JPH08203036A - 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH08203036A JPH08203036A JP7034273A JP3427395A JPH08203036A JP H08203036 A JPH08203036 A JP H08203036A JP 7034273 A JP7034273 A JP 7034273A JP 3427395 A JP3427395 A JP 3427395A JP H08203036 A JPH08203036 A JP H08203036A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲヘッドの縦バイアス膜や電極膜がＭＲ膜
と接合することを容易にし、抵抗の低いＭＲヘッドを高
い歩留まりで実現する。 【構成】 基体（１）〜（５）上に形成された媒体磁界
を感知する中央領域と、この中央領域の両端面から中央
領域を挟んで位置し中央領域に縦バイアスを印加する機
能を有する端部領域（１３）〜（１５）とを含むＭＲヘ
ッドにおいて、中央領域が基体に近接する順に、ＳＡＬ
膜（５）、磁気分離膜（６）、ＭＲ膜（７）、保護膜
（８）、絶縁膜（９）の積層構造膜からなり、各々の膜
の膜厚とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，
Ｒａ、磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒ
ｃ、保護膜をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたと
きに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
る。
と接合することを容易にし、抵抗の低いＭＲヘッドを高
い歩留まりで実現する。 【構成】 基体（１）〜（５）上に形成された媒体磁界
を感知する中央領域と、この中央領域の両端面から中央
領域を挟んで位置し中央領域に縦バイアスを印加する機
能を有する端部領域（１３）〜（１５）とを含むＭＲヘ
ッドにおいて、中央領域が基体に近接する順に、ＳＡＬ
膜（５）、磁気分離膜（６）、ＭＲ膜（７）、保護膜
（８）、絶縁膜（９）の積層構造膜からなり、各々の膜
の膜厚とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，
Ｒａ、磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒ
ｃ、保護膜をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたと
きに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法に関し、特に磁気記録機器に使用さ
れる磁気抵抗効果型読み取りヘッドおよびその製造方法
に関する。
およびその製造方法に関し、特に磁気記録機器に使用さ
れる磁気抵抗効果型読み取りヘッドおよびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録機器の小型大容量化に伴って、
磁気記録技術の高密度化が急速に進展している。磁気抵
抗（ＭＲ）効果を利用した磁気変換器（以下、ＭＲヘッ
ドいう）は大きな再生出力が得られることから、磁気記
録の高密度化を推進する主要な技術のひとつである。こ
のＭＲヘッドについては、「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏ
ｎ Ｍａｇｎ．， ＭＡＧ７ （１９７０） １５０」
において、「Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ
Ｒｅａｄｏｕｔ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」として論じら
れている。
磁気記録技術の高密度化が急速に進展している。磁気抵
抗（ＭＲ）効果を利用した磁気変換器（以下、ＭＲヘッ
ドいう）は大きな再生出力が得られることから、磁気記
録の高密度化を推進する主要な技術のひとつである。こ
のＭＲヘッドについては、「ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏ
ｎ Ｍａｇｎ．， ＭＡＧ７ （１９７０） １５０」
において、「Ａ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ
Ｒｅａｄｏｕｔ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ」として論じら
れている。
【０００３】ところで、ＭＲヘッドはバルクハウゼンノ
イズを防止するために、媒体磁界に対する感磁部である
磁気抵抗効果膜（主としてＮｉ−Ｆｅ膜）に磁区制御用
の一方向性磁界（縦バイアス磁界）を印加する必要があ
る。このなかで、磁気抵抗効果膜であるＮｉ−Ｆｅ膜の
感磁部の両端にＦｅ−Ｍｎ膜などの反強磁性膜を積層
し、Ｎｉ−Ｆｅ膜と反強磁性膜との界面での交換結合に
よる一方向磁界によって感磁部に縦バイアス磁界を印加
する方法が、米国特許第４１０３３１５号公報に開示さ
れている。
イズを防止するために、媒体磁界に対する感磁部である
磁気抵抗効果膜（主としてＮｉ−Ｆｅ膜）に磁区制御用
の一方向性磁界（縦バイアス磁界）を印加する必要があ
る。このなかで、磁気抵抗効果膜であるＮｉ−Ｆｅ膜の
感磁部の両端にＦｅ−Ｍｎ膜などの反強磁性膜を積層
し、Ｎｉ−Ｆｅ膜と反強磁性膜との界面での交換結合に
よる一方向磁界によって感磁部に縦バイアス磁界を印加
する方法が、米国特許第４１０３３１５号公報に開示さ
れている。
【０００４】この米国特許第４１０３３１５号公報に開
示された構造によると、Ｎｉ−Ｆｅ膜は感磁部とともに
反強磁性膜が形成される磁区制御用の一方向磁界発生部
にまで連続的に形成されている。従って、反強磁性膜が
形成され感磁部に縦バイアス磁界が印加されると、感磁
部のＮｉ−Ｆｅ膜は、反強磁性膜によって磁化される部
分のＮｉ−Ｆｅ膜と連続であるため、感磁部両端の磁化
が交換結合によって固定され、媒体磁界に対して感度が
低下するといった欠点があった。また、感磁部の外側に
存在するＮｉ−Ｆｅ膜や横バイアス用軟磁性膜（ＳＡＬ
膜）が、読み出しトラック以外のトラックからの磁束の
影響を受けてノイズが発生するといった欠点があった。
示された構造によると、Ｎｉ−Ｆｅ膜は感磁部とともに
反強磁性膜が形成される磁区制御用の一方向磁界発生部
にまで連続的に形成されている。従って、反強磁性膜が
形成され感磁部に縦バイアス磁界が印加されると、感磁
部のＮｉ−Ｆｅ膜は、反強磁性膜によって磁化される部
分のＮｉ−Ｆｅ膜と連続であるため、感磁部両端の磁化
が交換結合によって固定され、媒体磁界に対して感度が
低下するといった欠点があった。また、感磁部の外側に
存在するＮｉ−Ｆｅ膜や横バイアス用軟磁性膜（ＳＡＬ
膜）が、読み出しトラック以外のトラックからの磁束の
影響を受けてノイズが発生するといった欠点があった。
【０００５】そして、これらの欠点を解決するために、
感磁部のみにＮｉ−Ｆｅ膜を形成し、このＮｉ−Ｆｅ膜
の両端に硬質磁性体膜を形成し、これを磁化することに
よって発生する一方向性磁界により感磁部に縦バイアス
磁界を印加する方法が、特開平３−１２５３１１号公報
に開示されている。
感磁部のみにＮｉ−Ｆｅ膜を形成し、このＮｉ−Ｆｅ膜
の両端に硬質磁性体膜を形成し、これを磁化することに
よって発生する一方向性磁界により感磁部に縦バイアス
磁界を印加する方法が、特開平３−１２５３１１号公報
に開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術で述べた特開平３−１２５３１１号公報に開示さ
れている構造によると、中央部の感磁部と、その両端に
形成される永久磁石膜やそれに積層させる電極膜とは、
極めて短い斜面によって接合しており、この接合部分の
電気的接続が不十分なためにＭＲヘッドの抵抗値が増大
するという問題が生じやすい。
来技術で述べた特開平３−１２５３１１号公報に開示さ
れている構造によると、中央部の感磁部と、その両端に
形成される永久磁石膜やそれに積層させる電極膜とは、
極めて短い斜面によって接合しており、この接合部分の
電気的接続が不十分なためにＭＲヘッドの抵抗値が増大
するという問題が生じやすい。
【０００７】すなわち、感磁部である中央領域をパタン
化し、その両側に縦バイアス膜を形成するプロセスとし
ては、図１（ａ）（ｂ）、図２（ｃ）（ｄ）に示すよう
