされる読出
磁気ヘッドと、上述の手段を選択した薄膜磁気ヘッドと
が積層されてなる複合型薄膜磁気ヘッドとする技術を選
択することができる。
【００１６】本発明における薄膜磁気ヘッドは、下部コ
ア層と下部磁極層とにより下部コアが形成され、上部コ
ア層と上部磁極層とにより上部コアが形成され、下部磁
極層とギャップ層と上部磁極層とにより磁気ギャップが
形成されて、上部コアと下部コアとの間に磁気ギャップ
が介在してなるものである。磁気ギャップを構成する下
部磁極層とギャップ層と上部磁極層が、予め形成された
溝に積層されるので、磁気記録トラックの幅は溝の幅に
より決定される。従って、溝の幅を狭く設定することに
より、磁気記録トラックの幅を例えば１μｍ以下のサブ
ミクロンオーダーにまで狭くすることが可能になる。
【００１７】本発明において、前記上部磁極層が前記ギ
ャップ層と接する前記媒体対向面から後部絶縁層までの
長さによりギャップデプスが確定されてなるてなること
により、磁気ギャップのギャップデプスを、後部絶縁層
の位置によって設定することができる。このため、媒体
対向面から上部磁極層の端部までの距離がばらつくこと
を防止できるため、ギャップデプスがばらつくことがな
く、書込ヘッドのオーバーライト特性を向上でき、ばら
つきを低減することができる。
【００１８】また、後部絶縁層のギャップデプス側に
は、アペックス面が形成されているため、上部コア層の
上部磁極層側にテーパ部が形成される。また、溝に傾斜
部が形成され、該傾斜部および溝本体部に渡って上部磁
極層が積層されて上部コア層に接合される場合には、上
部磁極層の上部コア層側にテーパ部が形成されることが
可能である。これらのテーパ部の存在により、上部コア
層と上部磁極層との間での磁束の流れが円滑になって、
上部コア層と上部磁極層との接合部分にて漏れる漏れ磁
界を低減することが可能になる。また、下部コア層の上
面を研磨加工することにより、下部コア層の上面が表面
粗さＲａ＝０．０００５μｍ〜０．０１μｍの範囲の平
坦面となるので、溝を精度良く形成することが可能にな
って、磁気記録トラック幅をより狭くすることが可能に
なる。また、前記溝の幅が１μｍ以下、より好ましくは
０．５μｍ以下とされるので、磁気記録トラック幅を１
μｍ以下に設定することが可能になる。
【００１９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、前記後部絶縁層におけるアペックス面の傾斜角度
は、前記下部コア層に対して１０〜８０度の範囲である
ことが好ましい。アペックス面の傾斜角度が１０度未満
では、上部コア層と下部コア層との間のリアクタンスが
小さくなり、そのため、ギャップ後端部のアペックス面
付近で上部コア層から上部磁極層への漏れ磁界が増大し
記録効率が低下するので好ましくなく、８０度を超える
と、必然的に上部コア層の断面形状を滑らかに形成する
ことができず、上部コア層断面形状が部分的に鋭角的に
なり、この付近の上部コア層内部の反磁界が増大し、記
録効率が落ちるので好ましくない。
【００２０】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、前記
絶縁層、前記下部磁極層、前記ギャップ層および前記上
部磁極層が前記媒体対向面に露出していることが好まし
い。このように構成することにより、媒体対向面におけ
る磁気記録トラック幅が絶縁層の溝の幅と一致するので
磁気記録トラック幅を狭く設定することが可能になり、
また、磁気ギャップが媒体対向面から露出するので、磁
気ギャップから生じる漏れ磁界によって磁気記録媒体に
対して効率よく磁気記録することが可能となる。
【００２１】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、前記
後部絶縁層が、ノボラック系樹脂からなることにより、
後述のようにポストベークにより後部絶縁層にアペック
ス面を形成し、後述するようにギャップ層を電極とする
電気メッキ法により上部磁極層を形成しギャップデプス
位置設定の正確性を向上するとともに、後部絶縁層上に
コイルを形成可能とすることができる。
【００２２】また、前記絶縁層は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、
ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳ
ｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ
3、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなることが
好ましく、単層膜または、それらの多層膜で形成しても
よい。絶縁層が前記記載の材質からなるものであれば、
溝を形成する際に異方性エッチングを行うことが可能に
なって、サイドエッチングが発生することなく、特に溝
の深さ方向に対する溝の幅の寸法精度を向上することが
可能になる。
【００２３】また、前記ギャップ層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、Ｎ
ｉＰ合金、ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２
種以上からなることが好ましく、単層膜または、それら
の多層膜で形成してもよい。これらの材料は、いずれも
非磁性材料であって磁化することがなく薄膜磁気ヘッド
のギャップ層を構成するものとして最適であるととも
に、これら材料は金属材料であって下部コア層を電極と
する電気メッキ法にて溝内に積層することが可能とな
る。
【００２４】さらに、下部磁極層は、ＦｅＮｉ合金、Ｆ
ｅがＮｉよりも高濃度のＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅＮｉ合
金のうちのいずれか１種からなることが好ましく、単層
膜または、それらの多層膜で形成してもよい。これらの
材料は、いずれも軟磁気特性に優れた磁性材料であって
薄膜磁気ヘッドのコアを構成するものとして最適である
とともに、これら材料は金属材料であって下部コア層を
電極とする電気メッキ法にて溝内に積層することが可能
となる。
【００２５】さらに、上部磁極層は、ＦｅＮｉ合金、Ｆ
ｅがＮｉよりも高濃度のＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅＮｉ合
金のうちのいずれか１種からなることが好ましく、単層
膜または、それらの多層膜で形成してもよい。これらの
材料は、いずれも軟磁気特性に優れた磁性材料であって
薄膜磁気ヘッドのコアを構成するものとして最適である
とともに、これら材料は金属材料であってギャップ層を
電極とする電気メッキ法にて溝内に積層することが可能
となるので、上部磁極層の積層位置を後部絶縁層により
設定し、ギャップデプス位置設定における正確性を向上
することができるとともに、上部磁極層を溝に確実に形
成し、上部磁極層の幅を溝の幅と一致させることが可能
になる。
【００２６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
ては、上部コア層および下部コア層が後部領域から磁極
端領域に向けて延在してそれらの端面が媒体対向面に露
出され、前記後部領域にて前記上部コア層と前記下部コ
ア層とが磁気的に接続され、この上部コア層と下部コア
層との接続部分の周囲にコイルが設けられ、前記磁極端
領域にて前記上部コア層と前記下部コア層との間にギャ
ップ層が設けられてなる薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
り、前記下部コア層に絶縁層を積層し、前記磁極端領域
の前記媒体対向面外側，前記磁極端領域および前記後部
領域に延在する溝を前記絶縁層に形成するとともに、該
溝の底面を前記下部コア層に到達させ、該溝に、下部磁
極層と前記ギャップ層とを積層して前記下部コア層と前
記下部磁極層とを接続し、前記ギャップ層の前記後部領
域に後部絶縁層を形成して前記上部磁極層のギャップデ
プス位置を規定し、前記ギャップ層の前記磁極端領域に
前記媒体対向面と略平行に前記後部絶縁層によって規定
された前記ギャップデプスを有する前記上部磁極層を形
成し、前記後部領域にコイルを形成し、前記磁極端領域
にて前記上部磁極層と接合するとともに前記後部領域に
て前記コイルの一部を覆う前記上部コア層を形成するこ
とにより上記課題を解決した。本発明において、前記後
部絶縁層には、前記ギャップデプス付近にポストベーク
を施すことによって前記媒体対向面側から前記後部領域
側に向かってその厚みを増加するよう傾斜したアペック
ス面を形成することが好ましい。前記アペックス面と前
記下部コア層とのなす角を１０度〜８０度程度に形成す
