JP2845204B2 - 磁気抵抗効果型読み取り変換器 - Google Patents
磁気抵抗効果型読み取り変換器Info
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- JP2845204B2 JP2845204B2 JP20474596A JP20474596A JP2845204B2 JP 2845204 B2 JP2845204 B2 JP 2845204B2 JP 20474596 A JP20474596 A JP 20474596A JP 20474596 A JP20474596 A JP 20474596A JP 2845204 B2 JP2845204 B2 JP 2845204B2
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Description
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に記録
された信号情報を磁気抵抗効果を用いて読み取る薄膜型
磁気変換器、すなわち磁気抵抗効果型読み取り変換器に
関する。
された信号情報を磁気抵抗効果を用いて読み取る薄膜型
磁気変換器、すなわち磁気抵抗効果型読み取り変換器に
関する。
【０００１】
【従来の技術】磁気記録媒体に記録された情報を検出す
る手段として、磁気抵抗効果型読み取り変換器、即ち磁
気抵抗センサ（以下、ＭＲセンサ）が知られている。
る手段として、磁気抵抗効果型読み取り変換器、即ち磁
気抵抗センサ（以下、ＭＲセンサ）が知られている。
【０００２】このＭＲセンサを磁気ヘッドとして用いる
場合にはバルクハウゼンノイズの抑制及び動作領域の線
形性保持のため２種類のバイアス磁界を印加する必要が
ある。
場合にはバルクハウゼンノイズの抑制及び動作領域の線
形性保持のため２種類のバイアス磁界を印加する必要が
ある。
【０００３】１つは横バイアス磁界であり、ＭＲ膜の磁
化容易軸方向に垂直な方向に磁界を印加するものであ
る。この横バイアスを印加するための横バイアス膜はＭ
Ｒ膜に対して非磁性層を介して設置されている。
化容易軸方向に垂直な方向に磁界を印加するものであ
る。この横バイアスを印加するための横バイアス膜はＭ
Ｒ膜に対して非磁性層を介して設置されている。
【０００４】もう１つは縦バイアス磁界であり、ＭＲ膜
の磁区安定性制御のために印加される。この縦バイアス
を印加するために、ＭＲ膜両端部に縦バイアス膜が設置
されている。縦バイアス磁界を印加する方法としてはＮ
ｉ−Ｆｅ合金からなる強磁性材料の上にＭｎ−Ｆｅ合金
もしくはＮｉ−Ｍｎ合金からなる反強磁性材料を積層
し、強磁性膜と反強磁性膜との交換結合により縦バイア
ス磁界を印加する方法が知られている。また縦バイアス
膜としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金からなる硬質磁性層を用
い縦バイアス磁界を印加する方法が知られている（特開
平３−１２５３１１号、特開平７−５７２２３号参
照）。
の磁区安定性制御のために印加される。この縦バイアス
を印加するために、ＭＲ膜両端部に縦バイアス膜が設置
されている。縦バイアス磁界を印加する方法としてはＮ
ｉ−Ｆｅ合金からなる強磁性材料の上にＭｎ−Ｆｅ合金
もしくはＮｉ−Ｍｎ合金からなる反強磁性材料を積層
し、強磁性膜と反強磁性膜との交換結合により縦バイア
ス磁界を印加する方法が知られている。また縦バイアス
膜としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金からなる硬質磁性層を用
い縦バイアス磁界を印加する方法が知られている（特開
平３−１２５３１１号、特開平７−５７２２３号参
照）。
【０００５】これらの公開特許公報ではＭＲ膜及び横バ