に、（ａ）ステンシル形状のフォトレジストパタンを形
成し、（ｂ）斜めミリングにより中央領域をパタン化、
（ｃ）縦バイアス膜をスパッタ成膜し、（ｄ）リフトオ
フを行う。
化し、その両側に縦バイアス膜を形成するプロセスとし
ては、図１（ａ）（ｂ）、図２（ｃ）（ｄ）に示すよう
に、（ａ）ステンシル形状のフォトレジストパタンを形
成し、（ｂ）斜めミリングにより中央領域をパタン化、
（ｃ）縦バイアス膜をスパッタ成膜し、（ｄ）リフトオ
フを行う。
【０００８】このとき、中央領域の磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）膜は通常、ステンシルマスクのひさしの陰となり、
スパッタによりひさしの内側に回り込んだ縦バイアス膜
や電極膜との接合がＳＡＬ膜や磁気分離膜に比べて困難
な場所に位置する。ＭＲ膜はＳＡＬ膜や磁気分離膜に比
べて圧倒的に低抵抗であることから、縦バイアス膜や電
極膜がＭＲ膜と直接的に接合できないために、結果とし
てＭＲヘッドの抵抗が増大していた。本発明は、以上の
ような、斜面による電気的な接合、特に、縦バイアス膜
や電極膜がＭＲ膜と直接的に接合することを容易とし、
抵抗の低いＭＲヘッドを高い歩留まりで実現することを
目的としている。
Ｒ）膜は通常、ステンシルマスクのひさしの陰となり、
スパッタによりひさしの内側に回り込んだ縦バイアス膜
や電極膜との接合がＳＡＬ膜や磁気分離膜に比べて困難
な場所に位置する。ＭＲ膜はＳＡＬ膜や磁気分離膜に比
べて圧倒的に低抵抗であることから、縦バイアス膜や電
極膜がＭＲ膜と直接的に接合できないために、結果とし
てＭＲヘッドの抵抗が増大していた。本発明は、以上の
ような、斜面による電気的な接合、特に、縦バイアス膜
や電極膜がＭＲ膜と直接的に接合することを容易とし、
抵抗の低いＭＲヘッドを高い歩留まりで実現することを
目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体上に形成
された外部磁界を感知する中央領域と、前記中央領域の
両端面から前記中央領域を挟んで位置し前記中央領域に
縦バイアスを印加する機能を有する端部領域とを含む磁
気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央領域が前記基体
に近接する順に、横バイアス用軟磁性膜、磁気分離膜、
磁気抵抗膜、絶縁膜の積層構造膜からなり、各々の膜の
膜厚とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒ
ａ、磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，
Ｒｃ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ） を満足することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドであ
る。
された外部磁界を感知する中央領域と、前記中央領域の
両端面から前記中央領域を挟んで位置し前記中央領域に
縦バイアスを印加する機能を有する端部領域とを含む磁
気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央領域が前記基体
に近接する順に、横バイアス用軟磁性膜、磁気分離膜、
磁気抵抗膜、絶縁膜の積層構造膜からなり、各々の膜の
膜厚とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒ
ａ、磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，
Ｒｃ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ） を満足することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドであ
る。
【００１０】また、本発明は、基体上に形成された外部
磁界を感知する中央領域と、前記中央領域の両端面から
前記中央領域を挟んで位置し前記中央領域に縦バイアス
を印加する機能を有する端部領域とを含む磁気抵抗効果
型ヘッドであって、前記中央領域が前記基体に近接する
順に、横バイアス用軟磁性膜、磁気分離膜、磁気抵抗
膜、保護膜、絶縁膜の積層構造膜からなり、各々の膜の
膜厚とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒ
ａ、磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，
Ｒｃ、保護膜をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとした
ときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドであ
る。
磁界を感知する中央領域と、前記中央領域の両端面から
前記中央領域を挟んで位置し前記中央領域に縦バイアス
を印加する機能を有する端部領域とを含む磁気抵抗効果
型ヘッドであって、前記中央領域が前記基体に近接する
順に、横バイアス用軟磁性膜、磁気分離膜、磁気抵抗
膜、保護膜、絶縁膜の積層構造膜からなり、各々の膜の
膜厚とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒ
ａ、磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，
Ｒｃ、保護膜をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとした
ときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドであ
る。
【００１１】また、本発明は、上記の横バイアス用軟磁
性膜が、Ｃｏ−Ｍ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元
素）で表される金属であることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッドである。また、本発明は、上記の横バイアス
用軟磁性膜が、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元
素）で表される金属であることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッドである。
性膜が、Ｃｏ−Ｍ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元
素）で表される金属であることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッドである。また、本発明は、上記の横バイアス
用軟磁性膜が、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元
素）で表される金属であることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッドである。
【００１２】また、本発明は、上記の磁気分離膜がＴ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なく
とも一種類の元素からなることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッドである。また、本発明は、上記の磁気抵抗膜
が、Ｎｉ−Ｆｅ或いはＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏであることを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッドである。また、本発明
は、上記の中央領域に縦バイアスを印加する機能を有す
る端部領域が、Ｃｏを主成分とする永久磁石膜を含むこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドである。
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なく
とも一種類の元素からなることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッドである。また、本発明は、上記の磁気抵抗膜
が、Ｎｉ−Ｆｅ或いはＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏであることを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッドである。また、本発明