ることができる。前記後部絶縁層が、ポジ型フォトレジ
ストから形成されて、前記ポジ型フォトレジストが、ノ
ボラック系樹脂から形成されてなる技術が選択される。
ことが可能である。前記下部磁極層と前記ギャップ層と
を、前記下部コア層を電極とする電気メッキ法にて形成
する技術が選択される。前記上部磁極層を、前記ギャッ
プ層を電極とする電気メッキ法にて形成する技術が選択
される。前記媒体対向面位置における前記溝の幅を１μ
ｍ以下に設定することが好ましい。
【００２７】本発明において、前記下部コア層に絶縁層
を積層し、前記磁極端領域の前記媒体対向面外側，前記
磁極端領域および前記後部領域に延在する溝を前記絶縁
層に形成するとともに、該溝の底面を前記下部コア層に
到達させ、該溝に、前記下部磁極層とギャップ層と上部
磁極層とを形成することにより、磁気記録トラック幅を
正確に設定することが可能となり、また、ギャップ層の
後部領域にノボラック系樹脂等からなる後部絶縁層を積
層するとともに、上部磁極層を電気メッキ可能な金属等
から構成することにより、該ギャップ層を電極とする電
気メッキ法により上部磁極層を積層することが可能とな
る。ここで、前記ギャップ層上の前記後部領域に後部絶
縁層を形成して上部磁極層のギャップデプス位置を規定
することにより、前記ギャップ層上の前記磁極端領域に
前記媒体対向面と略平行に前記後部絶縁層によって規定
された前記ギャップデプスを有する前記上部磁極層を形
成することが可能となり、リストオフレジストを使用す
る必要がないため、ギャプデプス位置を平面視して確認
することが可能となり、ギャップデプスの位置設定にお
ける正確性を向上することができる。また、積層速度の
遅いロングスロースパッタを使用する必要がないため、
生産性を向上することができる。また、例えばノボラッ
ク系樹脂からなる後部絶縁層にポストベークを施すこと
でアペックス面を形成することにより、後部絶縁層の上
側に、他の絶縁層を形成することなしに、溝の後部領域
における下部コア層と上部コア層との間隔を拡大するこ
とができ、内部における漏れ磁束を低減し、磁気ヘッド
の性能を向上することができる。
【００２８】ここで、下部コア層を研磨して平坦化すれ
ば、後の工程において積層する絶縁層が平坦化されて、
異方性エッチングにて溝を精度良く形成することが可能
になって、磁気記録トラック幅を狭く設定することが可
能になる。また、溝を異方性エッチングにて形成すれ
ば、サイドエッチングが発生することなく、溝の深さ方
向に対する溝幅の寸法精度を向上することが可能にな
る。また、溝を形成するに際しては、絶縁層にマスク層
を積層してこのマスク層にパターンを形成し、このパタ
ーンから露出する絶縁層に対して異方性エッチングを行
うことが好ましい。異方性エッチングは、反応性イオン
エッチング法にて行うのが、寸法精度良く溝を形成でき
る点で最も好ましい。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態を、
図面に基づいて説明する。図１は本実施形態にかかる複
合型薄膜磁気ヘッドの正面図、図２は同側断面図であ
る。なお、これらの図において、前述の図３３ないし図
３５に示す構成要素と略同一の構成要素には同一の符号
を付してそれらの説明を省略する。図１に示すように、
本実施形態の複合型薄膜磁気ヘッド１は、磁気抵抗効果
素子を備えた読出ヘッド（ＭＲ磁気ヘッドまたはＧＭＲ
磁気ヘッド）２１とインダクティブヘッド（書込ヘッ
ド）４１とが、スライダ１５１の端面１５１ｄに積層さ
れてなるものである。
【００３０】図１に示すように、読出ヘッド２１は、ス
ライダ１５１の端面１５１ｄ上に形成された絶縁層２２
と、該絶縁層２２に積層されて磁性合金からなる下部シ
ールド層２３と、下部シールド層２３に積層された読出
ギャップ層２４と、読出ギャップ層２４に埋め込まれて
一部を媒体対向面に露出させた磁気抵抗効果素子２５
と、読出ギャップ層２４に積層された平坦化絶縁層２６
と、平坦化絶縁層２６に埋め込まれた上部シールド層２
７とからなるものである。上部シールド層２７は、書込
ヘッド４１の下部コア層と兼用とされている。また、上
部シールド層（下部コア層）２７は、ＦｅＮｉ合金，Ｆ
ｅＣｏＮｉ合金等からなる軟磁性合金であることが好ま
しい。下部シールド層２３、読出ギャップ層２４、平坦
化絶縁層２６、上部シールド層２７、および磁気抵抗効
果素子２５の各端面は、媒体対向面１５２側に露出して
いる。また、磁気抵抗効果素子２５には、センス電流を
与えるための電極層２８，２８が接続されている。
【００３１】磁気抵抗効果素子２５としては、磁気抵抗
効果を有する軟磁性材料の他、いわゆる巨大磁気抵抗効
果素子（ＧＭＲ素子）を例示することができる。
【００３２】上述の読出磁気ヘッド２１においては、磁
気記録媒体からの微小の漏れ磁界が磁気抵抗効果素子２
５に印加されて磁気抵抗効果素子２５の抵抗が変化し、
この抵抗変化に基づいた電圧変化を磁気記録媒体の再生
信号として読み取る。
【００３３】図２は、本実施形態の薄膜磁気ヘッドを示
す側面断面図、図３は、本実施形態の薄膜磁気ヘッドに
おける溝４３および磁極端領域の要部を示す斜視図、図
４は同正面図、図５は同拡大側断面図である。本実施形
態における書込ヘッド４１は、図１ないし図５に示すよ
うに、下部コア層（上部シールド層）２７に絶縁層４２
が積層され、絶縁層４２の磁極端領域Ｘに、媒体対向面
１５２から後部領域Ｙに向けて延在する溝４３が設けら
れ、下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６
と後部絶縁層８０とが溝４３に積層されるとともに、下
部磁極層４４が下部コア層２７に接続され、さらに、上
部磁極層４６が上部コア層４７に接続されてなるもので
ある。ここで、上部磁極層４６により上部磁極端が構成
され、下部磁極層４４により下部磁極端が構成されてい
る。
【００３４】上部コア層４７および下部コア層２７は、
図２に示すように、後部領域Ｙから磁気端領域Ｘに向け
て延在して、それらの端面が媒体対向面１５２に露出し
ている。また、上部コア層４７および下部コア層２７は
後部領域Ｙにおいて磁気的に接続されている。後部絶縁
層８０は、ギャップ層４５上の後部領域Ｙ側に位置され
るとともに、絶縁層４２上の後部領域Ｙ側に位置されて
いる。ここで、磁気端領域Ｘとは、図２に示すように、
媒体対向面１５２近傍において上部コア層４７と下部コ
ア層２７とがギャップ層４５を挟んで対向している領域
をいい、後部領域Ｙとは、磁気領域Ｘ以外の領域をい
う。
【００３５】溝４３は、図３ないし図５に示すように、
媒体対向面１５２における開口の寸法と略同一断面寸法
で磁気端領域Ｘに延在し下部コア層２７に隣接する溝本
体部５１と、この溝本体部５１に連続して後部領域Ｙに
延在して下部コア層２７に隣接する溝連続部９０とから
なるものである。これら溝本体部５１および溝連続部９
０には、その上部コア層４７側に連続して傾斜部６１が
設けられる。溝連続部９０は、前記溝本体部５１と略同
一断面寸法で、前記後部領域Ｙに延在する溝延長部９１
を有する。溝本体部５１および溝延長部９１には、下部
コア層２７上に立設されて媒体対向面１５２に到達する
略平行状態の２つの平行側壁面５２，５２が設けられて
なり、これら２つの平行側壁面５２，５２が、後部領域
Ｙの溝延長部９１の最奥部に位置し前記媒体対向面１５
２に略平行であるとともに平行側壁面５２，５２との接
続コーナー部が略円曲面となった端面５３により連結さ
れている。
【００３６】また、傾斜部６１は、平行側壁面５２，５
２にそれぞれ接続されて溝本体部５１および溝延長部９
１の幅方向の外側に向けて傾斜する２つの側壁側傾斜面
６２，６２と、端面５３に接続されて後部領域Ｙ側に傾
斜する端傾斜面６３とに少なくとも区画されてなる。下
部磁極層４４およびギャップ層４５は、溝本体部５１お
よび溝延長部９１に位置して積層されて、下部磁極層４
４が下部コア層２７に接続されている。また、上部磁極
層４６は、溝本体部５１および磁極端領域Ｘの傾斜部６
１に亘って積層されて上部コア層４７と接続されてお
り、この上部磁極層４６の後部領域Ｙ側の端部によりギ
ャップデプスＧｄが規定されている。下部コア層２７と
下部磁極層４４とにより下部コアが形成され、上部コア
層４７と上部磁極層４６とにより上部コアが形成され、
下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６とに
より磁気ギャップが形成されて、上部コアと下部コアと
の間に磁気ギャップが介在されてなる。
【００３７】後部絶縁層８０は、ノボラック系樹脂など
からなるポジ型フォトレジストから形成されてなり、図
５に示すように、ギャップ層４５上の後部領域Ｙ側の溝
延長部９１に位置して積層されており、この後部絶縁層
８０は、媒体対向面１５２から後部領域Ｙ側に向かって