イアス印加膜（Ｓｏｆｔ Ａｄｊａｃｅｎｔ Ｌａｙｅ
ｒ以下、ＳＡＬ膜と称す）がＭＲセンサの能動領域にの
み形成されており、その能動領域の両端部に縦バイアス
磁界を供給するための縦バイアス膜が設置されている。
これらの構成ではＭＲ膜及びＳＡＬ膜と縦バイアス膜が
電気的及び磁気的に接続されていることが必要である。
前記公開特許公報は、能動領域のＭＲ膜、非磁性膜、Ｓ
ＡＬ膜をフォトレジストを用いたステンシルによりカバ
ーし、イオンミリングによりカバーされていない部分を
エッチングし、さらにそのマスクを用いて縦バイアス磁
界を提供するための前記交換結合膜もしくは硬質磁性膜
をリフトオフを行い、そのリフトオフされた縦バイアス
膜が能動領域平坦部に被覆する領域が０〜０．１μｍの
範囲が望ましい事を開示されている。
イアス印加膜（Ｓｏｆｔ Ａｄｊａｃｅｎｔ Ｌａｙｅ
ｒ以下、ＳＡＬ膜と称す）がＭＲセンサの能動領域にの
み形成されており、その能動領域の両端部に縦バイアス
磁界を供給するための縦バイアス膜が設置されている。
これらの構成ではＭＲ膜及びＳＡＬ膜と縦バイアス膜が
電気的及び磁気的に接続されていることが必要である。
前記公開特許公報は、能動領域のＭＲ膜、非磁性膜、Ｓ
ＡＬ膜をフォトレジストを用いたステンシルによりカバ
ーし、イオンミリングによりカバーされていない部分を
エッチングし、さらにそのマスクを用いて縦バイアス磁
界を提供するための前記交換結合膜もしくは硬質磁性膜
をリフトオフを行い、そのリフトオフされた縦バイアス
膜が能動領域平坦部に被覆する領域が０〜０．１μｍの
範囲が望ましい事を開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら信号情報
の高密度化に伴い能動領域の幅が狭くなると、能動領域
における縦バイアス膜被覆領域の占める割合が大きくな
る。縦バイアス磁界の強さが一定以上に強くなると、縦
バイアス磁界はＳＡＬ膜による横バイアス磁界の効果に
支障をきたすような働きを示す。このような状況下で
は、ＭＲ膜の磁化の回転がスムースではなく、さらに能
動領域端部では磁区が単一化されない。そのため前述し
た素子のＲ−Ｈループにはヒステリシスやバルクハウゼ
ンジャンプがあらわれ、信号情報を読み出す際のノイズ
の要因の一つになるという問題点があった。
の高密度化に伴い能動領域の幅が狭くなると、能動領域
における縦バイアス膜被覆領域の占める割合が大きくな
る。縦バイアス磁界の強さが一定以上に強くなると、縦
バイアス磁界はＳＡＬ膜による横バイアス磁界の効果に
支障をきたすような働きを示す。このような状況下で
は、ＭＲ膜の磁化の回転がスムースではなく、さらに能
動領域端部では磁区が単一化されない。そのため前述し
た素子のＲ−Ｈループにはヒステリシスやバルクハウゼ
ンジャンプがあらわれ、信号情報を読み出す際のノイズ
の要因の一つになるという問題点があった。
【０００７】従って、本発明の主たる目的はＭＲ膜、非
磁性層及びＳＡＬ膜からなるＭＲセンサ部が磁気抵抗効
果型読み取り変換器の中央能動領域にのみ設置され、縦
バイアス膜がＭＲセンサ部に隣接接合を形成するように
中央能動領域端部に設置される構成において、ＭＲセン
サに磁気的不安定性が生じないように縦バイアス膜を中
央能動領域上側の平坦部に被覆させた磁気抵抗効果型読
み取り変換器を提供する事にある。
磁性層及びＳＡＬ膜からなるＭＲセンサ部が磁気抵抗効
果型読み取り変換器の中央能動領域にのみ設置され、縦
バイアス膜がＭＲセンサ部に隣接接合を形成するように
中央能動領域端部に設置される構成において、ＭＲセン
サに磁気的不安定性が生じないように縦バイアス膜を中
央能動領域上側の平坦部に被覆させた磁気抵抗効果型読
み取り変換器を提供する事にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