は、上記の中央領域に縦バイアスを印加する機能を有す
る端部領域が、Ｃｏを主成分とする永久磁石膜を含むこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドである。
【００１３】また、本発明は、上記の中央領域に縦バイ
アスを印加する機能を有する端部領域が、Ｍｎ−Ｍ（Ｍ
はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される少なくとも一種類の
元素）、あるいは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏのいずれか１つを
含む酸化物、あるいは、希土類金属からなる薄膜と、Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜あるいはＮｉ−Ｆｅ−Ｍ（ＭはＣｏ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも
一種類の元素）膜との積層膜を含むことを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッドである。また、本発明は、上記の保
護膜がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択され
る少なくとも一種類の元素からなることを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッドである。
アスを印加する機能を有する端部領域が、Ｍｎ−Ｍ（Ｍ
はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される少なくとも一種類の
元素）、あるいは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏのいずれか１つを
含む酸化物、あるいは、希土類金属からなる薄膜と、Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜あるいはＮｉ−Ｆｅ−Ｍ（ＭはＣｏ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、
Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも
一種類の元素）膜との積層膜を含むことを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッドである。また、本発明は、上記の保
護膜がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択され
る少なくとも一種類の元素からなることを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッドである。
【００１４】さらに、本発明は、基体上に前記基体に近
接する順に、横バイアス用軟磁性膜、磁気分離膜、磁気
抵抗膜、絶縁膜からなる積層構造膜を物理的気相成長法
により形成する工程と、前記積層構造膜に前記中央領域
となる形状を形成するためのフォトレジストマスクを形
成する工程と、これをイオンミリングによりパタン化す
る工程と、前記端部領域となる縦バイアス機能を有する
磁性膜構造体を気相成長法により形成する工程とを含む
ことを特徴とする上記に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの
製造方法である。
接する順に、横バイアス用軟磁性膜、磁気分離膜、磁気
抵抗膜、絶縁膜からなる積層構造膜を物理的気相成長法
により形成する工程と、前記積層構造膜に前記中央領域
となる形状を形成するためのフォトレジストマスクを形
成する工程と、これをイオンミリングによりパタン化す
る工程と、前記端部領域となる縦バイアス機能を有する
磁性膜構造体を気相成長法により形成する工程とを含む
ことを特徴とする上記に記載の磁気抵抗効果型ヘッドの
製造方法である。
【００１５】さらに、また本発明は、上記の積層構造膜
に前記中央領域となる形状を形成するためのフォトレジ
ストマスクを形成する工程において、前記フォトレジス
トマスクの幅が、積層構造膜に近接する部分の幅Ｗ１と
前記積層構造膜から離れた部分の幅Ｗ２を有し、Ｗ１＜
Ｗ２であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法である。さらに、また本発明は、上記の中央領域
となる形状をイオンミリングにより形成する工程におい
て、ミリングイオンの入射角度が、前記中央領域膜面垂
直方向から０度から３０度の範囲であることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法である。
に前記中央領域となる形状を形成するためのフォトレジ
ストマスクを形成する工程において、前記フォトレジス
トマスクの幅が、積層構造膜に近接する部分の幅Ｗ１と
前記積層構造膜から離れた部分の幅Ｗ２を有し、Ｗ１＜
Ｗ２であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法である。さらに、また本発明は、上記の中央領域
となる形状をイオンミリングにより形成する工程におい
て、ミリングイオンの入射角度が、前記中央領域膜面垂
直方向から０度から３０度の範囲であることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法である。
【００１６】さらに、また本発明は、上記の端部領域と
なる縦バイアス機能を有する磁性膜構造体を気相成長法
により形成する工程が、指向性の高い気相成長法である
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であ
る。さらに、また本発明は、上記の気相成長法が、３ｍ
Ｔｏｒｒ以下の圧力中で行う気相成長法であることを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であるさら
に、また本発明は、上記の中央領域となる形状をイオン
ミリングにより形成する工程において、ミリングイオン
の入射角度が、前記中央領域膜面垂直方向から０度から
３０度の範囲であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッドの製造方法である。
なる縦バイアス機能を有する磁性膜構造体を気相成長法
により形成する工程が、指向性の高い気相成長法である
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であ
る。さらに、また本発明は、上記の気相成長法が、３ｍ
Ｔｏｒｒ以下の圧力中で行う気相成長法であることを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法であるさら
に、また本発明は、上記の中央領域となる形状をイオン
ミリングにより形成する工程において、ミリングイオン
の入射角度が、前記中央領域膜面垂直方向から０度から
３０度の範囲であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘ
ッドの製造方法である。
【００１７】本発明において、横バイアス用軟磁性膜、
磁気分離膜、磁気抵抗膜、絶縁膜の積層構造膜の各々の
膜厚は、基体上に形成されたものであり、また、イオン
ミリング速度は、基体上に形成されている横バイアス用
軟磁性膜、磁気分離膜、磁気抵抗膜、絶縁膜の積層構造
膜の各々の膜のイオンミリング速度である。一般に、イ
オンミリング速度はイオンビームの電圧、及び各膜の各
ミリング角度（イオンビームの膜に対する入射角）によ
って変化するものである。
磁気分離膜、磁気抵抗膜、絶縁膜の積層構造膜の各々の
膜厚は、基体上に形成されたものであり、また、イオン
ミリング速度は、基体上に形成されている横バイアス用
軟磁性膜、磁気分離膜、磁気抵抗膜、絶縁膜の積層構造
膜の各々の膜のイオンミリング速度である。一般に、イ
オンミリング速度はイオンビームの電圧、及び各膜の各
ミリング角度（イオンビームの膜に対する入射角）によ
って変化するものである。
【００１８】図６に、横バイアス膜としてのＣｏＺｒＭ
ｏ膜の、磁気分離膜としてのＴａ膜の、磁気抵抗膜とし
てのＮｉＦｅ膜の、絶縁膜としてのアルミナ（Ａｌ２Ｏ
３）膜のミリング速度のミリング角度依存性を示す。イ
オンビーム電圧は５００Ｖである。ＮｉＦｅ膜とＣｏＺ
ｒＭｏ膜のミリング速度はイオンビームに入射角度の増