その厚みを増加するよう傾斜したアペックス面８０ａを
備えている。また、ギャップ部分周辺の絶縁層４２、下
部磁極層４４、ギャップ層４５および上部磁極層４６
は、媒体対向面１５２に露出している。このように構成
することにより、媒体対向面１５２における磁気記録ト
ラック幅が溝４３の幅と一致するので、溝４３の溝幅の
形成精度を向上させるならば、磁気記録トラック幅を狭
くすることが可能になり、また、磁気ギャップが媒体対
向面１５２に露出するので、磁気ギャップから生じる漏
れ磁界によって磁気記録媒体に対して効率よく磁気記録
することが可能となる。
【００３８】本発明の薄膜磁気ヘッド４１は、磁気ギャ
ップを構成する下部磁極層４４の一部とギャップ層４５
と上部磁極層４６とが、予め形成された溝本体部５１に
積層されるので、磁気記録トラックの幅は溝本体部５１
の幅により決定される。従って、溝本体部５１の幅を狭
くすることにより、磁気ギャップの幅を狭くすることが
可能になる。ここで、溝本体部５１の幅が１μｍ以下、
より好ましくは０．５μｍ以下とされるならば、磁気記
録トラック幅を１μｍ以下とすることが可能になる。ま
た、本発明の薄膜磁気ヘッド４１においては、磁気ギャ
ップのギャップデプスＧｄが媒体対向面１５２から後部
絶縁層８０の先端部までの距離にて規定されているの
で、ギャップデプスＧｄの設定がばらつくことがない。
【００３９】また、上述の薄膜磁気ヘッド４１において
は、図３，図４に示すように、上部磁極層４６が溝本体
部５１と傾斜部６１とに渡って積層されて上部コア層４
７に接続されるので、上部磁極層４６の上部コア層４７
側にテーパ部４６ａが形成され、上部コア層４７の上部
磁極層４６側にテーパ部分が形成される。これらのテー
パ部４６ａ，テーパ部分の存在により、上部コア層４７
と上部磁極層４６との間での磁束の流れがテーパ部４６
ａ，テーパ部分に沿って円滑になり、上部コア層４７と
上部磁極層４６との接合部分において、周囲の余分な領
域に磁束が漏れることがない。同様に、上述の薄膜磁気
ヘッド４１においては、図５に示すように、後部絶縁層
８０にアペックス面８０ａが形成されているので、上部
コア層４７のアペックス面８０ａ側にテーパ部分が形成
され、このアペックス面８０ａおよびテーパ部分の存在
により、上部コア層４７と上部磁極層４６との境界部分
での磁束の流れが円滑になって、上部コア層４７と上部
磁極層４６との接合部分にて、周囲の余分な領域に磁束
が漏れることがない。
【００４０】ここで、側壁傾斜面６２の傾斜角度αは、
図４に示すように、前記下部コア層２７の上面に対して
１０〜８０度の範囲であることが好ましく、後部絶縁層
８０のアペックス面８０ａの傾斜角度βが、下部コア層
２７に対して１０〜８０度の範囲、より好ましくは２０
〜３０度の範囲であることが好ましい。側壁傾斜面６２
の傾斜角度αが１０度未満では、磁気ギャップ側面部分
のリアクタンスが小さくなり磁気ギャップ側面部分にお
ける漏れ磁束が大きくなるので好ましくなく、８０度を
超えると、上部磁極層４６の体積が減少し上部コア層４
７先端部のリアクタンスが大きくなるため、記録効率が
低下するので好ましくない。また、アペックス面８０ａ
の傾斜角度βが１０度未満では、上部コア層４７と下部
コア層２７との間のリアクタンスが小さくなり、磁気ギ
ャップ後端部付近のアペックス面８０ａ付近で上部コア
層４７から上部磁極層４６への漏れ磁界が増大し、記録
効率の低下を招くので好ましくなく、８０度を超える
と、必然的に上部コア層４７の断面形状を滑らかに形成
することができず、上部コア層４７断面形状が部分的に
鋭角的になり、この付近の反磁界が大きくなり、そのた
め、上部コア層４７先端部のリアクタンスが大きくな
り、記録効率が落ちるので好ましくない。また、アペッ
クス面８０ａの傾斜角度βが２０〜３０度の範囲の場合
には、さらにＯ／Ｗ特性（オーバーライト特性）を向上
することができる。
【００４１】また、後部絶縁層８０上には、図２に示す
ように、コイル４９が形成され、さらに、後部絶縁層８
０とコイル４９を覆う上部絶縁層５０が積層されてい
る。コイル４９は、後部絶縁層８０にて平面的に螺旋状
となるようにパターン化されている。上部コア層４７
は、上部磁極層４６，後部絶縁層８０のアペックス面８
０ａ，および上部絶縁層５０を覆っており、上部絶縁層
５０を介してコイル４９を覆うようにして形成されてい
る。
【００４２】絶縁層４２は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ2 、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3 、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなること
が好ましく、単層膜またはそれらの多層膜から形成して
もよい。絶縁層４２が前記記載の材質からなるものであ
れば、溝４３を形成する際、後述するように異方性エッ
チングを行うことが可能になってサイドエッチングが発
生することなく、特に溝４３の深さ方向に対して溝幅の
寸法精度を向上することが可能になる。
【００４３】また、ギャップ層４５は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、Ｎ
ｉＰ合金、ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２
種以上からなることが好ましく、単層膜またはそれらの
多層膜から形成してもよい。これらの材料は、いずれも
非磁性材料であって磁化することがなく薄膜磁気ヘッド
のギャップ層を構成するものとして最適であるととも
に、これらの材料はいずれも金属材料であって下部コア
層２７を電極とする電気メッキ法によって溝４３内に積
層することが可能となるので、上部磁極層４６が積層さ
れる部分のギャップ層４５を溝４３の溝本体部５１部分
に確実に形成することができ、ギャップ層４５の幅を溝
本体部５１の幅と一致させることが可能になるととも
に、ギャップ層４５を、上部磁極層４６が形成される界
の電気メッキの電極として使用することが可能となる。
【００４４】さらに、下部磁極層４４は、ＦｅＮｉ合
金，ＦｅがＮｉより高濃度のＦｅＮｉ合金，ＣｏＦｅＮ
ｉ合金のうちのいずれか１種からなることが好ましく、
単層膜またはそれらの多層膜から形成してもよい。これ
らの材料は、いずれも軟磁気特性に優れた磁性材料であ
って薄膜磁気ヘッドのコアを構成するものとして最適で
あるとともに、これらの材料はいずれも金属材料であっ
て下部コア層２７を電極とする電気メッキ法にて溝４３
内に積層することが可能となる。これら下部磁極層４４
およびギャップ層４５は、溝本体部５１および溝延長部
９１の底部を被覆した状態とされている。
【００４５】さらに、上部磁極層４６は、ＦｅＮｉ合
金，ＦｅがＮｉよりも高濃度のＦｅＮｉ合金，ＣｏＦｅ
Ｎｉ合金のうちのいずれか１種からなることが好まし
く、単層膜またはそれらの多層膜から形成してもよい。
これらの材料は、いずれも軟磁気特性に優れた磁性材料
であって薄膜磁気ヘッドのコアを構成するものとして最
適であるとともに、これらの材料はいずれも金属材料で
あってギャップ層４５を電極とする電気メッキ法にて溝
４３内に積層することが可能となる。また、上部磁極層
４６は、図５に示すように、前記上部コア層４７と接す
る該上部磁極層４６における前記媒体対向面１５２から
後部絶縁層８０までの長さＳ１が、前記ギャップ層４５
と接する該上部磁極層４６における前記媒体対向面１５
２から後部絶縁層８０までの長さＳ２より大きく構成さ
れてなる。
【００４６】上述の薄膜磁気ヘッド４１においては、コ
イル４９に記録電流が与えられ、この記録電流により上
部コア層４７および下部コア層２７に磁界が発生し、さ
らに、この磁界が上部磁極層４６および下部磁極層４４
に印加され、磁界がギャップ層４５から外部に漏れて漏
れ磁界を生じ、この漏れ磁界により磁気記録媒体が磁化
されて記録信号が記録される。
【００４７】次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明する。本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、後に図６ないし図２４に基づいて詳細に説明する
が、要約すると、下部コア層２７の上面を研磨して平坦
化し、前記下部コア層２７に絶縁層４２を積層し、前記
磁極端領域Ｘの前記媒体対向面１５２の外側，前記磁極
端領域Ｘおよび前記後部領域Ｙに延在する溝４３を前記
絶縁層４２に形成するとともに、この溝４３に、下部磁
極層４４とギャップ層４５を積層して前記下部コア層２
７と前記下部磁極層４４とを接続し、次に、後部絶縁層
８０を積層してギャップデプスＧｄを設定した後、上部