読み取り変換器は、図１に示したように、磁気抵抗効果
膜６及び前記磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加す
るための軟磁性薄膜４が前記磁気抵抗効果膜から非磁性
層５を介して隔離して能動領域にのみ形成されており、
前記能動領域の両端部に前記磁気抵抗効果膜及び軟磁性
薄膜の磁区安定化のための縦バイアス磁界を印加するた
めの縦バイアス膜８が配置されている磁気抵抗効果素子
において、前記縦バイアス膜が前記能動領域上側平坦部
に能動領域の幅Ｔw （μｍ）に対して０≦ｄ≦Ｔw ／１
０（μｍ）の範囲で被覆する事を特徴とする。
読み取り変換器は、図１に示したように、磁気抵抗効果
膜６及び前記磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界を印加す
るための軟磁性薄膜４が前記磁気抵抗効果膜から非磁性
層５を介して隔離して能動領域にのみ形成されており、
前記能動領域の両端部に前記磁気抵抗効果膜及び軟磁性
薄膜の磁区安定化のための縦バイアス磁界を印加するた
めの縦バイアス膜８が配置されている磁気抵抗効果素子
において、前記縦バイアス膜が前記能動領域上側平坦部
に能動領域の幅Ｔw （μｍ）に対して０≦ｄ≦Ｔw ／１
０（μｍ）の範囲で被覆する事を特徴とする。
【０００９】さらに前記能動領域の各々の端部がテーパ
形状を有しており、そのテーパ角度（θt ）が１０度と
４０度の間の範囲にあることが好ましい。
形状を有しており、そのテーパ角度（θt ）が１０度と
４０度の間の範囲にあることが好ましい。
【００１０】このように本発明ではＭＲ膜の磁区安定化
のための縦バイアス膜が上記能動領域上側平坦部に能動
領域の幅Ｔw （μｍ）に対して０≦ｄ≦Ｔw ／１０（μ
ｍ）の範囲で被覆し、さらに前記能動領域の各々の端部
がテーパ形状を有しており、そのテーパ角度を１０度と
４０度の間の範囲に調整する事によりＭＲセンサに磁気
的不安定性を生じさせる事なく、かつテーパ接続による
電気抵抗の上昇を生ずる事のない信号情報の再生特性に
すぐれた磁気抵抗効果型読み取り変換器を提供する事が
できる。
のための縦バイアス膜が上記能動領域上側平坦部に能動
領域の幅Ｔw （μｍ）に対して０≦ｄ≦Ｔw ／１０（μ
ｍ）の範囲で被覆し、さらに前記能動領域の各々の端部
がテーパ形状を有しており、そのテーパ角度を１０度と
４０度の間の範囲に調整する事によりＭＲセンサに磁気
的不安定性を生じさせる事なく、かつテーパ接続による
電気抵抗の上昇を生ずる事のない信号情報の再生特性に
すぐれた磁気抵抗効果型読み取り変換器を提供する事が
できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施例を示す。
【００１２】本発明の磁気抵抗効果型読み取り変換器
は、次のようにして形成される。まず、図２に示したよ
うに、基体１上に磁気シールド材ＮｉＦｅ2 、ギャップ
アルミナ膜３、ＳＡＬ膜４、スペーサ非磁性層５、ＭＲ
膜６を順次積層する。次に、２層レジストを用いてステ
ンシルマスク７を形成し、イオンミリングによりステン
シルマスクにおおわれていない部分のＳＡＬ膜４、スペ
ーサ非磁性層５及びＭＲ膜６の部分を除去する。次に、
中央能動領域の両端部にテーパ角θt を有するテーパ形
状を形成し、かつイオンミリング後にステンシルマスク
７を除去せずにＭＲ膜の磁区安定化のための縦バイアス
膜８を成膜する。最後に、ステンシルマスク７を除去す
る工程において、イオンミリングの入射角度θm 及びス
テンシルマスク７の下層レジスト高さｈを適度な値に設
定することにより所望のテーパ形状を形成し、さらにリ
フトオフ膜となる縦バイアス膜を中央能動領域端部に磁
気的不安定性を生じさせないように被覆量ｄなる量でも
って被覆させる。