加と共に増大し、３５度付近で極大となる。Ｔａ膜では
入射角度が２０度まではほぼ一定であるが、それ以上で
は減少する。アルミナ膜では入射角度の増加と共にミリ
ング速度は増加する。
ｏ膜の、磁気分離膜としてのＴａ膜の、磁気抵抗膜とし
てのＮｉＦｅ膜の、絶縁膜としてのアルミナ（Ａｌ２Ｏ
３）膜のミリング速度のミリング角度依存性を示す。イ
オンビーム電圧は５００Ｖである。ＮｉＦｅ膜とＣｏＺ
ｒＭｏ膜のミリング速度はイオンビームに入射角度の増
加と共に増大し、３５度付近で極大となる。Ｔａ膜では
入射角度が２０度まではほぼ一定であるが、それ以上で
は減少する。アルミナ膜では入射角度の増加と共にミリ
ング速度は増加する。
【００１９】本発明における、積層構造膜に中央領域と
なる形状を形成するためのフォトレジストマスクの形成
と、イオンミリングによりパタン化する工程について、
概要を図５で説明する。図５は、ＭＲ材料等が積層され
ている薄膜（２０）にステンシルマスク（１０）が形成
されている。ステンシルマスク（１０）は薄い下側の茎
部（１２）と厚い結像の役目をするひさし部（１１）か
らなり、茎部（１２）はひさし部（１１）より幅が狭い
（図示していないがステンシルマスク（１０）の紙面に
垂直な方向は薄膜（２０）の大きさとほぼ同じ）。φは
イオン・ミリングを行うビーム（図の点線）の基板に対
する入射角である。θは入射ビームに対する方位角であ
る。また、ａ点、ｂ点、ｃ点は薄膜（２０）でステンシ
ルマスク（１０）のひさし部（１１）によりミリングを
行うビームの露光限界点を示すものであり、（２１）は
ミリング加工で除去された部分を示すものである。
なる形状を形成するためのフォトレジストマスクの形成
と、イオンミリングによりパタン化する工程について、
概要を図５で説明する。図５は、ＭＲ材料等が積層され
ている薄膜（２０）にステンシルマスク（１０）が形成
されている。ステンシルマスク（１０）は薄い下側の茎
部（１２）と厚い結像の役目をするひさし部（１１）か
らなり、茎部（１２）はひさし部（１１）より幅が狭い
（図示していないがステンシルマスク（１０）の紙面に
垂直な方向は薄膜（２０）の大きさとほぼ同じ）。φは
イオン・ミリングを行うビーム（図の点線）の基板に対
する入射角である。θは入射ビームに対する方位角であ
る。また、ａ点、ｂ点、ｃ点は薄膜（２０）でステンシ
ルマスク（１０）のひさし部（１１）によりミリングを
行うビームの露光限界点を示すものであり、（２１）は
ミリング加工で除去された部分を示すものである。
【００２０】図５に示す、斜めミリングにより中央領域
をパタン化するには、入射ビームの入射角φは基板の面
に傾けて入射させる。入射角φは入射ビームに対して基
板を適切に傾斜させることによって制御する。また、入
射ビームを基板の面に傾けて入射させるとともに基板を
回転させるものである。このように、入射ビームを基板
の面に傾けて入射させるとともに基板を回転させること
により、ステンシルマスク（１０）のひさし部（１１）
によるビームの露光限界点が移動する。図５において、
ａ点の左側は、入射ビームが基板の面に傾いており、か
つ回転によっても、ステンシルマスク（１０）のひさし
部（１１）によるマスクされていない領域である。ま
た、ｃ点の右側は、入射ビームが基板の面の傾きおよび
回転によっても、マスクでビームが露光されない部分で
ある。
をパタン化するには、入射ビームの入射角φは基板の面
に傾けて入射させる。入射角φは入射ビームに対して基
板を適切に傾斜させることによって制御する。また、入
射ビームを基板の面に傾けて入射させるとともに基板を
回転させるものである。このように、入射ビームを基板
の面に傾けて入射させるとともに基板を回転させること
により、ステンシルマスク（１０）のひさし部（１１）
によるビームの露光限界点が移動する。図５において、
ａ点の左側は、入射ビームが基板の面に傾いており、か
つ回転によっても、ステンシルマスク（１０）のひさし
部（１１）によるマスクされていない領域である。ま
た、ｃ点の右側は、入射ビームが基板の面の傾きおよび
回転によっても、マスクでビームが露光されない部分で
ある。
【００２１】すなわち、方位角θが０度の場合（スター
ト点）では、ｃ点の左側の薄層（２０）露光され、この
露光限界点は徐々に左へ移動して、終には方位角θが１
８０度ののときａ点まで移動する。このように斜めミリ
ングによって薄膜（２０）のミリング加工の間に、除去
の結果として線（２１）のように形成される。ここで
は、説明を簡単にするため入射ビームを単一方向にっい
てしめしたが、除去された部分を示す線（２１）は、複
合ミリングによってミリング加工された曲線状のテーパ
で示されている。
ト点）では、ｃ点の左側の薄層（２０）露光され、この
露光限界点は徐々に左へ移動して、終には方位角θが１
８０度ののときａ点まで移動する。このように斜めミリ
ングによって薄膜（２０）のミリング加工の間に、除去
の結果として線（２１）のように形成される。ここで
は、説明を簡単にするため入射ビームを単一方向にっい
てしめしたが、除去された部分を示す線（２１）は、複
合ミリングによってミリング加工された曲線状のテーパ
で示されている。
【００２２】また本発明において、フォトレジストマス
クの幅が、積層構造膜に近接する部分の幅Ｗ１と前記積
層構造膜から離れた部分の幅Ｗ２を有し、Ｗ１＜Ｗ２で
あるとは、上記図５で示せば、ステンシルマスク（１
０）の薄い下側の茎部（１２）の幅Ｗ１とひさし部（１
１）の幅Ｗ２が、Ｗ１＜Ｗ２でということある。また本
発明において、ミリングイオンの入射角度が、中央領域
膜面垂直方向から０度から３０度の範囲であるとは、上
記図５で示せば、ミリングを行うビームの基板に対する
入射角φが、０度から３０度ということである。
クの幅が、積層構造膜に近接する部分の幅Ｗ１と前記積
層構造膜から離れた部分の幅Ｗ２を有し、Ｗ１＜Ｗ２で
あるとは、上記図５で示せば、ステンシルマスク（１
０）の薄い下側の茎部（１２）の幅Ｗ１とひさし部（１
１）の幅Ｗ２が、Ｗ１＜Ｗ２でということある。また本
発明において、ミリングイオンの入射角度が、中央領域
膜面垂直方向から０度から３０度の範囲であるとは、上
記図５で示せば、ミリングを行うビームの基板に対する
入射角φが、０度から３０度ということである。
【００２３】また本発明でいう気相成長法とは、例え
ば、スパッタであり、端部領域となる縦バイアス機能を
有する磁性膜構造体を気相成長法により形成する工程に
おいてスパッタ動作ガス圧力としては３ｍＴｏｒｒ以下
とすることによってバリ発生はなくなるものである。
ば、スパッタであり、端部領域となる縦バイアス機能を
有する磁性膜構造体を気相成長法により形成する工程に
おいてスパッタ動作ガス圧力としては３ｍＴｏｒｒ以下
とすることによってバリ発生はなくなるものである。
【００２４】
【作用】本発明においては、すなわち、主にセラミック
である基体上に形成された媒体磁界を感知する中央領域
と、この中央領域の両端面から中央領域を挟んで位置
し、中央領域に縦バイアスを印加する機能を有する端部
領域とを含むＭＲヘッドにおいて、中央領域が基体に近
接する順に、ＳＡＬ膜、磁気分離膜、ＭＲ膜、絶縁膜、
必要により保護膜を有する積層構造膜からなる、各々の
膜の膜厚とイオンミリング速度とを、特定の条件を満足
するように膜厚、特に、絶縁膜の膜厚を調節することに
より、斜めミリングの工程によってパタン化された中央
領域のＭＲ膜が、ステンシルマスクのひさしの陰になる
ことがなくなり、スパッタによる縦バイアス膜および電
極膜と十分な電気的接合を実現でき、低抵抗なＭＲヘッ
ドが実現することができるものである。
である基体上に形成された媒体磁界を感知する中央領域
と、この中央領域の両端面から中央領域を挟んで位置
し、中央領域に縦バイアスを印加する機能を有する端部
領域とを含むＭＲヘッドにおいて、中央領域が基体に近
接する順に、ＳＡＬ膜、磁気分離膜、ＭＲ膜、絶縁膜、
必要により保護膜を有する積層構造膜からなる、各々の
膜の膜厚とイオンミリング速度とを、特定の条件を満足
するように膜厚、特に、絶縁膜の膜厚を調節することに
より、斜めミリングの工程によってパタン化された中央
領域のＭＲ膜が、ステンシルマスクのひさしの陰になる
ことがなくなり、スパッタによる縦バイアス膜および電
極膜と十分な電気的接合を実現でき、低抵抗なＭＲヘッ
ドが実現することができるものである。
【００２５】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１（ａ）（ｂ）および図２（ｃ）（ｄ）は、感
磁部である中央領域をパタン化し、その両側に縦バイア
ス膜を形成するプロセスに示すものである。まず、図１