磁極層４６を積層し、この上部磁極層４７に接合する上
部コア層４７と、コイル４９，上部絶縁層５０とを形成
する。
【００４８】さらに詳細に説明すると、まず、図６に示
すように、スライダ１５１の端面１５１ｄ上に、基板絶
縁層２２、下部シールド層２３、磁気抵抗効果素子２
５、電極２８、２８、読出ギャップ層２４を順次形成
し、さらに読出ギャップ層２４上に下部コア層（上部シ
ールド層）２７を形成する。
【００４９】次に、図７に示すように、読出ギャップ層
２４及び下部コア層２７を覆う平坦化絶縁層２６を形成
する。
【００５０】次に、図８に示すように、平坦化絶縁層２
６の上面を研磨して下部コア層２７の上面２７ａを露出
させ、さらにこの上面２７ａを研磨して平坦化する。こ
こでの研磨は、いわゆるＣＭＰ（Chemical Mechanical
Polishing ）法等の手段により行うことができる。上面
２７ａの平坦度は、表面粗さとしてＲａ＝０．０００５
μｍ〜０．０１μｍの範囲とするのが好ましい。この時
点で読出磁気ヘッド２１が完成する。
【００５１】ここで、下部コア層２７の上面２７ａを研
磨して平坦化するのは、後の工程において積層する絶縁
層が平坦化され、後述のように異方性エッチングにて溝
を精度良く形成することが可能になって、磁気記録トラ
ック幅を狭くすることが可能になるからである。
【００５２】次に、図９に示すように、平坦化絶縁層２
６の一部および下部コア層２７を覆う絶縁層４２を積層
する。絶縁層４２は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3 、ＢＮ、
ＣｒＮのうちのいずれか１種からなり、単層膜またはそ
れらの多層膜からなるものであり、スパッタリング法、
ＣＶＤ法、蒸着法等の手段により積層する。ここで、絶
縁層４２の厚さは、０．５μｍ〜２μｍの範囲とするこ
とが好ましい。
【００５３】次に、図１０に示すように、絶縁層４２に
マスク層７１を形成し、このマスク層７１にフォトリソ
グラフィ技術によりパターン７１ａを形成し、パターン
７１ａから露出した絶縁層４２に対して異方性エッチン
グを行うことにより、溝４３を形成する。異方性エッチ
ングの手段としては、反応性イオンエッチング法（ＲＩ
Ｅ法；Reactive Ion Etching法）を好適に用いることが
できる。
【００５４】ここで、マスク層７１は、好ましくは、厚
さが０．５μｍ〜４μｍの範囲とされ、フォトレジスト
層、金属膜層、フォトレジスト層と金属膜層との積層
体、金属酸化物層のいずれか１種であることが好まし
い。フォトレジスト層としては、通常のポジ型、ネガ型
フォトレジストの他、遠紫外線、電子線、Ｘ線、イオン
線等により露光可能なフォトレジストであっても良い。
また、金属膜層としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉのいずれか１種または２
種以上であることが好ましく、単層膜またはそれらの多
層膜で形成してもよい。更に、金属酸化物層としては、
ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、ＴａＯ、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、Ｓｉ
Ｎ、Ｓｉ3Ｎ4、ＣｒＯ、ＷＯ、ＺｒＯ、ＮｉＯ、Ａｌ
Ｏ、 Ａｌ2Ｏ3 、ＩｒＯのいずれか１種または２種以上
であることが好ましく、単層膜またはそれらの多層膜か
ら形成してもよい。さらに、溝４３をＲＩＥ法にて形成
する際に用いる反応ガスは、ＣＦ4 、ＣＦ 4 とＯ2 との
混合ガス、Ｃ3Ｆ8、Ｃ3Ｆ8とＯ2 との混合ガス、Ｃ
4Ｆ8、Ｃ4Ｆ8とＯ2 との混合ガス、Ｃ5Ｆ8、Ｃ5Ｆ8とＯ
2 との混合ガス、Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 、Ｃｌ2 とＢＣｌ3
との混合ガス、ＣＨＦ3 、のいずれか１種、または、こ
れらとＡｒとの混合ガス、または、各ガスの組み合わせ
を用いることができる。これらの反応ガスは、絶縁層４
２およびマスク層７１の材質に基づいて上記のガスの中
から好適なものが選定される。
【００５５】形成された溝４３は、図１１にＺで示す磁
極端領域Ｘの媒体対向面１５２外側，媒体対向面１５２
から後部領域Ｙに向けて（図１２中矢印ｙ方向）前記磁
極端領域Ｘおよび前記後部領域Ｙの一部に延在するとと
もに、溝４３の底面に下部コア層２７の上面２７ａが露
出するように形成される。この溝本体部５１の幅は、１
μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下とされる。
【００５６】次に、図１３に示すように、マスク層７１
を剥離し、新たに保護層７２を形成する。この保護層７
２は、溝４３の周囲を除いて絶縁層４２を覆うように形
成する。次に、図１４および図１５に示すように、物理
的イオンビームエッチング法（Ａｒなどの希ガスによる
イオンミリング法）により、絶縁層４２の上面と溝４３
の接続部分をエッチングすることにより、溝４３に側壁
傾斜面６２，６２および端傾斜面６３を形成する。エッ
チングする際のイオンビームの照射角度θは、図中鉛直
方向に対して３０°≦θ≦７０°の範囲とされ、またス
ライダ１５１を回転させながらエッチングを行うことが
好ましい。側壁傾斜面６２，６２および端傾斜面６３
は、溝４３の周辺を除き形成された保護層７２およびイ
オンビームとの相互作用であるシャドウ効果により下部
コア層２７の上面２７ａに対し所定の角度に傾斜して形
成される。また、先に、側壁傾斜面６２を形成し、その
後に、溝５１の形成をおこなってもよい。
【００５７】このようにして側壁側傾斜面６２、６２及
び端傾斜面６３が形成されることにより、図１５、図１
６および図１７に示すように、溝４３には、下部コア層
２７に隣接する溝本体部５１と、絶縁層４２の上面（上
部コア層４７側）に隣接する傾斜部６１が形成される。
【００５８】次に、図１８に示すように、溝４３に下部
磁極層４４、ギャップ層４５を形成する。これら各層４
４、４５の形成は、軟磁性合金からなる下部コア層２７
を電極とし、各層４４、４５の材料を順次加熱してイオ
ン化させ、イオン化により発生した電荷を有する粒子
を、電極である下部コア層２７に衝突させ堆積させるい
わゆる電気メッキ法（イオンプレーティング法）にて行
うことが好ましい。下部コア層２７は、その大部分が絶
縁層４２により覆われているが、溝４３の底面におい
て、図１７に示すように、下部コア層２７の上面２７ａ
が露出しているので、この露出した下部コア層２７に電
荷を有する粒子が堆積して、下部磁極層４４、ギャップ
層４５および上部磁極層４６が溝４３内にのみ形成され
る。
【００５９】具体的には、図１８に示すように、まず下
部磁極層４４を電気メッキ法により下部コア層２７の上
面２７ａに積層し、その後、ギャップ層４５を電気メッ
キ法により下部磁極層４４の上面に順次積層する。この
とき、下部磁極層４４およびギャップ層４５は、溝４３
の溝本体部５１および溝延長部９１内に位置し、傾斜部
６１に達しないようにその厚さを調整して形成される。
下部磁極層４４の厚さは、０．１μｍ以上０．５μｍ以
下とされ、好ましくは０．２μｍとされる。また、ギャ
ップ層４５の厚さは、０．１０μｍ以上０．４０μｍ以
下とされ、好ましくは０．２μｍとされる。
【００６０】次に、図１９，図２０に示すように、後部
絶縁層８０を積層する。この後部絶縁層８０は、ポジ型
フォトレジストとされ、その組成は、ノボラック系樹脂
（１），キノンジアジド化合物（２）を含有するものと
されることが好ましい。 ここで、ノボラック系樹脂
（１）およびキノンジアジド化合物（２）の分子構造の
一例を示す。
【化１】
【化２】
【００６１】このうち、本実施形態の後部絶縁層８０と
しては、例えば、ポストベーク温度９０℃〜１３０℃程
度の低温において、後述するように、アペックス角度を
容易に温度コントロールにて制御可能であるフォトレジ
ストが選択される。ここで、後部絶縁層８０の材質とし
ては、次の工程において行うポストベークによりアペッ
クス面８０ａを形成できるものであればよく、ポジレジ
ストとしてはノボラック系のもの以外にも適用可能であ
る。
【００６２】この後部絶縁層８０に、図１９に示すよう
に、フォトリソグラフィ技術により上部磁極層４６に対
するギャップデプスＧｄの位置設定をおこなうパターン
を形成する。
【００６３】この後部絶縁層８０には、図１９にＰで示
すそのエッジ部分に、１２０℃，３０分の加熱条件によ
ってポストベークを施すことにより、および、ＵＶキュ
ア法や、電子ビーム照射器によりレジスト（後部絶縁層
８０）の溶剤成分を放出し、絶縁化せしめることによ
り、図２０に示すように、エッジ部分にアペックス面８
０ａを形成する。ここで、上述したノボラック系樹脂の