は、次のようにして形成される。まず、図２に示したよ
うに、基体１上に磁気シールド材ＮｉＦｅ2 、ギャップ
アルミナ膜３、ＳＡＬ膜４、スペーサ非磁性層５、ＭＲ
膜６を順次積層する。次に、２層レジストを用いてステ
ンシルマスク７を形成し、イオンミリングによりステン
シルマスクにおおわれていない部分のＳＡＬ膜４、スペ
ーサ非磁性層５及びＭＲ膜６の部分を除去する。次に、
中央能動領域の両端部にテーパ角θt を有するテーパ形
状を形成し、かつイオンミリング後にステンシルマスク
７を除去せずにＭＲ膜の磁区安定化のための縦バイアス
膜８を成膜する。最後に、ステンシルマスク７を除去す
る工程において、イオンミリングの入射角度θm 及びス
テンシルマスク７の下層レジスト高さｈを適度な値に設
定することにより所望のテーパ形状を形成し、さらにリ
フトオフ膜となる縦バイアス膜を中央能動領域端部に磁
気的不安定性を生じさせないように被覆量ｄなる量でも
って被覆させる。
【００１３】図３に２層レジストの下層レジスト高さｈ
を０．１５μｍに固定し、イオンミリング時の入射角度
θm を０度〜６０度の範囲で変化させた場合に得られる
中央能動領域両端部のテーパ角度θt をプロットしたグ
ラフを示す。図３から判るようにイオンミリング時の入
射角度θm の増加に伴いθt は減少する。
を０．１５μｍに固定し、イオンミリング時の入射角度
θm を０度〜６０度の範囲で変化させた場合に得られる
中央能動領域両端部のテーパ角度θt をプロットしたグ
ラフを示す。図３から判るようにイオンミリング時の入
射角度θm の増加に伴いθt は減少する。
【００１４】図４に上記テーパ角度θt を有する中央能
動領域端部に縦バイアス膜をリフトオフした場合に得ら
れる中央能動領域上部平坦部への縦バイアス膜の被覆量
ｄとθt との関係をプロットしたグラフを示す。図４よ
り次の傾向が読みとれる。テーパ角度θt が３度から１
０度の場合には縦バイアス膜の被覆量ｄはマイナスとな
りテーパ部斜面の途中で縦バイアス膜がとぎれてしま
う。θt が１０度から４０度の場合には被覆量は０μｍ
≦ｄ≦Ｔw ／１０μｍとなる。θt が４０度より大の場
合には被覆量はＴw ／１０＜ｄとなり、θt の増加に伴
い中央能動領域上部平坦部への縦バイアス膜の被覆量は
増加する。
動領域端部に縦バイアス膜をリフトオフした場合に得ら
れる中央能動領域上部平坦部への縦バイアス膜の被覆量
ｄとθt との関係をプロットしたグラフを示す。図４よ
り次の傾向が読みとれる。テーパ角度θt が３度から１
０度の場合には縦バイアス膜の被覆量ｄはマイナスとな
りテーパ部斜面の途中で縦バイアス膜がとぎれてしま
う。θt が１０度から４０度の場合には被覆量は０μｍ
≦ｄ≦Ｔw ／１０μｍとなる。θt が４０度より大の場
合には被覆量はＴw ／１０＜ｄとなり、θt の増加に伴
い中央能動領域上部平坦部への縦バイアス膜の被覆量は
増加する。
【００１５】図５に前述した中央能動領域上部平坦部へ
の縦バイアス膜の被覆量ｄとＭＲ素子の外部磁界に対す
る抵抗変化量のカーブ（以下Ｒ−Ｈ曲線）から求めたヒ
ステリシス（外部磁界を−から＋に変化させた際に得ら
れる曲線と＋から−に変化させた際に得られる曲線にお
いて、両曲線が一致していない面積とする）の関係を示
す。このグラフは、ヒステリシスの値が大きい素子ほど
信号情報の再生時のＳ／Ｎにおけるノイズが高い事を示
唆している。図５より、被覆量ｄが中央能動領域の幅Ｔ
w に対して０μｍ≦ｄ≦Ｔw ／１０μｍの範囲ではヒス
テリシスの値が最も小さくなるが、それ以外の範囲では
ヒステリシスの値は被覆量ｄの増加もしくは減少に伴い
増加することがわかる。
の縦バイアス膜の被覆量ｄとＭＲ素子の外部磁界に対す
る抵抗変化量のカーブ（以下Ｒ−Ｈ曲線）から求めたヒ
ステリシス（外部磁界を−から＋に変化させた際に得ら