（ａ）にステンシル形状のフォトレジストパタンを形成
について示す。基板（１）としてＡｌ２Ｏ３とＴｉＣか
らなる高硬度な複合セラミックを用い、表面平滑性を得
るために、約１０μｍのアルミナ膜（２）をスパッタ成
膜し研磨した。十分な脱脂、洗浄後、Ｎｉ−Ｆｅめっき
膜（３）を２μｍ膜厚で形成し、所望の形状にパタン化
した。この後、アルミナ絶縁体膜（４）を０．１１μｍ
スパッタ成膜した。
する。図１（ａ）（ｂ）および図２（ｃ）（ｄ）は、感
磁部である中央領域をパタン化し、その両側に縦バイア
ス膜を形成するプロセスに示すものである。まず、図１
（ａ）にステンシル形状のフォトレジストパタンを形成
について示す。基板（１）としてＡｌ２Ｏ３とＴｉＣか
らなる高硬度な複合セラミックを用い、表面平滑性を得
るために、約１０μｍのアルミナ膜（２）をスパッタ成
膜し研磨した。十分な脱脂、洗浄後、Ｎｉ−Ｆｅめっき
膜（３）を２μｍ膜厚で形成し、所望の形状にパタン化
した。この後、アルミナ絶縁体膜（４）を０．１１μｍ
スパッタ成膜した。
【００２６】以上の基体上に、基体に近い方からＳＡＬ
膜（５）としてＣｏＺｒＭｏ膜３０ｎｍを、磁気分離膜
（６）としてＴａ膜２０ｎｍを、ＭＲ膜（７）としてＮ
ｉＦｅ膜２０ｎｍを形成した。ここではさらに、ＮｉＦ
ｅ膜上に保護膜（８）としてＴａ膜５ｎｍを形成した。
以上を真空を破らずに連続的にスパッタ成膜した。さら
に、トラック幅規定用のアルミナ絶縁体膜（９）をスパ
ッタ成膜した。このアルミナ絶縁体膜（９）の膜厚を１
０ｎｍ，２０ｎｍ，３０ｎｍとした場合について、図
３、図４で後述する。
膜（５）としてＣｏＺｒＭｏ膜３０ｎｍを、磁気分離膜
（６）としてＴａ膜２０ｎｍを、ＭＲ膜（７）としてＮ
ｉＦｅ膜２０ｎｍを形成した。ここではさらに、ＮｉＦ
ｅ膜上に保護膜（８）としてＴａ膜５ｎｍを形成した。
以上を真空を破らずに連続的にスパッタ成膜した。さら
に、トラック幅規定用のアルミナ絶縁体膜（９）をスパ
ッタ成膜した。このアルミナ絶縁体膜（９）の膜厚を１
０ｎｍ，２０ｎｍ，３０ｎｍとした場合について、図
３、図４で後述する。
【００２７】以上の積層膜上に図１（ａ）に示すステン
シルマスク（１０）を形成した。ステンシルマスクのひ
さし部（１１）幅は１μｍ，２μｍ，３μｍ，４μｍの
４つの場合について実施した（なお、この幅の違いによ
り作用、効果に差異はない）、また、ひさし部厚さは１
μｍとした。茎部（１２）の幅はひさし部幅よりも０．
７μｍ小さく、茎部高さは０．３μｍである。
シルマスク（１０）を形成した。ステンシルマスクのひ
さし部（１１）幅は１μｍ，２μｍ，３μｍ，４μｍの
４つの場合について実施した（なお、この幅の違いによ
り作用、効果に差異はない）、また、ひさし部厚さは１
μｍとした。茎部（１２）の幅はひさし部幅よりも０．
７μｍ小さく、茎部高さは０．３μｍである。
【００２８】次に、図１（ｂ）に斜めミリングについて
示す。基板を回転させながら斜めイオンミリングにより
中央領域をパタン化した。このときのイオンミリング入
射角度は積層膜面法線方向から１０度または４０度傾か
せた場合について実施した。イオンミリングによりパタ
ン化される中央領域の端部形状は、各膜すなわち、ＳＡ
Ｌ膜（５）としてのＣｏＺｒＭｏ膜、磁気分離膜（６）
としてのＴａ膜、ＭＲ膜（７）としてのＮｉＦｅ膜、保
護膜（８）としてのＴａ膜、トラック幅規定用のアルミ
ナ絶縁体膜（９）の各ミリング角度でのミリング速度と
の関係に伴って変化する。
示す。基板を回転させながら斜めイオンミリングにより
中央領域をパタン化した。このときのイオンミリング入
射角度は積層膜面法線方向から１０度または４０度傾か
せた場合について実施した。イオンミリングによりパタ
ン化される中央領域の端部形状は、各膜すなわち、ＳＡ
Ｌ膜（５）としてのＣｏＺｒＭｏ膜、磁気分離膜（６）
としてのＴａ膜、ＭＲ膜（７）としてのＮｉＦｅ膜、保
護膜（８）としてのＴａ膜、トラック幅規定用のアルミ
ナ絶縁体膜（９）の各ミリング角度でのミリング速度と
の関係に伴って変化する。
【００２９】図３は中央領域を構成する積層膜のミリン
グ中点を示す図であり、図４はミリング中点がミリング
角度とトラック幅規定用絶縁膜（アルミナ）膜厚で変化
する様子を示す図である。図３には、基体上に、基体に
近い方からＳＡＬ膜としてのＣｏＺｒＭｏ膜３０ｎｍ、
磁気分離膜としてのＴａ膜２０ｎｍ、ＭＲ膜としてのＮ
ｉＦｅ膜２０ｎｍ、保護膜としてＴａ膜５ｎｍ、および
トラック幅規定用のアルミナ絶縁体膜の積層が示され、
またイオンミリングを行うステンシルマスク、イオンの
入射角φ（ミリング角度（ｄｅｇ））、ミリング中点が
示されている。
グ中点を示す図であり、図４はミリング中点がミリング
角度とトラック幅規定用絶縁膜（アルミナ）膜厚で変化
する様子を示す図である。図３には、基体上に、基体に
近い方からＳＡＬ膜としてのＣｏＺｒＭｏ膜３０ｎｍ、
磁気分離膜としてのＴａ膜２０ｎｍ、ＭＲ膜としてのＮ
ｉＦｅ膜２０ｎｍ、保護膜としてＴａ膜５ｎｍ、および
トラック幅規定用のアルミナ絶縁体膜の積層が示され、
またイオンミリングを行うステンシルマスク、イオンの
入射角φ（ミリング角度（ｄｅｇ））、ミリング中点が
示されている。
【００３０】図４には、横軸にミリング角度（ｄｅｇ）
が示され、縦軸にＣｏＺｒＭｏ膜３０ｎｍ、Ｔａ膜２０
ｎｍ、ＮｉＦｅ膜２０ｎｍ、Ｔａ膜５ｎｍ、およびアル
ミナ絶縁体膜の積層が示されている。そしてアルミナ絶
縁体膜の膜厚を１０ｎｍ，２０ｎｍ，３０ｎｍとした場
合のミリング中点の位置が示されている。イオンミリン
グによりパタン化される中央領域の端部形状は、各膜の
各ミリング角度でのミリング速度との関係に伴って変化
するものである。すなわち、図３に示すミリングの中点
が、最表面のアルミナ膜厚とミリング角度を変化させる
ことによって、図４に示すように変化する。そして、ミ
リング中点よりも上部はステンシルマスクのひさし部の
内側に後退し、ミリング中点よりも下部はひさし部の外
側に露出する。
が示され、縦軸にＣｏＺｒＭｏ膜３０ｎｍ、Ｔａ膜２０
ｎｍ、ＮｉＦｅ膜２０ｎｍ、Ｔａ膜５ｎｍ、およびアル
ミナ絶縁体膜の積層が示されている。そしてアルミナ絶
縁体膜の膜厚を１０ｎｍ，２０ｎｍ，３０ｎｍとした場
合のミリング中点の位置が示されている。イオンミリン
グによりパタン化される中央領域の端部形状は、各膜の
各ミリング角度でのミリング速度との関係に伴って変化
するものである。すなわち、図３に示すミリングの中点
が、最表面のアルミナ膜厚とミリング角度を変化させる
ことによって、図４に示すように変化する。そして、ミ
リング中点よりも上部はステンシルマスクのひさし部の
内側に後退し、ミリング中点よりも下部はひさし部の外
側に露出する。
【００３１】ミリング角度、すなわち入射角φの変化に
伴ってミリング中点が変化するのは、各膜のミリング速
度がミリング角度により変化することによる。図４は、
図３に示す積層膜構造において、ミリングの中点が積層
膜の何処に位置するかを示している。図３、図４のよう
に、イオンミリングによりパタン化される中央領域の端
部形状が、各膜の各ミリング角度でのミリング速度との
関係に伴って変化することから、図１（ｂ）に示した、
斜めミリングの工程において、パタン化された中央領域
のＭＲ膜が、ステンシルマスクのひさしの陰になること
がなくなる条件が見出だされるものである。
伴ってミリング中点が変化するのは、各膜のミリング速
度がミリング角度により変化することによる。図４は、
図３に示す積層膜構造において、ミリングの中点が積層
膜の何処に位置するかを示している。図３、図４のよう
に、イオンミリングによりパタン化される中央領域の端
部形状が、各膜の各ミリング角度でのミリング速度との
関係に伴って変化することから、図１（ｂ）に示した、
斜めミリングの工程において、パタン化された中央領域
のＭＲ膜が、ステンシルマスクのひさしの陰になること
がなくなる条件が見出だされるものである。
【００３２】すなわち、この実施例の各膜の厚さは、Ｃ
ｏＺｒＭｏ膜３０ｎｍ、Ｔａ膜２０ｎｍ、ＮｉＦｅ膜２
０ｎｍ、Ｔａ膜５ｎｍであり、ＣｏＺｒＭｏ，Ｔａ，Ｎ
ｉＦｅ，Ａｌ２Ｏ３のミリング速度をＲＣｏＺｒＭｏ，
ＲＴａ，ＲＮｉＦｅ，ＲＡｌとすると、 （２０／ＲＮｉＦｅ）＋（５／ＲＴａ）＋（δＡｌ／Ｒ
Ａｌ）＞（３０／ＲＣｏＺｒＭｏ）＋（２０／ＲＴａ） となるようにδＡｌを調節することによって、ＮｉＦｅ
膜がステンシルマスクの陰にならず、ひさしの外側へ出
るようになる。この場合のミリング速度は、具体的には
図６に示すように、イオンビーム入射角度が１０度と４
０度では、ＲＣｏＺｒＭｏは、３０ｎｍ／ｍｉｎ、３４
ｎｍ／ｍｉｎであり、ＲＴａは、２１ｎｍ／ｍｉｎ、１