組成、レジスト膜厚、および、ポストベークにおける加
熱条件を制御することによりアペックス面８１ａのギャ
ップ層４５に対するアペックス角度β（図５参照）を設
定する。例えば、レジスト厚２．５μｍにおいて、ポス
トベーク温度を１２０℃とした場合でのアペックス角度
は２５゜〜３０゜となり、また同じレジスト厚２．５μ
ｍにおいて、ポストベーク温度を１００℃とした場合
は、アペックス角度は５０゜〜６０゜となる。このよう
に、レジスト膜厚、および、ポストベークにおける加熱
条件を制御することにより、アペックス角度βを増大ま
たは縮小することができる。
【００６４】次に、図２１に示すように、上部磁極層４
６を電気メッキ法によりギャップ層４５上に積層する。
ギャップ層４５は、その後部領域Ｙが後部絶縁層８０に
より覆われているが、磁極端領域Ｘにおける溝４３の底
面において、図２０に示すように、ギャップ層４５の上
面が露出しているので、この露出したギャップ層４５上
にのみ形成される。
【００６５】また、図２１，および図２４においては、
上部磁極層４６が溝４３から溢れないようにして形成さ
れているが、上部磁極層４６の一部が傾斜部６１に位置
していればよく、上部磁極層４６の上面を絶縁層４２の
上面とほぼ面一とすることも可能である。また、下部磁
極層４４、ギャップ層４５および上部磁極層４６を電気
メッキ法で形成するに際しては、これら各層４４、４
５、４６が金属材料からなることが必要とされる。これ
らの層の内のいずれか１つが絶縁材料であると、絶縁層
が積層されることになり、電気メッキを継続することが
困難になるからである。また、下部磁極層４４および上
部磁極層４６は軟磁性材料であることが必要とされ、ギ
ャップ層４５は非磁性材料からなることが必要とされ
る。
【００６６】従って、下部磁極層４４および上部磁極層
４６の好ましい材質としては、ＦｅＮｉ合金、ＦｅがＮ
ｉよりも高濃度であるＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金
の１種の単層膜またはそれらの多層膜等が例示され、ギ
ャップ層４５の好ましい材質としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、Ｎ
ｉＰ合金、ＮｉＰｄ合金等の１種または２種以上からな
り、単層膜またはそれらの多層膜等が例示される。
【００６７】次に、図２２に示すように、コイル４９を
後部絶縁層８０上に形成し、このコイル４９を埋める上
部絶縁層５０を積層する。次に、図２３に示すように、
上部磁極層４６，後部絶縁層８０のアペックス面８０ａ
および上部絶縁層５０を覆う上部コア層４７を形成す
る。上部コア層４７は、図２４に示すように、溝４３の
内部または実質的に絶縁層４２の上面と溝４３の境界部
に一致するように上部磁極層４６を完全に覆うように形
成されることが好ましい。次いで、媒体対向面１５２か
ら切断する切断加工、および該媒体対向面１５２を研磨
加工して、本発明に係る薄膜磁気ヘッド４１が製造され
る。
【００６８】上述の薄膜磁気ヘッド４１は、溝４３にて
下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６と後
部絶縁層８０とが積層されて磁気ギャップが形成され
て、下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６
とがこれら媒体対向面１５２から露出しているので、媒
体対向面１５２において磁気記録トラック幅を溝４３の
幅と一致させることにより磁気記録トラック幅を狭くす
ることができ、また、磁気ギャップから生じる漏れ磁界
によって磁気記録媒体に対して効率よく磁気記録するこ
とができる。また、磁気ギャップのギャップデプスＧｄ
が媒体対向面１５２から上部磁極層４６の後部領域Ｙ側
端部までの距離にて規定されており、磁気ギャップを構
成する上部磁極層４６の端部が、溝４３を形成した後
に、ポジ型フォトレジストとしての後部絶縁層８０の形
成、および、この後部絶縁層８０へのポストベークによ
るアペックス面８１ａ形成によりギャップデプスＧｄを
設定できるため、ばらつきのある可能性がある溝４３の
端面５３によって規定されることが防止され、ギャップ
デプスＧｄの設定がばらつくことがない。従って、書込
ヘッドの特性としてのオーバーライト特性を向上するこ
とができる。
【００６９】さらに、上部磁極層４６をギャップデプス
Ｇｄ設定の正確さを維持したままで電気メッキ法にて形
成可能なため、リストオフレジストを使用し、および、
ロングスロースパッタをおこなう従来の薄膜磁気ヘッド
の製造方法に比べて、製造時間の短縮を図ることがで
き、製造効率の向上を図ることができる。
【００７０】また、上述の薄膜磁気ヘッド４１において
は、後部絶縁層８０にアペックス面８０ａが形成されて
いるので、上部コア層４７の上部磁極層４６にテーパ部
分が形成されるとともに、上部磁極層４６の上部コア層
４７側にテーパ部４６ａが形成され、これらのテーパ部
分，テーパ部４６ａ，アペックス面８０ａの存在によ
り、上部コア層４７と上部磁極層４６との間での磁束の
流れが円滑になって、上部コア層４７と上部磁極層４６
との接続部分にて余計な部分に磁束が漏れることがない
ために、書込ヘッドとしてのオーバーライト特性を向上
することが可能となる。また、溝本体部５１の幅が１μ
ｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下とされるので、
磁気記録トラック幅を１μｍ以下とすることができる。
さらに、後部絶縁層８０を形成するのみで、他の絶縁層
を形成する必要がないため、作業工程の簡略化を図るこ
とができる。
【００７１】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよび
薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２実施形態を、図面に基
づいて説明する。図２５ないし図２８は本実施形態にか
かる薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す薄膜磁気ヘッドの
正面図である。なお、これらの図において、前述した図
１ないし図２４に示す第１実施形態における構成要素と
略同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省
略する。
【００７２】本実施形態においては、まず、図９に示し
た第１実施形態と同様に絶縁層４２を積層した後、図２
５に示すように、この絶縁層４２にマスク層７３を形成
する。ここで、マスク層７３にフォトリソグラフィ技術
によりパターン７３ａを形成し、パターン７３ａから露
出した絶縁層４２に対して反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ；Reactive Ion Etching）を行うことにより溝４３
を形成する。
【００７３】マスク層７３は、絶縁層４２の厚さの１．
５倍から３倍程度が望ましく、ＲＩＥ条件により絶縁層
４２とレジスト（マスク層７３）自身のエッチング比が
１以上となるという条件に設定される。
【００７４】まず、図２６に示すように、マスク層７３
に形成したパターン７３ａから露出した絶縁層４２に対
して、第１実施形態よりも異方性を弱めた、より等方性
エッチングに近い反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Re
active Ion Etching）を行い、パターン７３ａの底部の
絶縁層４２とマスク層７３におけるパターン７３ａの角
部分がエッチングされる。そして、パターン７３ａの角
部分に所定の角度を有する斜面が形成された後、図２７
に示すように、反応性イオンエッチングの異方性を回復
させてエッチングを行い、マスク層７３，パターン７３
ａの底部の絶縁層を同時にエッチングしてゆき、図２８
に示すように、溝４３を形成する。
【００７５】本実施形態によれば、前述した第１実施形
態におけるフォトレジスト工程、イオンミーリング工程
を削除することができ、作業工程の短縮化を図ることが
可能となるという効果を奏する。
【００７６】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよび
薄膜磁気ヘッドの製造方法の第３実施形態を、図面に基
づいて説明する。図２９は本実施形態にかかる薄膜磁気
ヘッドにおける溝を示す斜視図、図３０は薄膜磁気ヘッ
ドの正面図であり、図３１は同側面図である。なお、こ
れらの図において、前述した図１ないし図２４に示す第
１実施形態における構成要素と略同一の構成要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。