れる曲線と＋から−に変化させた際に得られる曲線にお
いて、両曲線が一致していない面積とする）の関係を示
す。このグラフは、ヒステリシスの値が大きい素子ほど
信号情報の再生時のＳ／Ｎにおけるノイズが高い事を示
唆している。図５より、被覆量ｄが中央能動領域の幅Ｔ
w に対して０μｍ≦ｄ≦Ｔw ／１０μｍの範囲ではヒス
テリシスの値が最も小さくなるが、それ以外の範囲では
ヒステリシスの値は被覆量ｄの増加もしくは減少に伴い
増加することがわかる。
【００１６】図６に中央能動領域両端部のテーパ角度θ
t とヒステリシスの関係をプロットしたグラフを示す。
この図より、θt が１０度と４０度の間の場合にはヒス
テリシスが最も小さくなるがそれ以外の範囲ではヒステ
リシスの値はテーパ角θt の増加もしくは減少に伴い増
加することがわかる。
t とヒステリシスの関係をプロットしたグラフを示す。
この図より、θt が１０度と４０度の間の場合にはヒス
テリシスが最も小さくなるがそれ以外の範囲ではヒステ
リシスの値はテーパ角θt の増加もしくは減少に伴い増
加することがわかる。
【００１７】ヒステリシスの増加の原因は次のとおりと
考えられる。
考えられる。
【００１８】テーパ角θt が３度から１０度の場合には
ＭＲ膜の端部の磁区安定化のための縦バイアス膜が中央
能動領域両端部のテーパ部の途中で途絶えているため縦
バイアス磁界が弱くＭＲ膜の磁区安定化が不十分となり
Ｒ−Ｈ曲線にヒステリシスが発生する。
ＭＲ膜の端部の磁区安定化のための縦バイアス膜が中央
能動領域両端部のテーパ部の途中で途絶えているため縦
バイアス磁界が弱くＭＲ膜の磁区安定化が不十分となり
Ｒ−Ｈ曲線にヒステリシスが発生する。
【００１９】一方、θt が４０度を越えると、縦バイア
ス膜は中央能動領域両端部のテーパ部には十分被覆し、
さらに中央能動領域上部平坦部にも十分被覆した状態
（Ｔw／１０＜ｄ）になっている。しかしこの被覆量ｄ
が中央能動領域の幅Ｔw に対してある一定の値（Ｔw ／
１０）以上になると能動領域における縦バイアス膜被覆
領域の占める割合が大きくなり、縦バイアス磁界の強さ
が一定以上に強くなるため縦バイアス磁界はＳＡＬ膜に
よる横バイアス磁界の効果に支障をきたすような働きを
示す。このような状況に於いてはＭＲ膜の磁化の回転が
スムースではなく、さらに能動領域端部では磁区が単一
化されない。そのため前述したＲ−Ｈループにはヒステ
リシスがあらわれ、信号情報を読み出す際のノイズの要
因の一つになると考えられる。
ス膜は中央能動領域両端部のテーパ部には十分被覆し、
さらに中央能動領域上部平坦部にも十分被覆した状態
（Ｔw／１０＜ｄ）になっている。しかしこの被覆量ｄ
が中央能動領域の幅Ｔw に対してある一定の値（Ｔw ／
１０）以上になると能動領域における縦バイアス膜被覆
領域の占める割合が大きくなり、縦バイアス磁界の強さ
が一定以上に強くなるため縦バイアス磁界はＳＡＬ膜に
よる横バイアス磁界の効果に支障をきたすような働きを
示す。このような状況に於いてはＭＲ膜の磁化の回転が
スムースではなく、さらに能動領域端部では磁区が単一
化されない。そのため前述したＲ−Ｈループにはヒステ
リシスがあらわれ、信号情報を読み出す際のノイズの要
因の一つになると考えられる。
【００２０】図７に中央能動領域両端部のテーパ角度θ
t とＭＲセンサの電気抵抗の値の関係をプロットしたグ
ラフを示す。図７より、テーパ角度θt が３度から１０
度の範囲では縦バイアス膜がテーパ部の途中までしか被
覆していないため抵抗値が高いが１０度より大では縦バ
イアス膜がテーパ部に被覆し、かつθt の増加に伴い中
央能動領域上部平坦部にも被覆するため、抵抗は徐々に
小さくなる事が判る。
t とＭＲセンサの電気抵抗の値の関係をプロットしたグ
ラフを示す。図７より、テーパ角度θt が３度から１０