７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＲＮｉＦｅは、３２ｎｍ／ｍｉ
ｎ、３７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＲＡｌは、１２ｎｍ／ｍ
ｉｎ、２０ｎｍ／ｍｉｎであった。
ｏＺｒＭｏ膜３０ｎｍ、Ｔａ膜２０ｎｍ、ＮｉＦｅ膜２
０ｎｍ、Ｔａ膜５ｎｍであり、ＣｏＺｒＭｏ，Ｔａ，Ｎ
ｉＦｅ，Ａｌ２Ｏ３のミリング速度をＲＣｏＺｒＭｏ，
ＲＴａ，ＲＮｉＦｅ，ＲＡｌとすると、 （２０／ＲＮｉＦｅ）＋（５／ＲＴａ）＋（δＡｌ／Ｒ
Ａｌ）＞（３０／ＲＣｏＺｒＭｏ）＋（２０／ＲＴａ） となるようにδＡｌを調節することによって、ＮｉＦｅ
膜がステンシルマスクの陰にならず、ひさしの外側へ出
るようになる。この場合のミリング速度は、具体的には
図６に示すように、イオンビーム入射角度が１０度と４
０度では、ＲＣｏＺｒＭｏは、３０ｎｍ／ｍｉｎ、３４
ｎｍ／ｍｉｎであり、ＲＴａは、２１ｎｍ／ｍｉｎ、１
７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＲＮｉＦｅは、３２ｎｍ／ｍｉ
ｎ、３７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＲＡｌは、１２ｎｍ／ｍ
ｉｎ、２０ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００３３】上述した図３、図４に示すように、アルミ
ナ膜が１０ｎｍのときには、ミリング角度が１０度、４
０度ともにＮｉＦｅ膜はひさしの内側へ後退した。アル
ミナ膜が２０ｎｍでは、１０度のときにはＮｉＦｅ膜は
ひさしの外側へ露出し、４０度のときにはひさしの内側
へ後退した。また、アルミナ膜が３０ｎｍでは、１０
度、４０度ともにＮｉＦｅ膜はひさしの外側へ露出し
た。
ナ膜が１０ｎｍのときには、ミリング角度が１０度、４
０度ともにＮｉＦｅ膜はひさしの内側へ後退した。アル
ミナ膜が２０ｎｍでは、１０度のときにはＮｉＦｅ膜は
ひさしの外側へ露出し、４０度のときにはひさしの内側
へ後退した。また、アルミナ膜が３０ｎｍでは、１０
度、４０度ともにＮｉＦｅ膜はひさしの外側へ露出し
た。
【００３４】次いで、図２（ｃ）に示すように、縦バイ
アス膜をスパッタ成膜する。上記図１（ｂ）のように斜
めミリングした構造体にスパッタ法により端部領域を形
成した。すなわち、磁界印加膜の下地膜（１３）として
Ｃｒ膜を１０ｎｍ、縦バイアス磁界膜（１４）としてＣ
ｏＣｒＰｔ膜を２５ｎｍ、電極膜（１５）としてＴａ膜
を１００ｎｍ成膜した。このとき、スパッタ粒子の回り
込みにより、ステンシルマスクの茎部にスパッタ膜が形
成されることによるバリ発生を阻止するために、スパッ
タ粒子の指向性を高くする必要があり、このため、スパ
ッタ動作ガス圧力としては３ｍＴｏｒｒ以下とした。ス
パッタ動作ガス圧力を３ｍＴｏｒｒ以下とすることによ
ってバリ発生はなくなった。
アス膜をスパッタ成膜する。上記図１（ｂ）のように斜
めミリングした構造体にスパッタ法により端部領域を形
成した。すなわち、磁界印加膜の下地膜（１３）として
Ｃｒ膜を１０ｎｍ、縦バイアス磁界膜（１４）としてＣ
ｏＣｒＰｔ膜を２５ｎｍ、電極膜（１５）としてＴａ膜
を１００ｎｍ成膜した。このとき、スパッタ粒子の回り
込みにより、ステンシルマスクの茎部にスパッタ膜が形
成されることによるバリ発生を阻止するために、スパッ
タ粒子の指向性を高くする必要があり、このため、スパ
ッタ動作ガス圧力としては３ｍＴｏｒｒ以下とした。ス
パッタ動作ガス圧力を３ｍＴｏｒｒ以下とすることによ
ってバリ発生はなくなった。
【００３５】以上の後、図２（ｄ）に示すように、リフ
トオフを行い、所望の素子を得た。さらに、外部電極と
の接続を行うために金電極をＴａ電極に積層した後、ス
パッタ法によりアルミナ膜を０．１４μｍ形成し、さら
に、フレームめっき法によりＮｉＦｅ膜を２μｍ形成し
た。以上でシールド型ＭＲヘッドの再生部が形成され、
さらに、この上に通常の薄膜ヘッドを記録専用ヘッドと
して形成した。
トオフを行い、所望の素子を得た。さらに、外部電極と
の接続を行うために金電極をＴａ電極に積層した後、ス
パッタ法によりアルミナ膜を０．１４μｍ形成し、さら
に、フレームめっき法によりＮｉＦｅ膜を２μｍ形成し
た。以上でシールド型ＭＲヘッドの再生部が形成され、
さらに、この上に通常の薄膜ヘッドを記録専用ヘッドと
して形成した。
【００３６】上記実施例のＭＲヘッドの素子抵抗の測定
結果を表１に示す。
結果を表１に示す。
【表１】 表１では、抵抗の設計値からの増加分とその標準偏差を
示している。表１から明らかなように、中央領域のＮｉ
Ｆｅ膜がステンシルマスクのひさしの陰にならなかった
条件である、アルミナ膜厚が２０ｎｍでミリング角度が
１０度の場合、アルミナ膜厚が３０ｎｍでミリング角度
が１０度、４０度の場合に抵抗の増加分は小さく、か
つ、ばらつきも小さいことが分かる。
示している。表１から明らかなように、中央領域のＮｉ
Ｆｅ膜がステンシルマスクのひさしの陰にならなかった
条件である、アルミナ膜厚が２０ｎｍでミリング角度が
１０度の場合、アルミナ膜厚が３０ｎｍでミリング角度
が１０度、４０度の場合に抵抗の増加分は小さく、か
つ、ばらつきも小さいことが分かる。
【００３７】また、図１の中央領域を構成する膜におい
て、トラック幅規定用のアルミナ膜（９）を他の膜と連
続で形成する場合、保護膜（８）は不要となる。この場
合もＮｉＦｅ膜がステンシルマスクのひさし部の陰とな
らないようアルミナ膜厚を調整することによって、低抵
抗でかつ抵抗ばらつきの小さいＭＲヘッドができる。
て、トラック幅規定用のアルミナ膜（９）を他の膜と連
続で形成する場合、保護膜（８）は不要となる。この場
合もＮｉＦｅ膜がステンシルマスクのひさし部の陰とな
らないようアルミナ膜厚を調整することによって、低抵
抗でかつ抵抗ばらつきの小さいＭＲヘッドができる。
【００３８】また、ＳＡＬ膜（５）が、Ｃｏ−Ｍ（Ｍは
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選
択される少なくとも一種類の元素）で表される金属、あ
るいは、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元素）で
表される金属であっても、ＳＡＬ膜、磁気分離膜、ＭＲ
膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオンミリング
速度とを、横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離膜をδ
ｂ，Ｒｂ磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδｅ，
Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選
択される少なくとも一種類の元素）で表される金属、あ
るいは、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元素）で
表される金属であっても、ＳＡＬ膜、磁気分離膜、ＭＲ
膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオンミリング
速度とを、横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離膜をδ
ｂ，Ｒｂ磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδｅ，
Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
【００３９】また、磁気分離膜（６）が、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類
の元素からなる薄膜であっても、ＳＡＬ膜、磁気分離
膜、ＭＲ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオン
ミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離
膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδ
ｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
ｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類
の元素からなる薄膜であっても、ＳＡＬ膜、磁気分離