【００７７】本実施形態においては、溝４３は、図２９
ないし図３１に示すように、溝本体部５１と、この溝本
体部５１に連続して後部領域Ｙに延在して下部コア層２
７に隣接する溝連続部９０とからなるものである。これ
ら溝本体部５１および溝連続部９０には、その上部コア
層４７側に傾斜部６１が設けられる。溝連続部９０は、
図３２に示すように、溝本体部５１の前記後部領域Ｙ側
に接続され該後部領域Ｙ側に向けて前記上部コア層４７
幅方向に寸法の拡大する溝拡大部９２を有する。溝本体
部５１には、下部コア層２７上に立設されて媒体対向面
１５２に到達する略平行状態の２つの平行側壁面５２，
５２と、該平行側壁面５２，５２に連続してその間隔が
拡大する拡大側壁面５２Ａ，５２Ａが設けられてなり、
溝拡大部９２には、この拡大側壁面５２Ａ，５２Ａが設
けられてなる。
【００７８】また、傾斜部６１には、平行側壁面５２に
接続されて溝本体部５１および溝拡大部９２の幅方向の
外側に向けて傾斜する２つの側壁側傾斜面６２，６２が
設けられてなる。下部磁極層４４およびギャップ層４５
は、溝本体部５１および溝拡大部９２に位置して積層さ
れコイル４９の下方位置まで連続しており、下部磁極層
４４が下部コア層２７に接続されている。また、上部磁
極層４６は、溝本体部５１および磁極端領域Ｘの傾斜部
６１に亘って積層されて上部コア層４７と接続されてお
り、上部磁極層４６は、図３１に示すように、前記上部
コア層４７と接する該上部磁極層４６における前記媒体
対向面１５２から後部絶縁層８０までの長さＳ１が、前
記ギャップ層４５と接する該上部磁極層４６における前
記媒体対向面１５２から後部絶縁層８０までの長さＳ２
より大きく構成されてなり、この前記ギャップ層４５と
接する該上部磁極層４６における前記媒体対向面１５２
から後部絶縁層８０までの長さＳ２によりギャップデプ
スＧｄが規定されている。
【００７９】後部絶縁層８０は、図３０，図３１に示す
ように、ギャップ層４５上の後部領域Ｙ側の溝拡大部９
２に位置して積層されており、後部絶縁層８０は、媒体
対向面１５２から後部領域Ｙ側に向かってその厚みを増
加するよう傾斜したアペックス面８０ａを備えてなる。
また、絶縁層４２、下部磁極層４４、ギャップ層４５お
よび上部磁極層４６は、媒体対向面１５２に露出してい
る。このように構成することにより、媒体対向面１５２
における磁気記録トラック幅が溝４３の幅と一致するの
で磁気記録トラック幅を狭くすることが可能になり、ま
た、磁気ギャップが媒体対向面１５２に露出するので、
磁気ギャップから生じる漏れ磁界によって磁気記録媒体
に対して効率よく磁気記録することが可能となる。
【００８０】また、本実施形態の薄膜磁気ヘッドにおい
ては、図３２に示すように、形成された溝４３が、符号
Ｚで示す磁極端領域Ｘの媒体対向面１５２外側，媒体対
向面１５２から後部領域Ｙに向けて前記磁極端領域Ｘお
よび前記後部領域Ｙの一部に延在するとともに、溝４３
の底面に下部コア層２７の上面２７ａが露出するように
形成される。この溝本体部５１の幅は、１μｍ以下、好
ましくは０．５μｍ以下とされ、溝拡大部９２は後部領
域Ｙに向けてその幅寸法が拡大する様に設定される。
【００８１】上述の薄膜磁気ヘッド４１は、第１実施形
態と同様の効果を呈すことができるとともに、磁気ギャ
ップから生じる漏れ磁界によって磁気記録媒体に対して
効率よく磁気記録することができる。また、磁気ギャッ
プのギャップデプスが媒体対向面１５２から後部絶縁層
８０の磁極端領域Ｘ側端部までの距離にて規定されてお
り、磁気ギャップを構成する上部磁極層４６の端部が、
溝４３を形成した後に、フォトレジストとして形成され
る後部絶縁層８０の位置形状によって設定でき、溝拡大
部９２内部において、ポジ型フォトレジストの位置設定
の正確性を向上することができるため、ギャップデプス
の設定がばらつくことがない。
【００８２】また、上述の薄膜磁気ヘッド４１において
は、ポストベークによって、後部絶縁層８０にアペック
ス面８０ａが形成されており、溝拡大部９２内部におい
て、後部絶縁層８０のアペックス面８０ａを形成するこ
とが可能なので、このアペックス面８０ａの角度設定に
おける最適化を容易に図ることができ、上部コア層４７
と上部磁極層４６との接合部分にて漏れ磁界の減少をさ
らに図ることができる。また、溝本体部５１の幅が１μ
ｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下とされるので、
磁気記録トラック幅を１μｍ以下とすることができる。
【００８３】
【実施例】本発明では、概略説明すると、上記第１実施
形態における構造の薄膜磁気ヘッドを実施例として製造
し、また、リストオフレジストを使用してロングスロー
スパッタにより上部磁極層および後部絶縁層を形成した
薄膜磁気ヘッドを比較例として製造し、これらの書込ヘ
ッドにおけるオーバーライト特性を測定した。
【００８４】（実施例）実施例として、図５に示す第１
実施形態において、Ｆｅ１８％，Ｎｉ８２％の組成とさ
れる下部コア層に、ＳｉＯ2 からなる絶縁層（１．２μ
ｍ）に幅１μｍの溝を形成し、この溝に電気メッキ法に
よりＦｅ１８％，Ｎｉ８２％の組成とされる下部磁極層
（０．２μｍ）と、ＮｉＰｄからなるギャップ層（０．
３μｍ）とを積層し、ノボラック系樹脂からなるポジ型
レジスト３μｍ塗布した後、プリベーク、露光、現像し
て後部絶縁層（最大厚さ２．８μｍ）となし、この後部
絶縁層によって、媒体対向面から１．０μｍとされるギ
ャップデプスＧｄを設定した後、電気メッキ法によりＦ
ｅ５０％，Ｎｉ５０％の組成とされる上部磁極層（０．
５μｍ）を形成し、その後、コイルと上部絶縁層とを形
成した後、Ｆｅ５０％，Ｎｉ５０％の組成とされる上部
コア層（２．５μｍ）を形成した書込ヘッドを有する薄
膜磁気ヘッドを製造した。ここで、括弧内の数値はそれ
ぞれの膜厚を示している。このとき、後部絶縁層に対し
て、１２０℃、３０分のポストベークの後ＵＶキュア等
による絶縁化処理をおこない、図５に示したアペックス
角度βが２８度を有するアペックス面を形成した。
【００８５】（比較例）比較例として、上記実施例と同
様にして、絶縁層に溝を形成し、この溝に電気メッキ法
によりＦｅ１８％，Ｎｉ８２％の組成とされる下部磁極
層（０．２μｍ）、ＮｉＰｄからなるギャップ層（０．
３μｍ）、Ｆｅ５０％，Ｎｉ５０％の組成とされる上部
磁極層（０．５μｍ）を積層し、図３６に示すようにリ
フトオフレジストをフォトリソグラフィ技術により形成
し無反応性イオンビームエッチングすることにより、後
部領域の上部磁極層を除去して、ギャップデプスを形成
し、異方性スパッタ、（ロングスロースパッタ）により
Ａｌ2Ｏ3からなりアペックス面を有する後部絶縁層（最
大厚さ２．０μｍ）を形成し、この後部絶縁層上にノボ
ラック系ポジ型レジストからなりアペックス面に連続す
る傾斜面を有するコイル絶縁層（５．０μｍ）を形成
し、コイルと上部絶縁層とを形成した後、Ｆｅ５０％，
Ｎｉ５０％の組成とされる上部コア層（２．５μｍ）を
形成した書込ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドを製造し
た。ここで、括弧内の数値はそれぞれの膜厚を示してい
る。この比較例においても、アペックス面の角度は上記
の実施例とほぼ等しい２５度とされる。
【００８６】このような薄膜磁気ヘッドに対して、以下
のような条件で、書込ヘッドのオーバーライト特性試験
をおこなった。 記録電流：３５ｍＡ（起磁力ＮＩ＝０．３５Ａ・Ｔ） 薄膜磁気ヘッド−磁気記録媒体相対速度：２４ｍ／ｓｅ
ｃ 記録周波数ｆ1 ：１０ＭＨｚ（線記録密度：２０ｋＦｃ
ｚ） 重ね書き周波数ｆ2 ：６０ＭＨｚ ｖ1：ｆ1の出力（バンドパスフィルターを通した基本周
波数成分） ｖ1’：ｆ2を記録した後のｆ1の残留出力（同基本周波
数成分） ｜ｏｗ｜：オーバーライト特性（ｄＢ） ｜ｏｗ｜＝｜２０ｌｏｇ（ｖ1’／ｖ1 ）｜
【００８７】上記のようなオーバーライト特性試験の結
果、以下のような結果を得た。 オーバーライト特性 実施例 ４０±３ｄＢ 比較例 ３５±５ｄＢ
【００８８】以上の結果から、本発明における薄膜磁気
ヘッドが、ギャップデプス位置設定における正確性が向
上して、書込ヘッドのオーバーライト特性が向上したこ
とが解る。
【００８９】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、以下の効果を奏する。
【００９０】前記上部磁極層が、前記上部コア層と接す
る前記媒体対向面からノボラック系樹脂とされるポジ型
フォトレジストから形成されてなる後部絶縁層までの長
さが、前記ギャップ層と接する前記媒体対向面から後部
絶縁層までの長さより大きく構成され、前記上部磁極層
が前記ギャップ層と接する前記媒体対向面から後部絶縁