度の範囲では縦バイアス膜がテーパ部の途中までしか被
覆していないため抵抗値が高いが１０度より大では縦バ
イアス膜がテーパ部に被覆し、かつθt の増加に伴い中
央能動領域上部平坦部にも被覆するため、抵抗は徐々に
小さくなる事が判る。
【００２１】なお以上に述べた実施例の中でＭＲ膜はＮ
ｉＦｅなどの強磁性材料層であり、スペーサである非磁
性層はＴａのみに限るものではなく、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ
Ｏｘ、ＡｌＯｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＴｉＯｘなどで
もよい。
ｉＦｅなどの強磁性材料層であり、スペーサである非磁
性層はＴａのみに限るものではなく、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａ
Ｏｘ、ＡｌＯｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＴｉＯｘなどで
もよい。
【００２２】また横バイアス印加膜（Ｓｏｆｔ Ａｄｊ
ａｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ）はＣｏＺｒＭｏだけではな
く、ＮｉＦｅＲｈ、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の軟磁性
材料であれば同様の効果が得られる。さらに縦バイアス
膜としてはＣｏＣｒＰｔのみに限らず、ＣｏＣｒＴａ、
ＣｏＰｔ等の硬質磁性材料もしくはＭｎＦｅやＭｎＮｉ
などの反強磁性材料層がＮｉＦｅなどの強磁性材料層を
オーバレイして接触した構造でも同様の効果が得られ
る。
ａｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ）はＣｏＺｒＭｏだけではな
く、ＮｉＦｅＲｈ、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の軟磁性
材料であれば同様の効果が得られる。さらに縦バイアス
膜としてはＣｏＣｒＰｔのみに限らず、ＣｏＣｒＴａ、
ＣｏＰｔ等の硬質磁性材料もしくはＭｎＦｅやＭｎＮｉ
などの反強磁性材料層がＮｉＦｅなどの強磁性材料層を
オーバレイして接触した構造でも同様の効果が得られ
る。
【００２３】また反強磁性層／ピンニング層／中間層／
フリー層の構成で知られるスピンバルブ（ＳＶ）ヘッド
においても磁区制御のために硬質磁性層もしくは反強磁
性材料層に強磁性層がオーバレイして接触したバイアス
層の形成が必要であり、これらの構成においても上述し
たようなテーパ接続を行うことにより同様の効果が得ら
れる。
フリー層の構成で知られるスピンバルブ（ＳＶ）ヘッド
においても磁区制御のために硬質磁性層もしくは反強磁
性材料層に強磁性層がオーバレイして接触したバイアス
層の形成が必要であり、これらの構成においても上述し
たようなテーパ接続を行うことにより同様の効果が得ら
れる。
【００２４】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明は、ＭＲセ
ンサに磁気的不安定性を生じさせる事なく、かつテーパ
接続による電気抵抗の上昇を生ずる事のない信号情報の
再生特性にすぐれた磁気抵抗効果型読み取り変換器を提
供する事ができる。
ンサに磁気的不安定性を生じさせる事なく、かつテーパ
接続による電気抵抗の上昇を生ずる事のない信号情報の
再生特性にすぐれた磁気抵抗効果型読み取り変換器を提
供する事ができる。
【図１】本発明に適用されるＭＲ素子中央能動領域の断
面図を示したものである。
面図を示したものである。
【図２】本発明における中央能動領域端部のテーパ形状
の形成手順及び縦バイアス膜の被覆状態を示したもので
ある。