膜、ＭＲ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオン
ミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離
膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδ
ｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
【００４０】また、磁気抵抗膜（７）が、Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｃｏであっても、ＳＡＬ膜、磁気分離膜、ＭＲ膜、保護
膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオンミリング速度とを
横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、
磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜
をδd ，Ｒd としたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
Ｃｏであっても、ＳＡＬ膜、磁気分離膜、ＭＲ膜、保護
膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオンミリング速度とを
横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、
磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜
をδd ，Ｒd としたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
【００４１】また、保護膜（８）が、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元
素からなる薄膜であっても、ＳＡＬ膜、磁気分離膜、Ｍ
Ｒ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオンミリン
グ速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離膜をδ
ｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδｅ，Ｒ
ｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元
素からなる薄膜であっても、ＳＡＬ膜、磁気分離膜、Ｍ
Ｒ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオンミリン
グ速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離膜をδ
ｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδｅ，Ｒ
ｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
【００４２】また、絶縁膜がアルミナ膜以外の酸化物や
窒化物などの絶縁膜であっても、ＳＡＬ膜、磁気分離
膜、ＭＲ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオン
ミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離
膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδ
ｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δd ／Ｒd ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
窒化物などの絶縁膜であっても、ＳＡＬ膜、磁気分離
膜、ＭＲ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイオン
ミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離
膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδ
ｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δd ／Ｒd ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
【００４３】また、中央領域に縦バイアス磁界を印加す
る機能を有する端部領域が、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、
ＣｏＮｉＣｒなどＣｏを主成分とするＣｏＣｒＰｔ以外
の永久磁石膜を含む構造体であっても、ＳＡＬ膜、磁気
分離膜、ＭＲ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイ
オンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気
分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜
をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
る機能を有する端部領域が、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、
ＣｏＮｉＣｒなどＣｏを主成分とするＣｏＣｒＰｔ以外
の永久磁石膜を含む構造体であっても、ＳＡＬ膜、磁気
分離膜、ＭＲ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚とイ
オンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気
分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜
をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
【００４４】また、中央領域に縦バイアスを印加する機
能を有する端部領域が、Ｍｎ−Ｍ（ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉから選択される少なくとも一種類の元素）、あるい
は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏのいずれか一つを含む酸化物、あ
るいは、希土類金属からなる薄膜と、Ｎｉ−Ｆｅ膜ある
いはＮｉ−Ｆｅ−Ｍ（ＭはＣｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元
素）膜との積層膜を含む構造体であっても、ＳＡＬ膜、
磁気分離膜、ＭＲ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚
とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、
磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保
護膜をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
能を有する端部領域が、Ｍｎ−Ｍ（ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉから選択される少なくとも一種類の元素）、あるい
は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏのいずれか一つを含む酸化物、あ
るいは、希土類金属からなる薄膜と、Ｎｉ−Ｆｅ膜ある
いはＮｉ−Ｆｅ−Ｍ（ＭはＣｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元
素）膜との積層膜を含む構造体であっても、ＳＡＬ膜、
磁気分離膜、ＭＲ膜、保護膜、絶縁膜の各々の膜の膜厚
とイオンミリング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、
磁気分離膜をδｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保