層までの長さによりギャップデプスが確定されて、前記
後部絶縁層の上には、前記コイルの一部が設けられてな
ることにより、磁気ギャップのギャップデプスを、後部
絶縁層の位置によって設定することができる。このた
め、媒体対向面から上部磁極層の端部までの距離がばら
つくことを防止できるため、ギャップデプスがばらつく
ことがなく、書込ヘッドとしてのオーバーライト特性を
向上することができる。
【００９１】前記下部磁極層および前記ギャップ層が溝
に位置して積層され、前記上部磁極層が前記溝に積層さ
れているとともに、ポストベークにより後部絶縁層にア
ペックス面が形成されているので、このアペックス面の
存在により、上部コア層と上部磁極層との間での磁界の
流れが円滑になって、磁界が上部コア層と上部磁極層と
の接続部分にて磁界が漏れることがない。。また、前記
下部磁極層、前記ギャップ層および前記上部磁極層の一
部が前記溝に形成され、前記溝の幅が１μｍ以下、より
好ましくは０．５μｍ以下とされるので、磁気記録トラ
ック幅を１μｍ以下とすることができる。
【００９２】前記絶縁層、前記下部磁極層、前記ギャッ
プ層および前記上部磁極層が前記媒体対向面に露出して
いるので、媒体対向面における磁気記録トラック幅が前
記溝の幅と一致して磁気記録トラック幅を狭くすること
ができ、また、磁気ギャップから生じる漏れ磁界によっ
て磁気記録媒体に対して効率よく磁気記録することがで
きる。
【００９３】磁気抵抗効果素子を備えた読出磁気ヘッド
と、先に記載の薄膜磁気ヘッドとが積層されてなるの
で、特にコンピュータ等の磁気記録装置にこの複合型薄
膜磁気ヘッドが用いられた場合に、高い記録密度と大き
な記憶容量を有する磁気記録装置を提供することができ
る。
【００９４】本発明の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法においては、前記後部絶縁層が、ノボラック系樹脂と
されるポジ型フォトレジスト等のレジストからなること
により、ポストベークにより後部絶縁層にアペックス面
を形成することができるとともに、ギャップ層を電極と
する電気メッキ法により上部磁極層を形成することによ
り、ギャップデプス位置設定の正確性を向上するととも
に、後部絶縁層上にコイルを形成可能とすることで、他
の絶縁層を後部絶縁層に積層する必要がなく、さらに、
リフトオフレジストを使用する必要がなく、また、ロン
グスロースパッタによる工程が必要ないために、作業時
間を短縮することが可能になる。
【００９５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
ては、前記下部コア層に絶縁層を積層し、前記磁極端領
域の前記媒体対向面外側，前記磁極端領域および前記後
部領域に延在する溝を前記絶縁層に形成するとともに、
該溝の底面を前記下部コア層に到達させ、該溝に、前記
下部磁極層とギャップ層と上部磁極層とを形成すること
により、磁気記録トラック幅を正確に設定することが可
能となり、また、ギャップ層の後部領域にノボラック系
樹脂等のポジ型フォトレジストからなる後部絶縁層を積
層するとともに、上部磁極層を電気メッキ可能な材料か
ら構成することにより、該ギャップ層を電極とする電気
メッキ法により上部磁極層を積層することが可能とな
る。ここで、前記ギャップ層上の前記後部領域に後部絶
縁層を形成して上部磁極層のギャップデプス位置を規定
することにより、前記ギャップ層上の前記磁極端領域に
前記媒体対向面と略平行に前記後部絶縁層によって規定
された前記ギャップデプスを有する前記上部磁極層を形
成することが可能となり、リフトオフレジストを使用す
る必要がないため、ギャプデプス位置を平面視して確認
することが可能となり、ギャップデプスの位置設定にお
ける正確性を向上することができる。また、例えばノボ
ラック系樹脂からなる後部絶縁層にポストベークを施す
ことでアペックス面を形成することにより、後部絶縁層
の上側に、他の絶縁層を形成することなしに、溝の後部
領域における下部コア層と上部コア層との間隔を拡大す
ることができ、磁気ヘッドの性能、特に、書込ヘッドの
オーバーライト特性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施形態における複合型薄膜磁
気ヘッドを示す正面図である。
【図２】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドを示す側面断面図である。
【図３】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの溝および磁極端領域の要部を示す斜視図である。
【図４】 本発明の第１実施形態における複合型薄膜磁
気ヘッドの磁極端領域の要部を示す正面図である。
【図５】 本発明の第１実施形態における複合型薄膜磁
気ヘッドの磁極端領域の要部を示す側面断面図である。
【図６】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図７】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図８】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図９】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気ヘ
ッドの正面図である。
【図１０】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面図である。
【図１１】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの平面図である。
【図１２】 本発明の実施形態である薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気ヘッド
の溝を示す斜視図である。
【図１３】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面図である。
【図１４】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドを示す正面図である。
【図１５】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。
【図１６】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面断面図である。
【図１７】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄
膜磁気ヘッドの側面断面図である。
【図１８】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。
【図１９】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面断面図である。
【図２０】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
【図２１】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
【図２２】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
【図２３】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
【図２４】 本発明の実施形態である薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気ヘッド
の正面図である。
【図２５】 本発明の第２実施形態におけである薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図２６】 本発明の第２実施形態におけである薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図２７】 本発明の第２実施形態におけである薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図２８】 本発明の第２実施形態におけである薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図２９】 本発明の第３実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドにおける溝を示す斜視図である。
【図３０】 本発明の第３実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドを示す側面断面図である。