の形成手順及び縦バイアス膜の被覆状態を示したもので
ある。
【図３】イオンミリング時の入射角度θm と中央能動領
域両端部のテーパ角度θt の関係を示したものである。
域両端部のテーパ角度θt の関係を示したものである。
【図４】中央能動領域両端部のテーパ角度θt と中央能
動領域上側平坦部への縦バイアス膜の被覆量ｄの関係を
示したものである。
動領域上側平坦部への縦バイアス膜の被覆量ｄの関係を
示したものである。
【図５】中央能動領域上側平坦部への縦バイアス膜の被
覆量ｄとＲ−Ｈカーブのヒステリシスの関係を示したも
のである。
覆量ｄとＲ−Ｈカーブのヒステリシスの関係を示したも
のである。
【図６】中央能動領域両端部のテーパ角度θt とＲ−Ｈ
カーブのヒステリシスの関係を示したものである
カーブのヒステリシスの関係を示したものである
【図７】中央能動領域両端部のテーパ角度θt とＭＲセ
ンサ部の抵抗値の関係を示したものである。
ンサ部の抵抗値の関係を示したものである。
１ 基体 ２ 下シールド ３ アルミナギャップ ４ ＳＡＬ膜 ５ 非磁性層 ６ ＭＲ膜 ７ フォトレジスト ８ 縦バイアス膜
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果型読み取り変換器に関し、
磁気抵抗効果膜及び前記磁気抵抗効果膜に横バイアス磁
界を印加するための軟磁性薄膜が前記磁気抵抗効果膜か
ら非磁性層を介して隔離して能動領域にのみ形成されて
おり、前記能動領域の両端部に前記磁気抵抗効果膜及び
軟磁性薄膜の磁区安定化のための縦バイアス磁界を印加
するための縦バイアス膜が配置されている磁気抵抗効果
素子において、前記縦バイアス膜が前記能動領域上側平
坦部に能動領域の幅Ｔw （μｍ）に対して０≦ｄ≦Ｔw
／１０（μｍ）の範囲で被覆する事を特徴とする磁気抵
抗効果型読み取り変換器。 - 【請求項２】 前記能動領域の各々の端部がテーパ形状
を有しており、そのテーパ角度θt が１０度と４０度の
間の範囲にある事を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型読み取り変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20474596A JP2845204B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 磁気抵抗効果型読み取り変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20474596A JP2845204B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 磁気抵抗効果型読み取り変換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1049832A JPH1049832A (ja) | 1998-02-20 |
| JP2845204B2 true JP2845204B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=16495633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20474596A Expired - Fee Related JP2845204B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 磁気抵抗効果型読み取り変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845204B2 (ja) |
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