護膜をδｅ，Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足するように膜厚を、特に、絶縁膜の膜厚を調節す
ることによって、低抵抗で抵抗ばらつきの少ないＭＲヘ
ッドが実現する。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
媒体磁界を感磁する中央領域がパタン化されその端部に
縦バイアスを印加する機能を備えた端部領域を持つＭＲ
ヘッドにおいて、素子の低抵抗化と抵抗のばらつきの低
減が実現できるもので、すなわち、パタン化された中央
領域のＭＲ膜が、ステンシルマスクのひさしの陰になる
ことがなくなり、スパッタによる縦バイアス膜および電
極膜と十分な電気的接合を実現でき低抵抗なＭＲヘッド
が実現できるという効果を奏するものである。
媒体磁界を感磁する中央領域がパタン化されその端部に
縦バイアスを印加する機能を備えた端部領域を持つＭＲ
ヘッドにおいて、素子の低抵抗化と抵抗のばらつきの低
減が実現できるもので、すなわち、パタン化された中央
領域のＭＲ膜が、ステンシルマスクのひさしの陰になる
ことがなくなり、スパッタによる縦バイアス膜および電
極膜と十分な電気的接合を実現でき低抵抗なＭＲヘッド
が実現できるという効果を奏するものである。
【図１】ＭＲヘッドの中央領域および端部領域の形成プ
ロセスを示す図。
ロセスを示す図。
【図２】ＭＲヘッドの中央領域および端部領域の形成プ
ロセスで示す図で［図１］に続く図。
ロセスで示す図で［図１］に続く図。
【図３】中央領域を構成する積層膜のミリング中点を示
す図。
す図。
【図４】ミリング中点がミリング角度とトラック幅規定
用絶縁膜（アルミナ）膜厚で変化する様子を示す図。
用絶縁膜（アルミナ）膜厚で変化する様子を示す図。
【図５】斜めミリングを説明する図
【図６】ミリング速度を説明する図
１ 基板 ２ 表面平滑化用膜 ３ 下シールド膜 ４ 絶縁膜 ５ ＳＡＬ膜 ６ 磁気分離膜 ７ 磁気抵抗効果膜 ８ 保護膜 ９ トラック幅規定用絶縁膜 １０ ステンシルマスク １１ ひさし部 １２ 茎部 １３ 下地膜 １４ 縦バイアス磁界膜 １５ 電極膜
Claims (14)
- 【請求項１】 基体上に形成された外部磁界を感知する
中央領域と、前記中央領域の両端面から前記中央領域を
挟んで位置し前記中央領域に縦バイアスを印加する機能
を有する端部領域とを含む磁気抵抗効果型ヘッドであっ
て、前記中央領域が前記基体に近接する順に、横バイア
ス用軟磁性膜、磁気分離膜、磁気抵抗膜、絶縁膜の積層
構造膜からなり、各々の膜の膜厚とイオンミリング速度
とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離膜をδｂ，Ｒ
ｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとし
たときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ） を満足することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 基体上に形成された外部磁界を感知する
中央領域と、前記中央領域の両端面から前記中央領域を
挟んで位置し前記中央領域に縦バイアスを印加する機能
を有する端部領域とを含む磁気抵抗効果型ヘッドであっ
て、前記中央領域が前記基体に近接する順に、横バイア
ス用軟磁性膜、磁気分離膜、磁気抵抗膜、保護膜、絶縁
膜の積層構造膜からなり、各々の膜の膜厚とイオンミリ
ング速度とを横バイアス膜をδａ，Ｒａ、磁気分離膜を
δｂ，Ｒｂ、磁気抵抗膜をδｃ，Ｒｃ、保護膜をδｅ，
Ｒｅ、絶縁膜をδｄ，Ｒｄとしたときに、 （δａ／Ｒａ）＋（δｂ／Ｒｂ）＜（δｃ／Ｒｃ）＋
（δｄ／Ｒｄ）＋（δｅ／Ｒｅ） を満足することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 横バイアス用軟磁性膜が、Ｃｏ−Ｍ（Ｍ
はＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔか
ら選択される少なくとも一種類の元素）で表される金属
であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気
抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 横バイアス用軟磁性膜が、Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｍ（ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔから選択
される少なくとも一種類の元素）で表される金属である
ことを特徴とする請求項１または２記載の磁気抵抗効果
型ヘッド。 - 【請求項５】 磁気分離膜がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元素から
なることを特徴とする請求項１または２記載の磁気抵抗
効果型ヘッド。 - 【請求項６】 磁気抵抗膜が、Ｎｉ−Ｆｅ或いはＮｉ−
Ｆｅ−Ｃｏであることを特徴とする請求項１または２記
載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項７】 中央領域に縦バイアスを印加する機能を
有する端部領域が、Ｃｏを主成分とする永久磁石膜を含
むことを特徴とする請求項１または２記載の磁気抵抗効
果型ヘッド。 - 【請求項８】 中央領域に縦バイアスを印加する機能を
有する端部領域が、Ｍｎ−Ｍ（ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉか
ら選択される少なくとも一種類の元素）、あるいは、Ｎ
ｉ、Ｆｅ、Ｃｏのいずれか１つを含む酸化物、あるい
は、希土類金属からなる薄膜と、Ｎｉ−Ｆｅ膜あるいは
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍ（ＭはＣｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元素）膜
との積層膜を含むことを特徴とする請求項１または２記
載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項９】 保護膜がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ｐｔから選択される少なくとも一種類の元素からなるこ
とを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１０】 基体上に前記基体に近接する順に、横
バイアス用軟磁性膜、磁気分離膜、磁気抵抗膜、絶縁膜
からなる積層構造膜を物理的気相成長法により形成する
工程と、前記積層構造膜に前記中央領域となる形状を形
成するためのフォトレジストマスクを形成する工程と、
これをイオンミリングによりパタン化する工程と、前記
端部領域となる縦バイアス機能を有する磁性膜構造体を
気相成長法により形成する工程とを含むことを特徴とす
る請求項１〜９のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１１】 積層構造膜に前記中央領域となる形状
を形成するためのフォトレジストマスクを形成する工程
において、前記フォトレジストマスクの幅が、積層構造
膜に近接する部分の幅Ｗ１と前記積層構造膜から離れた
部分の幅Ｗ２を有し、Ｗ１＜Ｗ２であることを特徴とす
る請求項１０記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 中央領域となる形状をイオンミリング
により形成する工程において、ミリングイオンの入射角
度が、前記中央領域膜面垂直方向から０度から３０度の
範囲であることを特徴とする請求項１０または１１記載
の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 端部領域となる縦バイアス機能を有す
る磁性膜構造体を気相成長法により形成する工程が、指
向性の高い気相成長法であることを特徴とする請求項１
０〜１２のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法。 - 【請求項１４】 気相成長法が、３ｍＴｏｒｒ以下の圧
力中で行う気相成長法であることを特徴とする請求項１
０〜１３のいずれかに記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法。
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