【図３１】 本発明の第３実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの磁極端領域の要部を示す側面断面図である。
【図３２】 本発明の第３実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの平面図である。
【図３３】 従来の浮上式磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。
【図３４】 従来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す側面断
面図である。
【図３５】 従来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図
である。
【図３６】 従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程の
一部を示す側面断面図である。
【図３７】 従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程の
一部を示す側面断面図である。
【図３８】 従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程の
一部を示す側面断面図である。
【図３９】 従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程の
一部を示す側面断面図である。
【符号の説明】
１…複合型薄膜磁気ヘッド，２７…下部コア層（上部シ
ールド層），２７ａ…上面，４１…薄膜磁気ヘッド，４
２…絶縁層，４３…溝，４４…下部磁極層，４５…ギャ
ップ層，４６…上部磁極層，４６ａ…テーパ部，４７…
上部コア層，４９…コイル，５０…上部絶縁層，５１…
溝本体部，５２…平行側壁面，５２Ａ…拡大側壁部，５
３…端面，６１…傾斜部，６２…側壁傾斜面，６３…端
傾斜面，７１…マスク層，７１ａ…パターン，７２…保
護層，８０…後部絶縁層，８０ａ…アペックス面，８２
…付着層，９０…溝連続部，９１…溝延長部，９２…溝
拡大部

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上部コア層および下部コア層が後部領域
    から磁極端領域に向けて延在してそれらの端面が媒体対
    向面に露出され、前記後部領域にて前記上部コア層と前
    記下部コア層とが接続され、この上部コア層と下部コア
    層との接続部分の周囲にコイルが設けられ、前記磁極端
    領域にて前記上部コア層と前記下部コア層との間にギャ
    ップ層が設けられてなる構造を有し、 前記下部コア層に絶縁層が積層され、 該絶縁層の前記磁極端領域に前記媒体対向面から前記後
    部領域に向けて延在する溝が設けられ、 該溝に下部磁極層と前記ギャップ層とが積層され、 前記ギャップ層の前記後部領域には後部絶縁層が積層さ
    れるとともに、前記ギャップ層の前記磁極端領域には上
    部磁極層が積層され、 前記下部磁極層が前記下部コア層に接続され、前記上部
    磁極層が前記上部コア層に接続されて、前記上部磁極層
    により上部磁極端が前記下部磁極層により下部磁極端が
    構成されてなり、 前記後部絶縁層が、前記上部磁極層と前記上部コア層と
    に接続され、 前記上部磁極層が前記ギャップ層と接する前記媒体対向
    面から後部絶縁層までの長さによりギャップデプスが確
    定されてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記後部絶縁層の前記磁極端領域側先端
    が、前記ギャップ層と前記上部磁極層との間に割り込ん
    で入って、前記後部絶縁層の前記磁極端領域側先端によ
    り前記ギャップデプスが確定されてなることを特徴とす
    る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記後部絶縁層は、前記媒体対向面側か
    ら前記後部領域側に向かってその厚みを増加するよう傾
    斜したアペックス面を備えてなることを特徴とする請求
    項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記後部絶縁層が、ポジ型フォトレジス
    トから形成されてなることを特徴とする請求項３記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記後部絶縁層の上には、前記コイルの
    一部が設けられてなることを特徴とする請求項１から４
    のいずれか記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記上部磁極層が、前記溝の内部に設け
    られてなることを特徴とする請求項１から５のいずれか
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 磁気抵抗効果素子を備えた読出磁気ヘッ
    ドと、請求項１から６のいずれかに記載された薄膜磁気
    ヘッドとが積層されてなることを特徴とする複合型薄膜
    磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 上部コア層および下部コア層が後部領域
    から磁極端領域に向けて延在してそれらの端面が媒体対
    向面に露出され、前記後部領域にて前記上部コア層と前
    記下部コア層とが磁気的に接続され、この上部コア層と
    下部コア層との接続部分の周囲にコイルが設けられ、前
    記磁極端領域にて前記上部コア層と前記下部コア層との
    間にギャップ層が設けられてなる薄膜磁気ヘッドの製造
    方法であり、 前記下部コア層に絶縁層を積層し、 前記磁極端領域の前記媒体対向面外側，前記磁極端領域
    および前記後部領域に延在する溝を前記絶縁層に形成す
    るとともに、該溝の底面を前記下部コア層に到達させ、 該溝に、下部磁極層と前記ギャップ層とを積層して前記
    下部コア層と前記下部磁極層とを接続し、 前記ギャップ層の前記後部領域に後部絶縁層を形成して
    前記上部磁極層のギャップデプス位置を規定し、 前記ギャップ層の前記磁極端領域に前記媒体対向面と略
    平行に前記後部絶縁層によって規定された前記ギャップ
    デプスを有する前記上部磁極層を形成し、 前記後部領域にコイルを形成し、 前記磁極端領域にて前記上部磁極層と接合するとともに
    前記後部領域にて前記コイルの一部を覆う前記上部コア
    層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  9. 【請求項９】 前記後部絶縁層には、前記ギャップデプ
    ス付近にポストベークを施すことによって前記媒体対向
    面側から前記後部領域側に向かってその厚みを増加する
    よう傾斜したアペックス面を形成することを特徴とする
    請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記アペックス面と前記下部コア層と
    のなす角を１０度〜８０度程度に形成することを特徴と
    する請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記後部絶縁層が、ポジ型フォトレジ
    ストから形成されてなることを特徴とする請求項８から
    １０のいずれか記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記ポジ型フォトレジストが、ノボラ
    ック系樹脂とされてなることを特徴とする請求項１１記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記下部磁極層と前記ギャップ層と
    を、前記下部コア層を電極とする電気メッキ法にて形成
    することを特徴とする請求項８から１２のいずれか記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記上部磁極層を、前記ギャップ層を
    電極とする電気メッキ法にて形成することを特徴とする
    請求項８から１３のいずれか記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  15. 【請求項１５】 前記媒体対向面位置における前記溝の
    幅が１μｍ以下であることを特徴とする請求項８から１
    ４のいずれか記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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